JPH11134912A - 保護膜 - Google Patents
保護膜Info
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- JPH11134912A JPH11134912A JP9316145A JP31614597A JPH11134912A JP H11134912 A JPH11134912 A JP H11134912A JP 9316145 A JP9316145 A JP 9316145A JP 31614597 A JP31614597 A JP 31614597A JP H11134912 A JPH11134912 A JP H11134912A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、耐熱・耐水性に優れかつ安価な保
護膜を提供することを目的とする。 【解決手段】 反射体に被着されている光学的多層膜上
に被着される保護膜であって、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3
を必須成分として含有し、その合量が９５質量％以上含
有しているものとした。
護膜を提供することを目的とする。 【解決手段】 反射体に被着されている光学的多層膜上
に被着される保護膜であって、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3
を必須成分として含有し、その合量が９５質量％以上含
有しているものとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射体、例えば高
出力ハロゲン電球の反射体に被覆された光学的多層膜
（以下、多層膜と称す）の耐久性を向上させる保護膜に
関する。
出力ハロゲン電球の反射体に被覆された光学的多層膜
（以下、多層膜と称す）の耐久性を向上させる保護膜に
関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ハロゲン電球用などの反射体におい
ては、その中央に装着された高出力ランプからの可視光
を反射面で効果的に反射させ、かつ熱線を透過させるた
め、反射面に高屈折率蒸着材料と低屈折率蒸着材料とを
交互に積層させてなる多層膜、例えば、硫化亜鉛−弗化
マグネシウム（ＺｎＳ−ＭｇＦ2 ）多層膜又は酸化チタ
ン−二酸化珪素（ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ）多層膜が被着さ
れている。
ては、その中央に装着された高出力ランプからの可視光
を反射面で効果的に反射させ、かつ熱線を透過させるた
め、反射面に高屈折率蒸着材料と低屈折率蒸着材料とを
交互に積層させてなる多層膜、例えば、硫化亜鉛−弗化
マグネシウム（ＺｎＳ−ＭｇＦ2 ）多層膜又は酸化チタ
ン−二酸化珪素（ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ）多層膜が被着さ
れている。
【０００３】ところが、ハロゲン電球はランプ点灯の際
に高熱を発するため、上記多層膜はその耐久性を低下さ
せてしまう。このため、多層膜の上層に保護膜となるＳ
ｉＯ2 膜を真空蒸着し、さらに加熱処理し膜密度を密に
し多層膜の耐久性の低下を防いでいた。
に高熱を発するため、上記多層膜はその耐久性を低下さ
せてしまう。このため、多層膜の上層に保護膜となるＳ
ｉＯ2 膜を真空蒸着し、さらに加熱処理し膜密度を密に
し多層膜の耐久性の低下を防いでいた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この対
応は、低出力ハロゲン電球、例えば１２Ｖ・５０Ｗ程度
のものに対して効果的であるが、高出力ハロゲン電球、
例えば１００Ｖ・３６０Ｗのものに対してはあまり効果
が見られなかった。これは、多層膜及び保護膜を加熱処
理によって膜密度を密にしても、保護膜のＳｉＯ2 の分
子間の隙間から膜内部への水分の侵入を防ぐことができ
ず、膜内に水分が残存したままハロゲン電球からの高熱
によって、多層膜が熱せられ多層膜中のＺｎＳの昇華が
起こり白曇りを生じさせていた。
応は、低出力ハロゲン電球、例えば１２Ｖ・５０Ｗ程度
のものに対して効果的であるが、高出力ハロゲン電球、
例えば１００Ｖ・３６０Ｗのものに対してはあまり効果
が見られなかった。これは、多層膜及び保護膜を加熱処
理によって膜密度を密にしても、保護膜のＳｉＯ2 の分
子間の隙間から膜内部への水分の侵入を防ぐことができ
ず、膜内に水分が残存したままハロゲン電球からの高熱
によって、多層膜が熱せられ多層膜中のＺｎＳの昇華が
起こり白曇りを生じさせていた。
【０００５】したがって、本発明は上記事情を考慮し、
耐熱・耐水性に優れかつ安価な保護膜を提供することを
目的とする。
耐熱・耐水性に優れかつ安価な保護膜を提供することを
目的とする。
【０００６】なお、本明細書で用いる“％”表示は、質
量％を表すものとする。
量％を表すものとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、請求項１に記載された発明は、光学的多
層膜上に被着される保護膜であって、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳ
ｉＯ2 を必須成分とし、その合量が９５％以上含有して
いるものとした。
決するために、請求項１に記載された発明は、光学的多
