JP2003143847A - スイッチング電源装置 - Google Patents
スイッチング電源装置Info
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- JP2003143847A JP2003143847A JP2001331792A JP2001331792A JP2003143847A JP 2003143847 A JP2003143847 A JP 2003143847A JP 2001331792 A JP2001331792 A JP 2001331792A JP 2001331792 A JP2001331792 A JP 2001331792A JP 2003143847 A JP2003143847 A JP 2003143847A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な効率を維持しつつ、低ノイズでしかも
装置の小型化を図る。 【解決手段】 スイッチング制御回路12は、FET4
をオン状態に制御してトランス2の二次巻線2bに誘起
した電圧に基づく電流I2をコンデンサ9に供給させ、
その後にFET4をオフ状態にしてチョークコイル7か
らその蓄積エネルギーを電流I3としてFET8を介し
てコンデンサ9に放出させると共にトランス2の残存エ
ネルギーを補助巻線2cを介してコンデンサ9に放出さ
せ、少なくとも両エネルギーの放出完了後に所定時間オ
ン状態が維持されるようにFET8を制御してコンデン
サ9から電流I3と逆向き経路で電流I5を放出させる
ことによってチョークコイル7にエネルギーを蓄積させ
た後、FET8をオフ状態にすることによってチョーク
コイル7の蓄積エネルギーに基づく電流I4をダイオー
ド10を介して補助巻線2cに供給中にFET4をオン
状態に制御する。
装置の小型化を図る。 【解決手段】 スイッチング制御回路12は、FET4
をオン状態に制御してトランス2の二次巻線2bに誘起
した電圧に基づく電流I2をコンデンサ9に供給させ、
その後にFET4をオフ状態にしてチョークコイル7か
らその蓄積エネルギーを電流I3としてFET8を介し
てコンデンサ9に放出させると共にトランス2の残存エ
ネルギーを補助巻線2cを介してコンデンサ9に放出さ
せ、少なくとも両エネルギーの放出完了後に所定時間オ
ン状態が維持されるようにFET8を制御してコンデン
サ9から電流I3と逆向き経路で電流I5を放出させる
ことによってチョークコイル7にエネルギーを蓄積させ
た後、FET8をオフ状態にすることによってチョーク
コイル7の蓄積エネルギーに基づく電流I4をダイオー
ド10を介して補助巻線2cに供給中にFET4をオン
状態に制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチングによ
って直流電圧を生成するスイッチング電源装置に関し、
詳しくは、いわゆる同期整流方式によって入力直流から
直流電圧を生成するのに適したフォーワード型スイッチ
ング電源装置に関するものである。
って直流電圧を生成するスイッチング電源装置に関し、
詳しくは、いわゆる同期整流方式によって入力直流から
直流電圧を生成するのに適したフォーワード型スイッチ
ング電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種のフォーワード型スイッチング電
源装置(以下、「電源装置」ともいう)として、図5に
示す電源装置51が従来から知られている。この電源装
置51は、一次巻線52a、二次巻線52bおよび補助
巻線52cを有するトランス52を備えており、一次巻
線52aの一端は、この一端の極性に対して異極性とな
る補助巻線52cの一端に接続され、この接続点が中間
タップ52dとして形成されている。また、トランス5
2の一次巻線52a側には、一次巻線52aに直列接続
されると共に一対の入力端子3a,3bを介して入力さ
れる入力直流VINをスイッチングするnチャンネル型の
FET4と、カソード端子が補助巻線52cの他端に接
続されると共にアノード端子が一対の入力端子3a,3
bのうちのマイナス側の入力端子3bに接続されたダイ
オード53と、入力端子3a,3b間に接続されたコン
デンサ5と、スイッチング制御回路54とが配設されて
いる。また、一対の入力端子3a,3bのうちのプラス
側の入力端子3aは、中間タップ52dに接続されてい
る。さらに、トランス52の二次巻線52b側には、同
期整流用のnチャンネル型のFET6,8がそれぞれ配
設され、両FET6,8のドレイン端子側には、チョー
クコイル7および平滑用のコンデンサ9からなる平滑回
路が配設されている。また、コンデンサ9の各端部に
は、出力端子11a,11bがそれぞれ接続されてい
る。
源装置(以下、「電源装置」ともいう)として、図5に
示す電源装置51が従来から知られている。この電源装
置51は、一次巻線52a、二次巻線52bおよび補助
巻線52cを有するトランス52を備えており、一次巻
線52aの一端は、この一端の極性に対して異極性とな
る補助巻線52cの一端に接続され、この接続点が中間
タップ52dとして形成されている。また、トランス5
2の一次巻線52a側には、一次巻線52aに直列接続
されると共に一対の入力端子3a,3bを介して入力さ
れる入力直流VINをスイッチングするnチャンネル型の
FET4と、カソード端子が補助巻線52cの他端に接
続されると共にアノード端子が一対の入力端子3a,3
