JP2003149068A - 圧力検出装置 - Google Patents

圧力検出装置

Info

Publication number
JP2003149068A
JP2003149068A JP2001351539A JP2001351539A JP2003149068A JP 2003149068 A JP2003149068 A JP 2003149068A JP 2001351539 A JP2001351539 A JP 2001351539A JP 2001351539 A JP2001351539 A JP 2001351539A JP 2003149068 A JP2003149068 A JP 2003149068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer case
opening
sensor unit
lead material
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001351539A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3752444B2 (ja
Inventor
Atsushi Miyazaki
敦史 宮崎
Katsuhiko Kikuchi
勝彦 菊池
Hiromichi Ebine
広道 海老根
Satoshi Shimada
嶋田  智
Masahide Hayashi
雅秀 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Car Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001351539A priority Critical patent/JP3752444B2/ja
Priority to KR1020020014775A priority patent/KR100694902B1/ko
Priority to US10/101,526 priority patent/US6601453B2/en
Priority to EP02006550A priority patent/EP1312907A1/en
Publication of JP2003149068A publication Critical patent/JP2003149068A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3752444B2 publication Critical patent/JP3752444B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0038Fluidic connecting means being part of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0084Electrical connection means to the outside of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/148Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】仕様の変更時も容易に対応可能な圧力検出装置
を提供することにある。 【解決手段】外装ケース23の開口部28のリード材露
出部24に圧力を検出するセンサユニット11と、電気
的外乱を低減する電子部品35、36を電気的に接合
し、熱硬化性樹脂38を上記開口部に注入硬化すること
で、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる。
1チップ半導体センサ単体の耐過渡電圧性や耐電磁障害
性を補う外付電子部品実装が可能であり、且つ、小型化
・軽量化・組み立て工数低減による低コスト化を図るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力検出装置に係
り、特に、電気的外乱を低減する電子部品を実装する圧
力検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の圧力検出装置は、例えば、特開平
10−170380号公報に記載のように、物理量を電
気信号に変換する半導体センサチップと、上記センサ出
力信号に演算処理をして検出信号を得る半導体回路チッ
プで構成された2チップ構成のセンサ装置である。この
2チップ構成では、リードフレームに上記半導体回路チ
ップを配設したのち樹脂で封止すると共に一部に凹部キ
ャビテイを有したパッケージを構成し、凹部キャビテイ
に上記半導体センサチップを配設し電気的に接合したセ
ンサユニットを、凹型開口部を備え一部がコネクタ端子
となり、一部が凹型開口部に露出したリード材と一体成
形した外装ケースの、上記凹部開口部に配設し、リード
材とリードフレームを電気的に接合したのち、カバーで
塞ぐ構造となっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
2チップ構成のセンサ装置において、耐過渡電圧性や耐
電磁気性のユーザ要求仕様がより厳しくスペックアップ
された場合に、従来の半導体チップでは仕様を満足でき
ない場合が生じることがある。このとき、カスタマイズ
されたチップを再設計して対応することが必要となり、
多大な開発工数と費用が発生することになるという問題
点があった。
【0004】本発明の目的は、仕様の変更時も容易に対
応可能な圧力検出装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】(1)上記目的を達成す
るために、本発明は、一部が外部との電気的接続用コネ
クタ端子となっているリード材と、このリード材と一体
成形され、一部に開口部が設けられた外装ケースと、圧
力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理回
路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に開
口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品とを備
え、上記リード材の一部が、上記外装ケースの開口部内
に露出しており、上記センサユニットと上記電子部品が
上記外装ケースの開口部内に配設され、上記リード材と
上記電子部品と上記センサユニットの端子とが、上記外
装ケースの開口部内で電気的に接続されるようにしたも
のである。かかる構成により、仕様の変更時も容易に対
