JP2003163395A - ガスレーザ装置 - Google Patents
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- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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Abstract
(57)【要約】
【課題】パルスパワー電源の各構成要素が温度変化を受
けても、外部トリガを入力してからレーザ光が発光され
るまでのトータル時間を常に一定にして、より精度の高
い半導体基板の露光を行うこと 【解決手段】電流センサ３２では充電コンデンサＣ0に
流れる充電電流が計測され、その時間積分値に基づき充
電コンデンサＣ0に蓄えられる電荷量Ｑcnが演算され
る。コントローラ３１にはこの電荷量Ｑcnが入力され、
電荷量Ｑcnの入力によって電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）
（ａは充電コンデンサＣ0の逆数、ｂは比例係数）が演
算される。またコントローラ３１には補償特性が設定さ
れている。この補償特性は補償時間Ｔcと変数ｂ／（ａ
Ｑc）との関係で示される。外部トリガＴＲが入力され
ると変数ｂ／（ａＱc）の変化が開始される。変数ｂ／
（ａＱc）は時間の経過と共に減少し、演算された電荷
量の逆数ｂ／（ａＱcn）と一致したところで補正トリガ
ＴＲLが出力される。この時間が補償時間Ｔcとなる。こ
うして遅延時間Ｔd＋補償時間Ｔcが一定となるようにす
る。
けても、外部トリガを入力してからレーザ光が発光され
るまでのトータル時間を常に一定にして、より精度の高
い半導体基板の露光を行うこと 【解決手段】電流センサ３２では充電コンデンサＣ0に
流れる充電電流が計測され、その時間積分値に基づき充
電コンデンサＣ0に蓄えられる電荷量Ｑcnが演算され
る。コントローラ３１にはこの電荷量Ｑcnが入力され、
電荷量Ｑcnの入力によって電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）
（ａは充電コンデンサＣ0の逆数、ｂは比例係数）が演
算される。またコントローラ３１には補償特性が設定さ
れている。この補償特性は補償時間Ｔcと変数ｂ／（ａ
Ｑc）との関係で示される。外部トリガＴＲが入力され
ると変数ｂ／（ａＱc）の変化が開始される。変数ｂ／
（ａＱc）は時間の経過と共に減少し、演算された電荷
量の逆数ｂ／（ａＱcn）と一致したところで補正トリガ
ＴＲLが出力される。この時間が補償時間Ｔcとなる。こ
うして遅延時間Ｔd＋補償時間Ｔcが一定となるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は外部トリガを入力し
てからレーザ光が発光するまでの時間が一定となるよう
に制御するガスレーザ装置に関する。
てからレーザ光が発光するまでの時間が一定となるよう
に制御するガスレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造用の縮小投影露光装置
（以下、「ステッパ」という）の光源としてはガスレー
ザ装置が使用され、中でもエキシマレーザの利用が注目
されている。
（以下、「ステッパ」という）の光源としてはガスレー
ザ装置が使用され、中でもエキシマレーザの利用が注目
されている。
【０００３】図９はエキシマレーザ装置１０の構成を示
す図である。
す図である。
【０００４】エキシマレーザ装置１０は、内部に放電電
極を有しこの放電電極間で放電が行われることによって
レーザガスが励起されレーザ光が出力されるレーザチャ
ンバ１１と、放電電極間に高周波電圧を印加するパルス
パワー電源１２と、パルスパワー電源１２を充電する充
電器１３と、レーザ光を共振させる出力鏡１４と、レー
ザ光の形状を決めるアパーチャ１５、１６と、レーザ光
のスペクトル線幅を細くする狭帯域化モジュール１７と
で構成される。
極を有しこの放電電極間で放電が行われることによって
レーザガスが励起されレーザ光が出力されるレーザチャ
ンバ１１と、放電電極間に高周波電圧を印加するパルス
パワー電源１２と、パルスパワー電源１２を充電する充
電器１３と、レーザ光を共振させる出力鏡１４と、レー
ザ光の形状を決めるアパーチャ１５、１６と、レーザ光
のスペクトル線幅を細くする狭帯域化モジュール１７と
で構成される。
【０００５】図１０はパルスパワー電源１２に使用され
る回路及び周辺の構成要素の一例を示す図である。通
常、パルスパワー電源１２には磁気圧縮回路が使用され
ている。図１０で示すパルスパワー電源１２には３段の
磁気圧縮回路が使用されている。
る回路及び周辺の構成要素の一例を示す図である。通
常、パルスパワー電源１２には磁気圧縮回路が使用され
ている。図１０で示すパルスパワー電源１２には３段の
磁気圧縮回路が使用されている。
【０００６】図１０に示すパルスパワー電源１２では、
充電器１３に充電コンデンサＣ0が接続されている。充
電コンデンサＣ0にはアシストコイルＬ0と半導体スイッ
チＳＷと転送コンデンサＣ1とが並列に接続されてい
る。転送コンデンサＣ1には可飽和リアクトルＳＬ1と転
送コンデンサＣ2とが並列に接続されている。転送コン
デンサＣ2には可飽和リアクトルＳＬ2と転送コンデンサ
Ｃ3とが並列に接続されている。転送コンデンサＣ3には
可飽和リアクトルＳＬ3とピーキングコンデンサＣpとが
並列に接続されている。ピーキングコンデンサＣpには
放電電極２１が並列に接続されている。
充電器１３に充電コンデンサＣ0が接続されている。充
電コンデンサＣ0にはアシストコイルＬ0と半導体スイッ
チＳＷと転送コンデンサＣ1とが並列に接続されてい
る。転送コンデンサＣ1には可飽和リアクトルＳＬ1と転
送コンデンサＣ2とが並列に接続されている。転送コン
デンサＣ2には可飽和リアクトルＳＬ2と転送コンデンサ
Ｃ3とが並列に接続されている。転送コンデンサＣ3には
可飽和リアクトルＳＬ3とピーキングコンデンサＣpとが
並列に接続されている。ピーキングコンデンサＣpには
放電電極２１が並列に接続されている。
【０００７】電圧指令値演算部２２にはパルス毎に必要
なエネルギー指令値Ｅが入力されている。電圧指令値演
算部２２ではエネルギー指令値Ｅに応じて充電コンデン
サＣ0の充電電圧Ｖcが演算され、充電電圧指令値Ｖ0が
充電器１３に出力される。充電電圧指令値Ｖ0に基づき
充電コンデンサＣ0は充電される。
なエネルギー指令値Ｅが入力されている。電圧指令値演
算部２２ではエネルギー指令値Ｅに応じて充電コンデン
サＣ0の充電電圧Ｖcが演算され、充電電圧指令値Ｖ0が
充電器１３に出力される。充電電圧指令値Ｖ0に基づき
充電コンデンサＣ0は充電される。
【０００８】ステッパ側から出力されるトリガ（以下、
「外部トリガ」という）ＴＲが半導体スイッチＳＷに入
力されると、半導体スイッチＳＷがオンされ、充電コン
デンサＣ0に充電された電荷が転送コンデンサＣ1に転送
される。この際、可飽和リアクトルＳＬ1に印加される
電圧を時間で積分した値が一定値に達すると、可飽和リ
アクトルＳＬ1は磁気飽和しインダクタンスが急激に小
さくなる。すると前段の転送コンデンサＣ1から後段の
転送コンデンサＣ2への電荷の転送が開始される。この
ように各可飽和リアクトルＳＬnは磁気飽和によってオ
フからオンに切り換えられる磁気スイッチとして機能す
る。
「外部トリガ」という）ＴＲが半導体スイッチＳＷに入
力されると、半導体スイッチＳＷがオンされ、充電コン
デンサＣ0に充電された電荷が転送コンデンサＣ1に転送
される。この際、可飽和リアクトルＳＬ1に印加される
電圧を時間で積分した値が一定値に達すると、可飽和リ
アクトルＳＬ1は磁気飽和しインダクタンスが急激に小
さくなる。すると前段の転送コンデンサＣ1から後段の
転送コンデンサＣ2への電荷の転送が開始される。この
ように各可飽和リアクトルＳＬnは磁気飽和によってオ
フからオンに切り換えられる磁気スイッチとして機能す
る。
【０００９】同様にして各可飽和リアクトルＳＬnのス
イッチ機能により、順次前段の転送コンデンサＣnから
後段の転送コンデンサＣn+1に電荷が転送され、最終段
のピーキングコンデンサＣpに電荷が転送される。ピー
キングコンデンサＣpの電圧上昇にともない放電電極２
１間の電圧が上昇し、放電電極２１間の電圧が所定値に
達すると、放電電極２１間のレーザガスが絶縁破壊され
放電が開始される。この放電によりレーザガスが励起さ
れ、レーザ光が発光される。
イッチ機能により、順次前段の転送コンデンサＣnから
後段の転送コンデンサＣn+1に電荷が転送され、最終段
のピーキングコンデンサＣpに電荷が転送される。ピー
キングコンデンサＣpの電圧上昇にともない放電電極２
１間の電圧が上昇し、放電電極２１間の電圧が所定値に
達すると、放電電極２１間のレーザガスが絶縁破壊され
放電が開始される。この放電によりレーザガスが励起さ
れ、レーザ光が発光される。
【００１０】前段の可飽和リアクトルＳＬnよりも後段
の可飽和リアクトルＳＬn+1であるほどインダクタンス
が小さくなるように設定されているため、各段の回路を
流れる電流のピーク値が順次高くなり、かつ通電時間幅
が狭くなるようなパルス圧縮が行われる。したがって放
