JP2003149068A - 圧力検出装置 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】仕様の変更時も容易に対応可能な圧力検出装置
を提供することにある。 【解決手段】外装ケース２３の開口部２８のリード材露
出部２４に圧力を検出するセンサユニット１１と、電気
的外乱を低減する電子部品３５、３６を電気的に接合
し、熱硬化性樹脂３８を上記開口部に注入硬化すること
で、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる。
１チップ半導体センサ単体の耐過渡電圧性や耐電磁障害
性を補う外付電子部品実装が可能であり、且つ、小型化
・軽量化・組み立て工数低減による低コスト化を図るこ
とができる。
を提供することにある。 【解決手段】外装ケース２３の開口部２８のリード材露
出部２４に圧力を検出するセンサユニット１１と、電気
的外乱を低減する電子部品３５、３６を電気的に接合
し、熱硬化性樹脂３８を上記開口部に注入硬化すること
で、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる。
１チップ半導体センサ単体の耐過渡電圧性や耐電磁障害
性を補う外付電子部品実装が可能であり、且つ、小型化
・軽量化・組み立て工数低減による低コスト化を図るこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力検出装置に係
り、特に、電気的外乱を低減する電子部品を実装する圧
力検出装置に関する。
り、特に、電気的外乱を低減する電子部品を実装する圧
力検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧力検出装置は、例えば、特開平
１０−１７０３８０号公報に記載のように、物理量を電
気信号に変換する半導体センサチップと、上記センサ出
力信号に演算処理をして検出信号を得る半導体回路チッ
プで構成された２チップ構成のセンサ装置である。この
２チップ構成では、リードフレームに上記半導体回路チ
ップを配設したのち樹脂で封止すると共に一部に凹部キ
ャビテイを有したパッケージを構成し、凹部キャビテイ
に上記半導体センサチップを配設し電気的に接合したセ
ンサユニットを、凹型開口部を備え一部がコネクタ端子
となり、一部が凹型開口部に露出したリード材と一体成
形した外装ケースの、上記凹部開口部に配設し、リード
材とリードフレームを電気的に接合したのち、カバーで
塞ぐ構造となっていた。
１０−１７０３８０号公報に記載のように、物理量を電
気信号に変換する半導体センサチップと、上記センサ出
力信号に演算処理をして検出信号を得る半導体回路チッ
プで構成された２チップ構成のセンサ装置である。この
２チップ構成では、リードフレームに上記半導体回路チ
ップを配設したのち樹脂で封止すると共に一部に凹部キ
ャビテイを有したパッケージを構成し、凹部キャビテイ
に上記半導体センサチップを配設し電気的に接合したセ
ンサユニットを、凹型開口部を備え一部がコネクタ端子
となり、一部が凹型開口部に露出したリード材と一体成
形した外装ケースの、上記凹部開口部に配設し、リード
材とリードフレームを電気的に接合したのち、カバーで
塞ぐ構造となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
２チップ構成のセンサ装置において、耐過渡電圧性や耐
電磁気性のユーザ要求仕様がより厳しくスペックアップ
された場合に、従来の半導体チップでは仕様を満足でき
ない場合が生じることがある。このとき、カスタマイズ
されたチップを再設計して対応することが必要となり、
多大な開発工数と費用が発生することになるという問題
点があった。
２チップ構成のセンサ装置において、耐過渡電圧性や耐
電磁気性のユーザ要求仕様がより厳しくスペックアップ
された場合に、従来の半導体チップでは仕様を満足でき
ない場合が生じることがある。このとき、カスタマイズ
されたチップを再設計して対応することが必要となり、
多大な開発工数と費用が発生することになるという問題
点があった。
【０００４】本発明の目的は、仕様の変更時も容易に対
応可能な圧力検出装置を提供することにある。
応可能な圧力検出装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成す
るために、本発明は、一部が外部との電気的接続用コネ
クタ端子となっているリード材と、このリード材と一体
成形され、一部に開口部が設けられた外装ケースと、圧
力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理回
路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に開
口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品とを備
え、上記リード材の一部が、上記外装ケースの開口部内
に露出しており、上記センサユニットと上記電子部品が
上記外装ケースの開口部内に配設され、上記リード材と
上記電子部品と上記センサユニットの端子とが、上記外
装ケースの開口部内で電気的に接続されるようにしたも
のである。かかる構成により、仕様の変更時も容易に対
応可能なものとなる。
るために、本発明は、一部が外部との電気的接続用コネ
クタ端子となっているリード材と、このリード材と一体
成形され、一部に開口部が設けられた外装ケースと、圧
力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理回
路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に開
口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品とを備
え、上記リード材の一部が、上記外装ケースの開口部内
に露出しており、上記センサユニットと上記電子部品が
上記外装ケースの開口部内に配設され、上記リード材と
上記電子部品と上記センサユニットの端子とが、上記外
装ケースの開口部内で電気的に接続されるようにしたも
のである。かかる構成により、仕様の変更時も容易に対
応可能なものとなる。
【０００６】（２）上記（１）において、好ましくは、
上記外装ケースには、上記外装ケースの開口部と連通す
る圧力導入孔が設けられ、上記センサユニットの開口部
と上記外装ケースの開口部には、各々勘合部が設けら
れ、上記センサユニットの半導体センサと上記外装ケー
スの大気導入孔が連通するように、上記センサユニット
と上記外装ケースが勘合され、上記外装ケースの開口部
内に配設された上記センサユニットと上記電子部品と上
記リード材露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入
された樹脂で全部または一部が覆われ、注入樹脂で一体
に固着されると共に、センサユニットと外装ケースの勘
合部が気密封止されるようにしたものである。