bのうちのマイナス側の入力端子3bに接続されたダイ
オード53と、入力端子3a,3b間に接続されたコン
デンサ5と、スイッチング制御回路54とが配設されて
いる。また、一対の入力端子3a,3bのうちのプラス
側の入力端子3aは、中間タップ52dに接続されてい
る。さらに、トランス52の二次巻線52b側には、同
期整流用のnチャンネル型のFET6,8がそれぞれ配
設され、両FET6,8のドレイン端子側には、チョー
クコイル7および平滑用のコンデンサ9からなる平滑回
路が配設されている。また、コンデンサ9の各端部に
は、出力端子11a,11bがそれぞれ接続されてい
る。
【0003】この電源装置51では、FET4,6が、
スイッチング制御回路54から出力されたスイッチング
信号S1に従ってスイッチング動作を継続する。また、
FET8が、スイッチング制御回路54から出力された
スイッチング信号S2に従って、FET4,6がオン状
態のときにオフ状態、FET4,6がオフ状態のときに
オン状態というように、スイッチング動作を継続する。
この状態において、FET4がスイッチング信号S1に
従ってオン状態に制御された際には、入力端子3a、中
間タップ52d、一次巻線52a、FET4および入力
端子3bからなる経路Jを電流I1が流れ、これによ
り、トランス52の二次巻線52bに誘起電圧が発生す
る。この場合、FET6もFET4に同期してオン状態
に制御され、FET8はオフ状態に制御されている。こ
のため、二次巻線52bの誘起電圧に基づいて、FET
6、チョークコイル7、コンデンサ9および二次巻線5
2bからなる経路Kを電流I2が流れ、これにより、コ
ンデンサ9にエネルギーが蓄積される。
スイッチング制御回路54から出力されたスイッチング
信号S1に従ってスイッチング動作を継続する。また、
FET8が、スイッチング制御回路54から出力された
スイッチング信号S2に従って、FET4,6がオン状
態のときにオフ状態、FET4,6がオフ状態のときに
オン状態というように、スイッチング動作を継続する。
この状態において、FET4がスイッチング信号S1に
従ってオン状態に制御された際には、入力端子3a、中
間タップ52d、一次巻線52a、FET4および入力
端子3bからなる経路Jを電流I1が流れ、これによ
り、トランス52の二次巻線52bに誘起電圧が発生す
る。この場合、FET6もFET4に同期してオン状態
に制御され、FET8はオフ状態に制御されている。こ
のため、二次巻線52bの誘起電圧に基づいて、FET
6、チョークコイル7、コンデンサ9および二次巻線5
2bからなる経路Kを電流I2が流れ、これにより、コ
ンデンサ9にエネルギーが蓄積される。
【0004】次いで、スイッチング信号S1に従ってF
ET4,6がオフ状態に制御されると共に、スイッチン
グ信号S2に従ってFET8がオン状態に制御される。
この際には、チョークコイル7の蓄積エネルギーに基づ
いて、コンデンサ9、FET8およびチョークコイル7
からなる経路Lを電流(フライホイール(転流)電流)
I3が流れ、これにより、コンデンサ9にエネルギーが
蓄積される。以上のように、FET4,6のオン期間お
よびオフ期間の双方の期間において、コンデンサ9にエ
ネルギーが蓄積されることによって出力電圧Voが生成
される。この場合、スイッチング制御回路54は、出力
電圧Voに応じてスイッチング信号S1のデューティ比
を制御することにより、出力電圧Voを所定電圧に安定
化する。一方、FET4がオフ状態に制御されると、補
助巻線52cには、その他端側に対して一端側が高電位
となる誘起電圧が発生する。このため、この補助巻線5
2cの誘起電圧に基づいて、中間タップ52d、コンデ
ンサ5、ダイオード53および補助巻線52cからなる
経路Sを電流I51が流れ、トランス52の残存エネル
ギーが放出される(トランス52が磁気リセットされ
る)。
ET4,6がオフ状態に制御されると共に、スイッチン
グ信号S2に従ってFET8がオン状態に制御される。
この際には、チョークコイル7の蓄積エネルギーに基づ
いて、コンデンサ9、FET8およびチョークコイル7
からなる経路Lを電流(フライホイール(転流)電流)
I3が流れ、これにより、コンデンサ9にエネルギーが
蓄積される。以上のように、FET4,6のオン期間お
よびオフ期間の双方の期間において、コンデンサ9にエ
ネルギーが蓄積されることによって出力電圧Voが生成
される。この場合、スイッチング制御回路54は、出力
電圧Voに応じてスイッチング信号S1のデューティ比
を制御することにより、出力電圧Voを所定電圧に安定
化する。一方、FET4がオフ状態に制御されると、補
助巻線52cには、その他端側に対して一端側が高電位
となる誘起電圧が発生する。このため、この補助巻線5
2cの誘起電圧に基づいて、中間タップ52d、コンデ
ンサ5、ダイオード53および補助巻線52cからなる
経路Sを電流I51が流れ、トランス52の残存エネル
ギーが放出される(トランス52が磁気リセットされ
る)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
電源装置51には、以下の問題点がある。すなわち、こ
の電源装置51では、トランス52をリセットする際
に、トランス52に一旦蓄積されたエネルギーを入力側
(一次回路側)に戻すことになるため、その分だけ効率
が低下するという問題点がある。また、経路L内にチョ
ークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流が流れてい
る間(FET8がオン状態のとき)にFET4,6をオ
フ状態からオン状態に移行させるため、一時的に二次巻
線52bが短絡状態となる結果、FET4,6,8にお
けるスイッチング損失が増大する結果、効率が低下する
という問題点がある。また、FET4がオフ状態からオ
ン状態に移行する際に、FET4の寄生容量4bに蓄積
されたエネルギーを短絡することになるため、瞬間的に
大電流が流れてスイッチング損失が生じると共に、大き
なノイズも発生するという問題点がある。
電源装置51には、以下の問題点がある。すなわち、こ
の電源装置51では、トランス52をリセットする際
に、トランス52に一旦蓄積されたエネルギーを入力側
(一次回路側)に戻すことになるため、その分だけ効率
が低下するという問題点がある。また、経路L内にチョ
ークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流が流れてい
る間(FET8がオン状態のとき)にFET4,6をオ
フ状態からオン状態に移行させるため、一時的に二次巻
線52bが短絡状態となる結果、FET4,6,8にお
けるスイッチング損失が増大する結果、効率が低下する
という問題点がある。また、FET4がオフ状態からオ
ン状態に移行する際に、FET4の寄生容量4bに蓄積
されたエネルギーを短絡することになるため、瞬間的に
大電流が流れてスイッチング損失が生じると共に、大き
なノイズも発生するという問題点がある。
【0006】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、良好な効率を維持しつつ、低ノイズでしか
も装置の小型化を図り得るスイッチング電源装置を提供
することを主目的とする。
ものであり、良好な効率を維持しつつ、低ノイズでしか
も装置の小型化を図り得るスイッチング電源装置を提供
することを主目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明に係るスイッチング電源装置は、一次巻線および二
次巻線を有する第1トランスと、前記一次巻線に直列接
続されると共に入力直流をスイッチングする第1スイッ
チング素子と、前記一次巻線および前記第1スイッチン
グ素子の直列回路に並列接続された第1蓄電素子と、前
記第1スイッチング素子のスイッチング動作を制御する
スイッチング制御回路とを備え、整流用半導体素子、平
滑用のインダクタ、および平滑用の第2蓄電素子を少な
くとも直列接続した直列回路が前記二次巻線の両端間に
接続されると共に転流電流を通過させる転流電流通過回
路が当該インダクタおよび当該第2蓄電素子の直列回路
に並列接続されているフォワード型のスイッチング電源
装置であって、前記第1トランスに形成されると共に前
記第1スイッチング素子のオン期間に誘起電圧が誘起し
た際に一方の端子に対して負電圧となる他方の端子が前
記インダクタにおける前記転流電流の出力側の一端に接
続された補助巻線と、前記インダクタの他端から前記補
助巻線における前記一方の端子に向かう電流を通過させ
その逆向き電流の通過を阻止する第1一方向性素子とを
備え、前記転流電流通過回路は、少なくとも、オン状態
に移行した際に前記転流電流の向きと逆向き電流の通過
を許容する第2スイッチング素子を備えて構成され、前
記スイッチング制御回路は、前記第1スイッチング素子
をオン状態に制御して前記第1トランスの前記二次巻線
に誘起した電圧に基づく電流を前記整流用半導体素子お
よび前記インダクタを介して前記第2蓄電素子に供給さ
せ、その後に当該第1スイッチング素子をオフ状態に制
御して前記インダクタからその蓄積エネルギーを前記転
流電流として前記転流電流通過回路を介して前記第2蓄
電素子に放出させると共に前記第1トランスの残存エネ
ルギーを前記補助巻線を介して当該第2蓄電素子に放出
させ、少なくとも当該両エネルギーの放出完了後に所定
時間オン状態が維持されるように前記第2スイッチング
素子を制御して前記第2蓄電素子から前記転流電流と逆
向き経路で電流を放出させることによって前記インダク
タにエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチング
素子をオフ状態に制御することによって当該インダクタ
の蓄積エネルギーに基づく電流を前記第1一方向性素子
を介して前記補助巻線に供給中に前記第1スイッチング
素子をオン状態に制御する。
発明に係るスイッチング電源装置は、一次巻線および二
次巻線を有する第1トランスと、前記一次巻線に直列接
続されると共に入力直流をスイッチングする第1スイッ
チング素子と、前記一次巻線および前記第1スイッチン
グ素子の直列回路に並列接続された第1蓄電素子と、前
記第1スイッチング素子のスイッチング動作を制御する
スイッチング制御回路とを備え、整流用半導体素子、平
滑用のインダクタ、および平滑用の第2蓄電素子を少な
くとも直列接続した直列回路が前記二次巻線の両端間に
接続されると共に転流電流を通過させる転流電流通過回
路が当該インダクタおよび当該第2蓄電素子の直列回路
に並列接続されているフォワード型のスイッチング電源
装置であって、前記第1トランスに形成されると共に前
記第1スイッチング素子のオン期間に誘起電圧が誘起し
た際に一方の端子に対して負電圧となる他方の端子が前
記インダクタにおける前記転流電流の出力側の一端に接