電電極２１間に短時間での強い放電が得られる。
の可飽和リアクトルＳＬn+1であるほどインダクタンス
が小さくなるように設定されているため、各段の回路を
流れる電流のピーク値が順次高くなり、かつ通電時間幅
が狭くなるようなパルス圧縮が行われる。したがって放
電電極２１間に短時間での強い放電が得られる。
【００１１】エキシマレーザ装置１０の制御はつぎのよ
うにして行われる。
うにして行われる。
【００１２】ステッパ側にはステージ上に半導体基板が
載置されている。このステージの動作と同期してレーザ
光が照射されるように、ステッパ側からエキシマレーザ
装置１０側に外部トリガＴＲが出力される。精度の高い
露光を行うためには、エキシマレーザ装置１０側では外
部トリガＴＲが入力されてからレーザ光が発光されるま
での時間Ｔtが常に一定でなければならない。以下で
は、この時間Ｔtをトータル時間Ｔtという。
載置されている。このステージの動作と同期してレーザ
光が照射されるように、ステッパ側からエキシマレーザ
装置１０側に外部トリガＴＲが出力される。精度の高い
露光を行うためには、エキシマレーザ装置１０側では外
部トリガＴＲが入力されてからレーザ光が発光されるま
での時間Ｔtが常に一定でなければならない。以下で
は、この時間Ｔtをトータル時間Ｔtという。
【００１３】トータル時間Ｔtには、各可飽和リアクト
ルＳＬnがオンするまでの時間Ｔdnの合計値Ｔdと、磁気
圧縮回路におけるＬＣ回路特有の遅れ時間Ｔsとが含ま
れる。以下では、それぞれの時間Ｔd、Ｔsを遅延時間Ｔ
d、Ｔsという。通常は、遅延時間Ｔsは一定である。
ルＳＬnがオンするまでの時間Ｔdnの合計値Ｔdと、磁気
圧縮回路におけるＬＣ回路特有の遅れ時間Ｔsとが含ま
れる。以下では、それぞれの時間Ｔd、Ｔsを遅延時間Ｔ
d、Ｔsという。通常は、遅延時間Ｔsは一定である。
【００１４】可飽和リアクトルＳＬnの遅延時間Ｔdn
は、可飽和リアクトルＳＬnの磁気特性や断面積や巻数
等の設計によって設定される。これらの設計が定められ
た可飽和リアクトルＳＬnの遅延時間Ｔdnは、可飽和リ
アクトルＳＬnに印加される電圧の時間積分値に依存す
る。通常はこの電圧の時間積分値は一定である。すなわ
ち可飽和リアクトルＳＬnに印加される電圧が小さい場
合は、オンまでの時間が長くなり、可飽和リアクトルＳ
Ｌnに印加される電圧が大きい場合は、オンまでの時間
が短くなる。ここで図１１に示すように、印加される電
圧の時間積分値は時間軸と電圧波形とで囲まれた面積で
表される。以下では電圧の時間積分値を電圧・時間積と
して扱う。また各可飽和リアクトルＳＬnの電圧・時間
積をまとめて全可飽和リアクトルＳＬの電圧・時間積と
して考える。
は、可飽和リアクトルＳＬnの磁気特性や断面積や巻数
等の設計によって設定される。これらの設計が定められ
た可飽和リアクトルＳＬnの遅延時間Ｔdnは、可飽和リ
アクトルＳＬnに印加される電圧の時間積分値に依存す
る。通常はこの電圧の時間積分値は一定である。すなわ
ち可飽和リアクトルＳＬnに印加される電圧が小さい場
合は、オンまでの時間が長くなり、可飽和リアクトルＳ
Ｌnに印加される電圧が大きい場合は、オンまでの時間
が短くなる。ここで図１１に示すように、印加される電
圧の時間積分値は時間軸と電圧波形とで囲まれた面積で
表される。以下では電圧の時間積分値を電圧・時間積と
して扱う。また各可飽和リアクトルＳＬnの電圧・時間
積をまとめて全可飽和リアクトルＳＬの電圧・時間積と
して考える。
【００１５】全可飽和リアクトルＳＬに印加される電圧
は充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcに置き換えられる。した
がって充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcの変動に応じて全可
飽和リアクトルＳＬの遅延時間Ｔdは変動し、トータル
時間Ｔtが変動する。このような変動をジッタという。
は充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcに置き換えられる。した
がって充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcの変動に応じて全可
飽和リアクトルＳＬの遅延時間Ｔdは変動し、トータル
時間Ｔtが変動する。このような変動をジッタという。
【００１６】このジッタの問題を解消する技術が、特開
平１１−２８９１１９号公報（以下、「文献１」とい
う）及びＵＳＰ６，０１６，３２５（以下「文献２」と
いう）で開示されている。文献１及び文献２では、遅延
時間Ｔd＋Ｔsを補償する時間Ｔcが設定されトータル時
間Ｔtが一定とされている。以下では、この時間Ｔcを補
償時間Ｔcという。
平１１−２８９１１９号公報（以下、「文献１」とい
う）及びＵＳＰ６，０１６，３２５（以下「文献２」と
いう）で開示されている。文献１及び文献２では、遅延
時間Ｔd＋Ｔsを補償する時間Ｔcが設定されトータル時
間Ｔtが一定とされている。以下では、この時間Ｔcを補
償時間Ｔcという。
【００１７】充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcは入力する充
電電圧指令値Ｖ0により決定される。このため文献１で
は、充電電圧指令値Ｖ0と遅延時間Ｔdとが対応づけら
れ、この対応関係に基づきトータル時間Ｔtが一定とな
るように充電電圧指令値Ｖ0に対応した補償時間Ｔcが予
め設定されている。そしてパルス毎に充電電圧指令値Ｖ
0が入力されると対応した補償時間Ｔcが求められ、トー
タル時間Ｔtが一定となるようにされている。
電電圧指令値Ｖ0により決定される。このため文献１で
は、充電電圧指令値Ｖ0と遅延時間Ｔdとが対応づけら
れ、この対応関係に基づきトータル時間Ｔtが一定とな
るように充電電圧指令値Ｖ0に対応した補償時間Ｔcが予
め設定されている。そしてパルス毎に充電電圧指令値Ｖ
0が入力されると対応した補償時間Ｔcが求められ、トー
タル時間Ｔtが一定となるようにされている。
【００１８】文献２では、各充電電圧指令値Ｖ0ではな
く、充電コンデンサＣ0の実際の電圧Ｖcと補償時間Ｔc
とが予め対応づけられている。
く、充電コンデンサＣ0の実際の電圧Ｖcと補償時間Ｔc
とが予め対応づけられている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかし充電電圧指令値
Ｖ0及び充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcと遅延時間Ｔdとの
対応関係は常に一定ということではない。例えば充電コ
ンデンサＣ0の温度変化によってこの関係は変化する。
その結果、正確な補償時間Ｔcが得られなくなる。
Ｖ0及び充電コンデンサＣ0の電圧Ｖcと遅延時間Ｔdとの
対応関係は常に一定ということではない。例えば充電コ
ンデンサＣ0の温度変化によってこの関係は変化する。
その結果、正確な補償時間Ｔcが得られなくなる。
【００２０】このため実際は文献１及び２の技術では温
度変化に応じて充電電圧指令値Ｖ0及び充電コンデンサ
Ｃ0の電圧Ｖcと補償時間Ｔcとの関係を変化させる処理
をしなければならない。しかしそのような処理は複雑な
工程が必要となり現実的ではない。
度変化に応じて充電電圧指令値Ｖ0及び充電コンデンサ
Ｃ0の電圧Ｖcと補償時間Ｔcとの関係を変化させる処理
をしなければならない。しかしそのような処理は複雑な
工程が必要となり現実的ではない。
【００２１】したがって文献１及び文献２の技術は、充
電コンデンサＣ0が等温状態である場合にはトータル時
間Ｔtが一定となり半導体基板の正確な露光が行える
が、充電コンデンサＣ0が温度変化する場合にはトータ
ル時間Ｔtが変動し半導体基板の正確な露光が行えなく
なるという問題がある。
電コンデンサＣ0が等温状態である場合にはトータル時
間Ｔtが一定となり半導体基板の正確な露光が行える
が、充電コンデンサＣ0が温度変化する場合にはトータ
ル時間Ｔtが変動し半導体基板の正確な露光が行えなく
なるという問題がある。
【００２２】さらに各可飽和リアクトルＳＬnの温度変
化によって電圧・時間積が変化し、各転送コンデンサＣ
nの温度変化によってパルス圧縮の時間が変化する。こ
れらの要因によっても遅延時間Ｔdは変化する。したが
って温度変化の影響を考慮してその状態に応じた補償時
間Ｔcを設定する必要がある。
化によって電圧・時間積が変化し、各転送コンデンサＣ
nの温度変化によってパルス圧縮の時間が変化する。こ
れらの要因によっても遅延時間Ｔdは変化する。したが
って温度変化の影響を考慮してその状態に応じた補償時
間Ｔcを設定する必要がある。
【００２３】本発明はこうした実状に鑑みてなされたも
のであり、パルスパワー電源の各構成要素が温度変化を
受けても、外部トリガを入力してからレーザ光が発光さ
れるまでのトータル時間を常に一定にして、より精度の
高い半導体基板の露光を行うことを解決課題とするもの
である。
のであり、パルスパワー電源の各構成要素が温度変化を
受けても、外部トリガを入力してからレーザ光が発光さ
れるまでのトータル時間を常に一定にして、より精度の
高い半導体基板の露光を行うことを解決課題とするもの
である。
【００２４】
【課題を解決するための手段、作用および効果】そこで
