JP2003174107A - 密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタ - Google Patents
密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタInfo
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製品品質の安定化及び実装コストの低減が可
能な密閉型電子部品の組立方法、及び密閉済ＳＡＷフィ
ルタを提供する。 【解決手段】 凹部１１８をアクティブ部密閉用部材１
１１ａに設け、該アクティブ部密閉用部材とＳＡＷフィ
ルタ１２２とを接合し、上記凹部にてＳＡＷフィルタの
櫛歯電極部１２３を密閉するようにした。よって、密閉
済ＳＡＷフィルタの組み立て時に櫛歯電極部１２３にダ
メージを与えることはない。又、平板状のアクティブ部
密閉用部材を使用することから、従来の特殊形状のパッ
ケージは必要なく、さらに蓋をするという工程も不要で
ある。よって従来に比べて製品品質の安定化及び実装コ
ストの低減を図ることができる。
能な密閉型電子部品の組立方法、及び密閉済ＳＡＷフィ
ルタを提供する。 【解決手段】 凹部１１８をアクティブ部密閉用部材１
１１ａに設け、該アクティブ部密閉用部材とＳＡＷフィ
ルタ１２２とを接合し、上記凹部にてＳＡＷフィルタの
櫛歯電極部１２３を密閉するようにした。よって、密閉
済ＳＡＷフィルタの組み立て時に櫛歯電極部１２３にダ
メージを与えることはない。又、平板状のアクティブ部
密閉用部材を使用することから、従来の特殊形状のパッ
ケージは必要なく、さらに蓋をするという工程も不要で
ある。よって従来に比べて製品品質の安定化及び実装コ
ストの低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＳＡＷフィ
ルタにおける櫛歯電極部のように、電子部品の機能を果
たす部分であるアクティブ部について、該アクティブ部
を塵埃、湿気等から保護する必要がある密閉型電子部品
の組立方法、及び該組立方法にて組み立てられた密閉済
ＳＡＷフィルタに関する。
ルタにおける櫛歯電極部のように、電子部品の機能を果
たす部分であるアクティブ部について、該アクティブ部
を塵埃、湿気等から保護する必要がある密閉型電子部品
の組立方法、及び該組立方法にて組み立てられた密閉済
ＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の生産量は増加し続け、
それに伴い多種、多様なパッケージ形態が提案されてい
る。例えばＣＳＰ（chip sides package）、Ｃ４（Cont
rolledCollapse Chip Connection）やＢＧＡ（Ball Gri
d Allay）、ＱＦＰなどの形態がある。特に小型、軽量
を実現するチップサイズパッケージは重要なものとなる
と考えられる。従来のＩＣチップなどの半導体素子は、
電極に金バンプ、半田バンプなどを形成して実装基板に
実装した後、封止材で固定するものであった。この一例
として、図１６を参照して説明すると、半導体素子１の
電極にスタッドバンプボンディングなどにより、例えば
金にてなるバンプ３を形成する。そしてセラミックや樹
脂材等からなる実装基板２上の基板電極４上に超音波振
動を加えながらバンプ３を接合する。その後、バンプ３
と基板電極４との接合箇所及び半導体素子１の周辺部分
を含めて絶縁樹脂などの封止材５により封止を行う。
それに伴い多種、多様なパッケージ形態が提案されてい
る。例えばＣＳＰ（chip sides package）、Ｃ４（Cont
rolledCollapse Chip Connection）やＢＧＡ（Ball Gri
d Allay）、ＱＦＰなどの形態がある。特に小型、軽量
を実現するチップサイズパッケージは重要なものとなる
と考えられる。従来のＩＣチップなどの半導体素子は、
電極に金バンプ、半田バンプなどを形成して実装基板に
実装した後、封止材で固定するものであった。この一例
として、図１６を参照して説明すると、半導体素子１の
電極にスタッドバンプボンディングなどにより、例えば
金にてなるバンプ３を形成する。そしてセラミックや樹
脂材等からなる実装基板２上の基板電極４上に超音波振
動を加えながらバンプ３を接合する。その後、バンプ３
と基板電極４との接合箇所及び半導体素子１の周辺部分
を含めて絶縁樹脂などの封止材５により封止を行う。
【０００３】又、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フ
ィルターなどの電子部品においては、アクティブ面に異
物が介在してはならないため、キャビティータイプのセ
ラミック基板７に、図１７に示すようにＳＡＷフィルタ
６を、バンプ３を介してフリップチップボンディングで
導通させたり、図１８に示すように、ダイボンド材１１
にてＳＡＷフィルタ６を固定し金ワイヤ８を用いてワイ
ヤボンディングにて導通させる。その後、両者とも、セ
ラミック基板７の上部に、ガラス材又は半田１０を用い
て金属プレート９の蓋を施し、上記キャビティーを密閉
する形態があった。
ィルターなどの電子部品においては、アクティブ面に異
物が介在してはならないため、キャビティータイプのセ
ラミック基板７に、図１７に示すようにＳＡＷフィルタ
６を、バンプ３を介してフリップチップボンディングで
導通させたり、図１８に示すように、ダイボンド材１１
にてＳＡＷフィルタ６を固定し金ワイヤ８を用いてワイ
ヤボンディングにて導通させる。その後、両者とも、セ