層膜上に被着される保護膜であって、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳ
ｉＯ2 を必須成分とし、その合量が９５％以上含有して
いるものとした。
【０００８】これにより、Ａｌ2 Ｏ3 がファンデルワー
ルス力によって、ＳｉＯ2 の分子間の隙間に入り込み、
保護膜の膜密度を緻密にさせることができる。また、Ａ
ｌ2Ｏ3 及びＳｉＯ2 の合量が９５％未満となり、不純
物の混入量が５％を越えてしまうと、多層膜物質と保護
膜との熱膨張差が広がりすぎ、内部応力のバランスが崩
れ保護膜の耐熱性が低下してしまう。
ルス力によって、ＳｉＯ2 の分子間の隙間に入り込み、
保護膜の膜密度を緻密にさせることができる。また、Ａ
ｌ2Ｏ3 及びＳｉＯ2 の合量が９５％未満となり、不純
物の混入量が５％を越えてしまうと、多層膜物質と保護
膜との熱膨張差が広がりすぎ、内部応力のバランスが崩
れ保護膜の耐熱性が低下してしまう。
【０００９】請求項２に記載された発明は、請求項１に
記載された保護膜において、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 を
必須成分以外に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ，ＴｉＯ2 のいずれかを１以上含むものとし
た。
記載された保護膜において、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 を
必須成分以外に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ，ＴｉＯ2 のいずれかを１以上含むものとし
た。
【００１０】このように必須成分以外に混入する物質も
酸化物とすることにより、ランプ点灯の際の高熱に対し
ても膜物質の組成が変化せず保護膜の耐熱性が低下しな
い。
酸化物とすることにより、ランプ点灯の際の高熱に対し
ても膜物質の組成が変化せず保護膜の耐熱性が低下しな
い。
【００１１】
（実施の形態１）この実施の形態は、図１に示すように
ガラス基板１の一面に回転放物面からなる凹面２が形成
され、この凹面２に真空蒸着により被覆された多層膜４
の上層にＡｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 が主成分として含まれ
ている保護膜５を被覆したものである。
ガラス基板１の一面に回転放物面からなる凹面２が形成
され、この凹面２に真空蒸着により被覆された多層膜４
の上層にＡｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 が主成分として含まれ
ている保護膜５を被覆したものである。
【００１２】（実施の形態２）この実施の形態は、図１
に示すようにガラス基板１の凹面２に真空蒸着により被
覆された多層膜４の上層に、ムライトからなる保護膜５
を被覆したものである。
に示すようにガラス基板１の凹面２に真空蒸着により被
覆された多層膜４の上層に、ムライトからなる保護膜５
を被覆したものである。
【００１３】
（実施例１）この実施例は上記実施の形態１に対応する
ものであり、図１を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１において、１はガラス基板、例えばハロゲン電
球用反射体のガラス基板１であり、一面を回転放物面か
らなる凹面２で形成されている。この凹面２の中央には
ハロゲン電球３が装着されており、さらに凹面２上には
多層膜４が被着され、この多層膜４の上層にはＡｌ2 Ｏ
3 及びＳｉＯ2 からなる保護膜５が被覆され反射体６が
形成される。反射体６に被着されている多層膜４により
ハロゲン電球３から出射される可視光が反射され、熱線
が反射体６を透過する。
ものであり、図１を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１において、１はガラス基板、例えばハロゲン電
球用反射体のガラス基板１であり、一面を回転放物面か
らなる凹面２で形成されている。この凹面２の中央には
ハロゲン電球３が装着されており、さらに凹面２上には
多層膜４が被着され、この多層膜４の上層にはＡｌ2 Ｏ
3 及びＳｉＯ2 からなる保護膜５が被覆され反射体６が
形成される。反射体６に被着されている多層膜４により
ハロゲン電球３から出射される可視光が反射され、熱線
が反射体６を透過する。
【００１４】多層膜４は、真空蒸着を用いて以下に示す
条件で凹面２上にＺｎＳ−ＭｇＦ2の交互層を２１層被
覆したものである。また、保護膜５も多層膜４と同様な
条件で多層膜４の上層にＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合
物を被覆したものである。 （１）膜構成・・・（（ＨＬ）5 Ｈ）／λ1 ・（（Ｌ
Ｈ）5 ・２Ｌ´）／λ2 Ｈ：ＺｎＳ Ｌ：ＭｇＦ2 Ｌ´：保護膜５ λ1 ：６８０ｎｍ λ2 ：５３０ｎｍ （２）到達真空度・・・６．５×１０-3Ｐａ （３）コート真空度・・３．９×１０-3Ｐａ （４）導入ガス・・・・Ａｒガス （５）基板温度・・・・１００〜３００℃ なお、第２２層目の保護膜５は、以下の表１に示す質量
比のＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物を電子銃により被
覆した。
条件で凹面２上にＺｎＳ−ＭｇＦ2の交互層を２１層被
覆したものである。また、保護膜５も多層膜４と同様な
