JP3971385B2 - 2室ガス放電レーザシステムのタイミング制御 - Google Patents
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Description
放電ガスレーザは公知であり、1960年代にレーザが発明された直後から利用可能でなっている。2つの電極間の高電圧放電は、レーザガスを励起してガス状利得媒質を生成する。利得媒質を含む空洞共振器は、光の誘導増幅を可能にし、その後、光はレーザ光の形態で空洞から抽出される。これらの放電ガスレーザの多くは、パルスモードで作動される。
エキシマレーザは、特定の形式の放電ガスレーザであり、1970年代半ばから知られている。集積回路リソグラフィに有用なエキシマレーザは、1991年6月11日発行の米国特許第5,023,884号「小型エキシマレーザ」に説明されている。この特許は、本出願人の雇用主に譲渡されており、その開示内容は引用により本明細書に組み込まれている。米国特許第5,023,884号で説明されているエキシマレーザは、高繰返し率パルスレーザである。これらのエキシマレーザは、集積回路リソグラフィに使用する場合、一般的に、時間当たり何千個もの高価な集積回路を「24時間体制」で製造する集積回路製造ラインで稼働するので、休止時間は非常に不経済である。この理由で、構成部品の大半は、数分以内に交換可能なモジュールにまとめられている。一般的に、リソグラフィに使用されるエキシマレーザは、出力ビームの帯域を1ピコメートルまで狭くする必要がある。この「線幅狭小化」は、一般的に、レーザの空洞共振器の背部を形成する線幅狭小化モジュール(「線幅狭小化パッケージ」又は「LNP」と呼ぶ)において達成される。このLNPは、プリズム、ミラー、及び格子を含む精巧な光学素子で構成される。米国特許第5,023,884号で説明されている形式の放電ガスレーザは、電気パルス電源システムを利用して2つの電極間で放電を引き起こすようになっている。このような従来技術によるシステムでは、各々のパルスに関して、直流電源装置は、「充電コンデンサ」又は「C0」と呼ばれるコンデンサバンクを「充電電圧」と呼ばれる所定の制御電圧まで充電する。この充電電圧値は、従来技術による装置では約500ボルトから1000ボルトの範囲である。C0を所定電圧まで充電した後、半導体スイッチを閉じると、C0に蓄積された電気エネルギーは、一連の磁気圧縮回路及び変成器を通って瞬時にリンギングされ、各電極の両端に約16,000ボルト(又はそれ以上)の範囲の高電圧電位が生じ、約20nsから50nm持続する放電を引き起こすようになっている。
米国特許第5,023,884号に説明されているようなエキシマレーザは、1989年から2001年までの間に集積回路リソグラフィ用の主要な光源になった。現在、1000台以上のこれらのレーザが、最新の集積回路製造工場で使用されている。これらのレーザのほとんど全ては、米国特許第5,023,884号に説明されている基本設計の特徴を有する。これは、
(1)各電極の両端に約100パルスから2500パルス/秒のパルス繰返し率で電気パルスを供給するための単一のパルス電力システム、
(2)部分反射ミラー形式の出力カプラと、プリズムビーム拡大器、調整ミラー、及び格子から成る線幅狭小化ユニットとで構成された単一の空洞共振器、
(3)レーザガス(KrF又はArF)、2つの細長い電極、及び各パルス間の放電領域を除去するのに十分な速度で2つの電極間でレーザガスを循環させるための横流ファンを含む単一の放電室、
(4)パルス間基準でパルスエネルギー、エネルギー線量、及び波長を制御するためのフィードバック制御システムを用いて、出力パルスのパルスエネルギー、波長、及び帯域幅をモニタするためのビームモニタ、
である。
放電ガスレーザ(エキシマレーザシステムを含む)の帯域幅を狭くするための公知の技術では、狭帯域「シード」光が利得媒質に注入される。このシステムの一例として、「主発振器」と呼ばれるシード光を生成するレーザは、第1の利得媒質内に超狭帯域光を入力するように設計されており、この超狭帯域光は、第2の利得媒質内でシード光として使用される。第2の利得媒質が出力増幅器として機能する場合、このシステムは、主発振器出力増幅器(MOPA)システムと呼ぶ。第2の利得媒質自体が空洞共振器(レーザ発振を起こる)を有する場合、このシステムは、注入シード発振器(ISO)システム又は主発振器電力発振器(MOPO)システムと呼び、この場合、シードレーザを主発振器と呼び、下流側システムを電力発振器と呼ぶ。2つの別個のシステムで構成されたレーザシステムは、同程度の単一室レーザシステムよりもかなり高価で、大型かつ複雑なものになる傾向がある。従って、これらの2室レーザシステムの商業的用途は限られる。
前述の形式のガス放電レーザにおいて、放電持続時間は非常に短く、一般的に約20nsから50ns(20/10億・秒から50/10億・秒)である。更に、放電によって生成される反転分布は、反転分布が効果的に放電中にのみ存在するように非常に急激に減少される。これらの2つのレーザシステムにおいて、下流側レーザの反転分布は、上流側レーザからのビームが第2のレーザに到達した際に行なわれる必要がある。従って、2つのレーザの放電は、レーザシステムが適切に作動するよう適切に同期させる必要がある。これは、一般的なパルス電力システム内には放電タイミングの変動に関する幾つか潜在的な原因があるので問題となる場合もある。2つの最も重要なタイミング変動の原因は、パルス電力回路で使用される可飽和インダクタの電圧変動及び温度変動である。パルス電力充電電圧及びインダクタ温度をモニタし、その測定データ及び遅延回路を利用して放電タイミングを所望値に正規化することは公知である。従来技術による一例は、本明細書に引用によって組み込まれている米国特許第6,016,326号で説明されている。つまり、従来技術において、タイミング誤差は、低減することは可能であるが無くすことはできない。最終的に生じるこれらの誤差は「ジッタ」と呼ばれる。
ジッタの問題を処理する改善された方法が必要である。
図1は、主発振器出力増幅器(MOPA)システムとして構成された2室ArF放電レーザシステムの好適な全体レイアウトである。本システムは、2001年11月30日出願の米国特許出願番号10/012,002に詳細に説明されている以下の特徴を含む。
(1)2つの放電室及びレーザ光学部品は、レーザキャビネット4内に運動学的に取り付けられた垂直光学テーブル11上に取り付けられる。放電室は、光学テーブルにボルト留めされた剛性片持アーム部の上に支持される。この設計では、主発振器10は、出力増幅器12の上方に取り付けられている。
(2)高電圧電源装置6Bは、レーザキャビネット4に収容されている。この2室ArF4000Hzシステムは、単一の1200ボルト電源装置のみを必要とする。4000Hz KrFシステムも同様である。しかしながら、レーザキャビネットには、2室6000HzF2レーザシステムに必要となるであろう2台の追加の高電圧電源装置のための空間が設けられている。追加の高電圧電源装置の一方は、6000HzArFシステムで使用されることになる。
(3)2つのレーザ室の各々と、レーザ室用パルス電源装置は、引用により本明細書に組み込まれている米国特許出願番号09/854,097で説明されている4000Hzの単室レーザシステムで利用されているレーザ室及びパルス電源装置と実質的に同一である。
(4)光学テーブル11の後方に配置されているパルス増倍モジュール13は、出力増幅器から出るパルスの持続時間を延ばすために本実施形態に含まれる。
(5)主発振器ビーム出力光学部品14Aは、MOからの出力ビームを出力増幅器入出力光学部品14Bへ導き、出力増幅器後部光学部品14Cを経由して出力増幅器12Cを通る2つの経路を得るように導く。第1の経路は電極に対して小さな角度を成し、第2の経路は電極に対して位置合わせされる。パルス伸長器を含むレーザシステムを通るビームの全経路は、真空適合エンクロージャ(図示せず)内に密封され、エンクロージャは、窒素又はヘリウムでパージされる。
図1に示す主発振器10は、多くの点において米国特許第5,023,884号及び米国特許第6,128,323号に説明されているような従来技術のArFレーザと類似しており、出力パルスエネルギーが約5mJではなく約0.1mJであること以外は米国特許出願番号09/854,097に説明されているArFレーザと実質的に同一である。4000Hz以上での作動を可能にするために、米国特許第6,128,323号のレーザに比較して重要な改良が施されている。主発振器は、帯域幅制御を含むスペクトル性能が最大限に高められている。これにより、非常に狭い帯域幅となり、帯域幅安定性が改善される。主発振器は、図2及び図2Aに示す放電室10Aを備え、放電室10Aには、各々長さ約50cmで、約0.5インチだけ離れている一対の細長い電極10A−2及び10A−4が配置されている。陽極10A−4は、流れを形成する陽極支持ロッド10A−6に取り付けられる。4つの別個のフィン付き水冷式熱交換器ユニット10A−8が設けられている。横流ファン10A−10は2つのモータ(図示せず)によって駆動され、電極間で速度約80m/sのレーザガス流を供給するようになっている。この横流ファンは、2つのブラシレスDCモータによって駆動される軸を備えるものとすることができる。さらに、このモータは、水冷式モータとすることができる。放電室は、レーザ光に対して約45°に配置されたCaF2窓を備える窓ユニット(図示せず)を含む。放電室の中心に取入れ口を有する静電フィルタユニットは、図2に11で示すガス流の一部を濾過し、米国特許第5,359,620号(引用により本明細書に組み込まれている)で説明されている方法で清浄ガスを窓ユニットへ導いて、放電デブリを窓から隔離するようになっている。