JP2003171366A - 非対称アリールアミン化合物の製造方法、該製造方法により製造された非対称アリールアミン化合物、および、該非対称アリールアミン化合物を使用した有機電界発光素子。 - Google Patents

非対称アリールアミン化合物の製造方法、該製造方法により製造された非対称アリールアミン化合物、および、該非対称アリールアミン化合物を使用した有機電界発光素子。

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JP2003171366A JP2001375488A JP2001375488A JP2003171366A JP 2003171366 A JP2003171366 A JP 2003171366A JP 2001375488 A JP2001375488 A JP 2001375488A JP 2001375488 A JP2001375488 A JP 2001375488A JP 2003171366 A JP2003171366 A JP 2003171366A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機電界発光素子等に使用される非対称アリ
ールアミン化合物を煩雑な工程を含まず、高純度に製造
する方法を提供する。 【解決手段】 :一般式(1)で表されるハロゲン化
芳香族化合物に銅触媒の存在下、ジアリールアミンを反
応させ、ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物
を製造した後、 (X1)n−Z−(X2)m (1) 〔式中、X1およびX2はそれぞれ異なるハロゲン原子を
表し、nおよびmは1〜4の整数を表し、Zはn+m価
の芳香族基を表す〕 :工程で製造されたジアリールアミノ置換ハロゲン
化芳香族化合物に、パラジウム触媒およびリン系配位子
の存在下、工程で使用したジアリールアミンとは異な
るジアリールアミンを反応させる非対称アリールアミン
化合物の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】非対称アリールアミン化合物
の新規な製造方法、該製造方法によって製造された非対
称アリールアミン化合物、および該非対称アリールアミ
ン化合物を含有してなる有機電界発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、アリールアミン化合物は各種色素
の製造中間体、医農薬分野における製造中間体、あるい
は各種の機能材料として使用されてきた。機能材料とし
ては、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料に使用さ
れてきた。最近では、発光材料に有機材料を用いた有機
電界発光素子(有機エレクロルミネッセンス素子:有機
EL素子)の正孔注入輸送材料として有用であることが
提案されている〔例えば、Appl.Phys.lett.,51,913(198
7)〕。
【0003】有機電界発光素子は蛍光性有機化合物を含
む薄膜を、陽極と陰極管に挟持した構造を有し、該薄膜
に電子および正孔(ホール)を注入して、再結合させる
ことにより励起子(エキシントン)を生成させ、この励
起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素
子である。有機電界発光素子は、数V〜数十V程度の直
流の低電圧で発光が可能であり、また、蛍光性有機化合
物の種類を選択することにより種々の色(例えば、赤
色、青色、緑色)の発光が可能である。このような特徴
を有する有機電界発光素子は種々の発光素子、表示素子
等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、
有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの欠
点を有している。有機電界発光素子の蛍光性有機化合物
を含む薄膜への正孔の注入輸送を効率よく行う目的で、
正孔注入輸送材料として、4,4’−ビス〔N−フェニ
ル−N−(3”−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニル
を用いることが提案されている〔Jpn.J.Appl.Phys.,2
7,L269(1988)〕。
【0004】また、正孔注入輸送材料として、例えば、
9,9−ジアルキル−2,7−ビス(N,N−ジフェニ
ルアミノ)フルオレン誘導体〔例えば、9,9−ジメチ
ル−2,7−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)フルオ
レン〕を用いることも提案されている(特開平5−25
473号公報)。しかしながら、これらのアリールアミ
ン化合物を正孔注入輸送材料として使用した有機電界発
光素子も、安定性、耐久性に乏しいなどの難点があっ
た。
【0005】現在では、安定性、耐久性に優れた有機電
界発光素子が求められており、そのため、有機電界発光
素子として使用した際に優れた特性を示す新規なアリー
ルアミン化合物が望まれており、そのため、様々なアリ
ールアミン化合物の製造方法の開発が望まれている。
【0006】アリールアミン化合物の製造方法として
は、従来、アリールハライドとアミン化合物とから銅触
媒を用いて製造する方法が知られている〔大有機化学、
vol.16,52(1959),朝倉書店〕、有機化
学講座3,66(1983)丸善、等〕。
【0007】また、最近、Stephen L.Buchwaldらによ
りアリールハライドとアミン化合物からアリールアミン
化合物を製造する方法が報告された〔Angew.Chem.Int.E
d.Engl.,34,No.12,1348(1995)〕。この方法はアリール
ブロマイドを原料とし、塩基としてナトリウム-tert-ブ
トキシドを用い、ビス(ジベンジリデンアセトン)−ビ
ス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウムまたはジ
クロロ−ビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウ
ムを触媒としてアリールアミン化合物を製造する方法で
ある。また、J.Org.Chem.,65,1144(2000)には、BI
NAP〔2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−
1,1’−ビナフチル基〕を配位子として使用したパラ
ジウム触媒を使用した反応例が記載されている。しかし
ながら、従来、非対称アリールアミン化合物を製造する
方法としては、これらの反応を単独で使用し製造方法で
は、非対称アリールアミン化合物を効率良く且つ高純度
に製造することは不可能であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高純
度の非対称アリールアミン化合物を収率良く、また副生
物の生成を削減しつつ製造できる方法を提供することで
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、非対称ア
リールアミン化合物の製造方法に関して、鋭意検討した
結果本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、 1):一般式(1)で表されるハロゲン化芳香族化合
物に銅触媒の存在下、ジアリールアミンを反応させ、ジ
アリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物を製造した
後、
【0010】
【化2】
【0011】〔式中、X1およびX2はそれぞれ異なるハ
ロゲン原子を表し、nおよびmは1〜4の整数を表し、
Zはn+m価の芳香族基を表す〕
【0012】:工程で製造されたジアリールアミノ
置換ハロゲン化芳香族化合物に、パラジウム触媒および
リン系配位子の存在下、工程で使用したジアリールア
ミンとは異なるジアリールアミンを反応させる非対称ア
リールアミン化合物の製造方法、 2)一般式(1)において、X1およびX2が、ヨウ素原
子と塩素原子、または臭素原子と塩素原子の組み合わせ
である1)記載の非対称アリールアミン化合物の製造方
法、 3)一般式(1)において、nおよびmがそれぞれ1で
ある1)または2)記載の非対称アリールアミン化合物
の製造方法、 4)1)〜3)記載の製造方法で製造された非対称アリ
ールアミン化合物、 5)4)記載の非対称アリールアミン化合物を、1対の
電極間に少なくとも1種含有する層を少なくとも一層を
挟持してなる有機電界発光素子、 6)4)記載の非対称アリールアミン化合物を含有する
層が正孔注入輸送層または発光層である5)記載の有機
電界発光素子、 に関するものである。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に関し詳細に説明す
る。
【0014】本発明は、:一般式(1)で表されるハ
ロゲン化芳香族化合物に銅触媒の存在下、ジアリールア
ミンを反応させ、ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香
族化合物を製造した後、
【0015】
【化3】
【0016】〔式中、X1およびX2はそれぞれ異なるハ
ロゲン原子を表し、nおよびmは1〜4の整数を表し、
Zはn+m価の芳香族基を表す〕
【0017】:工程で製造されたジアリールアミノ
置換ハロゲン化芳香族化合物に、パラジウム触媒および
リン系配位子の存在下、工程で使用したジアリールア
ミンとは異なるジアリールアミンを反応させる非対称ア
リールアミン化合物の製造方法に関するものである。
【0018】一般式(1)で表されるハロゲン化芳香族
化合物において、X1とX2は異なるハロゲン原子を表
し、好ましくは、ヨウ素原子と塩素原子、臭素原子と塩
素原子を表す。また、nおよびmは1〜4の整数を表
し、好ましくは1〜3の整数を表し、より好ましくは1
を表す。Zはn+m価の芳香族基を表す。
【0019】一般式(1)において、Zはn+m価の芳
香族残基を表し、その構造は特に限定されるものではな
いが、例えば、1,2−フェニレン基、1,3−フェニ
レン基、1,4−フェニレン基、2,3’−ビフェニレ
ン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニ
レン基、2,4’−ビフェニレン基、4,4’−ビフェ
ニレン基、1,2−ナフチレン基、1,4−ナフチレン
基、1,5−ナフチレン基、1,6−ナフチレン基、
1,7−ナフチレン基、2,3−ナフチレン基、2,4
−ナフチレン基、2,5−ナフチレン基、2,6−ナフ
チレン基、2,7−ナフチレン基、1,9−アントラセ
ニレン基、1,10−アントラセニレン基、2,9−ア
ントラセニレン基、2,6−アントラセニレン基、4,
4”−ターフェニレン基、4,3”−ターフェニレン
基、4,2”−ターフェニレン基、9H−フルオレニレ
−2,7−ジイル基、9,9−ジメチル9H−フルオレ
ン−2,7−ジイル基、9,9−ジ−n−プロピル−9
H−フルオレン−2,7−ジイル基、9,9−ジ−n−
ブチル−9H−フルオレン−2,7−ジイル基、9,9
−ジシクロヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイ
ル基、9,9−ジフェニル−9H−フルオレン−2,7