続された補助巻線と、前記インダクタの他端から前記補
助巻線における前記一方の端子に向かう電流を通過させ
その逆向き電流の通過を阻止する第1一方向性素子とを
備え、前記転流電流通過回路は、少なくとも、オン状態
に移行した際に前記転流電流の向きと逆向き電流の通過
を許容する第2スイッチング素子を備えて構成され、前
記スイッチング制御回路は、前記第1スイッチング素子
をオン状態に制御して前記第1トランスの前記二次巻線
に誘起した電圧に基づく電流を前記整流用半導体素子お
よび前記インダクタを介して前記第2蓄電素子に供給さ
せ、その後に当該第1スイッチング素子をオフ状態に制
御して前記インダクタからその蓄積エネルギーを前記転
流電流として前記転流電流通過回路を介して前記第2蓄
電素子に放出させると共に前記第1トランスの残存エネ
ルギーを前記補助巻線を介して当該第2蓄電素子に放出
させ、少なくとも当該両エネルギーの放出完了後に所定
時間オン状態が維持されるように前記第2スイッチング
素子を制御して前記第2蓄電素子から前記転流電流と逆
向き経路で電流を放出させることによって前記インダク
タにエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチング
素子をオフ状態に制御することによって当該インダクタ
の蓄積エネルギーに基づく電流を前記第1一方向性素子
を介して前記補助巻線に供給中に前記第1スイッチング
素子をオン状態に制御する。
【0008】また、本発明に係るスイッチング電源装置
は、上記スイッチング電源装置において、前記インダク
タの前記一端および前記他端の間に第1巻線が接続され
ると共に当該インダクタの当該一端および前記第1一方
向性素子の間に前記第1巻線と同極性で第2巻線が接続
された第2トランスを備え、前記スイッチング制御回路
は、前記所定時間オン状態が維持されるように前記第2
スイッチング素子を制御して前記第2蓄電素子から前記
インダクタおよび前記第1巻線を介して前記転流電流と
逆向き経路で電流を放出させることによって当該インダ
クタおよび当該第2トランスにエネルギーを蓄積させた
後、当該第2スイッチング素子をオフ状態に制御するこ
とによって当該インダクタおよび当該第2トランスの蓄
積エネルギーに基づく電流を前記第2巻線および前記第
1一方向性素子を介して前記補助巻線に供給中に前記第
1スイッチング素子をオン状態に制御する。
は、上記スイッチング電源装置において、前記インダク
タの前記一端および前記他端の間に第1巻線が接続され
ると共に当該インダクタの当該一端および前記第1一方
向性素子の間に前記第1巻線と同極性で第2巻線が接続
された第2トランスを備え、前記スイッチング制御回路
は、前記所定時間オン状態が維持されるように前記第2
スイッチング素子を制御して前記第2蓄電素子から前記
インダクタおよび前記第1巻線を介して前記転流電流と
逆向き経路で電流を放出させることによって当該インダ
クタおよび当該第2トランスにエネルギーを蓄積させた
後、当該第2スイッチング素子をオフ状態に制御するこ
とによって当該インダクタおよび当該第2トランスの蓄
積エネルギーに基づく電流を前記第2巻線および前記第
1一方向性素子を介して前記補助巻線に供給中に前記第
1スイッチング素子をオン状態に制御する。
【0009】さらに、本発明に係るスイッチング電源装
置は、一次巻線および二次巻線を有する第1トランス
と、前記一次巻線に直列接続されると共に入力直流をス
イッチングする第1スイッチング素子と、前記一次巻線
および前記第1スイッチング素子の直列回路に並列接続
された第1蓄電素子と、前記第1スイッチング素子のス
イッチング動作を制御するスイッチング制御回路とを備
え、整流用半導体素子、平滑用のインダクタ、および平
滑用の第2蓄電素子を少なくとも直列接続した直列回路
が前記二次巻線の両端間に接続されると共に転流電流を
通過させる転流電流通過回路が当該インダクタおよび当
該第2蓄電素子の直列回路に並列接続されているフォワ
ード型のスイッチング電源装置であって、前記第1トラ
ンスに形成されると共に前記第1スイッチング素子のオ
ン期間に誘起電圧が誘起した際に一方の端子に対して負
電圧となる他方の端子が前記インダクタにおける前記転
流電流の出力側の一端に接続された補助巻線と、前記イ
ンダクタの他端から前記補助巻線における前記一方の端
子に向かう電流を通過させその逆向き電流の通過を阻止
する第1一方向性素子と、前記インダクタとしての第1
巻線、並びに前記インダクタの前記一端としての前記第
1巻線の一端に互いに同極性となる一端が接続される共
に他端が前記第1一方向性素子に接続された第2巻線を
有する第2トランスとを備え、前記転流電流通過回路
は、少なくとも、オン状態に移行した際に前記転流電流
の向きと逆向き電流の通過を許容する第2スイッチング
素子を備えて構成され、前記スイッチング制御回路は、
前記第1スイッチング素子をオン状態に制御して前記第
1トランスの前記二次巻線に誘起した電圧に基づく電流
を前記整流用半導体素子および前記インダクタを介して
前記第2蓄電素子に供給させ、その後に当該第1スイッ
チング素子をオフ状態に制御して前記第1巻線から前記
第2トランスの蓄積エネルギーを前記転流電流として前
記転流電流通過回路を介して前記第2蓄電素子に放出さ
せると共に前記第1トランスの残存エネルギーを前記補
助巻線を介して当該第2蓄電素子に放出させ、少なくと
も当該両エネルギーの放出完了後に所定時間オン状態が
維持されるように前記第2スイッチング素子を制御して
