JP2003168683A - Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多量の塩化アンモニウムの生成を伴うことな
く、低温化でも十分な成膜速度をもってシリコン（オキ
シ）窒化物膜をＣＶＤ法により製造し得る方法を提供す
る。 【解決手段】シリコン（オキシ）窒化物の前駆体とし
て、式： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物を使用する。
く、低温化でも十分な成膜速度をもってシリコン（オキ
シ）窒化物膜をＣＶＤ法により製造し得る方法を提供す
る。 【解決手段】シリコン（オキシ）窒化物の前駆体とし
て、式： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法によるシ
リコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方
法に関する。
リコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン窒化物膜は、優れたバリヤー特
性、耐酸化特性等を有するので、マイクロ電子デバイス
を製造するに際し、例えばエッチストップ層、バリヤー
層、ゲート絶縁層、ＯＮＯスタック等に使用されてい
る。
性、耐酸化特性等を有するので、マイクロ電子デバイス
を製造するに際し、例えばエッチストップ層、バリヤー
層、ゲート絶縁層、ＯＮＯスタック等に使用されてい
る。
【０００３】シリコン窒化物膜を形成するために現在主
として採用されている方法は、プラズマエンハーンスト
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法と低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法
である。
として採用されている方法は、プラズマエンハーンスト
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法と低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法
である。
【０００４】ＰＥＣＶＤ法は、シリコン源（通常、シラ
ン）と窒素源（通常、アンモニア、最近では、窒素）と
を一対の平行平板電極間に導入し、低温（ほぼ３００
℃）、中圧（０．１〜５Ｔｏｒｒ）の下で、両電極間に
高周波エネルギーを印加してシリコン源と窒素源からプ
ラズマを発生させるものである。発生したプラズマ中の
活性シリコン種と活性窒素種が相互に反応してシリコン
窒化物膜を生成させる。ＰＥＣＶＤ法により得られるシ
リコン窒化物膜は、通常、化学量論的組成を持たず、し
かも水素リッチなものである。したがって、このシリコ
ン窒化物膜は、膜密度が低く、エッチ速度が速く、品質
に劣ったものとなる。
ン）と窒素源（通常、アンモニア、最近では、窒素）と
を一対の平行平板電極間に導入し、低温（ほぼ３００
℃）、中圧（０．１〜５Ｔｏｒｒ）の下で、両電極間に
高周波エネルギーを印加してシリコン源と窒素源からプ
ラズマを発生させるものである。発生したプラズマ中の
活性シリコン種と活性窒素種が相互に反応してシリコン
窒化物膜を生成させる。ＰＥＣＶＤ法により得られるシ
リコン窒化物膜は、通常、化学量論的組成を持たず、し
かも水素リッチなものである。したがって、このシリコ
ン窒化物膜は、膜密度が低く、エッチ速度が速く、品質
に劣ったものとなる。
【０００５】プラズマを用いずに、高品質のシリコン窒
化物膜を堆積させるために、ＬＰＣＶＤ法が使用されて
いる。現行のＬＰＣＶＤ法は、低圧（０．１〜２Ｔｏｒ
ｒ）と高温（７５０〜９００℃）を使用するものであ
り、ＰＥＣＶＤ法により生成するシリコン窒化物膜に比
べて品質の優れたシリコン窒化物膜が得られる。一般
に、このＬＰＣＶＤ法では、従来、ジクロロシラン（Ｄ
ＣＳ）とアンモニアガスを反応させてシリコン窒化物膜
を得ている。しかしながら、従来のＬＰＣＶＤ法では、
シリコン窒化物膜の十分な堆積（成膜）速度（≧１０Å
／分）を得るためには、かなりの高温を必要とする。例
えば、ＤＣＳとアンモニアとの反応には、典型的に、７
５０〜８００℃の温度が用いられている。また、ＤＣＳ
とアンモニアとの反応により塩化アンモニウムが多量に
発生し、これがＣＶＤ反応装置の排気系内に蓄積し、排
気系を閉塞するという問題もある。
化物膜を堆積させるために、ＬＰＣＶＤ法が使用されて
いる。現行のＬＰＣＶＤ法は、低圧（０．１〜２Ｔｏｒ
ｒ）と高温（７５０〜９００℃）を使用するものであ
り、ＰＥＣＶＤ法により生成するシリコン窒化物膜に比
べて品質の優れたシリコン窒化物膜が得られる。一般
に、このＬＰＣＶＤ法では、従来、ジクロロシラン（Ｄ
ＣＳ）とアンモニアガスを反応させてシリコン窒化物膜
を得ている。しかしながら、従来のＬＰＣＶＤ法では、
シリコン窒化物膜の十分な堆積（成膜）速度（≧１０Å
／分）を得るためには、かなりの高温を必要とする。例
えば、ＤＣＳとアンモニアとの反応には、典型的に、７
５０〜８００℃の温度が用いられている。また、ＤＣＳ
とアンモニアとの反応により塩化アンモニウムが多量に
発生し、これがＣＶＤ反応装置の排気系内に蓄積し、排
気系を閉塞するという問題もある。
【０００６】低温で十分なシリコン窒化物膜の堆積速度
を得るために、いくつかのシリコン窒化物前駆体が提案
されている。その１つの例は、ヘキサクロロジシラン
（ＨＣＤＳ）である。ＨＣＤＳは、比較的低温におい
て、反応：Ｓｉ2 Ｃｌ6 →ＳｉＣｌ2 ＋ＳｉＣｌ4 によ
りＳｉＣｌ2 を生成し、これが好適にアンモニアと反応
する。このＨＣＤＳを用いると、シリコン窒化物膜は、
６００℃で約１０Å／分の成膜速度で堆積し得る。
を得るために、いくつかのシリコン窒化物前駆体が提案
されている。その１つの例は、ヘキサクロロジシラン
（ＨＣＤＳ）である。ＨＣＤＳは、比較的低温におい
て、反応：Ｓｉ2 Ｃｌ6 →ＳｉＣｌ2 ＋ＳｉＣｌ4 によ
りＳｉＣｌ2 を生成し、これが好適にアンモニアと反応
する。このＨＣＤＳを用いると、シリコン窒化物膜は、
６００℃で約１０Å／分の成膜速度で堆積し得る。
【０００７】前駆体のもう１つの例は、米国特許第５８
７４３６８号に記載されているビス（ｔｅｒｔ−ブチル
アミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）である。ＢＴＢＡＳも、
ＤＣＳを用いた場合に比較してより低温でシリコン窒化
物膜を堆積させることができ、ＨＣＤＳの場合と同様
に、６００℃で約１０Å／分の成膜速度でシリコン窒化
物膜を堆積させ得る。
７４３６８号に記載されているビス（ｔｅｒｔ−ブチル
アミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）である。ＢＴＢＡＳも、
ＤＣＳを用いた場合に比較してより低温でシリコン窒化
物膜を堆積させることができ、ＨＣＤＳの場合と同様
に、６００℃で約１０Å／分の成膜速度でシリコン窒化
物膜を堆積させ得る。
【０００８】このように、ＨＣＤＳもＢＴＢＡＳも６０
０℃で約１０Å／分の成膜速度を達成し得るものである
が、このことは、５５０℃以下の低温では、工業的に十
分な成膜速度が得られない、すなわち５５０℃以下の低
温では、１０Å／分以上の成膜速度が得られないことを
意味するものである。加えて、これら前駆体には、以下
のような不利点も見られる。
０℃で約１０Å／分の成膜速度を達成し得るものである
が、このことは、５５０℃以下の低温では、工業的に十
分な成膜速度が得られない、すなわち５５０℃以下の低
温では、１０Å／分以上の成膜速度が得られないことを
意味するものである。加えて、これら前駆体には、以下
のような不利点も見られる。
【０００９】すなわち、ＨＣＤＳは、完全塩素化ジシラ
ンであるので塩素含有量が高く、またＳｉ−Ｃｌ結合は
非常に強いものである。従って、得られるシリコン窒化
物膜中の塩素含有量が反応温度が低くなるほど高くな
り、６００℃の反応温度では約２原子％にも達すること
がわかった。また、ＨＣＤＳは、ＤＣＳと同様に塩化ア
ンモニウムの多量発生という問題を生じさせる。
ンであるので塩素含有量が高く、またＳｉ−Ｃｌ結合は
非常に強いものである。従って、得られるシリコン窒化
物膜中の塩素含有量が反応温度が低くなるほど高くな
り、６００℃の反応温度では約２原子％にも達すること
がわかった。また、ＨＣＤＳは、ＤＣＳと同様に塩化ア
ンモニウムの多量発生という問題を生じさせる。
【００１０】ＢＴＢＡＳは、その活性化エネルギーが５
６ｋｃａｌ／モルであるので、反応温度が減少すると、
シリコン窒化物膜の成膜速度が顕著に低下することとな
る。５５０℃の温度では、成膜速度は、わずか３Å／分
まで低下すると見積もられる。
６ｋｃａｌ／モルであるので、反応温度が減少すると、