−ジイル基等、2,5−ジ(4−フェニレン)−3,4
−ジフェニルチオフェン、ジベンゾチオフェン−3,6
−ジイル基等の2価の芳香族残基、1,3,5−トリ
(4−フェニレン)ベンゼン基、N,N,N−トリ(4
−フェニレン)アミノ基等の3価の芳香族残基、ビフェ
ニル−3,5,3’,5’−テトライル基、ビフェニル
−2,4,2’,4’−テトライル基、ビフェニル−
3,4,3’,4’−テトライル基等の4価の芳香族残
基を挙げることができる。
【0020】一般式(1)で表されるハロゲン化芳香族
化合物の具体例としては、特に限定されるものではない
が、例えば、2−ヨードクロロベンゼン、2−ブロモク
ロロベンゼン、3−ヨードクロロベンゼン、3−ブロモ
クロロベンゼン、4−ヨードクロロベンゼン、4−ブロ
モクロロベンゼン、2−ヨード−3’−クロロビフェニ
ル、2−ブロモ−3’−クロロビフェニル、3−ヨード
−3’−クロロビフェニル、4−ヨード−3’−クロロ
ビフェニル、4−ブロモ−3’−クロロビフェニル、2
−ヨード−4’−クロロビフェニル、2−ブロモ−4’
−クロロビフェニル、3−ヨード−4’−クロロビフェ
ニル、4−ヨード−4’−クロロビフェニル、4−ブロ
モ−4’−クロロビフェニル、1−ヨード−2−クロロ
ナフタレン、1−ヨード−4−クロロナフタレン、1−
ヨード−5−クロロナフタレン、1−ヨード−6−クロ
ロナフタレン、1−ヨード−7−クロロナフタレン、2
−ヨード−3−クロロナフタレン、2−ヨード−4−ク
ロロナフタレン、2−ヨード−5−クロロナフタレン、
2−ヨード−6−クロロナフタレン、2−ヨード−7−
クロロナフタレン、1−ブロモ−2−クロロナフタレ
ン、1−ブロモ−4−クロロナフタレン、1−ブロモ−
5−クロロナフタレン、1−ブロモ−6−クロロナフタ
レン、1−ブロモ−7−クロロナフタレン、2−ブロモ
−3−クロロナフタレン、2−ブロモ−4−クロロナフ
タレン、2−ブロモ−5−クロロナフタレン、2−ブロ
モ−6−クロロナフタレン、2−ブロモ−7−クロロナ
フタレン、1−ヨード−9−クロロアントラセン、1−
ヨード−10−クロロアントラセン、2−ヨード−9−
クロロアントラセン、2−ヨード−9−クロロアントラ
セン、2−ヨード−6−クロロアントラセン、1−ブロ
モ−9−クロロアントラセン、1−ブロモ−10−クロ
ロアントラセン、2−ブロモ−9−クロロアントラセ
ン、2−ブロモ−9−クロロアントラセン、2−ブロモ
−6−クロロアントラセン、1−ヨード−9−クロロフ
ェナントレン、1−ヨード−10−クロロフェナントレ
ン、2−ヨード−9−クロロフェナントレン、2−ヨー
ド−9−クロロフェナントレン、2−ヨード−6−クロ
ロフェナントレン、1−ブロモ−9−クロロフェナント
レン、1−ブロモ−10−クロロフェナントレン、2−
ブロモ−9−クロロフェナントレン、2−ブロモ−9−
クロロフェナントレン、2−ブロモ−6−クロロフェナ
ントレン、
【0021】4−〔4’−(4”−ヨードフェニル)フ
ェニル〕クロロベンゼン、4−〔4’−(3”−ヨード
フェニル)フェニル〕クロロベンゼン、4−〔4’−
(2”−ヨードフェニル)フェニル〕クロロベンゼン、
4−〔4’−(4”−ブロモフェニル)フェニル〕クロ
ロベンゼン、4−〔4’−(3”−ブロモフェニル)フ
ェニル〕クロロベンゼン、4−〔4’−(2”−ブロモ
フェニル)フェニル〕クロロベンゼン、2−ヨード−7
−クロロ−9H−フルオレン、2−ヨード−7−クロロ
−9,9−ジメチル−9H−フルオレン、2−ヨード−
7−クロロ−9,9−ジエチル−9H−フルオレン、2
−ヨード−7−クロロ−9,9−ジ−n−プロピル−9
H−フルオレン、2−ヨード−7−クロロ−9,9−ジ
−n−ブチル−9H−フルオレン、2−ヨード−7−ク
ロロ−9,9−ジベンジル−9H−フルオレン、2−ヨ
ード−7−クロロ−9,9−ジシクロヘキシル−9H−
フルオレン、2−ヨード−7−クロロ−9,9−ジフェ
ニル−9H−フルオレン、1−ヨード−7−クロロ−9
H−フルオレン、1−ヨード−7−クロロ−9,9−ジ
メチル−9H−フルオレン、1−ヨード−7−クロロ−
9,9−ジエチル−9H−フルオレン、1−ヨード−7
−クロロ−9,9−ジベンジル−9H−フルオレン、3
−ヨード−6−クロロ−9H−フルオレン、3−ヨード
−6−クロロ−9,9−ジメチル−9H−フルオレン、
3−ヨード−6−クロロ−9,9−ジエチル−9H−フ
ルオレン、3−ヨード−6−クロロ−9,9−ジベンジ
ル−9H−フルオレン、2−ブロモ−7−クロロ−9H
−フルオレン、2−ブロモ−7−クロロ−9,9−ジメ
チル−9H−フルオレン、2−ブロモ−7−クロロ−
9,9−ジエチル−9H−フルオレン、2−ブロモ−7
−クロロ−9,9−ジ−n−プロピル−9H−フルオレ
ン、2−ブロモ−7−クロロ−9,9−ジ−n−ブチル
−9H−フルオレン、2−ブロモ−7−クロロ−9,9
−ジベンジル−9H−フルオレン、2−ブロモ−7−ク
ロロ−9,9−ジシクロヘキシル−9H−フルオレン、
2−ブロモ−7−クロロ−9,9−ジフェニル−9H−
フルオレン、
【0022】1−ブロモ−7−クロロ−9H−フルオレ
ン、1−ブロモ−7−クロロ−9,9−ジメチル−9H
−フルオレン、1−ブロモ−7−クロロ−9,9−ジエ
チル−9H−フルオレン、1−ブロモ−7−クロロ−
9,9−ジベンジル−9H−フルオレン、3−ブロモ−
6−クロロ−9H−フルオレン、3−ブロモ−6−クロ
ロ−9,9−ジメチル−9H−フルオレン、3−ブロモ
−6−クロロ−9,9−ジエチル−9H−フルオレン、
3−ブロモ−6−クロロ−9,9−ジベンジル−9H−
フルオレン、2,5−ジメチル−4−ヨードクロロベン
ゼン、2,5−ジ-tert-ブチル−4−ヨードクロロベン
ゼン、2,5−ジフェニル−4−ヨードクロロベンゼ
ン、2,5−ジ(1’−ナフチル)−4−ヨードクロロ
ベンゼン、2,6−ジフェニル−4−ブロモクロロベン
ゼン、2,6−ジフェニル−5−ブロモクロロベンゼ
ン、2,6−ジフェニル−5−ヨードクロロベンゼン、
2,6−ジ-tert-ブチル−4−ヨードクロロベンゼン、
1,3−ジ(4’−ヨードフェニル)−5−(4”−ク
ロロフェニル)ベンゼン、1−(4’−ヨードフェニ
ル)−3,5−ジ(4”−クロロフェニル)ベンゼン、
1,3−ジ(4’−ブロモフェニル)−5−(4”−ク
ロロフェニル)ベンゼン、1−(4’−ブロモフェニ
ル)−3,5−ジ(4”−クロロフェニル)ベンゼン、
3,5−ジヨード−3’,5’−ジクロロビフェニル、
3,5−ジブロモ−3’,5’−ジクロロビフェニル、
2,4−ジヨード−2’,4’−ジクロロビフェニル、
2,4−ジブロモ−2’,4’−ジクロロビフェニル、
N,N−ジ(4−ヨードフェニル)−N−(4’−クロ
ロフェニル)アミン、N,N−ジ(4−ブロモフェニ
ル)−N−(4’−クロロフェニル)アミン、N−(4
−ヨードフェニル)−N,N−ジ(4’−クロロフェニ
ル)アミン、N−(4−ブロモフェニル)−N,N−ジ
(4’−クロロフェニル)アミン、2−(4’−ヨード
フェニル)−5−(4”−クロロフェニル)−3,4−
ジフェニルチオフェン、2−(4’−ブロモフェニル)
−5−(4”−クロロフェニル)−3,4−ジフェニル
チオフェン、3−ヨード−6−クロロジベンゾチオフェ
ン、3−ブロモ−6−クロロジベンゾチオフェン等を挙
げることができる。
【0023】本発明の工程1で使用するジアリールアミ
ンとは、芳香族環(例えば、置換基を有していてもよい
フェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、置
換基を有していてもよいフェナントリル基、置換基を有
していてもよいアントラセニル基、置換基を有していて
もよいフルオレニル基、置換基を有していてもよいピリ
ジル基等)で任意に2置換されたアミンを表す。また、
2つの芳香族環は互いに結合して窒素原子とともに置換
または未置換の炭素環式芳香族環、置換または未置換の
炭素環式脂肪族環、置換または未置換の複素環式芳香族
環、あるいは、置換または未置換の複素環式脂肪族環を
形成してもよい。
【0024】ジアリールアミンの具体例としては、特に
限定されるものではないが、例えば、N,N−ジフェニ
ルアミン、N−フェニル−N−(1−ナフチル)アミ
ン、N−フェニル−N−(2−ナフチル)アミン、N,
N−ジ(1−ナフチル)アミン、N,N−ジ(2−ナフ
チル)アミン、N−フェニル−N−(9−アントラセニ
ル)アミン、N−フェニル−N−(2−アントラセニ
ル)アミン、N−フェニル−N−(4−フェニルフェニ
ル)アミン、N−フェニル−N−(4−シクロヘキシル
フェニル)アミン、N−フェニル−N−(2−ピリジ
ル)アミン、N−フェニル−N−(3−ピラニル)アミ
ン、N,N−ジ(4−メチルフェニル)アミン、N−フ
ェニル−N−(4−メチルフェニル)アミン、N−フェ
ニル−N−(3−メチルフェニル)アミン、N,N−ジ
(3−メチルフェニル)アミン、N,N−ジ3,4−ジ
メチルフェニル)アミン、N−フェニル−N−(3,4
−ジメチルフェニル)アミン、N−フェニル−N−(9
−フェナンスリル)アミン、N−(1−ナフチル)−N
−(9−フェナンスリル)アミン、N−フェニル−N−
(1−ピレニル)アミン、N−(1−ナフチル)−N−
(1−ピレニル)アミン、カルバゾール、10,11−
ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン、ジベンゾ[b,f]アゼ
ピン、フェノチアジン、フェノキサジン、2−トリフル
オロメチルフェノチアジン等を挙げることができる。
【0025】本発明の製造方法の工程において、ジア
リールアミン化合物は通常、一般式(1)で表されるハ
ロゲン化芳香族化合物に対して、0.5〜2等量、好ま
しくは、0.8〜1.5等量使用する。
【0026】本発明の製造方法の工程において、使用
する塩基とは、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等のアルカリ金属炭酸塩、トリエチルアミン、
トリイソプロピルアミン等のトリアルキルアミン、ナト
リウム−tert−ブトキシド、カリウム−tert−ブトキシ
ド等の金属アルコキシド等を挙げることができる。工程
において使用する塩基の使用量としては、特に限定さ
れるものではないが、通常、一般式(1)で表されるハ
ロゲン化芳香族化合物に対して0.5〜4等量、好まし
くは、1〜3等量使用する。また、本発明の工程にお
いては、所望により有機溶媒を使用することも可能であ
る。
【0027】有機溶媒としては、キシレン、o−ジクロ
ロベンゼン、キノリン、α−クロロナフタレン、β−ク
ロロナフタレン、α−メチルナフタレン、ニトロベンゼ
ン等の芳香族溶媒、N−メチルホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルピロリドン、N−メチル−2−ピペリド
ン、N,N−ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系溶
媒、スルホラン、ジメチルスルホキシド等を使用するこ
とが可能であり、これらは単独で使用してもよく、ま
た、複数併用してもよい。
【0028】有機溶媒の使用量は特に制限はないが、通
常、ハロゲン化芳香族化合物の使用量に対して、0.1
M〜10Mの濃度となる量であり、好ましくは、0.2
M〜5Mの濃度となる量であり、より好ましくは、0.
