JP2003163403A - 光素子モジュール - Google Patents

光素子モジュール

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JP2003163403A
JP2003163403A JP2001364450A JP2001364450A JP2003163403A JP 2003163403 A JP2003163403 A JP 2003163403A JP 2001364450 A JP2001364450 A JP 2001364450A JP 2001364450 A JP2001364450 A JP 2001364450A JP 2003163403 A JP2003163403 A JP 2003163403A
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emitting element
connecting portion
coil
optical element
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Shinichi Takagi
晋一 高木
Hiroshi Ariga
博 有賀
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の光素子モジュールは、空心
コイルを実装したフィルター基板を発光素子近傍に実装
し、発光素子と空心コイルはボンディングワイヤ等で電
気的に接続されていた。このため、発光素子と空心コイ
ル間の線路長を１ｍｍ以下程度にすることが困難であ
り、良好な高周波特性が得られないという課題があっ
た。 【解決手段】 発光素子と、この発光素子に電
源からバイアス電流を供給するバイアス回路の一部に用
いられるフィルター部とを備え、このフィルター部はコ
イル部とこのコイル部の一端から伸びる第１の接続部と
を有し、前記第１の接続部は途中でいかなる基板にも電
気的に接合されることなく直接的に前記コイル部と前記
発光素子とを接続するようにして光素子モジュールを構
成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電源供給のため
のバイアス回路にコイルを備えた光素子モジュールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】図２８は従来の光素子モジュールの構造
例を示す上面図である。図２８において、１は電気信号
と光信号の変換を行うための発光素子、２はこの発光素
子１を実装するための窒化アルミ製の基板である発光素
子キャリア、３は上記発光素子１からの後面出力をモニ
タするための受光素子、４はこの受光素子３を実装する
ための受光素子キャリア、５はフィルター、６はこのフ
ィルター５を実装するためのフィルター基板、９は上記
発光素子１等を気密封止するためのパッケージ、１１は
このパッケージ９の内部と外部とを電気的に導通するコ
プレーナ或いはマイクロストリップライン等を備えたフ
ィードスルー、１３はこのフィードスルー１１に設けら
れＲＦ信号を発光素子１に供給する高周波用電極、１５
は上記フィードスルー１１に設けられ上記発光素子１に
図示しない電源からバイアス電流を供給するためのバイ
アス用電極、１７は光信号を伝送するための光ファイバ
である。
【０００３】また、図２９は図２８に示す従来の光素子
モジュールの要部の上面図、図３０は図２９に示す要部
の側面図である。図において１９は上記発光素子キャリ
ア２や受光素子キャリア４が載置されるベースキャリ
ア、２０は上記発光素子キャリア２上に設けられたパタ
ーン、５ａは上記フィルター５の中心部分である空心コ
イル、２１ａ及び２１ｂはこの空心コイル５ａの一端及
び他端から伸びる接続部である。この空心コイル５ａ及
び接続部２１ａ及び２１ｂによってフィルター５は構成
される。また、２２ａ及び２２ｂは上記接続部２１ａ及
び２１ｂを上記フィルター基板６に半田接合するための
半田接合部、２３ａは上記バイアス用電極１５と半田接
合部２２ａとの間に電気的な結線を行うためのボンディ
ングワイヤ、２３ｂは上記半田接合部２２ｂと上記パタ
ーン２０との間に電気的な結線を行うためのボンディン
グワイヤ、２３ｃは上記パターン２０と上記発光素子１
との間に電気的な結線を行うためのボンディングワイ
ヤ、２３ｄは上記パターン２０と上記高周波用電極との
間に電気的な結線を行うためのボンディングワイヤであ
る。
【０００４】従来の光素子モジュールは上述のように構
成され、図示しないドライバＩＣから発信されたＲＦ信
号が、高周波用電極１３、ボンディングワイヤ２３ｄ、
パターン２０、及びボンディングワイヤ２３ｃを経て発
光素子１に入力される。また、発光素子１に電源からバ
イアス電流を供給するためのＤＣ電流がバイアス用電極
１５、ボンディングワイヤ２３ａ、半田接合部２２ａ、
接続部２１ａ、空心コイル５ａ、接続部２１ｂ、半田接
合部２２ｂ、ボンディングワイヤ２３ｂ、パターン２０
及びボンディングワイヤ２３ｃを経て発光素子１に入力
される。
【０００５】即ち、光素子モジュールには、一般的に、
ＲＦ信号を供給する回路のほかに、電源供給のためのバ
イアス回路が設けられている。空心コイル５ａはこのバ
イアス回路に用いるノイズ対策部品であり、ＲＦ信号が
バイアス回路に侵入するのを阻止するフィルターとして
機能する。空心コイル５ａは、精密捲線技術により小
型化が実現できること、低直流抵抗であるため、大電
流化を実現することができること、寄生容量が小さく
自己共振周波数が高いため、広帯域でRF信号を阻止する
ことができること等の理由から、バイアス回路用の部品
として広く用いられている。一方、伝送容量の増加に対
応するためには、光素子モジュールの高速化が必要とな
る。ここ最近、これまでの２．５Ｇｂｐｓの光素子モジ
ュールにかわり、１０Ｇｂｐｓ以上の光素子モジュール
が必要とされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、発光素子１と
バイアス回路（この場合、空心コイル５ａ）間の線路長
（接続部２１ｂ、半田接合部２２ｂ、ボンディングワイ
ヤ２３ｂ、パターン２０及びボンディングワイヤ２３ｃ
の長さの合計）が通過帯域の上限周波数波長の１／４よ
り長くなると、上記発光素子１とバイアス回路間の線路
自身の共振周波数が上記通過帯域内となる。このため、
この共振により通過帯域が制限されてしまう。ここ最近
の１０Ｇｂｐｓ以上の高速化に対応するためには、発光
素子１と空心コイル間５ａの一端との間のの線路長を１
ｍｍ以下程度にする必要がある。
【０００７】従来の光素子モジュールは上述のように、
空心コイル５ａを実装したフィルター基板６を発光素子
１近傍に実装し、発光素子１と空心コイル５ａはボンデ
ィングワイヤ２３ｂ、２３ｃ等で電気的に接続されてい