主発振器の利得領域は、この実施形態においては約3%アルゴン、0.1%F2、及び残りの部分のネオンで構成されるレーザガスを介して各電極の間の放電によって形成される。なお、他の実施形態においては、レーザガスを、フッ化物と、ネオン、ヘリウム、又はネオンとヘリウムの混合物から成る群から選択されたバッファガスとを含むものとすることができる。ガス流は、次のパルスの前に各々の放電のデブリを放電領域から除去する。空洞共振器は、出力カプラ10Dによって出力側に形成され、出力カプラ10Dは、ビーム方向に垂直に取り付けられ、193nmの光の約30%を反射すると共に193nmの光の約70%を通過させるように被覆処理されたCaF2ミラーで構成される。空洞共振器の反対側の境界には、米国特許第6,128,323号で説明されている従来の線幅狭小化ユニットと類似の図1に示す線幅狭小化ユニット10Cがある。この線幅狭小化パッケージの重要な改良点には、ビームを水平方向に45倍に拡大するための4つのCaFビーム拡大プリズムと、比較的大きな回転を得るためのステッピングモータによって制御される調整ミラー、及びミラーの高精度の調整を行うための圧電ドライバが含まれる。約80ファセット/mmを有するミラーエシェル格子は、リットロウ(Litrow)構成で取り付けられ、約300pm幅のArF固有スペクトルから選択された非常に狭い幅の紫外光を反射する。主発振器は、従来技術によるリソグラフィ光源で一般的に使用されるよりもはるかに低いF2濃度で作動されることが好ましい。これにより帯域幅が非常に狭くなる。別の重要な改良点は、発振器ビームの断面を水平方向で1.1mm、垂直方向で7mmに限定する狭い後側開口である。
好適な実施形態における出力増幅器は、対応する主発振器放電室と類似のレーザ室で構成される。2つの別個のレーザ室を有することによって、波長及び帯域幅とは別に、パルスエネルギー及び一連のパルスによる統合エネルギー(線量と呼ぶ)を広範に制御することができる。これにより線量安定性が向上する。全てのレーザ室の構成部品は同一であり、製造工程時に交換可能である。しかしながら、作動時、MOのガス圧はPAのガス圧よりも実質的に低いことが好ましい。また、本実施形態においては、出力増幅器の圧縮ヘッドは、圧縮ヘッドと実質的に同一であり、圧縮ヘッドの構成部品も製造時に交換可能である。1つの相違点は、圧縮ヘッドコンデンサバンクのコンデンサが、PAと比較して、MOの場合の方が実質的に高いインダクタンスを生成するように広範囲にわたって配置できることである。パルス電力システムのレーザ室及び電気部品が実質的に同一なことは、ジッタ問題を最小限に抑えるように、パルス形成回路のタイミング特性を確実に同一に又は実質的に同一にするのを助ける。
図1に示す好適な実施形態において、基本的なパルス電力回路は、従来技術によるリソグラフィ用エキシマレーザ光源のパルス電力回路と類似のものである。しかしながら、充電コンデンサの下流側の別個のパルス電力回路は、各々の放電室に対して設けられている。単一の共振充電器は、両方の充電コンデンサバンクが正確に同じ電圧に確実に充電されるように、並列に接続された2つの充電コンデンサバンクを充電することが好ましい。パルス電力回路の構成部品の温度を調整するために重要な改良も行われている。好適な実施形態において、2つの室における相対的な放電タイミングを調整するために、可飽和インダクタの磁気コアの温度がモニタされ、温度信号がフィードバック回路で利用される。図3A及び図3Bは、MOに使用される好適な基本パルス電力回路の重要な構成部品を示す。同じ基本回路がPAにも使用される。
図3Bは、好適な共振充電器システムを示す。主要な回路要素は以下の通りである。
I1:一定の直流電流出力の3相電源装置300、
C−1:図3Aに示すC0コンデンサ42より1桁又はそれ以上大きなソースコンデンサ302、
Q1、Q2、及びQ3:C0の調整電圧を充電及び維持する電流を制御するスイッチ、
D1、D2、及びD3:電流を単一の方向へ流す、
R1及びR2:制御回路への電圧フィードバックを行う、
R3:僅かな過充電が生じた場合にC0の電圧の急速放電を可能にする、
L1:電流の流れ及び設定充電移動タイミングを制限するC−1コンデンサ302とC0コンデンサバンク42との間の共振インダクタ、
制御ボード304:回路フィードバックパラメータに基づいてQ1、Q2、Q3の開閉を指令する。
VF=[VC0S 2+(L1*ILIS 2)/C0]0.5
ここで、
Vf=Q1が開きL1の電流がゼロになった後のC0電圧、
VC0S=Q1が開いたときのC0電圧
ILIS=Q1が開いたときにL2を通って流れる電流
前述のように、本発明のMO及びPAのパルス電力システムの各々は、従来技術のシステムで使用されたのと同じ基本パルス電力設計(図3A)を利用する。しかしながら、非常に高くなった繰返し率に起因する約3倍の熱負荷に対して種々の変更が必要であった。
本セクションでは、整流器及び圧縮ヘッド製造の詳細を説明する。
半導体スイッチ46は、米国ペンシルバニア州ヤングウッド所在のPowerex社から供給されるP/NCM800 HA−34H IGBTスイッチである。好適な実施形態において、2つのスイッチは並列に使用される。
インダクタ64は、米国特許第5,448,580号及び米国特許第5,315,611号に説明されているような従来技術のシステムで使用されたものと類似の可飽和インダクタである。
図5に示すように、コンデンサバンク42、52、62、及び82(即ち、C0、C1、Cp-1、及びCp)は、全て、並列に接続された規格品のコンデンサバンクで構成される。コンデンサ42及び52は、米国ノースカロライナ州ステーツヴィル又はドイツ国ウィマ所在のVishay Roederstein社等の供給業者から市販されているフィルム形コンデンサである。コンデンサバンク62及び64は、一般的に、日本のムラタ又はティー・ディー・ケー(TDK)等から供給される高電圧セラミック製コンデンサの並列アレイで構成される。このArFレーザに使用される好適な実施形態において、コンデンサバンク82(即ち、Cp)は、9.9nFの静電容量が得られるように33個の0.3nFコンデンサで構成され、Cp−1は、総静電容量9.6nFが得られるように24個の0.40nFコンデンサバンクで構成され、C1は5.7μFのコンデンサバンクであり、C0は5.3μFのコンデンサバンクである。
また、パルス変成器56は、米国特許第5,448,580号及び米国特許第5,313,481号に説明されているパルス変成器と類似のものである。しかしながら、本実施形態のパルス変成器は、単巻きの2次巻線と、1:24の等価昇圧比が得られるように単一主巻回の1/24に等価な24個の誘導ユニットのみを有する。変成器の二次側は、きつく嵌入しているPTFE(テフロン(登録商標))の絶縁管内に取り付けられた単一外径のステンレス鋼ロッドである。変成器は、1:25の昇圧比をもつ。従って、約−1400ボルトの入力パルスは、2次側で約−35,000ボルトのパルスを生じる。この単一巻回2次巻線設計は、超低漏洩インダクタンスをもたらし、非常に高速な出力立ち上がり時間を可能とする。
Cpコンデンサ82は、レーザ室圧力容器の上部に取り付けられた33個の0.3nFコンデンサのバンクで構成される。(一般的に、ArFレーザは、3.5%アルゴン、0.1%フッ素、及び残りはネオンで構成されるレーザ発振用ガスで作動される)。各電極は、長さ約28インチであり、約0.5インチから1.0インチ、好ましくは約1/8インチだけ離間している。以下に好適な電極を説明する。この実施形態において、上部電極は陰極と呼び、下部電極は図5に示すように接地に接続されており陽極と呼ぶ。
ArF放電レーザ、KrF放電レーザ、及びF2放電レーザにおいて、充電は、約50ns(即ち、50/10億・秒)しか持続しない。この充電によってレーザ発振作用に必要な反転分布が生成されるが、この反転分布は放電中にのみ存在する。従って、シード光注入ArFレーザ、KrFレーザ、又はF2レーザの重要な要件は、シード光の増幅が生じ得るように、分布がレーザガス内で反転された際に、主発振器からのシード光を約50/10億・秒の間に出力増幅器の放電領域を確実に通過させるようにすることである。放電の正確なタイミングに対する大きな障壁は、(図3に示すように)スイッチ42を閉じるためにトリガされる時間と40nsから50nsしか持続されない放電の開始との間に約5マイクロ秒の遅延があることである。パルスがC0と各電極との間の回路を通ってリンギングするのに、この約5マイクロ秒の時間間隔が必要となる。この時間間隔は、充電電圧の大きさ及び回路内のインダクタの温度でかなり変化する。
2つの室の各々の放電のトリガは、各々の回路について米国特許第6,016,325号に説明されているものの1つ等のトリガ回路を利用して別個に達成される。これらの回路は、トリガと放電との間の時間が可能な限り一定に保たれるように、充電電圧の変動及びパルス電力部の電気部品の温度変化を補正するためのタイミング遅延を追加する。前述のように、2つの回路は基本的に同一であり、補正後の変動はほとんど同じである(即ち、互いに約2ns以内)。
放電の相対的なタイミングは、ビーム品質に大きな影響を与えることから、追加の段階は、放電タイミングを制御するように調整できる。例えば、特定のレーザ作動モードは、結果的に充電電圧の大きな変動又はインダクタ温度の大きな変動をもたらす場合がある。これらの大きな変動は、放電タイミングの制御を複雑にする場合がある。