応可能なものとなる。
【0006】(2)上記(1)において、好ましくは、
上記外装ケースには、上記外装ケースの開口部と連通す
る圧力導入孔が設けられ、上記センサユニットの開口部
と上記外装ケースの開口部には、各々勘合部が設けら
れ、上記センサユニットの半導体センサと上記外装ケー
スの大気導入孔が連通するように、上記センサユニット
と上記外装ケースが勘合され、上記外装ケースの開口部
内に配設された上記センサユニットと上記電子部品と上
記リード材露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入
された樹脂で全部または一部が覆われ、注入樹脂で一体
に固着されると共に、センサユニットと外装ケースの勘
合部が気密封止されるようにしたものである。
【0007】(3)上記目的を達成するために、本発明
は、一部が外部との電気的接続用コネクタ端子となって
いるリード材と、上記リード材と一体形成され、一部に
開口部とこの開口部に連通する圧力導入孔が設けられた
外装ケースと、圧力を電気信号に変換する半導体センサ
とその信号処理回路とその処理された信号を出力する出
力端子と一部に開口部が設けられたチップケースを主構
成部品とするセンサユニットとを備え、上記リード材の
一部が上記外装ケースの開口部内に露出しており、上記
センサユニットの開口部が、上記外装ケースの開口部内
に上記圧力導入孔に連通するように配設され、上記リー
ド材と上記センサユニット出力端子とが、上記外装ケー
スの開口部内で電気的に接続され、上記外装ケースの開
口部内に配設された上記センサユニットと上記リード材
露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入された樹脂
で全部または一部が覆われ、この注入樹脂で上記センサ
ユニットと上記外装ケースが一体に固着されるようにし
たものである。かかる構成により、仕様の変更時も容易
に対応可能なものとなる。
【0008】(4)上記(1)または(3)において、
好ましくは、上記センサユニットの半導体センサは、基
準圧力室を有した絶対圧センサであり、上記センサユニ
ットの圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信
号処理回路が1チップで構成され、上記電子部品がコン
デンサや抵抗等のチップ部品で構成され、上記外装ケー
スが熱可塑性樹脂で構成され、上記外装ケースの開口部
に注入される樹脂が、熱硬化性樹脂で構成され、上記熱
可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂の線膨張係数が20〜4
0ppm/℃の範囲内にあるようにしたものである。
【0009】(5)上記(1)または(3)において、
好ましくは、上記センサユニットの出力端子と上記外装
ケースのリード材が溶接により電気的に接続され、上記
リード材の電子部品配設部に窪みが設けられ、上記外装
ケースに相異なるリード材の窪みを隔絶する間仕切り又
は溝が設けられ、上記リード材窪み部に配設された電子
部品の電極部が接合部材で電気的に接続されるようにし
たものである。
【0010】(6)上記(5)において、好ましくは、
上記外装ケースのリード材のセンサユニットの出力端子
との溶接電極配置領域と、電子部品配設領域とが混在せ
ず分離されるようにしたものである。
【0011】(7)上記(1)または(3)において、
好ましくは、上記リード材が少なくとも3本から構成さ
れ、上記電子部品が上記リード材を跨ぐように配設され
る場合、跨れる部分のリード材をクランク形状に曲げて
外装ケース樹脂内に埋没させるか、または跨れる部分の
リード材を細くし、リード材の電子部品配設部を部分的
に幅広形状にしたものである。
【0012】(8)上記(1)または(3)において、
好ましくは、上記外装ケースと一体成形されるリード材
のコネクタ端子部と反対端近傍を略直角に曲げ、開口部
内のコネクタ端子同軸部とその直角方向部の2面を外装
ケースの開口部内に露出させるようにしたものである。
【0013】(9)上記(1)または(3)において、
好ましくは、上記センサユニットの開口部端面と出力端
子配設面が異なり、上記外装ケースのセンサユニット開
口部端面との接触面と上記出力端子と電気的に接合され
るリード材配設面の間の少なくとも一部に傾斜面を設け
るようにしたものである。
【0014】(10)上記(1)または(3)におい
て、好ましくは、上記センサユニットまたは上記外装ケ
ースの一部との勘合部を有し、上記外装ケース開口部の
全部または一部を塞ぐように配設されたカバーを備え、
上記カバーと上記センサユニットと上記外装ケースが注
入樹脂で一体に固着されるようにしたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図2を用いて、本発
明の第1の実施形態による圧力検出装置の構成について
説明する。図1は、本発明の第1の実施形態による圧力
検出装置の断面図である。図2は、本発明の第1の実施
形態による圧力検出装置の正面図である。
【0016】半導体センサチップ1は、シリコンから成
る。半導体センサチップ1は、中央部下面をエッチング
等により凹型加工を施し、中央部に薄肉ダイヤフラム2
が形成されている。半導体センサチップ1のダイヤフラ
ム2の上面には、図示しない圧力検出回路が半導体プロ
セスにより一体的に形成されている。圧力検出回路は、
ダイヤフラム2の上面に形成された4個の拡散抵抗から
成り、アルミ導体でブリッジに配線して構成される。
【0017】また半導体チップ1の上面でダイヤフラム
以外の周辺部には、図示しない特性補償回路及び保護回
路が同じく半導体プロセスにより一体的に構成されてい
る。特性補償回路は、圧力と出力の関係を所定の伝達関
数に調整するデジ・アナ混成回路で構成されている。デ
ジ・アナ混成回路は、特性調整信号を記憶・保持するE
PROMを有したデジタル部と、信号増幅をするアナロ
グ部を主要部として構成されている。特性調整信号と
は、ゼロ−スパン調整、感度調整、温度特性調整のとき
に得られる各特性を調整するためのものである。保護回
路は、外部と接続される入出力段に設けられた入出力信
号に対する過渡的な電磁気ノイズ等から内部回路を保護
するための回路である。圧力検出回路、特性調整回路及
び保護回路は、それぞれ、アルミ導線等で電気的に接続
されている。
【0018】半導体センサチップ1は、ガラス台3とア
ノーディックボンディング等で接合されている。半導体
センサチップ1とガラス台3により、チップクミを構成
する。半導体センサチップ1のダイヤフラム2の下面と
ガラス台3の上面に挟まれた部分には、略真空の基準圧