シリコン窒化物膜の成膜速度が顕著に低下することとな
る。５５０℃の温度では、成膜速度は、わずか３Å／分
まで低下すると見積もられる。
【００１１】以上述べた問題は、シリコン窒化物膜と同
等の物性および用途を有するシリコンオキシ窒化物膜を
上記従来の前駆体を用いて製造する際についても同様に
生じる。
等の物性および用途を有するシリコンオキシ窒化物膜を
上記従来の前駆体を用いて製造する際についても同様に
生じる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、多
量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化で
も十分な成膜速度をもってシリコン窒化物膜もしくはシ
リコンオキシ窒化物膜をＣＶＤ法により製造するための
方法を提供することを課題とする。
量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化で
も十分な成膜速度をもってシリコン窒化物膜もしくはシ
リコンオキシ窒化物膜をＣＶＤ法により製造するための
方法を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
れば、少なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内
に、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物並びにアンモニア、ヒドラジン、
アルキルヒドラジン化合物およびアジ化水素からなる群
の中から選ばれる窒素含有ガスを導入し、反応温度下で
該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガス
を反応させてシリコン窒化物膜を該基板上に形成するこ
とを特徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜の製造
方法が提供される。
れば、少なくとも１つの基板を収容した反応チャンバ内
に、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物並びにアンモニア、ヒドラジン、
アルキルヒドラジン化合物およびアジ化水素からなる群
の中から選ばれる窒素含有ガスを導入し、反応温度下で
該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガス
を反応させてシリコン窒化物膜を該基板上に形成するこ
とを特徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜の製造
方法が提供される。
【００１４】また、本発明の第２の側面によれば、少な
くとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、前記式
（Ｉ）で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合
物、並びにアンモニア、ヒドラジンおよびアジ化水素か
らなる群の中から選ばれる窒素含有ガス、およびＮＯ、
Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 ＯおよびＨ2 Ｏ2 か
らなる群の中から選ばれる酸素含有ガスを導入し、反応
温度下で該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素
含有ガスと酸素含有ガスを反応させてシリコンオキシ窒
化物膜を該基板上に形成することを特徴とするＣＶＤ法
によるシリコンオキシ窒化物膜の製造方法が提供され
る。
くとも１つの基板を収容した反応チャンバ内に、前記式
（Ｉ）で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合
物、並びにアンモニア、ヒドラジンおよびアジ化水素か
らなる群の中から選ばれる窒素含有ガス、およびＮＯ、
Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 ＯおよびＨ2 Ｏ2 か
らなる群の中から選ばれる酸素含有ガスを導入し、反応
温度下で該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素
含有ガスと酸素含有ガスを反応させてシリコンオキシ窒
化物膜を該基板上に形成することを特徴とするＣＶＤ法
によるシリコンオキシ窒化物膜の製造方法が提供され
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳しく説明す
る。本発明は、熱ＣＶＤ法によりシリコン窒化物膜また
はシリコンオキシ窒化物膜（以下、両者に言及すると
き、「シリコン（オキシ）窒化物」膜という）を基板上
に形成するに際し、シリコン（オキシ）窒化物の前駆体
として特定の化合物を用いるものである。
る。本発明は、熱ＣＶＤ法によりシリコン窒化物膜また
はシリコンオキシ窒化物膜（以下、両者に言及すると
き、「シリコン（オキシ）窒化物」膜という）を基板上
に形成するに際し、シリコン（オキシ）窒化物の前駆体
として特定の化合物を用いるものである。
【００１６】本発明に使用されるシリコン（オキシ）窒
化物の前駆体は、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物であ
る。
化物の前駆体は、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） で示されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物であ
る。
【００１７】式（Ｉ）において、各Ｒ0 は、それぞれ独
立に、水素原子、塩素原子または−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基で
あって、少なくとも１つのＲ0 は、−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基
である。−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基において、Ｒ1 およびＲ2
は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ4 炭化水
素（ヒドロカルビル）基であるが、Ｒ1 およびＲ2 が同
時に水素原子であることはない。Ｃ1 〜Ｃ4 炭化水素基
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のＣ1 〜Ｃ4 アル
キル基、およびビニル基が含まれる。
立に、水素原子、塩素原子または−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基で
あって、少なくとも１つのＲ0 は、−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基
である。−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基において、Ｒ1 およびＲ2
は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ4 炭化水
素（ヒドロカルビル）基であるが、Ｒ1 およびＲ2 が同
時に水素原子であることはない。Ｃ1 〜Ｃ4 炭化水素基
には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のＣ1 〜Ｃ4 アル
キル基、およびビニル基が含まれる。
【００１８】式（Ｉ）において、各Ｒ0 が−ＮＲ1 （Ｒ
2 ）基であり、Ｒ1 が水素原子であり、Ｒ2 がＣ1 〜Ｃ
4 炭化水素基である化合物、すなわち、下記式（Ｉ
Ｉ）： （（Ｒ）ＨＮ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（ＮＨ（Ｒ））3 （ＩＩ） （ここで、各Ｒは、それぞれ独立に、Ｃ1 〜Ｃ4 炭化水
素基）で示されるヘキサキス（モノヒドロカルビルアミ
ノ）ジシランは新規化合物であり、本発明において好ま
しい化合物である。
2 ）基であり、Ｒ1 が水素原子であり、Ｒ2 がＣ1 〜Ｃ
4 炭化水素基である化合物、すなわち、下記式（Ｉ
Ｉ）： （（Ｒ）ＨＮ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（ＮＨ（Ｒ））3 （ＩＩ） （ここで、各Ｒは、それぞれ独立に、Ｃ1 〜Ｃ4 炭化水
素基）で示されるヘキサキス（モノヒドロカルビルアミ
ノ）ジシランは新規化合物であり、本発明において好ま
しい化合物である。
【００１９】式（ＩＩ）で示されるヘキサキス（モノヒ
ドロカルビルアミノ）ジシランは、有機溶媒中でヘキサ
