JP2003177203A - 保護膜の製造方法 - Google Patents
保護膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、耐熱・耐水性に優れかつ安価な保
護膜の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 反射体に被着されている光学的多層膜上
に被着される保護膜の製造方法であって、ＳｉＯ２及び
Ａｌ２Ｏ３を必須成分として含有し、その合量が９５質
量％以上含有している保護膜を、ムライトを蒸着源とし
て被着する。
護膜の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 反射体に被着されている光学的多層膜上
に被着される保護膜の製造方法であって、ＳｉＯ２及び
Ａｌ２Ｏ３を必須成分として含有し、その合量が９５質
量％以上含有している保護膜を、ムライトを蒸着源とし
て被着する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射体、例えば高
出力ハロゲン電球の反射体に被覆された光学的多層膜
（以下、多層膜と称す）の耐久性を向上させる保護膜の
製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ハロゲン電球用などの反射体にお
いては、その中央に装着された高出力ランプからの可視
光を反射面で効果的に反射させ、かつ熱線を透過させる
ため、反射面に高屈折率蒸着材料と低屈折率蒸着材料と
を交互に積層させてなる多層膜、例えば、硫化亜鉛−弗
化マグネシウム（ＺｎＳ−ＭｇＦ２）多層膜又は酸化チ
タン−二酸化珪素（ＴｉＯ２−ＳｉＯ２）多層膜が被着
されている。 【０００３】ところが、ハロゲン電球はランプ点灯の際
に高熱を発するため、上記多層膜はその耐久性を低下さ
せてしまう。このため、多層膜の上層に保護膜となるＳ
ｉＯ ２膜を真空蒸着し、さらに加熱処理し膜密度を密に
し多層膜の耐久性の低下を防いでいた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この対
応は、低出力ハロゲン電球、例えば１２Ｖ・５０Ｗ程度
のものに対して効果的であるが、高出力ハロゲン電球、
例えば１００Ｖ・３６０Ｗのものに対してはあまり効果
が見られなかった。これは、多層膜及び保護膜を加熱処
理によって膜密度を密にしても、保護膜のＳｉＯ２の分
子間の隙間から膜内部への水分の侵入を防ぐことができ
ず、膜内に水分が残存したままハロゲン電球からの高熱
によって、多層膜が熱せられ多層膜中のＺｎＳの昇華が
起こり白曇りを生じさせていた。 【０００５】したがって、本発明は上記事情を考慮し、
耐熱・耐水性に優れかつ安価な保護膜を提供することを
目的とする。 【０００６】なお、本明細書で用いる“％"表示は、質
量％を表すものとする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の保護膜の製造方
法は、基板に被着された光学的多層膜上に形成される保
護膜の製造方法であって、前記光学的多層膜上にムライ
トを蒸着源として真空蒸着する工程と、その後、前記基
板を３５０℃以上に加熱する工程とを備え、Ａｌ２Ｏ３
及びＳｉＯ２の合量が９５質量％以上となる保護膜を形
成することを特徴とする方法である。 【０００８】 【発明の実施の形態】（実施の形態１）この実施の形態
は、図１に示すようにガラス基板１の一面に回転放物面
からなる凹面２が形成され、この凹面２に真空蒸着によ
り被覆された多層膜４の上層にＡｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２
が主成分として含まれている保護膜５を被覆したもので
ある。 【０００９】（実施の形態２）この実施の形態は、図１
に示すようにガラス基板１の凹面２に真空蒸着により被
覆された多層膜４の上層に、ムライトからなる保護膜５
を被覆したものである。 【００１０】 【実施例】（実施例１）この実施例は上記実施の形態１
に対応するものであり、図１を参照して本発明の実施例
を説明する。図１において、１はガラス基板、例えばハ
ロゲン電球用反射体のガラス基板１であり、一面を回転
放物面からなる凹面２で形成されている。この凹面２の
中央にはハロゲン電球３が装着されており、さらに凹面
２上には多層膜４が被着され、この多層膜４の上層には
Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ ２からなる保護膜５が被覆され反
射体６が形成される。反射体６に被着されている多層膜
４によりハロゲン電球３から出射される可視光が反射さ
れ、熱線が反射体６を透過する。 【００１１】多層膜４は、真空蒸着を用いて以下に示す