た。このため、発光素子１と空心コイル５ａ間の線路長
を１ｍｍ以下程度にすることが困難であり、良好な高周
波特性が得られないという課題があった。
【０００８】この発明は上述の課題を解決するために成
されたものであり、発光素子１と空心コイル５ａ間の線
路長を短くし、良好な高周波特性を得る事を目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる光素子
モジュールは、発光素子と、この発光素子に電源からバ
イアス電流を供給するバイアス回路の一部に用いられる
フィルター部とを備え、このフィルター部はコイル部と
このコイル部の一端から伸びる第１の接続部とを有し、
第１の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に接合さ
れることなく直接的にコイル部と発光素子とを接続して
構成されたものである。
【００１０】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、第１の接続部の片側端部が発光素子に熱圧着される
ことにより、コイル部と発光素子とが接続され構成され
たものである。
【００１１】また、この発明にかかる光素子モジュール
の発光素子は表面に金属電極を有し、第１の接続部の片
側端部は導線に金属の被膜を形成して構成され、金属の
被膜を施された片側端部が金属電極に接合されることに
よって、コイル部と発光素子とが接続され構成されたも
のである。
【００１２】また、この発明にかかる光素子モジュール
の発光素子は表面に金属電極を有し、この金属電極に第
１の接続部の片側端部がバンプによって固定される事に
より、コイル部と発光素子とが接続され構成されたもの
である。
【００１３】また、この発明にかかる光素子モジュール
における第１の接続部の片側端部は導線に金属の被膜を
形成して構成されたものである。
【００１４】また、この発明にかかる光素子モジュール
における第１の接続部の長さは発光素子に供給される高
周波信号の上限周波数に対応する波長の１／４よりも短
かく構成されたものである。
【００１５】また、この発明にかかる光素子モジュール
における第１の接続部の長さは１ｍｍ以下として構成さ
れたものである。
【００１６】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、パッケージと、このパッケージの内部と外部とを電
気的に導通すると共に内部に突出する棚部を有するフィ
ードスルーと、パッケージに内包される発光素子と、発
光素子に電源からバイアス電流を供給するバイアス回路
の一部に用いられるフィルター部とを備え、このフィル
ター部はコイル部とこのコイル部の一端から伸びる第１
の接続部とコイル部の他端から伸びる第２の接続部とを
有し、第１の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に
接合されることなく直接的にコイル部と発光素子とを接
続し、第２の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に
接合されることなく直接的にコイル部の他端とフィード
スルーの棚部とを接続して構成されたものである。
【００１７】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、フィードスルーの棚部に設けられ、第２の接続部を
挟んでコイルと電気的に直列に接続された低周波用のフ
ィルター部を有して構成されたものである。
【００１８】また、この発明にかかる光素子モジュール
の発光素子は表面に金電極を有し、フィルター部は一本
の銅線により構成され、コイル部には絶縁被膜が施され
るとともに第１の接続部の片側端部には金被膜が施さ
れ、この金被膜の施された片側端部が発光素子の金電極
に接合されることによって、コイル部と発光素子とが接
続されて構成されたものである。
【００１９】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、発光素子と、この発光素子が実装された基板と、発
光素子に電源からバイアス電流を供給するバイアス回路
の一部に用いられるフィルター部とを備え、このフィル
ター部はコイル部とこのコイル部の一端から伸びる第１
の接続部とを有し、第１の接続部は途中でいかなる他の
基板にも電気的に接合されることなく直接的にコイル部
と発光素子の実装された基板とを接続して構成されたも
のである。
【００２０】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、第１の接続部の片側端部が、発光素子が実装された
基板に熱圧着されることにより、コイル部と発光素子が
実装された基板とが接続され構成されたものである。
【００２１】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、発光素子が実装された基板が表面に金属パターンを
有し、第１の接続部の片側端部は導線に金属の被膜を形
成して構成され、金属の被膜を施された片側端部が金属
パターンに接合されることによって、コイル部と発光素
子が実装された基板とが接続され構成されたものであ
る。
【００２２】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、発光素子が実装された基板が表面に金属パターンを
有し、この金属パターンに第１の接続部の片側端部がバ
ンプによって固定される事により、コイル部と発光素子
が実装された基板とが接続され構成されたものである。
【００２３】また、この発明にかかる光素子モジュール
における第１の接続部の片側端部は導線に金属の被膜を
形成して構成されたものである。
【００２４】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、コイル部の一端から発光素子までの線路長は発光素
子に供給される高周波信号の上限周波数に対応する波長
の１／４よりも短かく構成されたものである。
【００２５】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、コイル部の一端から発光素子までの線路長は１ｍｍ
以下として構成されたものである。
【００２６】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、パッケージと、このパッケージの内部と外部とを電
気的に導通すると共に内部に突出する棚部を有するフィ
ードスルーと、パッケージに内包される発光素子と、こ
の発光素子が実装された基板と発光素子に電源からバイ
アス電流を供給するバイアス回路の一部に用いられるフ
ィルター部とを備え、このフィルター部はコイル部とこ
のコイル部の一端から伸びる第１の接続部とコイル部の
他端から伸びる第２の接続部とを有し、第１の接続部は
途中でいかなる他の基板にも電気的に接合されることな