クロロジシラン（Ｃｌ3 −Ｓｉ−Ｓｉ−Ｃｌ3 ）をその
６倍モル以上の式：ＲＮＨ2 （ここで、Ｒは、Ｃ1 〜Ｃ
4 炭化水素基）で示されるモノヒドロカルビルアミンと
反応させることにより製造することができる。ヘキサク
ロロジシランと反応させるモノヒドロカルビルアミンに
は、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イ
ソプロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ビニルア
ミン等が含まれる。使用するモノヒドロカルビルアミン
は、単一のモノヒドロカルビルアミンであってもよい
し、混合物であってもよい。しかしながら、製造のし易
さの観点から、単一のモノヒドロカルビルアミンである
ことが好ましく、エチルアミンであることがより好まし
い。
ドロカルビルアミノ）ジシランは、有機溶媒中でヘキサ
クロロジシラン（Ｃｌ3 −Ｓｉ−Ｓｉ−Ｃｌ3 ）をその
６倍モル以上の式：ＲＮＨ2 （ここで、Ｒは、Ｃ1 〜Ｃ
4 炭化水素基）で示されるモノヒドロカルビルアミンと
反応させることにより製造することができる。ヘキサク
ロロジシランと反応させるモノヒドロカルビルアミンに
は、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イ
ソプロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ビニルア
ミン等が含まれる。使用するモノヒドロカルビルアミン
は、単一のモノヒドロカルビルアミンであってもよい
し、混合物であってもよい。しかしながら、製造のし易
さの観点から、単一のモノヒドロカルビルアミンである
ことが好ましく、エチルアミンであることがより好まし
い。
【００２０】上に述べたように、ヘキサクロロジシラン
とモノヒドロカルビルアミンとは、前者１モルに対し、
後者６モル以上の割合で反応させる。しかしながら、Ｎ
−ヒドロカルビルジシラザンの生成を防止するために、
モノヒドロカルビルアミンをヘキサクロロジシランに対
して大過剰に用いることが好ましい。すなわち、ヘキサ
クロロジシランとモノヒドロカルビルアミンとは、１：
１２〜１：３６のモル比で使用することが好ましい。こ
のようにモノヒドロカルビルアミンをヘキサクロロジシ
ランに対し１２倍モル以上の割合で用いることにより、
反応により副生する塩化水素（６モル）をモノヒドロカ
ルビルアミンの塩酸塩（固体）として固定することもで
きる。このモノヒドロカルビルアミン塩酸塩は、反応後
の反応混合物からろ過により容易に除去することができ
る。
とモノヒドロカルビルアミンとは、前者１モルに対し、
後者６モル以上の割合で反応させる。しかしながら、Ｎ
−ヒドロカルビルジシラザンの生成を防止するために、
モノヒドロカルビルアミンをヘキサクロロジシランに対
して大過剰に用いることが好ましい。すなわち、ヘキサ
クロロジシランとモノヒドロカルビルアミンとは、１：
１２〜１：３６のモル比で使用することが好ましい。こ
のようにモノヒドロカルビルアミンをヘキサクロロジシ
ランに対し１２倍モル以上の割合で用いることにより、
反応により副生する塩化水素（６モル）をモノヒドロカ
ルビルアミンの塩酸塩（固体）として固定することもで
きる。このモノヒドロカルビルアミン塩酸塩は、反応後
の反応混合物からろ過により容易に除去することができ
る。
【００２１】ヘキサクロロジシランとモノヒドロカルビ
ルアミンとの反応に使用される反応溶媒は、有機溶媒で
あり、鎖式または環式炭化水素、例えば、ペンタン、ヘ
キサン、オクタン等やテトラヒドロフラン等が含まれ
る。好ましい溶媒は、ペンタンである。
ルアミンとの反応に使用される反応溶媒は、有機溶媒で
あり、鎖式または環式炭化水素、例えば、ペンタン、ヘ
キサン、オクタン等やテトラヒドロフラン等が含まれ
る。好ましい溶媒は、ペンタンである。
【００２２】ヘキサクロロジシランとモノヒドロカルビ
ルアミンとの反応は、好ましくは、−３０℃〜＋５０℃
の温度で行われる。通常、反応溶媒をこの好ましい温度
−３０℃〜＋５０℃の温度に設定し、これにモノヒドロ
カルビルアミンを加えて溶解させた後、ヘキサクロロジ
シランを例えば滴下により徐々に加える。ヘキサクロロ
ジシランは、そのままで、または上記反応溶媒と同種の
溶媒中に溶解させた状態で、滴下することができる。し
かる後、上記温度を保ちながら、この反応溶液を２時間
〜２４時間攪拌しながら反応を行う。この攪拌後、反応
溶液を室温（約２０℃〜５０℃）まで加温し、さらに、
好ましくは１０時間以上、攪拌を続ける。しかる後、固
体の副生成物であるヒドロカルビルアンモニウムクロラ
イドを濾別し、溶媒と残留アミンを減圧下で留去する。
得られたヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシ
ランは、分別蒸留によりさらに精製することができる。
ルアミンとの反応は、好ましくは、−３０℃〜＋５０℃
の温度で行われる。通常、反応溶媒をこの好ましい温度
−３０℃〜＋５０℃の温度に設定し、これにモノヒドロ
カルビルアミンを加えて溶解させた後、ヘキサクロロジ
シランを例えば滴下により徐々に加える。ヘキサクロロ
ジシランは、そのままで、または上記反応溶媒と同種の
溶媒中に溶解させた状態で、滴下することができる。し
かる後、上記温度を保ちながら、この反応溶液を２時間
〜２４時間攪拌しながら反応を行う。この攪拌後、反応
溶液を室温（約２０℃〜５０℃）まで加温し、さらに、
好ましくは１０時間以上、攪拌を続ける。しかる後、固
体の副生成物であるヒドロカルビルアンモニウムクロラ
イドを濾別し、溶媒と残留アミンを減圧下で留去する。
得られたヘキサキス（モノヒドロカルビルアミノ）ジシ
ランは、分別蒸留によりさらに精製することができる。
【００２３】式（ＩＩ）で示されるヘキサキス（モノヒ
ドロカルビルアミノ）ジシランは、常温（約２０℃〜５
０℃）で液状であり、塩素を含まず、またシリコン（オ
キシ）窒化物膜の低温（６００℃以下）での成膜速度に
特に優れ、反応性に富んでいる。この高い反応性は、ケ
イ素原子にモノヒドロカルビルアミノ基が結合している
ことと、弱いＳｉ−Ｓｉ直接結合を有することとに起因
する。式（ＩＩ）で示されるヘキサキス（モノヒドロカ
ルビルアミノ）ジシランとしては、ヘキサキス（モノエ
チルアミノ）ジシランが特に好ましい。
ドロカルビルアミノ）ジシランは、常温（約２０℃〜５
０℃）で液状であり、塩素を含まず、またシリコン（オ
キシ）窒化物膜の低温（６００℃以下）での成膜速度に
特に優れ、反応性に富んでいる。この高い反応性は、ケ
イ素原子にモノヒドロカルビルアミノ基が結合している
ことと、弱いＳｉ−Ｓｉ直接結合を有することとに起因
する。式（ＩＩ）で示されるヘキサキス（モノヒドロカ
ルビルアミノ）ジシランとしては、ヘキサキス（モノエ
チルアミノ）ジシランが特に好ましい。
【００２４】さて、本発明の式（Ｉ）で示されるヒドロ
カルビルアミノジシラン化合物を用いてシリコン窒化物
を形成するためには、少なくとも１つの基板（通常、シ
リコン基板等の半導体基板）を収容した反応チャンバ内
に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシラン化合物お
よび窒素含有ガスを導入し、反応温度下でヒドロカルビ
ルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスを反応させ、シ
リコン窒化物を半導体基板上に堆積させる。窒素含有ガ
スは、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン化
合物およびアジ化水素からなる群の中から選ぶことがで
きる。
カルビルアミノジシラン化合物を用いてシリコン窒化物
を形成するためには、少なくとも１つの基板（通常、シ
リコン基板等の半導体基板）を収容した反応チャンバ内
に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシラン化合物お
よび窒素含有ガスを導入し、反応温度下でヒドロカルビ
ルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスを反応させ、シ
リコン窒化物を半導体基板上に堆積させる。窒素含有ガ
スは、アンモニア、ヒドラジン、アルキルヒドラジン化
合物およびアジ化水素からなる群の中から選ぶことがで
きる。
【００２５】シリコン窒化物を製造する際に反応チャン
バ内に導入されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物
と窒素含有ガスとのモル比は１：２〜１：５０であるこ
とが好ましい。また反応チャンバ内の全圧力は０．１〜
１０Ｔｏｒｒの範囲内に維持することが好ましい。反応