条件で凹面２上にＺｎＳ−ＭｇＦ２の交互層を２１層被
覆したものである。また、保護膜５も多層膜４と同様な
条件で多層膜４の上層にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合
物を被覆したものである。 （１）膜構成・・・（（ＨＬ）５Ｈ）／λ１・（（Ｌ
Ｈ）５・２Ｌ´）／λ２ Ｈ：ＺｎＳ Ｌ：ＭｇＦ２ ２Ｌ´：保護膜５ λ１：６８０ｎｍ λ２：５３０ｎｍ （２）到達真空度・・・６．５×１０−３Ｐａ （３）コート真空度・・３．９×１０−３Ｐａ （４）導入ガス・・・・Ａｒガス （５）基板温度・・・・１００〜３００℃ なお、第２２層目の保護膜５は、以下の表１に示す質量
比のＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ ２との混合物を電子銃により被
覆した。 【００１２】さらに、多層膜４及び保護膜５の蒸着完了
後、多層膜４及び保護膜５を蒸着した反射体６に加熱処
理を施す。すなわち、反射体６を電気炉中で３５０℃以
上に加熱を行ない、多層膜４及び保護膜５を硬化する。
この加熱処理は、光源であるハロゲン電球３の点灯の際
の熱負荷が通常３５０℃以上であり、３５０℃未満で硬
化された多層膜４及び保護膜５は上記熱負荷に耐えるこ
とができないためである。 【００１３】次に、本発明の保護膜５が被着されている
多層膜４の耐久性について、保護膜５を構成するＡｌ２
Ｏ３とＳｉＯ２との質量比を変化させ、点灯テスト、熱
衝撃テスト、煮沸テスト、および引張テストを行なった
結果のテストデータも表１に示す。なお、実験例１は従
来の保護膜に相当する。 【表１】 表１に示すテストの試験方法を以下に示す。 （１）点灯テスト…反射体６に１００Ｖ・３６０Ｗのハ
ロゲン電球３を装着して、１０分間点灯−１０分間消灯
を点灯時間累計５００時間経過後の膜剥れ、膜クラッ
ク、表面白濁、干渉むらについて評価。 （２）熱衝撃テスト…反射体６を６００℃の中性雰囲気
の電気炉中で５分間放置した後、大気中に放置冷却し、
膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むらについて評価
した。 （３）煮沸テスト…反射体６を１００℃の市水中に１０
分間浸漬後、膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むら
について評価した。 （４）引張りテスト…保護膜５に幅１／２インチ、長さ
１０ｍｍの＃６００のスコッチテープ（商品名）を貼着
し急激に引剥がした後、膜剥れについて評価した。これ
らのテストの評価は、以下の評価記号で示した。 【００１４】 ○…変化なし Ｘ…膜剥れ Ｙ…膜クラック Ｚ…表面白濁又は干渉むら弱 ＺＺ…表面白濁又は干渉むら中 ＺＺＺ…表面白濁又は干渉むら強 表１の結果から、 （ａ）点灯テストについて…実験例４ないし９のよう
に、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０％〜１００
％のものは、膜に変化は見られず良好であった。しか
し、実験例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ２Ｏ
３の含有量が０〜２０％と少量であると、膜表面に白濁
が生じてしまう。この原因は、ＳｉＯ２の分子間の隙間
に入り込むＡｌ２Ｏ３の量が少なく十分にこの隙間を埋
めることができず、保護膜５の膜密度を緻密にすること
ができなくなり、膜表面から膜内部へ水分が侵入し、そ
の水分とハロゲン電球３との熱によりＺｎＳの昇華が起
こり白曇りが生じていたからである。 【００１５】（ｂ）熱衝撃テストについて…実験例１な
いし８のように、保護膜５中のＡｌ ２Ｏ３の含有量が０
％〜９５％のものは、膜に変化は見られず良好であっ
た。しかし、実験例９のように、保護膜５がＡｌ２Ｏ３
のみで形成されているものは、膜クラックが生じてしま
う。この原因は、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が９
５％を越えてしまうと、多層膜４のＺｎＳと保護膜５と
の間の熱膨張の差が大きくなりすぎ内部応力のバランス
が崩れたことによる。 【００１６】（ｃ）煮沸テストについて…実験例４ない
し９のように、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０
％〜１００％のものは、膜に変化は見られず良好であっ
た。しかし、実験例１ないし３のように、保護膜５中の
Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜２０％と少量であると、多層
膜４に膜剥がれが生じていた。この原因は、点灯テスト
