JP2003146926A - 新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類 - Google Patents
新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シクロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェニ
ル置換シクロアルキル基を有する新規な４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を提供する。 【解決手段】本発明による新規な４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類は、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示
し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、ｐは
４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜３
の整数を示す。）で表される。
ル置換シクロアルキル基を有する新規な４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を提供する。 【解決手段】本発明による新規な４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類は、一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示
し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、ｐは
４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜３
の整数を示す。）で表される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な４−置換シ
クロヘキシリデンビスフェノール類に関する。詳しく
は、シクロヘキシリデン基の４−位にヒドロキシフェニ
ル置換シクロアルキル基を有する４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類に関する。 【０００２】このような４−置換シクロヘキシリデンビ
スフェノール類は、液晶ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリウレタン等の合成樹脂原料、電子表示素子や半
導体等のフォトレジスト原料等として有用である。 【０００３】 【従来の技術】従来、４−置換シクロヘキシリデンビス
フェノール類に関しては、例えば、特開平４−２８２３
３４号公報には、アルキル置換シクロヘキサノンとフェ
ノールとを酸触媒の存在下で反応させて、１，１−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキ
サンと１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４
−ｔ−ブチルシクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。また、特開平０２−１２９１５５号公報には、４−
ｎ−プロピルシクロヘキサノンとフェノールを原料とし
て、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。更に、特開２０００−６３３０８公報には、４−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサノンとフェノ
ールを原料として、１，４，４−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。 【０００４】このような４−置換シクロヘキシリデンビ
スフェノール類は、液晶性樹脂原料、ポリカーボネート
等合成樹脂原料、電子表示素子や半導体等のフォトレジ
スト原料等の分野において有用である。しかし、これら
の分野においては、４−置換シクロヘキシリデンビスフ
ェノール類に要求される性能も益々多様化、高度化して
きており、上述したように、従来より知られているもの
は、例えば、耐熱性、親油性等において十分でない。そ
こで、近年、特に、耐熱性等の改善された４−置換シク
ロヘキシリデンビスフェノール類が強く要望されてい
る。 【０００５】本発明者らは、上述した要望に応えるべ
く、鋭意、研究した結果、シクロヘキシリデンビスフェ
ノール類のシクロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェ
ニル置換シクロアルキル基を導入することによって、耐
熱性や親油性の改善が期待できる新規な４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を得ることができること
を見出して、本発明に至ったものである。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、シ
クロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェニル置換シク
ロアルキル基を有する新規な４−置換シクロヘキシリデ
ンビスフェノール類を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明による新規な４−
置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、一般式
（Ｉ） 【０００８】 【化２】 【０００９】（式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアル
キル基を示し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を
示し、ｐは４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独
立に０〜３の整数を示す。）で表される。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明による新規な４−置換シク
ロヘキシリデンビスフェノール類は、上記一般式（Ｉ）
で表される。ここに、ｐはシクロヘキシリデン基の４−
位に結合している炭素原子と共にシクロアルキリデン基
を形成するメチレン基の数であって、４〜６の整数であ
り、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。
ｐが４〜６の整数であるとき、上記シクロアルキリデン
基は、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基又
はシクロヘプチリデン基であり、好ましくは、ｐがそれ
ぞれ４又は５であるシクロペンチリデン基又はシクロヘ
キシリデン基である。Ｒ 1 は、このシクロアルキリデン
基が有していてもよいアルキル基を示し、具体的には、
鎖状のメチル基、エチル基、プロピル、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基
等であり、炭素原子数３以上のアルキル基は直鎖状でも
分岐鎖状でもよい。しかし、好ましくは、Ｒ1 は炭素原
子数１〜６、特に好ましくは、炭素原子数１〜４のアル
キル基である。同様に、Ｒ2 は、シクロヘキシリデン基
の１−位に結合しているヒドロキシフェニル基が有して
いてもよいアルキル基を示し、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基又はブチル基であり、プロピル基
とブチル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。 【００１１】従って、本発明による４−置換シクロヘキ
シリデンビスフェノール類の具体例としては、例えば、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−メチルシ
クロペンチル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−（２−エチルシクロペンチル）〕シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−イソプロピ
ルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−（３−イソブチルシクロペンチル）〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（２，
４−ジメチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、１，
１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３−エチルー４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−イソプロピルー４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチ
ル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２−メ
チルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（３−メチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メチルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）（３−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（４−イソブチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−ペンチル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（４−ヘキシルシクロヘキシル）〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−オクチルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）（４−ノニルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２，４−ジメチル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（３，３，５−トリメチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（２，３，５−トリメチルシクロヘキシル）〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソ
プロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３−メチル−６−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−（４−メチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（２，４−ジメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，
１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３
−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−
ビス（２，３，６−トリメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メ
チルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（２−エチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピルシクロ
ヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−ｎ−
プロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）（４−イソブチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソブチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒド
ロキシフェニル）（４−エチルシクロヘキシル）〕シク
ロヘキサン等を挙げることができる。 【００１２】このような、本発明による４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類は、例えば、一般式（I
I） 【００１３】 【化３】 【００１４】（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じであ
る。）で表される置換シクロヘキサノン類と一般式（II
I） 【００１５】 【化４】 【００１６】（式中、Ｒ2 及びｎは前記と同じであ
る。）で表される（アルキル）フェノール類を反応溶媒
中、酸触媒の存在下に脱水縮合反応させることによって
得ることができる。 【００１７】上記置換シクロヘキサノン類とその製造方
法は、特開２００１−１９２３５２号公報に記載されて
いる。 【００１８】上記置換シクロヘキサノン類の具体例とし
て、例えば、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１−（４
−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシ
クロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１
−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシクロヘキ
サン、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−
ヒドロキシフェニル）−３−メチルシクロペンタン、１
−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−３−メチルシクロヘキサン、１−（４−
オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルシクロヘキサン、１−（４−オキソシ
クロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３
―イソプロピルシクロペンタン、１−（４−オキソシク
ロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−
イソプロピルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロ
ヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−イ
ソブチルシクロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソブ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジメ
チルシクロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４―ジメ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジエ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘ
キシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，３，
５−トリメチルシクロヘキサン、等を挙げることができ
る。 【００１９】また、上記（アルキル）フェノール類の具
体例として、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ
−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−
トリメチルフェノール、３−メチル−６−ｔ−ブチル−
フェノール、２−エチルフェノール、２−イソプロピル
フェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−
ｔ−ブチルフェノール等を挙げることができる。 【００２０】上記置換シクロヘキサノン類は、例えば、
一般式（IV） 【００２１】 【化５】【００２２】（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じであ
る。）で表されるビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類を反応溶媒中、パラジウム触媒の存在下に
選択的水素化することによって得ることができる。 【００２３】上記置換シクロヘキサノン類と（アルキ
ル）フェノール類との反応において、（アルキル）フェ
ノール類は、置換シクロヘキサノン１モル部に対して、
通常、４〜２０モル部の範囲で用いられる。 【００２４】上記置換シクロヘキサノン類と（アルキ
ル）フェノール類との反応において、反応溶媒は用いて
もよく、また、用いなくてもよい。反応溶媒を用いる場
合、例えば、脂肪族アルコール、芳香族炭化水素又はこ
れらの混合溶媒が用いられる。アルコールとしては、用
いる反応原料、得られる生成物の溶解度、反応条件、反
応の経済性等を考慮して、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｔ−
ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチル
アルコール等を挙げることができる。また、芳香族炭化
水素溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、クメ
ン等を挙げることができる。このような溶媒は、通常、
用いる置換シクロヘキサノン１００重量部に対して、１
００〜５００重量部の範囲で用いられるが、これに限定
されるものではない。 【００２５】上記酸触媒としては、塩酸又は乾燥塩化水
素ガスが好ましく用いられる。しかし、これに限定され
るものではなく、例えば、硫酸、無水硫酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタン
スルホン酸、シュウ酸、ギ酸、リン酸、トリクロロ酢
酸、トリフルオロ酢酸等も用いられる。更に、本発明に
よれば、反応を促進するために、メルカプタン等（例え
ば、オクチルメルカプタン）の助触媒を用いることがで
きる。 【００２６】反応は、通常、２０℃から８０℃、好まし
くは、２０〜５０℃にて、反応器中の反応混合物に塩酸
を添加するか、又は乾燥塩化水素ガスを吹き込みなが
ら、撹拌下に、２〜４８時間程度、通常、６〜２４時間
程度行えばよい。 【００２７】反応終了後、通常、得られた反応混合物に
アルカリを加えて、酸触媒を中和した後、油層に適宣の
晶析溶剤を加えるか、又は水層を分離除去し、必要に応