第１発明は、ガスレーザ装置において、複数の転送コン
デンサ及び１以上の可飽和リアクトルを有し、可飽和リ
アクトルの磁気飽和を利用して前段の転送コンデンサか
ら後段の転送コンデンサへ電荷を順次転送して最終段の
転送コンデンサに接続された放電電極間で放電を行いパ
ルスレーザ光を発光するようにした電荷転送回路と、前
記転送コンデンサのうち１段目の転送コンデンサに転送
する電荷を蓄える充電コンデンサと、前記充電コンデン
サで蓄える電荷量を計測する電荷量計測手段と、外部ト
リガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの時
間をパルス毎に一定とするように、前記電荷量に応じた
補償時間を求め、外部トリガを入力してから前記補償時
間が経過した時に補正トリガを出力する補正トリガ出力
手段と、補正トリガの入力に応じて前記充電コンデンサ
と前記１段目の転送コンデンサとを電気的に接続するス
イッチとを備えたことを特徴とする。
第１発明は、ガスレーザ装置において、複数の転送コン
デンサ及び１以上の可飽和リアクトルを有し、可飽和リ
アクトルの磁気飽和を利用して前段の転送コンデンサか
ら後段の転送コンデンサへ電荷を順次転送して最終段の
転送コンデンサに接続された放電電極間で放電を行いパ
ルスレーザ光を発光するようにした電荷転送回路と、前
記転送コンデンサのうち１段目の転送コンデンサに転送
する電荷を蓄える充電コンデンサと、前記充電コンデン
サで蓄える電荷量を計測する電荷量計測手段と、外部ト
リガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの時
間をパルス毎に一定とするように、前記電荷量に応じた
補償時間を求め、外部トリガを入力してから前記補償時
間が経過した時に補正トリガを出力する補正トリガ出力
手段と、補正トリガの入力に応じて前記充電コンデンサ
と前記１段目の転送コンデンサとを電気的に接続するス
イッチとを備えたことを特徴とする。
【００２５】第２発明は、第１発明において、前記補正
トリガ出力手段は、補償時間と電荷量の逆数との関係を
予め記憶し、この記憶した関係に基づき補償時間を求め
ることを特徴とする。
トリガ出力手段は、補償時間と電荷量の逆数との関係を
予め記憶し、この記憶した関係に基づき補償時間を求め
ることを特徴とする。
【００２６】第１、第２発明を図１〜図４を用いて説明
する。
する。
【００２７】各パルス前には充電器１３から充電コンデ
ンサＣ0に充電電流が流れる。電流センサ（電荷量計測
手段）３２ではこの充電電流が計測され、積分器３７で
はこの時間積分値に基づき充電コンデンサＣ0に蓄えら
れる電荷量Ｑcnが演算される。
ンサＣ0に充電電流が流れる。電流センサ（電荷量計測
手段）３２ではこの充電電流が計測され、積分器３７で
はこの時間積分値に基づき充電コンデンサＣ0に蓄えら
れる電荷量Ｑcnが演算される。
【００２８】図３に示すように、コントローラ（補正ト
リガ出力手段）３１には電荷量Ｑcn及び外部トリガＴＲ
が入力される。電荷量Ｑcnの入力によって電荷量の逆数
ｂ／（ａＱcn）（ａは充電コンデンサＣ0の容量の逆
数、ｂは比例係数）が演算される。またコントローラ３
１には図２（ｂ）に示すような補償特性が設定されてい
る。この補償特性は補償時間Ｔcと変数ｂ／（ａＱc）と
の比例関係で示される。外部トリガＴＲが入力されると
ランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）の変化が開始され
る。変数ｂ／（ａＱc）は時間の経過と共に減少し、演
算された電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）と一致したところ
で補正トリガＴＲLが出力される。この時間が補償時間
Ｔcとなる。
リガ出力手段）３１には電荷量Ｑcn及び外部トリガＴＲ
が入力される。電荷量Ｑcnの入力によって電荷量の逆数
ｂ／（ａＱcn）（ａは充電コンデンサＣ0の容量の逆
数、ｂは比例係数）が演算される。またコントローラ３
１には図２（ｂ）に示すような補償特性が設定されてい
る。この補償特性は補償時間Ｔcと変数ｂ／（ａＱc）と
の比例関係で示される。外部トリガＴＲが入力されると
ランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）の変化が開始され
る。変数ｂ／（ａＱc）は時間の経過と共に減少し、演
算された電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）と一致したところ
で補正トリガＴＲLが出力される。この時間が補償時間
Ｔcとなる。
【００２９】補正トリガＴＲLが半導体スイッチＳＷに
入力されると、半導体スイッチＳＷがオンされ、充電コ
ンデンサＣ0に蓄えられた電荷が転送コンデンサＣ1に転
送される。そして可飽和リアクトルＳＬ1が磁気飽和す
ると転送コンデンサＣ1に転送された電荷が後段の転送
コンデンサＣ2に転送される。このように順次前段の転
送コンデンサＣnから後段の転送コンデンサＣn+1に電荷
が転送され、最終的にはピーキングコンデンサＣpに並
列に接続された放電電極２１間で放電が行われる。する
と放電電極２１間でレーザ光が発光される。
入力されると、半導体スイッチＳＷがオンされ、充電コ
ンデンサＣ0に蓄えられた電荷が転送コンデンサＣ1に転
送される。そして可飽和リアクトルＳＬ1が磁気飽和す
ると転送コンデンサＣ1に転送された電荷が後段の転送
コンデンサＣ2に転送される。このように順次前段の転
送コンデンサＣnから後段の転送コンデンサＣn+1に電荷
が転送され、最終的にはピーキングコンデンサＣpに並
列に接続された放電電極２１間で放電が行われる。する
と放電電極２１間でレーザ光が発光される。
【００３０】第１、第２発明によれば、充電コンデンサ
Ｃ0の電荷量Ｑcを用いた変数ｂ／（ａＱc）と補償時間
Ｔcとの比例関係で示される補償特性に基づき補償時間
Ｔcが特定される。充電コンデンサＣ0の電荷量Ｑcは温
度変化の影響を受けない。したがって電荷量に基づき設
定された補償特性は一定であるため、充電コンデンサＣ
0の温度変化があってもトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
Ｃ0の電荷量Ｑcを用いた変数ｂ／（ａＱc）と補償時間
Ｔcとの比例関係で示される補償特性に基づき補償時間
Ｔcが特定される。充電コンデンサＣ0の電荷量Ｑcは温
度変化の影響を受けない。したがって電荷量に基づき設
定された補償特性は一定であるため、充電コンデンサＣ
0の温度変化があってもトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
【００３１】さらに電荷量Ｑcの逆数に比例する値ｂ／
（ａＱc）を変数とすることで、この変数ｂ／（ａＱc）
と補償時間Ｔcとを比例関係で示すことができる。比例
関係で示される補償特性を扱う回路は容易に構成でき
る。したがってコントローラ３１の構成が容易になる。
（ａＱc）を変数とすることで、この変数ｂ／（ａＱc）
と補償時間Ｔcとを比例関係で示すことができる。比例
関係で示される補償特性を扱う回路は容易に構成でき
る。したがってコントローラ３１の構成が容易になる。
【００３２】第３発明は、第１発明において、補正トリ
ガを出力してから前記放電電極間で発光するまでの遅延
時間と電荷量の逆数とをパルス毎に計測し、遅延時間と
電荷量の逆数とをパルス毎に記憶し、前記補正トリガ出
力手段は、記憶した２以上の遅延時間とこれらの遅延時
間に対応する電荷量の逆数とに基づいて遅延時間と電荷
量の逆数との関係を求め、この遅延時間と電荷量の逆数
との関係に基づき補償時間と電荷量の逆数との関係をパ
ルス毎に求めることを特徴とする。
ガを出力してから前記放電電極間で発光するまでの遅延
時間と電荷量の逆数とをパルス毎に計測し、遅延時間と
電荷量の逆数とをパルス毎に記憶し、前記補正トリガ出
力手段は、記憶した２以上の遅延時間とこれらの遅延時
間に対応する電荷量の逆数とに基づいて遅延時間と電荷
量の逆数との関係を求め、この遅延時間と電荷量の逆数
との関係に基づき補償時間と電荷量の逆数との関係をパ
ルス毎に求めることを特徴とする。
【００３３】第３発明を図５、図６を用いて説明する。
【００３４】パルス毎に電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）
と、遅延時間Ｔdnは計測され、メモリ３４に記憶され
る。またパルス毎にメモリ３４からは、例えば前回パル
ス及び前々回パルスの電荷量の逆数ｂ／（ａＱc1）、ｂ
／（ａＱc2）と、遅延時間Ｔd1、Ｔd2とが読み出され、 ｛ｂ／（ａＱc1）−ｂ／（ａＱc2）｝／｛（Ｔd1＋Ｔs）−（Ｔd2＋Ｔs）｝ ・・・（１）式 によって、図５に示すような電荷量の逆数ｂ／（ａＱ
c）と遅延時間Ｔdとの最新の遅延特性が求められる。
と、遅延時間Ｔdnは計測され、メモリ３４に記憶され
る。またパルス毎にメモリ３４からは、例えば前回パル
ス及び前々回パルスの電荷量の逆数ｂ／（ａＱc1）、ｂ
／（ａＱc2）と、遅延時間Ｔd1、Ｔd2とが読み出され、 ｛ｂ／（ａＱc1）−ｂ／（ａＱc2）｝／｛（Ｔd1＋Ｔs）−（Ｔd2＋Ｔs）｝ ・・・（１）式 によって、図５に示すような電荷量の逆数ｂ／（ａＱ
