JP2003168652A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. シリコン基板上にシリコンを含む電極を形成する工程と、前記基板内に不純物拡散領域を形成する工程と、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含む金属層を形成する工程と、熱処理によって前記基板または前記電極に含まれるシリコンと前記金属層とを反応させて、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
2. 前記シリサイド層を形成する工程において、前記熱処理温度が７５０℃以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記金属層が、コバルトおよびニッケルを含む合金で形成されている請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記金属層におけるコバルトとニッケルとの原子比（Ｃｏ：Ｎｉ）が、９５：５〜５０：５０の範囲である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記金属層を形成する工程が、コバルトおよびニッケルを含む合金をターゲットとしたスパッタリングを実施する工程である請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記金属層が、コバルト層とニッケル層とを含む多層構造で形成されている請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記金属層において、コバルト層の層厚（Ｔ_Co）とニッケル層の層厚（Ｔ_Ni）との比（Ｔ_Co：Ｔ_Ni）が、９５：５〜５０：５０の範囲である請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記金属層を形成する工程が、コバルトをターゲットとしたスパッタリングを実施する工程と、ニッケルをターゲットとしたスパッタリングを実施する工程とを含む請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記シリサイド層を形成する工程において、前記熱処理が２段階以上で実施される請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. シリコン基板と、前記基板上に形成されたシリコンを含む電極と、前記基板内に形成された不純物拡散領域とを備えた半導体装置であって、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
11. 前記シリサイド層が、（ＮｉＳｉ ₂ ） _x （ＣｏＳｉ ₂ ） _1-x （但し、０．０５≦ｘ≦０．５である。）の組成式で表される請求項１０に記載の半導体装置。