JP2003173569A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐湿性，耐摺動性に優れた表面記録型の光学
的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 ポリエステルフィルム（ＰＥＴ）のフレ
キシブル基板１に反射層２としてＡｇ−２ｍｏｌ％Ｃｕ
合金を３０ｎｍ成膜した上に、第１保護層３として窒化
シリコンを８ｎｍ形成する。次に、光磁気型の記録層４
として希土類遷移金属合金であるＴｂＦｅＣｏを１０ｎ
ｍ形成し、この記録層４の上に、第２保護層（最表面保
護膜）５として、窒化シリコン−窒化チタン混合膜を３
０ｎｍ形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、例えば
相変化記録型あるいは光磁気記録型の記録膜が形成さ
れ、さらに、この記録膜上に保護膜が形成されて、この
保護膜側から光を入射させて情報の記録および／または
再生が行われる表面記録型の光学的情報記録媒体に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、テレビ放送のデジタル化が始まる
など、大容量のデジタルデータを記録することが光ディ
スクに求められている。光ディスクの高密度化のための
手法のうち、基本的な方法は記録／再生のための光のス
ポット径を小さくすることである。このためには、記録
／再生のために用いられる光の波長を短く、かつ対物レ
ンズの開口数ＮＡを大きくすることが有効である。光の
波長についてはＣＤ（compact disk）では近赤外光の７
８０ｎｍ、ＤＶＤ（digital versatile disk）では赤色
光の６５０ｎｍ近傍の波長が用いられている。最近、青
紫光の半導体レーザが開発され、今後は４００ｎｍ近傍
のレーザ光が使用されると予想される。

【０００３】また、対物レンズについては、ＣＤ用は開
口数（ＮＡ）０．５未満であったが、ＤＶＤ用はＮＡ
０．６程度である。今後、さらにＮＡを大きくしてＮＡ
０．７以上とすることが求められる。しかし、対物レン
ズのＮＡを大きくすること、および光の波長を短くする
ことは、光を絞るときに収差の影響が大きくなることで
もある。したがって、光ディスクのチルトに対するマー
ジンが減ることになる。また、ＮＡを大きくすることに
よって焦点深度が小さくなるため、フォーカスサーボ精
度を上げなくてはならない。

【０００４】さらに、高ＮＡの対物レンズを使用するこ
とによって、対物レンズと光ディスクの記録面との距離
が小さくなってしまうため、光ディスクの面ぶれを小さ
くしておかないと、始動時のフォーカスサーボを引き込
む直前、対物レンズと光ディスクとが衝突することがあ
り、ピックアップの故障の原因となる。

【０００５】短波長，高ＮＡの大容量光ディスクとし
て、例えばＯ ＰＬＵＳ Ｅ（ｖｏｌ．２０ Ｎｏ．２）
の１８３ページに示されているように、ＣＤと同程度に
厚く剛性の大きい基板に記録膜を成膜し、記録／再生用
の光を基板を通さずに、薄いカバー層内を通して記録膜
に対して記録／再生する構成のシステムが提案されてい
る。

【０００６】一方、特開平７−１０５６５７号公報，特
開平１０−３０８０５９号公報などには、平面をもつ安
定化板上で可撓性を有する光ディスクを回転させて、光
ディスクにおける面ぶれを安定化させる装置が提案され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】今後、光ディスクにお
いて極限までの大容量化を目標とすると、収差低減の観
点で記録膜上に透明基板、あるいはカバー層がまったく
ない表面記録型が望ましいと考えられる。また、表面に
カバー層を形成することは、欠陥の増加など好ましいこ
とではない。

【０００８】しかし、ＣＤ−ＲＷなどのＺｎＳ−ＳｉＯ
_２保護膜は、柔らかいために紫外線硬化樹脂のカバー層
を設けないと、何かに多少接触，摺動しただけで傷が付
くという問題がある。

【０００９】また光磁気ディスクで用いられているＳｉ
_３Ｎ_４保護膜は硬いが脆いために、可撓性を有する光デ
ィスクのように基板を曲げながら用いる使い方の場合に
は、膜にクラックを発生させるおそれがある。このこと
は、膜厚の厚い光入射側の保護膜で顕著である。