力室4が設けられている。ガラス台3の線膨張係数は、
半導体チップ1の線膨張係数と略等しく構成されてい
る。
【0019】チップケース5は、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂またはPPS等の熱可塑性樹脂から成り、端子
6は、リン青銅から構成される。端子6は、ニッケルで
プリメッキされたフープ材をプレス成形することで得ら
れ、エポキシ樹脂を用いたインサートモールドにより、
端子付チップケース5が構成される。チップケース成形
後、端子は矩形状に繋がっているが、調整端子5本と入
出力端子3本が各々独立するように切断される。チップ
ケース5の開口部側底面には、凹型チップクミ収納部7
が設けられている。端子6は、一部をチップクミの配設
部周辺に露出し、一部をチップケース5の外側に引き出
されるように配置されている。
【0020】半導体センサチップ1とガラス台3から成
るチップクミは、チップケース5の凹部7にシリコーン
系の接着剤8により、接着・固定されている。半導体セ
ンサチップ1の電極は、金やアルミ等で構成されるワイ
ヤ9を用いて、端子6とワイボンデイングされている。
【0021】チップケース5に配設された半導体センサ
チップ1とガラス台3からなるチップクミ、アルミワイ
ヤ9、及びリード端子6の露出部は、フロロシリコーン
系またはフッ素系のシリコーンゲル10で被覆されてい
る。シリコーンゲル10は、半導体チップ1に圧力を伝
達するとともに腐食性の液体や気体が接触することを防
止している。以上のようにしてセンサユニット11が構
成される。
【0022】センサユニット11は、調整端子及び入出
力端子12にプローブを接触させて外部圧力調整装置と
の電気的やり取りを行うことで、半導体センサチップ内
部回路の特性調整を行なった後、調整端子及び入出力端
子12のケース外側に配した端子は所定の長さに切断さ
れる。
【0023】リード材13は、黄銅で構成される。リー
ド材13は、錫をプリメッキしたフープ材をプレス加工
することで形成される。リード材13の紙面に対して右
側は、コネクタ端子部14の形状、左側はコネクタ端子
部14に対して略直角の曲げ端子部15の形状にプレス
加工される。また、リード材13には、センサユニット
11の入出力端子12が溶接される位置に、溶接用突起
16が設けられている。リード材13は、図2の紙面上
側よりグランド端子17、出力端子18、電源端子19
として構成される。グランド端子17と出力端子18の
中央付近には、チップコンデンサを配設するための略長
方形の窪み部20が施されている。リード材の窪み部深
さは、リード材13の厚さの1/3〜1/2程度が好ま
しく、窪み底面の略長方形の大きさは、チップコンデン
サ電極配設形状と略等しい程度が好ましいものである。
同様に、グランド端子17と電源端子19にも、チップ
コンデンサを配設するための略長方形の窪み部を設けな
ければならないが、両端子の間には出力端子18が介在
するため、グランド端子17と電源端子19のチップコ
ンデンサ配設部近傍に幅広端子部21を設けて、その先
端部近傍に窪み部22を設けた構造となっている。
【0024】外装ケース23は、リード材13をインサ
ートモールドすることで得られる。外装ケース23のリ
ード材13は、インサートモールド時に、開口部内の露
出部24とその直角方向の露出部25の2面で金型に固
定される。よって、射出成形時のリード材固定用ピンが
不要となるため、金型費用低減が図れる。更に、リード
材裏面から外装ケース外部に連通する押えピン跡がなく
なるので、気密性の高い外装ケースを得ることができ
る。
【0025】外装ケース23は、熱可塑性のPPS樹脂
から成る。外装ケース23は、所定の金型でモールド射
出成形することで、コネクタカップラ部26、フランジ
部27、開口部28、開口部と連通する圧力導入孔29
を有した圧力導入管30、開口部内に設けられた凸型勘
合部31が設けられる。また、センサユニット11の開
口部内配設面32とコネクタカップラ側のリード材露出
面24を繋ぐ傾斜面33が設けられており、リード材露
出部24の相異なるリード材間の樹脂部にも同様に傾斜
面が設けられている。
【0026】外装ケース23の凸型勘合部29に、セン
サユニット11の開口部が勘合するように配設すると、
センサユニット11の入出力端子12が、リード材露出
部30に設けられた溶接用突起16に重なる。センサユ
ニット11の上面を押えながら、リード材の溶接用突起
16とセンサユニットの入出力端子12を、プロジェク
ション溶接を用いて電気的に接合する。外装ケースリー
ド材とセンサユニット端子の溶接は、溶接用突起16に
配設された電極と、溶接電極位置34に配設された電極
間に電流を加えて行われる。リード材13のチップコン
デンサ36,37の搭載部は、リード材13と端子の溶
接電流経路と別領域となっているため、チップコンデン
サ搭載部のリード材の錫メッキ溶融やリード材近傍の樹
脂溶融等の不具合が発生せず、リードとその周辺樹脂が
所定の形状でチップコンデンサを搭載することができる
ので、高い接続信頼性と製造歩留りが得られる。
【0027】外装ケース23のリード材露出部24に設
けられた窪み部20,22には、両端に電極を備えたチ
ップコンデンサ36,37が配設される。リードの窪み
部20,22とチップコンデンサ配設部は略長方形で等
しく、更にリード材厚さの1/3〜1/2の深さがある
ので、チップコンデンサ36,37は所定の位置にきち
んとセットされ、ずれることがないものである。
【0028】チップコンデンサ配設後、外装ケース23
を所定の温度に予備加熱し、チップコンデンサ36,3
7の上部を押えながら、チップコンデンサ36,37の
斜め脇から糸はんだ等の導電性接合部材37が供給され
る。チップコンデンサ36,37の電極とリード材13
の近傍に所定量の糸はんだが供給されたところで、レー
ザ光を照射してはんだを溶融させ、両部材を電気的に接
合する。このはんだの溶融温度は、外装ケース23を構
成するPPS樹脂の熱変形温度275℃より低い材料、
例えば、錫銀銅はんだ(220℃)等が使用されるた
め、外装ケース13にダメージが加わることはない。
【0029】センサユニット開口部配設面32とリード
材露出部30の配設面を繋ぐ傾斜面33は、リード材間
にも設けられているので、リード材間の樹脂も溝状に取
り除かれている。従って、リード材とチップコンデンサ
電極間で溶融した電気的接合部材37が、チップコンデ
ンサの電極間ショートをすることはないものである。ま
た、チップコンデンサ配設部の中間に別のリード材が存
在する場合、中間のリード材のチップコンデンサに跨れ
る部分を細くし、その両側のリード材を逆に幅広端子形
状21とし、両幅広部先端近傍にチップコンデンサを搭
