JPH02138471A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH02138471A JPH02138471A JP29269788A JP29269788A JPH02138471A JP H02138471 A JPH02138471 A JP H02138471A JP 29269788 A JP29269788 A JP 29269788A JP 29269788 A JP29269788 A JP 29269788A JP H02138471 A JPH02138471 A JP H02138471A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体等に用いられるＦｌ膜の製造方
法に関する。
法に関する。
従来の技術
半導体の分野において、絶縁物として用いられている材
料に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、５ｉＣｘ。
料に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、５ｉＣｘ。
があるが、なかでもＳｉＮｘは、高い緻密性、高い誘電
率、優れた絶縁性を示すため、半導体プロセスの各所で
望ましい特性を提供している。
率、優れた絶縁性を示すため、半導体プロセスの各所で
望ましい特性を提供している。
ＳｉＮｘは、プラズマＣＶＤを初め、種々の方法で作製
されているが、熱ＣＶＤ法を用いて作製したＳｉＮｘは
、最も緻密で絶縁性に優れているとされている。
されているが、熱ＣＶＤ法を用いて作製したＳｉＮｘは
、最も緻密で絶縁性に優れているとされている。
この熱ＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮｘを作製する場合、原
料物質としてモノシラン（ＳｉＨ４）と、窒素（Ｎ２）
またはアンモニア（ＮＨ３）またはビトラジン（Ｎ２Ｈ
，）が用いられてきた。
料物質としてモノシラン（ＳｉＨ４）と、窒素（Ｎ２）
またはアンモニア（ＮＨ３）またはビトラジン（Ｎ２Ｈ
，）が用いられてきた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記原料物質を用いた場合、熱分解を起
こすためには５５０℃以上の高温を必要とし、デバイス
作製時において、基板に制約が生じたり、特性を悪化さ
せるという問題が生じる。
こすためには５５０℃以上の高温を必要とし、デバイス
作製時において、基板に制約が生じたり、特性を悪化さ
せるという問題が生じる。
例えば、感光体ドラムを作製する場合、感光層（アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ））上に、表面層として
Ｓｉ３Ｎ４を作製する際、５５０℃に加熱して製膜する
と、ａ−３ｉ：Ｈ中から水素（Ｈ）の離脱が起こり、ａ
−３ｉ：Ｈ中のダングリングボンドの増加をもたらし、
光感度が減少するという問題が生しる。
ファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ））上に、表面層として
Ｓｉ３Ｎ４を作製する際、５５０℃に加熱して製膜する
と、ａ−３ｉ：Ｈ中から水素（Ｈ）の離脱が起こり、ａ
−３ｉ：Ｈ中のダングリングボンドの増加をもたらし、
光感度が減少するという問題が生しる。
課題を解決するための手段
本発明は、加熱した基板上に、ジシラン（Ｓｉ２１１６
）またはトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）のうちの少なくと
も一方と、Ｎ２Ｈ４の混合ガスを熱的に分散、反応させ
ることにより、アモルファスＳ ｉ ２ Ｎ ４薄膜を
形成することにより上記問題点を解決しようとするもの
である。
）またはトリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）のうちの少なくと
も一方と、Ｎ２Ｈ４の混合ガスを熱的に分散、反応させ
ることにより、アモルファスＳ ｉ ２ Ｎ ４薄膜を
形成することにより上記問題点を解決しようとするもの
である。
作用
本発明で用いるＳ １２Ｎ６．Ｓ ｔ３Ｎ、、Ｎ２ Ｈ
。
。
の分解温度は３５０℃であり、比較的低温での製膜が可
能となり従って基板の制約が少なくなる。
能となり従って基板の制約が少なくなる。
また、光感度の優れた感光体薄膜を、堆積速度が早く、
装置コストが比較的安価である熱ＣＶＤ法を用いて製造
することにより安価に提供することができる。
装置コストが比較的安価である熱ＣＶＤ法を用いて製造
することにより安価に提供することができる。
実施例
以下本発明の一実施例の薄膜の製造方法について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
図は本発明の第１の実施例における薄膜の製造方法を表
す装置図である。表面を洗浄したｌｏｗ厚］、０Ｘ１０
ｃ＋ａのアルミニウム（Ａ／２）基板１を、ＣＶＤ炉２
内の固定部材３に固定した。基板ｌは固定部材内の加熱
ヒーター４によって加熱される。
す装置図である。表面を洗浄したｌｏｗ厚］、０Ｘ１０
ｃ＋ａのアルミニウム（Ａ／２）基板１を、ＣＶＤ炉２
内の固定部材３に固定した。基板ｌは固定部材内の加熱
ヒーター４によって加熱される。
温度は熱電対（クロメルアルメル）によって基板ｌの裏
面を直接測定した。続いて排気バルブ５パルプ６を開い
てＣＶＤ炉２内を排気し、約１×１０４ ＴＯＲＲの真
空度にした。その後排気バルブ５を閉じ水素ガスボンベ
のバルブ７、マスフローコントローラー８、バルブ９を