前記第2蓄電素子から前記転流電流と逆向き経路で前記
第1巻線に電流を放出させることによって前記第2トラ
ンスにエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチン
グ素子をオフ状態に制御することによって当該第2トラ
ンスの蓄積エネルギーに基づく電流を前記第2巻線およ
び前記第1一方向性素子を介して前記補助巻線に供給中
に前記第1スイッチング素子をオン状態に制御する。
置は、一次巻線および二次巻線を有する第1トランス
と、前記一次巻線に直列接続されると共に入力直流をス
イッチングする第1スイッチング素子と、前記一次巻線
および前記第1スイッチング素子の直列回路に並列接続
された第1蓄電素子と、前記第1スイッチング素子のス
イッチング動作を制御するスイッチング制御回路とを備
え、整流用半導体素子、平滑用のインダクタ、および平
滑用の第2蓄電素子を少なくとも直列接続した直列回路
が前記二次巻線の両端間に接続されると共に転流電流を
通過させる転流電流通過回路が当該インダクタおよび当
該第2蓄電素子の直列回路に並列接続されているフォワ
ード型のスイッチング電源装置であって、前記第1トラ
ンスに形成されると共に前記第1スイッチング素子のオ
ン期間に誘起電圧が誘起した際に一方の端子に対して負
電圧となる他方の端子が前記インダクタにおける前記転
流電流の出力側の一端に接続された補助巻線と、前記イ
ンダクタの他端から前記補助巻線における前記一方の端
子に向かう電流を通過させその逆向き電流の通過を阻止
する第1一方向性素子と、前記インダクタとしての第1
巻線、並びに前記インダクタの前記一端としての前記第
1巻線の一端に互いに同極性となる一端が接続される共
に他端が前記第1一方向性素子に接続された第2巻線を
有する第2トランスとを備え、前記転流電流通過回路
は、少なくとも、オン状態に移行した際に前記転流電流
の向きと逆向き電流の通過を許容する第2スイッチング
素子を備えて構成され、前記スイッチング制御回路は、
前記第1スイッチング素子をオン状態に制御して前記第
1トランスの前記二次巻線に誘起した電圧に基づく電流
を前記整流用半導体素子および前記インダクタを介して
前記第2蓄電素子に供給させ、その後に当該第1スイッ
チング素子をオフ状態に制御して前記第1巻線から前記
第2トランスの蓄積エネルギーを前記転流電流として前
記転流電流通過回路を介して前記第2蓄電素子に放出さ
せると共に前記第1トランスの残存エネルギーを前記補
助巻線を介して当該第2蓄電素子に放出させ、少なくと
も当該両エネルギーの放出完了後に所定時間オン状態が
維持されるように前記第2スイッチング素子を制御して
前記第2蓄電素子から前記転流電流と逆向き経路で前記
第1巻線に電流を放出させることによって前記第2トラ
ンスにエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチン
グ素子をオフ状態に制御することによって当該第2トラ
ンスの蓄積エネルギーに基づく電流を前記第2巻線およ
び前記第1一方向性素子を介して前記補助巻線に供給中
に前記第1スイッチング素子をオン状態に制御する。
【0010】この場合、前記第2スイッチング素子と、
当該第2スイッチング素子に等価的に並列接続されて前
記転流電流を通過させると共にその逆向き電流の通過を
阻止するダイオードとを備えて前記転流電流通過回路を
構成するのが好ましい。
当該第2スイッチング素子に等価的に並列接続されて前
記転流電流を通過させると共にその逆向き電流の通過を
阻止するダイオードとを備えて前記転流電流通過回路を
構成するのが好ましい。
【0011】また、前記第1スイッチング素子に等価的
に並列接続されて当該第1スイッチング素子がオン状態
のときに前記一次巻線を流れる電流と逆向き電流の通過
を許容する第2一方向性素子を備えるのが好ましい。
に並列接続されて当該第1スイッチング素子がオン状態
のときに前記一次巻線を流れる電流と逆向き電流の通過
を許容する第2一方向性素子を備えるのが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るスイッチング電源装置の好適な実施の形態につ
いて説明する。なお、従来の電源回路51と同一の構成
要素については、同一の符号を付して重複した説明を省
略する。
明に係るスイッチング電源装置の好適な実施の形態につ
いて説明する。なお、従来の電源回路51と同一の構成
要素については、同一の符号を付して重複した説明を省
略する。
【0013】図1に示すように、電源装置1は、フォワ
ード型のDC/DCコンバータであって、トランス2、
一対の入力端子3a,3b、FET4、コンデンサ5、
FET6、チョークコイル7、FET8、コンデンサ
9、ダイオード10、一対の出力端子11a,11b、
およびスイッチング制御回路12を備えている。
ード型のDC/DCコンバータであって、トランス2、
一対の入力端子3a,3b、FET4、コンデンサ5、
FET6、チョークコイル7、FET8、コンデンサ
9、ダイオード10、一対の出力端子11a,11b、
およびスイッチング制御回路12を備えている。
【0014】トランス2は、本発明における第1トラン
スに相当し、互いに独立して形成された一次巻線2a、
二次巻線2bおよび補助巻線2cを備えている。この場
合、補助巻線2cは、その巻始め側端子(・印が付され
た側の端子)がダイオード10のカソードに接続され、