と同様に保護膜５の膜密度を緻密にすることができなく
なり、膜表面から膜内部への水分が侵入するためであ
る。 【００１７】（ｄ）引っ張りテストについて…全ての実
験例及び比較例で変化は見られず良好であった。 【００１８】これらのテストの結果により、多層膜４の
保護膜５に適しているものは、実験例４ないし８に記載
されたＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合比のものである。
すなわち、Ａｌ２Ｏ３：ＳｉＯ２は３０：７０〜９５：
５の範囲で混合されることが好ましい。 【００１９】しかし、この実験例のサンプルを作成する
際に、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が９０％を越え
たものでは、保護膜５をバランスよく成膜することが困
難であった。したがって、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混
合物を電子銃などの手段によって蒸着するときには、保
護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０％〜９０％の範囲
が望ましい。なお、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とを別々に２
元蒸着するときには、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量
は３０％〜９５％の範囲で良好な保護膜５を成膜するこ
とができる。 【００２０】（実施例２）この実施例は上記実施例１の
Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合物の保護膜５に他の酸化
物が混入した場合の例である。Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２と
の混合物の割合は７：３のものとし、他の酸化物として
はＦｅ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯなどを用いた（以下、
これらの酸化物を不純物という）。そして、不純物の混
入割合を変化させ上記実施例１と同様なテストを行っ
た。その結果を表２に示す。 【表２】 表２の結果から、 （ａ）点灯テストについて…実験例１０ないし１４のよ
うに、保護膜５中の不純物の合量が９％以下のものは、
被覆した膜に変化は見られず良好であった。 【００２１】（ｂ）熱衝撃テストについて…実験例１２
ないし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が５％
以下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２２】しかし、実験例１０ないし１２のように、
不純物の合量が５％以上となってしまうと膜クラックが
生じてしまう。これは保護膜５中に混入した不純物を含
む保護膜の熱膨張と、多層膜４の最上層（本実施例の場
合はＺｎＳ）の熱膨張との差が大きくなりすぎ内部応力
のバランスが崩れたためである。 【００２３】（ｃ）煮沸テストについて…実験例１０な
いし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以
下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２４】（ｄ）引張りテストについて…実験例１０
ないし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％
以下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２５】これらのテスト結果により、多層膜４の保
護膜５として適しているものに許容される不純物の量は
５％未満である。また、表には示さないがＡｌ２Ｏ３と
ＳｉＯ２との混合比を上記実施例１の好ましい範囲内で
変化させたときについて実験を行ったところ、混合比に
より多少の差はあるものの不純物の量が５％未満であれ
ば良好な保護膜５が得られた。 【００２６】なお、この実施例２で示した不純物の範囲
は、混入するする不純物が酸化物の場合であり、酸化物
以外であるとランプの熱により不純物が酸化反応を起こ
してしまうため上記した範囲よりも狭い範囲でなければ
保護膜５の耐久性を低下させる恐れがある。 【００２７】（実施例３）この実施例は上記実施の形態
２に対応するものであり、真空蒸着法を用いて上記実施
例１の保護膜５のみをムライトに置き換えたものであ
る。したがって、蒸着条件については上記した条件と同
じである。 【００２８】この実施例に用いたムライトは、ＳｉＯ２