載する窪み部22を設ける構造とする。更に、相異なる
端子間の樹脂は、前述と同様に溝状に取り除かれている
ため、リード材窪み部に塗布された導電性接合部材37
が、チップコンデンサの電極間ショート及びリード材と
ショートすることはないものである。また、この場合
に、中間のリード材を細くする代わりに、その部分をク
ランク状に曲げて外装ケース内に埋め込んでも同様の効
果が得られる。
【0030】センサユニット11とチップコンデンサ3
6,37を、外装ケース23のリード材13の所定の位
置に電気的に接続した後、センサユニット11の上面を
押さえつけながら、エポキシ樹脂37が外装ケース23
の開口部28のリード材露出部24近傍から注入し、所
定の温度を加えて樹脂を硬化させると共にセンサユニッ
トと外装ケースがしっかりと固着される。
【0031】外装ケース23の開口部内に設けられた傾
斜面33は、注入樹脂がセンサユニット配設部周辺に万
遍なく行き渡るように作用する。これにより、センサユ
ニットの気密保持と外装ケースへの固着がきちんと行わ
れるため、高信頼性と歩留り向上が図れる。ここで、エ
ポキシ樹脂は、樹脂と被覆される部品表面の間で水素結
合が施されることにより、密着性が極めて良いものであ
る。更に、エポキシ樹脂は流動性が良いため、熱可塑性
樹脂を用いてリード材等のインサート部品を一体成形し
て外装ケースを形成する際に生じるインサートリード材
と樹脂の間に生じる微小隙間に対しても充填可能であり
空間が残ることがないものである。従って、はんだや導
電性接着剤等の電気的接合部材への水や腐食性ガスの侵
入による接合部の腐食断線を防止することができと共
に、熱可塑性のPPS樹脂等では常に問題となるインサ
ート端子の気密不良の問題も解決できる。従って、モー
ルド成形後、コネクタ端子にシリコーン接着剤等の気密
シール材を塗布硬化することも不要となる。また、本作
業は、真空脱気をしたエポキシ樹脂を用いて真空注入を
行ない、且つ、ゆっくりと注入することで、より緻密に
気泡等の内在しない充填を行うことができるので、更な
る高信頼性と歩留り向上を得ることができる。
【0032】本実施形態では、外装ケース23を構成す
る熱可塑性のPPS樹脂と、外装ケース開口部に注入さ
れるエポキシ樹脂31との線膨張係数が、20〜40p
pm/℃の範囲で略等しく選定されているため、異種材
料同士の接着では常に問題となる接着界面の剥離を生じ
ることがない。発明者らの信頼性評価では、−40℃←
→130℃/1時間の熱衝撃耐久試験で2000サイク
ルを施したものでも、接着界面に剥離を生じることがな
く、且つ、リード材13に搭載されたチップコンデンサ
36,37との電気的接続も確保されており、極めて安
定した実装構造体が得られている。
【0033】ところで、半導体センサチップを標準のC
MOSプロセスで製作することは、製造コスト面でメリ
ット得ることができるが、静電気やサージ等の過渡的過
大電圧印加時のデバイス耐性については、バイポーラ等
の他のプロセスより劣るのが一般的であり、高耐圧のD
MOSとの組み合わせで耐性を上げる等の工夫がなされ
ている。また、耐電波障害性等の確保も1チップ内に配
設された保護回路で対策している。しかし、これらの外
乱に対する顧客や産業界の要求レベルが上がり、既存の
1チップ内保護素子では対応しきれなくなった場合、チ
ップの再開発・再設計が必要となり、多大なコストと期
間を要することになる。
【0034】それに対して、本実施形態では、予め、入
出力端子に耐過渡電圧性や耐電波障害性を向上させるチ
ップコンデンサを搭載できるように構成されているた
め、1チップ半導体センサを使用するうえでのデメリッ
トとなるチップ耐性のフレキシビリテイを十分補うこと
ができる構成となっており、開発費用や期間の削減を図
ることができる。
【0035】更に、本実施形態では、外装ケース23の
開口部28を覆うカバー等の部品が不要であるため、両
部材の勘合スペース廃止による外装ケースの小型化や、
製造工数削減による原価低減に大きく寄与する実装構造
となっている。
【0036】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、外装ケース開口部のリード材に圧力を検出するセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品を電気的
に接合し、熱硬化性樹脂を上記開口部に注入硬化するこ
とで、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる
ので、1チップ半導体センサ単体が耐過渡電圧性や耐電
磁障害性を満足しない場合が生じても安価で高接続信頼
性を有する方法で性能を補う外付電子部品実装が可能と
なり、且つ、小型化・軽量化・組み立て工数低減による
低コスト化が図られる。したがって、仕様の変更時も容
易に対応が可能となる。
【0037】次に、図3を用いて、本発明の第2の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図3
は、本発明の第2の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図1,図2と同一符号は、同一部分を
示している。
【0038】外装ケース23の開口部28を覆うカバー
39は、センサユニット11の上部との勘合部40と樹
脂注入孔41を有する。センサユニット11とチップコ
ンデンサ36,37をリード材13に電気的に接合した
後、カバー39をセンサユニット11に勘合させて、カ
バー39の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂38を
樹脂注入孔41から注入する。エポキシ樹脂38の注入
は、カバー39の樹脂注入孔41が塞がるまで行い、所
定の温度を加えることで、カバー39とセンサユニット
11と外装ケース23を同時に固着させる。
【0039】以上説明したように、本実施形態によれ
と、カバー39は、センサユニット11のチップケース
5の外周を覆い囲むように勘合されるため、エポキシ樹
脂の注入硬化による収縮応力等の影響からチップケース
を隔離することができる。従って、センサユニット11
が微小圧力検出を主用途にした仕様であっても、安定し
た圧力検出装置を得ることができる。
【0040】また、図1,図2の実施形態と同様に、仕
様の変更時も容易に対応が可能となる。
【0041】次に、図4を用いて、本発明の第3の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図4
は、本発明の第3の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図1,図2,図3と同一符号は、同一