ラミック基板７の上部に、ガラス材又は半田１０を用い
て金属プレート９の蓋を施し、上記キャビティーを密閉
する形態があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の方法では、上記基板電極４上に超音波振動を加え
ながらバンプ３を接合するとき、バンプ３と半導体素子
１の電極との接合箇所付近に応力が集中し、半導体素子
１の回路形成面にダメージを与える場合が考えられる。
又、上記キャビティーに収納する場合には、パッケージ
の形状が特殊となり、蓋をするという工程が必要とな
る。よっていずれの場合も、製品品質の安定化、及び実
装コストの低下を図ることが困難であるという問題があ
る。本発明はこのような問題点を解決するためになされ
たもので、製品品質の安定化及び実装コストの低減が可
能な密閉型電子部品の組立方法、及び該組立方法にて組
み立てられた密閉済ＳＡＷフィルタを提供することを目
的とする。
従来の方法では、上記基板電極４上に超音波振動を加え
ながらバンプ３を接合するとき、バンプ３と半導体素子
１の電極との接合箇所付近に応力が集中し、半導体素子
１の回路形成面にダメージを与える場合が考えられる。
又、上記キャビティーに収納する場合には、パッケージ
の形状が特殊となり、蓋をするという工程が必要とな
る。よっていずれの場合も、製品品質の安定化、及び実
装コストの低下を図ることが困難であるという問題があ
る。本発明はこのような問題点を解決するためになされ
たもので、製品品質の安定化及び実装コストの低減が可
能な密閉型電子部品の組立方法、及び該組立方法にて組
み立てられた密閉済ＳＡＷフィルタを提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の第１態
様の密閉型電子部品組立方法は、アクティブ部を有する
電子部品と、該電子部品にほぼ同サイズで板状のアクテ
ィブ部密閉用部材であって、上記アクティブ部にほぼ対
応したサイズにてなる凹部で上記アクティブ部に非接触
となる凹部を形成したアクティブ部密閉用部材とを対向
して配置し、上記電子部品と上記アクティブ部密閉用部
材とを合体することにより上記アクティブ部を上記凹部
にて密閉する、ことを特徴とする。
本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の第１態
様の密閉型電子部品組立方法は、アクティブ部を有する
電子部品と、該電子部品にほぼ同サイズで板状のアクテ
ィブ部密閉用部材であって、上記アクティブ部にほぼ対
応したサイズにてなる凹部で上記アクティブ部に非接触
となる凹部を形成したアクティブ部密閉用部材とを対向
して配置し、上記電子部品と上記アクティブ部密閉用部
材とを合体することにより上記アクティブ部を上記凹部
にて密閉する、ことを特徴とする。
【０００６】上記アクティブ部を形成した上記電子部品
の形成面は、上記アクティブ部と接続する電極を有し、
上記アクティブ部密閉用部材は、上記電極に対応して設
けられ当該アクティブ部密閉用部材を貫通する外部電極
用穴を有するとき、上記電子部品と上記アクティブ部密
閉用部材との合体後、上記外部電極用穴に導電性材料を
設け、該導電性材料にて上記電極と実装用基板との電気
的接続を行うようにしてもよい。
の形成面は、上記アクティブ部と接続する電極を有し、
上記アクティブ部密閉用部材は、上記電極に対応して設
けられ当該アクティブ部密閉用部材を貫通する外部電極
用穴を有するとき、上記電子部品と上記アクティブ部密
閉用部材との合体後、上記外部電極用穴に導電性材料を
設け、該導電性材料にて上記電極と実装用基板との電気
的接続を行うようにしてもよい。
【０００７】上記アクティブ部密閉用部材の上記凹部
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面に上記アクティブ部の周囲に対応して空
間形成材を設けて形成するようにしてもよい。
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面に上記アクティブ部の周囲に対応して空
間形成材を設けて形成するようにしてもよい。
【０００８】上記アクティブ部密閉用部材の上記凹部
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面を上記アクティブ部に対応して掘り下げ
て形成するようにしてもよい。
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面を上記アクティブ部に対応して掘り下げ
て形成するようにしてもよい。
【０００９】上記導電性材料は半田又は銀ペーストとす
ることができる。
ることができる。
【００１０】上記導電性材料による上記電極と上記実装
用基板との電気的接続は、フリップチップ実装又はワイ
ヤボンディングにより行うことができる。
用基板との電気的接続は、フリップチップ実装又はワイ
ヤボンディングにより行うことができる。
【００１１】又、本発明の第２態様の密閉型電子部品組
立方法は、上記第１態様において上記電子部品はＳＡＷ
フィルタであり上記アクティブ部は上記ＳＡＷフィルタ
を構成する櫛歯電極部であり、上記アクティブ部密閉用
部材はＳｉ基板であり、上記ＳＡＷフィルタは半導体ウ
エハ上に格子状に形成されており、上記Ｓｉ基板はウエ
ハ状であって上記凹部は上記格子状に形成された上記Ｓ
ＡＷフィルタの上記櫛歯電極部に対応して格子状に形成
されており、ウエハ状の上記ＳＡＷフィルタとウエハ状
の上記Ｓｉ基板とを合体した後、該合体ウエハをダイシ
ングして個片化するようにしてもよい。
