JP2003152314A - ドライフィルムレジストのラミネート方法 - Google Patents
ドライフィルムレジストのラミネート方法Info
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- JP2003152314A JP2003152314A JP2001351887A JP2001351887A JP2003152314A JP 2003152314 A JP2003152314 A JP 2003152314A JP 2001351887 A JP2001351887 A JP 2001351887A JP 2001351887 A JP2001351887 A JP 2001351887A JP 2003152314 A JP2003152314 A JP 2003152314A
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板との接着状態が改善されてレジスト欠陥
の発生が抑制されるドライフィルムレジストのラミネー
ト方法を提供する。 【解決手段】 導電性基板とドライフィルムレジストと
を減圧雰囲気中で熱圧着し、さらに、該ドライフィルム
レジストが圧着された導電性基板を該減圧雰囲気より高
い圧力雰囲気中で熱圧着することを特徴とするドライフ
ィルムレジストのラミネート方法。
の発生が抑制されるドライフィルムレジストのラミネー
ト方法を提供する。 【解決手段】 導電性基板とドライフィルムレジストと
を減圧雰囲気中で熱圧着し、さらに、該ドライフィルム
レジストが圧着された導電性基板を該減圧雰囲気より高
い圧力雰囲気中で熱圧着することを特徴とするドライフ
ィルムレジストのラミネート方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライフィルムレ
ジストのラミネート方法に関し、さらに詳しくは、基板
との接着状態が改善されてレジスト欠陥の発生が抑制さ
れるドライフィルムレジストのラミネート方法に関す
る。
ジストのラミネート方法に関し、さらに詳しくは、基板
との接着状態が改善されてレジスト欠陥の発生が抑制さ
れるドライフィルムレジストのラミネート方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板等の製造において、紫
外線等を照射することにより導電性基板上に所望のパタ
ーンを形成することができるレジストが多用されている
が、近年、液状レジストに代えてドライフィルムレジス
トの使用が増加している。ドライフィルムレジストは、
通常、一対の対向するヒートローラーの間に基板とドラ
イフィルムレジストとを挟み込み、ドライフィルムレジ
ストをヒートローラーにより加熱すると共に基板に圧着
させることにより、導電性基板上にラミネートされる。
外線等を照射することにより導電性基板上に所望のパタ
ーンを形成することができるレジストが多用されている
が、近年、液状レジストに代えてドライフィルムレジス
トの使用が増加している。ドライフィルムレジストは、
通常、一対の対向するヒートローラーの間に基板とドラ
イフィルムレジストとを挟み込み、ドライフィルムレジ
ストをヒートローラーにより加熱すると共に基板に圧着
させることにより、導電性基板上にラミネートされる。
【０００３】一方、半導体素子あるいは半導体パッケー
ジは、その集積度と共に接続端子数が急激に増大してお
り、端子の配設方法は、多数の端子を小さなパッケージ
領域内に納めるために、従来の周辺配設からグリッド状
配設に移りつつある。この高集積化・高密度化に対応す
るため、配線基板にも配線の高密度化が求められてお
り、その配線方法が従来の二次元的な配線から高密度配
線を可能とする三次元的な配線に移行すると共に、配線
基板の多層化が進行している。
ジは、その集積度と共に接続端子数が急激に増大してお
り、端子の配設方法は、多数の端子を小さなパッケージ
領域内に納めるために、従来の周辺配設からグリッド状
配設に移りつつある。この高集積化・高密度化に対応す
るため、配線基板にも配線の高密度化が求められてお
り、その配線方法が従来の二次元的な配線から高密度配
線を可能とする三次元的な配線に移行すると共に、配線
基板の多層化が進行している。
【０００４】斯かる配線の高密度化に応えるための配線
基板として、例えば、両面プリント配線基板をコア層と
し、これに薄い絶縁性樹脂層と配線層とを逐次積層する
ビルドアップ基板が採用されている。しかしながら、こ
のビルドアップ基板は、絶縁性樹脂層と配線層とを逐次
積層するため、下層に存在する配線パターンによる凹凸
の影響を受けて絶縁性樹脂層の表面が凹凸を有してお
り、この表面の凹凸によりレジスト層を絶縁性樹脂層に
完全に密着させて形成することが困難となっている。特
に、凹凸の境界部、ホール部においては、空隙に存在す
る空気によりレジストの浸入が妨げられ、レジスト層を
絶縁性樹脂層に強固に接着することができないため、後
工程のめっき処理やエッチング処理が精度良く行えない
という問題がある。
基板として、例えば、両面プリント配線基板をコア層と
し、これに薄い絶縁性樹脂層と配線層とを逐次積層する
ビルドアップ基板が採用されている。しかしながら、こ
のビルドアップ基板は、絶縁性樹脂層と配線層とを逐次
積層するため、下層に存在する配線パターンによる凹凸
の影響を受けて絶縁性樹脂層の表面が凹凸を有してお
り、この表面の凹凸によりレジスト層を絶縁性樹脂層に
完全に密着させて形成することが困難となっている。特