c）と遅延時間Ｔdとの最新の遅延特性が求められる。
【００３５】（１）式では遅延特性における時間に対す
る電荷量の逆数の変化の割合が求められる。この割合は
遅延特性の勾配である。そしてこの割合に−１を乗算し
た値が求められる。この値を補償特性の勾配として最新
の補償特性が求められる。求めた補償特性に基づきラン
プ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）は変化し、電荷量の逆
数ｂ／（ａＱcn）と一致したところで補正トリガＴＲL
が出力される。この時間が補償時間Ｔcとなる。
る電荷量の逆数の変化の割合が求められる。この割合は
遅延特性の勾配である。そしてこの割合に−１を乗算し
た値が求められる。この値を補償特性の勾配として最新
の補償特性が求められる。求めた補償特性に基づきラン
プ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）は変化し、電荷量の逆
数ｂ／（ａＱcn）と一致したところで補正トリガＴＲL
が出力される。この時間が補償時間Ｔcとなる。
【００３６】第３発明によれば、パルス毎に遅延特性が
求められ、さらにこの遅延特性に基づき補償特性が求め
られている。このように常に最新の補償特性が求められ
ているため、各可飽和リアクトルＳＬnの温度変化によ
る電圧・時間積の変化の影響を受けない。したがってト
ータル時間Ｔtを一定にすることができ、より精度の高
い半導体基板の露光を行うことができる。
求められ、さらにこの遅延特性に基づき補償特性が求め
られている。このように常に最新の補償特性が求められ
ているため、各可飽和リアクトルＳＬnの温度変化によ
る電圧・時間積の変化の影響を受けない。したがってト
ータル時間Ｔtを一定にすることができ、より精度の高
い半導体基板の露光を行うことができる。
【００３７】第４発明は、第２発明において、外部トリ
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの目標
時間を記憶し、外部トリガを入力してから前記放電電極
間で発光するまでの時間を計測し、前記目標時間と計測
した時間との時間差を求め、この時間差を前記補正トリ
ガ出力手段に出力する時間差出力手段を備え、前記補正
トリガ出力手段は前記時間差を補償時間に加算すること
を特徴とする。
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの目標
時間を記憶し、外部トリガを入力してから前記放電電極
間で発光するまでの時間を計測し、前記目標時間と計測
した時間との時間差を求め、この時間差を前記補正トリ
ガ出力手段に出力する時間差出力手段を備え、前記補正
トリガ出力手段は前記時間差を補償時間に加算すること
を特徴とする。
【００３８】第５発明は、第２発明において、外部トリ
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの目標
時間を記憶し、外部トリガを入力してから前記放電電極
間で発光するまでの時間を計測し、前記目標時間に計測
した時間との時間差を求め、前記時間差に所定ゲインを
乗算して前記補正トリガ出力手段に出力する時間差出力
手段を備え、前記補正トリガ出力手段は所定ゲインが乗
算された時間差を次回パルスの補償時間に加算すること
を特徴とする。
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの目標
時間を記憶し、外部トリガを入力してから前記放電電極
間で発光するまでの時間を計測し、前記目標時間に計測
した時間との時間差を求め、前記時間差に所定ゲインを
乗算して前記補正トリガ出力手段に出力する時間差出力
手段を備え、前記補正トリガ出力手段は所定ゲインが乗
算された時間差を次回パルスの補償時間に加算すること
を特徴とする。
【００３９】第６発明は、第３〜第５発明において、前
記放電電極間で発光したことを磁束密度の変化として検
出する電磁コイルを備え、前記補正トリガ出力手段は前
記電磁コイルの検出結果に基づき遅延時間又は外部トリ
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの時間
を計測することを特徴とする。
記放電電極間で発光したことを磁束密度の変化として検
出する電磁コイルを備え、前記補正トリガ出力手段は前
記電磁コイルの検出結果に基づき遅延時間又は外部トリ
ガを入力してから前記放電電極間で発光するまでの時間
を計測することを特徴とする。
【００４０】第４〜第６発明を図１、図８、図９を用い
て説明する。
て説明する。
【００４１】コントローラ３１にはトータル時間Ｔtの
目標値に相当する電圧が予め設定されている。
目標値に相当する電圧が予め設定されている。
【００４２】一方コントローラ３１では、パルス毎に外
部トリガＴＲが入力されるとランプ波発生器の電圧の上
昇が開始される。放電電極２１間でレーザ光が発光され
ると放電電極２１近傍に配置された電磁コイル３３には
電流が流れるため、コントローラ３１でレーザ光の発光
が確認され、時間計測用のランプ波発生器の電圧の上昇
が停止される。このときの時間計測用のランプ波発生器
の電圧はサンプルホールドされ目標値との差が求められ
る。
部トリガＴＲが入力されるとランプ波発生器の電圧の上
昇が開始される。放電電極２１間でレーザ光が発光され
ると放電電極２１近傍に配置された電磁コイル３３には
電流が流れるため、コントローラ３１でレーザ光の発光
が確認され、時間計測用のランプ波発生器の電圧の上昇
が停止される。このときの時間計測用のランプ波発生器
の電圧はサンプルホールドされ目標値との差が求められ
る。
【００４３】この差に所定ゲインが乗算され補正時間Ｔ
aに相当する電圧にされ、変数ｂ／（ａＱc）を発生する
ランプ波発生器に入力される。すると次回パルスでは外
部トリガＴＲが入力されてから補正時間Ｔa経過すると
きにランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）の減少が開始
される。そして補償時間Ｔ′c経過するときに補正トリ
ガＴＲLが出力される。
aに相当する電圧にされ、変数ｂ／（ａＱc）を発生する
ランプ波発生器に入力される。すると次回パルスでは外
部トリガＴＲが入力されてから補正時間Ｔa経過すると
きにランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）の減少が開始
される。そして補償時間Ｔ′c経過するときに補正トリ
ガＴＲLが出力される。
【００４４】第４〜第６発明によれば、第１〜第３発明
では補償しきれない要因、例えば転送コンデンサＣnの
温度変化、による遅延時間の変動に対応することができ
る。したがってトータル時間Ｔtを一定にすることがで
き、より精度の高い半導体基板の露光を行うことができ
る。
では補償しきれない要因、例えば転送コンデンサＣnの
温度変化、による遅延時間の変動に対応することができ
る。したがってトータル時間Ｔtを一定にすることがで
き、より精度の高い半導体基板の露光を行うことができ
る。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００４６】図１は本発明の第１の実施形態を示すブロ
ック図である。なお図１０に示すパルスパワー電源１２
と同一の構成要素には同一の符号を付している。
ック図である。なお図１０に示すパルスパワー電源１２
と同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００４７】本実施形態のガスレーザ装置の発光時間制
御装置３０は、パルスパワー電源３５と、パルスパワー
電源３５の充電コンデンサＣ0を充電する充電器１３
と、補償時間Ｔcを求め図示しないステッパ側から出力
される外部トリガＴＲを入力してから求めた補償時間Ｔ
c経過後に補正トリガＴＲLを出力するコントローラ３１
と、ステッパ側から出力されるエネルギー指令値Ｅに基
づき充電器１３に充電電圧指令値Ｖ0を出力する電圧指
令値演算部２２と、メモリ３４とで構成される。
御装置３０は、パルスパワー電源３５と、パルスパワー
電源３５の充電コンデンサＣ0を充電する充電器１３
と、補償時間Ｔcを求め図示しないステッパ側から出力
される外部トリガＴＲを入力してから求めた補償時間Ｔ
c経過後に補正トリガＴＲLを出力するコントローラ３１
と、ステッパ側から出力されるエネルギー指令値Ｅに基
づき充電器１３に充電電圧指令値Ｖ0を出力する電圧指
令値演算部２２と、メモリ３４とで構成される。
【００４８】パルスパワー電源３５の充電コンデンサＣ
0には電流センサ３２が接続されている。電流センサ３
２では、充電器１３と充電コンデンサＣ0間に流れる充
電電流が計測される。さらにこの充電電流が積分器３７
で時間積分され電荷量Ｑcnが求められる。
0には電流センサ３２が接続されている。電流センサ３
２では、充電器１３と充電コンデンサＣ0間に流れる充
電電流が計測される。さらにこの充電電流が積分器３７
で時間積分され電荷量Ｑcnが求められる。
【００４９】コントローラ３１には外部トリガＴＲ及び
積分器３７から出力される電荷量Ｑcnが入力される。そ
して変数ｂ／（ａＱc）（ｂは比例係数）及び計測した