放電タイミングは、パルス間基準でモニタすることができ、時間差は、フィードバック制御システムに使用してスイッチ42を閉じるトリガ信号のタイミングを調整することができる。PAでレーザ光が生成されない場合にはタイミングが不十分になる可能性があることから、レーザパルスではなくて放電蛍光(ASEという)を観察するために、フォトセルを用いてPA放電をモニタすることが好ましい。MOの場合にはASE又はシードレーザパルスのいずれかを使用することができる。
図3Aに示すように、パルスタイミングは、インダクタ48、54、及び64にバイアスを与えるインダクタLB1、LB2、及びLB3を通るバイアス電流を調整することによって増減することができる。他の方法を用いてこれらのインダクタを飽和させるのに必要な時間を長くすることができる。例えば、コア材料は、パルスタイミングモニタからのフィードバック信号に基づいてフィードバック制御することができる超高速応答PZT素子で機械的に分離することができる。
調整可能な寄生負荷は、C0の下流のパルス電力回路のいずれか一方又は両方に追加することができる。
パルスタイミングモニタ信号以外に充電電圧及びインダクタ温度信号をフィードバック制御に使用して、前述のトリガタイミングの調整に加えて前述のバイアス電圧又はコアの機械的な分離を調整することができる。
図3C1、図3C2、及び図3C3は、第2の好適なパルス電力回路を示す。この回路は、前述の実施形態と類似しているがC0をより高い電圧値に充電するために高電圧電源を利用する。前述の実施形態と同様に、交流230ボルト又は460ボルトの工場電力で作動する高電圧パルス電源ユニットは、前述のように高速充電共振充電器の電源であり、2つの2.17μFを約1100Vから2250Vの範囲の電圧に4000から6000Hzの周波数で正確に充電するように設計される。主発振器の整流器及び圧縮ヘッド内の電気部品は、出力増幅器内の対応する構成部品と可能な限り同じである。これは、2つの回路内の時間応答性を可能な限り同じに保つために行われる。各スイッチ46は、各々定格3300Vで並列に配置された2つのIGBTスイッチのバンクである。C0コンデンサバンク42は、2.17μFC0バンクを実現するために64個の並列接続で配置されている128個の0.068μFコンデンサで構成される。C1コンデンサバンク52は、2.33μFのバンク静電容量を形成するために68個の並列接続で配置されている136個の0.068μF 1600Vコンデンサで構成される。Cp-1及びCpコンデンサバンクは、図3を参照して説明したものと同一である。54個の可飽和インダクタは、0.5インチ厚の50%−50%Ni−Feで構成された、外径4.9インチ、内径3.8インチの5つの磁気コアを有する、約3.3nHの飽和インダクタンスをもつ単巻きインダクタである。64個の可飽和インダクタは、各々が80%−20%Ni−Feで作られ、外径5インチ、内径2.28インチを有する0.5インチ厚の5つのコアで構成された約38nHの飽和インダクタンスをもつ2巻きインダクタである。トリガ回路は、2ナノ秒のタイミング精度でIGBTの46を閉じるために設けられている。主発振器は、一般的に出力増幅器に対するIGBT46のトリガの約40ns前にトリガされる。しかしながら、正確なタイミングは、主発振器の出力タイミング及び出力増幅器の放電タイミングを測定するセンサからのフィードバック信号を用いて決めることが好ましい。
前述のように、パルス電力システムの磁気パルス圧縮の処理タイミングは、材料温度等の関数とすることができる磁気材料の特性に依存する。従って、正確なタイミングを維持するためには、これらの材料特性を直接的又は間接的にモニタ及び/又は予測することが非常に重要である。前述の1つの方法では、タイミングを予測するために、先に収集したデータ(温度の関数としての遅延時間)と共に温度モニタが利用されることになる。
タイミングのフィードバック制御は、レーザが連続的に作動しているときは比較的簡単で有効である。しかしながら、通常、リソグラフィレーザは、多くのウェーハ各々の20ヵ所の区域を処理するために、以下のようなバーストモードで作動する。
ウェーハを所定の位置に移動させるために1.2分間オフ
区域1を照射するために0.2秒間4000Hz
区域2に移動するために0.3秒間オフ
区域2を照射するために0.2秒間4000Hz
区域3に移動するために0.3秒間オフ
区域3を照射するために0.2秒間4000Hz
・・・
区域199を照射するために0.2秒間4000Hz
区域200に移動するために0.3秒間オフ
区域200を照射するために0.2秒間4000Hz
ウェーハを交換するために1分間オフ
次のウェーハ上に区域1を照射するために0.2秒間4000Hz等。
前述のようなタイミングアルゴリズムは、連続的又は規則的に繰返される運転に関しては良好に作動する。しかしながら、タイミングの精度は、ウェーハ交換のためのレーザオフの後の、又は5分といった長期間にわたるレーザオフの後の最初のパルス等の、例外的な状況では良好でない場合もある。特定の状況において、バーストの最初の1つ又は2つのパルスに対する不正確なタイミングは問題を引き起こさないであろう。好適な方法は、MOからのシード光の増幅をできないように、1つ又は2つのパルスに対してMO及びPAの放電が意図的にシーケンスを外れるようにレーザを予めプログラムすることである。例えば、レーザは、MOのトリガの110ns前にPAの放電をトリガするようプログラムすることができる。この場合、レーザからの実質的な出力はないであろうが、レーザ測定センサは、第1の出力パルスに対するタイミングパラメータが正確であるようにタイミングパラメータを決定することができる。
本出願人は、主発振器及び出力増幅器の放電の相対的なタイミングの影響を測定するために注意深く実験を行った。これらの試験は図5に要約されており、本出願人は、出力増幅器出力及び線幅狭小化出力(やはりミリジュール単位)からの光増幅自然放出(ASE)のパルスエネルギー(ミリジュール単位)をプロットした。両のプロットは、主発振器の放電の開始と出力増幅器の放電の開始との間の遅延に関して行った。ASEのエネルギーの大きさは、線幅狭小化光出力の場合よりも小さいことに留意されたい。
同様の結果を得るために、図6及び図7に概要を説明した方法に対して多くの変更を行うことができる。勿論、最良の結果を得るために30秒目標値といった時間値を選択する必要がある。各々のバーストの最初のパルスを無効にするように、1分は僅か数ミリ秒とすることができる。図5のデータに基づく図6の場合、110nsの時間間隔は、約70nsに短縮することができ、図7の場合、40nsの時間間隔は、約20nsとすることができる。プログラムは、各々のバーストの開始時に、又は延長されたアイドル期間後の各々のバーストの開始時に2つ又は複数の無出力放電をもたらすように変更することができる。Pセル出力閾値以外のパラメータを使用して放電開始時期を判定することができる。例えば、ピークコンデンサ電圧をモニタすることができる。放電開始直後の急激な電圧降下は、放電開始時期として使用することができる。
10 主発振器
10C 線幅狭小化ユニット
11 垂直光学テーブル
12 出力増幅器
14A 主発振器ビーム出力光学部品
Claims (23)
- タイミング制御機能を有する狭帯域2室高繰返し率ガス放電レーザシステムであって、 A)1)a)第1のレーザガスと、
b)第1の放電領域を形成する、各々細長い形状で間隔をあけて設けられた第1の電極対とを含む第1の放電室、
2)4,000パルス/秒又はそれ以上の範囲の繰返し率で作動する際に、各パルスの後に、デブリを、次のパルスの前に前記第1の放電領域から除去するための第1のファン、
3)前記第1のレーザガスから熱エネルギーを除去することができる第1の熱交換器システム、
4)前記第1の放電室で生成された光パルスのスペクトル帯域幅を狭小化するための線幅狭小化ユニットを備える第1のレーザユニットと、
B)1)a)第2のレーザガスと、
b)第2の放電領域を形成する、各々細長い形状で間隔をあけて設けられた第2の電極対とを含む第2の放電室、
2)4,000パルス/秒又はそれ以上の範囲の繰返し率で作動する際に、各パルスの後に、デブリを、次のパルスの前に前記第2の放電領域から除去するための第2のファン、
3)前記第2のレーザガスから熱エネルギーを除去することができる第2の熱交換器システムを備える第2のレーザユニットと、
C)約4,000パルス/秒の速度で制御されたパルスエネルギーを有するレーザパルスを生成するのに十分な電気パルスを前記第1の電極対及び前記第2の電極対に供給するようになったパルス電力システムと、
D)前記2室式レーザシステムによって生成されたレーザ出力パルスのパルスエネルギー、波長、及び帯域幅を測定すると共に、フィードバック制御方式で前記レーザ出力パルスを制御するためのレーザ光測定及び制御システムと、
E)フィードバックタイミング制御を行うアルゴリズムでプログラムされたプロセッサと、
を備え、
前記プロセッサはさらに、前記バーストパルスの開始時の前記第1及び第2のレーザユニットの少なくとも第1の放電セットは、放電の結果として有意なレーザ放射が生じないように、選択した相対時間に発生するように制御を行うようプログラムされていることを特徴とするレーザシステム。 - 前記第1のレーザユニットは、主発振器として構成され、前記第2のレーザユニットは、出力増幅器として構成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記レーザガスは、アルゴン、フッ素、及びネオンを含むことを特徴とする請求項2に記載のレーザシステム。
- 前記レーザガスは、クリプトン、フッ化物、及びネオンを含むことを特徴とする請求項2に記載のレーザシステム。
- 前記レーザガスは、フッ化物と、ネオン、ヘリウム、又はネオンとヘリウムの混合物から成る群から選択されたバッファガスとを含むことを特徴とする請求項2に記載のレーザシステム。
