JP2003171363A - スルホニウム塩及びその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】新規なスルホニウム塩を提供するとともに、こ
れと樹脂成分とを含有し、エキシマレーザーリソグラフ
ィに適した、解像度やプロファイルに優れる化学増幅型
のポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】〔１〕下式（Ｉ）で示されるスルホニウム
塩。 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、互いに独立に、水素、水酸
基、ハロゲン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１
〜６のアルコキシ基を表す。式中、Ｑは、少なくとも一
つのフッ素で置換されている脂環式炭化水素基を示
す。） 〔２〕酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身
はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカ
リに可溶となる樹脂と、〔１〕に記載の化合物とを含有
する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なスルホニウ
ム塩、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型のレジ
スト組成物及び重合開始剤組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の微細加工には、通常、レジスト
組成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されてお
り、リソグラフィにおいては、レイリー（Ｒａｙｌｅｉ
ｇｈ）の回折限界の式で表されるように、原理的には露
光波長が短いほど解像度を上げることが可能である。半
導体の製造に用いられるリソグラフィ用露光光源は、波
長４３６ｎｍのｇ線、波長３６５ｎｍのｉ線、波長２４
８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡ
ｒＦエキシマレーザーと、年々短波長になってきてお
り、次世代の露光光源として、波長１５７ｎｍのＦ₂エ
キシマレーザーが有望視され、その後は波長１３ｎｍ以
下の軟Ｘ線（ＥＵＶ）が光源として提案されている。

【０００３】エキシマレーザー等の、ｇ線、ｉ線より短
い波長の光源は照度が低いため、レジストの感度を高め
る必要があることから、スルホニウム塩から露光により
発生する酸の触媒作用を利用し、その酸により解裂する
基を有する樹脂を含有するいわゆる化学増幅型レジスト
が通常用いられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なスルホニウム塩を提供するとともに、これと樹脂成分
とを含有し、ＡｒＦやＫｒＦやＦ₂などのエキシマレー
ザーリソグラフィに適した、解像度やプロファイルに優
れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供すること
にある。

【０００５】本発明者らは、検討を加えた結果、下式
（Ｉ）に示されるような特定の嵩高いアニオンを有する
スルホニウム塩を有することにより、解像性を向上させ
ることを見出し、本発明に到達した。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
〔１〕下式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩に係るもの
である。 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、互いに独立に、水素、水酸
基、ハロゲン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１
〜６のアルコキシ基を表す。式中、Ｑは、少なくとも一
つのフッ素で置換されている脂環式炭化水素基を示し、
該脂環式炭化水素基は、水酸基、フッ素以外のハロゲ
ン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアル
コキシ基で置換されていても良い。該アルキル基及び該
アルコキシ基は、それぞれ独立に、水酸基又はハロゲン
で置換されていても良い。）

【０００７】さらに、本発明は、〔２〕下式（ＩＩ）で
示されるスルホニウム塩に係るものである。 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、前記の定義と同じであ
る。）

【０００８】また、本発明は、〔３〕酸に不安定な基を
持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難
溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂と、
〔１〕又は〔２〕に記載の化合物とを含有することを特
徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物に係るもので
ある。

【０００９】

【発明の実施の形態】化学増幅型のレジスト組成物に用
いられる酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物
質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を
作用させることにより、その物質が分解して酸を発生す
るものである。本発明の式（Ｉ）で示されるスルホニウ
ム塩は、該酸発生剤として、好適に使用される。

【００１０】式（Ｉ）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、互
いに独立に、水素、水酸基、ハロゲン、炭素数１〜６の
アルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。ア
ルキル基及びアルコキシ基は、炭素数３以上の場合は直
鎖でも分岐していてもよい。具体的なアルキル基の例と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが
挙げられる。

【００１１】また、式（Ｉ）において、Ｑは、少なくと
も一つのフッ素で置換されている脂環式炭化水素基を示
し、該脂環式炭化水素基は、水酸基、フッ素以外のハロ
ゲン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のア
ルコキシ基で置換されていても良い。該アルキル基及び
該アルコキシ基は、それぞれ独立に、水酸基又はハロゲ
ンで置換されていても良い。具体的な脂環式炭化水素基
の例としては、パーフルオロシクロヘキシルなどが挙げ
られる。炭素数１〜６のアルキル基の例としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリフ
ルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ
ブチル基などが挙げられる。アルコキシ基の例として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などが挙げられる。これらの中で、全てフッ素置換さ
れている４−パーフルオロエチルパーフルオロシクロヘ
キシル基を用いた場合は、解像度が特に優れるので好ま
しい。すなわち、酸発生剤として、式（ＩＩ）で示され
るスルホニウム塩を用いると、レジストの解像度が特に
優れるので好ましい。