上記外装ケースには、上記外装ケースの開口部と連通す
る圧力導入孔が設けられ、上記センサユニットの開口部
と上記外装ケースの開口部には、各々勘合部が設けら
れ、上記センサユニットの半導体センサと上記外装ケー
スの大気導入孔が連通するように、上記センサユニット
と上記外装ケースが勘合され、上記外装ケースの開口部
内に配設された上記センサユニットと上記電子部品と上
記リード材露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入
された樹脂で全部または一部が覆われ、注入樹脂で一体
に固着されると共に、センサユニットと外装ケースの勘
合部が気密封止されるようにしたものである。
【０００７】（３）上記目的を達成するために、本発明
は、一部が外部との電気的接続用コネクタ端子となって
いるリード材と、上記リード材と一体形成され、一部に
開口部とこの開口部に連通する圧力導入孔が設けられた
外装ケースと、圧力を電気信号に変換する半導体センサ
とその信号処理回路とその処理された信号を出力する出
力端子と一部に開口部が設けられたチップケースを主構
成部品とするセンサユニットとを備え、上記リード材の
一部が上記外装ケースの開口部内に露出しており、上記
センサユニットの開口部が、上記外装ケースの開口部内
に上記圧力導入孔に連通するように配設され、上記リー
ド材と上記センサユニット出力端子とが、上記外装ケー
スの開口部内で電気的に接続され、上記外装ケースの開
口部内に配設された上記センサユニットと上記リード材
露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入された樹脂
で全部または一部が覆われ、この注入樹脂で上記センサ
ユニットと上記外装ケースが一体に固着されるようにし
たものである。かかる構成により、仕様の変更時も容易
に対応可能なものとなる。
は、一部が外部との電気的接続用コネクタ端子となって
いるリード材と、上記リード材と一体形成され、一部に
開口部とこの開口部に連通する圧力導入孔が設けられた
外装ケースと、圧力を電気信号に変換する半導体センサ
とその信号処理回路とその処理された信号を出力する出
力端子と一部に開口部が設けられたチップケースを主構
成部品とするセンサユニットとを備え、上記リード材の
一部が上記外装ケースの開口部内に露出しており、上記
センサユニットの開口部が、上記外装ケースの開口部内
に上記圧力導入孔に連通するように配設され、上記リー
ド材と上記センサユニット出力端子とが、上記外装ケー
スの開口部内で電気的に接続され、上記外装ケースの開
口部内に配設された上記センサユニットと上記リード材
露出部が、上記外装ケースの開口部内に注入された樹脂
で全部または一部が覆われ、この注入樹脂で上記センサ
ユニットと上記外装ケースが一体に固着されるようにし
たものである。かかる構成により、仕様の変更時も容易
に対応可能なものとなる。
【０００８】（４）上記（１）または（３）において、
好ましくは、上記センサユニットの半導体センサは、基
準圧力室を有した絶対圧センサであり、上記センサユニ
ットの圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信
号処理回路が１チップで構成され、上記電子部品がコン
デンサや抵抗等のチップ部品で構成され、上記外装ケー
スが熱可塑性樹脂で構成され、上記外装ケースの開口部
に注入される樹脂が、熱硬化性樹脂で構成され、上記熱
可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂の線膨張係数が２０〜４
０ｐｐｍ／℃の範囲内にあるようにしたものである。
好ましくは、上記センサユニットの半導体センサは、基
準圧力室を有した絶対圧センサであり、上記センサユニ
ットの圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信
号処理回路が１チップで構成され、上記電子部品がコン
デンサや抵抗等のチップ部品で構成され、上記外装ケー
スが熱可塑性樹脂で構成され、上記外装ケースの開口部
に注入される樹脂が、熱硬化性樹脂で構成され、上記熱
可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂の線膨張係数が２０〜４
０ｐｐｍ／℃の範囲内にあるようにしたものである。
【０００９】（５）上記（１）または（３）において、
好ましくは、上記センサユニットの出力端子と上記外装
ケースのリード材が溶接により電気的に接続され、上記
リード材の電子部品配設部に窪みが設けられ、上記外装
ケースに相異なるリード材の窪みを隔絶する間仕切り又
は溝が設けられ、上記リード材窪み部に配設された電子
部品の電極部が接合部材で電気的に接続されるようにし
たものである。
好ましくは、上記センサユニットの出力端子と上記外装
ケースのリード材が溶接により電気的に接続され、上記
リード材の電子部品配設部に窪みが設けられ、上記外装
ケースに相異なるリード材の窪みを隔絶する間仕切り又
は溝が設けられ、上記リード材窪み部に配設された電子
部品の電極部が接合部材で電気的に接続されるようにし
たものである。
【００１０】（６）上記（５）において、好ましくは、
上記外装ケースのリード材のセンサユニットの出力端子
との溶接電極配置領域と、電子部品配設領域とが混在せ
ず分離されるようにしたものである。
上記外装ケースのリード材のセンサユニットの出力端子
との溶接電極配置領域と、電子部品配設領域とが混在せ
ず分離されるようにしたものである。
【００１１】（７）上記（１）または（３）において、
好ましくは、上記リード材が少なくとも３本から構成さ
れ、上記電子部品が上記リード材を跨ぐように配設され
る場合、跨れる部分のリード材をクランク形状に曲げて
外装ケース樹脂内に埋没させるか、または跨れる部分の
リード材を細くし、リード材の電子部品配設部を部分的
に幅広形状にしたものである。
好ましくは、上記リード材が少なくとも３本から構成さ
れ、上記電子部品が上記リード材を跨ぐように配設され
る場合、跨れる部分のリード材をクランク形状に曲げて
外装ケース樹脂内に埋没させるか、または跨れる部分の
リード材を細くし、リード材の電子部品配設部を部分的
に幅広形状にしたものである。
【００１２】（８）上記（１）または（３）において、
好ましくは、上記外装ケースと一体成形されるリード材
のコネクタ端子部と反対端近傍を略直角に曲げ、開口部
内のコネクタ端子同軸部とその直角方向部の２面を外装
ケースの開口部内に露出させるようにしたものである。
好ましくは、上記外装ケースと一体成形されるリード材
のコネクタ端子部と反対端近傍を略直角に曲げ、開口部
内のコネクタ端子同軸部とその直角方向部の２面を外装
ケースの開口部内に露出させるようにしたものである。
【００１３】（９）上記（１）または（３）において、
好ましくは、上記センサユニットの開口部端面と出力端
子配設面が異なり、上記外装ケースのセンサユニット開
口部端面との接触面と上記出力端子と電気的に接合され
