JP2003151176A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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- JP2003151176A JP2003151176A JP2001346653A JP2001346653A JP2003151176A JP 2003151176 A JP2003151176 A JP 2003151176A JP 2001346653 A JP2001346653 A JP 2001346653A JP 2001346653 A JP2001346653 A JP 2001346653A JP 2003151176 A JP2003151176 A JP 2003151176A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は記録可能な光ディスクに関するもの
で、良好な記録感度と再生光劣化特性を両立した光学情
報記録媒体を提供すること。 【解決手段】 記録・消去可能な光ディスクにおいて、
記録層に接して、記録層よりも融点が高く、かつ膜厚の
薄い光吸収界面層を設ける。
で、良好な記録感度と再生光劣化特性を両立した光学情
報記録媒体を提供すること。 【解決手段】 記録・消去可能な光ディスクにおいて、
記録層に接して、記録層よりも融点が高く、かつ膜厚の
薄い光吸収界面層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
大容量の情報を記録及び再生する光学情報記録媒体に関
する。
大容量の情報を記録及び再生する光学情報記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いて信号を記録及び再生す
ることのできる光学情報記録媒体として、相変化型光デ
ィスク、光磁気ディスク、色素ディスク等がある。
ることのできる光学情報記録媒体として、相変化型光デ
ィスク、光磁気ディスク、色素ディスク等がある。
【０００３】この内、記録・消去可能な相変化型光ディ
スクでは、通常、記録層材料としては一般的にカルコゲ
ン化物を用いる。一般には、記録層材料が結晶状態の場
合を未記録状態とし、レーザ光を照射し、記録層材料を
溶融・急冷して非晶質状態とすることにより信号を記録
する。一方、信号を消去する場合は、記録時よりも低パ
ワーのレーザ光を照射して、記録層を結晶状態とする。
カルコゲン化物からなる記録層は非晶質で成膜されるの
で、予め記録領域全面を結晶化して未記録状態を得る必
要があり、この記録領域の全面結晶化を初期化と呼ぶ。
スクでは、通常、記録層材料としては一般的にカルコゲ
ン化物を用いる。一般には、記録層材料が結晶状態の場
合を未記録状態とし、レーザ光を照射し、記録層材料を
溶融・急冷して非晶質状態とすることにより信号を記録
する。一方、信号を消去する場合は、記録時よりも低パ
ワーのレーザ光を照射して、記録層を結晶状態とする。
カルコゲン化物からなる記録層は非晶質で成膜されるの
で、予め記録領域全面を結晶化して未記録状態を得る必
要があり、この記録領域の全面結晶化を初期化と呼ぶ。
【０００４】記録・消去可能な相変化型光ディスクにお
いて高密度化を実現する技術として記録・再生のための
光源として従来通常用いられていた赤色レーザ光に替え
て、波長４１０nm前後の青色レーザ光を用い、かつ記録
・再生のためのレーザ光を光ディスクに照射する光学系
の対物レンズの開口数を従来通常用いられてた０．６０
から０．８５前後に大きくすることにより、レーザ光ス
ポットを縮小することが提案されている。０．８５のよ
うに対物レンズの開口数を大きくして用いる場合、記録
・再生特性における光学情報記録媒体のチルトトレラン
スを確保する目的で、レーザ光入射側の透明樹脂層の厚
さを例えば０．１ｍｍのようにすでに商品化されている
ＤＶＤ−ＲＡＭの基板厚さ０．６ｍｍに比べて薄くする
ことも提案されている（例えば特開平１０−１５４３５
１）
いて高密度化を実現する技術として記録・再生のための
光源として従来通常用いられていた赤色レーザ光に替え
て、波長４１０nm前後の青色レーザ光を用い、かつ記録
・再生のためのレーザ光を光ディスクに照射する光学系
の対物レンズの開口数を従来通常用いられてた０．６０