3M〜2Mの濃度となる量である。
【0029】また、工程で使用する銅触媒としては、
例えば、金属銅〔Cu(0)〕、銅/青銅粉末等の金属
銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅化合
物、酢酸銅、酸化銅、硫酸銅等を挙げることができる。
工程で使用する銅触媒の使用量としては、特に限定さ
れるものではないが、一般式(1)で表されるハロゲン
化芳香族化合物に対して0.0001〜3等量、好まし
くは0.001〜2等量使用する。
【0030】本発明の工程は、通常、100℃以上の
温度、好ましくは、150〜300℃、より好ましく
は、180〜250℃程度の反応温度で実施する。ま
た、工程は通常、常圧で実施するが、所望により、減
圧状態または加圧状態で実施してもよい。
【0031】また、本発明の工程においては、所望に
より、芳香族炭化水素系の有機溶媒等を使用して、共沸
脱水による脱水工程を行うこともできる。例えば反応混
合物を水の沸点程度の温度に保ち、その後、トルエン等
を添加しながら、トルエン/水−共沸混合物を反応混合
物から除去することにより脱水工程を実施することがで
きる。
【0032】反応の進行は、クロマトグラフィーのよう
な通常の方法で追跡することができる。反応終了後、溶
媒を留去し、生成物はクロマトグラフィー法、再結晶法
等の通常の方法で単離生成する、生成物の構造は、元素
分析、MS(FD−MS)分析、IR分析、1H−NM
R、13C−NMR等により同定することができる。
【0033】本発明の工程では、これらの原料および
触媒塩基を使用して、ジアリールアミノ置換ハロゲン化
芳香族化合物を製造する。本発明の工程で製造された
ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物は、実質
的に残部のハロゲン原子にジアリールアミノ基が置換さ
れた芳香族化合物を含まない(例えば、X1がヨウ素原
子であり、X2が塩素原子である場合、塩素原子がジア
リールアミノ基により置換された化合物は実質的に含ま
れない)。
【0034】また、本発明の工程で得られるジアリー
ルアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物は、必要に応じ、
活性炭処理、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の通
常の精製方法により精製することも可能である。
【0035】次に、工程において、得られたジアリー
ルアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物に工程で使用し
たジアリールアミンとは異なるジアリールアミンを反応
させる。工程において使用するジアリールアミンの具
体例としては、工程で使用するジアリールアミンの具
体例として挙げたジアリールアミンを挙げることがで
き、これらのうちで工程と工程で異なるジアリール
アミンを使用する。
【0036】本発明の製造方法の工程においては、塩
基、パラジウム触媒およびリン系配位子の存在下にジア
リールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物とジアリール
アミンとの反応を行う。
【0037】工程において使用する塩基としては、例
えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の無機塩基、ナトリウム-tert-ブ
トキシド、カリウム-tert-ブトキシド、ナトリウムメト
キシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムエトキシド等の金属アルコキシド等を挙げるこ
とができる。
【0038】塩基の使用量は特に制限されるものではな
いが、通常、ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化
合物に対して、0.5〜3等量であり、好ましくは、
0.8〜2等量使用する。
【0039】工程で使用するパラジウム触媒として
は、特に限定されるものではないが、例えば、塩化パラ
ジウム(PdCl2)、臭化パラジム(PdBr2)、ヨ
ウ化パラジウム(PdI2)、酢酸パラジム(Pd(O
COCH32)、Pd(CH2COCH2COCH32
2PdCl4、K2PdCl6、K2Pd(NO34、ト
リス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム、ジクロ
ロビス(エチレン)パラジウム(PdCl2(C
242)、Pd(π−C552等の有機配位子錯体、
PdCl2(NH32、PdCl2[N(C2532
Pd(NO32(NH36などのN−配位錯体、Pd
[P(CH334、Pd[P(C2534、Pd
[P(n−C373 4、Pd[P(iso-C
3734、Pd[P(n−C4934、Pd[P
(tert-C4934、Pd[P(Cyc-C61134
Pd[P(C6534、Pd[P(o-CH3−C
6434、PdCO2[P(C6534、Pd(C2
4)[P(C6532、PdCl2[P(C
6532、PdCl2[P(n−C 4932、Pd
Cl2[P(tert-C4932、PdBr2[P(C6
53 2、PdBr2[P(n−C4932、PdBr
2[P(tert−C4932、PdCl2[P(OC
332、PdBr2[P(OCH332、PdI
2[P(OCH332、PdCl(C65)[P(C6
532のごとき、三価のホスフィン化合物を配位子
とする錯体などを挙げることができる。
【0040】リン系配位子としては、特に限定されるも
のではないが、例えば、トリメチルホスフィン〔P(C
33〕、トリエチルホスフィン〔P(C253〕、
トリ-n-プロピルホスフィン〔P(n−C373〕、ト
リ-iso-プロピルホスフィン〔P(iso-C373〕、ト
リ-n-ブチルホスフィン〔P(n−C493〕、トリ-i
so-ブチルホスフィン〔P(iso-C493〕、トリ-ter
t-ブチルホスフィン〔P(tert-C493〕、トリシク
ロヘキシルホスフィン〔P(Cyc−C6113〕、トリ-
n-オクチルホスフィン〔P(n−C8173〕等のトリ
アルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン〔P(C
653〕、トリ-o-トリルホスフィン〔P(o-CH3
643〕、トリ-m-トリルホスフィン〔P(m-CH3
−C643〕、トリ-p-トリルホスフィン〔P(p-CH
3−C643〕、トリス(2,4,6-トリメチルフェニル)
ホスフィン〔P[2,4,6−(CH33
623〕、トリス(p-クロロフェニル)ホスフィン
〔P(p−Cl−C643〕、トリス(2,6-ジメトキシ
フェニル)ホスフィン〔P[2,6−(CH3O)26
33〕、トリス(p-フルオロフェニル)ホスフィン
(P(p−F−C643〕、トリス(p−メトキシフ
ェニル)ホスフィン〔P(p−CH3O−C643〕、
トリス(m−メトキシフェニル)ホスフィン〔P(m−C
3O−C643〕、トリス(ペンタフルオロフェニ
ル)ホスフィン〔P(C653〕、トリス(2,4,6-ト
リメトキシフェニル)ホスフィン〔P[2,4,6−
(CH3O)3623〕等のトリアリールホスフィ
ン、P(1−ピロリジニル)3、P[(CH33
i]3、ジメチルフェニルホスフィン〔P(C65
(CH32〕、ジ-tert-ブチルフェニルホスフィン〔P
(C65)(Tert-C492〕、ジ−tert-ブチル-o-ビ
フェニルホスフィン〔P(2−C6564)(tert−
492〕、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン
〔P(C65)(Cyc-C6112〕、ジシクロヘキシル
-o-ビフェニルホスフィン〔P(2−C6564
(Cyc−C6112〕、ジフェニルエチルホスフィン
〔P(C652(C25)〕、ジフェニル-tert-ブチ
ルホスフィン〔P(C652(tert-C49)〕、ジフ
ェニル-n-オクチルホスフィン〔P(C652(n-C8
17)〕、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン〔P
(C652(Cyc-C611)〕等の単座配位リン化合
物、
【0041】さらには、ビス(ジメチルホスフィノ)メ
タン〔(CH32PCH2P(CH3 2〕、1,2−ビ
ス(ジエチルホスフィノ)エタン〔(C252P(C
22P(C252〕、1,2−ビス((ジフェニル
ホスフィノ)エタン〔(C652P(CH22P(C6
52〕、1,2−ビス(ジ-n-ブチルホスフィノ)エ
タン〔(n−C492P(CH22P(n−C
492〕、1,2−ビス(ジ-tert-ブチルホスフィ
ノ)エタン〔(tert−C492P(CH22
(tert−C492〕、1,3−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)プロパン〔(C652P(CH23
(C652〕、1,3−ビス(ジ-n-ブチルホスフィ
ノ)プロパン〔(n−C492P(CH33P(n−
492〕、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ブタン〔(C652P(CH24P(C652〕、
1,4−ビス(ジエチルホスフィノ)ブタン〔(C
252P(CH24P(C252〕、1,5−ビス
(ジフェニルホスフィノ)ペンタン〔(C652
(CH25P(C652〕、1,5−ビス(ジ−n−
ブチルホスフィノ)ペンタン〔(n−C492P(C
25P(n−C492〕、1,5−ビス(ジエチル
ホスフィノ)ペンタン〔(C252P(CH25
(C252〕、トリス(ジフェニルホスフィノエチ
ル)ホスフィン〔P[(C652P−CH2
23〕、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)アセ
チレン〔(C652PC≡CP(C6 52〕、1,2
−ビス(ジフェニルホスフィノエテン〔(C652
CH=CHP(C652〕、1,3−ビス(ジシクロ
ヘキシルホスフィノ)プロパン〔(Cyc−C611)2
(CH33P(Cyc−C6112〕、1,2−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)ベンゼン〔(C652P(o−C
64)P(C652〕、2,2’−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)−1,1’−ビナフチル〔BINAP〕、
2,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン〔(C6
52PCH(CH3)(CH3)CHP(C
652〕、ビス〔(2−ジフェニルホスフィノ)フェ
ニル〕エーテル〔(C652P(o-C64)−O−(o
-C64)P(C652〕などを挙げることができる。
【0042】好ましくは、トリ-tert-ブチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジ-tert-ブチルフ
ェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィ
ン、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン、ジシク
ロヘキシル-o-ビフェニルホスフィン等の立体的に嵩高
い置換基を有するリン系配位子を挙げることができる。
【0043】本発明の製造方法の工程において、パラ
ジウム触媒とリン系配位子の組み合わせの使用量は、パ
ラジウム触媒のパラジウム原子に対してモル比で1:1
〜100、好ましくは1:1〜20、より好ましくは、
1:1〜10の量を使用する。また、パラジウム触媒の
使用量はジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物
に対してモル比で1:0.1〜0.000001、好ま
しくは1:0.05〜0.00002、より好ましくは
1:0.02〜0.000005の量で使用する。
【0044】パラジウム触媒中にリン系配位子が含まれ
ている場合には、さらに、追加のリン系配位子を使用し
なくともよいが、好ましくは、前述の立体的に嵩高いリ
ン系配位子を使用する。また、本発明の工程におい
て、リン系配位子は一種のみを使用してもよく、また、
複数併用してもよい。さらには、パラジウム触媒は一種
のみを使用してもよく複数併用してもよい。
【0045】好ましい、パラジウム触媒と、リン系配位
子の組み合わせとしては、例えば、酢酸パラジウム/ト
リ-tert-ブチルホスフィン、酢酸パラジウム/ジ-tert-
ブチルフェニルホスフィン、酢酸パラジウム/ジ-tert-
ブチル-o-ビフェニルホスフィン、酢酸パラジウム/
1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−2,2’−
ビナフチル、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム/ジ-tert-ブチ
ルフェニルホスフィン、トリス(ジベンジリデンアセト
ン)ジパラジウム/トリ-tert-ブチルホスフィン、トリ
ス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム/ジ-tert-
ブチルフェニルホスフィン、トリス(ジベンジリデンア
セトン)ジパラジウム/トリシクロヘキシルホスフィ
ン、トリス(ジベンジルデンアセトン)ジパラジウム/
ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン、トリス(ジ
ベンジリデンアセトン)ジパラジウム/1,1’−ビス
(ジフェニルホスフィノ)−2,2’−ビナフチルを挙
げることができる。
【0046】また、本発明の製造方法の工程において
は、所望により有機溶媒を使用することができる。所望
により使用する有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、
トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合
キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒、1,4
−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジイソブチルエーテル等のエーテル
系溶媒、N,N−ジメチルホスルムアミド、N,N−ジ
エチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等
のアミド系溶媒等を上げることができ、これらは単独で
使用してもよく、また、複数併用してもよい。
【0047】好ましくは、芳香族炭化水素系溶媒または
エーテル系溶媒であり、より好ましくは、芳香族炭化水
素系溶媒を挙げることができる。
【0048】工程において、所望により使用する有機
溶媒の使用量は、特に限定されるものではないが、好ま
しくは、ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物
に対して濃度が0.1M〜5Mとなる量であり、より好
ましくは、濃度が0.25M〜2Mとなる量である。
【0049】工程の反応条件は、通常、不活性ガス
(例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム)気流下で実施す
る。また、反応温度は室温又はそれ以下の温度から所望
により使用する有機溶媒の沸点以下の温度が好ましく、
室温から150℃以下がより好ましい。また、反応は、
常圧で実施してもよく、また、必要に応じ、減圧または
加圧条件下で実施することも可能である。好ましくは、
常圧で実施する。
【0050】工程で得られた非対称アリールアミン化
合物は、通常、水洗等の処理をした後、有機溶媒等を除
去(必要に応じ、常圧または減圧下で)し、その後、再
結晶、カラムクロマトグラフィー等の通常の精製方法に
より精製することができる。また、その後、減圧下に、
溶媒、低揮発成分等を除き、高真空下で昇華精製するこ
とも好ましい。
【0051】本発明の製造方法により製造される非対称
アリールアミン化合物としては、特に限定されるもので
はないが、例えば、以下に示す化合物を挙げることがで
きる。 1.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(3”−メチル
フェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル 2.N,N,N’−トリフェニル−N’−(1”−ナフチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル 3.N,N−ジ(3”−メチルフェニル)−N’−
(1”’−ナフチル)−N’−フェニル−4,4’−ジ
アミノビフェニル 4.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(1”−ナフチ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル 5.N,N,N’−トリフェニル−N’−(1”−ピレニ
ル)−4,4’−ジアミノビフェニル 6.N,N,N’−トリフェニル−N’−(9”−フェナ
ントレニル)−4,4’−ジアミノビフェニル 7.N,N−ジフェニル−N’−(1”−ナフチル)−
N’−(1”’−ピレニル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル 8.N,N−ジ(1”−ナフチル)−N’−フェニル−
N’−(1”’−ピレニル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル 9.N,N−ジ(1”−ナフチル)−N’−フェニル−
N’−(9”−フェナントレニル)−4,4’−ジアミ
ノビフェニル 10.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(4”−フェ
ニルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル
【0052】11.N,N,N’−トリフェニル−N’−
(4”−フェニルフェニル)−4,4’−ジアミノビフ
ェニル 12.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(3”−フェ
ニルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル 13.N,N,N’−トリフェニル−N’−(3”−フェ
ニルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル 14.N,N−ジ(4”−メチルフェニル)−N’−フェ
ニル−N’−(1”’−ナフチル)−4,4’−ジアミ
ノビフェニル 15.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(3”,4”
−ジメチルフェニル)−4,4’−ジアミノビフェニル 16.N−フェニル−N−(3”−メチルフェニル)−
N’,N’−ジ(2”’−ナフチル)−4,4’−ジア
ミノビフェニル 17.N,N−ジフェニル−N’−カルバゾリル−4,
4’−ジアミノビフェニル 18.N−フェニル−N−(1”−ナフチル)−N’−カ
ルバゾリル−4,4’−ジアミノビフェニル 19.N,N−ジフェニル−N’−ジベンゾ[b,f]アゼピニ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル 20.N,N−ジフェニル−N’−フェノチアジニル−
4,4’−ジアミノビフェニル
【0053】21.N,N,N’−トリフェニル−N’−
(1”−ナフチル)−2,7−ジアミノ−9,9−ジメ
チル−9H−フルオレン 22.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ(1”−ナフ
チル)−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−9H−
フルオレン 23.N−フェニル−N−(1”−ナフチル)−N’−フ
ェノチアジニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル
−9H−フルオレン 24.N−フェニル−N−(2”−ナフチル)−N’−フ
ェノキサジニル−2,7−ジアミノ−9,9−ジベンジ
ル−9H−フルオレン 25.N,N−ジ(1”−ナフチル)−N’−(1
0”’、11”’−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピ
ニル)−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−9H−
フルオレン 26.N−フェニル−N−(1”−ナフチル)−N’−カ
ルバゾリル−2,7−ジアミノ−9H−フルオレン 27.N,N−ジフェニル−N’−ジベンゾ[b,f]アゼピニ
ル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−9H−フル
オレン 28.N,N−ジ(3”−メチルフェニル)−N’,N’
−ジ(1”−ナフチル)−2,7−ジアミノ−9H−フ
ルオレン 29.N−カルバゾリル−N’−フェノチアジニル−2,
7−ジアミノ−9,9−ジベンジル−9H−フルオレン 30.N−(10”,11”−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]
アゼピニル)−N’−フェノチアジニル−2,7−ジア
ミノ−9H−フルオレン
【0054】31.N−ジベンゾ[b,f]アゼピニル−N’−
カルバゾリル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−
9H−フルオレン 32.N,N−ジ(4’−メチルフェニル)−N’−カル
バゾリル−2,7−ジアミノ−9,9−ジベンジル−9
H−フルオレン 33.N,N−ジ(4’−メチルフェニル)−N’−カル
バゾリル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−9H
−フルオレン 34.N,N−ジフェニル−N’−フェノキサジニル−
2,7−ジミアノ−9,9−ジメチル−9H−フルオレ
ン 35.N,N−ジフェニル−N’−カルバゾリル−2,7
−ジアミノ−9,9−ジメチル−9H−フルオレン 36.N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−カ
ルバゾリル−2,7−ジアミノ−9,9−ジメチル−9
H−フルオレン 37.2−(N,N−ジフェニル−4’−アミノフェニ
ル)−5−(N’−ジベンゾ[b,f]アゼピニル−4”−
アミノフェニル)−3,4−ジフェニルチオフェン 38.2−〔N−フェニル−N−(1”−ナフチル)−
4’−アミノフェニル〕−5−(N’−カルバゾリル−
4”’−アミノフェニル)−3,4−ジフェニルチオフ
ェン 39.2−〔N−フェニル−N−(1”−ナフチル)−
4’−アミノフェニル〕−5−(N’−フェノキサジニ
ル−4”−アミノフェニル)−3,4−ジフェニルチオ
フェン 40.2−(N,N−ジフェニル−4’−アミノフェニ
ル)−5−〔N’,N’−ジ(1”−ナフチル)−
4”’−アミノフェニル〕−3,4−ジフェニルチオフ
ェン
【0055】41.N,N−ジフェニル−N’,N’−ジ
(1’−ナフチル)−3,6−ジアミノジベンゾチオフ
ェン 42.N,N−ジフェニル−N’−カルバゾリル−3,6
−ジアミノジベンゾチオフェン 43.N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−
(9”−アントラセニル)−N’−(4”’−メチルフ
ェニル)−3,6−ジアミノジベンゾチオフェン 44.N−フェニル−N−(2’−ナフチル)−N’−フ
ェノチアジニル−3,6−ジアミノジベンゾチオフェン 45.N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−ジ
ベンゾ[b,f]アゼピニル−3,6−ジアミノジベンゾチ
オフェン 46.N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−
(10”,11”−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピニ
ル)−3,6−ジアミノジベンゾチオフェン 47.N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−カ
ルバゾリル−3,6−ジアミノジベンゾチオフェン
【0056】次に、本発明の製造方法により製造された
非対称アリールアミン化合物を使用した有機電界発光素
子に関して詳細に説明する。
【0057】本発明の有機電界素子は、本発明の製造方
法で製造された非対称アリールアミン化合物を1対の電
極間に少なくとも1種含有する層を少なくとも一層挟持
してなる有機電界発光素子である。
【0058】有機電界発光素子は、通常一対の電極間に
少なくとも1種の発光成分を含有する発光層を少なくと
も一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合
物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送
の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入成分
を含有する正孔注入輸送層および/または電子注入輸送
成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。
【0059】例えば、発光層に使用する化合物の正孔注
入機能、正孔輸送機能および/または電子注入機能、電
子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層
および/または電子注入輸送層を兼ねた型の素子構成と
して一層型の素子構成とすることができる。また、発光
層が正孔注入機能および/または正孔輸送機能に乏しい
場合には発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた二層
型の素子構成、発光層が電子注入機能および/または電
子輸送機能に乏しい場合には発光層の陰極側に電子注入
輸送層を設けた二層型の素子構成とすることができる。
さらには発光層を正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟
み込んだ構成の三層型の素子構成とすることも可能であ
る。
【0060】また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層お
よび発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層
構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸
送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と
輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもでき
る。
【0061】本発明の有機電界発光素子において、本発
明の製造方法により製造された非対称アリールアミン化
合物は、正孔注入輸送層および/または発光層の構成成
分として使用することが好ましく、正孔注入輸送層の構
成成分として使用することがより好ましい。本発明の有
機電界発光素子において、本発明の製造方法により製造
された非対称アリールアミン化合物は、単独で使用して
もよく、また複数併用してもよい。
【0062】本発明の有機電界発光素子の構成として
は、特に限定されるものではないが、例えば、(A)陽
極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極型
素子(図1)、(B)陽極/正孔注入輸送層/発光層/
陰極型素子(図2)、(C)陽極/発光層/電子注入輸
送層/陰極型素子(図3)、(D)陽極/発光層/陰極
型素子(図4)、などを挙げることができる。さらに
は、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ形の(E)陽
極/正孔注入輸送層/電子注入輸送層/発光層/電子注
入輸送層/陰極型素子(図5)とすることもできる。ま
た、(D)の型の素子構成としては、発光層として発光
成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子、
(F)発光層として正孔注入輸送成分、発光成分および
電子注入成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟
持させた型の素子(図6)、(G)発光層として正孔注
入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対
の電極間に挟持させた型の素子(図7)、(H)発光層
として発光成分および電子注入成分を混合させた一層形
態で一対の電極間に挟持させた型の素子(図8)のいず
れであってもよい。
【0063】本発明の有機電界発光素子は、これらの素
子構成に限定されるものではなく、それぞれの型の素子
において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を
複数設けることも可能である。また、それぞれの型の素
子において、正孔注入輸送層を発光層との間に、正孔注
入輸送成分と発光成分の混合層および/または発光層と
電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分
の混合層を設けることもできる。
【0064】好ましい有機電界発光素子の構成は、
(A)型素子、(B)型素子、(E)型素子、(F)型
素子または(G)型素子であり、より好ましくは、
(A)型素子、(B)型素子または(G)型素子であ
る。
【0065】以下、本発明の有機電界発光素子の構成要
素に関し、詳細に説明する。なお、例として(図1)に
示す(A)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸
送層/陰極型素子を取り上げて説明する。
【0066】(図1)において、1は基板、2は陽極、
3は正孔注入輸送層、4は発光層、5は電子注入輸送
層、6は陰極、7は電源を示す。
【0067】本発明の有機電界発光素子は基板1に支持
されていることが好ましく、基板としては、特に限定さ
れるものではないが、透明ないし半透明である基板が好
ましく、材質としては、ソーダライムガラス、ボロシリ
ケートガラス等のガラスおよびポリエステル、ポリカー
ボネート、、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポ
リアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロ
ピレン、ポリエチレン等の透明性高分子が挙げられる。
また、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミッ
クスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなる
基板を使用することもできる。さらに、基板に、例え
ば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組
み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【0068】陽極2としては、仕事関数の比較的大きい
金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用す
ることが好ましい。陽極に使用する電極材料としては、
例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラ
ジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム
(In2O3)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛、IT
O(インジウム・チン・オキサイド:Indium T
in Oxide)、ポリチオフェン、ポリピロールな
どを挙げることができる。これらの電極材料は単独で使
用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【0069】陽極は、これらの電極材料を、例えば、蒸
着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形