- 前記第1のファン及び前記第2のファンの各々は、横流ファンであり、各々は2つのブラシレスDCモータによって駆動される軸を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記モータは、水冷式モータであることを特徴とする請求項6に記載のレーザシステム。
- 前記パルス電力システムは、充電コンデンサを正確に制御された電圧に充電するための共振充電システムを備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記システムは、わずかな変更でもって、KrFレーザシステム、ArFレーザシステム、又はF2レーザシステムのいずれかで作動するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 実質的に全ての構成部品は、レーザエンクロージャに収容されるが、前記システムは、前記エンクロージャから物理的に離れたAC/DCモジュールを備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記パルス電力システムは、主発振器充電コンデンサバンクと、出力増幅器充電コンデンサバンクと、前記充電コンデンサバンクの両者を並列に充電するように構成された共振充電器を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 主発振器ビームパラメータを制御するために、前記第1のレーザガスのF2濃度を制御するためのガス制御システムを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 主発振器ビームパラメータを制御するために、前記第1のレーザガスのレーザガス圧力を制御するためのガス制御システムを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記主発振器の放電の20nsから60ns後に生じるように、前記出力増幅器の放電をトリガする放電タイミング制御装置を更に備えることを特徴とする請求項2に記載のレーザシステム。
- 特定の状況において、どの大きな出力パルスエネルギーも回避するよう時間調整された放電を引き起こすようにプログラムされた放電制御ユニットを更に備えることを特徴とする請求項2に記載のレーザシステム。
- 前記特定の状況において、前記制御装置は、前記主発振器での放電の少なくとも20ns前に前記出力増幅器の放電を引き起こすようにプログラムされることを特徴とする請求項15に記載のレーザシステム。
- 前記特定の状況において、前記制御装置は、前記主発振器での放電の少なくとも70ns後に前記出力増幅器の放電を引き起こすようにプログラムされることを特徴とする請求項15に記載のレーザシステム。
- 前記少なくとも20nsは、約40nsであることを特徴とする請求項16に記載のレーザシステム。
- 前記少なくとも70nsは、約110nsであることを特徴とする請求項17に記載のレーザシステム。
- 前記レーザシステムは、前記第1の放電室及び第2の放電室の各々における放電ASEを測定するためのPセルを更に備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記制御装置は、放電を示すために前記Pセルからの信号を使用するようにプログラムされることを特徴とする請求項20に記載のレーザシステム。
- 前記制御装置は、コンデンサ電圧の測定結果に基づいて放電を判定するようにプログラムされることを特徴とする請求項17に記載のレーザシステム。
- 主発振器(MO)と出力増幅器(PA)とを備えるMOPAシステムによって生成されるバーストパルスの放電タイミングを制御するための方法であって、フィードバック放電タイミング信号に基づいて前記パルスを生成するための放電タイミングを判定する段階を含み、前記バーストパルスの開始時の前記MO及びPAについての少なくとも第1の放電セットは、放電の結果として有意なレーザ放射が生じないように選択した相対時間に発生するようにプログラムされることを特徴とする方法。
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US10/012,002 US6625191B2 (en) | 1999-12-10 | 2001-11-30 | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
US10/036,727 US6865210B2 (en) | 2001-05-03 | 2001-12-21 | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
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Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6801560B2 (en) * | 1999-05-10 | 2004-10-05 | Cymer, Inc. | Line selected F2 two chamber laser system |
US6865210B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-03-08 | Cymer, Inc. | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
US6914919B2 (en) * | 2000-06-19 | 2005-07-05 | Cymer, Inc. | Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system |
US6912052B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-06-28 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
US7009140B2 (en) | 2001-04-18 | 2006-03-07 | Cymer, Inc. | Laser thin film poly-silicon annealing optical system |
US20050259709A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-11-24 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
US6963595B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-11-08 | Cymer, Inc. | Automatic gas control system for a gas discharge laser |
US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
US20030219094A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Basting Dirk L. | Excimer or molecular fluorine laser system with multiple discharge units |
US7308013B2 (en) | 2002-11-05 | 2007-12-11 | Lambda Physik Ag | Excimer or molecular fluorine laser system with precision timing |
US20040202220A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-10-14 | Gongxue Hua | Master oscillator-power amplifier excimer laser system |
US7741639B2 (en) * | 2003-01-31 | 2010-06-22 | Cymer, Inc. | Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control |
US6987790B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-01-17 | Lambda Physik Ag | Excimer or molecular fluorine laser with several discharge chambers |
US7277188B2 (en) * | 2003-04-29 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
US7366213B2 (en) * | 2003-05-19 | 2008-04-29 | Lambda Physik Ag | MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization |
US7209507B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-04-24 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system |
US6873418B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-29 | Cymer, Inc. | Optical mountings for gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