【００１０】本発明の目的は、前記従来技術の課題に鑑
みて、耐湿性，耐摺動性に優れた表面記録型の光学的情
報記録媒体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、基板上に記録膜が形成さ
れ、この記録膜上に保護膜が形成され、この保護膜側か
ら光を入射させて情報の記録および／または再生が行わ
れる光学的情報記録媒体において、前記保護膜における
最表面層を窒化シリコン中に窒化チタンが分散した材料
で形成したことを特徴とし、この構成によって、硬く、
緻密であって耐摺動性に優れる窒化シリコンの特性に、
さらに窒化チタンを分散することによって窒化シリコン
に欠けている靭性を大きくすることができるため、機械
的強度を維持したままで靭性が向上し、かつ膜応力を減
少させることができ、窒化シリコンが有する優れた耐水
保護性能および耐摺動性能を保持したままで膜浮きなど
を少なくすることができる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
光学的情報記録媒体において、基板として、可撓性を有
する材料からなるものを用いたことを特徴とし、この構
成によって、基板変形を繰り返す可撓性を有するディス
ク、すなわちフレキシブルディスクに実施したとき、窒
化シリコン−窒化チタン混合体の性質がより良く発揮さ
れ、窒化シリコン−窒化チタン保護膜の特性が最大限に
発揮される。

【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２記載の光学的情報記録媒体において、基板の材料をポ
リエチレンテレフタレートとし、この基板上に、銀合
金，窒化シリコン，希土類遷移金属合金，窒化シリコン
−窒化チタン混合体の各層を順に形成したことを特徴と
し、この構成によって、光吸収の大きな窒化チタンの影
響を小さくするために、表面側の保護層を２層に分けて
最表面のみを窒化チタン混合層としたことにより、ディ
スクの反射率を大きくすることができ、ディスクの信号
再生能力（性能指数）を大きくすることができる。

【００１４】請求項４に記載の発明は、請求項１または
２記載の光学的情報記録媒体において、基板の材料をポ
リエチレンテレフタレートとし、この基板上に、銅合
金，窒化シリコン，希土類遷移金属合金，窒化シリコン
−窒化チタン混合体の各層を順に形成したことを特徴と
し、この構成によって、反射層をＣｕ合金とすることに
より、反射層の熱伝導率はＡｇにせまるものとしなが
ら、反射層の靭性をＡｇより大きくすることができて、
膜浮きに起因するエラーを小さくできる。

【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１または
２記載の光学的情報記録媒体において、基板の材料をポ
リエチレンテレフタレートとし、この基板上に、Ａｌ−
Ｍｏ混合体，窒化シリコン，希土類遷移金属合金，窒化
シリコン−窒化チタン混合体の各層を順に形成したこと
を特徴とし、この構成によって、反射層をＡｌ−Ｍｏ合
金とすることにより、反射層の靭性をＡｇより大きくす
ることができて、膜浮きに起因するエラーを小さくでき
る。

【００１６】請求項６に記載の発明は、請求項３〜５い
ずれか１項記載の光学的情報記録媒体において、希土類
遷移金属合金層と窒化シリコン−窒化チタン混合体層の
間に窒化シリコンの層を介在させたことを特徴とし、こ
の構成によって、記録層である希土類遷移金属合金層に
対する保護機能を向上させることができる。

【００１７】請求項７に記載の発明は、請求項１または
２記載の光学的情報記録媒体において、基板の材料をポ
リエチレンテレフタレートとし、この基板上に、Ａｌ−
Ｍｏ混合体，ＺｎＳ−ＳｉＯ_２，相変化型合金，ＺｎＳ
−ＳｉＯ_２，窒化シリコン−窒化チタン混合体の各層を
順に形成したことを特徴とし、この構成によって、反射
層をＡｌ−Ｍｏ合金とすることにより、反射層の靭性を
Ａｇより大きくすることができて、膜浮きに起因するエ
ラーを小さくできる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図面を参照しながら説明する。

【００１９】図１は本発明の第１実施形態を説明するた
めの光磁気型のフレキシブル光ディスクの一部を示す断
面図であり、シート状のフレキシブル基板１の上に情報
記憶層を構成する４層の膜２，３，４，５が形成されて
いる。該光ディスクでは、記録／再生時に、フレキシブ
ル基板１とは反対側の最表面側の層５から入射光が入
る。