その巻き終わり側端子(FET4のオン期間に誘起電圧
が誘起した際に巻始め側端子に対して負電圧となる端
子)がチョークコイル7のフライホイール(転流)電流
の出力側の一端に接続されている。FET4は、nチャ
ンネル型のFETで構成され、一次巻線2aに直列接続
されて本発明における第1スイッチング素子として機能
する。具体的には、FET4は、そのドレイン端子が一
次巻線2aに接続され、そのソース端子が入力端子(マ
イナス側端子)3bに接続されている。また、ダイオー
ド4aは、FET4に等価的に並列接続されたFET4
のボディダイオードであって、本発明における第2一方
向性素子として機能し、FET4のオン期間において入
力直流VINに基づいてトランス2の一次巻線2aに流れ
る電流と逆向き電流の通過を許容し、FET4のオフ期
間において入力直流VINに基づく電流の一次巻線2aへ
の流入を阻止する。なお、ダイオード4aは、特に、F
ET4に代えてトランジスタを用いるときには、FET
4のボディダイオードに代えて別個独立したダイオード
で構成することもできる。また、コンデンサ4bは、F
ET4に等価的に並列接続されたFET4の寄生容量で
構成され、別個独立したコンデンサで構成することもで
きる。コンデンサ5は、一次巻線2aおよびFET4の
直列回路に並列接続されている。このコンデンサ5は、
本発明における第1蓄電素子に相当し、ゼロボルトスイ
ッチ動作を行うための電流ループをトランス2の一次回
路側に形成する機能を有している。したがって、コンデ
ンサ5は、その機能を実現できる程度の小容量コンデン
サで構成されている。
スに相当し、互いに独立して形成された一次巻線2a、
二次巻線2bおよび補助巻線2cを備えている。この場
合、補助巻線2cは、その巻始め側端子(・印が付され
た側の端子)がダイオード10のカソードに接続され、
その巻き終わり側端子(FET4のオン期間に誘起電圧
が誘起した際に巻始め側端子に対して負電圧となる端
子)がチョークコイル7のフライホイール(転流)電流
の出力側の一端に接続されている。FET4は、nチャ
ンネル型のFETで構成され、一次巻線2aに直列接続
されて本発明における第1スイッチング素子として機能
する。具体的には、FET4は、そのドレイン端子が一
次巻線2aに接続され、そのソース端子が入力端子(マ
イナス側端子)3bに接続されている。また、ダイオー
ド4aは、FET4に等価的に並列接続されたFET4
のボディダイオードであって、本発明における第2一方
向性素子として機能し、FET4のオン期間において入
力直流VINに基づいてトランス2の一次巻線2aに流れ
る電流と逆向き電流の通過を許容し、FET4のオフ期
間において入力直流VINに基づく電流の一次巻線2aへ
の流入を阻止する。なお、ダイオード4aは、特に、F
ET4に代えてトランジスタを用いるときには、FET
4のボディダイオードに代えて別個独立したダイオード
で構成することもできる。また、コンデンサ4bは、F
ET4に等価的に並列接続されたFET4の寄生容量で
構成され、別個独立したコンデンサで構成することもで
きる。コンデンサ5は、一次巻線2aおよびFET4の
直列回路に並列接続されている。このコンデンサ5は、
本発明における第1蓄電素子に相当し、ゼロボルトスイ
ッチ動作を行うための電流ループをトランス2の一次回
路側に形成する機能を有している。したがって、コンデ
ンサ5は、その機能を実現できる程度の小容量コンデン
サで構成されている。
【0015】FET6は、nチャンネル型のFETで構
成され、そのボディダイオードであるダイオード6aと
共に本発明における整流用半導体素子として機能する。
この場合、FET6は、そのソース端子が二次巻線2b
の一端(FET4のオン期間に誘起電圧が誘起した際に
他端に対して高電圧となる端部)に接続され、そのドレ
イン端子がチョークコイル7に接続されている。チョー
クコイル7は、本発明におけるインダクタとして機能
し、その一端が出力端子(プラス側端子)11aに接続
されている。FET8は、nチャンネル型のFETで構
成され、本発明における第2スイッチング素子として機
能する。また、FET8は、寄生容量としてのコンデン
サ8bを有し、そのドレイン端子がチョークコイル7の
他端に接続され、そのソース端子が二次巻線2bおよび
出力端子(マイナス側端子)11bに接続されている。
また、ダイオード8aは、FET8に等価的に並列接続
されたFET8のボディダイオードであって、FET8
本体と共に本発明における転流電流通過回路として機能
する。なお、ダイオード8aは、特に、FET8に代え
てトランジスタを用いるときには、FET8のボディダ
イオードに代えて別個独立したダイオードで構成するこ
ともできる。
成され、そのボディダイオードであるダイオード6aと
共に本発明における整流用半導体素子として機能する。
この場合、FET6は、そのソース端子が二次巻線2b
の一端(FET4のオン期間に誘起電圧が誘起した際に
他端に対して高電圧となる端部)に接続され、そのドレ
イン端子がチョークコイル7に接続されている。チョー
クコイル7は、本発明におけるインダクタとして機能
し、その一端が出力端子(プラス側端子)11aに接続
されている。FET8は、nチャンネル型のFETで構
成され、本発明における第2スイッチング素子として機
能する。また、FET8は、寄生容量としてのコンデン
サ8bを有し、そのドレイン端子がチョークコイル7の
他端に接続され、そのソース端子が二次巻線2bおよび