部分を示している。
【0042】外装ケース23の開口部28を覆うカバー
42は、センサユニット11の上部との勘合部43と樹
脂注入孔44を有する。センサユニット11とチップコ
ンデンサ36,37をリード材13に電気的に接合した
後、カバー42をセンサユニット11に勘合させて、カ
バー42の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂38を
樹脂注入孔44から注入する。エポキシ樹脂38の注入
は、チップコンデンサ36,37が樹脂で被覆され、且
つ、外装ケース23の開口部内に挿入されたカバー42
の周辺部が注入樹脂に所定量埋まる程度まで行い、所定
の温度を加えることで、カバー42とセンサユニット1
1と外装ケース23を同時に固着させる。次に、図示し
ない樹脂注入孔44の周辺にある突起状樹脂を熱カシメ
により溶融させてキャップ45を形成し、外装ケース2
3の開口部28を外部から遮断する。
【0043】本実施形態によれば、センサユニット11
の開口面側の外装ケース23の下部の一部のみエポキシ
樹脂38に固着されているだけなので、半導体センサチ
ップ1が配設されているチップケース側は、エポキシ樹
脂の影響をより受け難い構造とすることができるため、
より、安定した圧力検出装置を得ることができる。
【0044】また、図1〜図3の実施形態と同様に、仕
様の変更時も容易に対応が可能となる。
【0045】次に、図5を用いて、本発明の第4の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図5
は、本発明の第4の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図1〜図4と同一符号は、同一部分を
示している。
【0046】本実施形態では、図1と比較すると、図1
に示したチップコンデンサ36,37が省略されてい
る。すなわち、半導体センサチップの性能が顧客要求仕
様を満足する場合には、コンデンサ36,37をリード
材13に配設することは必ずしも必要でなく、廃止する
ことが可能である。
【0047】本実施形態では、外装ケースを更に小型化
でき、また、軽量化、組立て工数低減、部品点数低減が
図れることになる。
【0048】
【発明の効果】本発明によれば、仕様の変更時も容易に
対応可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態による圧力検出装置の
正面図である。
【図3】本発明の第2の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
【図4】本発明の第3の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
【図5】本発明の第4の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
【符号の説明】
1…半導体センサチップ 2…ダイヤフラム 3…ガラス台 4…基準圧力室 5…チップケース 6…端子 7…チップケース凹部 8…接着剤 9…ワイヤ 10…シリコーンゲル 11…センサユニット 12…入出力端子 13…リード材 14…コネクタ端子部 15…曲げ端子部 16…溶接用突起 17…グランド端子 18…出力端子 19…電源端子 20,22…窪み部 21…幅広端子部 23…外装ケース 24,25…リード材露出部 26…コネクタカップラ部 27…フランジ部 28…開口部 29…圧力導入孔 30…圧力導入管 31…凸型勘合部 32…センサユニット開口部配設面 33…傾斜面 34…溶接電極位置 35…導電性接合部材 36,37…チップコンデンサ 38…エポキシ樹脂 39,42…カバー 40,43…勘合部 41,44…樹脂注入孔 45…キャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 勝彦 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社佐和サービス内 (72)発明者 海老根 広道 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 嶋田 智 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者 林 雅秀 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器グループ内 Fターム(参考) 2F055 AA40 BB01 CC02 DD04 EE13 FF38 FF43 GG25 4M109 BA07 CA02 DA07 DB09 EA02 ED04 GA10

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一部が外部との電気的接続用コネクタ端子
    となっているリード材と、 このリード材と一体成形され、一部に開口部が設けられ
    た外装ケースと、 圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理
    回路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に
    開口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセ
    ンサユニットと、 電気的外乱を低減する電子部品とを備え、 上記リード材の一部が、上記外装ケースの開口部内に露
    出しており、 上記センサユニットと上記電子部品が上記外装ケースの
    開口部内に配設され、上記リード材と上記電子部品と上
    記センサユニットの端子とが、上記外装ケースの開口部
    内で電気的に接続されたことを特徴とする圧力検出装
    置。
  2. 【請求項2】請求項1記載の圧力検出装置において、 上記外装ケースには、上記外装ケースの開口部と連通す
    る圧力導入孔が設けられ、 上記センサユニットの開口部と上記外装ケースの開口部
    には、各々勘合部が設けられ、 上記センサユニットの半導体センサと上記外装ケースの
    大気導入孔が連通するように、上記センサユニットと上
    記外装ケースが勘合され、 上記外装ケースの開口部内に配設された上記センサユニ
    ットと上記電子部品と上記リード材露出部が、上記外装
    ケースの開口部内に注入された樹脂で全部または一部が
    覆われ、注入樹脂で一体に固着されると共に、センサユ
    ニットと外装ケースの勘合部が気密封止されたことを特