【００１２】式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩の製法
としては、例えば、相当するスルホニウムブロマイド
を、目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀
塩と反応させる方法や、Chem. Pharm. Bull., Vol.29,
3753 (1981) の記載に準じて、相当するジフェニルスル
ホキシドとベンゼン系化合物とパーフルオロアルカンス
ルホン酸とを、トリフルオロ酢酸無水物の存在下で反応
させる方法、特開平 8-311018 号公報の記載に準じて、
相当するアリールグリニヤ試薬を塩化チオニルと反応さ
せ、次いでトリオルガノシリルハライドと反応させてト
リアリールスルホニウムハライドとした後、目的とする
化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀塩と反応させる
方法などにより製造できる。また、式（ＩＩ）中の
Ｒ¹、Ｒ²及び／又はＲ³が水酸基である化合物は、上記
特開平 8-311018 号公報の記載に準じて、ベンゼン環上
にtert−ブトキシ基を有するトリフェニルスルホニウム
塩を、その化合物の陰イオンと同じスルホン酸で処理し
てtert−ブチル基を脱離させることにより製造できる。

【００１３】式（Ｉ）に示されるスルホニウム塩の具体
例としては、次のような化合物を挙げることができる。

【００１４】トリフェニルスルホニウム パーフルオロ
−４−エチルシクロヘキサンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウム パーフルオロ−４−エチルシクロヘキ
サンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスル
ホニウム パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンス
ルホネート、トリス（４−tert−ブチルフェニル）スル
ホニウム パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンス
ルホネート、４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホ
ニウム パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスル
ホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウ
ム パーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネ
ート、トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム パ
ーフルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネート、
トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム パーフ
ルオロ−４−エチルシクロヘキサンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウム パーフルオロシクロヘキシルス
ルホナート４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム
パーフルオロシクロヘキシルスルホナート、トリス
（４−tert−ブチルフェニル）スルホニウム パーフル
オロシクロヘキシルスルホナート、４−ヒドロキシフェ
ニルジフェニルスルホニウム パーフルオロシクロヘキ
シルスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルス
ルホニウム パーフルオロシクロヘキシルスルホナー
ト、トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム パー
フルオロシクロヘキシルスルホナート、トリス（４−メ
トキシフェニル）スルホニウム パーフルオロシクロヘ
キシルスルホナート

【００１５】次に、本発明のレジスト組成物を構成する
樹脂成分について説明する。この樹脂は、酸に不安定な
基を持つ重合単位を有し、それ自身ではアルカリに不溶
又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となるも
のであり、酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後は
アルカリ可溶性となるものが挙げられる。酸に不安定な
基として具体的には、各種のカルボン酸エステル部分を
有する基や、各種のアセタール型エーテル部分を有する
基等が挙げられる。

【００１６】各種のカルボン酸エステル部分を有する基
としては、例えば、メチルエステル及びtert−ブチルエ
ステルに代表されるアルキルエステル；メトキシメチル
エステル、エトキシメチルエステル、１−エトキシエチ
ルエステル、１−イソブトキシエチルエステル、１−イ
ソプロポキシエチルエステル、１−エトキシプロピルエ
ステル、１−（２−メトキシエトキシ）エチルエステ
ル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチルエステル、
１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチ
ルエステル、１−〔２−（１−アダマンタンカルボニル
オキシ）エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−２
−フリルエステル及びテトラヒドロ−２−ピラニルエス
テルのようなアセタール型エステル；イソボルニルエス
テル及び２−アルキル−２−アダマンチルエステル、１
−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルエステ
ルのような脂環式エステルなどが挙げられる。このよう
なカルボン酸エステルを有する重合単位へ導くモノマー
は、メタクリル酸エステルやアクリル酸エステルのよう
な（メタ）アクリル系のものでもよいし、ノルボルネン
カルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エス
テル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルのよう
に、カルボン酸エステル基が脂環式モノマーに結合した
ものでもよい。

【００１７】このようなモノマーのうち、酸の作用によ
り解裂する基として、例えば２−アルキル−２−アダマ
ンチル、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアル
キルのような脂環族を含む嵩高い基を有するものを使用
すると解像度が優れるので好ましい。このような嵩高い
基を含むモノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−ア
ルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−
（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、５−ノ
ルボルネン−２−カルボン酸２−アルキル−２−アダマ
ンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−
アダマンチル）−１−アルキルアルキルなどが挙げられ
る。とりわけ（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−ア
ダマンチルをモノマーとして用いた場合は、解像度が優
れるので好ましい。このような（メタ）アクリル酸２−
アルキル−２−アダマンチルの代表例としては、例えば
アクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル
酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチ
ル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−
アダマンチル、アクリル酸２−ｎ−ブチル−２−アダマ
ンチルなどが挙げられる。これらの中では、特に（メ
タ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチルを用いた
場合、感度、耐熱性のバランスが良いので好ましい。も
ちろん必要に応じて、酸の作用により解裂する基を持つ
他のモノマーを併用してもよい。