く直接的にコイル部と発光素子が実装された基板とを接
続し、第２の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に
接合されることなく直接的にコイル部の他端とフィード
スルーの棚部とを接続して構成されたものである。
【００２７】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、フィードスルーの棚部に設けられ、第２の接続部を
挟んでコイルと電気的に直列に接続された低周波用のフ
ィルター部を有して構成されたものである。
【００２８】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、発光素子が実装された基板が表面に金で構成された
金パターンを有し、フィルター部は一本の銅線により構
成され、コイル部には絶縁被膜が施されるとともに第１
の接続部の片側端部には金被膜が施され、この金被膜の
施された片側端部が金パターンに接合されることによっ
て、コイル部と発光素子が実装された基板とが接続され
て構成されたものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１はこの発明の実施の形態１にかかる光素子モジュー
ルの構造を示す上面図である。図において、１１ａはフ
ィードスルー１１の一部であり、パッケージ９の側壁か
ら内側に突出する棚部、１１ｂはパッケージ９の側壁か
ら外側に突出した棚部である。バイアス用電極１５は上
記棚部１１ａ及び１１ｂの表面に形成され、側壁を介し
てパッケージ９の内部と外部を電気的に導通する。ま
た、３０は発光素子１に図示しない電源からバイアス電
流を供給するバイアス回路の一部に用いられるフィルタ
ー部である。このフィルター部３０は発光素子１に一端
を接続され、他端をフィードスルー１１の棚部１１ａ表
面のバイアス用電極１５に接続される。即ちこの実施の
形態１にかかる光素子モジュールにおいて、フィルター
部３０は発光素子１とフィードスルー１１との間に架け
渡される。このため、フィルター部３０を実装するため
の基板は存在しない。
【００３０】次に図２及び図３を用いてフィルター部３
０の構成について詳しく説明する。図２は図１に示す実
施の形態１にかかる光素子モジュールの要部の上面図、
図３は図２に示す要部の側面図である。図３において、
図３（ａ）は、フィードスルー１１側からみたフィルタ
ー部３０の接続の様子を示す側面図、図３（ｂ）は図２
のＩ−Ｉ断面図である。図において３３はフィルター部
３０の中心部分であるコイル部に該当する空心コイル、
３５はこの空心コイル３３の一端から伸びる第１の接続
部、３７は上記空心コイル３３の他端から伸びる第２の
接続部である。上述のようにこの実施の形態では従来存
在したフィルター基板６が存在しない。このため、上記
第１の接続部３５は途中でいかなる基板にも電気的に接
合されることなく直接的に上記空心コイル３３と上記発
光素子１とを接続する。ここで、電気的にとは、機械的
な接続は行われてもよい事を意味する。即ち、フィルタ
ー部３０は、ベースキャリア１９や発光素子キャリア２
等に接着剤等によって機械的に接合（保持）される場合
もある。フィルター部３０の重量が重い場合等を考慮す
るものである。この際、フィルター部３０は空心コイル
３３において、或いは第１の接続部３５、第２の接続部
３７において、機械的にベースキャリア１９や発光素子
キャリア２等に接合される。同様に上記第２の接続部は
途中でいかなる基板にも電気的に接合されることなく直
接的に上記空心コイル３３とフィードスルー１１の棚部
１１ａ表面に設けられたバイアス用電極１５とを接続す
る。
【００３１】ここで、上記第１の接続部３５、空心コイ
ル３３、第２の接続部３７は一本の銅線の途中に螺旋を
形成して空心コイル３３を構成する事により形成され
る。即ち、フィルター部３０は両端以外途中に切断面を
有しない。
【００３２】また、第１の接続部３５の長さは発光素子
１に供給される高周波信号の上限周波数に対応する波長
の１／４よりも短い。即ち、１０Ｇｂｐｓ以上の高速化
を考慮した場合、その長さは１ｍｍ以下である。また、
上記フィルター部３０は発光素子１の背面光が受光素子
３に到達する際邪魔にならない位置に配置される事は言
うまでもない。なお、この実施の形態では、フィードス
ルー１１の高周波用電極１３はコプレーナ線路を形成す
る場合を想定している。また、図３（ｂ）において、パ
ターン２０はストリップ状の導体、発光素子キャリア２
は誘電体基板、ベースキャリア１９は平面導体板であ
る。このため、上記パターン２０、発光素子キャリア
２、ベースキャリア１９はマイクロストリップ線路とし
て機能する。そして、このマイクロストリップ線路は、
上記フィードスルー１１のコプレーナ線路と、ボンディ
ングワイヤ２３ｄによって接続されている。尚、２０ｘ
は発光素子１と発光素子キャリア２との間に介在する地
導体であり、ＶＩＡホール２０ｙにより、平面導体１９
と接続されれている。
【００３３】さらに、図４及び図５を用いて第１の接続
部３５と発光素子１との関係について説明する。図４は
図２における発光素子１と第１の接続部３５の接合部分
を上面から見た拡大図、図５は図４に示す接合部分のI
−I断面における断面図である。図において、１ａは発
光素子１の表面に形成された金属電極である金電極、３
９は上記第１の接続部３５の片側端部、４１はこの片側
端部３９を含む上記フィルター部３０の全長（第１の接
続部３５、空心コイル３３及び第２の接続部３７）に渡
って切断面無しに連通する導線の例である銅線、４３は
この銅線４１に施されたエナメル製の絶縁被膜であり、
空心コイル３３、第１の接続部３５の一部及び第２の接
続部３７の一部に形成される。また、４５は片側端部３
９の部分の銅線４１に形成される金属の被膜である金め
っきである。即ち、フィルター部３０は絶縁被膜４３が
施された一本の銅線４１の途中に螺旋を形成する事によ
り第１の接続部３５と第２の接続部３７との間に空心コ
イル３３を備えた構成を有する。さらに、このフィルタ
ー部３０は、少なくとも第１の接続部３５の片側端部３
９の表面の絶縁被膜４３を除去し、銅線４１に金めっき
を施して構成される。
【００３４】一方、上記金めっき４５を施された片側端
部３９はキャピラリ４７のようなワイヤボンディング用
の装置や治具として広く用いられる器具等を用いて金電
極１ａに熱圧着により接合される。この接合により、空
心コイル３３と発光素子１とは第１の接続部３５によっ
て接続される。尚、超音波を併用した場合、熱圧着の温
度は１５０℃程度である。
【００３５】この実施の形態における光素子モジュール
は上述のような構成としたため、従来存在した半田接合
部２２ｂ、ボンディングワイヤ２３ｂ、フィルター基板
６等を省略することができる。また、ボンディングワイ
ヤ２３ｃやパターン２０を経由することなく、発光素子