出力端子(マイナス側端子)11bに接続されている。
また、ダイオード8aは、FET8に等価的に並列接続
されたFET8のボディダイオードであって、FET8
本体と共に本発明における転流電流通過回路として機能
する。なお、ダイオード8aは、特に、FET8に代え
てトランジスタを用いるときには、FET8のボディダ
イオードに代えて別個独立したダイオードで構成するこ
ともできる。
【0016】コンデンサ9は、本発明における第2蓄電
素子に相当し、その一端が出力端子11aに接続され、
その他端が出力端子11bに接続され、チョークコイル
7およびFET8と直列に接続されて本発明における直
列回路を構成する。ダイオード10は、本発明における
第1一方向性素子として機能し、そのカソード端子が補
助巻線2cの一端に接続され、そのアノード端子がチョ
ークコイル7の他端に接続されている。スイッチング制
御回路12は、所定の周期のパルス信号であるスイッチ
ング信号S1、およびスイッチング信号S1と同じ周期
で位相が異なる(スイッチング信号S1のローレベル期
間(FET4のオフ期間)中にハイレベル期間(FET
8のオン期間)となる)パルス信号であるスイッチング
信号S2を生成する。このスイッチング制御回路12
は、生成したスイッチング信号S1をFET4,6に出
力することにより、FET4,6のオン/オフ制御を行
うと共に、生成したスイッチング信号S2をFET8に
出力することにより、FET8のオン/オフ制御を行
う。
素子に相当し、その一端が出力端子11aに接続され、
その他端が出力端子11bに接続され、チョークコイル
7およびFET8と直列に接続されて本発明における直
列回路を構成する。ダイオード10は、本発明における
第1一方向性素子として機能し、そのカソード端子が補
助巻線2cの一端に接続され、そのアノード端子がチョ
ークコイル7の他端に接続されている。スイッチング制
御回路12は、所定の周期のパルス信号であるスイッチ
ング信号S1、およびスイッチング信号S1と同じ周期
で位相が異なる(スイッチング信号S1のローレベル期
間(FET4のオフ期間)中にハイレベル期間(FET
8のオン期間)となる)パルス信号であるスイッチング
信号S2を生成する。このスイッチング制御回路12
は、生成したスイッチング信号S1をFET4,6に出
力することにより、FET4,6のオン/オフ制御を行
うと共に、生成したスイッチング信号S2をFET8に
出力することにより、FET8のオン/オフ制御を行
う。
【0017】次に、この電源装置1の全体的な動作を図
1,2を参照して説明する。
1,2を参照して説明する。
【0018】この電源装置1では、図2に示すように、
FET4,6が、スイッチング制御回路12から出力さ
れたスイッチング信号S1に従ってスイッチング動作を
継続する。また、FET8が、同図に示すように、スイ
ッチング制御回路12から出力されたスイッチング信号
S2に従い、FET4,6がオン状態のときにオフ状
態、FET4,6がオフ状態のときにオン状態というよ
うに、スイッチング動作を継続する。
FET4,6が、スイッチング制御回路12から出力さ
れたスイッチング信号S1に従ってスイッチング動作を
継続する。また、FET8が、同図に示すように、スイ
ッチング制御回路12から出力されたスイッチング信号
S2に従い、FET4,6がオン状態のときにオフ状
態、FET4,6がオフ状態のときにオン状態というよ
うに、スイッチング動作を継続する。
【0019】この状態において、FET4がスイッチン
グ信号S1に従ってオン状態に制御された際には、入力
端子3a、一次巻線2a、FET4および入力端子3b
からなる経路Jを電流I1(図2参照)が流れ、これに
より、同図に示す時間T0〜T1の期間において、トラ
ンス2の二次巻線2bに誘起電圧が発生する。この場
合、FET6もFET4に同期してオン状態に移行し、
FET8はオフ状態に維持されている。このため、二次
巻線2bの誘起電圧に基づいて、FET6(およびFE
T6内のボディダイオードとしてのダイオード6a)、
チョークコイル7、コンデンサ9および二次巻線2bか
らなる経路Kを電流I2(同図参照)が流れ、コンデン
サ9にエネルギーが蓄積される。
グ信号S1に従ってオン状態に制御された際には、入力
端子3a、一次巻線2a、FET4および入力端子3b
からなる経路Jを電流I1(図2参照)が流れ、これに
より、同図に示す時間T0〜T1の期間において、トラ
ンス2の二次巻線2bに誘起電圧が発生する。この場
合、FET6もFET4に同期してオン状態に移行し、
FET8はオフ状態に維持されている。このため、二次
巻線2bの誘起電圧に基づいて、FET6(およびFE
T6内のボディダイオードとしてのダイオード6a)、
チョークコイル7、コンデンサ9および二次巻線2bか
らなる経路Kを電流I2(同図参照)が流れ、コンデン
サ9にエネルギーが蓄積される。
【0020】次いで、時間T1において、スイッチング
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後に若干遅れて(時間Tdだけ遅れて)スイッチン
グ信号S2に従いFET8がオン状態に制御される。こ
の場合、時間T1後の時間Td内において、FET4,
6がオフ状態に制御され、かつFET8がオン状態に制
御されることにより、チョークコイル7の蓄積エネルギ
ーに基づく電流(フライホイール電流)I3(図2参
照)が、チョークコイル7、コンデンサ9、並びにFE