じて、得られた有機層を常圧又は減圧下に蒸留した後、
これに適宣の晶析溶剤を加えるかして、粗結晶を析出さ
せ、次いで、この粗結晶を濾取し、これを更に適宣の晶
析溶媒から晶析させることによって、目的とする４−置
換シクロヘキシリデンビスフェノール類の高純度品を得
ることができる。 【００２８】上記晶析溶媒としては、具体的には、晶析
条件、精製効果、経済性等を考慮して、適宣に選ばれる
が、芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシ
レン、クメン等が用いられる。また、脂肪族アルコール
としては、メタノール、エタノール等、脂肪族ケトンと
しては、例えば、アセトン、メチルイソプロピルケト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソプロピルケトン等、環状エーテルとしては、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等が用いられる。 【００２９】本発明による新規な４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類は、分子中に３つの芳香環を有
し、また、分子中にシクロヘキサン環とシクロアルキル
置換基を有するので、高い耐熱性、親油性及び溶媒親和
性を有することが期待される。更に、本発明による４−
置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、これを原
料として、種々の反応、例えば、フェノール性芳香環に
対する置換反応や、水添反応、フェノール性水酸基に対
する反応等を行うことによって、種々の誘導体とするこ
とができる。 【００３０】 【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。以下において、本発明の目的物である反応生成物の
純度は液体クロマトグラフィーによる面積百分率の値で
ある。 【００３１】実施例１ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロ
ヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量四つ口フラスコにフェノール２８．０ｇ（０．３モ
ル）と３５％塩酸５６．５ｇを仕込み、反応容器内を窒
素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００３２】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン４０．０ｇ
（０．１５モル、ガスクロマトグラフィーによる純度９
８．１％）をフェノール８５．０ｇ（０．９モル）に加
えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌下、
４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて滴下
した。滴下終了後、温度を５０℃に昇温して、更に、２
１時間、撹拌下に反応を行った。 【００３３】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕シクロヘキサンの粗結晶４１．４
ｇ（純度９４．４％）を得た。 【００３４】この粗結晶に更にメチルイソブチルケトン
を加え、晶析濾過し、乾燥して、純度９７．７％の１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ンの精製物２４．６ｇを白色結晶として得た。１−（４
−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサンに対する収率は３７．６モル％で
あった。 【００３５】融点（示差熱分析法）：２７６℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４４２ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２４４．０ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１２．４〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４６．５ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００３６】 【化６】 【００３７】 【表１】 【００３８】実施例２ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロ
ヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた１Ｌ
容量の四つ口フラスコにフェノール２２．０ｇ（０．２
３モル）と３５％塩酸４３．７ｇを仕込み、反応容器内
を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００３９】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン３０．０ｇ
（０．１２モル、ガスクロマトグラフィーによる純度１
００．０％）をフェノール６５．５ｇ（０．７モル）に
加えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌
下、４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて
滴下した。滴下終了後、更に、温度４０℃において２１
時間撹拌下に反応を行った。 【００４０】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサンの粗結晶３７．２
ｇ（純度９４．９％）を得た。 【００４１】この粗結晶に更にメタノールと水との混合
溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾燥して、
純度９７．８％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンチル〕シクロヘキサンの精製物１９．１ｇを白色結晶
として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタンに対する収
率は３７．５モル％であった。 【００４２】融点（示差熱分析法）：２４１℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４２８ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２４４．０ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４４．６ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００４３】 【化７】 【００４４】 【表２】 【００４５】参考例１ （１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン
の製造） ４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデン）ビ
スフェノール１００ｇ（０．３１８モル）、２−ブタノ
ール１５０ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジ
ウム５重量％をカーボン粉末に担持させてなるナトリウ
ム含有パラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥
重量換算量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕
込み、系内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）
を開放して、圧力を０ＭＰａとした。オートクレーブを
密閉し、内温を１３０℃まで昇温した後、オートクレー
ブ内に水素を０．４ＭＰａまで導入し、その後、水素圧
力をこの圧力に保つように水素を適宣、系内に補充しな
がら、４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデ
ン）ビスフェノールの水素化を行い、系内での水素の吸
収が止んだ時点（反応の開始から２．４時間、理論水素
吸収量の９６％）で反応を終了した。その結果、原料の
転化率は９５．２％、目的物の選択率は８９．６％であ
った。 【００４６】反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒
素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド２５０ｇを加
えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出し
た結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−イソ
プロピルシクロヘキサン７０．１ｇ（純度９９．１％）
を得た。４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリ
デン）ビスフェノールに対する収率は６８．６％であっ
た。 【００４７】融点（光透過法）：２０２．０℃ 分子量（質量分析法）：３１４（Ｍ+） 赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）： ３４２３、１６９８、１５１６、１２１９ プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶
媒ＤＭＳＯ−ｄ） 【００４８】 【化８】 【００４９】 【表３】【００５０】実施例３ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量の四つ口フラスコにフェノール３５．９ｇ（０．３
８モル）と３５％塩酸７１．７ｇを仕込み、反応容器内
を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００５１】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）―４−イソプロピルシクロ
ヘキサン６０ｇ（０．１９モル、ガスクロマトグラフィ
ー二より純度９８．１％）をフェノール１０７．７ｇ
（１．１５モル）に加えて、スラリーを調製した。上記
フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、このスラリ
ーを２時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を６０℃
に昇温して、更に、２２時間、撹拌下に反応を行った。 【００５２】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シク
ロヘキサンの粗結晶４８．４ｇ（純度９８．５％）を得
た。 【００５３】この粗結晶に更にメタノールを加え、晶析
濾過し、得られた晶析物を乾燥して、純度９９．５％の
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシク
ロヘキシル）〕シクロヘキサンの精製物３３．８ｇを白
色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）
−（４−ヒドロキシフェニル）―４―イソプロピルシク
ロヘキサンに対する収率は３７．１モル％であった。 【００５４】融点（示差熱分析法）：２６３℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４８４ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２６４．３ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４８．４ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００５５】 【化９】 【００５６】 【表４】【００５７】参考例２ （１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−４−エチルシクロヘキサンの製造 ４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビスフェ
ノール１００ｇ（０．３３３モル）、酢酸エチル１５０
ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジウム５重量
％とをカーボン粉末に担持させてなるナトリウム含有パ
ラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥重量換算
量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕込み、系
内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）を開放し
て、圧力を０ＭＰａとした。 【００５８】オートクレーブを密閉し、内温を１３０℃
まで昇温した後、オートクレーブ内に水素を０．４ＭＰ
ａまで導入し、その後、水素圧力をこの圧力に保つよう
に水素を適宣、系内に補充しながら、４，４’−（４−
エチルシクロヘキシリデン）ビスフェノールの水素化を
行い、系内での水素の吸収が止んだ時点（反応の開始か
ら４時間、理論水素吸収量の９８％）で反応を終了し
た。その結果、原料の転化率は９６．７％、目的物の選
択率は８５．８％であった。 【００５９】反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒
素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド１００ｇを加
えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出し
た結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−エチ
ルシクロヘキサン６１．０ｇ（純度９７．９％）を得
た。４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビス
フェノールに対する収率５８．９％であった。 【００６０】融点（光透過法）：１５６．３℃ 分子量（質量分析法）：３００（Ｍ+） 赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）： ３４４９、１６９３、１５１５、１２７０ プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶
媒ＤＭＳＯ−ｄ6 ） 【００６１】 【化１０】 【００６２】 【表５】 【００６３】実施例４ （１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−
（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの製
造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量の四つ口フラスコに２，６−ジメチルフェノール３
６．６ｇ（０．３モル）を仕込み、反応容器内を窒素置
換した後、常圧下、温度５０℃に昇温した。これに乾燥
塩化水素ガスを吹き込みながら、１−（４−オキソシク
ロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−
エチルシクロヘキサン４５．０ｇ（０．１５モル、ガス
クロマトグラフィーによる純度９７．９％）を２，６−
ジメチルフェノール１０９．８ｇ（０．９モル）に加え
て調製したスラリーを上記フラスコ内に攪拌下、５０℃
を保ちながら、２時間かけて滴下した。滴下終了後、温
度４０℃において、更に、２０時間、撹拌下に反応を行
った。 【００６４】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンと２，６−ジメ
チルフェノールとを留去して、蒸留残留物を得た。これ
にメタノールと酢酸ブチルとの混合溶液を加えて、溶解
させ、得られた溶液を冷却し、晶析濾過し得られた晶析
物を濾取、乾燥して、目的とする１，１−ビス（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）−（４−エチルシクロヘキ
シル）〕シクロヘキサンの粗結晶３０．６ｇ（純度９
１．３％）を得た。 【００６５】この粗結晶に更にメタノールと酢酸ブチル
との混合溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾
燥して、純度９７．７％の１，１−ビス（３，５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−１−（４−エチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサンの精製物１８．２ｇを白色結晶と
して得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）−４―エチルシクロヘキサ
ンに対する収率は２３．０モル％であった。 【００６６】融点（示差熱分析法）：２４４℃、２６１
℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：５２６ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３５７７．７ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１４．３〜１５１５．０ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４７．５ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００６７】 【化１１】 【００６８】 【表６】
クロヘキシリデンビスフェノール類に関する。詳しく
は、シクロヘキシリデン基の４−位にヒドロキシフェニ
ル置換シクロアルキル基を有する４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類に関する。 【０００２】このような４−置換シクロヘキシリデンビ
スフェノール類は、液晶ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリウレタン等の合成樹脂原料、電子表示素子や半
導体等のフォトレジスト原料等として有用である。 【０００３】 【従来の技術】従来、４−置換シクロヘキシリデンビス
フェノール類に関しては、例えば、特開平４−２８２３
３４号公報には、アルキル置換シクロヘキサノンとフェ
ノールとを酸触媒の存在下で反応させて、１，１−ビス
−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキ
サンと１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４
−ｔ−ブチルシクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。また、特開平０２−１２９１５５号公報には、４−