るリード材配設面の間の少なくとも一部に傾斜面を設け
るようにしたものである。
好ましくは、上記センサユニットの開口部端面と出力端
子配設面が異なり、上記外装ケースのセンサユニット開
口部端面との接触面と上記出力端子と電気的に接合され
るリード材配設面の間の少なくとも一部に傾斜面を設け
るようにしたものである。
【００１４】（１０）上記（１）または（３）におい
て、好ましくは、上記センサユニットまたは上記外装ケ
ースの一部との勘合部を有し、上記外装ケース開口部の
全部または一部を塞ぐように配設されたカバーを備え、
上記カバーと上記センサユニットと上記外装ケースが注
入樹脂で一体に固着されるようにしたものである。
て、好ましくは、上記センサユニットまたは上記外装ケ
ースの一部との勘合部を有し、上記外装ケース開口部の
全部または一部を塞ぐように配設されたカバーを備え、
上記カバーと上記センサユニットと上記外装ケースが注
入樹脂で一体に固着されるようにしたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図２を用いて、本発
明の第１の実施形態による圧力検出装置の構成について
説明する。図１は、本発明の第１の実施形態による圧力
検出装置の断面図である。図２は、本発明の第１の実施
形態による圧力検出装置の正面図である。
明の第１の実施形態による圧力検出装置の構成について
説明する。図１は、本発明の第１の実施形態による圧力
検出装置の断面図である。図２は、本発明の第１の実施
形態による圧力検出装置の正面図である。
【００１６】半導体センサチップ１は、シリコンから成
る。半導体センサチップ１は、中央部下面をエッチング
等により凹型加工を施し、中央部に薄肉ダイヤフラム２
が形成されている。半導体センサチップ１のダイヤフラ
ム２の上面には、図示しない圧力検出回路が半導体プロ
セスにより一体的に形成されている。圧力検出回路は、
ダイヤフラム２の上面に形成された４個の拡散抵抗から
成り、アルミ導体でブリッジに配線して構成される。
る。半導体センサチップ１は、中央部下面をエッチング
等により凹型加工を施し、中央部に薄肉ダイヤフラム２
が形成されている。半導体センサチップ１のダイヤフラ
ム２の上面には、図示しない圧力検出回路が半導体プロ
セスにより一体的に形成されている。圧力検出回路は、
ダイヤフラム２の上面に形成された４個の拡散抵抗から
成り、アルミ導体でブリッジに配線して構成される。
【００１７】また半導体チップ１の上面でダイヤフラム
以外の周辺部には、図示しない特性補償回路及び保護回
路が同じく半導体プロセスにより一体的に構成されてい
る。特性補償回路は、圧力と出力の関係を所定の伝達関
数に調整するデジ・アナ混成回路で構成されている。デ
ジ・アナ混成回路は、特性調整信号を記憶・保持するＥ
ＰＲＯＭを有したデジタル部と、信号増幅をするアナロ
グ部を主要部として構成されている。特性調整信号と
は、ゼロ−スパン調整、感度調整、温度特性調整のとき
に得られる各特性を調整するためのものである。保護回
路は、外部と接続される入出力段に設けられた入出力信
号に対する過渡的な電磁気ノイズ等から内部回路を保護
するための回路である。圧力検出回路、特性調整回路及
び保護回路は、それぞれ、アルミ導線等で電気的に接続
されている。
以外の周辺部には、図示しない特性補償回路及び保護回
路が同じく半導体プロセスにより一体的に構成されてい
る。特性補償回路は、圧力と出力の関係を所定の伝達関
数に調整するデジ・アナ混成回路で構成されている。デ
ジ・アナ混成回路は、特性調整信号を記憶・保持するＥ
ＰＲＯＭを有したデジタル部と、信号増幅をするアナロ
グ部を主要部として構成されている。特性調整信号と
は、ゼロ−スパン調整、感度調整、温度特性調整のとき
に得られる各特性を調整するためのものである。保護回
路は、外部と接続される入出力段に設けられた入出力信
号に対する過渡的な電磁気ノイズ等から内部回路を保護
するための回路である。圧力検出回路、特性調整回路及
び保護回路は、それぞれ、アルミ導線等で電気的に接続
されている。
【００１８】半導体センサチップ１は、ガラス台３とア
ノーディックボンディング等で接合されている。半導体
センサチップ１とガラス台３により、チップクミを構成
する。半導体センサチップ１のダイヤフラム２の下面と
ガラス台３の上面に挟まれた部分には、略真空の基準圧
力室４が設けられている。ガラス台３の線膨張係数は、
半導体チップ１の線膨張係数と略等しく構成されてい
る。
ノーディックボンディング等で接合されている。半導体
センサチップ１とガラス台３により、チップクミを構成
する。半導体センサチップ１のダイヤフラム２の下面と
ガラス台３の上面に挟まれた部分には、略真空の基準圧
力室４が設けられている。ガラス台３の線膨張係数は、
半導体チップ１の線膨張係数と略等しく構成されてい
る。
【００１９】チップケース５は、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂またはＰＰＳ等の熱可塑性樹脂から成り、端子
６は、リン青銅から構成される。端子６は、ニッケルで
プリメッキされたフープ材をプレス成形することで得ら
れ、エポキシ樹脂を用いたインサートモールドにより、
端子付チップケース５が構成される。チップケース成形
後、端子は矩形状に繋がっているが、調整端子５本と入
出力端子３本が各々独立するように切断される。チップ
ケース５の開口部側底面には、凹型チップクミ収納部７
が設けられている。端子６は、一部をチップクミの配設
部周辺に露出し、一部をチップケース５の外側に引き出
されるように配置されている。
化性樹脂またはＰＰＳ等の熱可塑性樹脂から成り、端子
６は、リン青銅から構成される。端子６は、ニッケルで
プリメッキされたフープ材をプレス成形することで得ら
れ、エポキシ樹脂を用いたインサートモールドにより、
端子付チップケース５が構成される。チップケース成形
後、端子は矩形状に繋がっているが、調整端子５本と入
出力端子３本が各々独立するように切断される。チップ
ケース５の開口部側底面には、凹型チップクミ収納部７
が設けられている。端子６は、一部をチップクミの配設
部周辺に露出し、一部をチップケース５の外側に引き出
されるように配置されている。
【００２０】半導体センサチップ１とガラス台３から成
るチップクミは、チップケース５の凹部７にシリコーン
系の接着剤８により、接着・固定されている。半導体セ
ンサチップ１の電極は、金やアルミ等で構成されるワイ
ヤ９を用いて、端子６とワイボンデイングされている。
るチップクミは、チップケース５の凹部７にシリコーン
系の接着剤８により、接着・固定されている。半導体セ
ンサチップ１の電極は、金やアルミ等で構成されるワイ
ヤ９を用いて、端子６とワイボンデイングされている。
【００２１】チップケース５に配設された半導体センサ
チップ１とガラス台３からなるチップクミ、アルミワイ
ヤ９、及びリード端子６の露出部は、フロロシリコーン
系またはフッ素系のシリコーンゲル１０で被覆されてい
る。シリコーンゲル１０は、半導体チップ１に圧力を伝
達するとともに腐食性の液体や気体が接触することを防