成することができる。また、陽極は一層構造であっても
よく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート
電気抵抗は、好ましくは、数百Ω/□以下、より好まし
くは、5〜50Ω/□程度に設定する。陽極の厚みは使
用する電極材料の材質にもよるが、一般に、5〜100
0nm程度、より好ましくは、10〜500nm程度に
設定する。
【0070】正孔注入輸送層3は、陽極からの正孔(ホ
ール)の注入を容易にする機能、および注入された正孔
を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正
孔注入輸送層は、一般式(1)で表される化合物、一般
式(2)で表される化合物および/または他の正孔注入
輸送機能を有する化合物(例えば、フタロシアニン誘導
体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘
導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチル
ベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポ
リフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェ
ンおよびその誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾールな
ど)を少なくとも1種使用して形成することができる。
正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用しても
よく、または複数併用してもよい。
【0071】本発明の有機電界発光素子は、好ましく
は、正孔注入輸送層に本発明の製造方法により製造され
た非対称アリールアミン化合物を含有する。本発明の有
機電界発光素子において使用することができる本発明の
本発明の製造方法により製造された非対称アリールアミ
ン化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物として
は、トリアリールアミン誘導体(例えば、4,4’−ビ
ス〔N−フェニル−N−(4”−メチルフェニル)アミ
ノ〕ビフェニル、4,4’−ビス〔N−フェニル−N−
(3”−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニル、4,
4’−ビス〔N−フェニル−N−(3”−メトキシフェ
ニル)アミノ〕ビフェニル、4,4’−ビス〔N−フェ
ニル−N−(1”−ナフチル)アミノ〕ビフェニル、
3,3’−ジメチル−4,4’−ビス〔N−フェニル−
N−(3”−メチルフェニル)アミノ〕ビフェニル、
1,1−ビス〔4’−[N,N−ジ(4”−メチルフェ
ニル)アミノ]フェニル〕シクロヘキサン、9,10−
ビス〔N−(4’−メチルフェニル)−N−(4”−n
−ブチルフェニル)アミノ〕フェナントレン、3,8−
ビス(N,N−ジフェニルアミノ)−6−フェニルフェ
ナントリジン、4−メチル−N,N−ビス〔4”、
4”’−ビス[N’,N’−ジ(4−メチルフェニル)
アミノ]ビフェニル−4−イル〕アニリン、N,N’−
ビス〔4−(ジフェニルアミノ)フェニル〕−N,N’
−ジフェニル−1,3−ジアミノベンゼン、N,N’−
ビス〔4−(ジフェニルアミノ)フェニル〕−N,N’
−ジフェニル−1,4−ジアミノベンゼン、5,5”−
ビス〔4−(ビス[4−メチルフェニル]アミノ〕フェ
ニル−2,2’:5’,2”−ターチオフェン、1,
3,5−トリス(ジフェニルアミノ)ベンゼン、4,
4’,4”−トリス(N−カルバゾリイル)トリフェニ
ルアミン、4,4’,4”−トリス〔N,N−ビス
(4”’−tert−ブチルビフェニル−4””−イル)ア
ミノ〕トリフェニルアミン、1,3,5−トリス〔N−
(4’−ジフェニルアミノ〕ベンゼンなど、ポリチオフ
ェンおよびその誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール
およびその誘導体がより好ましい。
【0072】本発明の製造方法により製造された非対称
アリールアミン化合物と他の正孔注入機能を有する化合
物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める本発明の
製造方法により製造された非対称アリールアミン化合物
の含有量は、好ましくは、0.1重量%以上、より好ま
しくは、0.5〜99.9重量%、さらに好ましくは3
〜97重量%である。
【0073】発光層4は、正孔および電子の注入機能、
それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を
生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発
光層は、本発明の製造方法により製造された非対称アリ
ールアミン化合物をホスト材料として、本発明の非対称
アリールアミン以外の発光機能を有する化合物を少なく
とも1種ゲスト材料として使用して形成することができ
る。
【0074】本発明の非対称アリールアミン化合物以外
の発光機能を有する化合物(ゲスト材料)としては、例
えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケト
ピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ル
ブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレ
ン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェ
ニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタ
ジエン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10
−ビス(フェニルエチニル)アントラセン、1,4−ビ
ス(9’−エチニルアントセニル)ベンゼン、4,4’
−ビス(9”−エチニルアントラセニル)ビフェニル、
ジベンゾ[f,f]ジインデノ[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]
ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体(例え
ば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化
合物を挙げることができる)、有機金属錯体〔例えば、
トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(1
0−ベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム、2−
(2’−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの亜鉛
塩、4−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、3−ヒドロキ
シフラボンの亜鉛塩、5−ヒドロキシフラボンのベリリ
ウム塩、5−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、
スチルベン誘導体〔例えば、1,1,4,4−テトラフ
ェニル−1,3−ブタジエン、4,4’−ビス(2,2
−ジフェニルビニル)ビフェニル、4,4’−ビス
[(1,1,2−トリフェニル)エテニル]ビフェニ
ル〕、クマリン誘導体(例えば、クマリン1、クマリン
6、クマリン7、クマリン30、クマリン106、クマ
リン138、クマリン151、クマリン152、クマリ
ン153、クマリン307、クマリン311、クマリン
314、クマリン334、クマリン338、クマリン3
43、クマリン500)、ピラン誘導体(例えば、DC
M1、DCM2)、オキサゾン誘導体(例えば、ナイル
レッド)、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾー
ル誘導体、ベンゾイミダゾール夕動体、ピラジン誘導
体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−N−ビニルカルバ
ゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘
導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレ
ンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびそ
の誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導
体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポ
リナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレ
ンビニレンおよびその誘導体等を挙げることができる。
本発明の非対称アリールアミン化合物以外の発光機能を
有する化合物(ゲスト材料)としては、アクリドン誘導
体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物、トリアリ
ールアミン誘導体、有機金属錯体およびスチルベン誘導
体が好ましく、多環芳香族化合物、有機金属錯体がより
好ましい。
【0075】本発明の有機電界発光素子は、好ましく
は、発光層に本発明の製造方法により製造された非対称
アリールアミン化合物をホスト材料として含有する。
【0076】本発明の製造方法により製造された非対称
アリールアミン化合物をホスト材料として、他の発光機
能を有する化合物と併用する場合、発光層中に占める本
発明の製造方法により製造された非対称アリールアミン
化合物の含有率は、好ましくは、40.0%〜99.9
%であり、より好ましくは、60.0〜99.9重量%
である。
【0077】ゲスト材料の使用量は、本発明の製造方法
により製造された非対称アリールアミン化合物に対して
0.001〜40重量%、好ましくは、0.05〜30
重量%、より好ましくは、0.1〜20重量%である。
また、ゲスト材料は、単独で使用してもよく、複数併用
してもよい。
【0078】電子注入輸送層5は、陰極からの電子の注
入を容易にする機能および/または注入された電子を輸
送する機能を有する化合物を含有する層である。
【0079】電子注入輸送層に使用される電子注入機能
を有する化合物としては、例えば、有機金属錯体、オキ
サジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン
誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などを挙
げることができる。また、有機金属錯体としては、例え
ば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム等の有
機アルミニウム錯体、ビス(10−ベンゾ[h]キノリ
ノラート)ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、5−ヒ
ドロキシフラボンのベリリウム塩、5−ヒドロキシフラ
ボンのアルミニウム塩等を挙げることができる。好まし
くは、有機アルミニウム錯体であり、より好ましくは、
置換または未置換の8−キノリノラート配位子を有する
有機アルミニウム錯体である。置換または未置換の8−
キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体とし
ては、例えば、一般式(a)〜一般式(c)で表される
化合物を挙げることができる。
【0080】(Q)3−Al (a) (式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を表す) (Q)2−Al−O−L’ (b) (式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を表し、O−L’はフェノラート配位子を表し、
L’はフェニル基を有する炭素数6〜24の炭化水素基
を表す) (Q)2−Al−O−Al−(Q)2 (c) (式中、Qは置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を表す)
【0081】置換または未置換の8−キノリノラート配
位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例としては、
例えば、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム、
トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウ
ム、トリス(5−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウム、トリス(3,4−ジメチル−8−キノリノラー
ト)アルミニウム、トリス(4,5−ジメチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム、トリス(4,6−ジメチ
ル−8−キノリノラート)アルミニウム、
【0082】ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(フェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2−メチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(3
−メチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラート)(4−メチルフェノラート)
アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラー
ト)(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(3−フェニルフ
ェノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラート)(4−フェニルフェノラート)アルミニ
ウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(2,
3−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)(2,6−ジメチルフェ
ノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リノラート)(3,4−ジメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(3,5−ジメチルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(3,5−ジ-ter
t−ブチルフェノラート)アルミニウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリノラート)(2,6−ジフェニルフェ
ノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リノラート)(2,4,6−トリフェニルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ート)(2,4,6−トリメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
(2,4,5,6−テトラメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(1
−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8
−キノリノラート)(2−ナフトラート)アルミニウ
ム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)
(2−フェニルフェノラート)アルミニウム、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)(3−フェ
ニルフェノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメ
チル−8−キノリノラート)(4−フェニルフェノラー
ト)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノ
リノラート)(3,5−ジメチルフェノラート)アルミ
ニウム、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラー
ト)(3,5−ジ-tert−ブチルフェノラート)アルミ
ニウム、
【0083】ビス(2−メチル−8−キノリノラート)
アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラート)アルミニウム、ビス(2,4−ジメチル
−8−キノリノラート)アルミニウム−μ−オキソ−ビ
ス(2,4−ジメチル−8−キノリノラート)アルミニ
ウム、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラ
ート)アルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−
4−エチル−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス
(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラート)ア
ルミニウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メト
キシ−8−キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−
メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウ
ム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−シアノ−8−
キノリノラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−5
−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニ
ウム−μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラート)アルミニウムを挙げる
ことができる。電子注入機能を有する化合物は単独で使
用してもよく、また複数併用してもよい。
【0084】陰極6としては、比較的仕事関数の小さい
金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用す
ることが好ましい。陰極に使用する電極材料としては、
例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリ
ウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネ
シウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウ
ム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガ
ン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチ
ウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウ
ム−マグネシウム合金、グラファイト薄を挙げることが
できる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、ま
た複数併用してもよい。
【0085】陰極はこれらの電極材料を、例えば、蒸着
法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸
送層の上に形成することができる。
【0086】また、陰極は一層構造であってもよく、多
層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω
/□以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する
電極材料にもよるが、通常5〜1000nm、好ましく
は、10〜500nmとする。本発明の有機電界発光素
子の発光を高率よく取り出すために、陽極または陰極の
少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であること
が好ましく、一般に、発光光の透過率が70%以上とな
るように陽極または陰極の材料、厚みを設定することが
好ましい。
【0087】また、本発明の有機電界発光素子は、正孔
注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の少なくとも
一層中に、一重項酸素クンチャーを含有していてもよ
い。一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定される
ものではないが、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジ
フェニルイソベンゾフランが挙げられ、好ましくは、ル
ブレンである。
【0088】一重項酸素クエンチャーが含有されている
層としては、特に限定されるものではないが、好ましく
は、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましく
は、正孔注入輸送層である。尚、正孔注入輸送層に一重
項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層
中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接す
る層(例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送
層)の近傍に含有させてもよい。一重項酸素クエンチャ
ーの含有量としては、含有される層(例えば、正孔注入
輸送層)を構成する全体量の0.01〜50重量%、好
ましくは、0.05〜30重量%、より好ましくは、
0.1〜20重量%である。
【0089】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
の形成方法に関しては、特に限定されるものではなく、
例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法(例
えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート
法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブ
ロジェット法、インクジェット法)を使用することがで
きる。真空蒸着法により正孔注入輸送層、発光層、電子
注入輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着の条件
は。、特に限定されるものではないが、通常、10 -5
orr程度以下の真空下で、50〜500℃程度のボー
ト温度(蒸着源温度)、−50〜300℃程度の基板温
度で、0.005〜50nm/sec程度の蒸着速度で実
施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発
光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して
形成することが好ましい。連続で形成することにより諸
特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能と
なる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電
子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成
する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御し
て、共蒸着することが好ましい。
【0090】溶液塗布法により各層を形成する場合、各
層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等
とを、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒
としては、例えば、有機溶媒(ヘキサン、オクタン、デ
カン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、1−メチ
ルナフタレン等の炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、
テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶
媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル
等のエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレン
グリコール等のアルコール系溶媒、ジブチルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、
アニソール等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル
−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリ
ジノン、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒)、水を挙
げることができる。溶媒は単独で使用してもよく、また
複数併用してもよい。 正孔注入輸送層、発光層、電子
注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させる場合には、
分散方法として、例えば、ボールミル、サンドミル、ペ
イントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を
使用して微粒子状に分散する方法を使用することができ
る。
【0091】また、正孔注入輸送層、発光層、電子注入
輸送層等の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリアリーレート、ポ
リスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエー
テル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポ
リフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリ
アニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその
誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポ
リフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレ
ンおよびその誘導体などの高分子化合物を挙げることが
できる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、ま
た、複数併用してもよい。塗布液の濃度は、特に限定さ
れるものではないが、実施する塗布法により所望の厚み
を作製するに適した濃度範囲に設定することができ、通
常、0.1〜50重量%、好ましくは、1〜30重量%
に設定する。バインダー樹脂を使用する場合、その使用
量は特に限定されるものではないが、通常、正孔注入輸
送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分
とバインダー樹脂の総量に対してバインダー樹脂の含有
率が(一層型の素子を形成する場合には各成分の総量に
対して)、5〜99.9重量%、好ましくは、10〜9
9重量%となるように使用する。
【0092】正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層
等の各層の膜圧は、特に限定されるものではないが、通
常、5nm〜5μmとする。
【0093】また、上記の条件で作製した本発明の有機
電界発光素子は、酸素や水分等との接触を防止する目的
で、保護層(封止層)を設けたり、また、素子を不活性
物質中(例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコ
ンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオ
ロカーボン油)に封入して保護することができる。保護
層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料
(例えば、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポ
リフェニレンオキサイド)、無機材料(例えば、ダイア
モンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、
金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物)、
さらには、光硬化性樹脂を挙げることができる。保護層
に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用
してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多
層構造であってもよい。
【0094】また、本発明の有機電界発光素子は、電極
に保護膜として金属酸化物膜(例えば、酸化アルミニウ
ム膜)、金属フッ化膜を設けることもできる。
【0095】本発明の有機電界発光素子は、陽極の表面
に界面層(中間層)を設けることもできる。界面層の材
質としては、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミ
ン誘導体、フタロシアニン誘導体等を挙げることができ
る。さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、酸、ア
ンモニア/過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使
用することもできる。
【0096】本発明の有機電界発光素子は、通常、直流
駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動
型の素子としても使用することができる。また、本発明
の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリック
駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、TFT(薄
膜トランジスタ)型、MIM(メタル−インスレーター
−メタル)型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆
動電圧は通常、2〜30Vである。本発明の有機電界発
光素子は、パネル型光源(例えば、時計、液晶パネル等
のバックライト)、各種の発光素子(例えば、LED等
の発光素子の代替)、各種の表示素子〔例えば、情報表
示素子(パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示
素子)〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用する
ことができる。
【0097】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもの
ではない。
【0098】実施例1:例示化合物20(N,N−ジフ
ェニル−N’−フェノチアジニル−4,4’−ビフェニ
ル)の製造 4−クロロ−N−フェノチアジニル−4’−アミノビ
フェニルの製造 4−クロロ−4’−ヨードビフェニル15.73g
(0.05mol)、塩化銅0.30g、18−6−ク
ラウンエーテル0.73g、炭酸カリウム9.66g
(0.07mol)、フェノチアジン9.55g(0.