【００１８】（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−ア
ダマンチルは、通常、２−アルキル−２−アダマンタノ
ール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリ
ル酸ハライドとの反応により製造できる。

【００１９】また、アセタール型エーテル部分を有する
基としては、具体的にはメトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、ピバロイルオキシメトキシ基、メトキシエ
トキシメトキシ基、ベンジルオキシメトキシ基などが挙
げられる。このようなアセタール型エーテル部分を有す
る重合単位へ導く樹脂は、これらの酸不安定基を一部有
するヒドロキシスチレンのヒドロキシル基をこれらの酸
不安定基で置換したものでも良く、２−ノルボルネン系
を置換する水酸基やヒドロキシアルキル基の水酸基をこ
れらの酸不安定基で置換したものでも良い。中でも１９
０ｎｍ以下の波長の放射線用レジストに用いられる場
合、２−ノルボルネン系を置換する水酸基やヒドロシキ
アルキル基の水酸基をこれらの酸不安定基で置換したも
のが、露光波長に対する透過率が高く、性能向上の面で
好ましい。

【００２０】本発明における樹脂は、酸に不安定な重合
単位に加えてさらに、下式（ＩＩＩ）で示される重合単
位を有するものが挙げられる。 （式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素、ハ
ロゲン、水酸基、炭素数１〜１４のアルキル基、脂環式
環もしくはラクトン環を表す。該アルキル基は、ハロゲ
ン、水酸基もしくは脂環式環で置換されていても良い。
該脂環式環及びラクトン環は、それぞれ独立に、ハロゲ
ン、水酸基、アルキル基で置換されていても良い。ｎ又
はｌは、０〜４の整数を表す。Ｒ₇、Ｒ₈は、それぞれ独
立に、水素又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ₉
とＲ₁₀のいずれか又は両方は、少なくとも１つのフッ素
原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基であ
る。Ｒ ₁₁は、水酸基又は酸の存在下で解離する酸不安定
基を表す。）

【００２１】式（ＩＩＩ）で示される重合単位の中で
も、下式（ＩＶ）で示される重合単位が、合成面から好
ましい。 （式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素、ハ
ロゲン、水酸基、炭素数１〜１４のアルキル基、脂環式
環もしくはラクトン環を表す。該アルキル基は、ハロゲ
ン、水酸基もしくは脂環式環で置換されていても良い。
該脂環式環もしくはラクトン環は、それぞれ独立に、ハ
ロゲン、水酸基、アルキル基で置換されていても良い。
Ｒ¹¹は、水酸基又は酸の存在下で解離する酸不安定基を
表す。）式（ＩＩＩ）や（ＩＶ）のような構造を有する
樹脂は、１９０ｎｍ以下の露光波長の放射線レジスト用
樹脂として露光波長の透過率が高いことから好ましい。

【００２２】式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）で示される重合単
位の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。

【００２３】

【００２４】これらの酸不安定基は、公知の保護基反応
を施すことによって、又はこのような基を有する不飽和
化合物をひとつのモノマーとする共重合を行うことによ
って、樹脂中に容易に導入することができる。

【００２５】本発明における樹脂は、上記のような酸に
不安定な基を有する重合単位の他に、酸の作用により解
裂しないか又は解裂しにくい他の重合単位を含有するこ
とも可能である。含有しうる他の重合単位としては、例
えば、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボ
ン酸基を有するモノマーの重合単位、無水マレイン酸や
無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水
物の重合単位、２−ノルボルネンの重合単位、（メタ）
アクリロニトリルの重合単位、各種（メタ）アクリル酸
エステル類の重合単位などを挙げることができる。Ａｒ
Ｆ露光の場合は光吸収が大きくて好ましくはないが、Ｋ
ｒＦ露光の場合は光吸収の問題が無いので、ヒドロキシ
スチレンの重合単位を用いることができる。

【００２６】特に、ｐ−ヒドロキシスチレンの重合単
位、ｍ−ヒドロキシスチレンの重合単位、（メタ）アク
リル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、
（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマ
ンチルの重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されて
いてもよい（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラク
トンの重合単位、下式（Ｖa）、（Ｖｂ）で示される脂
環式ラクトンの重合単位などを共重合させることはレジ
ストの基板への接着性の点で好ましい。

【００２７】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²は、互いに独立に、水素、メチル又は
トリフルオロメチルを表し、ｎは１〜３の数を表す。ｎ
が複数の場合には、Ｒ²は、互いに同一でも異なってもよ
い。）