電荷量Ｑcnの逆数ｂ／（ａＱcn）に基づき特定される補
償時間Ｔcが経過した時に補正トリガＴＲLが出力され
る。コントローラ３１は、各種演算器やランプ波発生器
やコンパレータやフリップフロップやサンプルホールド
回路等で構成される。
積分器３７から出力される電荷量Ｑcnが入力される。そ
して変数ｂ／（ａＱc）（ｂは比例係数）及び計測した
電荷量Ｑcnの逆数ｂ／（ａＱcn）に基づき特定される補
償時間Ｔcが経過した時に補正トリガＴＲLが出力され
る。コントローラ３１は、各種演算器やランプ波発生器
やコンパレータやフリップフロップやサンプルホールド
回路等で構成される。
【００５０】パルスパワー電源３５のピーキングコンデ
ンサＣpに並列に接続された放電電極２１近傍にはコン
トローラ３１に接続された電磁コイル３３が設けられて
いる。放電電極２１間で放電が行われレーザ光が発光さ
れると、放電電極２１周辺の磁束密度が変化する。この
磁束密度の変化により電磁コイル３３には電流が流れ、
コントローラ３１に出力される。電磁コイル３３から所
定電流が出力された場合に、コントローラ３１は放電電
極２１間でレーザ光の発光が生じたものと判断する。
ンサＣpに並列に接続された放電電極２１近傍にはコン
トローラ３１に接続された電磁コイル３３が設けられて
いる。放電電極２１間で放電が行われレーザ光が発光さ
れると、放電電極２１周辺の磁束密度が変化する。この
磁束密度の変化により電磁コイル３３には電流が流れ、
コントローラ３１に出力される。電磁コイル３３から所
定電流が出力された場合に、コントローラ３１は放電電
極２１間でレーザ光の発光が生じたものと判断する。
【００５１】メモリ３４にはパルス毎の各種計測値、演
算値等がＡ／Ｄ変換され保存される。またこれらの各種
計測値、演算値等がＤ／Ａ変換されコントローラ３１に
出力される。
算値等がＡ／Ｄ変換され保存される。またこれらの各種
計測値、演算値等がＤ／Ａ変換されコントローラ３１に
出力される。
【００５２】図２はパルスパワー電源３５の遅延特性を
示す図である。
示す図である。
【００５３】Ｖc＝ａＱc（ａは充電コンデンサＣ0の容
量の逆数）という関係から分かるように、充電コンデン
サＣ0の電圧Ｖcは電荷量Ｑcに比例する。したがって本
発明では全可飽和リアクトルＳＬの電圧・時間積を電荷
量・時間積として考える。通常は電圧・時間積、つまり
電荷量・時間積は一定であるため、パルスパワー電源３
５の遅延特性は、図２（ａ）で示すように、電荷量と時
間との反比例する関係で示される。このような遅延特性
に基づき遅延時間Ｔd及び補償時間Ｔcを求めることは可
能である。しかし本発明では、図２（ｂ）で示すよう
に、電荷量の逆数ｂ／（ａＱc）と時間との比例する関
係として遅延特性が予め求められている。さらにこの遅
延特性の時間に対する電荷量の逆数の変化の割合、すな
わち勾配、に−１を乗算した値を勾配とする補償特性が
予め求められる。コントローラ３１にはこの補償特性が
予め設定され、計測した電荷量Ｑcnの逆数ｂ／（ａＱc
n）と補償特性との交点により補償時間Ｔcが求められ
る。
量の逆数）という関係から分かるように、充電コンデン
サＣ0の電圧Ｖcは電荷量Ｑcに比例する。したがって本
発明では全可飽和リアクトルＳＬの電圧・時間積を電荷
量・時間積として考える。通常は電圧・時間積、つまり
電荷量・時間積は一定であるため、パルスパワー電源３
５の遅延特性は、図２（ａ）で示すように、電荷量と時
間との反比例する関係で示される。このような遅延特性
に基づき遅延時間Ｔd及び補償時間Ｔcを求めることは可
能である。しかし本発明では、図２（ｂ）で示すよう
に、電荷量の逆数ｂ／（ａＱc）と時間との比例する関
係として遅延特性が予め求められている。さらにこの遅
延特性の時間に対する電荷量の逆数の変化の割合、すな
わち勾配、に−１を乗算した値を勾配とする補償特性が
予め求められる。コントローラ３１にはこの補償特性が
予め設定され、計測した電荷量Ｑcnの逆数ｂ／（ａＱc
n）と補償特性との交点により補償時間Ｔcが求められ
る。
【００５４】つぎに第１の実施形態に係る発光時間制御
装置３０の動作について図１、図３、図４を用いて説明
する。
装置３０の動作について図１、図３、図４を用いて説明
する。
【００５５】図３はコントローラ３１の処理工程を示す
ブロック図であり、電荷量・時間積が一定である場合の
処理工程を示している。図４はコントローラ３１の処理
工程のタイムチャート図である。
ブロック図であり、電荷量・時間積が一定である場合の
処理工程を示している。図４はコントローラ３１の処理
工程のタイムチャート図である。
【００５６】各パルス前には、図示しないステッパ側か
らエネルギー指令値Ｅが電圧指令値演算部２２に入力さ
れ、電圧指令値演算部２２から充電電圧指令値Ｖ0が充
電器１３に入力される。すると充電器１３と充電コンデ
ンサＣ0との間には充電電流が流れる。電流センサ３２
ではこの充電電流が計測され、積分器３７で計測値が時
間積分されて電荷量Ｑcnが演算される。図３に示すよう
に、コントローラ３１では演算された電荷量Ｑcnに係数
ａが乗算され、その演算値ａＱcnの逆数が演算され演算
値ｂ／（ａＱcn）（ｂは比例係数）が求められる。図４
ではこの演算値ｂ／（ａＱcn）をｂ／（ａＱc1）として
波形２で示す。
らエネルギー指令値Ｅが電圧指令値演算部２２に入力さ
れ、電圧指令値演算部２２から充電電圧指令値Ｖ0が充
電器１３に入力される。すると充電器１３と充電コンデ
ンサＣ0との間には充電電流が流れる。電流センサ３２
ではこの充電電流が計測され、積分器３７で計測値が時
間積分されて電荷量Ｑcnが演算される。図３に示すよう
に、コントローラ３１では演算された電荷量Ｑcnに係数
ａが乗算され、その演算値ａＱcnの逆数が演算され演算
値ｂ／（ａＱcn）（ｂは比例係数）が求められる。図４
ではこの演算値ｂ／（ａＱcn）をｂ／（ａＱc1）として
波形２で示す。
【００５７】図４の波形１で示すように、外部トリガＴ
Ｒが時刻ｔ1で入力されると、ランプ波発生器の変数ｂ
／（ａＱc）が一定の割合で減少し始める。この際、変
数ｂ／（ａＱc）のオフセット量はｂ／（ａＱc0）であ
る。時間の経過に応じた変数ｂ／（ａＱc）の変化を示
すと図４の波形３のようなランプ波となる。この波形３
は図２（ｂ）で示した補償特性と一致する。コンパレー
タでは変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc1）とが
時刻ｔ1から連続的に比較される。そして時刻ｔ1から補
償時間Ｔc経過する時刻ｔ2で変数ｂ／（ａＱc）が演算
値ｂ／（ａＱc1）と一致する。すなわち時刻ｔ2で波形
３と波形２とが交わる。このとき波形４で示すように、
コンパレータから補正トリガＴＲLが出力される。この
ように外部トリガＴＲが入力されてから補償時間Ｔc経
過したときに、補正トリガＴＲLが出力される。
Ｒが時刻ｔ1で入力されると、ランプ波発生器の変数ｂ
／（ａＱc）が一定の割合で減少し始める。この際、変
数ｂ／（ａＱc）のオフセット量はｂ／（ａＱc0）であ
る。時間の経過に応じた変数ｂ／（ａＱc）の変化を示
すと図４の波形３のようなランプ波となる。この波形３
は図２（ｂ）で示した補償特性と一致する。コンパレー
タでは変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc1）とが
時刻ｔ1から連続的に比較される。そして時刻ｔ1から補
償時間Ｔc経過する時刻ｔ2で変数ｂ／（ａＱc）が演算
値ｂ／（ａＱc1）と一致する。すなわち時刻ｔ2で波形
３と波形２とが交わる。このとき波形４で示すように、
コンパレータから補正トリガＴＲLが出力される。この
ように外部トリガＴＲが入力されてから補償時間Ｔc経
過したときに、補正トリガＴＲLが出力される。
【００５８】補正トリガＴＲLが半導体スイッチＳＷに
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ2から遅延時間Ｔd＋Ｔs経過する時刻ｔ3で
レーザ光が発光される。
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ2から遅延時間Ｔd＋Ｔs経過する時刻ｔ3で
レーザ光が発光される。
【００５９】以上の処理は、数μsecの高速の演算処
理、アナログ演算のリアルタイム処理によっても行うこ
とができる。
理、アナログ演算のリアルタイム処理によっても行うこ
とができる。
【００６０】第１の実施形態によれば、充電コンデンサ
Ｃ0の電荷量Ｑcを用いた変数ｂ／（ａＱc）と補償時間
Ｔcとの比例関係で示される補償特性に基づき補償時間
Ｔcが特定される。充電コンデンサＣ0の電荷量Ｑcは温
度変化の影響を受けない。したがって電荷量に基づき設
定された補償特性は一定であるため、充電コンデンサＣ
0の温度変化があってもトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
Ｃ0の電荷量Ｑcを用いた変数ｂ／（ａＱc）と補償時間
Ｔcとの比例関係で示される補償特性に基づき補償時間
Ｔcが特定される。充電コンデンサＣ0の電荷量Ｑcは温
度変化の影響を受けない。したがって電荷量に基づき設
定された補償特性は一定であるため、充電コンデンサＣ