止している。以上のようにしてセンサユニット１１が構
成される。
チップ１とガラス台３からなるチップクミ、アルミワイ
ヤ９、及びリード端子６の露出部は、フロロシリコーン
系またはフッ素系のシリコーンゲル１０で被覆されてい
る。シリコーンゲル１０は、半導体チップ１に圧力を伝
達するとともに腐食性の液体や気体が接触することを防
止している。以上のようにしてセンサユニット１１が構
成される。
【００２２】センサユニット１１は、調整端子及び入出
力端子１２にプローブを接触させて外部圧力調整装置と
の電気的やり取りを行うことで、半導体センサチップ内
部回路の特性調整を行なった後、調整端子及び入出力端
子１２のケース外側に配した端子は所定の長さに切断さ
れる。
力端子１２にプローブを接触させて外部圧力調整装置と
の電気的やり取りを行うことで、半導体センサチップ内
部回路の特性調整を行なった後、調整端子及び入出力端
子１２のケース外側に配した端子は所定の長さに切断さ
れる。
【００２３】リード材１３は、黄銅で構成される。リー
ド材１３は、錫をプリメッキしたフープ材をプレス加工
することで形成される。リード材１３の紙面に対して右
側は、コネクタ端子部１４の形状、左側はコネクタ端子
部１４に対して略直角の曲げ端子部１５の形状にプレス
加工される。また、リード材１３には、センサユニット
１１の入出力端子１２が溶接される位置に、溶接用突起
１６が設けられている。リード材１３は、図２の紙面上
側よりグランド端子１７、出力端子１８、電源端子１９
として構成される。グランド端子１７と出力端子１８の
中央付近には、チップコンデンサを配設するための略長
方形の窪み部２０が施されている。リード材の窪み部深
さは、リード材１３の厚さの１／３〜１／２程度が好ま
しく、窪み底面の略長方形の大きさは、チップコンデン
サ電極配設形状と略等しい程度が好ましいものである。
同様に、グランド端子１７と電源端子１９にも、チップ
コンデンサを配設するための略長方形の窪み部を設けな
ければならないが、両端子の間には出力端子１８が介在
するため、グランド端子１７と電源端子１９のチップコ
ンデンサ配設部近傍に幅広端子部２１を設けて、その先
端部近傍に窪み部２２を設けた構造となっている。
ド材１３は、錫をプリメッキしたフープ材をプレス加工
することで形成される。リード材１３の紙面に対して右
側は、コネクタ端子部１４の形状、左側はコネクタ端子
部１４に対して略直角の曲げ端子部１５の形状にプレス
加工される。また、リード材１３には、センサユニット
１１の入出力端子１２が溶接される位置に、溶接用突起
１６が設けられている。リード材１３は、図２の紙面上
側よりグランド端子１７、出力端子１８、電源端子１９
として構成される。グランド端子１７と出力端子１８の
中央付近には、チップコンデンサを配設するための略長
方形の窪み部２０が施されている。リード材の窪み部深
さは、リード材１３の厚さの１／３〜１／２程度が好ま
しく、窪み底面の略長方形の大きさは、チップコンデン
サ電極配設形状と略等しい程度が好ましいものである。
同様に、グランド端子１７と電源端子１９にも、チップ
コンデンサを配設するための略長方形の窪み部を設けな
ければならないが、両端子の間には出力端子１８が介在
するため、グランド端子１７と電源端子１９のチップコ
ンデンサ配設部近傍に幅広端子部２１を設けて、その先
端部近傍に窪み部２２を設けた構造となっている。
【００２４】外装ケース２３は、リード材１３をインサ
ートモールドすることで得られる。外装ケース２３のリ
ード材１３は、インサートモールド時に、開口部内の露
出部２４とその直角方向の露出部２５の２面で金型に固
定される。よって、射出成形時のリード材固定用ピンが
不要となるため、金型費用低減が図れる。更に、リード
材裏面から外装ケース外部に連通する押えピン跡がなく
なるので、気密性の高い外装ケースを得ることができ
る。
ートモールドすることで得られる。外装ケース２３のリ
ード材１３は、インサートモールド時に、開口部内の露
出部２４とその直角方向の露出部２５の２面で金型に固
定される。よって、射出成形時のリード材固定用ピンが
不要となるため、金型費用低減が図れる。更に、リード
材裏面から外装ケース外部に連通する押えピン跡がなく
なるので、気密性の高い外装ケースを得ることができ
る。
【００２５】外装ケース２３は、熱可塑性のＰＰＳ樹脂
から成る。外装ケース２３は、所定の金型でモールド射
出成形することで、コネクタカップラ部２６、フランジ
部２７、開口部２８、開口部と連通する圧力導入孔２９
を有した圧力導入管３０、開口部内に設けられた凸型勘
合部３１が設けられる。また、センサユニット１１の開
口部内配設面３２とコネクタカップラ側のリード材露出
面２４を繋ぐ傾斜面３３が設けられており、リード材露
出部２４の相異なるリード材間の樹脂部にも同様に傾斜
面が設けられている。
から成る。外装ケース２３は、所定の金型でモールド射
出成形することで、コネクタカップラ部２６、フランジ
部２７、開口部２８、開口部と連通する圧力導入孔２９
を有した圧力導入管３０、開口部内に設けられた凸型勘
合部３１が設けられる。また、センサユニット１１の開
口部内配設面３２とコネクタカップラ側のリード材露出
面２４を繋ぐ傾斜面３３が設けられており、リード材露
出部２４の相異なるリード材間の樹脂部にも同様に傾斜
面が設けられている。
【００２６】外装ケース２３の凸型勘合部２９に、セン
サユニット１１の開口部が勘合するように配設すると、
センサユニット１１の入出力端子１２が、リード材露出
部３０に設けられた溶接用突起１６に重なる。センサユ
ニット１１の上面を押えながら、リード材の溶接用突起
１６とセンサユニットの入出力端子１２を、プロジェク
ション溶接を用いて電気的に接合する。外装ケースリー
ド材とセンサユニット端子の溶接は、溶接用突起１６に
配設された電極と、溶接電極位置３４に配設された電極
間に電流を加えて行われる。リード材１３のチップコン
デンサ３６，３７の搭載部は、リード材１３と端子の溶
接電流経路と別領域となっているため、チップコンデン
サ搭載部のリード材の錫メッキ溶融やリード材近傍の樹
脂溶融等の不具合が発生せず、リードとその周辺樹脂が
所定の形状でチップコンデンサを搭載することができる
ので、高い接続信頼性と製造歩留りが得られる。
サユニット１１の開口部が勘合するように配設すると、
センサユニット１１の入出力端子１２が、リード材露出
部３０に設けられた溶接用突起１６に重なる。センサユ
ニット１１の上面を押えながら、リード材の溶接用突起
１６とセンサユニットの入出力端子１２を、プロジェク
ション溶接を用いて電気的に接合する。外装ケースリー
ド材とセンサユニット端子の溶接は、溶接用突起１６に
配設された電極と、溶接電極位置３４に配設された電極
間に電流を加えて行われる。リード材１３のチップコン
デンサ３６，３７の搭載部は、リード材１３と端子の溶
接電流経路と別領域となっているため、チップコンデン
サ搭載部のリード材の錫メッキ溶融やリード材近傍の樹
脂溶融等の不具合が発生せず、リードとその周辺樹脂が