から０．８５前後に大きくすることにより、レーザ光ス
ポットを縮小することが提案されている。０．８５のよ
うに対物レンズの開口数を大きくして用いる場合、記録
・再生特性における光学情報記録媒体のチルトトレラン
スを確保する目的で、レーザ光入射側の透明樹脂層の厚
さを例えば０．１ｍｍのようにすでに商品化されている
ＤＶＤ−ＲＡＭの基板厚さ０．６ｍｍに比べて薄くする
ことも提案されている（例えば特開平１０−１５４３５
１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】相変化光ディスクにお
いて、青色レーザ光と高い開口数の対物レンズを用いて
記録・再生を行おうとする場合、赤色レーザ光と低い開
口数の対物レンズを用いて記録・再生を行う場合に比べ
て次の２点を考慮する必要がある。
いて、青色レーザ光と高い開口数の対物レンズを用いて
記録・再生を行おうとする場合、赤色レーザ光と低い開
口数の対物レンズを用いて記録・再生を行う場合に比べ
て次の２点を考慮する必要がある。
【０００６】即ち、（１）記録された信号を再生する受
光素子に用いられるＳｉフォトダイオードは、対象波長
が短くなるほど検出感度が低下する。このため、青色レ
ーザ光を用いた相変化光ディスクを実用化する場合、赤
色レーザ光を用いた光ディスクに比べて再生光のパワー
を高く設定する必要がある。
光素子に用いられるＳｉフォトダイオードは、対象波長
が短くなるほど検出感度が低下する。このため、青色レ
ーザ光を用いた相変化光ディスクを実用化する場合、赤
色レーザ光を用いた光ディスクに比べて再生光のパワー
を高く設定する必要がある。
【０００７】しかも、（２）青色レーザ光と高い開口数
の対物レンズを用いると、レーザ照射部におけるエネル
ギー密度が高くなる。以上の２点により、青色レーザ光
と高い開口数の対物レンズを用いて記録・再生を行おう
とする場合、従来の赤色レーザ光と低い開口数の対物レ
ンズを用いて記録・再生を行う場合に比べて、再生光劣
化が生じやすくなる。
の対物レンズを用いると、レーザ照射部におけるエネル
ギー密度が高くなる。以上の２点により、青色レーザ光
と高い開口数の対物レンズを用いて記録・再生を行おう
とする場合、従来の赤色レーザ光と低い開口数の対物レ
ンズを用いて記録・再生を行う場合に比べて、再生光劣
化が生じやすくなる。
【０００８】本発明の主たる目的は、上記課題を解決し
て再生光劣化をおこしにくい記録・再生可能な光学情報
記録媒体を提供することにある。
て再生光劣化をおこしにくい記録・再生可能な光学情報
記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明における光学情報
記録媒体の構成は、少なくとも記録層と、記録層よりも
融点が高い光吸収界面層を有し、前記記録層がレーザ光
の照射によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相
変化を生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の
膜厚が記録層よりも薄いことを特徴とする。
記録媒体の構成は、少なくとも記録層と、記録層よりも
融点が高い光吸収界面層を有し、前記記録層がレーザ光
の照射によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相
変化を生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の
膜厚が記録層よりも薄いことを特徴とする。
【００１０】本発明におけるもう一つの光学情報記録媒
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、記録層、光吸収界面層、光入射側保護層、光透過
層をこの順に備えてなり、前記記録層がレーザ光の照射
によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相変化を
生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の膜厚が
記録層よりも薄いことを特徴とする。
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、記録層、光吸収界面層、光入射側保護層、光透過