【００２０】以下に第１実施形態の光磁気型のフレキシ
ブル光ディスクにおける形成方法を説明する。

【００２１】 直径１２０ｍｍ、厚さ１００μｍのポ
リエステルフィルム（ＰＥＴ）のフレキシブル基板１
に、熱転写によって、トラックピッチ０．６６μｍ、グ
ルーブ幅０．３３μｍ、深さ３０ｎｍのスパイラル溝を
形成した。

【００２２】 フレキシブル基板１に対して、最初
に、反射層２としてＡｇ−２ｍｏｌ％Ｃｕ合金を３０ｎ
ｍ成膜した。

【００２３】 次に、第１保護層３として窒化シリコ
ンを８ｎｍ形成した。これは、例えばシリコンターゲッ
トをアルゴンと窒素の混合ガスで反応性スパッタリング
で形成した。

【００２４】 次に、光磁気型の記録層４として希土
類遷移金属合金であるＴｂＦｅＣｏを１０ｎｍ形成し
た。

【００２５】 記録層４の上に、第２保護層（最表面
保護膜）５として、窒化シリコン−窒化チタン混合膜を
３０ｎｍ形成した。窒化シリコン−窒化チタン混合膜の
組成はＳｉ：Ｔｉの原子数の比で７：３とした。窒化シ
リコン−窒化チタン混合膜は、シリコンとチタンの混合
体ターゲットを使用し、アルゴン−窒素混合ガス中で反
応性スパッタリングすることで形成した。窒化シリコン
は膜応力の大きな膜であるが、混合体としたことで応力
が小さくなった。このことは成膜後のシート基板のそり
が、窒化シリコンのみに比べて小さくなったことでも分
かる。

【００２６】そして、この無機層の上には紫外線硬化樹
脂などのカバー層は一切設けないで、フレキシブル光デ
ィスクとした。

【００２７】図３は本発明に係る光ディスクの特性評価
を行うための光学的情報記録／再生装置の概略構成図で
あり、１１は本発明に係る可撓性を有するシート状の光
ディスク、１２は光ディスク１１のハブ１３を保持する
スピンドルシャフト、１４はスピンドルシャフト１２を
回転駆動するスピンドルモータ、１５は、対物レンズ１
６が設置され、光ディスク１１に対して情報の書き込み
を行う記録手段および書き込まれた情報の読み取りを行
う再生手段としての光ピックアップ、１７は光ピックア
ップ１６を光ディスク１１の半径方向へ移動させるピッ
クアップ用位置決め機構、１８は、光ディスク１１を介
して光ピックアップ１６に対向設置され、ベルヌーイの
法則に基づく空気流を発生させて光ディスク１１の面ぶ
れを防止するための安定化ガイド部材、１９は安定化ガ
イド部材１８を光ピックアップ１６と連動して光ディス
ク１１の半径方向へ移動させる安定化ガイド用位置決め
機構、２０は前記各構成部材を収納する装置本体であ
る。

【００２８】前記光学的情報記録／再生装置に第１実施
形態において、スピンドルシャフト１２に光ディスク１
１をセットして３６００ｒｐｍで回転させ、光ビーム波
長４０５ｎｍ，対物レンズＮＡ０．８５の光ピックアッ
プ１６で１−７変調したランダムデータを記録して、そ
のジッターを検査して記録／再生特性を評価した。記録
密度は０．２μｍ／ｂｉｔである。

【００２９】光ディスク１１の耐久性評価は、光ディス
ク１１を、気温８０℃、湿度８５％ＲＨの環境下に５０
０時間放置した後、３６００ｒｐｍで回転させ、安定化
ガイド部材１８でベルヌーイの法則による安定化状態に
して放置した。そして、連続再生回数が約１０００万回
に達する４７時間後に再生信号のチェックを行い、光学
的情報記録／再生装置から取り外して記録面の表面を観
察した。

【００３０】その結果、試験後のエラー率の増加は約４
０％であった。しかし、バースト的な大きな劣化ではな
かった。したがって、エラー訂正可能な範囲であった。
また、目視でも膜のクラック発生は認められなかった。

【００３１】次に本発明の第２実施形態の光磁気型のフ
レキシブル光ディスクの形成方法について説明する。

【００３２】 直径１２０ｍｍ、厚さ６５μｍのポリ
エステルフィルム（ＰＥＴ）のフレキシブル基板１に、
熱転写によってトラックピッチ０．６６μｍ、グルーブ
幅０．３３μｍ、深さ３０ｎｍのスパイラル溝を形成し
た。