立方法は、上記第１態様において上記電子部品はＳＡＷ
フィルタであり上記アクティブ部は上記ＳＡＷフィルタ
を構成する櫛歯電極部であり、上記アクティブ部密閉用
部材はＳｉ基板であり、上記ＳＡＷフィルタは半導体ウ
エハ上に格子状に形成されており、上記Ｓｉ基板はウエ
ハ状であって上記凹部は上記格子状に形成された上記Ｓ
ＡＷフィルタの上記櫛歯電極部に対応して格子状に形成
されており、ウエハ状の上記ＳＡＷフィルタとウエハ状
の上記Ｓｉ基板とを合体した後、該合体ウエハをダイシ
ングして個片化するようにしてもよい。
【００１２】又、本発明の第３態様の密閉済ＳＡＷフィ
ルタは、上記第２態様の密閉型電子部品組立方法により
組み立てられたことを特徴とする。
ルタは、上記第２態様の密閉型電子部品組立方法により
組み立てられたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態における密閉型
電子部品組立方法、及び該方法にて組み立てられた密閉
済ＳＡＷフィルタについて、図を参照しながら以下に説
明する。尚、各図において同じ構成部分については同じ
符号を付している。又、密閉型電子部品の一例としてＳ
ＡＷフィルタを例に採るが、これに限定されるものでは
ない。即ち、当該電子部品の機能を果たす部分であるア
クティブ部に他部材を直接、接触することなく該アクテ
ィブ部を塵埃、湿気等から保護する必要があるような密
閉型電子部品が該当する。又、上記電子部品と合体され
て上記アクティブ部の密閉を行うアクティブ部密閉用部
材の一例として、Ｓｉ基板を例に採るが、これに限定さ
れるものではなく、例えばガラス板等の板状体であって
もよい。
電子部品組立方法、及び該方法にて組み立てられた密閉
済ＳＡＷフィルタについて、図を参照しながら以下に説
明する。尚、各図において同じ構成部分については同じ
符号を付している。又、密閉型電子部品の一例としてＳ
ＡＷフィルタを例に採るが、これに限定されるものでは
ない。即ち、当該電子部品の機能を果たす部分であるア
クティブ部に他部材を直接、接触することなく該アクテ
ィブ部を塵埃、湿気等から保護する必要があるような密
閉型電子部品が該当する。又、上記電子部品と合体され
て上記アクティブ部の密閉を行うアクティブ部密閉用部
材の一例として、Ｓｉ基板を例に採るが、これに限定さ
れるものではなく、例えばガラス板等の板状体であって
もよい。
【００１４】半導体チップ製造プロセスによって例えば
Ｓｉウエハ上にＩＣ（集積回路）を格子状に形成するよ
うに、上記ＳＡＷフィルタは、本実施形態では、図３に
示すように半導体ウエハ１２１上に格子状に形成されて
いる。その内の一つの形態を図９及び図１４に示す。こ
こで図９はその側面図であり図１４は平面図である。上
記半導体ウエハ１２１上に形成された各ＳＡＷフィルタ
１２２は、図１４に示すように、上記半導体ウエハ１２
１上の各ＳＡＷフィルタ１２２を個々のＳＡＷフィルタ
１２２に切り分けたときの半導体基板１２１ａにおける
形成面１２５の中央部分に、上記アクティブ部の一例に
相当する櫛歯電極部１２３が形成され、該櫛歯電極部１
２３に電気的に接続される電極が上記形成面１２５上で
半導体基板１２１ａの四隅に形成されている。さらに各
電極には、バンプ１２４が形成されている。このような
ＳＡＷフィルタ１２２を密閉して形成される密閉済ＳＡ
Ｗフィルタ１３３を例に採り、上記密閉型電子部品組立
方法について説明する。
Ｓｉウエハ上にＩＣ（集積回路）を格子状に形成するよ
うに、上記ＳＡＷフィルタは、本実施形態では、図３に
示すように半導体ウエハ１２１上に格子状に形成されて
いる。その内の一つの形態を図９及び図１４に示す。こ
こで図９はその側面図であり図１４は平面図である。上
記半導体ウエハ１２１上に形成された各ＳＡＷフィルタ
１２２は、図１４に示すように、上記半導体ウエハ１２
１上の各ＳＡＷフィルタ１２２を個々のＳＡＷフィルタ
１２２に切り分けたときの半導体基板１２１ａにおける
形成面１２５の中央部分に、上記アクティブ部の一例に
相当する櫛歯電極部１２３が形成され、該櫛歯電極部１
２３に電気的に接続される電極が上記形成面１２５上で
半導体基板１２１ａの四隅に形成されている。さらに各
電極には、バンプ１２４が形成されている。このような
ＳＡＷフィルタ１２２を密閉して形成される密閉済ＳＡ
Ｗフィルタ１３３を例に採り、上記密閉型電子部品組立
方法について説明する。
【００１５】本実施形態では、上述のようにＳｉ基板１
１１をアクティブ部密閉用部材の一例として使用してい
る。上記Ｓｉ基板１１１は、本実施形態では図３に示す
ようにウエハ状にてなり、又、上述したように半導体ウ
エハ１２１上に格子状に形成された各ＳＡＷフィルタ１
２２に対応して、上記Ｓｉ基板１１１上には、仮想的
に、それぞれのアクティブ部密閉用部材１１１ａに相当
する、図１３に示す区画１１３が格子状に配置される。
尚、一つの区画１１３のサイズは、一つのＳＡＷフィル
タ１２２のサイズに等しいか、ほぼ等しい。このような
Ｓｉ基板１１１において、格子状に配置される各区画１
１３に対して、図６及び図１３に示すように、ドライエ
ッチング、ウェットエッチング、又はサンドブラスト加
工により、Ｓｉ基板１１１をその厚み方向へ貫通する外
部電極用穴１１２を区画１１３の四隅に形成する。一つ
の区画１１３に形成される４つの外部電極用穴１１２の
配置位置は、一つのＳＡＷフィルタ１２２に形成されて
いる４つのバンプ１２４の配置位置に一致する。
１１をアクティブ部密閉用部材の一例として使用してい
る。上記Ｓｉ基板１１１は、本実施形態では図３に示す
ようにウエハ状にてなり、又、上述したように半導体ウ