層をこの順に備えてなり、前記記録層がレーザ光の照射
によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相変化を
生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の膜厚が
記録層よりも薄いことを特徴とする。
【００１１】本発明におけるもう一つの光学情報記録媒
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、光吸収界面層、記録層、光入射側保護層、光透過
層をこの順に備えてなり、前記記録層がレーザ光の照射
によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相変化を
生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の膜厚が
記録層よりも薄いことを特徴とする。
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、光吸収界面層、記録層、光入射側保護層、光透過
層をこの順に備えてなり、前記記録層がレーザ光の照射
によって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相変化を
生じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の膜厚が
記録層よりも薄いことを特徴とする。
【００１２】本発明におけるもう一つの光学情報記録媒
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、反射層側光吸収界面層、記録層、光入射側光吸収
界面層、光入射側保護層、光透過層をこの順に備えてな
り、前記記録層がレーザ光の照射によって非晶質状態と
結晶状態の間で可逆的に相変化を生じる材料からなり、
かつ、前記光吸収界面層の膜厚が記録層よりも薄いこと
を特徴とする。
体の構成は、基板上に少なくとも反射層と、反射層側保
護層、反射層側光吸収界面層、記録層、光入射側光吸収
界面層、光入射側保護層、光透過層をこの順に備えてな
り、前記記録層がレーザ光の照射によって非晶質状態と
結晶状態の間で可逆的に相変化を生じる材料からなり、
かつ、前記光吸収界面層の膜厚が記録層よりも薄いこと
を特徴とする。
【００１３】又、本発明に関連する技術の発明は、記録
・再生のためのレーザ光の波長が４５０nm以下であり、
かつ、記録・再生のためのレーザ光を開口数が０．７５
以上の対物レンズを用いて、上記何れかの光学情報記録
媒体に照射するための記録・再生装置である。これによ
り、例えば、再生光劣化を起こしにくい記録・再生が可
能となる。
・再生のためのレーザ光の波長が４５０nm以下であり、
かつ、記録・再生のためのレーザ光を開口数が０．７５
以上の対物レンズを用いて、上記何れかの光学情報記録
媒体に照射するための記録・再生装置である。これによ
り、例えば、再生光劣化を起こしにくい記録・再生が可
能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１は本発明の一実施の形態に
係る光学情報記録媒体（光ディスク）の積層構成の概略
を示す半径方向の断面図である。図１において、記録、
及び再生を行うレーザ光は光透過層８の側から入射させ
る。基板１は、ポリカーボネート，ＰＭＭＡ等の樹脂
板，ガラス板等からなる。基板表面２は、スパイラルま
たは同心円状の連続溝（案内溝，トラック）等で覆われ
ている。基板厚さに特別な制限はないが、例えば１ｍｍ
前後を選ぶとよい。基板１の上には、少なくとも反射
層、反射層側保護層、記録層、光吸収界面層、光入射側
保護層、光透過層をこの順に備える。
面に基づいて説明する。図１は本発明の一実施の形態に
係る光学情報記録媒体（光ディスク）の積層構成の概略
を示す半径方向の断面図である。図１において、記録、
及び再生を行うレーザ光は光透過層８の側から入射させ
る。基板１は、ポリカーボネート，ＰＭＭＡ等の樹脂
板，ガラス板等からなる。基板表面２は、スパイラルま
たは同心円状の連続溝（案内溝，トラック）等で覆われ
ている。基板厚さに特別な制限はないが、例えば１ｍｍ
前後を選ぶとよい。基板１の上には、少なくとも反射
層、反射層側保護層、記録層、光吸収界面層、光入射側