≧２２％とＡｌ２Ｏ３≧７７％を主成分として含有され
ており、その他不純物としてＦｅ２Ｏ３≦０．１、Ｎａ
２Ｏ≦０．３％、Ｋ２Ｏ≦０．０１％、ＣａＯ≦０．０
１％、ＭｇＯ≦０．０１％などが含まれたものである。
このムライトを保護膜５として、上記実施例１と同様な
耐久性の試験を行ったところ、点灯テスト、熱衝撃テス
ト、煮沸テスト、引張りテストで膜剥れ膜クラックなど
の膜の変化はみられなかった。したがって、天然に存在
しているムライトを多層膜４の保護膜５として使用でき
ることが確認できたので、保護膜５をより安価なものと
することができる。 【００２９】 【発明の効果】ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を必須成分と
し、その合量を９５％以上とした保護膜とすることによ
り、保護膜の膜密度及び耐熱性を向上させることができ
る。また、混入する不純物を酸化物としたので、ランプ
点灯の際の高熱に対しても膜物質の組成が変化せず保護
膜の耐熱性を低下させることがない。
出力ハロゲン電球の反射体に被覆された光学的多層膜
（以下、多層膜と称す）の耐久性を向上させる保護膜の
製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ハロゲン電球用などの反射体にお
いては、その中央に装着された高出力ランプからの可視
光を反射面で効果的に反射させ、かつ熱線を透過させる
ため、反射面に高屈折率蒸着材料と低屈折率蒸着材料と
を交互に積層させてなる多層膜、例えば、硫化亜鉛−弗
化マグネシウム（ＺｎＳ−ＭｇＦ２）多層膜又は酸化チ
タン−二酸化珪素（ＴｉＯ２−ＳｉＯ２）多層膜が被着
されている。 【０００３】ところが、ハロゲン電球はランプ点灯の際
に高熱を発するため、上記多層膜はその耐久性を低下さ
せてしまう。このため、多層膜の上層に保護膜となるＳ
ｉＯ ２膜を真空蒸着し、さらに加熱処理し膜密度を密に
し多層膜の耐久性の低下を防いでいた。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この対
応は、低出力ハロゲン電球、例えば１２Ｖ・５０Ｗ程度
のものに対して効果的であるが、高出力ハロゲン電球、
例えば１００Ｖ・３６０Ｗのものに対してはあまり効果
が見られなかった。これは、多層膜及び保護膜を加熱処
理によって膜密度を密にしても、保護膜のＳｉＯ２の分
子間の隙間から膜内部への水分の侵入を防ぐことができ
ず、膜内に水分が残存したままハロゲン電球からの高熱
によって、多層膜が熱せられ多層膜中のＺｎＳの昇華が
起こり白曇りを生じさせていた。 【０００５】したがって、本発明は上記事情を考慮し、
耐熱・耐水性に優れかつ安価な保護膜を提供することを
目的とする。 【０００６】なお、本明細書で用いる“％"表示は、質
量％を表すものとする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の保護膜の製造方
法は、基板に被着された光学的多層膜上に形成される保
護膜の製造方法であって、前記光学的多層膜上にムライ
トを蒸着源として真空蒸着する工程と、その後、前記基
板を３５０℃以上に加熱する工程とを備え、Ａｌ２Ｏ３
及びＳｉＯ２の合量が９５質量％以上となる保護膜を形
成することを特徴とする方法である。 【０００８】 【発明の実施の形態】（実施の形態１）この実施の形態
は、図１に示すようにガラス基板１の一面に回転放物面
からなる凹面２が形成され、この凹面２に真空蒸着によ
り被覆された多層膜４の上層にＡｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２
が主成分として含まれている保護膜５を被覆したもので
ある。 【０００９】（実施の形態２）この実施の形態は、図１
に示すようにガラス基板１の凹面２に真空蒸着により被
覆された多層膜４の上層に、ムライトからなる保護膜５
を被覆したものである。 【００１０】 【実施例】（実施例１）この実施例は上記実施の形態１
に対応するものであり、図１を参照して本発明の実施例
を説明する。図１において、１はガラス基板、例えばハ
ロゲン電球用反射体のガラス基板１であり、一面を回転
放物面からなる凹面２で形成されている。この凹面２の
中央にはハロゲン電球３が装着されており、さらに凹面
２上には多層膜４が被着され、この多層膜４の上層には
Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ ２からなる保護膜５が被覆され反
射体６が形成される。反射体６に被着されている多層膜
４によりハロゲン電球３から出射される可視光が反射さ
れ、熱線が反射体６を透過する。 【００１１】多層膜４は、真空蒸着を用いて以下に示す