0の温度変化があってもトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
【００６１】さらに電荷量Ｑcの逆数に比例する値ｂ／
（ａＱc）を変数とすることで、この変数ｂ／（ａＱc）
と補償時間Ｔcとを比例関係で示すことができる。比例
関係で示される補償特性を扱う回路は容易に構成でき
る。したがってコントローラ３１の構成が容易になる。
（ａＱc）を変数とすることで、この変数ｂ／（ａＱc）
と補償時間Ｔcとを比例関係で示すことができる。比例
関係で示される補償特性を扱う回路は容易に構成でき
る。したがってコントローラ３１の構成が容易になる。
【００６２】つぎに第２の実施形態について図１、図
５、図６を用いて説明する。
５、図６を用いて説明する。
【００６３】通常は全可飽和リアクトルＳＬの電荷量・
時間積は一定である。しかし各可飽和リアクトルＳＬn
に熱的に大きな負荷が加えられると、この電荷量・時間
積が変化する場合がある。するとパルスパワー電源３５
の遅延特性の勾配が変化する。つまり遅延時間Ｔdの変
動量と変数ｂ／（ａＱc）の変動量との比が変動する。
このような変動をドリフトという。
時間積は一定である。しかし各可飽和リアクトルＳＬn
に熱的に大きな負荷が加えられると、この電荷量・時間
積が変化する場合がある。するとパルスパワー電源３５
の遅延特性の勾配が変化する。つまり遅延時間Ｔdの変
動量と変数ｂ／（ａＱc）の変動量との比が変動する。
このような変動をドリフトという。
【００６４】図５はパルスパワー電源３５の遅延特性及
び補償特性を示す図であり、電荷量・時間積の変化によ
り勾配が変化した遅延特性及び補償特性を示している。
図５では電荷量・時間積が小さくなった状態を示してい
る。
び補償特性を示す図であり、電荷量・時間積の変化によ
り勾配が変化した遅延特性及び補償特性を示している。
図５では電荷量・時間積が小さくなった状態を示してい
る。
【００６５】図５で示すようにパルスパワー電源３５の
遅延特性が変化する場合は、パルス毎に遅延特性に合わ
せて補償特性を変化させて適切な補償時間Ｔcを求め
る。なお本実施形態の構成は第１の実施形態と同様であ
るため、以下ではその動作について説明する。
遅延特性が変化する場合は、パルス毎に遅延特性に合わ
せて補償特性を変化させて適切な補償時間Ｔcを求め
る。なお本実施形態の構成は第１の実施形態と同様であ
るため、以下ではその動作について説明する。
【００６６】図６はコントローラ３１の処理工程を示す
ブロック図であり、電荷量・時間積が変化する場合の処
理工程を示している。なお図３と同じ処理工程に関して
は説明を省略する。
ブロック図であり、電荷量・時間積が変化する場合の処
理工程を示している。なお図３と同じ処理工程に関して
は説明を省略する。
【００６７】パルス毎に電荷量の逆数ｂ／（ａＱcn）と
遅延時間Ｔdnとが計測される。メモリ３４にはパルス毎
の遅延時間Ｔdn、Ｔs及び電荷量の演算値ｂ／（ａＱc
n）がＡ／Ｄ変換され保存されている。そこで例えば前
回パルスの遅延時間Ｔd1＋Ｔs及び電荷量の演算値ｂ／
（ａＱc1）と、前々回パルスの遅延時間Ｔd2＋Ｔs及び
電荷量の演算値ｂ／（ａＱc2）とがメモリ３４から読み
出される。そして次式 ｛ｂ／（ａＱc1）−ｂ／（ａＱc2）｝／｛（Ｔd1＋Ｔs）−（Ｔd2＋Ｔs）｝ ・・・（１）式 により演算が行われ、遅延特性における勾配が求められ
る。さらにこの勾配に−１が乗算され、Ｄ／Ａ変換さ
れ、ランプ波発生器に入力される。すると外部トリガＴ
Ｒが入力されてからのランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱ
c）の減少の割合が変化する。すなわち補償特性は図５
で示されるように変化される。以上のようにパルス毎に
最新の補償特性が求められるため、電荷量・時間積が変
化しても適切な補償時間Ｔcが得られる。
遅延時間Ｔdnとが計測される。メモリ３４にはパルス毎
の遅延時間Ｔdn、Ｔs及び電荷量の演算値ｂ／（ａＱc
n）がＡ／Ｄ変換され保存されている。そこで例えば前
回パルスの遅延時間Ｔd1＋Ｔs及び電荷量の演算値ｂ／
（ａＱc1）と、前々回パルスの遅延時間Ｔd2＋Ｔs及び
電荷量の演算値ｂ／（ａＱc2）とがメモリ３４から読み
出される。そして次式 ｛ｂ／（ａＱc1）−ｂ／（ａＱc2）｝／｛（Ｔd1＋Ｔs）−（Ｔd2＋Ｔs）｝ ・・・（１）式 により演算が行われ、遅延特性における勾配が求められ
る。さらにこの勾配に−１が乗算され、Ｄ／Ａ変換さ
れ、ランプ波発生器に入力される。すると外部トリガＴ
Ｒが入力されてからのランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱ
c）の減少の割合が変化する。すなわち補償特性は図５
で示されるように変化される。以上のようにパルス毎に
最新の補償特性が求められるため、電荷量・時間積が変
化しても適切な補償時間Ｔcが得られる。
【００６８】なおパルスパワー電源３５に熱的に大きな
負荷が加えられると、遅延時間Ｔsが変化する場合があ
る。しかし遅延時間Ｔsの時間の経過に対する変化量は
小さく、所定パルス間の変化は無視できる。したがって
（１）式ではその変化量を無視でき同一値として演算さ
れる。
負荷が加えられると、遅延時間Ｔsが変化する場合があ
る。しかし遅延時間Ｔsの時間の経過に対する変化量は
小さく、所定パルス間の変化は無視できる。したがって
（１）式ではその変化量を無視でき同一値として演算さ
れる。
【００６９】このようにして外部トリガＴＲが入力され
てから補償時間Ｔc経過したときに、補正トリガＴＲLが
出力される。
てから補償時間Ｔc経過したときに、補正トリガＴＲLが
出力される。
【００７０】第２の実施形態によれば、パルス毎に遅延
特性が求められ、さらにこの遅延特性に基づき補償特性
が求められている。このように常に最新の補償特性が求
められているため、全可飽和リアクトルＳＬの温度変化
による電圧・時間積（電荷量・時間積）の変化に合わせ
て補償特性を変化させることができる。したがってトー
タル時間Ｔtを一定にすることができ、より精度の高い
半導体基板の露光を行うことができる。
特性が求められ、さらにこの遅延特性に基づき補償特性
が求められている。このように常に最新の補償特性が求
められているため、全可飽和リアクトルＳＬの温度変化
による電圧・時間積（電荷量・時間積）の変化に合わせ
て補償特性を変化させることができる。したがってトー
タル時間Ｔtを一定にすることができ、より精度の高い
半導体基板の露光を行うことができる。
【００７１】つぎに第３の実施形態について図１、図
７、図８を用いて説明する。
７、図８を用いて説明する。
【００７２】レーザ発振が続けられると転送コンデンサ
Ｃnの温度は上昇する。転送コンデンサＣnの温度が上昇
するに伴い遅延時間Ｔd＋Ｔsが変動し短くなる場合があ
る。このような変動もドリフトという。このドリフトが
発生した場合は補償時間Ｔcとは別に、遅延時間Ｔd＋Ｔ
sが短くなった分に相当する時間Ｔaをさらに設定する必
要がある。以下では、この時間Ｔaを補正時間Ｔaとい
う。なお本実施形態の構成は第１の実施形態と同様であ
るため、以下ではその動作について説明する。
Ｃnの温度は上昇する。転送コンデンサＣnの温度が上昇
するに伴い遅延時間Ｔd＋Ｔsが変動し短くなる場合があ
る。このような変動もドリフトという。このドリフトが
発生した場合は補償時間Ｔcとは別に、遅延時間Ｔd＋Ｔ
sが短くなった分に相当する時間Ｔaをさらに設定する必
要がある。以下では、この時間Ｔaを補正時間Ｔaとい
う。なお本実施形態の構成は第１の実施形態と同様であ
るため、以下ではその動作について説明する。
【００７３】図７はコントローラ３１の処理工程を示す
ブロック図である。図８はコントローラ３１の処理工程
のタイムチャート図である。
ブロック図である。図８はコントローラ３１の処理工程
のタイムチャート図である。
【００７４】なおコントローラ３１には外部トリガＴＲ
が入力されてからレーザ光が発光されるまでの時間を計
測するためにフリップフロップ及び時間計測用のランプ
波発生器が使用されており、またトータル時間Ｔtの目
標値に相当する電圧ｖt0が予め設定されている。図８で
はこの電圧ｖt0が波形７で示されている。
が入力されてからレーザ光が発光されるまでの時間を計
測するためにフリップフロップ及び時間計測用のランプ
波発生器が使用されており、またトータル時間Ｔtの目
標値に相当する電圧ｖt0が予め設定されている。図８で
はこの電圧ｖt0が波形７で示されている。
【００７５】各パルス前には、図示しないステッパ側か
らエネルギー指令値Ｅが電圧指令値演算部２２に入力さ
れ、電圧指令値演算部２２から充電電圧指令値Ｖ0が充
電器１３に入力される。すると充電器１３と充電コンデ
ンサＣ0との間には充電電流が流れる。電流センサ３２
ではこの充電電流が計測され、積分器３７では計測値が
時間積分されて電荷量Ｑc1が求められる。図７に示すよ
うに、コントローラ３１では求められた電荷量Ｑc1に係
数ａが乗算され、その演算値ａＱc1の逆数が演算され演
算値ｂ／（ａＱc1）（ｂは比例係数）が求められる。図
８ではこの演算値ｂ／（ａＱc1）を波形２で示す。
らエネルギー指令値Ｅが電圧指令値演算部２２に入力さ
れ、電圧指令値演算部２２から充電電圧指令値Ｖ0が充