保護層、光透過層をこの順に備える。
【００１５】反射層３の材料は、Ａg，Ａu，Ａl等の金
属元素を主元素とすることが好ましい。なかでも、Ａｇ
を主成分とする反射層は高い反射率を得ることができる
ので特に好ましい。反射層３の膜厚が薄すぎると十分の
反射率が得られない。好ましい膜厚は４０nm以上であ
る。
属元素を主元素とすることが好ましい。なかでも、Ａｇ
を主成分とする反射層は高い反射率を得ることができる
ので特に好ましい。反射層３の膜厚が薄すぎると十分の
反射率が得られない。好ましい膜厚は４０nm以上であ
る。
【００１６】保護層４，７の材料は、物理的・化学的に
安定、すなわち、記録層５に適用する材料の融点より
も、融点及び軟化温度が高く、かつ記録層材料と相固溶
しないことが望ましい。例えば、Ａl，Ｓi，Ｔa2，Ｍ
o，Ｗ，Ｚr等の酸化物，ＺnＳ等の硫化物，Ａl，Ｂ，Ｇ
e，Ｓi，Ｔi，Ｚr等の窒化物，Ｐb，Ｍg等フッ化物等を
主成分とする材料が好ましい。ここで、これらの誘電体
材料は化学量論組成を満足する必然はない。特に好まし
いのはＺnＳを主成分とし、Ｓi酸化物を１０〜３０mol
％含む組成である。
安定、すなわち、記録層５に適用する材料の融点より
も、融点及び軟化温度が高く、かつ記録層材料と相固溶
しないことが望ましい。例えば、Ａl，Ｓi，Ｔa2，Ｍ
o，Ｗ，Ｚr等の酸化物，ＺnＳ等の硫化物，Ａl，Ｂ，Ｇ
e，Ｓi，Ｔi，Ｚr等の窒化物，Ｐb，Ｍg等フッ化物等を
主成分とする材料が好ましい。ここで、これらの誘電体
材料は化学量論組成を満足する必然はない。特に好まし
いのはＺnＳを主成分とし、Ｓi酸化物を１０〜３０mol
％含む組成である。
【００１７】記録層５の材料は、結晶状態と非晶質状態
との間で構造変化をおこす物質であればよく、例えばＴ
e，Ｉn，またはＳe等を主成分とする相変化材料が例示
できる。よく知られた相変化材料の主成分としては、Ｔ
e-Ｓb-Ｇe，Ａg-Ｉn-Ｓb-Ｔe等が挙げられる。記録層５
は通常非晶質状態で成膜され、レーザ光等のエネルギー
を吸収して結晶化し、光学定数（屈折率ｎ、消衰係数
ｋ）が変化する。
との間で構造変化をおこす物質であればよく、例えばＴ
e，Ｉn，またはＳe等を主成分とする相変化材料が例示
できる。よく知られた相変化材料の主成分としては、Ｔ
e-Ｓb-Ｇe，Ａg-Ｉn-Ｓb-Ｔe等が挙げられる。記録層５
は通常非晶質状態で成膜され、レーザ光等のエネルギー
を吸収して結晶化し、光学定数（屈折率ｎ、消衰係数
ｋ）が変化する。
【００１８】なかでも記録消去の繰り返し特性が良好な
材料、及びその材料組成を実験によって調べたところ、
（１）Ｇe，Ｓb，Ｔe，Ｓnの４元素系を主成分とした組
成で、それぞれの元素の原子量比をＧexＳbyＴezＳnaす
ると、0.05≦ｘ≦0.50，0.03≦ｙ≦0.25，0.45≦ｚ≦0.
70，ａ≦0.20，x+y+z+a=1で表される組成、及び（２）
Ａg，Ｉn，Ｓb，Ｔeの４元素系を主成分とした組成で、
それぞれの元素の原子量比をＡgαＩnβＳbγＴeδとす
ると、0.03≦α≦0.20，0.05≦β≦0.25，0.05≦γ≦0.
50，0.50≦δ≦0.80，α+β+γ+δ=1で表される組成、
及び（３）Ｇe，Ｓb，Ｔe，の３元素系を主成分とした
組成で、それぞれの元素の原子量比をＧey(SbxＴe1-x)
1-yとすると、0.50≦ｘ≦0.90，0.01≦ｙ≦0.25，x+y=1
で表される組成が特に優れている。記録層５の膜厚は
（１）の組成の場合８〜２０nm、（２）及び（３）の組
成の場合、１０〜３０nmとすることが好ましいことがわ
かった。記録層の膜厚が薄すぎると再生信号のコントラ
ストを十分に得ることができず、また記録層膜厚が厚す
ぎると感度が低下し、サイクル特性も劣化する。
材料、及びその材料組成を実験によって調べたところ、
（１）Ｇe，Ｓb，Ｔe，Ｓnの４元素系を主成分とした組
成で、それぞれの元素の原子量比をＧexＳbyＴezＳnaす
ると、0.05≦ｘ≦0.50，0.03≦ｙ≦0.25，0.45≦ｚ≦0.
70，ａ≦0.20，x+y+z+a=1で表される組成、及び（２）
Ａg，Ｉn，Ｓb，Ｔeの４元素系を主成分とした組成で、
それぞれの元素の原子量比をＡgαＩnβＳbγＴeδとす
ると、0.03≦α≦0.20，0.05≦β≦0.25，0.05≦γ≦0.