温度は、４５０℃〜６５０℃であることが好ましい。
バ内に導入されるヒドロカルビルアミノジシラン化合物
と窒素含有ガスとのモル比は１：２〜１：５０であるこ
とが好ましい。また反応チャンバ内の全圧力は０．１〜
１０Ｔｏｒｒの範囲内に維持することが好ましい。反応
温度は、４５０℃〜６５０℃であることが好ましい。
【００２６】また、本発明の式（Ｉ）で示されるヒドロ
カルビルアミノジシラン化合物を用いてシリコンオキシ
窒化物を形成するためには、少なくとも１つの基板（通
常、シリコン基板等の半導体基板）を収容した反応チャ
ンバ内に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシラン化
合物、窒素含有ガス、および酸素含有ガスを導入し、反
応温度下でヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素
含有ガスと酸素含有ガスを反応させてシリコンオキシ窒
化物膜を基板上に堆積させる。窒素含有ガスは、シリコ
ン窒化物膜を堆積させる場合と同様、アンモニア、ヒド
ラジンおよびアジ化水素からなる群の中から選ぶことが
できる。また、酸素含有ガスは、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、Ｎ
Ｏ2 、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 ＯおよびＨ2 Ｏ2 からなる群の
中から選ぶことができる。
カルビルアミノジシラン化合物を用いてシリコンオキシ
窒化物を形成するためには、少なくとも１つの基板（通
常、シリコン基板等の半導体基板）を収容した反応チャ
ンバ内に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシラン化
合物、窒素含有ガス、および酸素含有ガスを導入し、反
応温度下でヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素
含有ガスと酸素含有ガスを反応させてシリコンオキシ窒
化物膜を基板上に堆積させる。窒素含有ガスは、シリコ
ン窒化物膜を堆積させる場合と同様、アンモニア、ヒド
ラジンおよびアジ化水素からなる群の中から選ぶことが
できる。また、酸素含有ガスは、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、Ｎ
Ｏ2 、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 ＯおよびＨ2 Ｏ2 からなる群の
中から選ぶことができる。
【００２７】酸素含有ガスが窒素をも含有するガス（Ｎ
Ｏ、Ｎ2 Ｏおよび／またはＮＯ2 ）である場合には、窒
素含有ガスを使用しないでもよく、シリコンオキシ窒化
物を製造する際に反応チャンバ内に導入されるヒドロカ
ルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスとのモル比
は１：０〜１：５０であることが好ましい。酸素含有ガ
スが窒素を含有しないガス（Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏおよび
／またはＨ2 Ｏ2 ）である場合、ヒドロカルビルアミノ
ジシラン化合物と窒素含有ガスとのモル比は１０：１〜
１：５０であることが好ましい。いずれの場合にも、ヒ
ドロカルビルアミノジシラン化合物と酸素含有ガスとの
モル比は５０：１〜１：１０であることが好ましい。ま
た、反応チャンバ内の全圧力は０．１〜１０Ｔｏｒｒの
範囲内に維持することが好ましい。反応温度は、４５０
℃〜７５０℃であることが好ましい。
Ｏ、Ｎ2 Ｏおよび／またはＮＯ2 ）である場合には、窒
素含有ガスを使用しないでもよく、シリコンオキシ窒化
物を製造する際に反応チャンバ内に導入されるヒドロカ
ルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスとのモル比
は１：０〜１：５０であることが好ましい。酸素含有ガ
スが窒素を含有しないガス（Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏおよび
／またはＨ2 Ｏ2 ）である場合、ヒドロカルビルアミノ
ジシラン化合物と窒素含有ガスとのモル比は１０：１〜
１：５０であることが好ましい。いずれの場合にも、ヒ
ドロカルビルアミノジシラン化合物と酸素含有ガスとの
モル比は５０：１〜１：１０であることが好ましい。ま
た、反応チャンバ内の全圧力は０．１〜１０Ｔｏｒｒの
範囲内に維持することが好ましい。反応温度は、４５０
℃〜７５０℃であることが好ましい。
【００２８】本発明に従いシリコン（オキシ）窒化物を
生成させる際に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシ
ラン化合物は、バブラーまたは気化器を用いて気化させ
ることができる。バブラーは、式（Ｉ）のヒドロカルビ
ルアミノジシラン化合物を液状で収容する密閉容器と、
この密閉容器内のヒドロカルビルアミノジシラン化合物
中にキャリヤーガスを吹き込むための吹き込み管、およ
びこの吹き込み管からのヒドロカルビルアミノジシラン
化合物中に吹き込まれたキャリヤーガスに連行されて気
化されたヒドロカルビルアミノジシラン化合物を密閉容
器から排出し反応チャンバに供給するための供給管から
なる。供給管は、その下流端がＣＶＤ反応チャンバに連
通している。密閉容器内の温度と圧力は一定に保つ必要
がある。
生成させる際に、式（Ｉ）のヒドロカルビルアミノジシ
ラン化合物は、バブラーまたは気化器を用いて気化させ
ることができる。バブラーは、式（Ｉ）のヒドロカルビ
ルアミノジシラン化合物を液状で収容する密閉容器と、
この密閉容器内のヒドロカルビルアミノジシラン化合物
中にキャリヤーガスを吹き込むための吹き込み管、およ
びこの吹き込み管からのヒドロカルビルアミノジシラン
化合物中に吹き込まれたキャリヤーガスに連行されて気
化されたヒドロカルビルアミノジシラン化合物を密閉容
器から排出し反応チャンバに供給するための供給管から
なる。供給管は、その下流端がＣＶＤ反応チャンバに連
通している。密閉容器内の温度と圧力は一定に保つ必要
がある。
【００２９】気化器は、ＭＫＳ社製Ｄｉｒｅｃｔ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ（ＤＬＩ
−２５）やＬｉｎｔｅｃ社製気化器ＶＵ−４１０Ａ等を
用いて、ヒドロカルビルアミノジシラン化合物を気化
し、反応チャンバに供給する。
ｑｕｉｄ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ（ＤＬＩ
−２５）やＬｉｎｔｅｃ社製気化器ＶＵ−４１０Ａ等を
用いて、ヒドロカルビルアミノジシラン化合物を気化
し、反応チャンバに供給する。
【００３０】図１は、本発明のシリコン（オキシ）窒化
物膜の製造方法を実施するために好適なＣＶＤ反応装置
の一例を示すブロック図である。
物膜の製造方法を実施するために好適なＣＶＤ反応装置
の一例を示すブロック図である。
【００３１】図１に示すＣＶＤ反応装置１０は、ＣＶＤ
反応チャンバ１１、本発明のヒドロカルビルアミノジシ
ラン化合物（ＨＣＡＤ）の供給源１２、窒素含有ガス供
給源１３、必要により導入される不活性ガス等の希釈ガ
ス供給源１４を備える。シリコンオキシ窒化物を製造す
る場合には、ＣＶＤ反応装置１０は、酸素含有ガス供給
源１５をさらに備える。反応チャンバ１１の周りには、
反応チャンバ１１を所定のＣＶＤ反応温度に加熱するた
めの加熱手段１１１が設けられている（バッチ式処理の
場合。なお、枚葉式処理の場合には、サセプタを加熱す
る）。
反応チャンバ１１、本発明のヒドロカルビルアミノジシ
ラン化合物（ＨＣＡＤ）の供給源１２、窒素含有ガス供
給源１３、必要により導入される不活性ガス等の希釈ガ
ス供給源１４を備える。シリコンオキシ窒化物を製造す
る場合には、ＣＶＤ反応装置１０は、酸素含有ガス供給
源１５をさらに備える。反応チャンバ１１の周りには、
反応チャンバ１１を所定のＣＶＤ反応温度に加熱するた
めの加熱手段１１１が設けられている（バッチ式処理の
場合。なお、枚葉式処理の場合には、サセプタを加熱す
る）。
【００３２】図１に示すＣＶＤ反応装置１０は、ＨＣＡ
Ｄをバブラーにより気相として反応チャンバ１１内に導
入するタイプのものである。ＨＣＡＤ供給源１２は、液
状のＨＣＡＤを収容する密閉容器１２１を備える。密閉
容器内１２１には、窒素等のキャリヤーガスの供給源１
６から弁Ｖ１およびマスフローコントローラー（massfl
ow controller）ＭＦＣ１を介してキャリヤーガスを密
閉容器１２１に収容されたＨＣＡＤ中に吹き込むための
吹き込み管１２２が挿入されている。ＨＣＡＤ中に吹き
込まれて、ＨＣＡＤを同伴したキャリヤーガスは、圧力