    徴とする圧力検出装置。
  3. 【請求項3】一部が外部との電気的接続用コネクタ端子
    となっているリード材と、 上記リード材と一体形成され、一部に開口部とこの開口
    部に連通する圧力導入孔が設けられた外装ケースと、 圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理
    回路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に
    開口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセ
    ンサユニットとを備え、 上記リード材の一部が上記外装ケースの開口部内に露出
    しており、 上記センサユニットの開口部が、上記外装ケースの開口
    部内に上記圧力導入孔に連通するように配設され、 上記リード材と上記センサユニット出力端子とが、上記
    外装ケースの開口部内で電気的に接続され、 上記外装ケースの開口部内に配設された上記センサユニ
    ットと上記リード材露出部が、上記外装ケースの開口部
    内に注入された樹脂で全部または一部が覆われ、この注
    入樹脂で上記センサユニットと上記外装ケースが一体に
    固着されたことを特徴とする圧力検出装置。
  4. 【請求項4】請求項1または請求項3のいずれかに記載
    の圧力検出装置において、 上記センサユニットの半導体センサは、基準圧力室を有
    した絶対圧センサであり、 上記センサユニットの圧力を電気信号に変換する半導体
    センサとその信号処理回路が1チップで構成され、 上記電子部品がコンデンサや抵抗等のチップ部品で構成
    され、 上記外装ケースが熱可塑性樹脂で構成され、 上記外装ケースの開口部に注入される樹脂が、熱硬化性
    樹脂で構成され、 上記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂の線膨張係数が2
    0〜40ppm/℃の範囲内にあることを特徴とする圧
    力検出装置。
  5. 【請求項5】請求項1または請求項3のいずれかに記載
    の圧力検出装置において、 上記センサユニットの出力端子と上記外装ケースのリー
    ド材が溶接により電気的に接続され、 上記リード材の電子部品配設部に窪みが設けられ、 上記外装ケースに相異なるリード材の窪みを隔絶する間
    仕切り又は溝が設けられ、 上記リード材窪み部に配設された電子部品の電極部が接
    合部材で電気的に接続されたことを特徴とする圧力検出
    装置。
  6. 【請求項6】請求項5記載の圧力検出装置において、 上記外装ケースのリード材のセンサユニットの出力端子
    との溶接電極配置領域と、電子部品配設領域とが混在せ
    ず分離されたことを特徴とする圧力検出装置。
  7. 【請求項7】請求項1または請求項3のいずれかに記載
    の圧力検出装置において、 上記リード材が少なくとも3本から構成され、 上記電子部品が上記リード材を跨ぐように配設される場
    合、跨れる部分のリード材をクランク形状に曲げて外装
    ケース樹脂内に埋没させるか、または跨れる部分のリー
    ド材を細くし、リード材の電子部品配設部を部分的に幅
    広形状にしたことを特徴とする圧力検出装置。
  8. 【請求項8】請求項1または請求項3のいずれかに記載
    の圧力検出装置において、 上記外装ケースと一体成形されるリード材のコネクタ端
    子部と反対端近傍を略直角に曲げ、開口部内のコネクタ
    端子同軸部とその直角方向部の2面を外装ケースの開口
    部内に露出させたことを特徴とする圧力検出装置。
  9. 【請求項9】請求項1または請求項3のいずれかに記載
    の圧力検出装置において、 上記センサユニットの開口部端面と出力端子配設面が異
    なり、 上記外装ケースのセンサユニット開口部端面との接触面
    と上記出力端子と電気的に接合されるリード材配設面の
    間の少なくとも一部に傾斜面を設けたことを特徴とする
    圧力検出装置。
  10. 【請求項10】請求項1または請求項3のいずれかに記
    載の圧力検出装置において、 上記センサユニットまたは上記外装ケースの一部との勘
    合部を有し、 上記外装ケース開口部の全部または一部を塞ぐように配
    設されたカバーを備え、 上記カバーと上記センサユニットと上記外装ケースが注
    入樹脂で一体に固着されたことを特徴とする圧力検出装
    置。
JP2001351539A 2001-11-16 2001-11-16 圧力検出装置 Expired - Lifetime JP3752444B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001351539A JP3752444B2 (ja) 2001-11-16 2001-11-16 圧力検出装置
KR1020020014775A KR100694902B1 (ko) 2001-11-16 2002-03-19 압력검출장치
US10/101,526 US6601453B2 (en) 2001-11-16 2002-03-20 Pressure detecting apparatus
EP02006550A EP1312907A1 (en) 2001-11-16 2002-03-20 Pressure detecting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001351539A JP3752444B2 (ja) 2001-11-16 2001-11-16 圧力検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003149068A true JP2003149068A (ja) 2003-05-21
JP3752444B2 JP3752444B2 (ja) 2006-03-08

Family

ID=19163840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001351539A Expired - Lifetime JP3752444B2 (ja) 2001-11-16 2001-11-16 圧力検出装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6601453B2 (ja)
EP (1) EP1312907A1 (ja)
JP (1) JP3752444B2 (ja)
