JP2018110240A - レジストフィルムのラミネート方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストフィルムを基板の凹部の形状に追従させるラミネート方法を提供する。
【解決手段】凹部を有する基板２０を第１温度で加熱し、第１温度より低い第２温度で加熱して基板２０上に配置する際に、凹部の開口をレジストフィルム３０で覆い空洞部２４を形成し、第１温度より高い第３温度でレジストフィルム３０を加熱し、レジストフィルム３０を凹部の内壁に接触させる。レジストフィルム３０のラミネート方法において、レジストフィルム３０を第１の気圧下において熱圧着によりラミネートして基板２０上に配置し、第１の気圧よりも高い第２の気圧下において、レジストフィルム３０を加熱する。第２の気圧は、第１の気圧よりも高く、熱圧着の圧力よりも低くてもよい。
【選択図】図２

Description

本発明は、レジストパターンの形成方法、レジストフィルムのラミネート方法及びラミネート構造体などに関する。

表裏に配線構造を有する基板に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電材料を配置して、表裏の配線構造同士を電気的に接続するにより、集積回路を形成したチップなどに基板を積み重ねる３次元実装技術が知られている（例えば、特許文献１及び２参照。）。また、従来、プリント配線基板においては、予め貫通孔等が形成された基板に配線等を形成する際に、レジストフィルムを基板にラミネートし、露光、現像が行われる（例えば、特許文献３及び４参照。）。

特開２００５−１９１１１５号公報 特開２００７−２３３４１８号公報 特開平４−３０５９９３号公報 特開平６−３３４３１４号公報

一般にレジストフィルムを基板にラミネートする場合、レジストフィルムが加熱された状態で基板に重ねられた状態でレジストフィルムをローラーで加圧するラミネータ装置が用いられる。この場合、レジストフィルムを推奨のラミネート温度まで加熱し、ローラーで加圧を行うことにより、基板に配置されたレジストフィルムの上面の平坦性が確保される。

しかしながら、レジストフィルムが配置される側の基板に予め溝などの凹部が形成されている場合、凹部内に軟化したレジストフィルムが流れ込むことにより凹部内に配置されるレジストフィルムの厚さがその他の位置の部分に配置されるレジストフィルムの厚さより大きくなってしまう。すると、凹部内のレジストフィルムをフォトリソグラフィにより開口させる場合に、凹部が形成されている位置に露光不良が発生し、レジストフィルムが開口されなかったり、開口寸法などが悪化したりする問題が生じる。また、レジストフィルムが開口したとしても、凹部内のレジストフィルムの厚さが大きいために現像がオーバーにならざるを得ず、本来残存していてほしい位置のレジストフィルムが消失するなどの不良が生じるといった問題が生じる。

そこで、本発明は上記実情に鑑みてなされてものであり、凹部が形成された基板にラミネートされたフィルムレジストをフォトリソグラフィにより凹部内に開口を形成する際に発生する解像不良を低減する方法を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態として、凹部を有する基板を準備し、感光性のレジストフィルムを第１の気圧下において前記基板上に配置する際に、前記凹部の開口を前記レジストフィルムで覆い空洞部を形成し、前記第１の気圧よりも高い第２の気圧下において、前記レジストフィルムを加熱し、前記レジストフィルムを前記凹部の内壁に接触させ、前記レジストフィルムを露光し、前記レジストフィルムを現像し、前記凹部に位置する前記レジストフ
ィルムを開口させることを有するレジストパターンの形成方法を提供する。

このレジストパターンの形成方法によれば、基板の凹部の形状に追従するようにラミネートされたレジストフィルムに発生する解像不良を抑制することができる。

なお、前記空洞部を形成する際、前記レジストフィルムがテントされた状態を維持できる温度で前記レジストフィルムが前記基板上に配置されてもよい。

これにより、空洞部にレジストフィルムが凹部に流れ込むことなどを抑制でき、空洞部の領域を確保することができる。

なお、前記凹部は、順テーパー状となっていてもよい。

これにより、レジストフィルムを基板の凹部の形状に追従させることをより確実に行える。

なお、前記凹部の内壁の前記レジストフィルムの厚さは、前記基板の表面の前記レジストフィルムの厚さ以下となっていてもよい。

これにより、凹部に追従させたレジストフィルムに開口を設けることが容易となる。

本発明の一実施形態として、凹部を有する基板を準備し、レジストフィルムを第１の気圧下において前記基板上に配置する際に、前記凹部の開口を前記レジストフィルムで覆い空洞部を形成し、前記第１の気圧よりも第２の気圧高い圧力下において、前記レジストフィルムを加熱し、前記レジストフィルムを前記凹部の内壁に接触させること、を有するレジストフィルムのラミネート方法が提供される。