電器１３に入力される。すると充電器１３と充電コンデ
ンサＣ0との間には充電電流が流れる。電流センサ３２
ではこの充電電流が計測され、積分器３７では計測値が
時間積分されて電荷量Ｑc1が求められる。図７に示すよ
うに、コントローラ３１では求められた電荷量Ｑc1に係
数ａが乗算され、その演算値ａＱc1の逆数が演算され演
算値ｂ／（ａＱc1）（ｂは比例係数）が求められる。図
８ではこの演算値ｂ／（ａＱc1）を波形２で示す。
【００７６】図８の波形１で示すように、外部トリガＴ
Ｒ1が時刻ｔ1で入力されると、ランプ波発生器の変数ｂ
／（ａＱc）が一定の割合で減少し始める。この際、変
数ｂ／（ａＱc）のオフセット量はｂ／（ａＱc0）であ
る。時間の経過に応じた変数ｂ／（ａＱc）の変化を示
すと図８の波形３のようなランプ波となる。この波形３
は図２（ｂ）に示した補償特性と一致する。コンパレー
タでは変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc1）とが
時刻ｔ1から連続的に比較される。そして時刻ｔ1から補
償時間Ｔc経過する時刻ｔ2で変数ｂ／（ａＱc）が演算
値ｂ／（ａＱc1）と一致する。すなわち時刻ｔ2で波形
３と波形２とが交わる。このとき波形４で示すように、
コンパレータから補正トリガＴＲL1が出力される。
Ｒ1が時刻ｔ1で入力されると、ランプ波発生器の変数ｂ
／（ａＱc）が一定の割合で減少し始める。この際、変
数ｂ／（ａＱc）のオフセット量はｂ／（ａＱc0）であ
る。時間の経過に応じた変数ｂ／（ａＱc）の変化を示
すと図８の波形３のようなランプ波となる。この波形３
は図２（ｂ）に示した補償特性と一致する。コンパレー
タでは変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc1）とが
時刻ｔ1から連続的に比較される。そして時刻ｔ1から補
償時間Ｔc経過する時刻ｔ2で変数ｂ／（ａＱc）が演算
値ｂ／（ａＱc1）と一致する。すなわち時刻ｔ2で波形
３と波形２とが交わる。このとき波形４で示すように、
コンパレータから補正トリガＴＲL1が出力される。
【００７７】補正トリガＴＲL1が半導体スイッチＳＷに
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ2から遅延時間Ｔd＋Ｔs経過する時刻ｔ3で
レーザ光が発光される。
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ2から遅延時間Ｔd＋Ｔs経過する時刻ｔ3で
レーザ光が発光される。
【００７８】一方外部トリガＴＲ1が時刻ｔ1で入力され
ると、図８の波形５のようにフリップフロップがセット
されハイレベルＨとなり、波形６のように時間計測用の
ランプ波発生器の電圧ｖsが一定の割合で上昇し始め
る。時刻ｔ3でレーザ光が発光され電磁コイル３３から
の所定電流が入力されるとフリップフロップがリセット
されローレベルＬとなり、時間計測用のランプ波発生器
の電圧上昇が停止する。このときの電圧値ｖt1はサンプ
ルホールドされる。そしてこの電圧値ｖt1とトータル時
間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差が求められ
る。この差に所定ゲインが乗算され補正時間Ｔaに相当
する電圧値が求められる。この補正時間Ｔaに相当する
電圧値はランプ波発生器の出力に加算され、つぎのパル
スにおいて変数ｂ／（ａＱc）のオフセット量の補正に
用いられる。つまりフィードバック制御が行われる。
ると、図８の波形５のようにフリップフロップがセット
されハイレベルＨとなり、波形６のように時間計測用の
ランプ波発生器の電圧ｖsが一定の割合で上昇し始め
る。時刻ｔ3でレーザ光が発光され電磁コイル３３から
の所定電流が入力されるとフリップフロップがリセット
されローレベルＬとなり、時間計測用のランプ波発生器
の電圧上昇が停止する。このときの電圧値ｖt1はサンプ
ルホールドされる。そしてこの電圧値ｖt1とトータル時
間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差が求められ
る。この差に所定ゲインが乗算され補正時間Ｔaに相当
する電圧値が求められる。この補正時間Ｔaに相当する
電圧値はランプ波発生器の出力に加算され、つぎのパル
スにおいて変数ｂ／（ａＱc）のオフセット量の補正に
用いられる。つまりフィードバック制御が行われる。
【００７９】つぎのパルスにおいて、図７で示すよう
に、コントローラ３１では積分器３７で求められた充電
コンデンサＣ0の電荷量Ｑc2に係数ａが乗算され、その
演算値ａＱc2の逆数が演算され演算値ｂ／（ａＱc2）が
求められる。図８ではこの演算値ｂ／（ａＱc2）を波形
２′で示す。
に、コントローラ３１では積分器３７で求められた充電
コンデンサＣ0の電荷量Ｑc2に係数ａが乗算され、その
演算値ａＱc2の逆数が演算され演算値ｂ／（ａＱc2）が
求められる。図８ではこの演算値ｂ／（ａＱc2）を波形
２′で示す。
【００８０】図８の波形１′で示すように、外部トリガ
ＴＲ2が時刻ｔ4（＞ｔ3）で入力されると、時刻ｔ4から
ランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）が一定の割合で減
少し始める。この際、変数ｂ／（ａＱc）のオフセット
量はｂ／（ａＱc0）に前回パルスで求めた補正時間Ｔa
に相当する電圧値が加算された値である。時間の経過に
応じて変数ｂ／（ａＱc）の変化を示すと図８の波形
３′のようなランプ波となる。この波形３′の勾配は図
２（ｂ）に示した補償特性と一致する。コンパレータで
は変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc2）とが時刻
ｔ4から連続的に比較される。そして時刻ｔ5から補償時
間Ｔ′c経過する時刻ｔ6で変数ｂ／（ａＱc）が演算値
ｂ／（ａＱc2）と一致する。すなわち時刻ｔ6で波形
３′と波形２′とが交わる。このとき波形４′で示すよ
うに、コンパレータから補正トリガＴＲL2が出力され
る。
ＴＲ2が時刻ｔ4（＞ｔ3）で入力されると、時刻ｔ4から
ランプ波発生器の変数ｂ／（ａＱc）が一定の割合で減
少し始める。この際、変数ｂ／（ａＱc）のオフセット
量はｂ／（ａＱc0）に前回パルスで求めた補正時間Ｔa
に相当する電圧値が加算された値である。時間の経過に
応じて変数ｂ／（ａＱc）の変化を示すと図８の波形
３′のようなランプ波となる。この波形３′の勾配は図
２（ｂ）に示した補償特性と一致する。コンパレータで
は変数ｂ／（ａＱc）と演算値ｂ／（ａＱc2）とが時刻
ｔ4から連続的に比較される。そして時刻ｔ5から補償時
間Ｔ′c経過する時刻ｔ6で変数ｂ／（ａＱc）が演算値
ｂ／（ａＱc2）と一致する。すなわち時刻ｔ6で波形
３′と波形２′とが交わる。このとき波形４′で示すよ
うに、コンパレータから補正トリガＴＲL2が出力され
る。
【００８１】補正トリガＴＲL2が半導体スイッチＳＷに
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ6から遅延時間Ｔ′d＋Ｔs経過する時刻ｔ7
でレーザ光が発光される。
入力されると、充電コンデンサＣ0から転送コンデンサ
Ｃ1への電荷転送が開始される。そしてパルス圧縮が行
われ、時刻ｔ6から遅延時間Ｔ′d＋Ｔs経過する時刻ｔ7
でレーザ光が発光される。
【００８２】一方外部トリガＴＲ2が時刻ｔ4で入力され
ると、図８の波形５′のようにフリップフロップがセッ
トされハイレベルＨとなり、波形６′のように時間計測
用のランプ波発生器の電圧ｖsが一定の割合で上昇し始
める。時刻ｔ7でレーザ光が発光され、電磁コイル３３
の発光信号が入力されるとフリップフロップがリセット
されローレベルＬとなり、時間計測用のランプ波発生器
の電圧上昇が停止する。このときの電圧値ｖt2はサンプ
ルホールドされる。そしてこの電圧値ｖt2とトータル時
間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差が求められ
る。図８では波形６′と波形７の値が一致している。し
たがって当パルスで用いられた補正時間Ｔaに相当する
値を用いて波形３を平行移動させることでトータル時間
Ｔtを目標値に一致させることができる。
ると、図８の波形５′のようにフリップフロップがセッ
トされハイレベルＨとなり、波形６′のように時間計測
用のランプ波発生器の電圧ｖsが一定の割合で上昇し始
める。時刻ｔ7でレーザ光が発光され、電磁コイル３３
の発光信号が入力されるとフリップフロップがリセット
されローレベルＬとなり、時間計測用のランプ波発生器
の電圧上昇が停止する。このときの電圧値ｖt2はサンプ
ルホールドされる。そしてこの電圧値ｖt2とトータル時
間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差が求められ
る。図８では波形６′と波形７の値が一致している。し
たがって当パルスで用いられた補正時間Ｔaに相当する
値を用いて波形３を平行移動させることでトータル時間
Ｔtを目標値に一致させることができる。
【００８３】なおサンプルホールドされた電圧値ｖtnと
トータル時間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差