ｎ−プロピルシクロヘキサノンとフェノールを原料とし
て、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。更に、特開２０００−６３３０８公報には、４−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサノンとフェノ
ールを原料として、１，４，４−トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサンを得ることが記載されてい
る。 【０００４】このような４−置換シクロヘキシリデンビ
スフェノール類は、液晶性樹脂原料、ポリカーボネート
等合成樹脂原料、電子表示素子や半導体等のフォトレジ
スト原料等の分野において有用である。しかし、これら
の分野においては、４−置換シクロヘキシリデンビスフ
ェノール類に要求される性能も益々多様化、高度化して
きており、上述したように、従来より知られているもの
は、例えば、耐熱性、親油性等において十分でない。そ
こで、近年、特に、耐熱性等の改善された４−置換シク
ロヘキシリデンビスフェノール類が強く要望されてい
る。 【０００５】本発明者らは、上述した要望に応えるべ
く、鋭意、研究した結果、シクロヘキシリデンビスフェ
ノール類のシクロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェ
ニル置換シクロアルキル基を導入することによって、耐
熱性や親油性の改善が期待できる新規な４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類を得ることができること
を見出して、本発明に至ったものである。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、シ
クロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェニル置換シク
ロアルキル基を有する新規な４−置換シクロヘキシリデ
ンビスフェノール類を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明による新規な４−
置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、一般式
（Ｉ） 【０００８】 【化２】 【０００９】（式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアル
キル基を示し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を
示し、ｐは４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独
立に０〜３の整数を示す。）で表される。 【００１０】 【発明の実施の形態】本発明による新規な４−置換シク
ロヘキシリデンビスフェノール類は、上記一般式（Ｉ）
で表される。ここに、ｐはシクロヘキシリデン基の４−
位に結合している炭素原子と共にシクロアルキリデン基
を形成するメチレン基の数であって、４〜６の整数であ
り、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。
ｐが４〜６の整数であるとき、上記シクロアルキリデン
基は、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基又
はシクロヘプチリデン基であり、好ましくは、ｐがそれ
ぞれ４又は５であるシクロペンチリデン基又はシクロヘ
キシリデン基である。Ｒ 1 は、このシクロアルキリデン
基が有していてもよいアルキル基を示し、具体的には、
鎖状のメチル基、エチル基、プロピル、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基
等であり、炭素原子数３以上のアルキル基は直鎖状でも
分岐鎖状でもよい。しかし、好ましくは、Ｒ1 は炭素原
子数１〜６、特に好ましくは、炭素原子数１〜４のアル
キル基である。同様に、Ｒ2 は、シクロヘキシリデン基
の１−位に結合しているヒドロキシフェニル基が有して
いてもよいアルキル基を示し、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基又はブチル基であり、プロピル基
とブチル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。 【００１１】従って、本発明による４−置換シクロヘキ
シリデンビスフェノール類の具体例としては、例えば、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−メチルシ
クロペンチル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−（２−エチルシクロペンチル）〕シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−イソプロピ
ルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−（３−イソブチルシクロペンチル）〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（２，
４−ジメチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、１，
１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３−エチルー４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−イソプロピルー４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチ
ル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シ
クロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２−メ
チルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（３−メチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メチルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）（３−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（４−イソブチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−ペンチル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（４−ヘキシルシクロヘキシル）〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４
−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−オクチルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）（４−ノニルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−
〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２，４−ジメチル
シクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシ
フェニル）（３，３，５−トリメチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（２，３，５−トリメチルシクロヘキシル）〕シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソ
プロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（３−メチル−６−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キシル〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−（４−メチルシクロヘキシル）〕シクロ
ヘキサン、１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（２，４−ジメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）
（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，
１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３
−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−
ビス（２，３，６−トリメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メ
チルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス
（２−エチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピルシクロ
ヘキシル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−ｎ−
プロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）（４−イソブチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサン、１，１−ビス（３−イソブチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロ
キシフェニル）（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕
シクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒド
ロキシフェニル）（４−エチルシクロヘキシル）〕シク
ロヘキサン等を挙げることができる。 【００１２】このような、本発明による４−置換シクロ
ヘキシリデンビスフェノール類は、例えば、一般式（I
I） 【００１３】 【化３】 【００１４】（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じであ
る。）で表される置換シクロヘキサノン類と一般式（II
I） 【００１５】 【化４】 【００１６】（式中、Ｒ2 及びｎは前記と同じであ
る。）で表される（アルキル）フェノール類を反応溶媒
中、酸触媒の存在下に脱水縮合反応させることによって
得ることができる。 【００１７】上記置換シクロヘキサノン類とその製造方
法は、特開２００１−１９２３５２号公報に記載されて
いる。 【００１８】上記置換シクロヘキサノン類の具体例とし
て、例えば、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１−（４
−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシ
クロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１
−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシクロヘキ
サン、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−
ヒドロキシフェニル）−３−メチルシクロペンタン、１
−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−３−メチルシクロヘキサン、１−（４−
オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルシクロヘキサン、１−（４−オキソシ
クロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３
―イソプロピルシクロペンタン、１−（４−オキソシク
ロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−
イソプロピルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロ
ヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−イ
ソブチルシクロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソブ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジメ
チルシクロペンタン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４―ジメ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジエ
チルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘキシ
ル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１−（４−オキソシクロヘ
キシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，３，
５−トリメチルシクロヘキサン、等を挙げることができ
る。 【００１９】また、上記（アルキル）フェノール類の具
体例として、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ
−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレ
ノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−
トリメチルフェノール、３−メチル−６−ｔ−ブチル−
フェノール、２−エチルフェノール、２−イソプロピル
フェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−
ｔ−ブチルフェノール等を挙げることができる。 【００２０】上記置換シクロヘキサノン類は、例えば、
一般式（IV） 【００２１】 【化５】【００２２】（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じであ
る。）で表されるビス（４−ヒドロキシフェニル）シク
ロアルカン類を反応溶媒中、パラジウム触媒の存在下に
選択的水素化することによって得ることができる。 【００２３】上記置換シクロヘキサノン類と（アルキ
ル）フェノール類との反応において、（アルキル）フェ
ノール類は、置換シクロヘキサノン１モル部に対して、
通常、４〜２０モル部の範囲で用いられる。 【００２４】上記置換シクロヘキサノン類と（アルキ
ル）フェノール類との反応において、反応溶媒は用いて
もよく、また、用いなくてもよい。反応溶媒を用いる場
合、例えば、脂肪族アルコール、芳香族炭化水素又はこ
れらの混合溶媒が用いられる。アルコールとしては、用
いる反応原料、得られる生成物の溶解度、反応条件、反
応の経済性等を考慮して、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｔ−
ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチル
アルコール等を挙げることができる。また、芳香族炭化
水素溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、クメ
ン等を挙げることができる。このような溶媒は、通常、
用いる置換シクロヘキサノン１００重量部に対して、１
００〜５００重量部の範囲で用いられるが、これに限定
されるものではない。 【００２５】上記酸触媒としては、塩酸又は乾燥塩化水
素ガスが好ましく用いられる。しかし、これに限定され
るものではなく、例えば、硫酸、無水硫酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタン
スルホン酸、シュウ酸、ギ酸、リン酸、トリクロロ酢
酸、トリフルオロ酢酸等も用いられる。更に、本発明に
よれば、反応を促進するために、メルカプタン等（例え
ば、オクチルメルカプタン）の助触媒を用いることがで
きる。 【００２６】反応は、通常、２０℃から８０℃、好まし
くは、２０〜５０℃にて、反応器中の反応混合物に塩酸
を添加するか、又は乾燥塩化水素ガスを吹き込みなが
ら、撹拌下に、２〜４８時間程度、通常、６〜２４時間
程度行えばよい。 【００２７】反応終了後、通常、得られた反応混合物に
アルカリを加えて、酸触媒を中和した後、油層に適宣の
晶析溶剤を加えるか、又は水層を分離除去し、必要に応
じて、得られた有機層を常圧又は減圧下に蒸留した後、
これに適宣の晶析溶剤を加えるかして、粗結晶を析出さ
せ、次いで、この粗結晶を濾取し、これを更に適宣の晶
析溶媒から晶析させることによって、目的とする４−置
換シクロヘキシリデンビスフェノール類の高純度品を得
ることができる。 【００２８】上記晶析溶媒としては、具体的には、晶析
条件、精製効果、経済性等を考慮して、適宣に選ばれる
が、芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシ
レン、クメン等が用いられる。また、脂肪族アルコール
としては、メタノール、エタノール等、脂肪族ケトンと
しては、例えば、アセトン、メチルイソプロピルケト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ
イソプロピルケトン等、環状エーテルとしては、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等が用いられる。 【００２９】本発明による新規な４−置換シクロヘキシ
リデンビスフェノール類は、分子中に３つの芳香環を有
し、また、分子中にシクロヘキサン環とシクロアルキル
置換基を有するので、高い耐熱性、親油性及び溶媒親和
性を有することが期待される。更に、本発明による４−
置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、これを原
料として、種々の反応、例えば、フェノール性芳香環に
対する置換反応や、水添反応、フェノール性水酸基に対
する反応等を行うことによって、種々の誘導体とするこ
とができる。 【００３０】 【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。以下において、本発明の目的物である反応生成物の
純度は液体クロマトグラフィーによる面積百分率の値で
ある。 【００３１】実施例１ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロ
ヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量四つ口フラスコにフェノール２８．０ｇ（０．３モ
ル）と３５％塩酸５６．５ｇを仕込み、反応容器内を窒
