JP2003146660A - 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子 - Google Patents

強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子

Info

Publication number
JP2003146660A
JP2003146660A JP2001346939A JP2001346939A JP2003146660A JP 2003146660 A JP2003146660 A JP 2003146660A JP 2001346939 A JP2001346939 A JP 2001346939A JP 2001346939 A JP2001346939 A JP 2001346939A JP 2003146660 A JP2003146660 A JP 2003146660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ferroelectric
tio
lead
sntio
site
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001346939A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2003146660A5 (de
Inventor
Yoshinori Konishi
義則 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2001346939A priority Critical patent/JP2003146660A/ja
Publication of JP2003146660A publication Critical patent/JP2003146660A/ja
Publication of JP2003146660A5 publication Critical patent/JP2003146660A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
JP2001346939A 2001-11-13 2001-11-13 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子 Pending JP2003146660A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001346939A JP2003146660A (ja) 2001-11-13 2001-11-13 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001346939A JP2003146660A (ja) 2001-11-13 2001-11-13 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003146660A true JP2003146660A (ja) 2003-05-21
JP2003146660A5 JP2003146660A5 (de) 2005-07-14

Family

ID=19160015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001346939A Pending JP2003146660A (ja) 2001-11-13 2001-11-13 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003146660A (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100463180C (zh) * 2004-01-20 2009-02-18 精工爱普生株式会社 铁电体膜、铁电存储器、以及压电元件
US7595975B2 (en) 2006-07-07 2009-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic, ceramic electronic element, and multilayer ceramic capacitor
JP2010163321A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP2011513191A (ja) * 2008-03-11 2011-04-28 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン 新しい種類の純粋圧電物質
WO2012073465A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 富士フイルム株式会社 静電誘導型変換素子
WO2012105187A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 富士フイルム株式会社 静電容量変化型発電素子
JP2015010026A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社村田製作所 誘電体セラミックの製造方法および誘電体セラミック
JP2016150262A (ja) * 2015-02-16 2016-08-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 光触媒含有混合粉末、その製造方法及び水素発生方法
JP2021522158A (ja) * 2018-05-04 2021-08-30 マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオMax−Planck−Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften e.V. SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100463180C (zh) * 2004-01-20 2009-02-18 精工爱普生株式会社 铁电体膜、铁电存储器、以及压电元件
US7595975B2 (en) 2006-07-07 2009-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic, ceramic electronic element, and multilayer ceramic capacitor
JP2011513191A (ja) * 2008-03-11 2011-04-28 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン 新しい種類の純粋圧電物質
US8248753B2 (en) 2009-01-16 2012-08-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor
JP2010163321A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
WO2012073465A1 (ja) * 2010-12-03 2012-06-07 富士フイルム株式会社 静電誘導型変換素子
JP2012120388A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Fujifilm Corp 静電誘導型変換素子
WO2012105187A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 富士フイルム株式会社 静電容量変化型発電素子
JP2015010026A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 株式会社村田製作所 誘電体セラミックの製造方法および誘電体セラミック
JP2016150262A (ja) * 2015-02-16 2016-08-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 光触媒含有混合粉末、その製造方法及び水素発生方法
JP2021522158A (ja) * 2018-05-04 2021-08-30 マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオMax−Planck−Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften e.V. SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス
US11787702B2 (en) 2018-05-04 2023-10-17 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. SnTiO3 material, method of preparation thereof, use thereof as ferroelectric material and device comprising a ferroelectric material
JP7408636B2 (ja) 2018-05-04 2024-01-05 マックス-プランク-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ SnTiO3材料、その調製方法、強誘電体材料としてのその使用及び強誘電体材料を含むデバイス

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6172385B1 (en) Multilayer ferroelectric capacitor structure
US9543501B2 (en) Metal oxide
US6352866B1 (en) Method for improving the sidewall stoichiometry of thin film capacitors
KR20010031913A (ko) 유전체 소자와 그 제조 방법
KR19990013720A (ko) 강유전체 캐패시터와 그 제조 방법 및 그 캐패시터를이용한 메모리셀
JP2017059751A (ja) 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法
Talanov et al. Effects of crystal chemistry and local random fields on relaxor and piezoelectric behavior of lead-oxide perovskites
US7095067B2 (en) Oxidation-resistant conducting perovskites
JP2003146660A (ja) 強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子
EP0957516A1 (de) Herstellungsverfahren eines oxiddielektrikumbauelement, sowie speicher und dieses bauelement verwendende halbleiterbauteil
US6258655B1 (en) Method for improving the resistance degradation of thin film capacitors
JPWO2004077562A1 (ja) 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット
CN114388693A (zh) 电介质材料以及包括其的器件和存储设备
JP2676304B2 (ja) 強誘電体薄膜作製方法
US20220293766A1 (en) Semiconducting Ferroelectric Device
JP2003146660A5 (de)
JPH11261029A (ja) 層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を有する電子部品
JP2000173349A (ja) 誘電体薄膜とその製法およびコンデンサ
JP2005216951A (ja) 層状反強誘電体、キャパシタとメモリ及びそれらの製造方法
JP4058843B2 (ja) セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP3480767B2 (ja) 薄膜キャパシタ
JP3267278B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100637770B1 (ko) 강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법
JPH0624222B2 (ja) 薄膜コンデンサの製造方法
JPH0717713A (ja) 高誘電率薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041115

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041115

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060703

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060704

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070828

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080212