所定の形状でチップコンデンサを搭載することができる
ので、高い接続信頼性と製造歩留りが得られる。
【００２７】外装ケース２３のリード材露出部２４に設
けられた窪み部２０，２２には、両端に電極を備えたチ
ップコンデンサ３６，３７が配設される。リードの窪み
部２０，２２とチップコンデンサ配設部は略長方形で等
しく、更にリード材厚さの１／３〜１／２の深さがある
ので、チップコンデンサ３６，３７は所定の位置にきち
んとセットされ、ずれることがないものである。
けられた窪み部２０，２２には、両端に電極を備えたチ
ップコンデンサ３６，３７が配設される。リードの窪み
部２０，２２とチップコンデンサ配設部は略長方形で等
しく、更にリード材厚さの１／３〜１／２の深さがある
ので、チップコンデンサ３６，３７は所定の位置にきち
んとセットされ、ずれることがないものである。
【００２８】チップコンデンサ配設後、外装ケース２３
を所定の温度に予備加熱し、チップコンデンサ３６，３
７の上部を押えながら、チップコンデンサ３６，３７の
斜め脇から糸はんだ等の導電性接合部材３７が供給され
る。チップコンデンサ３６，３７の電極とリード材１３
の近傍に所定量の糸はんだが供給されたところで、レー
ザ光を照射してはんだを溶融させ、両部材を電気的に接
合する。このはんだの溶融温度は、外装ケース２３を構
成するＰＰＳ樹脂の熱変形温度２７５℃より低い材料、
例えば、錫銀銅はんだ（２２０℃）等が使用されるた
め、外装ケース１３にダメージが加わることはない。
を所定の温度に予備加熱し、チップコンデンサ３６，３
７の上部を押えながら、チップコンデンサ３６，３７の
斜め脇から糸はんだ等の導電性接合部材３７が供給され
る。チップコンデンサ３６，３７の電極とリード材１３
の近傍に所定量の糸はんだが供給されたところで、レー
ザ光を照射してはんだを溶融させ、両部材を電気的に接
合する。このはんだの溶融温度は、外装ケース２３を構
成するＰＰＳ樹脂の熱変形温度２７５℃より低い材料、
例えば、錫銀銅はんだ（２２０℃）等が使用されるた
め、外装ケース１３にダメージが加わることはない。
【００２９】センサユニット開口部配設面３２とリード
材露出部３０の配設面を繋ぐ傾斜面３３は、リード材間
にも設けられているので、リード材間の樹脂も溝状に取
り除かれている。従って、リード材とチップコンデンサ
電極間で溶融した電気的接合部材３７が、チップコンデ
ンサの電極間ショートをすることはないものである。ま
た、チップコンデンサ配設部の中間に別のリード材が存
在する場合、中間のリード材のチップコンデンサに跨れ
る部分を細くし、その両側のリード材を逆に幅広端子形
状２１とし、両幅広部先端近傍にチップコンデンサを搭
載する窪み部２２を設ける構造とする。更に、相異なる
端子間の樹脂は、前述と同様に溝状に取り除かれている
ため、リード材窪み部に塗布された導電性接合部材３７
が、チップコンデンサの電極間ショート及びリード材と
ショートすることはないものである。また、この場合
に、中間のリード材を細くする代わりに、その部分をク
ランク状に曲げて外装ケース内に埋め込んでも同様の効
果が得られる。
材露出部３０の配設面を繋ぐ傾斜面３３は、リード材間
にも設けられているので、リード材間の樹脂も溝状に取
り除かれている。従って、リード材とチップコンデンサ
電極間で溶融した電気的接合部材３７が、チップコンデ
ンサの電極間ショートをすることはないものである。ま
た、チップコンデンサ配設部の中間に別のリード材が存
在する場合、中間のリード材のチップコンデンサに跨れ
る部分を細くし、その両側のリード材を逆に幅広端子形
状２１とし、両幅広部先端近傍にチップコンデンサを搭
載する窪み部２２を設ける構造とする。更に、相異なる
端子間の樹脂は、前述と同様に溝状に取り除かれている
ため、リード材窪み部に塗布された導電性接合部材３７
が、チップコンデンサの電極間ショート及びリード材と
ショートすることはないものである。また、この場合
に、中間のリード材を細くする代わりに、その部分をク
ランク状に曲げて外装ケース内に埋め込んでも同様の効
果が得られる。
【００３０】センサユニット１１とチップコンデンサ３
６，３７を、外装ケース２３のリード材１３の所定の位
置に電気的に接続した後、センサユニット１１の上面を
押さえつけながら、エポキシ樹脂３７が外装ケース２３
の開口部２８のリード材露出部２４近傍から注入し、所
定の温度を加えて樹脂を硬化させると共にセンサユニッ
トと外装ケースがしっかりと固着される。
６，３７を、外装ケース２３のリード材１３の所定の位
置に電気的に接続した後、センサユニット１１の上面を
押さえつけながら、エポキシ樹脂３７が外装ケース２３
の開口部２８のリード材露出部２４近傍から注入し、所
定の温度を加えて樹脂を硬化させると共にセンサユニッ
トと外装ケースがしっかりと固着される。
【００３１】外装ケース２３の開口部内に設けられた傾
斜面３３は、注入樹脂がセンサユニット配設部周辺に万
遍なく行き渡るように作用する。これにより、センサユ
ニットの気密保持と外装ケースへの固着がきちんと行わ
れるため、高信頼性と歩留り向上が図れる。ここで、エ
ポキシ樹脂は、樹脂と被覆される部品表面の間で水素結
合が施されることにより、密着性が極めて良いものであ
る。更に、エポキシ樹脂は流動性が良いため、熱可塑性
樹脂を用いてリード材等のインサート部品を一体成形し
て外装ケースを形成する際に生じるインサートリード材
と樹脂の間に生じる微小隙間に対しても充填可能であり
空間が残ることがないものである。従って、はんだや導
電性接着剤等の電気的接合部材への水や腐食性ガスの侵
入による接合部の腐食断線を防止することができと共
に、熱可塑性のＰＰＳ樹脂等では常に問題となるインサ
ート端子の気密不良の問題も解決できる。従って、モー
ルド成形後、コネクタ端子にシリコーン接着剤等の気密
シール材を塗布硬化することも不要となる。また、本作
業は、真空脱気をしたエポキシ樹脂を用いて真空注入を
行ない、且つ、ゆっくりと注入することで、より緻密に
気泡等の内在しない充填を行うことができるので、更な
る高信頼性と歩留り向上を得ることができる。
斜面３３は、注入樹脂がセンサユニット配設部周辺に万
遍なく行き渡るように作用する。これにより、センサユ
ニットの気密保持と外装ケースへの固着がきちんと行わ
れるため、高信頼性と歩留り向上が図れる。ここで、エ
ポキシ樹脂は、樹脂と被覆される部品表面の間で水素結
合が施されることにより、密着性が極めて良いものであ
る。更に、エポキシ樹脂は流動性が良いため、熱可塑性
樹脂を用いてリード材等のインサート部品を一体成形し
て外装ケースを形成する際に生じるインサートリード材
と樹脂の間に生じる微小隙間に対しても充填可能であり
空間が残ることがないものである。従って、はんだや導
電性接着剤等の電気的接合部材への水や腐食性ガスの侵
入による接合部の腐食断線を防止することができと共
に、熱可塑性のＰＰＳ樹脂等では常に問題となるインサ
ート端子の気密不良の問題も解決できる。従って、モー
ルド成形後、コネクタ端子にシリコーン接着剤等の気密