【００３３】 フレキシブル基板１に対して、最初
に、反射層２としてＣｕ−１ｍｏｌ％Ｍｇ合金を３０ｎ
ｍ成膜した。

【００３４】 次に、第１保護層３として窒化シリコ
ンを８ｎｍ形成した。これは、シリコンターゲットをア
ルゴンと窒素の混合ガスで反応性スパッタリングで形成
した。

【００３５】 次に、光磁気型の記録層４としてＴｂ
ＦｅＣｏを１０ｎｍ形成した。

【００３６】 記録層４の上に、第２保護層（最表面
保護膜）５として、窒化シリコン−窒化チタン混合膜を
３０ｎｍ形成した。窒化シリコン−窒化チタン混合膜の
組成はＳｉ：Ｔｉの原子数の比で８：２とした。窒化シ
リコン−窒化チタン混合膜は、シリコンとチタンの混合
体ターゲットを使用し、アルゴン−窒素混合ガス中で反
応性スパッタリングすることで形成した。

【００３７】そして、この無機層の上には紫外線硬化樹
脂などのカバー層は一切設けないで、フレキシブル光デ
ィスクとした。

【００３８】この第２実施形態の光ディスクを、第１実
施形態にて説明したと同様にして、青色光を用いた光学
的情報記録／再生装置にてランダムデータを記録し、高
温高湿試験を行い、連続再生試験を行った。その結果、
試験後のエラー率の増加は約２０％であり、バースト的
な大きな劣化はなかった。また、目視でも膜のクラック
発生は認められなかった。

【００３９】反射放熱機能を有する反射層２に使用され
るＣｕ合金は、Ａｇ系に比べて柔らかい膜であり靭性が
大きい。このため、反射層２の機械的な劣化が小さく膜
浮きなどの劣化が抑制され、第１実施形態に比べてエラ
ー増加が少なくなっていると考えられる。ただし、Ａｇ
合金からなる反射層の方が高反射率となり、ディスクの
初期特性としては好ましい。

【００４０】次に本発明の第３実施形態の光磁気型のフ
レキシブル光ディスクの形成方法について説明する。

【００４１】 直径１２０ｍｍ、厚さ６５μｍのポリ
エステルフィルム（ＰＥＴ）のフレキシブル基板１に、
熱転写によって、トラックピッチ０．６６μｍ、グルー
ブ幅０．３３μｍ、深さ３０ｎｍのスパイラル溝を形成
した。

【００４２】 フレキシブル基板１に対して、最初
に、反射層２としてＡｌ−５ｍｏｌ％Ｍｏ合金を５０ｎ
ｍ成膜した。

【００４３】 次に、第１保護層３として窒化シリコ
ンを８ｎｍ形成した。これは、シリコンターゲットをア
ルゴンと窒素の混合ガスで反応性スパッタリングで形成
した。

【００４４】 次に、光磁気型の記録層４としてＴｂ
ＦｅＣｏを１０ｎｍ形成した。

【００４５】 記録層４の上に、第２保護層（最表面
保護膜）５として、窒化シリコン−窒化チタン混合膜を
３０ｎｍ形成した。窒化シリコン−窒化チタン混合膜の
組成はＳｉ：Ｔｉの原子数の比で８：２とした。窒化シ
リコン−窒化チタン混合膜は、シリコンとチタンの混合
体ターゲットを使用し、アルゴン−窒素混合ガス中で反
応性スパッタリングすることで形成した。

【００４６】そして、この無機層の上には紫外線硬化樹
脂などのカバー層は一切設けないで、フレキシブル光デ
ィスクとした。

【００４７】この第３実施形態の光ディスクを、第１，
２実施形態にて説明したと同様にして、青色光を用いた
光学的情報記録／再生装置にてランダムデータを記録
し、高温高湿試験を行い、連続再生試験を行った。その
結果、試験後のエラー率の増加は約１０％であり、バー
スト的な大きな劣化はなかった。また、目視でも膜のク
ラック発生は認められなかった。