このレジストフィルムのラミネート方法によれば、基板の凹部の形状に追従するようにラミネートされたレジストフィルムに発生する解像不良を抑制することができる。

また、本発明の一実施形態として、底部と前記底部に所定の角度で接続する側面とにより構成された凹部を有する基板と、前記凹部の前記底部の一部、及び前記凹部の前記側面に沿って配置されたレジストフィルムとを有し、前記レジストフィルムは、前記凹部の底部を露出する開口を有し、かつ前記凹部の前記側面よりも緩やかな角度で前記開口に接続する傾斜部を有する構造体が提供される。

この構造体により、レジストフィルムに沿って配線層を配置した場合に、開口と傾斜部との接続箇所における配線層の断線を抑制することができる。

また、前記レジストフィルムに沿って配置された配線層をさらに有し、前記配線層は前記素子に電気的に接続されていてもよい。

これにより、集積回路を形成したチップなどに構造体を積み重ね、３次元実装を実現することができる。

本発明に係るレジストパターンの形成方によれば、基板の凹部の形状に追従するようにラミネートされたレジストフィルムに発生する解像不良を抑制することができる。

また、本発明に係る構造体によれば、開口したレジストフィルムにさらに配線等を追従
させることを容易に行うことができる。

凹部を有する基板の上面の一例図 本発明の一実施形態におけるレジストパターンの形成について説明するための図 凹部を有する基板の断面の一例図 本発明の一実施形態におけるレジストパターンの形成について説明するための図 従来技術と本発明の一実施形態におけるレジストフィルムを基板に重ねあわせて配置する場合のレジストフィルムの温度とレジストフィルムに加える圧力との関係を示す図 本発明の一実施形態のレジストパターンの形成に対する比較例について説明するための図 本発明の一実施形態によりレジストパターンを形成した場合の基板の断面写真 比較例によりレジストパターンを形成した場合の基板の断面写真 比較例によりレジストパターンを形成した場合の基板の断面写真 本発明の一実施形態によりレジストパターンを形成した場合の基板の断面写真 本発明の一実施形態によりレジストパターンを形成した場合の基板の断面写真

本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明を行う。なお、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、種々の変形を加えて実施することができる。また、図面においては、幅及び高さなどの寸法の比、角度などを実際の場合よりも誇張して示している場合がある。

＜レジストパターンの形成方法＞
図１は、本発明の一実施形態おいて準備される基板の上面図を示す。基板２０には一または複数の凹部２を有する。凹部２の配置は任意とすることができる。図１では、上面視において円形状の凹部２が一部マトリクス状（２×４）、アレイ状（１×４）、あるいは任意に配置されている例を示すが、これに限るものではなく多様な配置を採用することができる。凹部２は、上面視において矩形状、多角形状であってもよい。

基板２０の材料としては特に制限はなく、例えば、シリコン等の半導体、ガラス、樹脂などの絶縁材料などの任意のものを使用することができる。また、基板２０の厚みも特に制限はなく、例えば、１００μｍ〜１ｍｍの範囲で適宜選択することができる。基板２０に形成された凹部２は、基板２０の一方の面側に開口する凹形状の有底孔である。凹部２としては、基板２０の厚み方向に貫通しないように形成された有底孔である場合や、基板２０の厚み方向に貫通するが基板２０の他方の面側に形成された素子が底部となるような有底孔である場合もある。以下に説明する本発明の一実施形態においては、凹部２は、基板２０の一方の面側に開口し、基板２０の他方の面側に配置される素子と基板２０の裏面に配置される素子とを接続するための開口として用いることができる。