１と空心コイル３３とを第１の接続部３５により直接接
合することができる。この結果、両者の間の距離を短く
することができる。そのため、良好な高周波特性を有す
る光素子モジュールを得る事ができる。
【００３６】また、この実施の形態にかかるフィルター
部３０は、全長に渡って一本の銅線４１によって形成さ
れ、第１の接続部３５の片側端部３９の表面に金めっき
を施して構成される。これは、金線で第１の接続部３５
の全てを形成しようとすると、柔らかすぎて空心コイル
３３を形成することが困難であることを考慮したもので
ある。これに対して銅線４１は金に比べると硬い素材で
ある。このため、銅線４１を用いることで空心コイル３
３を作りやすくする効果がある。また、金線では高価で
あり空心コイル３３の価格が高くなってしまう。このた
め、空心コイル３３本体は安価な銅を用い、接合に寄与
する部分だけ絶縁皮膜４３を除去し金めっき４５を施す
ことで、部品コストを下げる効果がある。また、発光素
子１の金メタライズされた金電極１ａとの接合になるた
め、第１の接合部３５の片側端部３９の表面を金めっき
することで接合強度を高くできる効果がある。加えて、
半田等による接合に比べ、発光素子１への熱負荷を小さ
くできるため発光素子１の特性を劣化させることなく接
合させることができる。また、半田等による接合に比
べ、狭所での作業が容易になるという利点もある。さら
に、広く実施されているワイヤボンディング用の装置、
治具（キャピラリ４７等）を用いて接合する事が可能で
あり、接合に要する時間、コストも短縮できる。
【００３７】なお、片側端部３９に関しても金めっき４
５とせず、空心コイル３３同様に絶縁被膜４３を除去し
ないで接合することも考えられる。この場合は約３００
℃程度の高温で片側端部３９に施した絶縁被膜４３を絶
縁破壊し、圧力をかけて上記片側端部３９を発光素子１
の金電極１ａに熱圧着することにより接合することとな
る。しかし、この方法は発光素子１が高温に弱い場合等
においては適切ではない。
【００３８】また、発光素子１に第１の接続部３５の片
側端部３９を抵抗溶接や半田付けなどで接合する方法も
考えられる。しかし、抵抗溶接の場合、発光素子１への
熱負荷が大きく、特性劣化を引き起こす可能性がある。
また、この方法では接合用の治具の寸法が大きくなって
しまう。このため、発光素子１上面の狭い範囲での接合
が困難となる可能性がある。また、半田付けの場合、近
傍に半田が流れだしてしまう恐れがあるため、発光素子
１の発光点に半田が付着してしまう可能性がある。この
ような理由から抵抗溶接や半田付けなどで接合する方法
は片側端部３９の発光素子１への接合の仕方としては妥
当ではない。
【００３９】尚、この実施の形態では一本の銅線４１を
用いてフィルター部３０を構成する場合について説明し
た。しかし、この発明はこれに限定されるものではな
い。即ち、発光素子１に空心コイル３３が途中いかなる
基板にも電気的に接合されることなく直接的に第１の接
合部３５により接合されていれば良い。また、空心コイ
ル３３や第１の接続部３５は銅線４１である場合につい
て説明したが、銅と同等の硬さを有する導電性材料でで
きた導線であれば何でも良い。また、発光素子１の金電
極１ａや片側端部３９の金めっきも最適と考えられる材
質の例示である。従って金に限らず同様の役割を果たす
ものであれば他の金属からできた金属電極や金属の被膜
であっても良い。
【００４０】また、この発明の実施の形態では、図示し
ないドライブＩＣがパッケージ９の外部にある場合につ
いて説明した。しかし、この発明はこれに限定されるこ
とはない。すなわち、これらドライブＩＣはパッケージ
９の内部に内包されてもかまわない。
【００４１】尚、この実施の形態１の説明にあたっては
従来の光素子モジュールと異なる部分について説明し、
同一又は相当する部分についてはその説明を省略した。
【００４２】実施の形態２ 次に実施の形態１の変形例である実施の形態２について
説明する。図６は図２における発光素子１と第１の接続
部３５の接合部分を上面から見た拡大図、図７は図６に
示す接合部分のII−II断面から見た断面図、図８は図６
に示す接合部分のIII−III断面から見た断面図である。
この実施の形態２は第１の接続部３５と発光素子１との
熱圧着の仕方が実施の形態１と異なるのみであり、他の
点は実施の形態１と同様である。
【００４３】図において、３９ａは第１の接続部３５の
片側端部であるが、その表面には金めっきが施されてお
らず、銅線４１が露出している。また、４４はバンプの
例である金バンプである。この金バンプ４４によって、
片側端部３９ａは上記銅線４１の露出する部分におい
て、金電極１ａに押え込まれて接合される。この様な金
バンプ４４の押え込みによっても片側端部３９ａと金電
極１ａを接合できる。この場合にもキャピラリ４７等を
用いて接合を行うことができる。また、図８から明らか
なように、金バンプ４４と金電極１ａとが接合すること
により銅線４１はより強固に金電極１ａに接合される。
また、金バンプ４４と金電極１ａとの間の接合により、
電気的にも導通される。
【００４４】実施の形態３．次に実施の形態１の変形例
である実施の形態３について説明する。図９は図２にお
ける発光素子１と第１の接続部３５の接合部分を上面か
ら見た拡大図、図１０は図９に示す接合部分のIV−IV断
面から見た断面図、図１１は図９に示す接合部分のV−V
断面から見た断面図である。この実施の形態３は第１の
接続部３５と発光素子１との熱圧着の仕方が実施の形態
１と異なるのみであり、他の点は実施の形態１と同様で
ある。
【００４５】図において、３９ｂは第１の接続部３５の
片側端部であり、その表面には金めっき４５が施されい
る。また、４４はバンプの例である金バンプである。こ
の金バンプ４４によって、片側端部３９ａは上記金めっ
き４５が施された部分において、金電極１ａに押え込ま
れて接合される。この様に、金めっき４５を銅線４１に
施したうえで、更に金バンプ４４の押え込みを行うこと
によっても片側端部３９ａと金電極１ａを接合できる。
この場合にもキャピラリ等を用いて接合を行うことがで
きる。また、図１１から明らかなように、金バンプ４４
と金電極１ａとが接合することに加えて、金めっき４５
と金電極１ａとの間も接合される。このため上述の実施
の形態２に比べて銅線４１はより強固に金電極１ａに接
合されることとなる。また、金バンプ４４と金電極１ａ
との間の接合に加えて、金めっき４５と金電極１ａとの
接合によっても銅線４１は金電極１ａに電気的に導通さ
れる。
【００４６】実施の形態４．図１２はこの発明の実施の
形態４にかかる光素子モジュールの構造を示す上面図、
図１３は図１２に示す光素子モジュールの要部を示す上
面図である。図において、５０は低周波用のフィルター
部、５１はこの低周波用のフィルター部５０を実装する
ためのアルミナ製のフィルター基板である。尚、上記低