50，0.50≦δ≦0.80，α+β+γ+δ=1で表される組成、
及び（３）Ｇe，Ｓb，Ｔe，の３元素系を主成分とした
組成で、それぞれの元素の原子量比をＧey(SbxＴe1-x)
1-yとすると、0.50≦ｘ≦0.90，0.01≦ｙ≦0.25，x+y=1
で表される組成が特に優れている。記録層５の膜厚は
（１）の組成の場合８〜２０nm、（２）及び（３）の組
成の場合、１０〜３０nmとすることが好ましいことがわ
かった。記録層の膜厚が薄すぎると再生信号のコントラ
ストを十分に得ることができず、また記録層膜厚が厚す
ぎると感度が低下し、サイクル特性も劣化する。
【００１９】光吸収界面層６の材料は、信号を記録・再
生するために照射するレーザ光の波長に対して、０．２
以上２．０以下の吸収係数（消衰係数）と有し、かつ物
理的・化学的に安定、すなわち、記録層５に適用する材
料の融点よりも、融点及び軟化温度が高く、かつ記録層
材料と相固溶しないことが望ましい。例えば、炭素，シ
リコン，ＳiＣ，ＴiＮ，ＺrＮ，ＣuＯ，Ｃr2Ｏ3，ＺnＳ
e，ＺnＴe等が好ましい。光吸収界面層の膜厚は、３nm
以上で記録層よりも薄いことが好ましい。より好ましく
は１０nm以下である。光吸収界面層を有する光ディスク
に照射されたレーザは主に記録層で光吸収するように上
下の保護層膜厚を設定するが、同時に光吸収界面層にお
いても光が吸収されるので、光吸収界面層が存在しない
場合と比べて、記録層における光吸収率を低下させるこ
とができる。ただし光吸収界面層の膜厚が薄すぎると記
録層の光吸収率を低下させる効果が小さすぎ、また厚す
ぎると記録感度が大幅に低下すると同時に再生光劣化と
くせい改善効果が十分でなくなる。実験により光吸収界
面層の膜厚を記録層膜厚のおおむね７０％以下に設定す
ると、記録感度の低下以上に、再生光劣化を生じる最小
の再生レーザパワーを大きくできる効果を大きくでき
た。
生するために照射するレーザ光の波長に対して、０．２
以上２．０以下の吸収係数（消衰係数）と有し、かつ物
理的・化学的に安定、すなわち、記録層５に適用する材
料の融点よりも、融点及び軟化温度が高く、かつ記録層
材料と相固溶しないことが望ましい。例えば、炭素，シ
リコン，ＳiＣ，ＴiＮ，ＺrＮ，ＣuＯ，Ｃr2Ｏ3，ＺnＳ
e，ＺnＴe等が好ましい。光吸収界面層の膜厚は、３nm
以上で記録層よりも薄いことが好ましい。より好ましく
は１０nm以下である。光吸収界面層を有する光ディスク
に照射されたレーザは主に記録層で光吸収するように上
下の保護層膜厚を設定するが、同時に光吸収界面層にお
いても光が吸収されるので、光吸収界面層が存在しない
場合と比べて、記録層における光吸収率を低下させるこ
とができる。ただし光吸収界面層の膜厚が薄すぎると記
録層の光吸収率を低下させる効果が小さすぎ、また厚す
ぎると記録感度が大幅に低下すると同時に再生光劣化と
くせい改善効果が十分でなくなる。実験により光吸収界
面層の膜厚を記録層膜厚のおおむね７０％以下に設定す
ると、記録感度の低下以上に、再生光劣化を生じる最小
の再生レーザパワーを大きくできる効果を大きくでき
た。
【００２０】また、記録層５と保護層４或いは保護層７
の間に、記録層の結晶化能を高め、かつ良好な記録・消
去のサイクル特性を確保する目的で、窒化物界面層を設
けることも好ましい。
の間に、記録層の結晶化能を高め、かつ良好な記録・消
去のサイクル特性を確保する目的で、窒化物界面層を設
けることも好ましい。
【００２１】窒化物界面層の主材料は、一般式Ｘ-Ｎ，
Ｘ-Ｏ-Ｎで表される材料である。但し、ＸはＧe，Ｃr，
Ｓi，Ａl，Ｔeのうち少なくとも１つの元素を含む材料
である。窒化物界面層の効果に関しては、例えば特開平
４−５２１８８号公報等に詳細な記載がなされている。
Ｘ-Ｏ-Ｎで表される材料である。但し、ＸはＧe，Ｃr，