【００２８】（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−
アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキ
シ−１−アダマンチルは、市販されているが、例えば対
応するヒドロキシアダマンタンを（メタ）アクリル酸又
はそのハライドと反応させることにより、製造すること
もできる。また、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチ
ロラクトンは、ラクトン環がアルキルで置換されていて
もよいα−若しくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンに
アクリル酸若しくはメタクリル酸を反応させるか、又は
ラクトン環がアルキルで置換されていてもよいα−若し
くはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸
ハライド若しくはメタクリル酸ハライドを反応させるこ
とにより製造できる。式（Ｖa）、（Ｖb）で示される脂
環式ラクトンの重合単位に導くためのモノマーは、具体
的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクト
ンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙
げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基
を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応
により製造し得る（例えば特開２０００−２６４４６号
公報）。

【００２９】

【００３０】（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−
アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキ
シ−１−アダマンチルの重合単位、α−（メタ）アクリ
ロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、β−（メ
タ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単
位、式（Ｖa）、（Ｖb）で示される脂環式ラクトンの重
合単位は、いずれも極性が高く、それらのいずれかを樹
脂中に存在させることにより、それを含むレジストの基
板への接着性が向上する。また、これらの重合単位は、
レジストの解像性の向上にも寄与する。

【００３１】ここで、（メタ）アクリロイロキシ−γ−
ブチロラクトンの重合単位に導くためのモノマーとして
は、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α
−アクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラ
クトン、α−メタクリロイロキシ−β，β−ジメチル−
γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチ
ル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α
−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ
−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−
ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル
−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。

【００３２】また、２−ノルボルネンの重合単位を含む
樹脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構
造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を
示す。２−ノルボルネンの重合単位は、例えば対応する
２−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン
酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用した
ラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、２
−ノルボルネンの重合単位は、その二重結合が開いて形
成されるものであり式（ＶＩ）で表すことができる。ま
た、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である
無水マレイン酸の重合単位、無水イタコン酸の重合単位
は、それらの二重結合が開いて形成されるものであり、
それぞれ式（ＶＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）で表すことがで
きる。

【００３３】

【００３４】ここで、式（ＶＩ）中のＲ³及びＲ⁴は、互
いに独立に、水素、水酸基、ハロゲン、炭素数１〜３の
アルコキシ、炭素数１〜８のアルキル、カルボキシル、
シアノ若しくは基−ＣＯＯＺ（Ｚはアルコール残基であ
る）を表すか、又はＲ³とＲ⁴が一緒になって、−Ｃ（＝
Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−で示されるカルボン酸無水物残基を
表す。ここで、炭素数１〜８のアルキルは、水酸基、ハ
ロゲン、炭素数１〜３のアルコキシ基で置換されていて
もよい。Ｒ³及び／又はＲ⁴が置換基を有してもよいアル
キルである場合の具体例としては、メチル、エチル、プ
ロピル、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、２
−ヒドロキシル−２、２−ジトリフルオロメチルエチル
などが挙げられる。Ｒ³及び／又はＲ⁴が基−ＣＯＯＺで
ある場合は、カルボキシルがエステルとなったものであ
り、Ｚに相当するアルコール残基としては、例えば、置
換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル、２−
オキソオキソラン−３−イル又は２−オキソオキソラン
−４−イルなどを挙げることができ、ここにアルキルの
置換基としては、水酸基や脂環式炭化水素残基などが挙
げられる。そこで、Ｒ³及び／又はＲ⁴が−ＣＯＯＺで示
されるカルボン酸エステル残基である場合の具体例とし
ては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−
ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボ
ニル、２−オキソオキソラン−３−イルオキシカルボニ
ル、２−オキソオキソラン−４−イルオキシカルボニ
ル、１，１，２−トリメチルプロポキシカルボニル、１
−シクロヘキシル−１−メチルエトキシカルボニル、１
−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエトキシ
カルボニル、１−（１−アダマンチル）−１−メチルエ
トキシカルボニルなどが挙げられる。

【００３５】また、上式（ＶＩＩ）や（ＶＩＩＩ）のよ
うな脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を含まない樹脂
は、１９０ｎｍ以下の露光波長の放射線レジスト用樹脂
として露光波長の透過率が高いことから好ましい。

【００３６】このような樹脂は、該当する（III）や（I
V）や（ＶＩ）で示されるモノマーをＰｄやＮｉのよう
な金属触媒を用いて、公知の配位重合で単独又は共重合
を行うことによって得られる。