図２（ａ）は、凹部２のうち任意の一つを通る断面線による基板２０の断面図を示す。基板２０の上面２１と、この上面２１よりも基板２０の内側に窪んでなる凹部２を備える。凹部２は、側面２２及び底部２３により形成される内壁を含む。凹部２は、例えば基板２０にエッチングを行うことにより形成することができる。また、切削などの機械加工をすることによっても形成することができる。側面２２は底部２３に所定の角度で接続する。側面２２は図２（ａ）においては底部２３に対して９０°未満の角度で接続し、凹部２の開口が底部２３よりも広い順テーパー状となっている。凹部２が順テーパー状である場合には、後述のようにパターニングしたフィルムレジスト上にさらに構造体などを作製することが容易となる。なお、側面２２は、上面２１と底部２３とに対して略垂直となっていてもよい。凹部２の開口幅は特に制限はないが、例えば、３０μｍ〜１５０μｍの範囲で適宜選択することができる。また、凹部２の深さについても特に制限はないが、例えば、１０μｍ〜１００μｍの範囲で適宜選択することができる。なお、図示は省くが、基板２０の上面２１から材料の外側に突出するように配線等が設けられていてもよい。

図２（ａ）において、上面２１と底部２３とは同じ基板２０の表面に形成されている。しかし、本発明は上面２１と底部２３とは同じ基板２０に形成されていることに限定はされない。例えば、凹部２は、基板２０を貫通している孔として形成されていてもよい。この場合、図３Ａに示すように、基板４０が上面２１と凹部２の側面２２を形成し、基板２０の片側に符号４１として示す素子が配置され、素子４１の上面が凹部２の底部２３を形成するようになっていてもよい。素子４１は、例えば、受動素子、能動素子、配線層、電極などであってもよい。

図２（ｂ）は、基板２０の上面２１にレジストフィルム３０を配置した状態の断面図を示す。レジストフィルム３０はシート状の形状を有しており、典型的にはドライフィルムレジストと呼ばれるものである。例えば、永久絶縁膜としてレジストフィルム３０を用いる場合には、ポリイミド樹脂などを含むものを用いることができる。レジストフィルム３０の厚みに特に制限はないが、例えば、１０μｍ〜１００μｍの範囲のものを使用することができる。第１の気圧下において、レジストフィルム３０を基板２０上に配置し、レジストフィルム３０の下面と基板２０の上面２１とをラミネートする。第１の気圧としては、典型的にはレジストフィルム３０の下面と基板２０の上面２１との間に気泡が発生しないように大気圧よりも低い圧力とする。

図２（ｂ）に示すように本発明の一実施形態においては、レジストフィルム３０の下面と基板２０の上面２１とが接触するが、レジストフィルム３０の下面は凹部２の内壁、特に底部２３の一部または全体とは接触せず、凹部２内に内壁とレジストフィルムの下面とにより形成される空洞部２４が形成されるように、レジストフィルム３０の温度を調整する。空洞部２４の内圧は、第１の気圧となる。このとき、ラミネート温度が高すぎると、レジストフィルム３０が軟化して流動性が高まり、凹部２内に流れ込むことにより空洞部２４が形成されなくなる場合がある。このため、レジストフィルム３０の推奨のラミネート温度よりも低い温度でラミネートを行うことが好ましい。

さらに詳しく説明すると、ラミネートに用いられるレジストフィルム３０は、そのラミネート温度がレジストフィルム３０の製造者などから示される。本発明の一実施形態においては、その推奨のラミネート温度よりも低い温度にてラミネータを用いてレジストフィルム３０を基板にラミネートすることができる。本発明の一実施形態における好ましいラミネート温度は、基板２０の表面へのレジストフィルム３０の粘度による追従性などを考慮して設定するため、凹部２内に充填しきらない粘度となる温度をラミネート温度として設定することができる。この場合、レジストフィルム３０がシート状の形状を保って凹部２の開口を覆い、レジストフィルム３０がテントされた（ｔｅｎｔｅｄ）状態を維持できる温度とすることができる。

また、レジストフィルム３０について推奨のラミネート圧力が示されている場合には、推奨のラミネート圧力よりも小さい加圧力として、レジストフィルム３０を基板２０にラミネートすることが好ましい。ラミネート圧力を小さくすることにより、ラミネータのローラーにより加圧されてレジストフィルム３０が凹部２内に多量に充填されるのを防ぐことができるからである。