シール材を塗布硬化することも不要となる。また、本作
業は、真空脱気をしたエポキシ樹脂を用いて真空注入を
行ない、且つ、ゆっくりと注入することで、より緻密に
気泡等の内在しない充填を行うことができるので、更な
る高信頼性と歩留り向上を得ることができる。
【００３２】本実施形態では、外装ケース２３を構成す
る熱可塑性のＰＰＳ樹脂と、外装ケース開口部に注入さ
れるエポキシ樹脂３１との線膨張係数が、２０〜４０ｐ
ｐｍ／℃の範囲で略等しく選定されているため、異種材
料同士の接着では常に問題となる接着界面の剥離を生じ
ることがない。発明者らの信頼性評価では、−４０℃←
→１３０℃／１時間の熱衝撃耐久試験で２０００サイク
ルを施したものでも、接着界面に剥離を生じることがな
く、且つ、リード材１３に搭載されたチップコンデンサ
３６，３７との電気的接続も確保されており、極めて安
定した実装構造体が得られている。
る熱可塑性のＰＰＳ樹脂と、外装ケース開口部に注入さ
れるエポキシ樹脂３１との線膨張係数が、２０〜４０ｐ
ｐｍ／℃の範囲で略等しく選定されているため、異種材
料同士の接着では常に問題となる接着界面の剥離を生じ
ることがない。発明者らの信頼性評価では、−４０℃←
→１３０℃／１時間の熱衝撃耐久試験で２０００サイク
ルを施したものでも、接着界面に剥離を生じることがな
く、且つ、リード材１３に搭載されたチップコンデンサ
３６，３７との電気的接続も確保されており、極めて安
定した実装構造体が得られている。
【００３３】ところで、半導体センサチップを標準のＣ
ＭＯＳプロセスで製作することは、製造コスト面でメリ
ット得ることができるが、静電気やサージ等の過渡的過
大電圧印加時のデバイス耐性については、バイポーラ等
の他のプロセスより劣るのが一般的であり、高耐圧のＤ
ＭＯＳとの組み合わせで耐性を上げる等の工夫がなされ
ている。また、耐電波障害性等の確保も１チップ内に配
設された保護回路で対策している。しかし、これらの外
乱に対する顧客や産業界の要求レベルが上がり、既存の
１チップ内保護素子では対応しきれなくなった場合、チ
ップの再開発・再設計が必要となり、多大なコストと期
間を要することになる。
ＭＯＳプロセスで製作することは、製造コスト面でメリ
ット得ることができるが、静電気やサージ等の過渡的過
大電圧印加時のデバイス耐性については、バイポーラ等
の他のプロセスより劣るのが一般的であり、高耐圧のＤ
ＭＯＳとの組み合わせで耐性を上げる等の工夫がなされ
ている。また、耐電波障害性等の確保も１チップ内に配
設された保護回路で対策している。しかし、これらの外
乱に対する顧客や産業界の要求レベルが上がり、既存の
１チップ内保護素子では対応しきれなくなった場合、チ
ップの再開発・再設計が必要となり、多大なコストと期
間を要することになる。
【００３４】それに対して、本実施形態では、予め、入
出力端子に耐過渡電圧性や耐電波障害性を向上させるチ
ップコンデンサを搭載できるように構成されているた
め、１チップ半導体センサを使用するうえでのデメリッ
トとなるチップ耐性のフレキシビリテイを十分補うこと
ができる構成となっており、開発費用や期間の削減を図
ることができる。
出力端子に耐過渡電圧性や耐電波障害性を向上させるチ
ップコンデンサを搭載できるように構成されているた
め、１チップ半導体センサを使用するうえでのデメリッ
トとなるチップ耐性のフレキシビリテイを十分補うこと
ができる構成となっており、開発費用や期間の削減を図
ることができる。
【００３５】更に、本実施形態では、外装ケース２３の
開口部２８を覆うカバー等の部品が不要であるため、両
部材の勘合スペース廃止による外装ケースの小型化や、
製造工数削減による原価低減に大きく寄与する実装構造
となっている。
開口部２８を覆うカバー等の部品が不要であるため、両
部材の勘合スペース廃止による外装ケースの小型化や、
製造工数削減による原価低減に大きく寄与する実装構造
となっている。
【００３６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、外装ケース開口部のリード材に圧力を検出するセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品を電気的
に接合し、熱硬化性樹脂を上記開口部に注入硬化するこ
とで、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる
ので、１チップ半導体センサ単体が耐過渡電圧性や耐電
磁障害性を満足しない場合が生じても安価で高接続信頼
性を有する方法で性能を補う外付電子部品実装が可能と
なり、且つ、小型化・軽量化・組み立て工数低減による
低コスト化が図られる。したがって、仕様の変更時も容
易に対応が可能となる。
ば、外装ケース開口部のリード材に圧力を検出するセン
サユニットと、電気的外乱を低減する電子部品を電気的
に接合し、熱硬化性樹脂を上記開口部に注入硬化するこ
とで、上記部材同士を固着した圧力検出装置が得られる
ので、１チップ半導体センサ単体が耐過渡電圧性や耐電
磁障害性を満足しない場合が生じても安価で高接続信頼
性を有する方法で性能を補う外付電子部品実装が可能と
なり、且つ、小型化・軽量化・組み立て工数低減による
低コスト化が図られる。したがって、仕様の変更時も容
易に対応が可能となる。
【００３７】次に、図３を用いて、本発明の第２の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図３
は、本発明の第２の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１，図２と同一符号は、同一部分を
示している。
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図３
は、本発明の第２の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１，図２と同一符号は、同一部分を
示している。
【００３８】外装ケース２３の開口部２８を覆うカバー
３９は、センサユニット１１の上部との勘合部４０と樹
脂注入孔４１を有する。センサユニット１１とチップコ
ンデンサ３６，３７をリード材１３に電気的に接合した
後、カバー３９をセンサユニット１１に勘合させて、カ
バー３９の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂３８を
樹脂注入孔４１から注入する。エポキシ樹脂３８の注入
は、カバー３９の樹脂注入孔４１が塞がるまで行い、所
定の温度を加えることで、カバー３９とセンサユニット
１１と外装ケース２３を同時に固着させる。
３９は、センサユニット１１の上部との勘合部４０と樹
脂注入孔４１を有する。センサユニット１１とチップコ
ンデンサ３６，３７をリード材１３に電気的に接合した
後、カバー３９をセンサユニット１１に勘合させて、カ
バー３９の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂３８を
樹脂注入孔４１から注入する。エポキシ樹脂３８の注入