条件で凹面２上にＺｎＳ−ＭｇＦ２の交互層を２１層被
覆したものである。また、保護膜５も多層膜４と同様な
条件で多層膜４の上層にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合
物を被覆したものである。 （１）膜構成・・・（（ＨＬ）５Ｈ）／λ１・（（Ｌ
Ｈ）５・２Ｌ´）／λ２ Ｈ：ＺｎＳ Ｌ：ＭｇＦ２ ２Ｌ´：保護膜５ λ１：６８０ｎｍ λ２：５３０ｎｍ （２）到達真空度・・・６．５×１０−３Ｐａ （３）コート真空度・・３．９×１０−３Ｐａ （４）導入ガス・・・・Ａｒガス （５）基板温度・・・・１００〜３００℃ なお、第２２層目の保護膜５は、以下の表１に示す質量
比のＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ ２との混合物を電子銃により被
覆した。 【００１２】さらに、多層膜４及び保護膜５の蒸着完了
後、多層膜４及び保護膜５を蒸着した反射体６に加熱処
理を施す。すなわち、反射体６を電気炉中で３５０℃以
上に加熱を行ない、多層膜４及び保護膜５を硬化する。
この加熱処理は、光源であるハロゲン電球３の点灯の際
の熱負荷が通常３５０℃以上であり、３５０℃未満で硬
化された多層膜４及び保護膜５は上記熱負荷に耐えるこ
とができないためである。 【００１３】次に、本発明の保護膜５が被着されている
多層膜４の耐久性について、保護膜５を構成するＡｌ２
Ｏ３とＳｉＯ２との質量比を変化させ、点灯テスト、熱
衝撃テスト、煮沸テスト、および引張テストを行なった
結果のテストデータも表１に示す。なお、実験例１は従
来の保護膜に相当する。 【表１】 表１に示すテストの試験方法を以下に示す。 （１）点灯テスト…反射体６に１００Ｖ・３６０Ｗのハ
ロゲン電球３を装着して、１０分間点灯−１０分間消灯
を点灯時間累計５００時間経過後の膜剥れ、膜クラッ
ク、表面白濁、干渉むらについて評価。 （２）熱衝撃テスト…反射体６を６００℃の中性雰囲気
の電気炉中で５分間放置した後、大気中に放置冷却し、
膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むらについて評価
した。 （３）煮沸テスト…反射体６を１００℃の市水中に１０
分間浸漬後、膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むら
について評価した。 （４）引張りテスト…保護膜５に幅１／２インチ、長さ
１０ｍｍの＃６００のスコッチテープ（商品名）を貼着
し急激に引剥がした後、膜剥れについて評価した。これ
らのテストの評価は、以下の評価記号で示した。 【００１４】 ○…変化なし Ｘ…膜剥れ Ｙ…膜クラック Ｚ…表面白濁又は干渉むら弱 ＺＺ…表面白濁又は干渉むら中 ＺＺＺ…表面白濁又は干渉むら強 表１の結果から、 （ａ）点灯テストについて…実験例４ないし９のよう
に、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０％〜１００
％のものは、膜に変化は見られず良好であった。しか
し、実験例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ２Ｏ
３の含有量が０〜２０％と少量であると、膜表面に白濁
が生じてしまう。この原因は、ＳｉＯ２の分子間の隙間
に入り込むＡｌ２Ｏ３の量が少なく十分にこの隙間を埋
めることができず、保護膜５の膜密度を緻密にすること
ができなくなり、膜表面から膜内部へ水分が侵入し、そ
の水分とハロゲン電球３との熱によりＺｎＳの昇華が起
こり白曇りが生じていたからである。 【００１５】（ｂ）熱衝撃テストについて…実験例１な
いし８のように、保護膜５中のＡｌ ２Ｏ３の含有量が０
％〜９５％のものは、膜に変化は見られず良好であっ
た。しかし、実験例９のように、保護膜５がＡｌ２Ｏ３
のみで形成されているものは、膜クラックが生じてしま
う。この原因は、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が９
５％を越えてしまうと、多層膜４のＺｎＳと保護膜５と
の間の熱膨張の差が大きくなりすぎ内部応力のバランス
が崩れたことによる。 【００１６】（ｃ）煮沸テストについて…実験例４ない
し９のように、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０
％〜１００％のものは、膜に変化は見られず良好であっ
た。しかし、実験例１ないし３のように、保護膜５中の
Ａｌ２Ｏ３の含有量が０〜２０％と少量であると、多層
膜４に膜剥がれが生じていた。この原因は、点灯テスト
と同様に保護膜５の膜密度を緻密にすることができなく
なり、膜表面から膜内部への水分が侵入するためであ