エハ１２１上に格子状に形成された各ＳＡＷフィルタ１
２２に対応して、上記Ｓｉ基板１１１上には、仮想的
に、それぞれのアクティブ部密閉用部材１１１ａに相当
する、図１３に示す区画１１３が格子状に配置される。
尚、一つの区画１１３のサイズは、一つのＳＡＷフィル
タ１２２のサイズに等しいか、ほぼ等しい。このような
Ｓｉ基板１１１において、格子状に配置される各区画１
１３に対して、図６及び図１３に示すように、ドライエ
ッチング、ウェットエッチング、又はサンドブラスト加
工により、Ｓｉ基板１１１をその厚み方向へ貫通する外
部電極用穴１１２を区画１１３の四隅に形成する。一つ
の区画１１３に形成される４つの外部電極用穴１１２の
配置位置は、一つのＳＡＷフィルタ１２２に形成されて
いる４つのバンプ１２４の配置位置に一致する。
【００１６】次のステップでは、それぞれの上記区画１
１３に対して、上記櫛歯電極部１２３の密閉を行うため
の凹部を形成する。具体的には、図１３及び図７に示す
ように、上記Ｓｉ基板１１１の加工面１１４上に、各Ｓ
ＡＷフィルタ１２２の櫛歯電極部１２３に対応する櫛歯
電極対応領域１１６にレジストにてマスクパターンを形
成する。つまり各区画１１３における櫛歯電極対応領域
１１６にマスクが形成される。その後、スパッタ又は蒸
着方法にて、各区画１１３において上記櫛歯電極対応領
域１１６以外の部分、つまり図１３に網目模様を付した
形成領域１１７に、空間形成材としての機能を果たす一
例に相当するＳｉ酸化膜１１５を０．５〜１μｍの厚み
にて形成する。上記櫛歯電極対応領域１１６には上記マ
スクによりＳｉ酸化膜１１５が形成されないことから、
Ｓｉ酸化膜１１５によってアクティブ部密閉用部材１１
１ａには櫛歯電極対応領域１１６に対応して凹部１１８
が形成される。
１３に対して、上記櫛歯電極部１２３の密閉を行うため
の凹部を形成する。具体的には、図１３及び図７に示す
ように、上記Ｓｉ基板１１１の加工面１１４上に、各Ｓ
ＡＷフィルタ１２２の櫛歯電極部１２３に対応する櫛歯
電極対応領域１１６にレジストにてマスクパターンを形
成する。つまり各区画１１３における櫛歯電極対応領域
１１６にマスクが形成される。その後、スパッタ又は蒸
着方法にて、各区画１１３において上記櫛歯電極対応領
域１１６以外の部分、つまり図１３に網目模様を付した
形成領域１１７に、空間形成材としての機能を果たす一
例に相当するＳｉ酸化膜１１５を０．５〜１μｍの厚み
にて形成する。上記櫛歯電極対応領域１１６には上記マ
スクによりＳｉ酸化膜１１５が形成されないことから、
Ｓｉ酸化膜１１５によってアクティブ部密閉用部材１１
１ａには櫛歯電極対応領域１１６に対応して凹部１１８
が形成される。
【００１７】次のステップでは、上記Ｓｉ基板１１１に
おける上記Ｓｉ酸化膜１１５上に、図８に示すように、
印刷法により接着剤１１９を供給する。その次に、半導
体基板１２１ａの形成面１２５に上記接着剤１１９が接
着するように、かつ各ＳＡＷフィルタ１２２と各アクテ
ィブ部密閉用部材１１１ａとが対向して櫛歯電極部１２
３と櫛歯電極対応領域１１６とが対向するように、上記
Ｓｉ基板１１１と上記半導体ウエハ１２１とを配置し
て、図４に示すように、両者を重ね合わせ合体する。
又、上述のようにＳｉ基板１１１と半導体ウエハ１２１
とを配置することで、各ＳＡＷフィルタ１２２のバンプ
１２４は、各ＳＡＷフィルタ１２２に対向するＳｉ基板
１１１の上記各区画１１３に形成されている外部電極用
穴１１２内に挿入される。上記合体により、図１０に示
すように、Ｓｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９によって
各櫛歯電極部１２３は、アクティブ部密閉用部材１１１
ａの加工面１１４に対して非接触となり、かつ各櫛歯電
極部１２３の周囲をＳｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９
によって包囲される。よって、各櫛歯電極部１２３は、
Ｓｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９によって上記凹部１
１８内に密閉される。そして、合体した合体ウエハ１３
１を加熱することで接着剤１１９を硬化させ、Ｓｉ基板
１１１と半導体ウエハ１２１とを接着する。尚、アクテ
ィブ部密閉用部材１１１ａに例えばガラス板を用いたと
きには、上記接着剤１１９を光にて硬化させることもで
きる。
おける上記Ｓｉ酸化膜１１５上に、図８に示すように、
印刷法により接着剤１１９を供給する。その次に、半導
体基板１２１ａの形成面１２５に上記接着剤１１９が接
着するように、かつ各ＳＡＷフィルタ１２２と各アクテ
ィブ部密閉用部材１１１ａとが対向して櫛歯電極部１２
３と櫛歯電極対応領域１１６とが対向するように、上記
Ｓｉ基板１１１と上記半導体ウエハ１２１とを配置し
て、図４に示すように、両者を重ね合わせ合体する。
又、上述のようにＳｉ基板１１１と半導体ウエハ１２１
とを配置することで、各ＳＡＷフィルタ１２２のバンプ
１２４は、各ＳＡＷフィルタ１２２に対向するＳｉ基板
１１１の上記各区画１１３に形成されている外部電極用
穴１１２内に挿入される。上記合体により、図１０に示
すように、Ｓｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９によって
各櫛歯電極部１２３は、アクティブ部密閉用部材１１１
ａの加工面１１４に対して非接触となり、かつ各櫛歯電
極部１２３の周囲をＳｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９