調節弁ＰＶを介してラインＬ１中を通り、反応チャンバ
１１内に導入される。ラインＬ１には、圧力センサーＰ
Ｇ１が接続されている。いうまでもなく、反応チャンバ
１１内には、図示しないが、少なくとも１つの基板（通
常、シリコン基板等の半導体基板）が収容されている。
基板の数は、チャックやウエハーボートに収容された１
個〜２５０枚であり得る。
Ｄをバブラーにより気相として反応チャンバ１１内に導
入するタイプのものである。ＨＣＡＤ供給源１２は、液
状のＨＣＡＤを収容する密閉容器１２１を備える。密閉
容器内１２１には、窒素等のキャリヤーガスの供給源１
６から弁Ｖ１およびマスフローコントローラー（massfl
ow controller）ＭＦＣ１を介してキャリヤーガスを密
閉容器１２１に収容されたＨＣＡＤ中に吹き込むための
吹き込み管１２２が挿入されている。ＨＣＡＤ中に吹き
込まれて、ＨＣＡＤを同伴したキャリヤーガスは、圧力
調節弁ＰＶを介してラインＬ１中を通り、反応チャンバ
１１内に導入される。ラインＬ１には、圧力センサーＰ
Ｇ１が接続されている。いうまでもなく、反応チャンバ
１１内には、図示しないが、少なくとも１つの基板（通
常、シリコン基板等の半導体基板）が収容されている。
基板の数は、チャックやウエハーボートに収容された１
個〜２５０枚であり得る。
【００３３】窒素含有ガスの供給源１３からは、アンモ
ニアガス等の窒素含有ガスが、弁Ｖ２、マスフローコン
トローラーＭＦＣ２を介して、ラインＬ２により反応チ
ャンバ１１内に導入される。
ニアガス等の窒素含有ガスが、弁Ｖ２、マスフローコン
トローラーＭＦＣ２を介して、ラインＬ２により反応チ
ャンバ１１内に導入される。
【００３４】必要に応じて導入される希釈ガスは、その
供給源１４から、弁Ｖ３、マスフローコントローラーＭ
ＦＣ３を介して、ラインＬ３およびラインＬ２により反
応チャンバ１１内に導入される。
供給源１４から、弁Ｖ３、マスフローコントローラーＭ
ＦＣ３を介して、ラインＬ３およびラインＬ２により反
応チャンバ１１内に導入される。
【００３５】シリコンオキシ窒化物膜を製造する際に導
入される酸素含有ガスは、その供給源１５から、弁Ｖ
４、マスフローコントローラーＭＦＣ４を介して、ライ
ンＬ４およびラインＬ２により反応チャンバ１１内に導
入される。
入される酸素含有ガスは、その供給源１５から、弁Ｖ
４、マスフローコントローラーＭＦＣ４を介して、ライ
ンＬ４およびラインＬ２により反応チャンバ１１内に導
入される。
【００３６】反応チャンバ１１の出口は、ラインＬ５に
より廃ガス処理装置１７に接続されている。廃ガス処理
装置１７は、副生成物および未反応物質等を除去し、清
浄化されたガスが系外に排出される。ラインＬ５には、
圧力センサーＰＧ２、バタフライ弁ＢＶおよびポンプＰ
Ｍが接続されている。反応チャンバ１１への各ガスの導
入はポンプＰＭの駆動により行われ、反応チャンバ１１
内の圧力は、圧力センサーＰＧ２によりモニターされ、
バタフライ弁ＢＶの開閉により、所定の圧力値に設定さ
れる。
より廃ガス処理装置１７に接続されている。廃ガス処理
装置１７は、副生成物および未反応物質等を除去し、清
浄化されたガスが系外に排出される。ラインＬ５には、
圧力センサーＰＧ２、バタフライ弁ＢＶおよびポンプＰ
Ｍが接続されている。反応チャンバ１１への各ガスの導
入はポンプＰＭの駆動により行われ、反応チャンバ１１
内の圧力は、圧力センサーＰＧ２によりモニターされ、
バタフライ弁ＢＶの開閉により、所定の圧力値に設定さ
れる。
【００３７】操作に当たり、容器１２１は、例えば、５
０〜８０℃に加熱され、ラインＬ１からなるＨＣＡＤ供
給系は、ＨＣＡＤの結露を防止するために、バブラーの
温度より高い温度に加熱されることが好ましい。
０〜８０℃に加熱され、ラインＬ１からなるＨＣＡＤ供
給系は、ＨＣＡＤの結露を防止するために、バブラーの
温度より高い温度に加熱されることが好ましい。
【００３８】図２は、ＨＣＡＤの供給系が異なる以外
は、図１に示すＣＶＤ反応装置１０と同様の構成のＣＶ
Ｄ反応装置である。図２において、図１に示す要素と同
様の要素は、同じ符号が付されており、その詳細な記述
は省略する。
は、図１に示すＣＶＤ反応装置１０と同様の構成のＣＶ
Ｄ反応装置である。図２において、図１に示す要素と同
様の要素は、同じ符号が付されており、その詳細な記述
は省略する。
【００３９】図２に示すＣＶＤ反応装置２０は、気化器
２１を備える。キャリヤーガス源１６からキャリヤーガ
スが弁Ｖ１を介してラインＬ２１を通り、加圧用ガスと
して、密閉容器２２内に液状で収容されているＨＣＡＤ
の気相部に導入され、その圧力により液状ＨＣＡＤは、
弁Ｖ２２およびマスフローコントローラーＭＦＣ２１を
介してラインＬ２２を通って気化器２１に導入される。
また、キャリヤーガス源１６からのキャリヤーガスは、
ラインＬ２１から分岐するラインＬ２２を通り、気化器
２１内に導入される。こうして気化器２１内に導入され
たキャリヤーガスと液状ＨＣＡＤは、気化器内で例えば
６０℃〜２００℃に加熱されてＨＣＡＤが気化し、キャ
リヤーガスと共にラインＬ２３を通って反応チャンバ１
１内に導入される。ラインＬ２３は、ＨＣＡＤの再液化
あるいは結露を防止するために、５０〜１２０℃に加熱
することが好ましい。
２１を備える。キャリヤーガス源１６からキャリヤーガ
スが弁Ｖ１を介してラインＬ２１を通り、加圧用ガスと
して、密閉容器２２内に液状で収容されているＨＣＡＤ
の気相部に導入され、その圧力により液状ＨＣＡＤは、
弁Ｖ２２およびマスフローコントローラーＭＦＣ２１を
介してラインＬ２２を通って気化器２１に導入される。
また、キャリヤーガス源１６からのキャリヤーガスは、
ラインＬ２１から分岐するラインＬ２２を通り、気化器
２１内に導入される。こうして気化器２１内に導入され
たキャリヤーガスと液状ＨＣＡＤは、気化器内で例えば
６０℃〜２００℃に加熱されてＨＣＡＤが気化し、キャ
リヤーガスと共にラインＬ２３を通って反応チャンバ１
１内に導入される。ラインＬ２３は、ＨＣＡＤの再液化
あるいは結露を防止するために、５０〜１２０℃に加熱
することが好ましい。
【００４０】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はそれらに限定されるものではない。
明はそれらに限定されるものではない。
【００４１】合成例１：ヘキサキス（モノエチルアミ
ノ）ジシラン（ＨＥＡＤ）の合成 反応溶媒としてペンタンを使用し、これを０℃に冷却し
た。この冷ペンタンに、０℃に冷却したエチルアミン
（７０ｇ、１．５５モル）を加えてエチルアミン溶液を
調製した。このエチルアミン溶液に、ヘキサクロロジシ
ラン（２６．９ｇ、０．１モル）を徐々に加えた。得ら
れた反応溶液を０℃で２時間攪拌した後、室温（２０
℃）でさらに１５時間攪拌した。副生したエチルアミン
塩酸塩を濾別し、ペンタンとエチルアミンを真空下で留
去した。こうして、ＨＥＡＤを２２．４ｇの収量で得た
（収率：７０％）。
ノ）ジシラン（ＨＥＡＤ）の合成 反応溶媒としてペンタンを使用し、これを０℃に冷却し
た。この冷ペンタンに、０℃に冷却したエチルアミン
（７０ｇ、１．５５モル）を加えてエチルアミン溶液を
調製した。このエチルアミン溶液に、ヘキサクロロジシ
ラン（２６．９ｇ、０．１モル）を徐々に加えた。得ら
れた反応溶液を０℃で２時間攪拌した後、室温（２０
℃）でさらに１５時間攪拌した。副生したエチルアミン
塩酸塩を濾別し、ペンタンとエチルアミンを真空下で留
去した。こうして、ＨＥＡＤを２２．４ｇの収量で得た
（収率：７０％）。
【００４２】＜分析結果＞1
Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6 Ｄ6 、５００ＭＨｚ）：δ＝０．６
１ｐｐｍ（ブロード、−ＮＨ）；δ＝１．１ｐｐｍ（三
重線、−ＣＨ3 ）、δ＝２．９５（五重線、−Ｃ
Ｈ2 ）。
１ｐｐｍ（ブロード、−ＮＨ）；δ＝１．１ｐｐｍ（三
重線、−ＣＨ3 ）、δ＝２．９５（五重線、−Ｃ
Ｈ2 ）。
【００４３】13Ｃ−ＮＭＲ（Ｃ6 Ｄ6 、１２５ＭＨ
ｚ）：２０．７ｐｐｍおよび３６．１ｐｐｍ（−ＣＨ2
−ＣＨ3 ）。
ｚ）：２０．７ｐｐｍおよび３６．１ｐｐｍ（−ＣＨ2
−ＣＨ3 ）。
【００４４】なお、これらのＮＭＲ分析において、Ｓｉ
Ｈ結合に帰属されるシグナルは観察されなかった。
Ｈ結合に帰属されるシグナルは観察されなかった。
【００４５】また、ＱＭＳ（ｍ／ｅ＜２５０）による分
析結果（スペクトル）を図３に示す（図３において、Ｅ
ｔはエチルを表す）。なお、図３において、Ｓｉ−Ｓｉ
結合がいくつかのフラグメントに存在しているが、簡潔
さのために、主ピークのみについてその帰属を示した。
析結果（スペクトル）を図３に示す（図３において、Ｅ
ｔはエチルを表す）。なお、図３において、Ｓｉ−Ｓｉ
結合がいくつかのフラグメントに存在しているが、簡潔