に、凹凸の境界部、ホール部においては、空隙に存在す
る空気によりレジストの浸入が妨げられ、レジスト層を
絶縁性樹脂層に強固に接着することができないため、後
工程のめっき処理やエッチング処理が精度良く行えない
という問題がある。
【０００５】このため、基板上へのレジスト層の形成を
真空雰囲気中で行うことにより空隙部に存在する空気を
排除し、空隙部へのレジストの浸入を促進するという対
応策が採られているが、真空雰囲気中でのレジスト形成
のみでは、空隙部へのレジストの移動が十分に促進され
ず、満足すべき対応策とはなり得ていない。
真空雰囲気中で行うことにより空隙部に存在する空気を
排除し、空隙部へのレジストの浸入を促進するという対
応策が採られているが、真空雰囲気中でのレジスト形成
のみでは、空隙部へのレジストの移動が十分に促進され
ず、満足すべき対応策とはなり得ていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の従来技術の問題点に鑑み、基板との接着状態が改善さ
れてレジスト欠陥の発生が抑制されるドライフィルムレ
ジストのラミネート方法を提供することにある。
の従来技術の問題点に鑑み、基板との接着状態が改善さ
れてレジスト欠陥の発生が抑制されるドライフィルムレ
ジストのラミネート方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意研究した結果、導電性基板とドライフィ
ルムレジストとを減圧雰囲気中で熱圧着し、次いで、該
雰囲気より高い圧力雰囲気中で熱圧着することにより、
上記課題が解決されることを見出し、斯かる知見に基づ
いて本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれ
ば、以下に示すドライフィルムレジストのラミネート方
法が提供される。 （１）導電性基板とドライフィルムレジストとを減圧雰
囲気中で熱圧着し、さらに、該ドライフィルムレジスト
が圧着された導電性基板を該減圧雰囲気より高い圧力雰
囲気中で熱圧着することを特徴とするドライフィルムレ
ジストのラミネート方法。 （２）両雰囲気の圧力差が０．００１〜０．２ＭＰａで
ある前記（１）に記載の方法。
解決すべく鋭意研究した結果、導電性基板とドライフィ
ルムレジストとを減圧雰囲気中で熱圧着し、次いで、該
雰囲気より高い圧力雰囲気中で熱圧着することにより、
上記課題が解決されることを見出し、斯かる知見に基づ
いて本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれ
ば、以下に示すドライフィルムレジストのラミネート方
法が提供される。 （１）導電性基板とドライフィルムレジストとを減圧雰
囲気中で熱圧着し、さらに、該ドライフィルムレジスト
が圧着された導電性基板を該減圧雰囲気より高い圧力雰
囲気中で熱圧着することを特徴とするドライフィルムレ
ジストのラミネート方法。 （２）両雰囲気の圧力差が０．００１〜０．２ＭＰａで
ある前記（１）に記載の方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明においては、減圧雰囲気中
で、導電性基板とドライフィルムレジストとを熱圧着
し、さらに、該雰囲気より高い圧力雰囲気中で、該ドラ
イフィルムレジストが圧着された導電性基板を再度熱圧
着することを特徴とする。導電性基板とドライフィルム
レジストとを減圧雰囲気中で熱圧着することにより、凹
凸部境界、ホール部等の空隙部（凹部）に存在する空気
は排除されるが、ローラー等による機械的な加圧が困難
な空隙部（凹部）に空隙が残存する場合にも、さらに、
該減圧雰囲気より高い圧力雰囲気中で熱圧着することに
より、空隙中の圧力と雰囲気圧力との間に圧力差が生じ
るため、この差圧によりレジストの移動が促進され、空
隙中がレジストで十分に満たされることになる。
で、導電性基板とドライフィルムレジストとを熱圧着
し、さらに、該雰囲気より高い圧力雰囲気中で、該ドラ
イフィルムレジストが圧着された導電性基板を再度熱圧
着することを特徴とする。導電性基板とドライフィルム
レジストとを減圧雰囲気中で熱圧着することにより、凹
凸部境界、ホール部等の空隙部（凹部）に存在する空気
は排除されるが、ローラー等による機械的な加圧が困難
な空隙部（凹部）に空隙が残存する場合にも、さらに、
該減圧雰囲気より高い圧力雰囲気中で熱圧着することに
より、空隙中の圧力と雰囲気圧力との間に圧力差が生じ
るため、この差圧によりレジストの移動が促進され、空
隙中がレジストで十分に満たされることになる。
【０００９】前記減圧雰囲気中における熱圧着方法とし
ては、ラミネートローラー、プレス等の従来公知の方法
が使用でき、例えば、ステンレススチール製あるいは表
面がシリコーンゴム等の弾性材料で被覆された銅製のロ
ーラーを使用し、減圧雰囲気中、ローラー温度約６０〜
１５０℃、ローラー下圧力約０．１〜０．５ＭＰａ、搬
送速度０．２〜２．０ｍ／ｍｉｎなる条件で熱圧着を行
う。空隙中の空気の排除を促進するためには、真空雰囲
気中で熱圧着を行うことが好ましい。本発明において
は、さらに、上記ドライフィルムレジストが圧着された
導電性基板を、雰囲気圧力を上記雰囲気圧力より上昇さ
せて、例えば、ラミネートローラー等を用いて熱圧着す
る。両雰囲気の圧力差（差圧）は、基板表面の凹凸の程
度、レジストの種類、加熱温度等によって異なるが、通
常０．００１〜０．２ＭＰａ以上、好ましくは０．１〜
０．２ＭＰａに設定する。
ては、ラミネートローラー、プレス等の従来公知の方法