Ｓi，Ａl，Ｔeのうち少なくとも１つの元素を含む材料
である。窒化物界面層の効果に関しては、例えば特開平
４−５２１８８号公報等に詳細な記載がなされている。
【００２２】保護層，記録層，反射層，光吸収界面層，
窒化物界面層等の各層の形成方法としては、通常、電子
ビーム蒸着法，スパタリング法，イオンプレーティング
法，ＣＶＤ法，レーザスパタリング法等が適用される。
窒化物界面層等の各層の形成方法としては、通常、電子
ビーム蒸着法，スパタリング法，イオンプレーティング
法，ＣＶＤ法，レーザスパタリング法等が適用される。
【００２３】
【実施例】以下、具体例をもって、本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
【００２４】表面が、ピッチ０．３μｍ、溝深さ２０ｎ
ｍの凹凸の案内溝で覆われている半径１２０ｍｍ、厚さ
１．１ｍｍのポリカーボネートを基板として、その上に
Ａl−２％Ｃr，ＺnＳ-２０mol%ＳiＯ2、Ｇe−20%Ｎ，Ｇ
e31Ｓb15Ｔe54、カーボン,ＺnＳ-２０mol%ＳiＯ2をこの
順にそれぞれ、１００ｎｍ，２０ｎｍ，１３nm，０〜１
６nm，６０ｎｍの厚さにマグネトロンスパッタ法で形成
し、続いてスピンコート法により厚さ０．１ｍｍの光透
過層を形成した。
ｍの凹凸の案内溝で覆われている半径１２０ｍｍ、厚さ
１．１ｍｍのポリカーボネートを基板として、その上に
Ａl−２％Ｃr，ＺnＳ-２０mol%ＳiＯ2、Ｇe−20%Ｎ，Ｇ
e31Ｓb15Ｔe54、カーボン,ＺnＳ-２０mol%ＳiＯ2をこの
順にそれぞれ、１００ｎｍ，２０ｎｍ，１３nm，０〜１
６nm，６０ｎｍの厚さにマグネトロンスパッタ法で形成
し、続いてスピンコート法により厚さ０．１ｍｍの光透
過層を形成した。
【００２５】各光学情報層の初期化は、波長８１０nmの
レーザ光源を有する初期化装置を用い、線速度５ｍ／
ｓ、送りピッチ３０μmで適正レーザパワーを実験的に
求めて行った。作成した光学情報記録媒体を、波長４０
５nm，対物レンズのＮＡが０．８５の評価装置を用い
て、最短マーク長が０．２ミクロンの８／１６ ＲＬＬ
２−１０変調のランダム信号を記録して、再生信号のジ
ッタ値を評価した。表１中の記録パワーは、タイムイン
ターバルアナライザーで測定した再生信号のジッタ値が
最小となる記録パワーのことである。また、表１中の再
生劣化が生じる最小の再生パワーは、連続再生を行った
場合、１時間でジッタが０．５％劣化する最小の値のこ
とである。
レーザ光源を有する初期化装置を用い、線速度５ｍ／
ｓ、送りピッチ３０μmで適正レーザパワーを実験的に
求めて行った。作成した光学情報記録媒体を、波長４０
５nm，対物レンズのＮＡが０．８５の評価装置を用い
て、最短マーク長が０．２ミクロンの８／１６ ＲＬＬ
２−１０変調のランダム信号を記録して、再生信号のジ
ッタ値を評価した。表１中の記録パワーは、タイムイン
ターバルアナライザーで測定した再生信号のジッタ値が
最小となる記録パワーのことである。また、表１中の再
生劣化が生じる最小の再生パワーは、連続再生を行った
場合、１時間でジッタが０．５％劣化する最小の値のこ
とである。
【００２６】
【表１】
表１に示したように、記録層に接して炭素からなる光吸
収界面層を設けた場合には、設けなかった場合に比べ
て、記録感度の低下以上の割合で再生光劣化特性を改善
することができた。ここで、炭素からなる光吸収界面層
の厚さをＣ厚と呼ぶ。
収界面層を設けた場合には、設けなかった場合に比べ
て、記録感度の低下以上の割合で再生光劣化特性を改善
することができた。ここで、炭素からなる光吸収界面層
の厚さをＣ厚と呼ぶ。
【００２７】さらに、記録層の組成を、（１）ＧexＳby
ＴezＳnaとして、0.05≦ｘ≦0.50，0.03≦ｙ≦0.25，0.