さのために、主ピークのみについてその帰属を示した。
【００４６】さらに、得られたＨＥＡＤ生成物について
イオンクロマトグラフィーにより塩素含有量を測定した
が、痕跡量のレベルに過ぎなかった。また、ＨＥＡＤ生
成物の融点は、２０〜２４℃と見積もられた。
イオンクロマトグラフィーにより塩素含有量を測定した
が、痕跡量のレベルに過ぎなかった。また、ＨＥＡＤ生
成物の融点は、２０〜２４℃と見積もられた。
【００４７】実施例１：シリコン窒化物膜の製造
本実施例では、図２に示すＣＶＤ反応装置と同様の構成
を有するＣＶＤ反応装置を用いてシリコン窒化物膜をシ
リコン半導体基板上に堆積させた。ＨＣＡＤとして、合
成例１で合成したＨＥＡＤを用い、窒素含有ガスとして
アンモニアを用い、キャリヤーガスとして窒素ガスを用
い、以下の条件でシリコン窒化物膜を製造した。その
際、ラインＬ２３は、１１０℃に加熱した。
を有するＣＶＤ反応装置を用いてシリコン窒化物膜をシ
リコン半導体基板上に堆積させた。ＨＣＡＤとして、合
成例１で合成したＨＥＡＤを用い、窒素含有ガスとして
アンモニアを用い、キャリヤーガスとして窒素ガスを用
い、以下の条件でシリコン窒化物膜を製造した。その
際、ラインＬ２３は、１１０℃に加熱した。
【００４８】ＨＥＡＤガス流量：５ｓｃｃｍ
アンモニアガス流量：５０ｓｃｃｍ
キャリヤーガス（窒素ガス）流量：６０ｓｃｃｍ
反応チャンバ内圧力：０．５Ｔｏｒｒ
反応チャンバ温度：５５０℃
気化器温度：１１０℃。
【００４９】この結果、約４５分間で厚さ９００Åのシ
リコン窒化物膜が得られた（シリコン窒化物膜の堆積速
度：２０Å／分）。このシリコン窒化物膜の組成をオー
ジェ電子分光分析によって分析したところ、Ｓｉ1.5Ｎ
1 であった。
リコン窒化物膜が得られた（シリコン窒化物膜の堆積速
度：２０Å／分）。このシリコン窒化物膜の組成をオー
ジェ電子分光分析によって分析したところ、Ｓｉ1.5Ｎ
1 であった。
【００５０】また、反応チャンバ温度を５００℃または
５２５℃とした以外は上記条件下でシリコン窒化物膜を
製造したところ、それぞれ、１０Å／分、１５Å／分の
堆積速度でシリコン窒化物膜が得られた。
５２５℃とした以外は上記条件下でシリコン窒化物膜を
製造したところ、それぞれ、１０Å／分、１５Å／分の
堆積速度でシリコン窒化物膜が得られた。
【００５１】実施例２：シリコンオキシ窒化物膜の製造
本実施例では、図２に示すＣＶＤ反応装置と同様の構成
を有するＣＶＤ反応装置を用いてシリコンオキシ窒化物
膜をシリコン半導体基板上に堆積させた。ＨＣＡＤとし
て、合成例１で合成したＨＥＡＤを用い、窒素含有ガス
としてアンモニアを用い、酸素含有ガスとして酸素を用
い、キャリヤーガスとして窒素ガスを用い、以下の条件
でシリコンオキシ窒化物膜を製造した。その際、ライン
Ｌ２３は、１１０℃に加熱した。
を有するＣＶＤ反応装置を用いてシリコンオキシ窒化物
膜をシリコン半導体基板上に堆積させた。ＨＣＡＤとし
て、合成例１で合成したＨＥＡＤを用い、窒素含有ガス
としてアンモニアを用い、酸素含有ガスとして酸素を用
い、キャリヤーガスとして窒素ガスを用い、以下の条件
でシリコンオキシ窒化物膜を製造した。その際、ライン
Ｌ２３は、１１０℃に加熱した。
【００５２】ＨＥＡＤガス流量：２ｓｃｃｍ
アンモニアガス流量：５０ｓｃｃｍ
酸素ガス流量：１ｓｃｃｍ
キャリヤーガス（窒素ガス）流量：６０ｓｃｃｍ
反応チャンバ内圧力：０．５Ｔｏｒｒ
反応チャンバ温度：５５０℃
気化器温度：１１０℃。
【００５３】この結果、約１００分間で厚さ約２０００
Åのシリコンオキシ窒化物膜が得られた（シリコンオキ
シ窒化物膜の堆積速度：２０Å／分）。このシリコンオ
キシ窒化物膜の組成をオージェ電子分光分析によって分
析したところ、ＳｉＮ0.42Ｏ 0.35であった。
Åのシリコンオキシ窒化物膜が得られた（シリコンオキ
シ窒化物膜の堆積速度：２０Å／分）。このシリコンオ
キシ窒化物膜の組成をオージェ電子分光分析によって分
析したところ、ＳｉＮ0.42Ｏ 0.35であった。
【００５４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、多
量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化で
も十分な成膜速度をもってシリコン窒化物膜もしくはシ
リコンオキシ窒化物膜をＣＶＤ法により製造することが
できる。
量の塩化アンモニウムの生成を伴うことなく、低温化で
も十分な成膜速度をもってシリコン窒化物膜もしくはシ
リコンオキシ窒化物膜をＣＶＤ法により製造することが
できる。
【図１】本発明を実施するために使用し得るＣＶＤ反応
装置の一例を示すブロック図。
装置の一例を示すブロック図。
【図２】本発明を実施するために使用し得るＣＶＤ反応
装置の他の例を示すブロック図。
装置の他の例を示すブロック図。
【図３】合成例１で製造したヘキサキス（モノエチルア
ミノ）ジシランの質量スペクトル。
ミノ）ジシランの質量スペクトル。
１０，２０…ＣＶＤ反応装置
１１…ＣＶＤ反応チャンバ
１２…ヒドロカルビルアミノジシラン（ＨＣＡＤ）供給
源 １３…窒素含有ガス供給源 １４…希釈ガス供給源 １５…酸素含有ガス供給源 １６…キャリヤーガス供給源 １７…廃ガス処理装置 ２１…気化器 ２２…密閉容器 １１１…加熱手段 １２１…密閉容器 １２２…キャリヤーガス吹き込み管 Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ２１〜Ｌ２３…ライン Ｖ１〜Ｖ４，Ｖ２１〜Ｖ２２…弁 ＰＧ１〜ＰＧ２…圧力センサー ＭＦＣ１〜ＭＦＣ４，ＭＦＣ２１〜ＭＦＣ２２…マスフ
ローコントローラー ＢＶ…バタフライ弁 ＰＭ…ポンプ
源 １３…窒素含有ガス供給源 １４…希釈ガス供給源 １５…酸素含有ガス供給源 １６…キャリヤーガス供給源 １７…廃ガス処理装置 ２１…気化器 ２２…密閉容器 １１１…加熱手段 １２１…密閉容器 １２２…キャリヤーガス吹き込み管 Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ２１〜Ｌ２３…ライン Ｖ１〜Ｖ４，Ｖ２１〜Ｖ２２…弁 ＰＧ１〜ＰＧ２…圧力センサー ＭＦＣ１〜ＭＦＣ４，ＭＦＣ２１〜ＭＦＣ２２…マスフ
ローコントローラー ＢＶ…バタフライ弁 ＰＭ…ポンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 クリスチャン・デュサラ
茨城県つくば市東光台１−９−25
Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA11 AA13 BA29 BA40
EA01 EA03 FA10 JA06 JA09
JA10 LA02
5F058 BC08 BF04 BF27 BF55
Claims (18)
- 【請求項１】 少なくとも１つの基板を収容した反応チ
ャンバ内に、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物並びにアンモニア、ヒドラジン、
アルキルヒドラジン化合物およびアジ化水素からなる群
の中から選ばれる窒素含有ガスを導入し、反応温度下で
該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガス
を反応させてシリコン窒化物膜を該基板上に形成するこ
とを特徴とするＣＶＤ法によるシリコン窒化物膜の製造
方法。 - 【請求項２】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化合
物が、各Ｒ0 が−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基であり、Ｒ1 が水素
原子であり、Ｒ2 がＣ1 〜Ｃ4 炭化水素基である式
（Ｉ）の化合物であることを特徴とする請求項１に記載
の製造方法。 - 【請求項３】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化合
物が、ヘキサキス（エチルアミノ）ジシランを包含する
請求項１または２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記反応チャンバ内に導入されるアミノ
ジシラン化合物と窒素含有ガスとのモル比が１：２〜
１：５０であり、前記反応チャンバ内の全圧力が０．１
〜１０Ｔｏｒｒであり、前記反応温度が４５０℃〜６５
０℃であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
か１項に記載の製造方法。 - 【請求項５】 液体状態にある前記ヒドロカルビルアミ
ノジシラン化合物にキャリヤーガスを吹込むことにより
該キャリヤーガスに該ヒドロカルビルアミノジシラン化
合物をガスとして同伴させて供給系を通じて前記反応チ