US6894785B2 (en) | 2003-09-30 | 2005-05-17 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
US7035012B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-04-25 | Coherent, Inc. | Optical pulse duration extender |
US20050286599A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Rafac Robert J | Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction |
JP4012216B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2007-11-21 | ファナック株式会社 | レーザ発振器 |
US7317536B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers |
US7653095B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
US7317179B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate |
US7471455B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-12-30 | Cymer, Inc. | Systems and methods for generating laser light shaped as a line beam |
US7679029B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
US7643529B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7999915B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-08-16 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7715459B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-05-11 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7630424B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-08 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7778302B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-08-17 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7885309B2 (en) | 2005-11-01 | 2011-02-08 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7746913B2 (en) | 2005-11-01 | 2010-06-29 | Cymer, Inc. | Laser system |
US20090296758A1 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-03 | Cymer, Inc. | Laser system |
JP5506194B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2014-05-28 | サイマー インコーポレイテッド | レーザシステム |
US7920616B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-04-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
US20090296755A1 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-03 | Cymer, Inc. | Laser system |
US7307237B2 (en) * | 2005-12-29 | 2007-12-11 | Honeywell International, Inc. | Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips |
US8803027B2 (en) * | 2006-06-05 | 2014-08-12 | Cymer, Llc | Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications |
EP2025419B1 (de) | 2007-07-20 | 2011-09-07 | Renate Fourné | Verfahren und Vorrichtung zum Entlacken von Bauteilen |
US7830942B2 (en) * | 2007-09-11 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Ultraviolet laser light source pulse energy control system |
JP2009246345A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Komatsu Ltd | レーザシステム |
US7819945B2 (en) * | 2008-10-30 | 2010-10-26 | Cymer, Inc. | Metal fluoride trap |
JP5844536B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステムおよびレーザ生成方法 |
JP5815987B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
KR20130034474A (ko) * | 2011-09-28 | 2013-04-05 | 참엔지니어링(주) | 레이저 출력 조정 장치 및 그 방법 |
US8681832B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-03-25 | Cymer, Inc. | System and method for high accuracy gas inject in a two chamber gas discharge laser system |
CN102810810A (zh) * | 2012-03-02 | 2012-12-05 | 中国科学院光电研究院 | 单腔双电极放电腔及准分子激光器 |
CN102931569B (zh) * | 2012-11-08 | 2014-07-30 | 中国科学院光电研究院 | 准分子激光器的自动温控系统 |
RU2647238C2 (ru) * | 2014-01-06 | 2018-03-14 | Сауди Бейсик Индастриз Корпорейшн | Модифицированный способ предварительного образования для активации катализатора при реакциях этилена |
WO2015189895A1 (ja) | 2014-06-09 | 2015-12-17 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
CN104836102B (zh) * | 2015-04-14 | 2018-03-23 | 中国科学院光电研究院 | 一种高重频双腔准分子激光器放电同步控制系统和方法 |
CN104820137B (zh) * | 2015-04-14 | 2017-10-31 | 中国科学院光电研究院 | 高频高压快脉冲时序采集装置和方法 |
US9785050B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-10-10 | Cymer, Llc | Pulsed light beam spectral feature control |
WO2017046844A1 (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
US9819136B2 (en) * | 2016-01-08 | 2017-11-14 | Cymer, Llc | Gas mixture control in a gas discharge light source |
US9634455B1 (en) * | 2016-02-16 | 2017-04-25 | Cymer, Llc | Gas optimization in a gas discharge light source |
WO2017158694A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