45≦ｚ≦0.70，ａ≦0.20，x+y+z+a=1で表される組成、
及び（２）ＡgαＩnβＳbγＴeδとして、0.03≦α≦0.
20，0.05≦β≦0.25，0.05≦γ≦0.50，0.50≦δ≦0.8
0，α+β+γ+δ=1で表される組成、及び（３）Ｇey(Sb x
Ｔe1-x)1-yとして、0.50≦ｘ≦0.90，0.01≦ｙ≦0.25，
x+y=1で表される組成について、光吸収界面層として炭
素，シリコン，ＳiＣ，ＴiＮ，ＺrＮ，ＣuＯ，Ｃr
2Ｏ3，ＺnＳe，ＺnＴeを選び、光吸収界面層を設けた場
合と設けない場合について、記録感度と再生光劣化特性
の関係を実験的にもとめた。その結果、記録層に接して
光吸収界面層を反射層側に設けた場合、光入射側に設け
た場合いずれについても、光吸収界面層の膜厚を記録層
膜厚の７０％以下とした場合に、記録感度の低下以上の
割合で再生光劣化特性を改善することができた。もっと
も特性改善効果が大きかったのは、接して両側に光吸収
界面層を設けた場合で、次に基板側にのみ光吸収界面層
を設けた場合に特性改善効果が大きかった。
ＴezＳnaとして、0.05≦ｘ≦0.50，0.03≦ｙ≦0.25，0.
45≦ｚ≦0.70，ａ≦0.20，x+y+z+a=1で表される組成、
及び（２）ＡgαＩnβＳbγＴeδとして、0.03≦α≦0.
20，0.05≦β≦0.25，0.05≦γ≦0.50，0.50≦δ≦0.8
0，α+β+γ+δ=1で表される組成、及び（３）Ｇey(Sb x
Ｔe1-x)1-yとして、0.50≦ｘ≦0.90，0.01≦ｙ≦0.25，
x+y=1で表される組成について、光吸収界面層として炭
素，シリコン，ＳiＣ，ＴiＮ，ＺrＮ，ＣuＯ，Ｃr
2Ｏ3，ＺnＳe，ＺnＴeを選び、光吸収界面層を設けた場
合と設けない場合について、記録感度と再生光劣化特性
の関係を実験的にもとめた。その結果、記録層に接して
光吸収界面層を反射層側に設けた場合、光入射側に設け
た場合いずれについても、光吸収界面層の膜厚を記録層
膜厚の７０％以下とした場合に、記録感度の低下以上の
割合で再生光劣化特性を改善することができた。もっと
も特性改善効果が大きかったのは、接して両側に光吸収
界面層を設けた場合で、次に基板側にのみ光吸収界面層
を設けた場合に特性改善効果が大きかった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
記録感度及び再生光劣化特性の良好な、光学情報記録媒
体が得られる。
記録感度及び再生光劣化特性の良好な、光学情報記録媒
体が得られる。
【図１】本発明の一実施例の記録媒体の構造を示す断面
図
図
１ 基板
２ 基板表面
３ 反射層
４ 保護層
５ 記録層
６ 光吸収界面層
７ 保護層
８ 光透過層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ
(72)発明者 草田 英夫
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 山田 昇
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5D029 JB18 JB47 LB07 LB11 LC08
MA02 MA03 MA04
Claims (10)
- 【請求項１】 レーザ光の照射により情報を記録・再生
する光学情報記録媒体であって、少なくとも記録層と、
記録層よりも融点が高い光吸収界面層を有し、前記記録
層がレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態の間
で可逆的に相変化を生じる材料からなり、かつ、前記光
吸収界面層の膜厚が記録層よりも薄いことを特徴とする
光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 レーザ光の照射により情報を記録・再生
する光学情報記録媒体であって、基板上に少なくとも反
射層と、反射層側保護層、記録層、光吸収界面層、光入
射側保護層、光透過層をこの順に備えてなり、前記記録
層がレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態の間
で可逆的に相変化を生じる材料からなり、かつ、前記光
吸収界面層の膜厚が記録層よりも薄いことを特徴とする
光学情報記録媒体。 - 【請求項３】 レーザ光の照射により情報を記録・再生
する光学情報記録媒体であって、基板上に少なくとも反
射層と、反射層側保護層、光吸収界面層、記録層、光入
射側保護層、光透過層をこの順に備えてなり、前記記録
層がレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態の間
で可逆的に相変化を生じる材料からなり、かつ、前記光
吸収界面層の膜厚が記録層よりも薄いことを特徴とする
光学情報記録媒体。 - 【請求項４】 レーザ光の照射により情報を記録・再生
する光学情報記録媒体であって、基板上に少なくとも反
射層と、反射層側保護層、反射層側光吸収界面層、記録
層、光入射側光吸収界面層、光入射側保護層、光透過層
をこの順に備えてなり、前記記録層がレーザ光の照射に
よって非晶質状態と結晶状態の間で可逆的に相変化を生
じる材料からなり、かつ、前記光吸収界面層の膜厚が記
録層よりも薄いことを特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項５】 記録層と光吸収界面層が隣接しているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学情
報記録媒体。 - 【請求項６】 記録・再生のためのレーザ光の波長にお