が使用でき、例えば、ステンレススチール製あるいは表
面がシリコーンゴム等の弾性材料で被覆された銅製のロ
ーラーを使用し、減圧雰囲気中、ローラー温度約６０〜
１５０℃、ローラー下圧力約０．１〜０．５ＭＰａ、搬
送速度０．２〜２．０ｍ／ｍｉｎなる条件で熱圧着を行
う。空隙中の空気の排除を促進するためには、真空雰囲
気中で熱圧着を行うことが好ましい。本発明において
は、さらに、上記ドライフィルムレジストが圧着された
導電性基板を、雰囲気圧力を上記雰囲気圧力より上昇さ
せて、例えば、ラミネートローラー等を用いて熱圧着す
る。両雰囲気の圧力差（差圧）は、基板表面の凹凸の程
度、レジストの種類、加熱温度等によって異なるが、通
常０．００１〜０．２ＭＰａ以上、好ましくは０．１〜
０．２ＭＰａに設定する。
【００１０】前記導電性基板としては、特に制約はな
く、例えば、厚さ２５〜７５μｍ程度のポリイミド系フ
ィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィル
ム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェ
ニレンサルファイド系フィルム等の絶縁性樹脂フィルム
の片面あるいは両面に、厚さ８〜２５μｍ程度の銅箔、
金箔、ニッケル箔等の導電性金属箔が貼付されたものが
挙げられる。また、前記ドライフィルムレジストとして
は、特に制約はなく、例えば、厚さ１０〜２００μｍ程
度のポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等の
ベースフィルム上に、厚さ１〜１００μｍ程度のネガ型
又はポジ型のレジスト層が形成されたものが挙げられ
る。
く、例えば、厚さ２５〜７５μｍ程度のポリイミド系フ
ィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィル
ム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェ
ニレンサルファイド系フィルム等の絶縁性樹脂フィルム
の片面あるいは両面に、厚さ８〜２５μｍ程度の銅箔、
金箔、ニッケル箔等の導電性金属箔が貼付されたものが
挙げられる。また、前記ドライフィルムレジストとして
は、特に制約はなく、例えば、厚さ１０〜２００μｍ程
度のポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等の
ベースフィルム上に、厚さ１〜１００μｍ程度のネガ型
又はポジ型のレジスト層が形成されたものが挙げられ
る。
【００１１】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
さらに詳細に説明するが、本発明はこの実施例により限
定されるものではない。
さらに詳細に説明するが、本発明はこの実施例により限
定されるものではない。
【００１２】実施例１
フレキシブル基板用に作製された厚さ１８μｍの銅箔を
両面に貼付した厚さ５０μｍで幅２５０ｍｍのポリイミ
ドフィルムの片面に、銅エッチングによりケミカルエッ
チング用の銅マスクを形成した後、この銅マスクを利用
してポリイミドフィルムに約４００μｍ径のブラインド
ビアを形成した。次に、該ポリイミドフィルムのブライ
ンドビア側に厚さ５０μｍのドライフィルムレジスト
（旭化成製 ＭＶＡ５０６）を、約１Ｔｏｒｒの減圧雰
囲気中、ラミネートローラーの温度１１０℃、ローラー
下圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎなるラ
ミネート条件で熱圧着し、さらに、該レジストが圧着さ
れたポリイミドフィルムを、大気圧雰囲気中、同一のラ
ミネート条件で熱圧着した。次いで、ブラインドビア形
成用のマスクを反転させた銅マスク除去用マスクを作製
し、このマスクを用いて該ポリイミドフィルムに６０ｍ
Ｊ／ｃｍ2の露光量で露光、１ｗｔ％のＮａ2ＣＯ3の現
像液で現像した後、４５℃の塩化第２銅エッチング液を
０．３ＭＰａの圧力でスプレーして銅マスク部分を除去
した。得られた基板を検査した結果、ブラインドビア底
面側の銅箔には腐食は認められなかった。
両面に貼付した厚さ５０μｍで幅２５０ｍｍのポリイミ
ドフィルムの片面に、銅エッチングによりケミカルエッ
チング用の銅マスクを形成した後、この銅マスクを利用
してポリイミドフィルムに約４００μｍ径のブラインド
ビアを形成した。次に、該ポリイミドフィルムのブライ
ンドビア側に厚さ５０μｍのドライフィルムレジスト
（旭化成製 ＭＶＡ５０６）を、約１Ｔｏｒｒの減圧雰
囲気中、ラミネートローラーの温度１１０℃、ローラー
下圧力０．３ＭＰａ、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎなるラ
ミネート条件で熱圧着し、さらに、該レジストが圧着さ
れたポリイミドフィルムを、大気圧雰囲気中、同一のラ
ミネート条件で熱圧着した。次いで、ブラインドビア形
成用のマスクを反転させた銅マスク除去用マスクを作製
し、このマスクを用いて該ポリイミドフィルムに６０ｍ
Ｊ／ｃｍ2の露光量で露光、１ｗｔ％のＮａ2ＣＯ3の現
像液で現像した後、４５℃の塩化第２銅エッチング液を
０．３ＭＰａの圧力でスプレーして銅マスク部分を除去
した。得られた基板を検査した結果、ブラインドビア底
面側の銅箔には腐食は認められなかった。
【００１３】比較例１
大気圧雰囲気中でのポリイミドフィルムへのレジストの
熱圧着を省略した以外は、実施例１と同様にして基板を
得た。得られた基板を検査した結果、ブラインドビア底