る。 【００１７】（ｄ）引っ張りテストについて…全ての実
験例及び比較例で変化は見られず良好であった。 【００１８】これらのテストの結果により、多層膜４の
保護膜５に適しているものは、実験例４ないし８に記載
されたＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合比のものである。
すなわち、Ａｌ２Ｏ３：ＳｉＯ２は３０：７０〜９５：
５の範囲で混合されることが好ましい。 【００１９】しかし、この実験例のサンプルを作成する
際に、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が９０％を越え
たものでは、保護膜５をバランスよく成膜することが困
難であった。したがって、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混
合物を電子銃などの手段によって蒸着するときには、保
護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量が３０％〜９０％の範囲
が望ましい。なお、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とを別々に２
元蒸着するときには、保護膜５中のＡｌ２Ｏ３の含有量
は３０％〜９５％の範囲で良好な保護膜５を成膜するこ
とができる。 【００２０】（実施例２）この実施例は上記実施例１の
Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合物の保護膜５に他の酸化
物が混入した場合の例である。Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２と
の混合物の割合は７：３のものとし、他の酸化物として
はＦｅ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、ＣａＯなどを用いた（以下、
これらの酸化物を不純物という）。そして、不純物の混
入割合を変化させ上記実施例１と同様なテストを行っ
た。その結果を表２に示す。 【表２】 表２の結果から、 （ａ）点灯テストについて…実験例１０ないし１４のよ
うに、保護膜５中の不純物の合量が９％以下のものは、
被覆した膜に変化は見られず良好であった。 【００２１】（ｂ）熱衝撃テストについて…実験例１２
ないし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が５％
以下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２２】しかし、実験例１０ないし１２のように、
不純物の合量が５％以上となってしまうと膜クラックが
生じてしまう。これは保護膜５中に混入した不純物を含
む保護膜の熱膨張と、多層膜４の最上層（本実施例の場
合はＺｎＳ）の熱膨張との差が大きくなりすぎ内部応力
のバランスが崩れたためである。 【００２３】（ｃ）煮沸テストについて…実験例１０な
いし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以
下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２４】（ｄ）引張りテストについて…実験例１０
ないし１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％
以下のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であっ
た。 【００２５】これらのテスト結果により、多層膜４の保
護膜５として適しているものに許容される不純物の量は
５％未満である。また、表には示さないがＡｌ２Ｏ３と
ＳｉＯ２との混合比を上記実施例１の好ましい範囲内で
変化させたときについて実験を行ったところ、混合比に
より多少の差はあるものの不純物の量が５％未満であれ
ば良好な保護膜５が得られた。 【００２６】なお、この実施例２で示した不純物の範囲
は、混入するする不純物が酸化物の場合であり、酸化物
以外であるとランプの熱により不純物が酸化反応を起こ
してしまうため上記した範囲よりも狭い範囲でなければ
保護膜５の耐久性を低下させる恐れがある。 【００２７】（実施例３）この実施例は上記実施の形態
２に対応するものであり、真空蒸着法を用いて上記実施
例１の保護膜５のみをムライトに置き換えたものであ
る。したがって、蒸着条件については上記した条件と同
じである。 【００２８】この実施例に用いたムライトは、ＳｉＯ２
≧２２％とＡｌ２Ｏ３≧７７％を主成分として含有され
ており、その他不純物としてＦｅ２Ｏ３≦０．１、Ｎａ
２Ｏ≦０．３％、Ｋ２Ｏ≦０．０１％、ＣａＯ≦０．０