FR3052563B1 (fr) * | 2016-06-13 | 2018-08-24 | Universite De Rennes 1 | Module d'affinement spectral, dispositif a raie spectrale affinee et procede afferent |
US9989866B2 (en) | 2016-10-17 | 2018-06-05 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
US10416471B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-09-17 | Cymer, Llc | Spectral feature control apparatus |
US9997888B2 (en) | 2016-10-17 | 2018-06-12 | Cymer, Llc | Control of a spectral feature of a pulsed light beam |
US9835959B1 (en) | 2016-10-17 | 2017-12-05 | Cymer, Llc | Controlling for wafer stage vibration |
US9966725B1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-05-08 | Cymer, Llc | Pulsed light beam spectral feature control |
CN108964487B (zh) * | 2018-07-19 | 2019-08-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种用于磁压缩等离子体聚变的电源系统 |
GB201905126D0 (en) * | 2019-04-11 | 2019-05-29 | Perlemax Ltd | Fluidic oscilators |
CN110086074B (zh) * | 2019-05-06 | 2020-01-24 | 南京瑞贻电子科技有限公司 | 一种大功率光纤激光器线性补偿的动态耦合控制装置及控制方法 |
US20230051665A1 (en) * | 2020-03-16 | 2023-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser amplification device and extreme ultraviolet light generation apparatus |
CN117543324A (zh) * | 2022-12-27 | 2024-02-09 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 双腔准分子激光器的同步控制方法、控制设备及激光器 |
Family Cites Families (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1458066A (en) | 1922-06-14 | 1923-06-05 | Compte Edward P Le | Coat adjuster |
US2740963A (en) * | 1951-01-29 | 1956-04-03 | Gilfillan Bros Inc | Automatic amplitude cancellation in moving target indicator |
US4009391A (en) * | 1974-06-25 | 1977-02-22 | Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. | Suppression of unwanted lasing in laser isotope separation |
US4223279A (en) | 1977-07-18 | 1980-09-16 | Mathematical Sciences Northwest, Inc. | Pulsed electric discharge laser utilizing water dielectric blumlein transmission line |
US4329664A (en) * | 1980-06-09 | 1982-05-11 | Ali Javan | Generation of stable frequency radiation at an optical frequency |
US4550408A (en) | 1981-02-27 | 1985-10-29 | Heinrich Karning | Method and apparatus for operating a gas laser |
US4455658A (en) | 1982-04-20 | 1984-06-19 | Sutter Jr Leroy V | Coupling circuit for use with a transversely excited gas laser |
US4891820A (en) | 1985-12-19 | 1990-01-02 | Rofin-Sinar, Inc. | Fast axial flow laser circulating system |
US5315611A (en) | 1986-09-25 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High average power magnetic modulator for metal vapor lasers |
US5189678A (en) | 1986-09-29 | 1993-02-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Coupling apparatus for a metal vapor laser |
JPS63141381A (ja) | 1986-12-04 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 金属蒸気レ−ザ装置 |
US4959840A (en) | 1988-01-15 | 1990-09-25 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser |
US5023884A (en) | 1988-01-15 | 1991-06-11 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser |
WO1989007353A1 (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-10 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method and apparatus for controlling narrow-band oscillation excimer laser |
US5025446A (en) | 1988-04-01 | 1991-06-18 | Laserscope | Intra-cavity beam relay for optical harmonic generation |
US5005180A (en) | 1989-09-01 | 1991-04-02 | Schneider (Usa) Inc. | Laser catheter system |
US5022033A (en) * | 1989-10-30 | 1991-06-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ring laser having an output at a single frequency |
US5025445A (en) | 1989-11-22 | 1991-06-18 | Cymer Laser Technologies | System for, and method of, regulating the wavelength of a light beam |
JPH0456374A (ja) | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭酸ガスレーザ制御方法およびその装置 |
JPH0483387A (ja) | 1990-07-26 | 1992-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
US5091778A (en) * | 1990-12-21 | 1992-02-25 | Kaman Aerospace Corporation | Imaging lidar systems and K-meters employing tunable and fixed frequency laser transmitters |
US5181135A (en) * | 1990-12-21 | 1993-01-19 | Kaman Aerospace Corporation | Optical underwater communications systems employing tunable and fixed frequency laser transmitters |