によって包囲される。よって、各櫛歯電極部１２３は、
Ｓｉ酸化膜１１５及び接着剤１１９によって上記凹部１
１８内に密閉される。そして、合体した合体ウエハ１３
１を加熱することで接着剤１１９を硬化させ、Ｓｉ基板
１１１と半導体ウエハ１２１とを接着する。尚、アクテ
ィブ部密閉用部材１１１ａに例えばガラス板を用いたと
きには、上記接着剤１１９を光にて硬化させることもで
きる。
【００１８】次のステップでは、図１に示すように、各
バンプ１２４が挿入された各外部電極用穴１１２に、Ｓ
ｉ基板１１１の加工面１１４に対向する非加工面１１４
ａ側から、印刷法、ディスペンス法、又は転写法を用い
て、半田又は銀ペースト等の導電性材料１３２を供給
し、バンプ１２４との電気的接続を図る。このとき、上
記導電性材料１３２は、上記非加工面１１４ａより突出
する量にて供給される。その後、熱硬化又はリフローに
より上記導電性材料１３２を硬化させる。該硬化によ
り、ＳＡＷフィルタ１２２に形成されたバンプ１２４か
ら外部電極用穴１１２を通してＳｉ基板１１１の非加工
面１１４ａ側に、上記導電性材料１３２にて電極が形成
される。
バンプ１２４が挿入された各外部電極用穴１１２に、Ｓ
ｉ基板１１１の加工面１１４に対向する非加工面１１４
ａ側から、印刷法、ディスペンス法、又は転写法を用い
て、半田又は銀ペースト等の導電性材料１３２を供給
し、バンプ１２４との電気的接続を図る。このとき、上
記導電性材料１３２は、上記非加工面１１４ａより突出
する量にて供給される。その後、熱硬化又はリフローに
より上記導電性材料１３２を硬化させる。該硬化によ
り、ＳＡＷフィルタ１２２に形成されたバンプ１２４か
ら外部電極用穴１１２を通してＳｉ基板１１１の非加工
面１１４ａ側に、上記導電性材料１３２にて電極が形成
される。
【００１９】次のステップでは、上記導電性材料１３２
の電極が上記非加工面１１４ａ側に形成された上記合体
ウエハ１３１をダイシングして、図５に示すように、個
々の密閉済ＳＡＷフィルタ１３３に分割する。分割され
た密閉済ＳＡＷフィルタ１３３のそれぞれは、図２に示
すように、半田を印刷した、実装基板１４１の電極１４
２上に実装される。そして、リフローにて上記半田を溶
融して、密閉済ＳＡＷフィルタ１３３と実装基板１４１
とを接続する。
の電極が上記非加工面１１４ａ側に形成された上記合体
ウエハ１３１をダイシングして、図５に示すように、個
々の密閉済ＳＡＷフィルタ１３３に分割する。分割され
た密閉済ＳＡＷフィルタ１３３のそれぞれは、図２に示
すように、半田を印刷した、実装基板１４１の電極１４
２上に実装される。そして、リフローにて上記半田を溶
融して、密閉済ＳＡＷフィルタ１３３と実装基板１４１
とを接続する。
【００２０】以上説明したように本実施形態の密閉型電
子部品組立方法、及び該方法にて組み立てられた密閉済
ＳＡＷフィルタ１３３によれば、電子部品のアクティブ
部の一例であるＳＡＷフィルタ１２２の櫛歯電極部１２
３を保護する凹部１１８をアクティブ部密閉用部材１１
１ａに設け、該アクティブ部密閉用部材１１１ａとＳＡ
Ｗフィルタ１２２とを接合するようにした。よって、密
閉済ＳＡＷフィルタ１３３を組み立てる際に、凹部１１
８内に櫛歯電極部１２３が収納されることから、例えば
他部材が直接に接触して櫛歯電極部１２３を保護する形
態ではないことから、上記櫛歯電極部１２３にダメージ
を与えることはない。さらに、上記凹部への収納形態に
より、櫛歯電極部１２３の密閉性を向上させ結果として
耐湿性を向上させることもできる。又、櫛歯電極部１２
３を密閉するためのアクティブ部密閉用部材１１１ａ
は、例えばＳｉ基板１１１のような平板を使用でき、か
つ上述のようにアクティブ部密閉用部材１１１ａとＳＡ
Ｗフィルタ１２２とを接合することで櫛歯電極部１２３
の密閉が行える。よって、従来のキャビティータイプの
セラミック基板７のような特殊形状のパッケージは必要
なく、さらに、該セラミック基板７に蓋をするという工
程も不要となる。これらの点から、従来に比べて、製品
品質の安定化及び実装コストの低減を図ることができ
る。
子部品組立方法、及び該方法にて組み立てられた密閉済
ＳＡＷフィルタ１３３によれば、電子部品のアクティブ
部の一例であるＳＡＷフィルタ１２２の櫛歯電極部１２
３を保護する凹部１１８をアクティブ部密閉用部材１１
１ａに設け、該アクティブ部密閉用部材１１１ａとＳＡ
Ｗフィルタ１２２とを接合するようにした。よって、密
閉済ＳＡＷフィルタ１３３を組み立てる際に、凹部１１
８内に櫛歯電極部１２３が収納されることから、例えば
他部材が直接に接触して櫛歯電極部１２３を保護する形
態ではないことから、上記櫛歯電極部１２３にダメージ
を与えることはない。さらに、上記凹部への収納形態に
より、櫛歯電極部１２３の密閉性を向上させ結果として
耐湿性を向上させることもできる。又、櫛歯電極部１２
３を密閉するためのアクティブ部密閉用部材１１１ａ
は、例えばＳｉ基板１１１のような平板を使用でき、か
つ上述のようにアクティブ部密閉用部材１１１ａとＳＡ
Ｗフィルタ１２２とを接合することで櫛歯電極部１２３
の密閉が行える。よって、従来のキャビティータイプの
セラミック基板７のような特殊形状のパッケージは必要
なく、さらに、該セラミック基板７に蓋をするという工
程も不要となる。これらの点から、従来に比べて、製品
品質の安定化及び実装コストの低減を図ることができ
る。
【００２１】又、アクティブ部密閉用部材１１１ａは、
平板であることから、貫通穴を容易に形成することがで
きる。即ち、ＳＡＷフィルタ１２２の電極に設けたバン
プ１２４との電気的接続を図りかつ密閉済ＳＡＷフィル