【００４８】反射放熱機能を有する反射層２に使用され
るＡｌ合金は、Ａｇ系に比べて柔らかい膜であり靭性が
大きい。このため、ＣＤ−ＲＷやＭＯディスクでは、Ａ
ｌ合金としてＡｌ−Ｔｉ系，Ａｌ−Ｃｒ系などが用いら
れるが、本実施形態のＡｌ−Ｍｏ系は膜浮きが生じ難い
という点で優れていた。このため、反射層２の機械的な
劣化が小さく膜浮き、あるいは腐食などの劣化が抑制さ
れ、第１実施形態に比べてエラー増加が少なくなってい
ると考えられる。ただし、Ａｇ合金からなる反射層の方
が熱伝導率が大きいため、第３実施形態では膜厚を厚く
することで熱伝導を大きくして補償するようにした。

【００４９】なお、前記第１〜３実施形態の積層構成に
おいて、記録層４と第２保護層５との間に、保護層とし
て窒化シリコンを介在させることで、さらに保護機能を
向上させることも考えられる。

【００５０】前記第１〜３実施形態のように、記録層４
が希土類遷移金属合金から構成される光磁気型光ディス
クにおいては、記録時に記録層４を昇温して、磁化を弱
くし、外部磁界で記録用マークを形成するものであり、
記録時の温度は２００℃程度であって相変化型光ディス
クよりも低い。このため光磁気型光ディスクの場合、記
録層４の両側に設けられる保護層３，５の熱伝導の程度
にかかわらず、記録特性は余り変化しない。

【００５１】したがって、保護層３，５としては、保護
特性，光学的特性のみを考慮した保護層の材料，構造を
選択することができ、記録温度が低いため、特に第２記
録層５が薄くても問題がなく、このため第２記録層５と
して窒化シリコン−窒化チタン混合膜のみを光入射側に
設置するようにしても不具合の発生はなく、前記第１〜
３実施形態のように、シート状のフレキシブル基板１の
上に、反射層２，第１保護層３，記録層４，第２保護層
５とからなる４層のみを設置する構成であっても問題は
ない。

【００５２】しかしながら、記録層がＧｅＴｅ，ＳｂＴ
ｅなどの相変化型合金から構成される相変化型光ディス
クにおいては、記録層を昇温させ、相変化型合金を溶融
させて冷やし、この冷やすときの速度が大である場合に
非結晶化し、その速度が小の場合に結晶化することで相
変化が生じる。すなわち、冷却速度の大小にて記録が行
われる。このときの融点温度は５００〜６００℃であっ
て、前記光磁気ディスクの記録温度よりも高い。

【００５３】このため、相変化型光ディスクにおいて
は、光磁気型光ディスクと異なり、記録層に隣接する両
側の層として、熱を貯めるために低熱伝導の保護層が必
要となる。このため、保護層としては第１〜３実施形態
で採用した窒化シリコン−窒化チタン混合合金は比較的
熱伝導率が高く不適当であって、この点に対する考慮が
必要になる。

【００５４】図２は本発明の第４実施形態である相変化
型のフレキシブル光ディスクの一部を示す断面図であ
り、シート状のフレキシブル基板２１の上に情報記憶層
を構成する５層の膜２２，２３，２４，２５，２６が形
成されている。

【００５５】以下に形成方法を説明する。

【００５６】 直径１２０ｍｍ、厚さ６５μｍのポリ
エステルフィルム（ＰＥＴ）のフレキシブル基板２１
に、熱転写によって、トラックピッチ０．６６μｍ、グ
ルーブ幅０．３３μｍ、深さ３０ｎｍのスパイラル溝を
形成した。

【００５７】 フレキシブル基板２１に、最初に、反
射層２２としてＡｌ−５ｍｏｌ％Ｍｏ合金を５０ｎｍ成
膜した。

【００５８】 次に、第１保護層２３としてＺｎＳ−
ＳｉＯ_２を１０ｎｍ形成した。

【００５９】 次に、相変化型の記録層２４としてＧ
ｅＴｅを１５ｎｍ形成した。

【００６０】 次に、記録層２４の上に、第２保護層
２５としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２を３０ｎｍ形成した。

【００６１】 最後に、第３保護層（最表面保護膜）
２６として、窒化シリコン−窒化チタン混合膜を１０ｎ
ｍ形成した。窒化シリコン−窒化チタン混合膜の組成は
Ｓｉ：Ｔｉの原子数の比で７：３とした。窒化シリコン
−窒化チタン混合膜は、シリコンとチタンの混合体ター
ゲットを使用し、アルゴン−窒素混合ガス中で反応性ス
パッタリングすることで形成した。