条件で多層膜４の上層にＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合
物を被覆したものである。 （１）膜構成・・・（（ＨＬ）5 Ｈ）／λ1 ・（（Ｌ
Ｈ）5 ・２Ｌ´）／λ2 Ｈ：ＺｎＳ Ｌ：ＭｇＦ2 Ｌ´：保護膜５ λ1 ：６８０ｎｍ λ2 ：５３０ｎｍ （２）到達真空度・・・６．５×１０-3Ｐａ （３）コート真空度・・３．９×１０-3Ｐａ （４）導入ガス・・・・Ａｒガス （５）基板温度・・・・１００〜３００℃ なお、第２２層目の保護膜５は、以下の表１に示す質量
比のＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物を電子銃により被
覆した。
【００１５】さらに、多層膜４及び保護膜５の蒸着完了
後、多層膜４及び保護膜５を蒸着した反射体６に加熱処
理を施す。すなわち、反射体６を電気炉中で３５０℃以
上に加熱を行ない、多層膜４及び保護膜５を硬化する。
この加熱処理は、光源であるハロゲン電球３の点灯の際
の熱負荷が通常３５０℃以上であり、３５０℃未満で硬
化された多層膜４及び保護膜５は上記熱負荷に耐えるこ
とができないためである。
後、多層膜４及び保護膜５を蒸着した反射体６に加熱処
理を施す。すなわち、反射体６を電気炉中で３５０℃以
上に加熱を行ない、多層膜４及び保護膜５を硬化する。
この加熱処理は、光源であるハロゲン電球３の点灯の際
の熱負荷が通常３５０℃以上であり、３５０℃未満で硬
化された多層膜４及び保護膜５は上記熱負荷に耐えるこ
とができないためである。
【００１６】次に、本発明の保護膜５が被着されている
多層膜４の耐久性について、保護膜５を構成するＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 との質量比を変化させ、点灯テスト、熱
衝撃テスト、煮沸テスト、および引張テストを行なった
結果のテストデータも表１に示す。なお、実験例１は従
来の保護膜に相当する。
多層膜４の耐久性について、保護膜５を構成するＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 との質量比を変化させ、点灯テスト、熱
衝撃テスト、煮沸テスト、および引張テストを行なった
結果のテストデータも表１に示す。なお、実験例１は従
来の保護膜に相当する。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示すテストの試験方法を以下に示
す。 （１）点灯テスト…反射体６に１００Ｖ・３６０Ｗのハ
ロゲン電球３を装着して、１０分間点灯−１０分間消灯
を点灯時間累計５００時間経過後の膜剥れ、膜クラッ
ク、表面白濁、干渉むらについて評価。 （２）熱衝撃テスト…反射体６を６００℃の中性雰囲気
の電気炉中で５分間放置した後、大気中に放置冷却し、
膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むらについて評価
した。 （３）煮沸テスト…反射体６を１００℃の市水中に１０
分間浸漬後、膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むら
について評価した。 （４）引張りテスト…保護膜５に幅１／２インチ、長さ
１０ｍｍの＃６００のスコッチテープ（商品名）を貼着
し急激に引剥がした後、膜剥れについて評価した。これ
らのテストの評価は、以下の評価記号で示した。 ○…変化なし Ｘ…膜剥れ Ｙ…膜クラック Ｚ…表面白濁又は干渉むら弱 ＺＺ…表面白濁又は干渉むら中 ＺＺＺ…表面白濁又は干渉むら強
す。 （１）点灯テスト…反射体６に１００Ｖ・３６０Ｗのハ
ロゲン電球３を装着して、１０分間点灯−１０分間消灯
を点灯時間累計５００時間経過後の膜剥れ、膜クラッ
ク、表面白濁、干渉むらについて評価。 （２）熱衝撃テスト…反射体６を６００℃の中性雰囲気
の電気炉中で５分間放置した後、大気中に放置冷却し、
膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むらについて評価
した。 （３）煮沸テスト…反射体６を１００℃の市水中に１０
分間浸漬後、膜剥れ、膜クラック、表面白濁、干渉むら
について評価した。 （４）引張りテスト…保護膜５に幅１／２インチ、長さ
１０ｍｍの＃６００のスコッチテープ（商品名）を貼着
し急激に引剥がした後、膜剥れについて評価した。これ
らのテストの評価は、以下の評価記号で示した。 ○…変化なし Ｘ…膜剥れ Ｙ…膜クラック Ｚ…表面白濁又は干渉むら弱 ＺＺ…表面白濁又は干渉むら中 ＺＺＺ…表面白濁又は干渉むら強
【００１９】表１の結果から、 点灯テストについて…実験例４ないし９のように、保
護膜５中のＡｌ2 Ｏ3の含有量が３０％〜１００％のも
のは、膜に変化は見られず良好であった。しかし、実験
例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有
量が０〜２０％と少量であると、膜表面に白濁が生じて
しまう。この原因は、ＳｉＯ2 の分子間の隙間に入り込
むＡｌ2 Ｏ3 の量が少なく十分にこの隙間を埋めること
ができず、保護膜５の膜密度を緻密にすることができな
くなり、膜表面から膜内部へ水分が侵入し、その水分と
ハロゲン電球３との熱によりＺｎＳの昇華が起こり白曇
りが生じていたからである。
護膜５中のＡｌ2 Ｏ3の含有量が３０％〜１００％のも
のは、膜に変化は見られず良好であった。しかし、実験
例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有