タ１３３の外部へ電極を形成するための外部電極用穴１
１２を設けることができる。よって、該外部電極用穴１
１２に導電性材料１３２を設けることで、該導電性材料
１３２にて密閉済ＳＡＷフィルタ１３３の外部電極を容
易に形成することができ、該外部電極を使用して実装用
基板１４１へ密閉済ＳＡＷフィルタ１３３を容易に実装
することができる。
平板であることから、貫通穴を容易に形成することがで
きる。即ち、ＳＡＷフィルタ１２２の電極に設けたバン
プ１２４との電気的接続を図りかつ密閉済ＳＡＷフィル
タ１３３の外部へ電極を形成するための外部電極用穴１
１２を設けることができる。よって、該外部電極用穴１
１２に導電性材料１３２を設けることで、該導電性材料
１３２にて密閉済ＳＡＷフィルタ１３３の外部電極を容
易に形成することができ、該外部電極を使用して実装用
基板１４１へ密閉済ＳＡＷフィルタ１３３を容易に実装
することができる。
【００２２】又、アクティブ部密閉用部材１１１ａが平
板であり、該アクティブ部密閉用部材１１１ａの上記形
成領域１１７へのＳｉ酸化膜１１５の形成は、例えばＳ
ｉウエハ上への半導体チップの公知の製造工程と同様の
工程を用いることができる。したがって、アクティブ部
密閉用部材１１１ａにおける凹部１１８の形成は、容易
に行うことができる。
板であり、該アクティブ部密閉用部材１１１ａの上記形
成領域１１７へのＳｉ酸化膜１１５の形成は、例えばＳ
ｉウエハ上への半導体チップの公知の製造工程と同様の
工程を用いることができる。したがって、アクティブ部
密閉用部材１１１ａにおける凹部１１８の形成は、容易
に行うことができる。
【００２３】又、図３〜図５を参照して説明したよう
に、本実施形態では、アクティブ部密閉用部材１１１ａ
及びＳＡＷフィルタ１２２はともにウエハ状態にて取り
扱って上記合体ウエハ１３１を作製することから、例え
ばＳｉウエハ上への半導体チップの公知の製造工程と同
様の工程を用いることができる。よって、特殊形状のパ
ッケージや、該パッケージに蓋をするという工程も不要
となることから、容易に密閉型ＳＡＷフィルタ１３３を
作製することが可能である。
に、本実施形態では、アクティブ部密閉用部材１１１ａ
及びＳＡＷフィルタ１２２はともにウエハ状態にて取り
扱って上記合体ウエハ１３１を作製することから、例え
ばＳｉウエハ上への半導体チップの公知の製造工程と同
様の工程を用いることができる。よって、特殊形状のパ
ッケージや、該パッケージに蓋をするという工程も不要
となることから、容易に密閉型ＳＡＷフィルタ１３３を
作製することが可能である。
【００２４】アクティブ部密閉用部材１１１ａにおける
凹部１１８の形成は、上述の実施形態では、上記形成領
域１１７へのＳｉ酸化膜１１５の形成により行ったが、
該形成方法に限定されるものではない。例えば、図１１
に示すように、アクティブ部密閉用部材１１１ａの加工
面１１４における上記櫛歯電極対応領域１１６を、ドラ
イエッチング、ウェットエッチング、又はサンドブラス
ト加工により掘り下げることで凹部１１８を形成しても
よい。そして図１２に示すように、ＳＡＷフィルタ１２
２と接合させる方法によっても、上述の実施形態と同様
の効果を得ることができる。
凹部１１８の形成は、上述の実施形態では、上記形成領
域１１７へのＳｉ酸化膜１１５の形成により行ったが、
該形成方法に限定されるものではない。例えば、図１１
に示すように、アクティブ部密閉用部材１１１ａの加工
面１１４における上記櫛歯電極対応領域１１６を、ドラ
イエッチング、ウェットエッチング、又はサンドブラス
ト加工により掘り下げることで凹部１１８を形成しても
よい。そして図１２に示すように、ＳＡＷフィルタ１２
２と接合させる方法によっても、上述の実施形態と同様
の効果を得ることができる。
【００２５】又、密閉型ＳＡＷフィルタ１３３の実装用
基板１４１への実装について、上述の実施形態では、フ
リップチップ実装方法を例に採ったが、これに限定する
ものではない。即ち、例えば図１５に示すように、接着
剤１４３を用いて密閉型ＳＡＷフィルタ１３３を実装用
基板１４１上に固定し、密閉型ＳＡＷフィルタ１３３の
上記導電性材料１３２と、実装用基板１４１の電極１４
２とを金線１４４にてワイヤボンディングしてもよい。
基板１４１への実装について、上述の実施形態では、フ
リップチップ実装方法を例に採ったが、これに限定する
ものではない。即ち、例えば図１５に示すように、接着
剤１４３を用いて密閉型ＳＡＷフィルタ１３３を実装用
基板１４１上に固定し、密閉型ＳＡＷフィルタ１３３の
上記導電性材料１３２と、実装用基板１４１の電極１４
２とを金線１４４にてワイヤボンディングしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様及
び第２態様の密閉型電子部品組立方法、並びに第３態様
の密閉済ＳＡＷフィルタによれば、電子部品のアクティ
ブ部を保護する凹部をアクティブ部密閉用部材に設け、
該アクティブ部密閉用部材と電子部品とを接合するよう
にした。よって、密閉型電子部品を組み立てる際に、凹
部内に上記アクティブ部が収納されることから、例えば
他部材が直接に接触して上記アクティブ部を保護する形
態ではないことから、上記アクティブ部にダメージを与
えることはない。さらに、アクティブ部の密閉性を向上
させ結果として耐湿性を向上させることもできる。又、
アクティブ部を密閉するためのアクティブ部密閉用部材
は、例えばＳｉ基板のような平板を使用でき、かつ上述
のようにアクティブ部密閉用部材と電子部品とを接合す
ることでアクティブ部の密閉が行える。よって、従来の
キャビティータイプのような特殊形状のパッケージは必