１％、ＭｇＯ≦０．０１％などが含まれたものである。
このムライトを保護膜５として、上記実施例１と同様な
耐久性の試験を行ったところ、点灯テスト、熱衝撃テス
ト、煮沸テスト、引張りテストで膜剥れ膜クラックなど
の膜の変化はみられなかった。したがって、天然に存在
しているムライトを多層膜４の保護膜５として使用でき
ることが確認できたので、保護膜５をより安価なものと
することができる。 【００２９】 【発明の効果】ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を必須成分と
し、その合量を９５％以上とした保護膜とすることによ
り、保護膜の膜密度及び耐熱性を向上させることができ
る。また、混入する不純物を酸化物としたので、ランプ
点灯の際の高熱に対しても膜物質の組成が変化せず保護
膜の耐熱性を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の反射体用保護膜を適用したハロゲン電
球の一部切欠断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板 ２…凹面 ３…ハロゲン電球 ４…多層膜 ５…保護膜 ６…反射体
球の一部切欠断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板 ２…凹面 ３…ハロゲン電球 ４…多層膜 ５…保護膜 ６…反射体
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ２１Ｖ 7/22 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｆ２１Ｍ 1/00 Ｋ
5/28
Ｆターム(参考） 2H042 DA08 DA12 DA18 DB03 DC02
DD06 DE04
2H048 GA07 GA09 GA18 GA24 GA33
GA60 GA61
2K009 BB02 CC02 CC06 DD03 EE04
3K042 AA01 AB01 AB03 AC07 BB01
CC03
4K029 BA44 BA46 BA64 BC07 BD00
DB05 EA08 GA01
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板に被着された光学的多層膜上に形成
される保護膜の製造方法であって、前記光学的多層膜上
にムライトを蒸着源として真空蒸着する工程と、その
後、前記基板を３５０℃以上に加熱する工程とを備え、
Ａｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２の合量が９５質量％以上となる
保護膜を形成することを特徴とする保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002268164A JP2003177203A (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002268164A JP2003177203A (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 保護膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9316145A Division JPH11134912A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003177203A true JP2003177203A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=19196864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002268164A Pending JP2003177203A (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003177203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008117932A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置 |
-
2002
- 2002-09-13 JP JP2002268164A patent/JP2003177203A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008117932A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070710 |