素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００３２】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン４０．０ｇ
（０．１５モル、ガスクロマトグラフィーによる純度９
８．１％）をフェノール８５．０ｇ（０．９モル）に加
えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌下、
４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて滴下
した。滴下終了後、温度を５０℃に昇温して、更に、２
１時間、撹拌下に反応を行った。 【００３３】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕シクロヘキサンの粗結晶４１．４
ｇ（純度９４．４％）を得た。 【００３４】この粗結晶に更にメチルイソブチルケトン
を加え、晶析濾過し、乾燥して、純度９７．７％の１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサ
ンの精製物２４．６ｇを白色結晶として得た。１−（４
−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサンに対する収率は３７．６モル％で
あった。 【００３５】融点（示差熱分析法）：２７６℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４４２ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２４４．０ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１２．４〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４６．５ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００３６】 【化６】 【００３７】 【表１】 【００３８】実施例２ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロ
ヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた１Ｌ
容量の四つ口フラスコにフェノール２２．０ｇ（０．２
３モル）と３５％塩酸４３．７ｇを仕込み、反応容器内
を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００３９】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン３０．０ｇ
（０．１２モル、ガスクロマトグラフィーによる純度１
００．０％）をフェノール６５．５ｇ（０．７モル）に
加えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌
下、４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて
滴下した。滴下終了後、更に、温度４０℃において２１
時間撹拌下に反応を行った。 【００４０】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンチル〕シクロヘキサンの粗結晶３７．２
ｇ（純度９４．９％）を得た。 【００４１】この粗結晶に更にメタノールと水との混合
溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾燥して、
純度９７．８％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンチル〕シクロヘキサンの精製物１９．１ｇを白色結晶
として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタンに対する収
率は３７．５モル％であった。 【００４２】融点（示差熱分析法）：２４１℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４２８ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２４４．０ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４４．６ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００４３】 【化７】 【００４４】 【表２】 【００４５】参考例１ （１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン
の製造） ４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデン）ビ
スフェノール１００ｇ（０．３１８モル）、２−ブタノ
ール１５０ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジ
ウム５重量％をカーボン粉末に担持させてなるナトリウ
ム含有パラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥
重量換算量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕
込み、系内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）
を開放して、圧力を０ＭＰａとした。オートクレーブを
密閉し、内温を１３０℃まで昇温した後、オートクレー
ブ内に水素を０．４ＭＰａまで導入し、その後、水素圧
力をこの圧力に保つように水素を適宣、系内に補充しな
がら、４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデ
ン）ビスフェノールの水素化を行い、系内での水素の吸
収が止んだ時点（反応の開始から２．４時間、理論水素
吸収量の９６％）で反応を終了した。その結果、原料の
転化率は９５．２％、目的物の選択率は８９．６％であ
った。 【００４６】反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒
素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド２５０ｇを加
えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出し
た結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−イソ
プロピルシクロヘキサン７０．１ｇ（純度９９．１％）
を得た。４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリ
デン）ビスフェノールに対する収率は６８．６％であっ
た。 【００４７】融点（光透過法）：２０２．０℃ 分子量（質量分析法）：３１４（Ｍ+） 赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）： ３４２３、１６９８、１５１６、１２１９ プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶
媒ＤＭＳＯ−ｄ） 【００４８】 【化８】 【００４９】 【表３】【００５０】実施例３ （１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１
−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシ
クロヘキシル）〕シクロヘキサンの製造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量の四つ口フラスコにフェノール３５．９ｇ（０．３
８モル）と３５％塩酸７１．７ｇを仕込み、反応容器内
を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。 【００５１】１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）―４−イソプロピルシクロ
ヘキサン６０ｇ（０．１９モル、ガスクロマトグラフィ
ー二より純度９８．１％）をフェノール１０７．７ｇ
（１．１５モル）に加えて、スラリーを調製した。上記
フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、このスラリ
ーを２時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を６０℃
に昇温して、更に、２２時間、撹拌下に反応を行った。 【００５２】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去し
て、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を
濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シク
ロヘキサンの粗結晶４８．４ｇ（純度９８．５％）を得
た。 【００５３】この粗結晶に更にメタノールを加え、晶析
濾過し、得られた晶析物を乾燥して、純度９９．５％の
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシク
ロヘキシル）〕シクロヘキサンの精製物３３．８ｇを白
色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）