【００３７】また、式（ＶＩ）で示される重合単位に導
くためのモノマーとして、具体的には例えば、次のよう
な化合物を挙げることができる。

【００３８】２−ノルボルネン、２−ヒドロキシ−５−
ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５
−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、５−ノルボル
ネン−２−カルボン酸−ｔ−ブチル、５−ノルボルネン
−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチ
ルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボル
ネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキ
シル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カ
ルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−
（１−アダマンチル）−１−メチルエチル、５−ノルボ
ルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５
−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダ
マンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチ
ル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボ
ン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、５−ノルボルネン−
２−メタノール、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボ
ン酸無水物など。

【００３９】

【００４０】

【００４１】本発明で用いる樹脂は、パターニング露光
用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによって
も変動するが、一般には、酸に不安定な基を持つ重合単
位を１０〜８０モル％の範囲で含有するのが好ましい。
そして、酸に不安定な基として特に、（メタ）アクリル
酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル
酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、
又は５−ノルボルネン−２−（２，２-ジトリフルオロ
メチル−２−アルコキシメトキシ）エチルの重合単位を
用いる場合は、この単位が樹脂全体のうち１５モル％以
上となるようにするのが有利である。また、酸に不安定
な基を持つ重合単位に加えて、酸の作用で解裂しにくい
他の重合単位、例えば、（メタ）アクリル酸３−ヒドロ
キシ−１−アダマンチルの重合単位、（メタ）アクリル
酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メ
タ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単
位、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクト
ンの重合単位、式（IIIａ）、（IIIｂ）で示される脂環
式ラクトンの重合単位、ヒドロキシスチレンの重合単
位、式（ＩV）で示される２−ノルボルネンの重合単
位、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である
式（V）で示される無水マレイン酸の重合単位、式（V
I）で示される無水イタコン酸の重合単位などを存在さ
せる場合は、それらの合計が、樹脂全体のうち２０〜９
０モル％の範囲となるようにするのが好ましい。

【００４２】なお、２−ノルボルネン類及び脂肪族不飽
和ジカルボン酸無水物を共重合モノマーとする場合に
は、これらは重合しにくい傾向があるので、この点を考
慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。

【００４３】また、本発明の化学増幅型のポジ型レジス
ト組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素
有機化合物、例えばアミン類を、クェンチャーとして添
加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活に
よる性能劣化を改良できる。クェンチャーに用いられる
塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示さ
れるようなものが挙げられる。

【００４４】

【００４５】

【００４６】式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹⁷は、それぞれ独
立に、水素、アルキル、シクロアルキル又はアリールを
表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリールは、そ
れぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６の
アルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基は、
炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。ま
た、該アルキルは、炭素数１〜６程度が好ましく、該シ
クロアルキルは、炭素数５〜１０程度が好ましく、該ア
リールは、炭素数６〜１０程度が好ましい。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴
及びＲ¹⁵は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロ
アルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキ
ル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、そ
れぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６の
アルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基
は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよ
い。また、該アルキルは、炭素数１〜６程度が好まし
く、該シクロアルキルは、炭素数５〜１０程度が好まし
く、該アリールは、炭素数６〜１０程度が好ましく、該
アルコキシは、炭素数１〜６程度が好ましい。Ｒ¹⁶は、
アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシ
クロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、
炭素数１〜６のアルコキシ基、で置換されていてもよ
い。該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換さ
れていてもよい。また、該アルキルは、炭素数１〜６程
度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数５〜１０程
度が好ましい。Ａは、アルキレン、カルボニル、イミ
ノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレン
は、炭素数２〜６程度であることが好ましい。また、Ｒ
¹¹〜Ｒ¹⁷において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得
るものについては、そのいずれでもよい。

【００４７】本発明のレジスト組成物は、その全固形分
量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％程度、そして
酸発生剤を０.１〜２０重量％程度の範囲で含有するこ
とが好ましい。また、クェンチャーとしての塩基性化合
物を用いる場合は、レジスト組成物の全固形分量を基準
に、０.０１〜１重量％程度の範囲で含有することが好
ましい。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶
解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、
各種の添加物を少量含有することもできる。

【００４８】本発明のレジスト組成物は、通常、上記の
各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とさ
れ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティ
ングなどの常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しう
る。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステ
ル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビ
ン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソ
ブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンの
ようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エス
テル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、そ
れぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることが
できる。

【００４９】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、ア
ルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像
液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液で
あることができるが、一般には、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が
用いられることが多い。

【００５０】

【実施例】次に、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなん
ら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量
を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。ま
た重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィーにより求めた値
である。