は、カバー３９の樹脂注入孔４１が塞がるまで行い、所
定の温度を加えることで、カバー３９とセンサユニット
１１と外装ケース２３を同時に固着させる。
【００３９】以上説明したように、本実施形態によれ
と、カバー３９は、センサユニット１１のチップケース
５の外周を覆い囲むように勘合されるため、エポキシ樹
脂の注入硬化による収縮応力等の影響からチップケース
を隔離することができる。従って、センサユニット１１
が微小圧力検出を主用途にした仕様であっても、安定し
た圧力検出装置を得ることができる。
と、カバー３９は、センサユニット１１のチップケース
５の外周を覆い囲むように勘合されるため、エポキシ樹
脂の注入硬化による収縮応力等の影響からチップケース
を隔離することができる。従って、センサユニット１１
が微小圧力検出を主用途にした仕様であっても、安定し
た圧力検出装置を得ることができる。
【００４０】また、図１，図２の実施形態と同様に、仕
様の変更時も容易に対応が可能となる。
様の変更時も容易に対応が可能となる。
【００４１】次に、図４を用いて、本発明の第３の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図４
は、本発明の第３の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１，図２，図３と同一符号は、同一
部分を示している。
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図４
は、本発明の第３の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１，図２，図３と同一符号は、同一
部分を示している。
【００４２】外装ケース２３の開口部２８を覆うカバー
４２は、センサユニット１１の上部との勘合部４３と樹
脂注入孔４４を有する。センサユニット１１とチップコ
ンデンサ３６，３７をリード材１３に電気的に接合した
後、カバー４２をセンサユニット１１に勘合させて、カ
バー４２の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂３８を
樹脂注入孔４４から注入する。エポキシ樹脂３８の注入
は、チップコンデンサ３６，３７が樹脂で被覆され、且
つ、外装ケース２３の開口部内に挿入されたカバー４２
の周辺部が注入樹脂に所定量埋まる程度まで行い、所定
の温度を加えることで、カバー４２とセンサユニット１
１と外装ケース２３を同時に固着させる。次に、図示し
ない樹脂注入孔４４の周辺にある突起状樹脂を熱カシメ
により溶融させてキャップ４５を形成し、外装ケース２
３の開口部２８を外部から遮断する。
４２は、センサユニット１１の上部との勘合部４３と樹
脂注入孔４４を有する。センサユニット１１とチップコ
ンデンサ３６，３７をリード材１３に電気的に接合した
後、カバー４２をセンサユニット１１に勘合させて、カ
バー４２の上部を押えつけながら、エポキシ樹脂３８を
樹脂注入孔４４から注入する。エポキシ樹脂３８の注入
は、チップコンデンサ３６，３７が樹脂で被覆され、且
つ、外装ケース２３の開口部内に挿入されたカバー４２
の周辺部が注入樹脂に所定量埋まる程度まで行い、所定
の温度を加えることで、カバー４２とセンサユニット１
１と外装ケース２３を同時に固着させる。次に、図示し
ない樹脂注入孔４４の周辺にある突起状樹脂を熱カシメ
により溶融させてキャップ４５を形成し、外装ケース２
３の開口部２８を外部から遮断する。
【００４３】本実施形態によれば、センサユニット１１
の開口面側の外装ケース２３の下部の一部のみエポキシ
樹脂３８に固着されているだけなので、半導体センサチ
ップ１が配設されているチップケース側は、エポキシ樹
脂の影響をより受け難い構造とすることができるため、
より、安定した圧力検出装置を得ることができる。
の開口面側の外装ケース２３の下部の一部のみエポキシ
樹脂３８に固着されているだけなので、半導体センサチ
ップ１が配設されているチップケース側は、エポキシ樹
脂の影響をより受け難い構造とすることができるため、
より、安定した圧力検出装置を得ることができる。
【００４４】また、図１〜図３の実施形態と同様に、仕
様の変更時も容易に対応が可能となる。
様の変更時も容易に対応が可能となる。
【００４５】次に、図５を用いて、本発明の第４の実施
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図５
は、本発明の第４の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１〜図４と同一符号は、同一部分を
示している。
形態による圧力検出装置の構成について説明する。図５
は、本発明の第４の実施形態による圧力検出装置の断面
図である。なお、図１〜図４と同一符号は、同一部分を
示している。
【００４６】本実施形態では、図１と比較すると、図１
に示したチップコンデンサ３６，３７が省略されてい
る。すなわち、半導体センサチップの性能が顧客要求仕
様を満足する場合には、コンデンサ３６，３７をリード
材１３に配設することは必ずしも必要でなく、廃止する
ことが可能である。
に示したチップコンデンサ３６，３７が省略されてい
る。すなわち、半導体センサチップの性能が顧客要求仕
様を満足する場合には、コンデンサ３６，３７をリード
材１３に配設することは必ずしも必要でなく、廃止する
ことが可能である。
【００４７】本実施形態では、外装ケースを更に小型化
でき、また、軽量化、組立て工数低減、部品点数低減が
図れることになる。
でき、また、軽量化、組立て工数低減、部品点数低減が
図れることになる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、仕様の変更時も容易に
対応可能となる。
対応可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による圧力検出装置の
正面図である。
正面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態による圧力検出装置の
断面図である。
断面図である。
１…半導体センサチップ
２…ダイヤフラム
３…ガラス台
４…基準圧力室
５…チップケース
６…端子
７…チップケース凹部
８…接着剤
９…ワイヤ
１０…シリコーンゲル
１１…センサユニット
１２…入出力端子
１３…リード材
１４…コネクタ端子部
１５…曲げ端子部
１６…溶接用突起
１７…グランド端子
１８…出力端子
１９…電源端子
２０，２２…窪み部
２１…幅広端子部
２３…外装ケース
２４，２５…リード材露出部
２６…コネクタカップラ部
２７…フランジ部
２８…開口部
２９…圧力導入孔
３０…圧力導入管
３１…凸型勘合部
３２…センサユニット開口部配設面
３３…傾斜面
３４…溶接電極位置
３５…導電性接合部材
３６，３７…チップコンデンサ
３８…エポキシ樹脂
３９，４２…カバー
４０，４３…勘合部
４１，４４…樹脂注入孔