また、レジストフィルム３０を推奨のラミネート温度より低い温度にし、基板２０を推奨のラミネート温度に加熱した状態でレジストフィルム３０を基板２０に重ねて配置してもよい。これにより、レジストフィルム３０が基板２０と接する部分は推奨のラミネート温度とすることができ、かつ、空洞部２４上のレジストフィルム３０には空洞部２４の存在により温度が伝達しにくいため、レジストフィルム３０がテントされた（ｔｅｎｔｅｄ）状態を維持することができる。

図４は、推奨のラミネート温度と推奨のラミネート圧力と本発明の実施形態における温度と加圧力との関係の一例を示す。推奨のラミネート温度の範囲がＴ_Rであり、推奨のラミネート圧力の範囲がＰ_Rであれば、従来技術においては、領域４０１の範囲内においてレジストフィルム３０が加熱され加圧される。しかし、本発明の一実施形態においては、推奨温度よりも低い温度にレジストフィルムを加熱し、推奨加圧力よりも小さい加圧力を用いるので、領域４０１よりも原点側に位置する領域４０２においてレジストフィルム３０が加熱され加圧されることになる。

なお、図４に示すように、本発明の一実施形態においては、推奨のラミネート温度の範囲内にレジストフィルム３０を加熱する場合には、推奨のラミネート圧力よりも小さい加圧力を用いることもできる。また、推奨のラミネート圧力の範囲内の加圧力を用いる場合には、推奨のラミネート温度よりも低い温度にレジストフィルム３０を加熱することもできる。上述のように、本発明の一実施形態においては、レジストフィルム３０がテントされた（ｔｅｎｔｅｄ）状態を維持できればよいからである。

図２（ｃ）は、基板２０の上にレジストフィルム３０を配置した後に、レジストフィルム３０の温度を上昇させ、かつ、周囲の気圧を第１の気圧よりも高い第２の気圧とした後の断面図を示す。このときの温度としては、典型的には推奨のラミネート温度以上の温度を挙げることができる。また、第２の気圧としては、第１の気圧よりも高い気圧であればよく、典型的には第１の気圧が真空である場合には第２の気圧は大気圧であってもよい。ラミネート後のレジストフィルム３０の温度を上昇させることにより、レジストフィルム３０が軟化し変形しやすくする。さらに、空洞部２４は密閉された状態であって、かつ内圧が第１の気圧となっているため、周囲の気圧を第２の気圧とすることにより、空洞部２４内の気圧が相対的に低くなり、空洞部２４を覆うレジストフィルム３０の部分に底部２３へ向かう圧力が加わり、凹部２の上部（凹部２の開口）にテントされた部分のレジストフィルム３０が凹部２の内部に入り込むこととなる。これにより、レジストフィルム３０を凹部２の形状に追従してラミネート可能であって、かつ必要以上にその厚さが過大になることを防止することができる。第１の気圧と第２の気圧の差は好ましくは１０００Ｐａ以上とすることが好ましい。

さらにテントされた部分のレジストフィルム３０が凹部２の内部に入り込むことを助長する目的で、ラミネート時の圧力よりも低い圧力でレジストフィルム３０を押圧してもよい。

また、図２（ｂ）に示すように基板２０の上面２１にレジストフィルム３０を配置する際において、真空状態あるいは低い気圧下でなくてもよく、レジストフィルム３０を透過する気体雰囲気中とすることもできる。例えば、水素ガスやヘリウムガスなどの分子のサイズが小さいガスの雰囲気中で行うことができる。この場合には、図２（ｂ）に示すように基板２０の上にレジストフィルム３０を配置した後に、周囲の気圧を低下させ、空洞部２４内のガスを、レジストフィルム３０を透過させて空洞部２４内のガスを排出させた後に、レジストフィルム３０の温度を上昇させ、かつ、周囲の気圧を上昇させるようにしてもよい。また、レジストフィルム３０を透過する気体雰囲気中に限らず、凝集性のある気体雰囲気中とすることもできる。例えば、ペンタフルオロプロパンなどの凝集性のあるガスの雰囲気中で行うことができる。

また、レジストフィルム３０の温度を上昇させて加圧することにより、レジストフィルム３０と基板２０とが密着しやすくなる場合にはレジストフィルム３０の上面２１と接触している側の反対側からローラーなどにより加圧してもよい。ただし、この時の加圧力が過大であると、レジストフィルム３０の上面２１と接触している側の反対側の面が平坦となる場合があるので注意が必要である。