要なく、さらに、該パッケージに蓋をするという工程も
不要となる。以上の点から、従来に比べて、製品品質の
安定化及び実装コストの低減を図ることができる。
び第２態様の密閉型電子部品組立方法、並びに第３態様
の密閉済ＳＡＷフィルタによれば、電子部品のアクティ
ブ部を保護する凹部をアクティブ部密閉用部材に設け、
該アクティブ部密閉用部材と電子部品とを接合するよう
にした。よって、密閉型電子部品を組み立てる際に、凹
部内に上記アクティブ部が収納されることから、例えば
他部材が直接に接触して上記アクティブ部を保護する形
態ではないことから、上記アクティブ部にダメージを与
えることはない。さらに、アクティブ部の密閉性を向上
させ結果として耐湿性を向上させることもできる。又、
アクティブ部を密閉するためのアクティブ部密閉用部材
は、例えばＳｉ基板のような平板を使用でき、かつ上述
のようにアクティブ部密閉用部材と電子部品とを接合す
ることでアクティブ部の密閉が行える。よって、従来の
キャビティータイプのような特殊形状のパッケージは必
要なく、さらに、該パッケージに蓋をするという工程も
不要となる。以上の点から、従来に比べて、製品品質の
安定化及び実装コストの低減を図ることができる。
【図１】 本実施形態の密閉型電子部品組立方法にて組
み立てた密閉済ＳＡＷフィルタの断面図である。
み立てた密閉済ＳＡＷフィルタの断面図である。
【図２】 図１に示す密閉済ＳＡＷフィルタを実装用基
板へ実装した状態を示す図である。
板へ実装した状態を示す図である。
【図３】 本実施形態の密閉型電子部品組立方法にて作
製されたＳｉ基板と半導体ウエハを示す斜視図である。
製されたＳｉ基板と半導体ウエハを示す斜視図である。
【図４】 図３に示す両ウエハを合体した合体ウエハの
斜視図である。
斜視図である。
【図５】 図４に示す合体ウエハをダイシングして個々
の密閉済ＳＡＷフィルタに分割した状態を示す図であ
る。
の密閉済ＳＡＷフィルタに分割した状態を示す図であ
る。
【図６】 本実施形態の密閉型電子部品組立方法にて使
用するアクティブ部密閉用部材の断面図である。
用するアクティブ部密閉用部材の断面図である。
【図７】 図６に示すアクティブ部密閉用部材にＳｉ酸
化膜を形成した状態を示す図である。
化膜を形成した状態を示す図である。
【図８】 図７に示すアクティブ部密閉用部材のＳｉ酸
化膜上に接着剤を設けた状態を示す図である。
化膜上に接着剤を設けた状態を示す図である。
【図９】 本実施形態の密閉型電子部品組立方法にて使
用するＳＡＷフィルタの図である。
用するＳＡＷフィルタの図である。
【図１０】 図７に示すアクティブ部密閉用部材と、図
９に示すＳＡＷフィルタとを接合した状態を示す図であ
る。
９に示すＳＡＷフィルタとを接合した状態を示す図であ
る。
【図１１】 図６に示すアクティブ部密閉用部材への凹
部形成の変形例を説明するための図である。
部形成の変形例を説明するための図である。
【図１２】 図１１に示すアクティブ部密閉用部材と、
図９に示すＳＡＷフィルタとを接合した状態を示す図で
ある。
図９に示すＳＡＷフィルタとを接合した状態を示す図で
ある。
【図１３】 図１に示す密閉済ＳＡＷフィルタの実装用
基板への実装方法の変形例を説明するための図である。
基板への実装方法の変形例を説明するための図である。
【図１４】 図９に示すＳＡＷフィルタの平面図であ
る。
る。
【図１５】 図１に示す密閉済ＳＡＷフィルタを実装用
基板へ実装したときの状態であって図２に示す状態の変
形例における状態を示す図である。
基板へ実装したときの状態であって図２に示す状態の変
形例における状態を示す図である。
【図１６】 従来のフリップチップ工法にて実装された
電子部品の封止方法を説明するための図である。
電子部品の封止方法を説明するための図である。
【図１７】 従来のフリップチップ工法にて実装された
電子部品の封止方法の他の例を説明するための図であ
る。
電子部品の封止方法の他の例を説明するための図であ
る。
【図１８】 従来のワイヤボンド工法にて実装された電
子部品の封止方法を説明するための図である。
子部品の封止方法を説明するための図である。
１１１ａ…アクティブ部密閉用部材、１１２…外部電極
用穴、１１４…加工面、１１５…Ｓｉ酸化膜、１１８…
凹部、１２１…半導体ウエハ、１２２…ＳＡＷフィル
タ、１２３…櫛歯電極部、１２４…バンプ、１２５…形
成面、１３１…合体ウエハ、１３２…導電性材料、１４
１…実装用基板。
用穴、１１４…加工面、１１５…Ｓｉ酸化膜、１１８…
凹部、１２１…半導体ウエハ、１２２…ＳＡＷフィル
タ、１２３…櫛歯電極部、１２４…バンプ、１２５…形
成面、１３１…合体ウエハ、１３２…導電性材料、１４
１…実装用基板。
Claims (8)
- 【請求項１】 アクティブ部（１２３）を有する電子部
品（１２２）と、該電子部品にほぼ同サイズで板状のア
クティブ部密閉用部材であって、上記アクティブ部にほ
ぼ対応したサイズにてなる凹部で上記アクティブ部に非
接触となる凹部（１１８）を形成したアクティブ部密閉
用部材（１１１ａ）とを対向して配置し、 上記電子部品と上記アクティブ部密閉用部材とを合体す
ることにより上記アクティブ部を上記凹部にて密閉す
る、ことを特徴とする密閉型電子部品組立方法。 - 【請求項２】 上記アクティブ部を形成した上記電子部
品の形成面（１２５）は、上記アクティブ部と接続する
電極（１２４）を有し、上記アクティブ部密閉用部材
は、上記電極に対応して設けられ当該アクティブ部密閉
用部材を貫通する外部電極用穴（１１２）を有すると
き、上記電子部品と上記アクティブ部密閉用部材との合