周波用フィルター部５０は、空心コイルでも良いが、チ
ップインダクタでも良い。低周波用フィルター部５０の
両端は上記フィルター基板５１に半田接合部５３ａ及び
５３ｂにて接合される。一方、この実施の形態におい
て、フィルター部３０は高周波用のフィルター部として
機能する。また、この高周波用のフィルター部３０の第
２の接続部３７の端部は上記フィルター基板５１に半田
接合部５３ｃによって接合される。即ち、第２の接続部
は上述の実施の形態のようにフィードスルー１１に直接
接続される場合の他、この実施の形態のように、フィル
ター基板５１等に接続される事もある。更にこの半田接
合部５３ｃは第３の接続部５５によって上記半田接合部
５３ａと電気的に接続される。さらに、半田接合部５３
ｂも第４の接続部５７によってバイアス用電極１５に電
気的に接続される。即ち、低周波用フィルター部５０は
第２の接続部３７を挟んでフィルター部３０の空心コイ
ル３３と電気的に直列に接続される。
【００４７】ここで、この発明の課題である共振の問題
は主として、発光素子１に近い空心コイル３３と発光素
子１との間の線路長に依存する。従って、この実施の形
態のように、フィルター部を高周波用と低周波用の２つ
に分け、発光素子１に近い高周波用のフィルター部３０
の第１の接続部３５を途中でいかなる基板にも電気的に
接合されることなく直接的に発光素子１に接続する事に
より、高周波特性を従来に比べ向上させることができ
る。ここで、電気的にとは、機械的な接続は行われても
よい事を意味する。即ち、フィルター部３０の重量が重
い場合、フィルター部３０は、ベースキャリア１９や発
光素子キャリア２等に接着剤等によって機械的に接合
（保持）される場合もある。この場合、フィルター部３
０は空心コイル３３において、或いは第１の接続部３
５、第２の接続部３７において、機械的にベースキャリ
ア１９や発光素子キャリア２等に接合される。
【００４８】なお、この実施の形態４の説明にあたって
は実施の形態１に示す光素子モジュールと異なる部分に
ついて説明し、同一又は相当する部分についてはその説
明を省略した。また、この実施の形態４においても第１
の接続部３５と発光素子１との接合の仕方に関し、上記
実施の形態２あるいは実施の形態３を採用することがで
きる。
【００４９】実施の形態５．図１４はこの発明の実施の
形態５にかかる光素子モジュールの構造を示す上面図、
図１５は図１４に示す光素子モジュールの要部を示す上
面図である。図において、５０ａは低周波用のフィルタ
ー部である。この低周波用のフィルター部は空心コイル
でも良いが、チップインダクタでも良い。この低周波用
のフィルター部５０ａはフィードスルー１１の棚部１１
ａ上に設けられる。この低周波用フィルター部５０ａの
両端は棚部１１ａ上に半田接合部５３ｅ及び５３ｆにて
接合される。一方、この実施の形態において、フィルタ
ー部３０は高周波用のフィルター部として機能する。ま
た、この高周波用のフィルター部３０の第２の接続部３
７の端部は棚部１１ａ上の上記半田接合部５３ｆ近傍に
接合される。更に半田接合部５３ｅはバイアス用電極１
５に接続される。即ち、低周波用フィルター部５０ａは
第２の接続部３７を挟んでフィルター部３０の空心コイ
ル３３と電気的に直列に接続される。
【００５０】ここで、この発明の課題である共振の問題
は主として、発光素子１に近い空心コイル３３と発光素
子１との間の線路長に依存する。従って、この実施の形
態のように、フィルター部を高周波用と低周波用の２つ
に分け、発光素子１に近い高周波用のフィルター部３０
の第１の接続部３５を途中でいかなる基板にも電気的に
接合されることなく直接的に発光素子１に接続する事に
より、高周波特性を従来に比べ向上させることができ
る。
【００５１】また、この実施の形態では、低周波用のフ
ィルター部５０ａはフィードスルー１１の棚部１１ａ上
に設けられる。このため、実施の形態４に比べ、フィル
ター基板５１を省略できるという効果もある。
【００５２】なお、この実施の形態４の説明にあたって
は実施の形態１に示す光素子モジュールと異なる部分に
ついて説明し、同一又は相当する部分についてはその説
明を省略した。また、この実施の形態４においても第１
の接続部３５と発光素子１との接合の仕方に関し、上記
実施の形態２あるいは実施の形態３を採用することがで
きる。
【００５３】実施の形態６．図１６はこの発明の実施の
形態６にかかる光素子モジュールの構造を示す上面図で
ある。図において、３０ａは発光素子１に電源からバイ
アス電流を供給するバイアス回路の一部に用いられるフ
ィルター部である。このフィルター部３０ａは発光素子
１が実装された基板である発光素子キャリア２に一端を
接続され、他端をフィードスルー１１の棚部１１ａ表面
のバイアス用電極１５に接続される。なお、５０ａはこ
のバイアス用電極１５に接続された低周波用フィルター
部であるが、ここではチップインダクタが用いられてい
る。なお、この低周波用フィルター部５０ａは省略する
事も可能である。即ちこの実施の形態１にかかる光素子
モジュールにおいて、フィルター部３０ａは発光素子キ
ャリア２とフィードスルー１１との間に架け渡される。
このため、この実施の形態においても従来存在したフィ
ルター部３０ａを実装するための基板は存在しない。
【００５４】次に図１７及び図１８を用いてフィルター
部３０ａの構成について詳しく説明する。図１７は図１
６に示す実施の形態６にかかる光素子モジュールの要部
の上面図、図１８は図１６に示す要部の側面図である。
図において６０ａ及び６０ｂは発光素子キャリア２の表
面に設けられた金属パターンである金パターンである。
この金パターン６０ａの上面に発光素子１が載置され
る。発光素子１と金パターン６０ｂはボンディングワイ
ヤ２３ｃによって接続される。尚、マイクロストリップ
線路等の詳細は図２、図３と同様である。
【００５５】また、３３はフィルター部３０ａの中心部
分であるコイル部に該当する空心コイル、３５ａはこの
空心コイル３３の一端から伸びる第１の接続部である。
この第１の接続部３５ａは端部を上記金パターン６０ｂ
に熱圧着により接合される。また、３７は上記空心コイ
ル３３の他端から伸びる第２の接続部である。上述のよ
うにこの実施の形態では従来存在したフィルター基板６
が存在しない。このため、上記第１の接続部３５ａは途
中でいかなる基板にも電気的に接合されることなく直接
的に上記空心コイル３３と上記発光素子１が実装された
基板である発光素子キャリア２とを接続する。同様に、
上記第２の接続部３７も途中でいかなる基板にも電気的
に接合されることなく直接的に空心コイル３３とフィー
ドスルー１１の棚部１１ａ表面に設けられたバイアス用
電極１５とを接続する。
【００５６】また、空心コイル３３の一端から発光素子
１までの線路長、即ち、第１の接続部３５ａの長さ、金
パターン６０ｂ及びボンディングワイヤ２３ｃの長さの
合計はは発光素子１に供給される高周波信号の上限周波