図２（ｄ）は、基板２０のレジストフィルム３０が配置された側に露光装置４０を配置させ、パターン４１及び４２に応じた露光を行う場合の図である。この場合のパターン４１及び４２としては、レジストフィルム３０のポジ型又はネガ型の種類によって遮光部と透過部とを指定することができる。露光によりレジストフィルム３０の現像液に対する溶解度が変わり、レジストフィルム３０が露光パターンに応じて、部分３０−１と部分３０−２との部分に分かれる。

図２（ｅ）は、レジストフィルム３０を現像した後の断面を示す。図２（ｅ）に示すように、レジストフィルム３０−１が残り、開口３１が形成されている。

なお、本発明の一実施形態におけるレジストパターンの形成方法においては、以下の処理を行ってもよい。

図３Ｂ（ａ）に示すように、レジストフィルム３０−１をエッチングマスクとして基板２０をエッチングする。基板２０に形成される溝部４２は有底孔であってもよいし、貫通孔であってもよい。基板２０の上面２１と基板２０の下面４３とに貫通孔を設けると上面２１と下面３３との間に電気的接続をとることができるため好ましい。図３Ｂ（ａ）では、基板２０の下面４３側には素子４５が形成されている場合には、基板２０の上面２１と下面４３とを貫通する溝部４２によって素子４５が露出する。

図３Ｂ（ｂ）に示すように、レジストフィルム３０−１は永久絶縁膜として利用することができる。この場合には、レジストフィルム３０−１上にさらに蒸着法、スパッタ法、めっき法などにより金属膜４４などを形成する。金属膜４４は、素子４５と接続することができる。このようにして配線構造体を作製することができる。

以上、説明したように、本発明の一実施形態においては、図２（ｃ）に示すように、レジストフィルム３０が凹部２の形状に追随して変形し、凹部２内におけるレジストフィルム３０の厚さと上面２１上におけるレジストフィルム３０の厚さとを略同じ、あるいは、凹部２内におけるレジストフィルム３０の厚さを上面２１上におけるレジストフィルム３０の厚さより小さくすることができる。これにより、凹部２内におけるレジストフィルム３０の厚さの増大を抑制することができ、露光時の凹部２内における解像度の低下を抑制することができる。したがって、図２（ｅ）に示すように、開口３１を底部２３に容易に到達させることができる。これにより、例えば、開口３１を介して底部２３に接続する配線を形成することができる。

また、凹部２外においてもレジストフィルム３０を露光によりパターニングする場合、レジストフィルム３０が凹部２の形状に追随して変形し、凹部２内におけるレジストフィルム３０の厚さと上面２１上におけるレジストフィルム３０の厚さとを略同じとすることにより、露光の強度を凹部２内及び凹部２外において略同じとすることができる。これに
より、露光の強度の調整の時間を減少させ、生産性を上げることができる。

（比較例）
図５は、比較例を説明する。図５（ａ）は、凹部２の一つを通る断面線による基板１２０の断面図を示す。この段階では、図２（ａ）と同じである。

図５（ｂ）は、基板１２０の上にレジストフィルム１３０を配置した状態の断面図を示す。本比較例では、図２（ａ）から図２（ｂ）を得るときよりもレジストフィルム１３０の温度を高くし、レジストフィルム１３０を上面１２１に密着させる際にレジストフィルム１３０に加圧するこれにより、レジストフィルム１３０の上面は、平坦となる。しかし、凹部２内にレジストフィルム１３０が入り込んでしまい、上面１２１の上におけるレジストフィルム１３０の厚さよりも凹部２内におけるレジストフィルム１３０の厚さが大きくなる。

図５（ｃ）は、図２（ｄ）と同じ露光条件で基板１２０のレジストフィルム１３０が配置された側に露光装置１４０を配置させ、パターン１４１及び１４２に応じた露光を行う場合の図である。この場合、上面１２１の上におけるレジストフィルム１３０の厚さよりも凹部２に対応する凹部内におけるレジストフィルム１３０の厚さが大きくなっているので、凹部２に対応する凹部内における解像度が本発明の一実施形態によるよりも低下し、部分１３０−２の形成が不十分となる。このため、現像を行うと、図５（ｄ）に示すように開口１３２の底部が底部２３に達しないこととなる。このため、開口１３１を介して底部１２３に接続する配線を形成することができなくなる。