048mol)およびo−ジクロロベンゼン60gより
なる混合物を、攪拌下、170℃に加熱し、トルエンを
滴下しつつ発生する水を共沸脱水した。その後、同温度
で9時間攪拌し、反応を終了させた。反応混合物を室温
まで冷却し、不溶物をろ別し、さらに、不溶物をトルエ
ンで洗浄した。ろ液よりo−ジクロロベンゼンおよびト
ルエンを減圧下(〜150℃/20mmHg)に留去
し、残渣をトルエン15gに60℃で溶解し、活性炭
0.3gで処理した。活性炭をろ別し、さらにトルエン
洗浄を行い、得られたろ液にn−ヘキサン15gを添加
して晶析を行い、生じた結晶をろ別して4−クロロ−N
−フェノチアジニル−4’−アミノビフェニル11.3
gを得た。 N,N−ジフェニル−N’−フェノチアジニル−4,
4’−ジアミノビフェニルの製造 4−クロロ−N−フェノチアジニル−4’−アミノビフ
ェニル5.01g(13mmol)、N,N−ジフェニ
ルアミン2.2g(13mmol)、ナトリウム-tert-
ブトキシド1.72g(17.8mmol)、酢酸パラ
ジウム14.5mgおよびキシレン80gよりなる混合
物に30分間窒素を吹き込み、その後、ジ-tert-ブチル
-o-ビフェニルホスフィン38.7mgを添加して、攪
拌下、110℃に加熱した。同温度で3時間攪拌し、反
応を終了させた。反応混合物を室温まで冷却し、水10
gを添加し、水洗分液を行い、さらに水10gを添加し
て水洗分液を行った。有機相から減圧下(〜80℃/2
5mmHg)にキシレンを留去し、残渣をトルエン10
gに溶解し、n−ヘキサン15gを添加して再結晶を行
った。得られた結晶をさらにシリカゲルカラムクロマト
グラフィー(溶出液:トルエン)にて精製し、トルエン
/n−ヘキサンより再結晶を行い、目的とするN,N−
ジフェニル−N’−フェノチアジニル−4,4’−ジア
ミノビフェニルを淡黄色の結晶として4.78g得た。
この化合物の液体クロマトグラフィーによる純度は9
9.9%であり、N,N,N’,N’−テトラフェニル
−4,4’−ビフェニルの含有量は0.01%であり、
N,N’−ビス(フェノチアジニル)ビフェニルは検出
されなかった。
【0099】実施例2:例示化合物33〔N,N−ジ
(4’−メチルフェニル)−N’−カルバゾリル−9,
9−ジメチル−2,7−ジアミノ−9H−フルオレン〕
の製造 7−ヨード−9,9−ジメチル−9H−フルオレン16
0.0g(0.5mol)および1,2−ジクロロエタ
ン400gよりなる溶液を5℃に冷却し、塩素39.3
g(0.55mol)を毎時18gの供給速度で吹き込
み、塩素化反応を実施した。その後、45℃まで昇温
し、窒素ガスを反応溶液に吹き込み反応系より塩酸ガス
を除去した。反応混合物を3℃まで冷却し、生成した結
晶をろ取し、さらにイソプロパノールで洗浄し、2−ク
ロロ−7−ヨード−9,9−ジメチル−9H−フルオレ
ンを淡黄色の結晶として74.2g得た。さらにろ液を
濃縮し、残渣を1,2−ジクロロエタン/イソプロパノ
ールより再結晶し、の2−クロロ−7−ヨード−9,9
−ジメチル−9Hフルオレンを淡黄色の結晶として3
7.7g得た。 :2−クロロ−N−カルバゾリル−9,9−ジメチル
−7−アミノ−9H−フルオレンの製造 2−クロロ−7−ヨード−9,9−ジメチル−9H−フ
ルオレン85.1g(0.24mol)、塩化銅1.7
1g、18−6−クラウンエーテル3.5g、炭酸カリ
ウム44.16g(0.32mol)、カルバゾール3
8.41g(0.23mol)およびo−ジクロロベン
ゼン270gよりなる混合物を攪拌下、170℃に加熱
し、トルエンを滴下しつつ発生する水を共沸脱水した。
その後同温度で8時間攪拌し、反応を終了させた。反応
混合物を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、さらに、不
溶物をトルエンで洗浄した。ろ液よりo−ジクロロベン
ゼンおよびトルエンを減圧下(〜150℃/20mmH
g)に留去し、残渣をトルエン60gに60℃で溶解
し、活性炭1gで処理した。活性炭をろ別し、さらにト
ルエンで洗浄し、得られたろ液にn−ヘキサン60gを
添加して晶析を行い、生じた結晶をろ別し、2−クロロ
−N−カルバゾリル−9,9−ジメチル−7−アミノ−
9H−フルオレン67.7gを得た。 N,N−ジ(4’−メチルフェニル)−N’−カルバ
ゾリル−9,9−ジメチル−2,7−ジアミノ9H−フ
ルオレンの製造 2−クロロ−N−カルバゾリル−9,9−ジメチル−7
−アミノ−9H−フルオレン18.74g(47.5m
mol)、N,N−ビス(4−メチルフェニル)アミン
9.36g(47.5mmol)、ナトリウム-tert-ブ
トキシド6.24g(65.0mmol)、酢酸パラジ
ウム53mgおよびキシレン300gよりなる混合物に
30分間窒素を吹き込み、その後、トリ-tert-ブチルホ
スフィン95.5mgを添加して、攪拌下、125℃に
加熱した、同温度で2.5時間攪拌し、反応を終了させ
た。反応混合物を室温まで冷却し、水25gを添加し、
水洗分液を行い、さらに水25gを添加して水洗分液を
行った。有機相から減圧下(〜80℃/25mmHg)
にキシレンを留去し、残渣をトルエン25gに溶解し、
n−ヘキサン37.5gを添加して再結晶を行った。得
られた結晶をさらにシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(溶出液:トルエン)にて精製し、トルエン/n−ヘ
キサンより再結晶を行い、目的とするN,N−ジ(4’
−メチルフェニル)−N’−カルバゾリル−9,9−ジ
メチル−2,7−ジアミノ−9H−フルオレンを淡黄色
の結晶として20.5g得た。
【0100】実施例3:例示化合物35(N,N−ジフ
ェニル−N’−カルバゾリル−9,9−ジメチル−2,
7−ジアミノ−9H−フルオレン)の製造 実施例2のにおいて、N,N−ジ(4−メチルフェニ
ル)アミン9.36g(47.5mmol)を使用する
代わりに、N,N−ジフェニルアミン8.03g(4
7.5mmol)を使用した以外は、実施例2と同様の
操作に従い、N,N−ジフェニル−N’−カルバゾリル
−9,9−ジメチル−2,7−ジアミノ−9H−フルオ
レンを淡黄色の結晶として18.5g得た。
【0101】実施例4:例示化合物36(N−フェニル
−N−(1’−ナフチル)−N’−カルバゾリル−9,
9−ジメチル−2,7−ジアミノ−9H−フルオレン)
の製造 実施例2のにおいて、N,N−ジ(4−メチルフェニ
ル)アミン9.36g(47.5mmol)およびトリ
-tert-ブチルホスフィン95.5mgを使用する代わり
に、N−フェニル−N−(1−ナフチル)アミン10.
40g(47.5mmol)およびジ-tert-ブチル-o-
ビフェニルホスフィン141mgを使用した以外は実施
例2と同様の操作に従い、N−フェニル−N−(1’−
ナフチル)−9,9−ジメチル−2,7−ジアミノ−9
H−フルオレンを淡黄色の結晶として21.2g得た。
【0102】実施例5:例示化合物45〔N−フェニル
−N−(1’−ナフチル)−N’−ジベンゾ[b,f]アゼ
ピニル−3,6−ジアミノジベンゾチオフェン〕の製造 ジベンゾチオフェン184g(1.0mol)をクロロ
ホルム900gに溶解し、ここに、臭素160gおよび
クロロホルム600gよりなる溶液を1時間かけて滴下
した。その後、室温で10時間攪拌し、反応混合物をチ
オ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、その後水洗して、ク
ロロホルム層よりクロロホルムを留去した。残渣を、イ
ソプロパノール/トルエンより再結晶し、無色針状結晶
として、3−ブロモジベンゾチオフェン163gを得
た。次ぎに、3−ブロモジベンゾチオフェン131.5
g(0.5mol)および1,2−ジクロロエタン40
0gよりなる溶液を5℃に冷却し、塩素39.3g
(0.55mol)を毎時18gの供給速度で吹き込
み、塩素化反応を実施した。その後、45℃まで昇温
し、窒素ガスを反応溶液に吹き込み反応系より塩酸ガス
を除去した。反応混合物より、1,2−ジクロロエタン
を減圧下に留去し、残渣をイソプロパノールより再結晶
し、3−ブロモ−6−クロロジベンゾチオフェンを無色
の結晶として113g得た。 :N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−3−アミ
ノ−6−クロロジベンゾチオフェンの製造 次に、3−ブロロ−6−クロロアミノジベンゾチオフェ
ン29.75g(0.1mol)、塩化銅0.72g、
18−6−クラウンエーテル1.46g、炭酸カリウム
17.94g(0.13mol)、N−フェニル−N−
(1’−ナフチル)アミン21.02g(0.096m
ol)およびo−ジクロロベンゼン112.5gよりな
る混合物を攪拌下、170℃に過熱し、トルエンを滴下
しつつ発生する水を共沸脱水した。その後、同温度で8
時間攪拌し、反応を終了させた。反応混合物を室温まで
冷却し、不溶物ろ別し、さらに、不溶物をトルエンで洗
浄した。ろ液よりo−ジクロロベンゼンおよびトルエン
を減圧下に留去し、残渣をトルエン25gに溶解し、活
性炭0.3gで処理し、た。活性炭をろ別し、さらにト
ルエンで洗浄し、得られたろ液にメタノール30gを添
加して晶析を行い、生じた結晶をろ別し、N−フェニル
−N−(1’−ナフチル)−3−アミノ−6−クロロジ
ベンゾチオフェン36.83g得た。 :N−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−ジ
ベンゾ[b,f]アゼピニル−3,6−ジアミノ ジベンゾ
チオフェンの製造 N−フェニル−N−(1−ナフチル)−3−アミノ−6
−クロロジベンゾチオフェン21.78g(50mmo
l)、ジベンゾ[b,f]アゼピン9.65g(50mmo
l)、ナトリウム-tert-ブトキシド6.24g(65m
mol)、酢酸パラジウム53mgおよびキシレン30
0gよりなる混合物に30分間窒素を吹き込み、その
後、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン142m
gを添加して、攪拌下、90℃に加熱した。同温度で9
時間攪拌し、反応を終了させた。反応混合物を室温まで
冷却し、水25gを添加し、水洗分液を行い、さらに水
25gを添加して水洗分液を行った。有機相から減圧下
(〜80℃/25mmHg)にキシレンを留去し、残渣
をトルエン25gに溶解し、n−ヘキサン37.5gを
添加して再結晶を行った。得られた結晶をさらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)に
て精製し、メチルセロソルブより再結晶を行い、目的と
するN−フェニル−N−(1’−ナフチル)−N’−ジ
ベンゾ[b,f]アゼピニル−3,6−ジアミノベンゾチオ
フェンを淡黄色の結晶として18.51g得た。
【0103】実施例6:例示化合物47〔N−フェニル
−N−(1’−ナフチル)−N’−カルバゾリル−3,
6−ジアミノジベンゾチオフェン〕の製造 実施例5のにおいて、ジベンゾ[b,f]アゼピン9.6
5gおよび酢酸パラジウム53mgを使用する代わりに
カルバゾール8.35gおよびトリス(ジベンジリデン
アセトン)ジパラジウム114mgを使用した以外は、
実施例5に記載の操作に従い、N−フェニル−N−
(1’−ナフチル)−N’−カルバゾリル−3,6−ジ
アミノベンゾチオフェンを淡黄色の結晶として17.4
3g得た。この化合物の液体クロマトグラフィーによる
純度は99.7%であり、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ジ(1’−ナフチル)−3,6−ジベンゾチオフ
ェンは検出されず、N,N’−ビス(カルバゾリル)ジ
ベンゾチオフェンの含有量は0.01%であった。
【0104】比較例1:N,N−ジフェニル−N’−フ
ェノチアジニル−4,4’−ジアミノビフェニルの製造 比較のため、4,4’−ジヨードビフェニルから、N,
N−ジフェニル−N’−フェノチアジニル−4,4’−
ジアミノビフェニルを製造した。 4−ヨード−N−フェノチアジニル−4’−アミノビ
フェニルの製造 4,4’−ジヨードビフェニル20.3g(0.05m
ol)、塩化銅0.30g、18−6−クラウンエーテ
ル0.73g、炭酸カリウム9.66g(0.07mo
l)、フェノチアジン9.54g(0.048mol)
およびo−ジクロロベンゼン60gよりなる混合物を、
攪拌下、170℃に加熱し、トルエンを滴下しつつ発生
する水を共沸脱水した。その後、同温度で9時間攪拌
し、反応を終了させた。反応混合物を室温まで冷却し、
不溶物をろ別し、さらに、不溶物をトルエンで洗浄し
た。ろ液よりo−ジクロロベンゼンおよびトルエンを減
圧下(〜150℃/20mmHg)に留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン
/ヘキサン=1:1vol/vol)により精製し、さらに、
メチルセロソルブより再結晶を行い、4−ヨード−N−
フェノチアジニル−4’−アミノビフェニル10.5g
を得た。 N,N−ジフェニル−N’−フェノチアジニル−4,
4’−ジアミノビフェニルの製造 4−ヨード−N−フェノチアジニル−4’−アミノビフ
ェニル6.2g(13mmol)、N,N−ジフェニル
アミン2.2g(13mmol)、ナトリウム-tert-ブ
トキシド1.72g(17.8mmol)、酢酸パラジ
ウム14.5mgおよびキシレン80gよりなる混合物
に30分間窒素を吹き込み、その後、ジ-tert-ブチル-o
-ビフェニルホスフィン38.7mgを添加して、攪拌
下、110℃に加熱した。同温度で3時間攪拌し、反応
を終了させた。反応混合物を室温まで冷却し、水10g
を添加し、水洗分液を行い、さらに水10gを添加して
水洗分液を行った。有機相から減圧下(〜80℃/25
mmHg)にキシレンを留去し、残渣をトルエン10g
に溶解し、n−ヘキサン15gを添加して再結晶を行っ
た。得られた結晶をさらにシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(溶出液:トルエン)にて精製し、トルエン/
n−ヘキサンより再結晶を行い、目的とするN,N−ジ
フェニル−N’−フェノチアジニル−4,4’−ジアミ
ノビフェニルを淡黄色の結晶として4.56g得た。こ
の化合物の液体クロマトグラフィーによる純度は99.