数に対応する波長の１／４よりも短い。即ち、１０Ｇｂ
ｐｓ以上の高速化を考慮した場合、その長さは１ｍｍ以
下である。
【００５７】さらに、図１９から図２１を用いて第１の
接続部３５ａと発光素子キャリア２との関係について説
明する。図１９は図１７における発光素子キャリア２と
第１の接続部３５ａの接合部分を上面から見た拡大図、
図２０は図１９に示す接合部分のI−I断面における断面
図、図２１は図１９に示す接合部分のII−II断面におけ
る断面図である。
【００５８】図において、３９は上記第１の接続部３５
ａの片側端部であり、上記金パターン６０ｂに熱圧着さ
れる。４１はこの片側端部３９を含む上記フィルター部
３０の全長（第１の接続部３５ａ、空心コイル３３及び
第２の接続部３７）に渡って切断面無しに連通する銅
線、４３はこの銅線４１に施された絶縁被膜であり、空
心コイル３３、第１の接続部３５ａの一部及び第２の接
続部３７の一部に形成される。また、４５は片側端部３
９の部分の銅線４１に形成される金属の被膜である金め
っきである。即ち、フィルター部３０ａは絶縁被膜４３
が施された一本の銅線４１の途中に螺旋を形成する事に
より第１の接続部３５ａと第２の接続部３７との間に空
心コイル３３を備えた構成を有する。さらに、このフィ
ルター部３０ａは、少なくとも第１の接続部３５ａの片
側端部３９の表面の絶縁被膜４３を除去し、銅線４１に
金めっき４５を施して構成される。
【００５９】一方、上記金めっき４５を施された片側端
部３９はキャピラリ４７のようなワイヤボンディング用
の装置や治具として広く用いられる器具等を用いて金パ
ターン６０ｂに熱圧着により接合される。この接合によ
り、空心コイル３３と発光素子キャリア２とは第１の接
続部３５ａによって接続される。尚、熱圧着の温度は１
５０℃程度であり、接合の際、超音波を併用する事もで
きる。
【００６０】この実施の形態における光素子モジュール
は上述のような構成としたため、従来存在した半田接合
部２２ｂ、ボンディングワイヤ２３ｂ等を省略すること
ができる。このため、発光素子キャリア２と空心コイル
３３とを第１の接続部３５ａにより直接接合することが
でき、両者の間の距離を短くすることができる。その結
果、良好な高周波特性を有する光素子モジュールを得る
事ができる。
【００６１】また、この実施の形態にかかるフィルター
部３０は、全長に渡って一本の銅線４１によって形成さ
れ、第１の接続部３５ａの片側端部３９の表面に金めっ
き４５を施して構成される。これは、全てを金線で構成
したのでは柔らかすぎて空心コイル３３を形成すること
が困難であるため、銅線４１を用いることで空心コイル
３３を作りやすくする効果がある。また、金線では高価
であり空心コイル３３の価格が高くなってしまうため、
空心コイル３３本体は安価な銅を用い、接合に寄与する
部分だけ絶縁皮膜４３を除去し金めっき４５を施すこと
で、部品コストを下げる効果がある。また、発光素子キ
ャリア２の金メタライズされた金パターン６０ｂとの接
合になるため、第１の接合部３５ａの片側端部３９の表
面を金めっき４５することで接合強度を高くできる効果
がある。また、この実施の形態では、発光素子１に片側
端部３９を接合しない。このため、発光素子１への熱負
荷を小さくできるため発光素子１の特性をより劣化させ
ることなく接合させることができる。さらに、広く実施
されているワイヤボンディング用の装置、治具（キャピ
ラリ４７等）を用いて接合する事が可能であり、接合に
要する時間、コストも短縮できる。
【００６２】尚、この実施の形態６においては発光素子
１とボンディングワイヤ２３ｃで接続された金パターン
６０ｂに第１の接続部３５ａの片側端部３９が接合され
る場合について説明した。しかし、この発明はこれに限
定されるものではない。即ち、発光素子キャリア２上に
設けられた金パターンであれば、発光素子１が載置され
た金パターン６０ａに片側端部３９が接合されても良
い。また、金に限らずアルミのパターンであっても良
い。
【００６３】また、この実施の形態６の説明にあたって
は実施の形態１の光素子モジュールと異なる部分につい
て説明し、同一又は相当する部分についてはその説明を
省略した。加えて、この実施の形態においても実施の形
態１と同様に低周波用のフィルタ５０を用い、実施の形
態４及び実施の形態５に示すような構成のバリエーショ
ンを作成することができる。即ち、図１２同様にフィル
ター基板５１に低周波用フィルター部５０を実装し、フ
ィルター部３０の第２の接続部３７の端部をこの低周波
用のフィルター部５０の一端と電気的に接続させた構成
とすることができる。このような構成とすることで、低
周波用フィルター部５０は第２の接続部３７を挟んでフ
ィルター部３０の空心コイル３３と電気的に直列に接続
される。
【００６４】さらに、図１４のように低周波用のフィル
ター部５０ａをフィードスルー１１の棚部１１ａに設
け、この低周波用フィルター部５０ａの一端と第２の接
続部３７の端部を接続させる事もできる。このような構
成とすることにより、上記低周波用のフィルター部５０
ａは第２の接続部３７を挟んで空心コイル３３と電気的
に直列に接続される。
【００６５】実施の形態７．次に実施の形態６の変形例
である実施の形態７について説明する。図２２は図１７
における発光素子キャリア２と第１の接続部３５ａの接
合部分を上面から見た拡大図、図２３は図２２に示す接
合部分のIII−III断面から見た断面図、図２４は図２２
に示す接合部分のIV−IV断面から見た断面図である。こ
の実施の形態７は第１の接続部３５ａと発光素子キャリ
ア２との熱圧着の仕方が実施の形態６と異なるのみであ
り、他の点は実施の形態６と同様である。
【００６６】図において、３９ａは第１の接続部３５ａ
の片側端部であるが、その表面には金めっきが施されて
おらず、銅線４１が露出している。また、４４はバンプ
の例である金バンプである。この金バンプ４４によっ
て、片側端部３９ａは上記銅線４１の露出する部分にお
いて、金パターン６０ｂに押え込まれて接合される。こ
の様な金バンプ４４の押え込みによっても片側端部３９
ａと金パターン６０ｂを接合することができる。この場
合にもキャピラリ等を用いて接合を行うことが可能であ
る。また、図２４から明らかなように、金バンプ４４と
金パターン６０ｂとが接合することにより銅線４１はよ
り強固に金パターン６０ｂに接合される。また、金バン
プ４４と金パターン６０ｂとの間の接合により、電気的
にも導通される。
【００６７】実施の形態８．次に実施の形態６の変形例
である実施の形態８について説明する。図２５は図１７
における発光素子キャリア２と第１の接続部３５ａの接
合部分を上面から見た拡大図、図２６は図２５に示す接
合部分のV−V断面から見た断面図、図２７は図２５に示
す接合部分のVI−VI断面から見た断面図である。この実
施の形態８は第１の接続部３５ａと発光素子キャリア２
との熱圧着の仕方が実施の形態６と異なるのみであり、