【００５１】酸発生剤合成例１：酸発生剤A1の合成
(トリフェニルスルホニウム パーフルオロ−４−エチ
ルシクロヘキサンスルホネートの合成) 四つ口フラスコに、トリフェニルスルホニウム クロリ
ド４．５ｇとアセトニトリル１５５ｇを仕込み、攪拌下
にアセトニトリル１１０ｇに溶解させたパーフルオロ−
４−エチルシクロヘキサンスルホン酸カリウム（ＲＭ９
８、ミテニ製）７．５ｇを加えて、室温で攪拌した。懸
濁液を濾過し、濾液を濃縮した後、クロロホルム３５０
ｇを加えた。得られたクロロホルム溶液をイオン交換水
１００ｇで洗浄した後、濃縮して結晶を得た。この結晶
を、酢酸ブチル７０ｇを用いて再結晶することにより、
トリフェニルスルホニウム パーフルオロ−４−エチル
シクロヘキサンスルホネート７．５ｇ（収率６９％）を
得た。得られた結晶のＥＳＩマススペクトルの結果は、
それぞれｍ／ｚ＝２６３．１、１８７．２（ｐｏｓｉｔ
ｉｖｅ）、ｍ／ｚ＝４６１．０（ｎｅｇａｔｉｖｅ）で
あった。

【００５２】樹脂合成例１(pＮＢＨＦＡ) ポリ５−ノルボルネン−２−（２，２−ジトリフルオロ
メチル−２−ヒドロキシ）エチル（以下、ｐＮＢＨＦＡ
ということがある。）の合成 スクリュー管にテトラフルオロほう酸銀を４.３ｇ量り
取り、１，２−ジクロロエタン４５ｇを加え、ついで、
π−アリルパラジウムクロロブリッジダイマー２.０ｇ
を添加し、撹拌し、錯体を調製した。３０分撹拌後、フ
ィルター濾過し、フラスコ中の５−ノルボルネン−２−
（２，２−ジトリフルオロメチル−２−ヒドロキシ）エ
チル（セントラル硝子（株）より入手）７５ｇと１，２
−ジクロロエタン７５ｇの混合溶液中に滴下した。室温
で、２４時間撹拌後、適量のテトラヒドロフランを加
え、溶液に水素を吹き込み、析出した黒色物を濾過によ
って除去した。得られたろ液を、酢酸エチル溶液に溶媒
置換し、水洗を６回行った。有機層を濃縮後、適量のア
セトンで希釈し、ヘプタン中にチャージ、樹脂を析出さ
せた。その後、デカントにより溶媒を廃棄し、固体を真
空乾燥した。得られたポリ５−ノルボルネン−２−
（２，２−ジトリフルオロメチル−２−ヒドロキシ）エ
チル（ｐＮＢＨＦＡ）の結晶は６０.７ｇであった。ま
た、重量平均分子量は約１４３００、分散度１.８７
（ＧＰＣ法：ポリスチレン換算）であった。

【００５３】樹脂合成例２：樹脂Ｂ１の合成例 フラスコに、合成例１で得られたｐＮＢＨＦＡ６ｇとメ
チルイソブチルケトン６０ｇとジイソプロピルエチルア
ミン７.５ｇを仕込んで、メトキシメチルクロライド３.
９ｇを滴下し、室温で反応させた。反応開始より１４時
間後、適当量のメチルイソブチルケトンを加え、水洗を
６回行った。有機層を濃縮後、適量のアセトンで希釈
し、水３６０ｇ、メタノール２４０ｇの混合液中にチャ
ージし、樹脂を析出させた。濾過後、固体を真空乾燥し
た。得られたｐＮＢＨＦＡの部分メトキシメチル化した
樹脂Ａ１の結晶は６.０ｇであった。また、メトキシメ
チル化率は、核磁気共鳴（¹Ｈ−ＮＭＲ）分光計によ
り、約２４％と求めることができた。

【００５４】樹脂合成例１：樹脂Ｃ１の合成 メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリ
ル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、及びα−メタ
クリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、５：２.５：
２.５のモル比（２０.０部：９.５部：７.３部）で仕込
み、全モノマーに対して２重量倍のメチルイソブチルケ
トンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾ
ビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル
％添加し、８０℃で約８時間加熱した。その後、反応液
を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を３回行い、
精製した。その結果、重量平均分子量が約 9,200の共重
合体を得た。この共重合体を樹脂C１とする。

【００５５】次に、以下の酸発生剤Ｄ１を用いてレジス
ト組成物を調製し、評価した例を示す。 酸発生剤Ｄ１： ４−メチルフェニルジフェニルスルホ
ニウム パーフルオロ−オクタンスルホナート

【００５６】実施例１〜２及び比較例１〜２ 表１に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合
し、さらに孔径０.２μmのフッ素樹脂製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。 樹脂：１０部（種類は表１記載のとおり） 酸発生剤：種類と量は、表１記載のとおり。 クェンチャー：Ｅ；2,6-ジイソプロピルアニリンを0.0075部 Ｆ；テトラブチルアンモニウムハイドロオキサオイドを0.03部 溶剤：プロピレングリコールモノメチルエ−テルアセテート 95部 γ−ブチロラクトン 5部