開けＣＶＤ炉２内を１０７ＯＲＩ？にした後、バルブ９
を閉じ基板１を４５０℃になるようにヒーターを加熱し
た。その後水素ガスボンベのバルブ１０、バルブ１１を
開け、マスフローコントローラー１２で流量を５００５
ＣＣＭに調節しヒドラジンバブラー１３に導入した。次
いでＳ ｒ ２ Ｈ６ボンベのバルブ１４、バルブ１５
を開け、マスフローコントローラー１６で１１００５Ｃ
Ｃに二周節した。これによりバフ゛リングされたＮ２Ｈ
。
面を直接測定した。続いて排気バルブ５パルプ６を開い
てＣＶＤ炉２内を排気し、約１×１０４ ＴＯＲＲの真
空度にした。その後排気バルブ５を閉じ水素ガスボンベ
のバルブ７、マスフローコントローラー８、バルブ９を
開けＣＶＤ炉２内を１０７ＯＲＩ？にした後、バルブ９
を閉じ基板１を４５０℃になるようにヒーターを加熱し
た。その後水素ガスボンベのバルブ１０、バルブ１１を
開け、マスフローコントローラー１２で流量を５００５
ＣＣＭに調節しヒドラジンバブラー１３に導入した。次
いでＳ ｒ ２ Ｈ６ボンベのバルブ１４、バルブ１５
を開け、マスフローコントローラー１６で１１００５Ｃ
Ｃに二周節した。これによりバフ゛リングされたＮ２Ｈ
。
とＳｉ２Ｈ６がＣＶＤ炉２内に導入された。反応中ＣＶ
Ｄ炉２内は、排気バルブ５を調節することによりｌ０Ｔ
ＯＲＩ？に保たれた。３０秒後バルブ１１を閉じＳｉ２
Ｈ６は流した状態でバルブ９を開はマスフローコントロ
ーラー８で２００ ＳＣＣＭに調節しＮ２を導入した。
Ｄ炉２内は、排気バルブ５を調節することによりｌ０Ｔ
ＯＲＩ？に保たれた。３０秒後バルブ１１を閉じＳｉ２
Ｈ６は流した状態でバルブ９を開はマスフローコントロ
ーラー８で２００ ＳＣＣＭに調節しＮ２を導入した。
続いてＮ２希釈１０００ＰＰ？１のホスフィン（ＰＨ３
）ガスボンベのバルブ１７、バルブ１８をあけ、マスフ
ローコントローラー１９で１００３ＣＣＭに調節しＰＨ
３を導入した０反応中ＣＶＤ炉２内は、排気バルブ５を
調節することによりｌ０ＴＯＲＨに保たれた。１００分
後、バルブ９、バルブ１８を閉じＳｉ２Ｈ６は流した状
態で再びバルブ１１を開け、水素希釈のＮ２Ｈ，を導入
した。反応中ＣＶＤ炉２内は、排気バルブ５を調節する
ことによりｌ０ＴＯＲＨに保たれた。１５分復式ルブ１
１．１５を閉じヒーター４をＯＦＦにしガスボンベのバ
ルブ７．１０．１４ １７を閉じ排気バルブを全開にし
た。ＣＶＤ炉２内をｌＸｌ０”ＴＯＲＩ？以下にした後
バルブ６を開け、再びＣＶＤ炉２内をＩ Ｘ １０ ′
５ＴＯＲＲ以下にした後バルブ６、排気バルブ５を閉じ
、ＣＶＤ炉２内のリークバルブ２０によって大気圧に戻
して、蒸着膜が形成されたＡｆｆｆｆ基板数り出した。
）ガスボンベのバルブ１７、バルブ１８をあけ、マスフ
ローコントローラー１９で１００３ＣＣＭに調節しＰＨ
３を導入した０反応中ＣＶＤ炉２内は、排気バルブ５を
調節することによりｌ０ＴＯＲＨに保たれた。１００分
後、バルブ９、バルブ１８を閉じＳｉ２Ｈ６は流した状
態で再びバルブ１１を開け、水素希釈のＮ２Ｈ，を導入
した。反応中ＣＶＤ炉２内は、排気バルブ５を調節する
ことによりｌ０ＴＯＲＨに保たれた。１５分復式ルブ１
１．１５を閉じヒーター４をＯＦＦにしガスボンベのバ
ルブ７．１０．１４ １７を閉じ排気バルブを全開にし
た。ＣＶＤ炉２内をｌＸｌ０”ＴＯＲＩ？以下にした後
バルブ６を開け、再びＣＶＤ炉２内をＩ Ｘ １０ ′
５ＴＯＲＲ以下にした後バルブ６、排気バルブ５を閉じ
、ＣＶＤ炉２内のリークバルブ２０によって大気圧に戻
して、蒸着膜が形成されたＡｆｆｆｆ基板数り出した。
その結果Ａｊ！基板１の上に阻止層２１として３００人
のａ−Ｓｉ３Ｎ４層、その上に感光層２２としてＰがド
ーピングされた２０μｍのｎ型ａ−３ｉｓＨ層、さらに
その上に表面層２３として１μｍのａ−３ｉ３Ｎ４Ｎが
形成された電子写真用像形成部材２４を得た。
のａ−Ｓｉ３Ｎ４層、その上に感光層２２としてＰがド
ーピングされた２０μｍのｎ型ａ−３ｉｓＨ層、さらに
その上に表面層２３として１μｍのａ−３ｉ３Ｎ４Ｎが
形成された電子写真用像形成部材２４を得た。
こうして得られた電子写真用像形成部材２４を帯電露光
実験装置に設置し、コロナ放電を行い、続いて露光を行
った。その後直ちに公知の電子写真現像法で現像したと
ころ、画像流れのない解像度の優れた良好な画像を得た
。尚、Ｓｉ２Ｈ６の代わりにＳｉ３Ｈ８またはＳｉ２Ｈ
６と５ｔ８Ｈ８の混合ガスを使用してもよく、Ｎ２ガス
の代わりにＨｅ、Ａｒ、Ｎ２のいずれか、またはその組
合せによりなる混合ガスを用いてもよい。
実験装置に設置し、コロナ放電を行い、続いて露光を行
った。その後直ちに公知の電子写真現像法で現像したと
ころ、画像流れのない解像度の優れた良好な画像を得た
。尚、Ｓｉ２Ｈ６の代わりにＳｉ３Ｈ８またはＳｉ２Ｈ
６と５ｔ８Ｈ８の混合ガスを使用してもよく、Ｎ２ガス
の代わりにＨｅ、Ａｒ、Ｎ２のいずれか、またはその組
合せによりなる混合ガスを用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、Ｓｉ２Ｈ６またはＳｉ３Ｈ８の
うちの少なくとも一方と、Ｎ２Ｈ。
うちの少なくとも一方と、Ｎ２Ｈ。
の混合ガスを熱的に分解、反応させることにより、低温
でアモルファスＳｉ３Ｎ４ｍ膜を形成することができる
ので、デバイス作製時において基板の制約が少なくなり
かつ特性を向上をさせることができる。さらに、熱ＣＶ
Ｄ法を用いるが故に堆積速度が早く、装置コストも安く
、従って工業的に非常に有用である。
でアモルファスＳｉ３Ｎ４ｍ膜を形成することができる
ので、デバイス作製時において基板の制約が少なくなり
かつ特性を向上をさせることができる。さらに、熱ＣＶ
Ｄ法を用いるが故に堆積速度が早く、装置コストも安く