他の点は実施の形態６と同様である。
【００６８】図において、３９ｂは第１の接続部３５ａ
の片側端部であり、その表面には金めっき４５が施され
いる。また、４４はバンプの例である金バンプである。
この金バンプ４４によって、片側端部３９ａは上記金め
っき４５が施された部分において、金パターン６０ｂに
押え込まれて接合される。この様に、金めっき４５を銅
線４１に施したうえで、更に金バンプ４４の押え込みを
行うことによっても片側端部３９ａと金パターン６０ｂ
を接合できる。この場合にもキャピラリ等を用いて接合
を行うことが可能である。また、図２７から明らかなよ
うに、金バンプ４４と金パターン６０ｂとが接合するこ
とに加えて、金めっき４５と金パターン６０ｂとの間も
接合される。このため上述の実施の形態７に比べて銅線
４１はより強固に金パターン６０ｂに接合されることと
なる。また、金バンプ４４と金パターン６０ｂとの間の
接合に加えて、金めっき４５と金パターン６０ｂとの接
合によっても銅線４１は金パターン６０ｂに電気的に導
通される。
【００６９】
【発明の効果】この発明にかかる光素子モジュールは、
発光素子と、この発光素子に電源からバイアス電流を供
給するバイアス回路の一部に用いられるフィルター部と
を備え、このフィルター部はコイル部とこのコイル部の
一端から伸びる第１の接続部とを有し、第１の接続部は
途中でいかなる基板にも電気的に接合されることなく直
接的にコイル部と発光素子とを接続して構成されたもの
であり、発光素子とコイル間の線路長を短くし、良好な
高周波特性を得ることができる。
【００７０】また、この発明にかかる光素子モジュール
は、発光素子と、この発光素子が実装された基板と、発
光素子に電源からバイアス電流を供給するバイアス回路
の一部に用いられるフィルター部とを備え、このフィル
ター部はコイル部とこのコイル部の一端から伸びる第１
の接続部とを有し、第１の接続部は途中でいかなる他の
基板にも電気的に接合されることなく直接的にコイル部
と発光素子の実装された基板とを接続して構成されたも
のであり、発光素子とコイル間の線路長を短くし、良好
な高周波特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１にかかる光素子モジュ
ールの構造を示す上面図である。
【図２】図１に示す実施の形態１にかかる光素子モジュ
ールの要部の上面図である。
【図３】図３は図２に示す要部の側面図である。
【図４】図２における発光素子１と第１の接続部３５の
接合部分を上面から見た拡大図である。
【図５】図４に示す接合部分のI−I断面における断面図
である。
【図６】図２における発光素子１と第１の接続部３５の
接合部分を上面から見た拡大図である。
【図７】図６に示す接合部分のII−II断面から見た断面
図である。
【図８】図６に示す接合部分のIII−III断面から見た断
面図である。
【図９】図２における発光素子１と第１の接続部３５の
接合部分を上面から見た拡大図である。
【図１０】図９に示す接合部分のIV−IV断面から見た断
面図である。
【図１１】図９に示す接合部分のV−V断面から見た断面
図である。
【図１２】この発明の実施の形態４にかかる光素子モジ
ュールの構造を示す上面図である。
【図１３】図１２に示す光素子モジュールの要部を示す
上面図である。
【図１４】この発明の実施の形態５にかかる光素子モジ
ュールの構造を示す上面図である。
【図１５】図１４に示す光素子モジュールの要部を示す
上面図である。
【図１６】この発明の実施の形態６にかかる光素子モジ
ュールの構造を示す上面図である。
【図１７】図１６に示す実施の形態６にかかる光素子モ
ジュールの要部の上面図である。
【図１８】図１６に示す要部の側面図である。
【図１９】図１７における発光素子キャリア２と第１の
接続部３５ａの接合部分を上面から見た拡大図である。
【図２０】図１９に示す接合部分のI−I断面における断
面図である。
【図２１】図１９に示す接合部分のII−II断面における
断面図である。
【図２２】図１７における発光素子キャリア２と第１の
接続部３５ａの接合部分を上面から見た拡大図である。
【図２３】図２２に示す接合部分のIII−III断面から見
た断面図である。
【図２４】図２２に示す接合部分のIV−IV断面から見た
断面図である。
【図２５】図１７における発光素子キャリア２と第１の
接続部３５ａの接合部分を上面から見た拡大図である。
【図２６】図２５に示す接合部分のV−V断面から見た断
面図である。
【図２７】図２５に示す接合部分のVI−VI断面から見た
断面図である。
【図２８】従来の光素子モジュールの構造例を示す上面
図である。
【図２９】図２８に示す従来の光素子モジュールの要部
の上面図である。
【図３０】図２９に示す要部の側面図である。
【符号の説明】
１ 発光素子、１ａ 金電極、２ 発光素子キャリア、
３ 受光素子、４ 受光素子キャリア、５ フィルタ
ー、５ａ 空心コイル、６ フィルター基板、９パッケ
ージ、１１ フィードスルー、１３ 高周波用電極、１
５ バイアス用電極、１７ 光ファイバ、１１ａ 棚
部、１１ｂ 棚部、１９ ベースキャリア、２０ パタ
ーン、２１ａ 接続部、２１ｂ 接続部、２２ａ 半田
接合部、２２ｂ 半田接合部、２３ａ ボンディングワ
イヤ、２３ｂ ボンディングワイヤ、２３ｃ ボンディ
ングワイヤ、２３ｄ ボンディングワイヤ、３０ フィ
ルター部、３０ａ フィルター部、３３ 空心コイル、
３５ 第１の接続部、３５ａ第１の接続部、３７ 第２
の接続部、３９ 片側端部、３９ａ 片側端部、３９ｂ
片側端部、４１ 銅線、４３ 絶縁被膜、４４ 金バ
ンプ、４５ 金めっき、４７ キャピラリ、５０ 低周
波用のフィルター部、５０ａ 低周波用のフィルター
部、５１ フィルター基板、５３ａ 半田接合部、５３
ｂ 半田接合部、５３ｃ 半田接合部、５３ｅ 半田接
合部、５３ｆ 半田接合部、５５ 第３の接続部、５７
第４の接続部、６０ａ 金パターン、６０ｂ 金パタ
ーン

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発光素子と、この発光素子に電源からバイ
    アス電流を供給するバイアス回路の一部に用いられるフ
    ィルター部とを備え、このフィルター部はコイル部とこ
    のコイル部の一端から伸びる第１の接続部とを有し、前
    記第１の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に接合
    されることなく直接的に前記コイル部と前記発光素子と
    を接続することを特徴とする光素子モジュール。
  2. 【請求項２】第１の接続部の片側端部が発光素子に熱圧
    着されることにより、前記コイル部と前記発光素子とが
    接続された事を特徴とする請求項１に記載の光素子モジ
    ュール。