体後、上記外部電極用穴に導電性材料（１３２）を設
け、該導電性材料にて上記電極と実装用基板（１４１）
との電気的接続を行う、請求項１記載の密閉型電子部品
組立方法。 - 【請求項３】 上記アクティブ部密閉用部材の上記凹部
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面（１１４）に上記アクティブ部の周囲に
対応して空間形成材（１１５）を設けて形成される、請
求項１又は２記載の密閉型電子部品組立方法。 - 【請求項４】 上記アクティブ部密閉用部材の上記凹部
は、上記アクティブ部に対向する上記アクティブ部密閉
用部材の加工面（１１４）を上記アクティブ部に対応し
て掘り下げて形成される、請求項１又は２記載の密閉型
電子部品組立方法。 - 【請求項５】 上記電子部品はＳＡＷフィルタであり上
記アクティブ部は上記ＳＡＷフィルタを構成する櫛歯電
極部であり、上記アクティブ部密閉用部材はＳｉ基板で
あり、上記ＳＡＷフィルタは半導体ウエハ（１２１）上
に格子状に形成されており、上記Ｓｉ基板はウエハ状で
あって上記凹部は上記格子状に形成された上記ＳＡＷフ
ィルタの上記櫛歯電極部に対応して格子状に形成されて
おり、ウエハ状の上記ＳＡＷフィルタとウエハ状の上記
Ｓｉ基板とを合体した後、該合体ウエハ（１３１）をダ
イシングして個片化する、請求項１から４のいずれかに
記載の密閉型電子部品組立方法。 - 【請求項６】 上記導電性材料は半田又は銀ペーストで
ある、請求項２記載の密閉型電子部品組立方法。 - 【請求項７】 上記導電性材料による上記電極と上記実
装用基板との電気的接続は、フリップチップ実装又はワ
イヤボンディングにより行う、請求項２又は６記載の密
閉型電子部品組立方法。 - 【請求項８】 請求項５記載の密閉型電子部品組立方法
により組み立てられたことを特徴とする密閉済ＳＡＷフ
ィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372741A JP3793715B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001372741A JP3793715B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003174107A true JP2003174107A (ja) | 2003-06-20 |
| JP3793715B2 JP3793715B2 (ja) | 2006-07-05 |
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ID=19181577
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001372741A Expired - Fee Related JP3793715B2 (ja) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | 密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3793715B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106831A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
| US7459829B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same, IC card, and mobile electronic apparatus |
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| WO2009116222A1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
-
2001
- 2001-12-06 JP JP2001372741A patent/JP3793715B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JPWO2006106831A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2008-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
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| US7982364B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| WO2009116222A1 (ja) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US8072118B2 (en) | 2008-03-19 | 2011-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP5120446B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-01-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3793715B2 (ja) | 2006-07-05 |
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