ャンバに供給することを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化合
物を気化器を用いて気化させ、該気化されたヒドロカル
ビルアミノジシラン化合物を供給系を通じて前記反応チ
ャンバに供給することを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項７】 気化器を６０℃〜２００℃の温度に加熱
することを特徴とする請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 前記供給系を２５℃〜８０℃の温度に維
持することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に
記載の製造方法。 - 【請求項９】 前記反応チャンバが、１つのチャックあ
るいはウエーハボートに積載された１〜２５０枚の半導
体基板を収容する請求項１ないし８のいずれか１項に記
載の製造方法。 - 【請求項１０】 少なくとも１つの基板を収容した反応
チャンバ内に、下記式（Ｉ）： （Ｒ0 ）3 −Ｓｉ−Ｓｉ−（Ｒ0 ）3 （Ｉ） ［ここで、各Ｒ0 は、それぞれ独立に、水素原子、塩素
原子または−ＮＲ1 （Ｒ 2 ）基（ここで、Ｒ1 およびＲ
2 は、それぞれ独立に、水素原子またはＣ1 〜Ｃ 4 炭化
水素基であり、Ｒ1 およびＲ2 が同時に水素原子である
ことはない）であって、少なくとも１つのＲ0 は、前記
−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基である］で示されるヒドロカルビル
アミノジシラン化合物、並びにアンモニア、ヒドラジ
ン、アルキルヒドラジン化合物およびアジ化水素からな
る群の中から選ばれる窒素含有ガス、およびＮＯ、Ｎ2
Ｏ、ＮＯ2 、Ｏ2 、Ｏ3 Ｈ2 Ｏ、およびＨ2 Ｏ2 からな
る群の中から選ばれる酸素含有ガスを導入し、反応温度
下で該ヒドロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有
ガスと酸素含有ガスを反応させてシリコンオキシ窒化物
膜を該基板上に形成することを特徴とするＣＶＤ法によ
るシリコンオキシ窒化物膜の製造方法。 - 【請求項１１】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化
合物が、各Ｒ0 が−ＮＲ1 （Ｒ2 ）基であり、Ｒ1 が水
素原子であり、Ｒ2 がＣ1 〜Ｃ4 炭化水素基である式
（Ｉ）の化合物であることを特徴とする請求項１０に記
載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化
合物が、ヘキサキス（エチルアミノ）ジシランを包含す
る請求項１０または１１に記載の製造方法。 - 【請求項１３】 前記反応チャンバ内に導入されるヒド
ロカルビルアミノジシラン化合物と窒素含有ガスとのモ
ル比が１：０〜１：５０であり、前記ヒドロカルビルア
ミノジシラン化合物と酸素含有ガスとのモル比が５０：
１〜１：１０であり、前記反応チャンバ内の全圧力が
０．１〜１０Ｔｏｒｒであり、前記反応温度が４５０℃
〜７５０℃であることを特徴とする請求項１１ないし１
３のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１４】 液体状態にある前記ヒドロカルビルア
ミノジシラン化合物にキャリヤーガスを吹込むことによ
り該キャリヤーガスに該ヒドロカルビルアミノジシラン
化合物をガスとして同伴させて供給系を通じて前記反応
チャンバに供給することを特徴とする請求項１０ないし
１３のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１５】 前記ヒドロカルビルアミノジシラン化
合物を気化器を用いて気化させ、該気化されたヒドロカ
ルビルアミノジシラン化合物を供給系を通じて前記反応
チャンバに供給することを特徴とする請求項１０ないし
１３のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１６】 気化器を６０℃〜２００℃の温度に加
熱することを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。 - 【請求項１７】 前記供給系を２５℃〜８０℃の温度に
維持することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか
１項に記載の製造方法。 - 【請求項１８】 前記反応チャンバが、１つのチャック
あるいはウエーハボートに積載された１〜２５０枚の半
導体基板を収容する請求項１０ないし１７のいずれか１
項に記載の製造方法。
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| DE60224887T DE60224887T2 (de) | 2001-11-30 | 2002-11-27 | Verfahren zur abscheidung von siliciumnitridfilmen und siliciumoxidnitridfilmen mittels cvd |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520056A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-07-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高品質低温窒化シリコン層を形成する方法及び装置 |
| CN100350574C (zh) * | 2003-01-24 | 2007-11-21 | 东京毅力科创株式会社 | 在被处理基板上形成硅氮化膜的cvd方法 |
| JP2009532582A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 化学気相堆積による窒化珪素膜及び／又はシリコンオキシナイトライド膜の堆積方法 |
| JP2009283587A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Tokyo Electron Ltd | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
| JP2014013889A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-23 | Air Products And Chemicals Inc | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 |
| JP2014531508A (ja) * | 2011-09-01 | 2014-11-27 | メムススター リミテッドＭｅｍｓｓｔａｒ Ｌｉｍｉｔｅｄ | デバイス上にコーティングを堆積させる改善された堆積法 |
| US9978585B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| TWI784022B (zh) * | 2017-07-31 | 2022-11-21 | 中國大陸商南大光電半導體材料有限公司 | 1,1,1-參(二甲胺基)二矽烷及其製備方法 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4358492B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2009-11-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法 |
| US7531679B2 (en) | 2002-11-14 | 2009-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride |
| US7446217B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films |
| KR100496890B1 (ko) * | 2003-08-05 | 2005-06-23 | 삼성전자주식회사 | 액체 케미컬 공급 시스템 및 이 장치를 이용한 액체케미컬 유출 절감 방법 |
| US7601860B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films |