−（４−ヒドロキシフェニル）―４―イソプロピルシク
ロヘキサンに対する収率は３７．１モル％であった。 【００５４】融点（示差熱分析法）：２６３℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：４８４ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３２６４．３ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４８．４ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００５５】 【化９】 【００５６】 【表４】【００５７】参考例２ （１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−４−エチルシクロヘキサンの製造 ４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビスフェ
ノール１００ｇ（０．３３３モル）、酢酸エチル１５０
ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジウム５重量
％とをカーボン粉末に担持させてなるナトリウム含有パ
ラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥重量換算
量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕込み、系
内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）を開放し
て、圧力を０ＭＰａとした。 【００５８】オートクレーブを密閉し、内温を１３０℃
まで昇温した後、オートクレーブ内に水素を０．４ＭＰ
ａまで導入し、その後、水素圧力をこの圧力に保つよう
に水素を適宣、系内に補充しながら、４，４’−（４−
エチルシクロヘキシリデン）ビスフェノールの水素化を
行い、系内での水素の吸収が止んだ時点（反応の開始か
ら４時間、理論水素吸収量の９８％）で反応を終了し
た。その結果、原料の転化率は９６．７％、目的物の選
択率は８５．８％であった。 【００５９】反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒
素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド１００ｇを加
えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出し
た結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキ
シル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−エチ
ルシクロヘキサン６１．０ｇ（純度９７．９％）を得
た。４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビス
フェノールに対する収率５８．９％であった。 【００６０】融点（光透過法）：１５６．３℃ 分子量（質量分析法）：３００（Ｍ+） 赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）： ３４４９、１６９３、１５１５、１２７０ プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶
媒ＤＭＳＯ−ｄ6 ） 【００６１】 【化１０】 【００６２】 【表５】 【００６３】実施例４ （１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−
（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの製
造） 温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ
容量の四つ口フラスコに２，６−ジメチルフェノール３
６．６ｇ（０．３モル）を仕込み、反応容器内を窒素置
換した後、常圧下、温度５０℃に昇温した。これに乾燥
塩化水素ガスを吹き込みながら、１−（４−オキソシク
ロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−
エチルシクロヘキサン４５．０ｇ（０．１５モル、ガス
クロマトグラフィーによる純度９７．９％）を２，６−
ジメチルフェノール１０９．８ｇ（０．９モル）に加え
て調製したスラリーを上記フラスコ内に攪拌下、５０℃
を保ちながら、２時間かけて滴下した。滴下終了後、温
度４０℃において、更に、２０時間、撹拌下に反応を行
った。 【００６４】反応終了後、得られたスラリー状の反応混
合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチ
ルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応
生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合
物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油
層から減圧下にメチルイソブチルケトンと２，６−ジメ
チルフェノールとを留去して、蒸留残留物を得た。これ
にメタノールと酢酸ブチルとの混合溶液を加えて、溶解
させ、得られた溶液を冷却し、晶析濾過し得られた晶析
物を濾取、乾燥して、目的とする１，１−ビス（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−
（４−ヒドロキシフェニル）−（４−エチルシクロヘキ
シル）〕シクロヘキサンの粗結晶３０．６ｇ（純度９
１．３％）を得た。 【００６５】この粗結晶に更にメタノールと酢酸ブチル
との混合溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾
燥して、純度９７．７％の１，１−ビス（３，５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−１−（４−エチルシクロヘキシ
ル）〕シクロヘキサンの精製物１８．２ｇを白色結晶と
して得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−
（４−ヒドロキシフェニル）−４―エチルシクロヘキサ
ンに対する収率は２３．０モル％であった。 【００６６】融点（示差熱分析法）：２４４℃、２６１
℃ 分子量（質量分析法、Ｍ+）：５２６ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）： 水酸基：３５７７．７ｃｍ-1 ベンゼン環：１６１４．３〜１５１５．０ｃｍ-1 シクロヘキサン環：１４４７．５ｃｍ-1 プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）： 【００６７】 【化１１】 【００６８】 【表６】
フロントページの続き
(72)発明者 河原 巳紀夫
和歌山市小雑賀二丁目５番115号 本州化
学工業株式会社総合研究所内
(72)発明者 江川 健志
和歌山市小雑賀二丁目５番115号 本州化
学工業株式会社総合研究所内
(72)発明者 硲 美和
和歌山市小雑賀二丁目５番115号 本州化
学工業株式会社総合研究所内
Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB46 AB84 FC52 FE13
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示
し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、ｐは
４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜３
の整数を示す。）で表される４−置換シクロヘキシリデ
ンビスフェノール類。
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|---|---|---|---|
| JP2001346055A JP4022388B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001346055A JP4022388B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4022388B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011207785A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sagami Chemical Research Institute | ４−シクロペンチルシクロヘキサノン誘導体及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2001346055A patent/JP4022388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011207785A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sagami Chemical Research Institute | ４−シクロペンチルシクロヘキサノン誘導体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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