量が０〜２０％と少量であると、膜表面に白濁が生じて
しまう。この原因は、ＳｉＯ2 の分子間の隙間に入り込
むＡｌ2 Ｏ3 の量が少なく十分にこの隙間を埋めること
ができず、保護膜５の膜密度を緻密にすることができな
くなり、膜表面から膜内部へ水分が侵入し、その水分と
ハロゲン電球３との熱によりＺｎＳの昇華が起こり白曇
りが生じていたからである。
【００２０】熱衝撃テストについて…実験例１ないし
８のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が０％〜
９５％のものは、膜に変化は見られず良好であった。し
かし、実験例９のように、保護膜５がＡｌ2 Ｏ3 のみで
形成されているものは、膜クラックが生じてしまう。こ
の原因は、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が９５％を
越えてしまうと、多層膜４のＺｎＳと保護膜５との間の
熱膨張の差が大きくなりすぎ内部応力のバランスが崩れ
たことによる。
８のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が０％〜
９５％のものは、膜に変化は見られず良好であった。し
かし、実験例９のように、保護膜５がＡｌ2 Ｏ3 のみで
形成されているものは、膜クラックが生じてしまう。こ
の原因は、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が９５％を
越えてしまうと、多層膜４のＺｎＳと保護膜５との間の
熱膨張の差が大きくなりすぎ内部応力のバランスが崩れ
たことによる。
【００２１】煮沸テストについて…実験例４ないし９
のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3の含有量が３０％〜
１００％のものは、膜に変化は見られず良好であった。
しかし、実験例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ
2 Ｏ3 の含有量が０〜２０％と少量であると、多層膜４
に膜剥がれが生じていた。この原因は、点灯テストと同
様に保護膜５の膜密度を緻密にすることができなくな
り、膜表面から膜内部への水分が侵入するためである。
のように、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3の含有量が３０％〜
１００％のものは、膜に変化は見られず良好であった。
しかし、実験例１ないし３のように、保護膜５中のＡｌ
2 Ｏ3 の含有量が０〜２０％と少量であると、多層膜４
に膜剥がれが生じていた。この原因は、点灯テストと同
様に保護膜５の膜密度を緻密にすることができなくな
り、膜表面から膜内部への水分が侵入するためである。
【００２２】引っ張りテストについて…全ての実験例
及び比較例で変化は見られず良好であった。
及び比較例で変化は見られず良好であった。
【００２３】これらのテストの結果により、多層膜４の
保護膜５に適しているものは、実験例４ないし８に記載
されたＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合比のものである。
すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 は３０：７０〜９５：
５の範囲で混合されることが好ましい。
保護膜５に適しているものは、実験例４ないし８に記載
されたＡｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合比のものである。
すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 は３０：７０〜９５：
５の範囲で混合されることが好ましい。
【００２４】しかし、この実験例のサンプルを作成する
際に、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が９０％を越え
たものでは、保護膜５をバランスよく成膜することが困
難であった。したがって、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混
合物を電子銃などの手段によって蒸着するときには、保
護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が３０％〜９０％の範囲
が望ましい。なお、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とを別々に２
元蒸着するときには、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量
は３０％〜９５％の範囲で良好な保護膜５を成膜するこ
とができる。
際に、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が９０％を越え
たものでは、保護膜５をバランスよく成膜することが困
難であった。したがって、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混
合物を電子銃などの手段によって蒸着するときには、保
護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量が３０％〜９０％の範囲
が望ましい。なお、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とを別々に２