露光が不十分であることを解消するために、露光強度を増大させるなどのことも考えられる。しかし、この場合、開口１３２のパターン精度が悪化し、開口１３２のパターンが所定の寸法及び／又は形状とならない場合がある。

また、凹部２に対応する凹部内のレジストフィルム１３０が必要以上に厚い場合には、現像液による現像をオーバー（過剰）に行う必要がある。しかし、オーバー現像を行うと、レジストフィルム１３０の薄い部分（例えば、上面１２１と側面１２２の接続箇所）のレジストフィルム１３０が除去されてしまう場合がある。

（実施による比較）
図６として、図２を用いて説明した本発明の一実施形態を用いてレジストフィルムにレジストパターンを実際に形成した基板の断面写真を示す。図６に示すように基板２０の上面２１、凹部２の側面２２及び底部２３に開口３１を有するレジストフィルムの材料３０−１が形成されている。図６に示すように、開口３１は底部２３まで到達している。

また、図６に示すように、本発明の一実施形態を用いてレジストフィルムにレジストパターンを形成すると、開口３１の側面とレジストフィルムの上面との境界３３において、開口３１の側面とレジストフィルムの上面とが鈍角で接している。これにより、開口３１の底部から配線を形成した場合、その配線が境界３３上に配置されることになっても配線の断線を抑制することが可能となる。

一方、図７は、図５を用いて説明した比較例を用いてレジストフィルムにレジストパターンを実際に形成した基板の断面写真を示す。図６に対応するように基板１２０の上面１２１、凹部２に相当する凹部の側面１２２及び底部１２３に開口１３１を有するレジストフィルムの材料１３０−１が形成されている。図６と異なり、開口１３１は底部１２３まで達していない。これは、凹部２内におけるレジストの厚さが上面１２１上よりも厚くなっているため、露光の解像度などが不十分などとなったためと考えられる。

上述の比較例において開口１３１を底部１２３まで到達させるためには、図７を得る場合よりも現像液による現像をオーバーに行う必要がある。図８は、上述の比較例において、このようなオーバー現像を行った場合の基板の断面写真を示す。図８に示すように、開口３１が底部１２３まで到達しているが、開口１３１の側面とレジストフィルムの上面とが８７°と鋭角に接している。

＜構造体＞
図９及び図１０のそれぞれは、本発明の一実施形態に係る構造体を示す。構造体９０及び９１は、底部２３と底部２３に所定の角度で接続する側面２２とにより構成された凹部２を有する基板２０と、凹部２の底部２３の一部、及び凹部２の側面２２に沿って配置されたレジストフィルム３０−１とを有し、レジストフィルム３０−１は、凹部２の底部２３を露出する開口３１を有し、かつ凹部２の側面２２よりも緩やかな角度で開口３１に接続する傾斜部９２を有する。

基板２０の、レジストフィルム３０−１が配置された側とは反対側の面には、素子が配置されていてもよい。この場合、さらに基板２０はレジストフィルム３０−１の開口３１が、その素子に到達する貫通孔を形成していてもよい。すなわち、素子は、基板２０の貫通孔である開口３１によって露出している。

さらに、レジストフィルム３０−１には図３Ｂにおけるように、上面に沿って配線層４４が配置されてもよい。そして、図３Ｂに示すように、配線層４４が素子４１に電気的に接続されていてもよい。配線層４４が形成されるレジストフィルム３０−１の傾斜部９２、９３が、凹部２の側面２２が底部２３となる角度よりも小さく緩やかな角度となっているため、配線層４４の形成が容易となり、かつ形成された配線層４４の破断などが抑制される。

Claims (2)

1. 凹部を有する基板を第１温度で加熱し、
   前記第１温度より低い第２温度で加熱して前記基板上に配置する際に、前記凹部の開口を前記レジストフィルムで覆い空洞部を形成し、
   前記第１温度より高い第３温度で前記レジストフィルムを加熱し、前記レジストフィルムを前記凹部の内壁に接触させる、
   レジストフィルムのラミネート方法。
2. 前記レジストフィルムを前記第１の気圧下において熱圧着によりラミネートして前記基板上に配置し、
   前記第１の気圧よりも高い第２の気圧下において、前記レジストフィルムを加熱し、
   前記第２の気圧は、前記第１の気圧よりも高く、前記熱圧着の圧力よりも低い、
   請求項１に記載のレジストフィルムのラミネート方法。