【００６２】上述したように、相変化型の光ディスクに
おける記録の場合、記録時にある程度の熱を記録層に蓄
積する必要があるため、記録層２４である相変化層の両
隣には断熱型の材料が必要であって、第４実施形態で
は、記録層２４の両側に機械特性には劣るが熱伝導率が
高いＺｎＳ−ＳｉＯ_２（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２は窒化シリコ
ン−窒化チタン混合金属と比べて約１０倍程度の熱伝導
率を有する）を用い、最表面に窒化シリコン−窒化チタ
ン混合膜を設けるようにした。

【００６３】そして、この無機層の上には紫外線硬化樹
脂などのカバー層は一切設けないで、フレキシブル光デ
ィスクとした。

【００６４】第４実施形態では、相変化追記型の光ディ
スクとして用いるため、記録層２４のＧｅＴｅには、成
膜後のアモルファス状態を０、記録後の結晶状態を１と
して記録／再生を行う、いわゆるＬｏｗ ｔｏ Ｈｉｇ
ｈ記録が行われる。

【００６５】この第４実施形態の光ディスクを、第１〜
３実施形態にて説明したと同様にして、青色光を用いた
光学的情報記録／再生装置にてランダムデータを記録
し、高温高湿試験を行い、連続再生試験を行った。その
結果、試験後のエラー率の増加は約１０％であり、バー
スト的な大きな劣化はなかった。また、目視でも膜のク
ラック発生は認められなかった。

【００６６】反射放熱機能を有する反射層２２に使用さ
れるＡｌ−Ｍｏ合金は、Ａｇ系に比べて柔らかい膜であ
り靭性が大きい。このため、ＣＤ−ＲＷやＭＯディスク
では、Ａｌ合金としてＡｌ−Ｔｉ系，Ａｌ−Ｃｒ系など
が用いられるが、第４実施形態のＡｌ−Ｍｏ系は膜浮き
が生じ難いという点で優れていた。このため、反射層２
２の機械的な劣化が小さく膜浮き、あるいは腐食などの
劣化が抑制され、第１実施形態に比べてエラー増加が少
なくなっていると考えられる。ただし、Ａｇ合金からな
る反射層の方が熱伝導率が大きいため、第４実施形態で
は膜厚を厚くすることで熱伝導を大きくして補償するよ
うにした。

【００６７】なお、窒化シリコン−窒化チタン混合膜に
おいて窒化チタンに光の吸収性がある。このために窒化
チタンの混合比を大きくすると、ディスクの反射率が小
さくなっていく弊害がある。窒化チタンの比率はこの意
味で制限される。窒化シリコンに対する窒化チタンの添
加比率は、３０原子％を超えれば、膜質の靭性向上の目
的は達せれるので、この範囲でディスク設計に応じ、添
加比率を適宜可変すればよい。

【００６８】反射率があまり重要ではない場合には、窒
化チタンをできるだけ３０原子％程度近くの多い量にす
る。一方、反射率の大きさが重要である場合には、その
範囲で適切な窒化チタン量にすればよい。

【００６９】本実施形態の効果を考察するために、いく
つか比較例を比較検討した。

【００７０】（比較例１）第１実施形態と同様な構成に
し、第２保護層５を純粋な窒化シリコンのみとした光デ
ィスクを作成し、保存試験，再生耐久試験を行い、外観
検査を行った結果、目視で判別できるような巨視的なス
ケールの膜浮き、クラックなどの欠陥が生じた。この比
較例１の光ディスクでは、記録／再生装置に搭載して行
うエラーの測定が無意味な状態であり、使用に耐えな
い。

【００７１】これは第２保護層の窒化チタン添加の省略
がもたらした結果であるといえる。

【００７２】（比較例２）第３実施形態と同様な構成に
し、反射層２をＡｌ−１ｗｔ％Ｔｉとした光ディスクを
作成し、保存試験，再生耐久試験を行った結果、エラー
率が初期の６０％に増加した。第３実施形態における試
験結果は１０％程度の増加であったから、かなり劣化し
たといえる。これは、Ａｌへの添加物としてＴｉよりも
Ｍｏが優れていることを意味している。

【００７３】（比較例３）第３実施形態と同様な構成に
し、反射層２をＡｌ−２ｗｔ％Ｃｒとした光ディスクを
作成し、保存試験，再生耐久試験を行った結果、エラー
率が初期の４０％に増加した。第３実施形態における試
験結果は１０％程度の増加であったから、かなり劣化し
たといえる。これは、Ａｌへの添加物としてＣｒよりも
Ｍｏが優れていることを意味している。