  3. 【請求項３】発光素子は表面に金属電極を有し、第１の
    接続部の片側端部は導線に金属の被膜を形成して構成さ
    れ、前記金属の被膜を施された片側端部が前記金属電極
    に接合されることによって、前記コイル部と前記発光素
    子とが接続された事を特徴とする請求項１に記載の光素
    子モジュール。
  4. 【請求項４】発光素子は表面に金属電極を有し、この金
    属電極に第１の接続部の片側端部がバンプによって固定
    される事により、コイル部と前記発光素子とが接続され
    た事を特徴とする請求項１に記載の光素子モジュール。
  5. 【請求項５】第１の接続部の片側端部は導線に金属の被
    膜を形成して構成されたことを特徴とする請求項４に記
    載の光素子モジュール。
  6. 【請求項６】第１の接続部の長さは発光素子に供給され
    る高周波信号の上限周波数に対応する波長の１／４より
    も短いことを特徴とする請求項１に記載の光素子モジュ
    ール。
  7. 【請求項７】第１の接続部の長さは１ｍｍ以下であるこ
    とを特徴とした請求項１に記載の光素子モジュール。
  8. 【請求項８】パッケージと、このパッケージの内部と外
    部とを電気的に導通すると共に前記内部に突出する棚部
    を有するフィードスルーと、前記パッケージに内包され
    る発光素子と、前記発光素子に電源からバイアス電流を
    供給するバイアス回路の一部に用いられるフィルター部
    とを備え、このフィルター部はコイル部とこのコイル部
    の一端から伸びる第１の接続部と前記コイル部の他端か
    ら伸びる第２の接続部とを有し、前記第１の接続部は途
    中でいかなる基板にも電気的に接合されることなく直接
    的に前記コイル部と前記発光素子とを接続し、前記第２
    の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に接合される
    ことなく直接的に前記コイル部の他端と前記フィードス
    ルーの棚部とを接続することを特徴とする光素子モジュ
    ール。
  9. 【請求項９】フィードスルーの棚部に設けられ、第２の
    接続部を挟んでコイルと電気的に直列に接続された低周
    波用のフィルター部を有する事を特徴とする請求項８に
    記載の光素子モジュール。
  10. 【請求項１０】発光素子は表面に金電極を有し、フィル
    ター部は一本の銅線により構成され、コイル部には絶縁
    被膜が施されるとともに第１の接続部の片側端部には金
    被膜が施され、 この金被膜の施された片側端部が前記発光素子の金電極
    に接合されることによって、前記コイル部と前記発光素
    子とが接続された事を特徴とする請求項１に記載の光素
    子モジュール。
  11. 【請求項１１】発光素子と、この発光素子が実装された
    基板と、前記発光素子に電源からバイアス電流を供給す
    るバイアス回路の一部に用いられるフィルター部とを備
    え、このフィルター部はコイル部とこのコイル部の一端
    から伸びる第１の接続部とを有し、前記第１の接続部は
    途中でいかなる他の基板にも電気的に接合されることな
    く直接的に前記発光素子が実装された基板と前記コイル
    部とを接続することを特徴とする光素子モジュール。
  12. 【請求項１２】第１の接続部の片側端部が発光素子が実
    装された基板に熱圧着されることにより、前記コイル部
    と前記発光素子が実装された基板とが接続された事を特
    徴とする請求項１１に記載の光素子モジュール。
  13. 【請求項１３】発光素子が実装された基板は表面に金属
    パターンを有し、第１の接続部の片側端部は導線に金属
    の被膜を形成して構成され、前記金属の被膜を施された
    片側端部が前記金属パターンに接合されることによっ
    て、前記コイル部と前記発光素子が実装された基板とが
    接続された事を特徴とする請求項１１に記載の光素子モ
    ジュール。
  14. 【請求項１４】発光素子が実装された基板は表面に金属
    パターンを有し、この金属パターンに第１の接続部の片
    側端部がバンプによって固定される事により、コイル部
    と前記発光素子が実装された基板とが接続された事を特
    徴とする請求項１１に記載の光素子モジュール。
  15. 【請求項１５】第１の接続部の片側端部は導線に金属の
    被膜を形成して構成されたことを特徴とする請求項１４
    に記載の光素子モジュール。
  16. 【請求項１６】コイル部の一端から発光素子までの線路
    長は前記発光素子に供給される高周波信号の上限周波数
    に対応する波長の１／４よりも短いことを特徴とする請
    求項１１に記載の光素子モジュール。
  17. 【請求項１７】コイル部の一端から発光素子までの線路
    長は１ｍｍ以下であることを特徴とした請求項１１に記
    載の光素子モジュール。
  18. 【請求項１８】パッケージと、このパッケージの内部と
    外部とを電気的に導通すると共に前記内部に突出する棚
    部を有するフィードスルーと、前記パッケージに内包さ
    れる発光素子と、この発光素子が実装された基板と前記
    発光素子に電源からバイアス電流を供給するバイアス回
    路の一部に用いられるフィルター部とを備え、このフィ
    ルター部はコイル部とこのコイル部の一端から伸びる第
    １の接続部と前記コイル部の他端から伸びる第２の接続
    部とを有し、前記第１の接続部は途中でいかなる他の基
    板にも電気的に接合されることなく直接的に前記コイル
    部と前記発光素子が実装された基板とを接続し、前記第
    ２の接続部は途中でいかなる基板にも電気的に接合され
    ることなく直接的に前記コイル部の他端と前記フィード
    スルーの棚部とを接続することを特徴とする光素子モジ
    ュール。
  19. 【請求項１９】フィードスルーの棚部に設けられ、第２
    の接続部を挟んでコイルと電気的に直列に接続された低
    周波用のフィルター部を有する事を特徴とする請求項１
    ８に記載の光素子モジュール。
  20. 【請求項２０】発光素子が実装された基板は表面に金で
    構成された金パターンを有し、フィルター部は一本の銅
    線により構成され、コイル部には絶縁被膜が施されると
    ともに第１の接続部の片側端部には金被膜が施され、 この金被膜の施された片側端部が前記金パターンに接合
    されることによって、前記コイル部と前記発光素子が実
    装された基板とが接続された事を特徴とする請求項１１
    に記載の光素子モジュール。
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