US5471965A (en) | 1990-12-24 | 1995-12-05 | Kapich; Davorin D. | Very high speed radial inflow hydraulic turbine |
US5157684A (en) * | 1991-10-23 | 1992-10-20 | United Technologies Corporation | Optically pulsed laser |
US5425922A (en) * | 1991-12-27 | 1995-06-20 | Vicor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for manufacturing microcrystal particles and manufacturing method for the microcrystal particles |
JPH05335675A (ja) | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
US5463650A (en) * | 1992-07-17 | 1995-10-31 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for controlling output of an excimer laser device |
US5359620A (en) | 1992-11-12 | 1994-10-25 | Cymer Laser Technologies | Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser |
US5450436A (en) * | 1992-11-20 | 1995-09-12 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system |
US5534824A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-09 | The Boeing Company | Pulsed-current electron beam method and apparatus for use in generating and amplifying electromagnetic energy |
US5313481A (en) | 1993-09-29 | 1994-05-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Copper laser modulator driving assembly including a magnetic compression laser |
US5778016A (en) * | 1994-04-01 | 1998-07-07 | Imra America, Inc. | Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor |
US5434882A (en) * | 1994-04-12 | 1995-07-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Injection-controlled laser resonator |
US5448580A (en) | 1994-07-05 | 1995-09-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Air and water cooled modulator |
US5863017A (en) | 1996-01-05 | 1999-01-26 | Cymer, Inc. | Stabilized laser platform and module interface |
US5867305A (en) * | 1996-01-19 | 1999-02-02 | Sdl, Inc. | Optical amplifier with high energy levels systems providing high peak powers |
JPH10156558A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Ushio Inc | レーザマーキング装置 |
US5991324A (en) * | 1998-03-11 | 1999-11-23 | Cymer, Inc. | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US6128323A (en) | 1997-04-23 | 2000-10-03 | Cymer, Inc. | Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser |
US5982800A (en) | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
US6094448A (en) | 1997-07-01 | 2000-07-25 | Cymer, Inc. | Grating assembly with bi-directional bandwidth control |
US6192064B1 (en) | 1997-07-01 | 2001-02-20 | Cymer, Inc. | Narrow band laser with fine wavelength control |
US6212217B1 (en) | 1997-07-01 | 2001-04-03 | Cymer, Inc. | Smart laser with automated beam quality control |
US6330261B1 (en) | 1997-07-18 | 2001-12-11 | Cymer, Inc. | Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate ArF excimer laser |
US6018537A (en) | 1997-07-18 | 2000-01-25 | Cymer, Inc. | Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser |
USRE38054E1 (en) * | 1997-07-18 | 2003-04-01 | Cymer, Inc. | Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate F2 laser |
US5852621A (en) | 1997-07-21 | 1998-12-22 | Cymer, Inc. | Pulse laser with pulse energy trimmer |
US6757316B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-06-29 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser |
US6067306A (en) * | 1997-08-08 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback |
US5953360A (en) | 1997-10-24 | 1999-09-14 | Synrad, Inc. | All metal electrode sealed gas laser |
US6151346A (en) | 1997-12-15 | 2000-11-21 | Cymer, Inc. | High pulse rate pulse power system with fast rise time and low current |
US6240112B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-05-29 | Cymer, Inc. | High pulse rate pulse power system with liquid cooling |
US5978406A (en) | 1998-01-30 | 1999-11-02 | Cymer, Inc. | Fluorine control system for excimer lasers |
US6240117B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-05-29 | Cymer, Inc. | Fluorine control system with fluorine monitor |
US6151349A (en) | 1998-03-04 | 2000-11-21 | Cymer, Inc. | Automatic fluorine control system |
US6016325A (en) | 1998-04-27 | 2000-01-18 | Cymer, Inc. | Magnetic modulator voltage and temperature timing compensation circuit |
US6327286B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-12-04 | Cymer, Inc. | High speed magnetic modulator voltage and temperature timing compensation circuit |