元蒸着するときには、保護膜５中のＡｌ2 Ｏ3 の含有量
は３０％〜９５％の範囲で良好な保護膜５を成膜するこ
とができる。
【００２５】（実施例２）この実施例は上記実施例１の
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物の保護膜５に他の酸化
物が混入した場合の例である。Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 と
の混合物の割合は７：３のものとし、他の酸化物として
はＦｅ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯなどを用いた。（以
下、これらの酸化物を不純物という）そして、不純物の
混入割合を変化させ上記実施例１と同様なテストを行っ
た。その結果を表２に示す。
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物の保護膜５に他の酸化
物が混入した場合の例である。Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 と
の混合物の割合は７：３のものとし、他の酸化物として
はＦｅ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯなどを用いた。（以
下、これらの酸化物を不純物という）そして、不純物の
混入割合を変化させ上記実施例１と同様なテストを行っ
た。その結果を表２に示す。
【００２６】
【００２７】表２の結果から 点灯テストについて…実験例１０ないし１４のよう
に、保護膜５中の不純物の合量が９％以下のものは、被
覆した膜に変化は見られず良好であった。
に、保護膜５中の不純物の合量が９％以下のものは、被
覆した膜に変化は見られず良好であった。
【００２８】熱衝撃テストについて…実験例１２ない
し１４のように、保護膜５中の不純物の合量が５％以下
のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
しかし、実験例１０ないし１２のように、不純物の合量
が５％以上となってしまうと膜クラックが生じてしま
う。これは保護膜５中に混入した不純物を含む保護膜の
熱膨張と、多層膜４の最上層（本実施例の場合はＺｎ
Ｓ）の熱膨張との差が大きくなりすぎ内部応力のバラン
スが崩れたためである。
し１４のように、保護膜５中の不純物の合量が５％以下
のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
しかし、実験例１０ないし１２のように、不純物の合量
が５％以上となってしまうと膜クラックが生じてしま
う。これは保護膜５中に混入した不純物を含む保護膜の
熱膨張と、多層膜４の最上層（本実施例の場合はＺｎ
Ｓ）の熱膨張との差が大きくなりすぎ内部応力のバラン
スが崩れたためである。
【００２９】煮沸テストについて…実験例１０ないし
１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以下の
ものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以下の
ものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
【００３０】引張りテストについて…実験例１０ない
し１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以下
のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
し１４のように、保護膜５中の不純物の合量が９％以下
のものは、被覆した膜に変化は見られず良好であった。
【００３１】これらのテスト結果により、多層膜４の保
護膜５として適しているものに許容される不純物の量は
５％未満である。また、表には示さないがＡｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 との混合比を上記実施例１の好ましい範囲内で
変化させたときについて実験を行ったところ、混合比に
より多少の差はあるものの不純物の量が５％未満であれ
ば良好な保護膜５が得られた。
護膜５として適しているものに許容される不純物の量は
５％未満である。また、表には示さないがＡｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 との混合比を上記実施例１の好ましい範囲内で
変化させたときについて実験を行ったところ、混合比に
より多少の差はあるものの不純物の量が５％未満であれ
ば良好な保護膜５が得られた。
【００３２】なお、この実施例２で示した不純物の範囲
は、混入するする不純物が酸化物の場合であり、酸化物
以外であるとランプの熱により不純物が酸化反応を起こ
してしまうため上記した範囲よりも狭い範囲でなければ
保護膜５の耐久性を低下させる恐れがある。
は、混入するする不純物が酸化物の場合であり、酸化物
以外であるとランプの熱により不純物が酸化反応を起こ
してしまうため上記した範囲よりも狭い範囲でなければ
保護膜５の耐久性を低下させる恐れがある。
【００３３】（実施例３）この実施例は上記実施の形態
２に対応するものであり、真空蒸着法を用いて上記実施
例１の保護膜５のみをムライトに置き換えたものであ
る。したがって、蒸着条件については上記した条件と同
じである。
２に対応するものであり、真空蒸着法を用いて上記実施