5%であり、N,N,N’,N’−テトラフェニル−
4,4’−ビフェニルおよびN,N’−ビス(フェノチ
アジニル)ビフェニルの含有量は、それぞれ、0.02
%、0.3%であった。また、これらの不純物は得られ
たN,N−ジフェニル−N’−フェノチアジニル−4,
4’−ジアミノビフェニルをさらにトルエン/n−ヘキ
サンより再結晶により2回精製しても、完全に除去する
ことは不可能であった。
【0105】比較例2:N−フェニル−N−(1’−ナ
フチル)−N’−カルバゾリル−3,6−ジアミノジベ
ンゾチオフェンの製造 ジベンゾチオフェン36.8g(0.2mol)をクロ
ロホルム600gに溶解し、ここに、臭素64.0gお
よびクロロホルム200gよりなる溶液を1時間かけて
滴下した。その後、室温で10時間攪拌し、析出した固
体をろ別した。ろ液をチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄
し、その後水洗して、クロロホルム層よりクロロホルム
を留去した。また、ろ別した固体をチオ硫酸ナトリウム
水溶液中でスラッジした後、水洗した。ろ液よりクロロ
ホルムを留去した残渣と、固体を合わせ、イソプロパノ
ール/トルエンより再結晶し、無色針状結晶として、
3,6−ブロモジベンゾチオフェン34.3gを得た。
3,6−ジブロモジベンゾチオフェン6.84g(0.
02mol)、N−フェニル−N−(1−ナフチル)ア
ミン4.38g(0.02mol)、炭酸カリウム3.
86g(0.028mol)、塩化銅0.15g、18
−6−クラウンエーテル0.5gおよびスルホラン70
gよりなる混合物を200℃に加熱し、窒素気流下で2
4時間加熱攪拌した。その後、スルホランを留去し、ト
ルエン100gを挿入し、不溶物をろ別した。トルエン相
を中性になるまで水洗し、トルエン相よりトルエンを減
圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製し、6−ブロモ−N−フェニル−N−
(1’−ナフチル)ジベンゾチオフェン−3−アミン
4.9gを得た。次に、得られた6−ブロモ−N−フェ
ニル−N−(1’−ナフチル)ジベンゾチオフェン−3
−アミン4.8g(0.01mol)、カルバゾール
1.67g(0.01mol)、ナトリウム−tert-ブ
トキシド2.38g、トリ-tert-ブチルホスフィン81
mg、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム
90mgおよびトルエン40gよりなる混合物をアルゴ
ン気流下、80℃に加熱し、2時間加熱攪拌した。反応
液を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水
洗した。トルエン相よりトルエンを減圧下に留去した
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出
液:トルエン/ヘキサン=6/4)により精製し、さら
に、メチルセロソルブから2回再結晶し、N−フェニル
−N−(1’−ナフチル)−N’−カルバゾリル−3,
6−ジアミノジベンゾチオフェンを無色の結晶として
1.8g得た。この化合物の液体クロマトグラフィーに
よる純度は99.4%であり、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ジ(1’−ナフチル)−3,6−ジベンゾチ
オフェンおよびN,N’−ビス(カルバゾリル)ジベン
ゾチオフェンの含有量は、それぞれ、0.4%、0.0
1%であった。
【0106】実施例7:有機電界発光素子の作製 本発明の製造方法で製造された非対称アリールアミン化
合物の有機電界発光素子材料としての特性調べるため、
有機電界発光素子を作成した。尚、実施例1〜6、比較
例1および比較例2で製造した非対称アリールアミン化
合物はそれぞれ、有機電界発光素子作成に使用する前に
昇華精製を実施した。厚さ200nmのITO透明電極
(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリ
ーン(フルウチ化学製)、超純水、アセトン、エタノー
ルを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用い
て乾燥し、さらにUV/オゾン洗浄した後、蒸着装置の
基板ホルダーに固定し、蒸着槽を3×10-6Torrに減圧
した。先ず、ITO透明電極上に、実施例2で製造した
例示化合物33の化合物を蒸着速度0.2nm/sec
で75nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層を形成し
た。次に、正孔注入輸送層の上にトリス(8−キノリノ
ラート)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで
50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた
発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグ
ネシウムと銀を蒸着速度0.2nm/secで200n
mの厚さに共蒸着(重量比10:1)して陰極とし、有
機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧
状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子
に直流電圧を印加し、50℃、乾燥雰囲気下、10mA
/cm2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、
6.3V、輝度480cd/m2の緑色の発光が確認さ
れた。輝度の半減期は600時間であった。
【0107】実施例8〜11:有機電界発光素子の作製 実施例7において、正孔注入輸送層の形成に際して、実
施例2で製造した例示化合物33の化合物を使用する代
わりに、例示化合物20の化合物(実施例8)、例示化
合物35の化合物(実施例9)、例示化合物36の化合
物(実施例10)、例示化合物45の化合物(実施例1
1)、例示化合物47の化合物(実施例12)を使用し
た以外は、実施例7に記載の操作に従い、有機電界発光
素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認され
た。さらにその特性を調べ、結果を(第1表)(表1)
に示した。
【0108】比較例3:実施例7において、正孔注入輸
送層の形成に際して、実施例2で製造した例示化合物3
3の化合物を使用する代わりに、4,4’−ビス〔N−
フェニル−N−(3”−メチルフェニル)アミノ〕ビフ
ェニルを使用した以外は実施例7に記載の操作に従い、
有機電界発光素子を作製した。素子からは緑色の発光が
確認された。さらにその特性を調べ、結果を(第1表)
(表1)に示した。
【0109】比較例4:実施例7において、正孔注入輸
送層の形成に際して、実施例2で製造した例示化合物3
3の化合物を使用する代わりに、比較例1で製造した非
対称アリールアミン化合物(N,N−ジフェニル−N−
フェノチアジニル−4,4’−ジアミノビフェニル)を
使用した以外は実施例7に記載の操作に従い、有機電界
発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認さ
れた。さらにその特性を調べ、結果を(第1表)(表
1)に示した。比較例4で作成した素子と、実施例8で
作成した素子は、同じ非対称アリールアミン化合物を使
用しているが、その製造方法が異なるのみである。(表
1)より明らかなように、本発明の製造方法により製造
された非対称アリールアミン化合物は従来の製造方法に
より製造された非対称アミン化合物と比較して、発光寿
命が長いことが判る。
【0110】比較例5:実施例7において、正孔注入輸
送層の形成に際して、実施例2で製造した例示化合物3
3の化合物を使用する代わりに、比較例2で製造した非
対称アリールアミン化合物〔N−フェニル−N−(1’
−ナフチル)−N’−カルバゾリル−3,6−ジアミノ
ジベンゾチオフェン〕を使用した以外は実施例7に記載
の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子か
らは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、
結果を(第1表)(表1)に示した。比較例5で作成し
た素子と、実施例12で作成した素子は、同じ非対称ア
リールアミン化合物を使用しているが、その製造方法が
異なるのみである。(表1)より明らかなように、本発
明の製造方法により製造された非対称アリールアミン化
合物は従来の製造方法により製造された非対称アミン化
合物と比較して、発光寿命が長いことが判る。
【0111】
【表1】
【0112】
【発明の効果】本発明により不純物含有量の少ない非対
称アリールアミン化合物を、カラムクロマトグラフィー
等の煩雑な工程を多段に含まずに製造することが可能に
なり、さらに、本発明の非対称アリールアミン化合物を
使用することで、発光寿命が長く、耐久性に優れた有機
電界発光素子を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図2】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図3】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図4】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図5】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図6】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図7】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図8】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【符号の説明】
1:基板 2:陽極 3:正孔注入輸送層 3a:正孔注入輸送成分 4:発光層 4a:発光成分 5:電子注入輸送層 5”:電子注入輸送層 5a:電子注入輸送成分 6:陰極 7:電源
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/06 655 C09K 11/06 655 690 690 H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 D // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (72)発明者 田辺 良満 千葉県袖ケ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 石田 努 千葉県袖ケ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 戸谷 由之 千葉県袖ケ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 中塚 正勝 千葉県袖ケ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB11 AB18 BB06 CA01 CA02 CA05 CA06 DB03 FA00 4C036 AA02 AA11 AA17 AA18 4C063 AA01 BB09 CC94 DD08 DD19 EE05 4C204 AB01 BB05 BB09 CB25 EB01 FB06 GB01 4H039 CA71 CD20

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 :一般式(1)で表されるハロゲン化
    芳香族化合物に銅触媒の存在下、ジアリールアミンを反
    応させ、ジアリールアミノ置換ハロゲン化芳香族化合物
    を製造した後、 【化1】 〔式中、X1およびX2はそれぞれ異なるハロゲン原子を
    表し、nおよびmは1〜4の整数を表し、Zはn+m価
    の芳香族基を表す〕 :工程で製造されたジアリールアミノ置換ハロゲン
    化芳香族化合物に、パラジウム触媒およびリン系配位子
    の存在下、工程で使用したジアリールアミンとは異な
    るジアリールアミンを反応させる非対称アリールアミン
    化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】一般式(1)において、X1およびX2が、
    ヨウ素原子と塩素原子、または臭素原子と塩素原子の組
    み合わせである請求項1記載の非対称アリールアミン化
    合物の製造方法。
  3. 【請求項3】一般式(1)において、nおよびmがそれ
    ぞれ1である請求項1または2記載の非対称アリールア
    ミン化合物の製造方法。
  4. 【請求項4】請求項1〜3記載の製造方法で製造された
    非対称アリールアミン化合物。
  5. 【請求項5】請求項4記載の非対称アリールアミン化合
    物を、1対の電極間に少なくとも1種含有する層を少な
    くとも一層を挟持してなる有機電界発光素子。
  6. 【請求項6】請求項4記載の非対称アリールアミン化合
    物を含有する層が正孔注入輸送層または発光層である請
    求項5記載の有機電界発光素子。
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