【００５７】Brewer社製の“DUV-30J”を塗布し、２１
５℃、６０秒の条件でベークして厚さ１,６００Åの有
機反射防止膜を形成させたシリコンウェハーに、上記の
レジスト液を乾燥後の膜厚が０.１９μmとなるようにス
ピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホッ
トプレート上にて１６０℃で６０秒間プリベークした。
こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、 ＡｒＦエ
キシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSR ArF”、NA=0.
55、σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化させてライ
ンアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホッ
トプレート上にて１３０℃で６０秒間ポストエキスポジ
ャーベークを行い、さらに２.３８％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を
行った。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、実効感度及び解像度を調べた。評価結果を表１に示
した。

【００５８】実効感度： ０.１８μmのラインアンドス
ペースパターンが１：１となる最少露光量で表示した。

【００５９】解像度： 実効感度の露光量で分離するラ
インアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。

【００６０】プロファイルＴ／Ｂ：０．１８μｍのライ
ンの上部の長さ（Ｔと示す）と底部（Ｂと示す）の比で
表示した。１に近いほどプロファイルが良好であること
を示す。

【００６１】Ｂｒｅｗｅｒ社製の有機反射防止膜用組成
物である「ＤＵＶ−３０Ｊ−１４」を塗布して２１５
℃、６０秒の条件でベークすることによって厚さ１６０
０Åの有機反射防止膜を形成させたシリコンウェハー
に、上で調製したレジスト液を乾燥後の膜厚が０．１３
μｍとなるよう塗布した。プリベークは、１６０℃６０
秒の条件で、ダイレクトホットプレート上にて行った。
こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、簡易型Ｆ₂
エキシマレーザー露光機〔リソテックジャパン（株）か
ら入手した「ＶＵＶＥＳ−４５００」〕を用い、露光量
を段階的に変化させてオープンフレーム露光した。露光
後は、ダイレクトホットプレート上にて、１３０℃で６
０秒間のポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行
い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。現
像後のウェハーを目視観察して、レジストが膜抜けする
最少露光量（膜抜け感度）を求め、表１の結果を得た。

【００６２】一方、フッ化マグネシウムウェハーに、先
に調製したレジスト液及び樹脂のみをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート溶媒に溶解した液を
乾燥後の膜厚が０．１μｍとなるよう塗布し、１３０
℃、６０秒の条件で、ダイレクトホットプレート上にて
プリベークして、レジスト膜を形成させた。こうして形
成されたレジスト膜の波長１５７ｎｍにおける透過率
を、真空紫外分光器（日本分光製 ＶＵＶ−２００）用
いて測定し、表１に示す結果を得た。

【００６３】

【表１】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 酸発生剤 クエンチャー 実効感度 解像度 Ｔ／Ｂ 157ｎｍ 透過率 露光感度 （mJ/cm²）(μm) (%) (mJ/cm²) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例１ B1 A1(0.19部) Ｅ 14 0.15 1 64 4 実施例２ B1 A1(0.19部) Ｆ 42 0.14 1 64 15 ──────────────────────────────────── 比較例１ B1 D1(0.2部) Ｅ 15 0.15 0.33 64 4 比較例２ B1 D1(0.2部) Ｆ 56 0.15 0.83 64 20 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【００６４】表１に示されるように、実施例のレジスト
組成物は、レジストとして機能し、比較例にくらべて解
像性、プロファイルが向上している。また、１５７ｎｍ
に対する透過率も高く、Ｆ₂用レジストとしても機能す
る。

【００６５】実施例３及び比較例３ 表２に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合
し、さらに孔径０.２μmのフッ素樹脂製フィルターで濾
過してレジスト液を調製した。 樹脂：１０部（種類は表１のとおり） 酸発生剤：種類と量は、表１のとおり。 クェンチャー：2,6-ジイソプロピルアニリンを0.0075部 溶剤：プロピレングリコールモノメチルエ−テルアセテート 57部 γ−ブチロラクトン 3部

【００６６】Brewer社製の“ARC-25”を塗布し、２１５
℃、６０秒の条件でベークして厚さ７８０Åの有機反射
防止膜を形成させたシリコンウェハーに、上記のレジス
ト液を乾燥後の膜厚が０.３８５μmとなるようにスピン
コートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプ
レート上にて１３０℃で６０秒間プリベークした。こう
してレジスト膜を形成したウェハーに、 ＡｒＦエキシ
マステッパー〔(株)ニコン製の“NSR ArF”、NA=0.55、
σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインア
ンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプ
レート上にて１３０℃で６０秒間ポストエキスポジャー
ベークを行い、さらに２.３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行っ
た。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、実
効感度及び解像度を調べた。評価結果を表２に示した。