US6477193B2 (en) | 1998-07-18 | 2002-11-05 | Cymer, Inc. | Extreme repetition rate gas discharge laser with improved blower motor |
US6208675B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Blower assembly for a pulsed laser system incorporating ceramic bearings |
US6067311A (en) | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Excimer laser with pulse multiplier |
US6567450B2 (en) * | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
US6778584B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-08-17 | Cymer, Inc. | High power gas discharge laser with helium purged line narrowing unit |
US6208674B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-03-27 | Cymer, Inc. | Laser chamber with fully integrated electrode feedthrough main insulator |
US6181719B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-01-30 | Universal Laser Systems, Inc. | Gas laser RF power source apparatus and method |
EP1147582A4 (en) * | 1998-12-15 | 2006-03-15 | Cymer Inc | ARF LASER WITH LOW PULSE ENERGY AND HIGH REPLAY RATE |
US6219368B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-04-17 | Lambda Physik Gmbh | Beam delivery system for molecular fluorine (F2) laser |
US6243406B1 (en) | 1999-03-12 | 2001-06-05 | Peter Heist | Gas performance control system for gas discharge lasers |
US6104735A (en) | 1999-04-13 | 2000-08-15 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with magnetic bearings and magnetic reluctance centering for fan drive assembly |
US6164116A (en) | 1999-05-06 | 2000-12-26 | Cymer, Inc. | Gas module valve automated test fixture |
US6801560B2 (en) * | 1999-05-10 | 2004-10-05 | Cymer, Inc. | Line selected F2 two chamber laser system |
US6370174B1 (en) * | 1999-10-20 | 2002-04-09 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 lithography laser |
US6765945B2 (en) * | 1999-09-27 | 2004-07-20 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with pre-injection filter |
US6549551B2 (en) * | 1999-09-27 | 2003-04-15 | Cymer, Inc. | Injection seeded laser with precise timing control |
US6381257B1 (en) | 1999-09-27 | 2002-04-30 | Cymer, Inc. | Very narrow band injection seeded F2 lithography laser |
US6865210B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-03-08 | Cymer, Inc. | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
US6414979B2 (en) | 2000-06-09 | 2002-07-02 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with blade-dielectric electrode |
US6625191B2 (en) * | 1999-12-10 | 2003-09-23 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
US6556600B2 (en) * | 1999-09-27 | 2003-04-29 | Cymer, Inc. | Injection seeded F2 laser with centerline wavelength control |
US6281471B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-08-28 | Gsi Lumonics, Inc. | Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material |
US6577663B2 (en) * | 2000-06-19 | 2003-06-10 | Lambda Physik Ag | Narrow bandwidth oscillator-amplifier system |
US6912052B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-06-28 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
US6704340B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-03-09 | Cymer, Inc. | Lithography laser system with in-place alignment tool |
US6639177B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
US6690704B2 (en) * | 2001-04-09 | 2004-02-10 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7079564B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-07-18 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
US6798812B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-09-28 | Cymer, Inc. | Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection |
US6711187B2 (en) * | 2002-04-22 | 2004-03-23 | Evans & Sutherland Computer Corporation | Rapidly oscillating laser light source |
US7158553B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-01-02 | Lambda Physik Ag | Master oscillator/power amplifier excimer laser system with pulse energy and pointing control |
US7052757B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-05-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Capping layer for enhanced performance media |
US8281471B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-10-09 | Aire Technologies, Inc. | Ceiling radiation damper fusible link tool |
-
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