KR (1) KR100694902B1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004354294A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Hitachi Ltd 圧力センサ
JP2006078417A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Toyoda Mach Works Ltd 圧力センサ
JP2008032506A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2008151792A (ja) * 2007-12-17 2008-07-03 Hitachi Ltd 圧力検出装置
JP2011510276A (ja) * 2008-01-18 2011-03-31 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 圧力センサモジュール
JP2013534320A (ja) * 2010-08-20 2013-09-02 ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 圧力センサチップを収容してセンサハウジングに組み付けるためのセンサモジュール
JP2015068726A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社デンソー 圧力センサ
JP2017083362A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ
US10732062B2 (en) 2015-09-30 2020-08-04 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Semiconductor sensor device and method for manufacturing same

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Hitachi Ltd 電子装置および圧力検出装置
JP2005257442A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Denso Corp 圧力センサ
US7073375B2 (en) 2004-07-02 2006-07-11 Honeywell International Inc. Exhaust back pressure sensor using absolute micromachined pressure sense die
JP4249193B2 (ja) * 2006-02-20 2009-04-02 三菱電機株式会社 半導体圧力センサ装置
JP4180613B2 (ja) 2006-04-20 2008-11-12 三菱電機株式会社 センサ装置
JP5078064B2 (ja) * 2007-01-29 2012-11-21 学校法人東京電機大学 触覚センサ、劣化検出方法、および表面再生方法
DE102007051870A1 (de) * 2007-10-30 2009-05-07 Robert Bosch Gmbh Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses
US8975900B2 (en) * 2010-04-08 2015-03-10 Disney Enterprises, Inc. System and method for sensing human activity by monitoring impedance
US9341659B2 (en) * 2010-04-08 2016-05-17 Disney Enterprises, Inc. User interactive living organisms
JP2012052809A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Hitachi Automotive Systems Ltd センサの構造
JP5212488B2 (ja) * 2011-01-13 2013-06-19 株式会社デンソー センサモジュール
DE102013001159A1 (de) * 2013-01-24 2014-07-24 Hella Kgaa Hueck & Co. Flüssigkeitsdrucksensor
JP5953253B2 (ja) * 2013-03-14 2016-07-20 矢崎総業株式会社 センサ及びセンサの製造方法
KR102046526B1 (ko) * 2013-04-23 2019-11-19 한국단자공업 주식회사 압력센서
JP6315025B2 (ja) * 2016-04-26 2018-04-25 株式会社デンソー 物理量センサおよびその製造方法
JP6809285B2 (ja) * 2017-02-23 2021-01-06 富士電機株式会社 物理量センサ装置の製造方法および物理量センサ装置
JP2018166083A (ja) * 2017-03-28 2018-10-25 アイシン精機株式会社 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法
CN209326840U (zh) 2018-12-27 2019-08-30 热敏碟公司 压力传感器及压力变送器
CN112304475A (zh) * 2020-10-20 2021-02-02 苏丽霞 一种用于压力检测的可控型触针式压力传感器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5386730A (en) * 1992-06-25 1995-02-07 Nippondenso Co., Ltd. Pressure sensor having a sealed water-resistant construction
JP3627766B2 (ja) * 1995-07-28 2005-03-09 株式会社デンソー 圧力センサ
JP3410257B2 (ja) * 1995-07-31 2003-05-26 株式会社デンソー 圧力センサ
JPH10148590A (ja) * 1996-11-19 1998-06-02 Mitsubishi Electric Corp 圧力検出装置
JP3620185B2 (ja) * 1996-12-10 2005-02-16 株式会社デンソー 半導体センサ装置