がマイナスの場合は、補正トリガＴＲLを出力する時間
が遅くされる。つまり図８の波形３が右に移動する。ま
たサンプルホールドされた電圧値ｖtnとトータル時間Ｔ
tの目標値に相当する電圧値ｖt0との差がプラスの場合
は、補正トリガＴＲLを出力する時間が早くされる。つ
まり図８の波形３が左に移動する。
トータル時間Ｔtの目標値に相当する電圧値ｖt0との差
がマイナスの場合は、補正トリガＴＲLを出力する時間
が遅くされる。つまり図８の波形３が右に移動する。ま
たサンプルホールドされた電圧値ｖtnとトータル時間Ｔ
tの目標値に相当する電圧値ｖt0との差がプラスの場合
は、補正トリガＴＲLを出力する時間が早くされる。つ
まり図８の波形３が左に移動する。
【００８４】また本実施形態では、サンプルホールドさ
れた電圧値ｖtnとトータル時間Ｔtの目標値に相当する
電圧値ｖt0との差に所定ゲインを乗算して求めた補正時
間Ｔaに相当する電圧値を用いて、次回のパルスで電圧
値ｖtnが電圧値ｖt0に一致するようにしている。しかし
これに限られることなく、所定ゲインを小さく設定し、
電圧値ｖtnを電圧値ｖt0へ徐々に近づけるようにしても
よい。また所定ゲインを電圧値ｖtnと電圧値ｖt0の差の
大きさに応じて変更できるようにしてもよい。さらに所
定ゲインを電圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差に比例するよ
うに設定すれば、電圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差が大き
い場合に、電圧値ｖtnを電圧値ｖt0へ急速に近づけ、電
圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差が小さい場合に、電圧値ｖ
tnを微調整するように制御できる。
れた電圧値ｖtnとトータル時間Ｔtの目標値に相当する
電圧値ｖt0との差に所定ゲインを乗算して求めた補正時
間Ｔaに相当する電圧値を用いて、次回のパルスで電圧
値ｖtnが電圧値ｖt0に一致するようにしている。しかし
これに限られることなく、所定ゲインを小さく設定し、
電圧値ｖtnを電圧値ｖt0へ徐々に近づけるようにしても
よい。また所定ゲインを電圧値ｖtnと電圧値ｖt0の差の
大きさに応じて変更できるようにしてもよい。さらに所
定ゲインを電圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差に比例するよ
うに設定すれば、電圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差が大き
い場合に、電圧値ｖtnを電圧値ｖt0へ急速に近づけ、電
圧値ｖtnと電圧値ｖt0との差が小さい場合に、電圧値ｖ
tnを微調整するように制御できる。
【００８５】第３の実施形態によれば、第１、第２の実
施形態では補償しきれない要因、例えば転送コンデンサ
Ｃnの温度変化、による遅延時間の変動に対応すること
ができる。したがってトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
施形態では補償しきれない要因、例えば転送コンデンサ
Ｃnの温度変化、による遅延時間の変動に対応すること
ができる。したがってトータル時間Ｔtを一定にするこ
とができ、より精度の高い半導体基板の露光を行うこと
ができる。
【００８６】なお本発明に係る発光時間制御装置３０は
磁気圧縮回路を使用する全てのガスレーザ装置に適用す
ることができる。
磁気圧縮回路を使用する全てのガスレーザ装置に適用す
ることができる。
【図１】図１は本発明の実施形態を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】図２（ａ）はパルスパワー電源３５の遅延特性
示す図であり、図２（ｂ）はパルスパワー電源３５の遅
延特性及び補償特性を示す図である。
示す図であり、図２（ｂ）はパルスパワー電源３５の遅
延特性及び補償特性を示す図である。
【図３】図３はコントローラ３１の処理工程を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】図４はコントローラ３１の処理工程のタイムチ
ャート図である。
ャート図である。
【図５】図５はパルスパワー電源３５の遅延特性及び補
償特性を示す図である。
償特性を示す図である。
【図６】図６はコントローラ３１の処理工程を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図７】図７はコントローラ３１の処理工程を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図８】図８はコントローラ３１の処理工程のタイムチ
ャート図である。
ャート図である。
【図９】図９はエキシマレーザ装置１０の構成を示す図
である。
である。
【図１０】図１０はパルスパワー電源１２に使用される
回路及び周辺の構成要素を示す図である。
回路及び周辺の構成要素を示す図である。
【図１１】図１１は可飽和リアクトルに印加される電圧
の時間積分を電圧・時間積に置き換えることを説明する
ための図である。
の時間積分を電圧・時間積に置き換えることを説明する
ための図である。
１３ 充電器 ２１ 放電電極 ３０ 発光時間制
御装置 ３１ コントローラ ３２ 電流センサ ３３ 電
磁コイル ３４ メモリ ３７ 積分器 Ｃ0 充電コンデンサ Ｃ1〜Ｃ3 転送コンデンサ Ｃp ピーキングコンデンサ ＳＬ1〜ＳＬ3 可飽和リ
アクトル ＳＷ 半導体スイッチ
御装置 ３１ コントローラ ３２ 電流センサ ３３ 電
磁コイル ３４ メモリ ３７ 積分器 Ｃ0 充電コンデンサ Ｃ1〜Ｃ3 転送コンデンサ Ｃp ピーキングコンデンサ ＳＬ1〜ＳＬ3 可飽和リ
アクトル ＳＷ 半導体スイッチ
Claims (6)
- 【請求項１】 ガスレーザ装置において、 複数の転送コンデンサ及び１以上の可飽和リアクトルを
有し、可飽和リアクトルの磁気飽和を利用して前段の転
送コンデンサから後段の転送コンデンサへ電荷を順次転
送して最終段の転送コンデンサに接続された放電電極間
で放電を行いパルスレーザ光を発光するようにした電荷
転送回路と、 前記転送コンデンサのうち１段目の転送コンデンサに転
送する電荷を蓄える充電コンデンサと、 前記充電コンデンサで蓄える電荷量を計測する電荷量計
測手段と、 外部トリガを入力してから前記放電電極間で発光するま
での時間をパルス毎に一定とするように、前記電荷量に
応じた補償時間を求め、外部トリガを入力してから前記
補償時間が経過した時に補正トリガを出力する補正トリ
ガ出力手段と、 補正トリガの入力に応じて前記充電コンデンサと前記１
段目の転送コンデンサとを電気的に接続するスイッチと
を備えたことを特徴とするガスレーザ装置。 - 【請求項２】 前記補正トリガ出力手段は、補償時間
と電荷量の逆数との関係を予め記憶し、この記憶した関
係に基づき補償時間を求めることを特徴とする請求項１
記載のガスレーザ装置。 - 【請求項３】 補正トリガを出力してから前記放電電
極間で発光するまでの遅延時間と電荷量の逆数とをパル
ス毎に計測し、遅延時間と電荷量の逆数とをパルス毎に
記憶し、 前記補正トリガ出力手段は、記憶した２以上の遅延時間
とこれらの遅延時間に対応する電荷量の逆数とに基づい
て遅延時間と電荷量の逆数との関係を求め、この遅延時
間と電荷量の逆数との関係に基づき補償時間と電荷量の
逆数との関係をパルス毎に求めることを特徴とする請求
項１記載のガスレーザ装置。 - 【請求項４】 外部トリガを入力してから前記放電電
極間で発光するまでの目標時間を記憶し、外部トリガを
入力してから前記放電電極間で発光するまでの時間を計
測し、前記目標時間と計測した時間との時間差を求め、
この時間差を前記補正トリガ出力手段に出力する時間差
出力手段を備え、 前記補正トリガ出力手段は前記時間差を補償時間に加算
することを特徴とする請求項２記載のガスレーザ装置。 - 【請求項５】 外部トリガを入力してから前記放電電
極間で発光するまでの目標時間を記憶し、外部トリガを
入力してから前記放電電極間で発光するまでの時間を計
測し、前記目標時間に計測した時間との時間差を求め、
前記時間差に所定ゲインを乗算して前記補正トリガ出力
手段に出力する時間差出力手段を備え、 前記補正トリガ出力手段は所定ゲインが乗算された時間
差を次回パルスの補償時間に加算することを特徴とする
請求項２記載のガスレーザ装置。 - 【請求項６】 前記放電電極間で発光したことを磁束
密度の変化として検出する電磁コイルを備え、 前記補正トリガ出力手段は前記電磁コイルの検出結果に
基づき遅延時間又は外部トリガを入力してから前記放電
電極間で発光するまでの時間を計測することを特徴とす
る請求項３、４、５記載のガスレーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364625A JP3806025B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | ガスレーザ装置 |
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