【００６７】実効感度： ０.１８μmのラインアンドス
ペースパターンが１：１となる最少露光量で表示した。

【００６８】解像度： 実効感度の露光量で分離するラ
インアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。

【００６９】

【表２】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 例 No. 樹脂 酸発生剤 実効感度 解像度 （mJ/cm²） (μm) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例３ C1 A1(0.19部) 20 0.145 ─────────────────────────── 比較例３ C1 D1(0.2部) 20 0.150 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【００７０】表２に示されるように、実施例のレジスト
組成物は、レジストとして好適に機能し、比較例にくら
べて解像性が向上している。

【００７１】

【発明の効果】本発明のスルホニウム塩は、化学増幅型
ポジ型レジストに好適に使用でき、その化学増幅型ポジ
型レジスト組成物は、解像度及びプロファイルが著しく
改善され、感度などのレジスト諸性能も良好である。し
たがって、この組成物は、ＫｒＦエキシマレーザーやＡ
ｒＦエキシマレーザー、Ｆ₂レーザーなどを用いたリソ
グラフィに適しており、それによって高い性能のレジス
トパターンを与える。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠本 武宏 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住 友化学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AC08 AD03 BE07 BE10 BG00 CB08 CB41 CB45 CC20 FA17 4H006 AA01 AA03 AB76 AB92

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩。 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、互いに独立に、水素、水酸
   基、ハロゲン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１
   〜６のアルコキシ基を表す。式中、Ｑは、少なくとも一
   つのフッ素で置換されている脂環式炭化水素基を示し、
   該脂環式炭化水素基は、水酸基、フッ素以外のハロゲ
   ン、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアル
   コキシ基で置換されていても良い。該アルキル基及び該
   アルコキシ基は、それぞれ独立に、水酸基又はハロゲン
   で置換されていても良い。）
2. 【請求項２】式（Ｉ）におけるＱが、脂環式炭化水素基
   における水素が全てフッ素で置換されている基である請
   求項１記載のスルホニウム塩。
3. 【請求項３】下式（ＩＩ）で示されるスルホニウム塩。 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は、前記の定義と同じであ
   る。）
4. 【請求項４】酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、そ
   れ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用で
   アルカリに可溶となる樹脂と、請求項１〜３のいずれか
   に記載の化合物とを含有することを特徴とする化学増幅
   型ポジ型レジスト組成物。
5. 【請求項５】樹脂中の酸に不安定な基を持つ重合単位の
   含有率が、１０〜８０モル％である請求項４に記載の組
   成物。
6. 【請求項６】樹脂中の酸に不安定な基を持つ重合単位
   が、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチ
   ル及び／又は（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチ
   ル）−１−アルキルアルキルの重合単位である請求項４
   又は５に記載の組成物。
7. 【請求項７】樹脂がさらに、下式（ＩＩＩ）で示される
   重合単位から選ばれる少なくとも１種の重合単位を含有
   する請求項４〜６のいずれかに記載の組成物。 （式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素、ハ
   ロゲン、水酸基、炭素数１〜１４のアルキル基、脂環式
   環もしくはラクトン環を表す。該アルキル基は、ハロゲ
   ン、水酸基もしくは脂環式環で置換されていても良い。
   該脂環式環及びラクトン環は、それぞれ独立に、ハロゲ
   ン、水酸基、アルキル基で置換されていても良い。ｎ又
   はｌは、０〜４の整数を表す。Ｒ₇、Ｒ₈は、それぞれ独
   立に、水素又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ₉
   とＲ₁₀のいずれか又は両方は、少なくとも１つのフッ素
   原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基であ
   る。Ｒ ₁₁は、水酸基又は酸の存在下で解離する酸不安定
   基を表す。）
8. 【請求項８】樹脂がさらに、下式（ＩＶ）で示される重
   合単位から選ばれる少なくとも１種の重合単位を含有す
   る請求項４〜８のいずれかに記載の組成物。 （式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素、ハ
   ロゲン、水酸基、炭素数１〜１４のアルキル基、脂環式
   環もしくはラクトン環を表す。該アルキル基は、ハロゲ
   ン、水酸基もしくは脂環式環で置換されていても良い。
   該脂環式環もしくはラクトン環は、それぞれ独立に、ハ
   ロゲン、水酸基、アルキル基で置換されていても良い。
   Ｒ¹¹は、水酸基又は酸の存在下で解離する酸不安定基を
   表す。）
9. 【請求項９】さらに、塩基性化合物をクェンチャーとし
   て含有する請求項４〜８のいずれかに記載の組成物。
10. 【請求項１０】樹脂１００重量部に対して、塩基性化合
    物が０.００１〜１重量部の範囲である請求項９に記載
    の組成物。