面側の銅箔にエッチング液の浸入による腐食が認められ
た。
熱圧着を省略した以外は、実施例１と同様にして基板を
得た。得られた基板を検査した結果、ブラインドビア底
面側の銅箔にエッチング液の浸入による腐食が認められ
た。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、表
面に凹凸のある基板にドライフィルムレジストをラミネ
ートする場合にも、雰囲気圧力によりレジストの移動が
促進されて基板とドライフィルムレジストとの接着状態
が改善され、レジスト欠陥の少ない配線基板が得られ
る。
面に凹凸のある基板にドライフィルムレジストをラミネ
ートする場合にも、雰囲気圧力によりレジストの移動が
促進されて基板とドライフィルムレジストとの接着状態
が改善され、レジスト欠陥の少ない配線基板が得られ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4F211 AC03 AD08 AH36 AM28 TA13
TC05 TD11 TN09 TQ03 TQ07
5E314 AA27 BB02 CC15 DD06 EE03
FF02 GG11
5E339 AA02 AB02 AD01 AD03 AD05
BC02 CC01 CC02 CD01 CE16
CF05 CF06 CF07 CG04 DD04
EE10 FF03 GG10
Claims (2)
- 【請求項１】 導電性基板とドライフィルムレジストと
を減圧雰囲気中で熱圧着し、さらに、該ドライフィルム
レジストが圧着された導電性基板を該減圧雰囲気より高
い圧力雰囲気中で熱圧着することを特徴とするドライフ
ィルムレジストのラミネート方法。 - 【請求項２】 両雰囲気の圧力差が０．００１〜０．２
ＭＰａである請求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351887A JP2003152314A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | ドライフィルムレジストのラミネート方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351887A JP2003152314A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | ドライフィルムレジストのラミネート方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152314A true JP2003152314A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19164136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001351887A Pending JP2003152314A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | ドライフィルムレジストのラミネート方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003152314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006198551A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Miyako Roller Industry Co | 電子部材用基板の塗膜形成方法及び装置 |
| JP2014212192A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターンの形成方法及びラミネート構造体 |
| JP2018110240A (ja) * | 2018-01-30 | 2018-07-12 | 大日本印刷株式会社 | レジストフィルムのラミネート方法 |
| WO2023136084A1 (ja) * | 2022-01-11 | 2023-07-20 | 太陽ホールディングス株式会社 | 基板上における樹脂硬化物の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-16 JP JP2001351887A patent/JP2003152314A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006198551A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Miyako Roller Industry Co | 電子部材用基板の塗膜形成方法及び装置 |
| JP2014212192A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターンの形成方法及びラミネート構造体 |
| JP2018110240A (ja) * | 2018-01-30 | 2018-07-12 | 大日本印刷株式会社 | レジストフィルムのラミネート方法 |
| WO2023136084A1 (ja) * | 2022-01-11 | 2023-07-20 | 太陽ホールディングス株式会社 | 基板上における樹脂硬化物の製造方法 |
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