例１の保護膜５のみをムライトに置き換えたものであ
る。したがって、蒸着条件については上記した条件と同
じである。
【００３４】この実施例に用いたムライトは、ＳｉＯ2
≧２２％とＡｌ2 Ｏ3 ≧７７％を主成分として含有
されており、その他不純物としてＦｅ2 Ｏ3 ≦０．
１、Ｎａ2 Ｏ ≦０．３％、Ｋ2 Ｏ ≦０．０１％、Ｃ
ａＯ ≦０．０１％、ＭｇＯ≦０．０１％などが含まれ
たものである。このムライトを保護膜５として、上記実
施例１と同様な耐久性の試験を行ったところ、点灯テス
ト、熱衝撃テスト、煮沸テスト、引張りテストで膜剥れ
膜クラックなどの膜の変化はみられなかった。したがっ
て、天然に存在しているムライトを多層膜４の保護膜５
として使用できることが確認できたので、保護膜５をよ
り安価なものとすることができる。
≧２２％とＡｌ2 Ｏ3 ≧７７％を主成分として含有
されており、その他不純物としてＦｅ2 Ｏ3 ≦０．
１、Ｎａ2 Ｏ ≦０．３％、Ｋ2 Ｏ ≦０．０１％、Ｃ
ａＯ ≦０．０１％、ＭｇＯ≦０．０１％などが含まれ
たものである。このムライトを保護膜５として、上記実
施例１と同様な耐久性の試験を行ったところ、点灯テス
ト、熱衝撃テスト、煮沸テスト、引張りテストで膜剥れ
膜クラックなどの膜の変化はみられなかった。したがっ
て、天然に存在しているムライトを多層膜４の保護膜５
として使用できることが確認できたので、保護膜５をよ
り安価なものとすることができる。
【００３５】
【発明の効果】ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 を必須成分と
し、その合量を９５％以上とした保護膜とすることによ
り、保護膜の膜密度及び耐熱性を向上させることができ
る。また、混入する不純物を酸化物としたので、ランプ
点灯の際の高熱に対しても膜物質の組成が変化せず保護
膜の耐熱性を低下させることがない。
し、その合量を９５％以上とした保護膜とすることによ
り、保護膜の膜密度及び耐熱性を向上させることができ
る。また、混入する不純物を酸化物としたので、ランプ
点灯の際の高熱に対しても膜物質の組成が変化せず保護
膜の耐熱性を低下させることがない。
【図１】 本発明の反射体用保護膜を適用したハロゲン
電球の一部切欠断面図である。
電球の一部切欠断面図である。
１…ガラス基板 ２…凹面 ３…ハロゲン電球 ４…多
層膜 ５…保護膜 ６…反射体
層膜 ５…保護膜 ６…反射体
Claims (2)
- 【請求項１】 光学的多層膜上に被着される保護膜であ
って、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 を必須成分とし、その合
量が９５質量％以上含有していることを特徴とする保護
膜。 - 【請求項２】 Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 の必須成分以外
に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＯ、ＭｇＯ，
ＴｉＯ2 のいずれかを１以上含むことを特徴とする請求
項１記載の保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9316145A JPH11134912A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9316145A JPH11134912A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 保護膜 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002268164A Division JP2003177203A (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134912A true JPH11134912A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=18073777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9316145A Pending JPH11134912A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11134912A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030486A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Phoenix Electric Co., Ltd. | 金属凹面反射鏡とこれを用いた光源体およびその光源装置並びにその点灯回路 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP9316145A patent/JPH11134912A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030486A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Phoenix Electric Co., Ltd. | 金属凹面反射鏡とこれを用いた光源体およびその光源装置並びにその点灯回路 |
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