ける光吸収界面層の吸収係数が０．２以上、２．０以下
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の光学情報記録媒体。 - 【請求項７】 光吸収界面層の主成分が、炭素，シリコ
ン，炭化物，金属ナイトライド，金属酸化物，金属のカ
ルコゲン化物のいずれかであることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項８】 記録層に接して設ける光吸収界面層の主
成分が炭素，シリコン，シリコンカーバイト，チタンナ
イトライド，ジルコンナイトライド，クロム酸化物，銅
酸化物，セレン化亜鉛，テルル化亜鉛のいずれかである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学
情報記録媒体。 - 【請求項９】 光透過層の厚さが０．０３ｍｍ以上、
０．３０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２〜４
のいずれかに記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１０】 記録・再生のためのレーザ光の波長が
４５０nm以下で、かつ、記録・再生のためのレーザ光を
開口数が０．７５以上の対物レンズを用いて光学情報記
録媒体に照射する記録・再生装置に用いる、請求項１〜
９の何れかに記載の光学情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346653A JP2003151176A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 光学情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001346653A JP2003151176A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 光学情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151176A true JP2003151176A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19159794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001346653A Withdrawn JP2003151176A (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003151176A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251665A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Tosoh Corp | 相変化型光記録媒体 |
| JP2000011453A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-14 | Sony Corp | 光記録媒体と光記録再生装置 |
| WO2000021081A1 (fr) * | 1998-10-07 | 2000-04-13 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'information et dispositif d'enregistrement d'information |
| JP2000290044A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低反射ガラス板およびそれを用いた車両用低反射合わせガラス板 |
| JP2001195777A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体およびその記録再生方法 |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2001346653A patent/JP2003151176A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251665A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Tosoh Corp | 相変化型光記録媒体 |
| JP2000011453A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-14 | Sony Corp | 光記録媒体と光記録再生装置 |
| WO2000021081A1 (fr) * | 1998-10-07 | 2000-04-13 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'information et dispositif d'enregistrement d'information |
| JP2000290044A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 低反射ガラス板およびそれを用いた車両用低反射合わせガラス板 |
| JP2001195777A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体およびその記録再生方法 |
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