| US7579496B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-08-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US20060062913A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Yun-Ren Wang | Process for depositing btbas-based silicon nitride films |
| US7235492B2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces |
| US7651955B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
| US20060286774A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials. Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
| US7648927B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
| US20070175392A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | American Air Liquide, Inc. | Multiple precursor dispensing apparatus |
| US7964514B2 (en) * | 2006-03-02 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multiple nitrogen plasma treatments for thin SiON dielectrics |
| US20070252299A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Applied Materials, Inc. | Synchronization of precursor pulsing and wafer rotation |
| US7798096B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US20080145978A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-06-19 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Deposition of silicon germanium nitrogen precursors for strain engineering |
| JP4611414B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| DE102009001181A1 (de) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | Wacker Chemie Ag | Cyclische Aza-Silaverbindungen |
| JP5467007B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US7994070B1 (en) | 2010-09-30 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature dielectric film formation by chemical vapor deposition |
| EP2448378A1 (en) | 2010-10-26 | 2012-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Composite build-up materials for embedding of active components |
| WO2013177326A1 (en) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Silicon precursors for low temperature ald of silicon-based thin-films |
| US9382269B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-07-05 | Voltaix, Llc | Halogen free syntheses of aminosilanes by catalytic dehydrogenative coupling |
| US11124876B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-09-21 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| TWI753794B (zh) | 2016-03-23 | 2022-01-21 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 | 形成含矽膜之組成物及其製法與用途 |
| WO2017200908A1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-11-23 | Dow Corning Corporation | Aminochlorohydridodisilanes |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250466A (ja) | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 窒化珪素膜を有する物品の製造法 |
| JPH02138471A (ja) | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JPH0822986A (ja) | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Sony Corp | 絶縁膜の成膜方法 |
| US5874368A (en) * | 1997-10-02 | 1999-02-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane |
| EP0935284A1 (en) | 1998-01-29 | 1999-08-11 | Chul-Ju Hwang | CVD of silicon containing film using Si2H6 |
| CN1226079A (zh) * | 1998-02-12 | 1999-08-18 | 黄喆周 | 半导体器件成膜方法 |
| US5976991A (en) * | 1998-06-11 | 1999-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane |
-
2001
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972663B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
| CN100350574C (zh) * | 2003-01-24 | 2007-11-21 | 东京毅力科创株式会社 | 在被处理基板上形成硅氮化膜的cvd方法 |
| JP2007520056A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-07-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高品質低温窒化シリコン層を形成する方法及び装置 |
| JP4658963B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-03-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高品質低温窒化シリコン層を形成する方法及び装置 |
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| JP2009283587A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Tokyo Electron Ltd | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
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