【００７４】また、比較例２，３からは、普通のＣＤな
どでは純ＡｌにＴｉあるいはＣｒを添加すると耐腐食性
が向上して、十分実用的であるが、紫外線硬化樹脂など
による保護、あるいは基板の繰り返し変形の応力が加わ
る環境下では、Ｍｏの添加が特に有効であると考えられ
る。

【００７５】（比較例４）第１実施形態と同様の構成に
し、フレキシブル基板１の材料をポリイミド樹脂とした
光ディスクを作成し、保存試験，再生耐久試験を行った
結果、目視で判別できる巨視的なスケールの膜浮き、ク
ラックなどの欠陥が生じた。この理由としは、ポリイミ
ド樹脂は、基板材料としての耐熱性は優れているが、基
板と無機膜の付着力が弱く、このため膜浮きが発生しや
すいためである。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録膜上の保護膜における最表面層を、窒化シリコン中
に窒化チタンが分散した材料で形成したことにより、硬
く、緻密であって耐摺動性に優れる窒化シリコンの特性
に、さらに窒化チタンを分散することによって窒化シリ
コンに欠けている靭性を大きくすることができるため、
機械的強度を維持したままで靭性が向上し、かつ膜応力
を減少させることができ、窒化シリコンが有する優れた
耐水保護性能および耐摺動性能を保持したままで膜浮き
などを少なくすることができるなど、実際上の効果の大
なる光学的情報記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を説明するための光磁気
型のフレキシブル光ディスクの一部を示す断面図

【図２】本発明の第４実施形態である相変化型のフレキ
シブル光ディスクの一部を示す断面図

【図３】本発明に係る光ディスクの特性評価を行うため
の光学的情報記録／再生装置の概略構成図

【符号の説明】

１，２１ フレキシブル基板 ２，２２ 反射層 ３，２３ 第１保護層 ４，２４ 記録層 ５，２５ 第２保護層 ２６ 第３保護層（最表面保護膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１Ｄ ５３１Ｑ (72)発明者 村田 省蔵 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 KA09 KC10 LA16 LC12 LC13 LC21 MA13 5D075 FG01 FG04 FG15

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録膜が形成され、この記録膜
   上に保護膜が形成され、この保護膜側から光を入射させ
   て情報の記録および／または再生が行われる光学的情報
   記録媒体において、前記保護膜における最表面層を窒化
   シリコン中に窒化チタンが分散した材料で形成したこと
   を特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】 前記基板として、可撓性を有する材料か
   らなるものを用いたことを特徴とする請求項１記載の光
   学的情報記録媒体。
3. 【請求項３】 前記基板の材料をポリエチレンテレフタ
   レートとし、この基板上に、銀合金，窒化シリコン，希
   土類遷移金属合金，窒化シリコン−窒化チタン混合体の
   各層を順に形成したことを特徴とする請求項１または２
   記載の光学的情報記録媒体。
4. 【請求項４】 前記基板の材料をポリエチレンテレフタ
   レートとし、この基板上に、銅合金，窒化シリコン，希
   土類遷移金属合金，窒化シリコン−窒化チタン混合体の
   各層を順に形成したことを特徴とする請求項１または２
   記載の光学的情報記録媒体。
5. 【請求項５】 前記基板の材料をポリエチレンテレフタ
   レートとし、この基板上に、Ａｌ−Ｍｏ混合体，窒化シ
   リコン，希土類遷移金属合金，窒化シリコン−窒化チタ
   ン混合体の各層を順に形成したことを特徴とする請求項
   １または２記載の光学的情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記希土類遷移金属合金層と前記窒化シ
   リコン−窒化チタン混合体層の間に窒化シリコンの層を
   介在させたことを特徴とする請求項３〜５いずれか１項
   記載の光学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】 前記基板の材料をポリエチレンテレフタ
   レートとし、この基板上に、Ａｌ−Ｍｏ混合体，ＺｎＳ
   −ＳｉＯ_２，相変化型合金，ＺｎＳ−ＳｉＯ _２，窒化シ
   リコン−窒化チタン混合体の各層を順に形成したことを
   特徴とする請求項１または２記載の光学的情報記録媒
   体。