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JP3620184B2 (ja) * 1996-12-09 2005-02-16 株式会社デンソー 圧力センサ
EP0877240A3 (en) * 1997-05-09 1999-06-16 Fujikoki Corporation Semiconductive pressure sensor

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004354294A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Hitachi Ltd 圧力センサ
JP2006078417A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Toyoda Mach Works Ltd 圧力センサ
JP2008032506A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2008151792A (ja) * 2007-12-17 2008-07-03 Hitachi Ltd 圧力検出装置
JP2011510276A (ja) * 2008-01-18 2011-03-31 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 圧力センサモジュール
US8272272B2 (en) 2008-01-18 2012-09-25 Robert Bosch Gmbh Pressure measurement module
JP2013061348A (ja) * 2008-01-18 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh 圧力測定モジュール
JP2013534320A (ja) * 2010-08-20 2013-09-02 ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 圧力センサチップを収容してセンサハウジングに組み付けるためのセンサモジュール
US9006847B2 (en) 2010-08-20 2015-04-14 Robert Bosch Gmbh Sensor module for accommodating a pressure sensor chip and for installation into a sensor housing
JP2015068726A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社デンソー 圧力センサ
US10732062B2 (en) 2015-09-30 2020-08-04 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Semiconductor sensor device and method for manufacturing same
JP2017083362A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP1312907A1 (en) 2003-05-21
KR100694902B1 (ko) 2007-03-13
KR20030039985A (ko) 2003-05-22
US6601453B2 (en) 2003-08-05
US20030094050A1 (en) 2003-05-22
JP3752444B2 (ja) 2006-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3752444B2 (ja) 圧力検出装置
JP4548066B2 (ja) 圧力センサ
JP4550364B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP2019016689A (ja) 電子制御装置及び同製造方法
JP3198773B2 (ja) 半導体圧力検出器及びその製造方法
US20150001646A1 (en) Pre-mold for a microphone assembly and method of producing the same
US11402274B2 (en) Temperature sensor device
AU2153802A (en) Pressure sensor module
US10651609B2 (en) Method of manufacturing physical quantity sensor device and physical quantity sensor device
JP3374620B2 (ja) 半導体圧力センサ
US7260992B2 (en) Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same
JP4127396B2 (ja) センサ装置
JPH06224314A (ja) 半導体装置
JPH0685126A (ja) 半導体装置
JP4045988B2 (ja) 圧力センサ
JP2004354294A (ja) 圧力センサ
JP4049129B2 (ja) 圧力センサ装置
JP3014873B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3617441B2 (ja) センサ装置
JPH10170379A (ja) 圧力センサ
WO2019021766A1 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2019184470A (ja) 圧力センサ
JP2001085096A (ja) コネクタ端子の形状
JPH0346358A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH04299609A (ja) 電子部品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3752444

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081216

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121216

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131216

Year of fee payment: 8

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term