４５…キャップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 菊池 勝彦
茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会
社佐和サービス内
(72)発明者 海老根 広道
茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会
社日立カーエンジニアリング内
(72)発明者 嶋田 智
茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会
社日立カーエンジニアリング内
(72)発明者 林 雅秀
茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株
式会社日立製作所自動車機器グループ内
Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB01 CC02 DD04 EE13
FF38 FF43 GG25
4M109 BA07 CA02 DA07 DB09 EA02
ED04 GA10
Claims (10)
- 【請求項１】一部が外部との電気的接続用コネクタ端子
となっているリード材と、 このリード材と一体成形され、一部に開口部が設けられ
た外装ケースと、 圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理
回路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に
開口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセ
ンサユニットと、 電気的外乱を低減する電子部品とを備え、 上記リード材の一部が、上記外装ケースの開口部内に露
出しており、 上記センサユニットと上記電子部品が上記外装ケースの
開口部内に配設され、上記リード材と上記電子部品と上
記センサユニットの端子とが、上記外装ケースの開口部
内で電気的に接続されたことを特徴とする圧力検出装
置。 - 【請求項２】請求項１記載の圧力検出装置において、 上記外装ケースには、上記外装ケースの開口部と連通す
る圧力導入孔が設けられ、 上記センサユニットの開口部と上記外装ケースの開口部
には、各々勘合部が設けられ、 上記センサユニットの半導体センサと上記外装ケースの
大気導入孔が連通するように、上記センサユニットと上
記外装ケースが勘合され、 上記外装ケースの開口部内に配設された上記センサユニ
ットと上記電子部品と上記リード材露出部が、上記外装
ケースの開口部内に注入された樹脂で全部または一部が
覆われ、注入樹脂で一体に固着されると共に、センサユ
ニットと外装ケースの勘合部が気密封止されたことを特
徴とする圧力検出装置。 - 【請求項３】一部が外部との電気的接続用コネクタ端子
となっているリード材と、 上記リード材と一体形成され、一部に開口部とこの開口
部に連通する圧力導入孔が設けられた外装ケースと、 圧力を電気信号に変換する半導体センサとその信号処理
回路とその処理された信号を出力する出力端子と一部に
開口部が設けられたチップケースを主構成部品とするセ
ンサユニットとを備え、 上記リード材の一部が上記外装ケースの開口部内に露出
しており、 上記センサユニットの開口部が、上記外装ケースの開口
部内に上記圧力導入孔に連通するように配設され、 上記リード材と上記センサユニット出力端子とが、上記
外装ケースの開口部内で電気的に接続され、 上記外装ケースの開口部内に配設された上記センサユニ
ットと上記リード材露出部が、上記外装ケースの開口部
内に注入された樹脂で全部または一部が覆われ、この注
入樹脂で上記センサユニットと上記外装ケースが一体に
固着されたことを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項４】請求項１または請求項３のいずれかに記載
の圧力検出装置において、 上記センサユニットの半導体センサは、基準圧力室を有
した絶対圧センサであり、 上記センサユニットの圧力を電気信号に変換する半導体
センサとその信号処理回路が１チップで構成され、 上記電子部品がコンデンサや抵抗等のチップ部品で構成
され、 上記外装ケースが熱可塑性樹脂で構成され、 上記外装ケースの開口部に注入される樹脂が、熱硬化性
樹脂で構成され、 上記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂の線膨張係数が２
０〜４０ｐｐｍ／℃の範囲内にあることを特徴とする圧
力検出装置。 - 【請求項５】請求項１または請求項３のいずれかに記載
の圧力検出装置において、 上記センサユニットの出力端子と上記外装ケースのリー
ド材が溶接により電気的に接続され、 上記リード材の電子部品配設部に窪みが設けられ、 上記外装ケースに相異なるリード材の窪みを隔絶する間
仕切り又は溝が設けられ、 上記リード材窪み部に配設された電子部品の電極部が接
合部材で電気的に接続されたことを特徴とする圧力検出
装置。 - 【請求項６】請求項５記載の圧力検出装置において、 上記外装ケースのリード材のセンサユニットの出力端子
との溶接電極配置領域と、電子部品配設領域とが混在せ
ず分離されたことを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項７】請求項１または請求項３のいずれかに記載
の圧力検出装置において、 上記リード材が少なくとも３本から構成され、 上記電子部品が上記リード材を跨ぐように配設される場
合、跨れる部分のリード材をクランク形状に曲げて外装
ケース樹脂内に埋没させるか、または跨れる部分のリー
ド材を細くし、リード材の電子部品配設部を部分的に幅
広形状にしたことを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項８】請求項１または請求項３のいずれかに記載
の圧力検出装置において、 上記外装ケースと一体成形されるリード材のコネクタ端
子部と反対端近傍を略直角に曲げ、開口部内のコネクタ
端子同軸部とその直角方向部の２面を外装ケースの開口
部内に露出させたことを特徴とする圧力検出装置。 - 【請求項９】請求項１または請求項３のいずれかに記載
の圧力検出装置において、 上記センサユニットの開口部端面と出力端子配設面が異
なり、 上記外装ケースのセンサユニット開口部端面との接触面
と上記出力端子と電気的に接合されるリード材配設面の
間の少なくとも一部に傾斜面を設けたことを特徴とする
圧力検出装置。 - 【請求項１０】請求項１または請求項３のいずれかに記
載の圧力検出装置において、 上記センサユニットまたは上記外装ケースの一部との勘
合部を有し、 上記外装ケース開口部の全部または一部を塞ぐように配
設されたカバーを備え、 上記カバーと上記センサユニットと上記外装ケースが注
入樹脂で一体に固着されたことを特徴とする圧力検出装
置。
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