、従って工業的に非常に有用である。
第１図は本発明の一実施例の薄膜の製造方法の概略図、
第２図は本発明のｇＩｖ、の製造方法を用いて作製した
電子写真用像形成部材の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＣＶＤ炉、３・・
・・・・固定部材、４・・・・・・加熱ヒーター、５・
・・・・・排気バルブ、１３・・・・・・ヒドラジンバ
ブラー、２１・・・・・・阻止層、２２・・・・・・感
光層、２３・・・・・・表面層、２４・・・・・・電子
写真用像形成部材料。
第２図は本発明のｇＩｖ、の製造方法を用いて作製した
電子写真用像形成部材の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＣＶＤ炉、３・・
・・・・固定部材、４・・・・・・加熱ヒーター、５・
・・・・・排気バルブ、１３・・・・・・ヒドラジンバ
ブラー、２１・・・・・・阻止層、２２・・・・・・感
光層、２３・・・・・・表面層、２４・・・・・・電子
写真用像形成部材料。
Claims (3)
- （１）加熱した基板上に、Ｓｉ＿２Ｈ＿６またはＳｉ＿
３Ｈ＿８のうちの少なくとも一方と、Ｎ＿２Ｈ＿４の混
合ガスを熱的に分解、反応させることにより、アモルフ
ァスＳｉ＿３Ｎ＿４薄膜を形成することを特徴とする薄
膜の製造方法。 - （２）基板温度は５００℃以下であることを特徴とする
請求項（１）記載の薄膜の製造方法。 - （３）キャリヤーガスとしてＨ＿２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ＿
２のうちいずれか、またはその組合せによりなる混合ガ
スを用いることを特徴とする請求項（１）記載の薄膜の
製造方法。（４）請求項（１）記載のアモルファス薄膜
を用いることを特徴とする感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29269788A JPH02138471A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29269788A JPH02138471A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138471A true JPH02138471A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17785131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29269788A Pending JPH02138471A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365231B2 (en) | 1998-06-26 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ammonium halide eliminator, chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition process |
| WO2003025248A1 (de) * | 2001-08-29 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid |
| WO2003046253A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition |
| JP2004040110A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29269788A patent/JPH02138471A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6365231B2 (en) | 1998-06-26 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ammonium halide eliminator, chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition process |
| WO2003025248A1 (de) * | 2001-08-29 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid |
| WO2003046253A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition |
| US6936548B2 (en) | 2001-11-30 | 2005-08-30 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et, L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition |
| CN100344790C (zh) * | 2001-11-30 | 2007-10-24 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 |
| JP2004040110A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層堆積法によって基板に二酸化シリコン層を堆積する方法 |
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