T8内のダイオード8aおよびコンデンサ8bからなる
経路Lを流れる。これにより、時間T0〜T1の間に二
次巻線2bの両端電圧と同電圧に充電されたコンデンサ
8bのエネルギーが急速に放出されるため、FET8の
ソース・ドレイン端子間電圧がダイオード8aの順方向
電圧と等しい低電圧(負電圧)まで低下する。したがっ
て、スイッチング信号S2に従いFET8がオン状態に
制御される際のスイッチングロスおよびスイッチングノ
イズの発生量が低減される。また、FET8がオン状態
に移行した状態では、電流I3がFET8を流れるた
め、電力ロスが少なく効率のよい同期整流が行われる。
また、FET6がオフ状態に移行した際には、図1,2
に示すように、トランス2の残存エネルギーに基づく電
流I4が、補助巻線2c、コンデンサ9、FET8(ま
たはダイオード8a)およびダイオード10からなる経
路Mを主として流れる。したがって、トランス2の残存
エネルギーがコンデンサ9に蓄積され、これにより、ト
ランス2の磁気リセットが行われる。以上のようにし
て、FET4,6のオン期間およびオフ期間の双方の期
間において、コンデンサ9にエネルギーが蓄積されるこ
とによって出力電圧Voが生成される。
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後に若干遅れて(時間Tdだけ遅れて)スイッチン
グ信号S2に従いFET8がオン状態に制御される。こ
の場合、時間T1後の時間Td内において、FET4,
6がオフ状態に制御され、かつFET8がオン状態に制
御されることにより、チョークコイル7の蓄積エネルギ
ーに基づく電流(フライホイール電流)I3(図2参
照)が、チョークコイル7、コンデンサ9、並びにFE
T8内のダイオード8aおよびコンデンサ8bからなる
経路Lを流れる。これにより、時間T0〜T1の間に二
次巻線2bの両端電圧と同電圧に充電されたコンデンサ
8bのエネルギーが急速に放出されるため、FET8の
ソース・ドレイン端子間電圧がダイオード8aの順方向
電圧と等しい低電圧(負電圧)まで低下する。したがっ
て、スイッチング信号S2に従いFET8がオン状態に
制御される際のスイッチングロスおよびスイッチングノ
イズの発生量が低減される。また、FET8がオン状態
に移行した状態では、電流I3がFET8を流れるた
め、電力ロスが少なく効率のよい同期整流が行われる。
また、FET6がオフ状態に移行した際には、図1,2
に示すように、トランス2の残存エネルギーに基づく電
流I4が、補助巻線2c、コンデンサ9、FET8(ま
たはダイオード8a)およびダイオード10からなる経
路Mを主として流れる。したがって、トランス2の残存
エネルギーがコンデンサ9に蓄積され、これにより、ト
ランス2の磁気リセットが行われる。以上のようにし
て、FET4,6のオン期間およびオフ期間の双方の期
間において、コンデンサ9にエネルギーが蓄積されるこ
とによって出力電圧Voが生成される。
【0021】次いで、トランス2およびチョークコイル
7の各蓄積エネルギーのコンデンサ9への放出が完了し
た時間T2の後においても、FET8は、図2に示すよ
うに、スイッチング信号S2に従い所定時間オン状態に
維持される。この場合、コンデンサ9に蓄積された電
圧、すなわち出力電圧Voがに基づく電流I5(同図参
照)が、コンデンサ9、チョークコイル7およびFET
8からなる経路Lを電流I3とは逆方向に流れる。次い
で、電流I5が流れている状態において、同図に示すよ
うに、時間T3において、FET8がスイッチング信号
S2に従ってオフ状態に制御される。この際には、チョ
ークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流I6が、図
1,2に示すように、チョークコイル7、ダイオード1
0および補助巻線2cからなる経路Nを流れる。また、
補助巻線2cに電流I6が流れることによって一次巻線
2aに誘起電圧が誘起し、この誘起電圧に基づく電流I
7が、図1,2に示すように、一次巻線2a、コンデン
サ5およびFET4内のコンデンサ4bからなる経路P
を流れる。この際には、FET4のオフ期間にコンデン
サ4bに蓄積されたエネルギーが放電されて、FET4
のドレイン・ソース間電圧は、急速に低下して、ダイオ
ード4aの順方向電圧にクランプされる。次いで、図2
に示すように、時間T4(T0)において、FET4,
6は、電流I6が補助巻線2cに供給中の状態のとき、
つまり電流I7が流れている状態において、スイッチン
グ信号S1に従い共にオン状態に制御される。この場
合、コンデンサ4bに蓄積されていたエネルギーがほぼ
放電されているため、FET4は、その両端電圧が十分
に低い電圧に維持された状態で、いわゆるゼロボルトス
イッチ方式でオン状態に移行する。このため、FET4
によるスイッチングロスを十分に低減することができ
る。以後、上記した時間T0〜T4のサイクルが繰り返
される。
7の各蓄積エネルギーのコンデンサ9への放出が完了し
た時間T2の後においても、FET8は、図2に示すよ
うに、スイッチング信号S2に従い所定時間オン状態に
維持される。この場合、コンデンサ9に蓄積された電
圧、すなわち出力電圧Voがに基づく電流I5(同図参
照)が、コンデンサ9、チョークコイル7およびFET
8からなる経路Lを電流I3とは逆方向に流れる。次い
で、電流I5が流れている状態において、同図に示すよ
うに、時間T3において、FET8がスイッチング信号
S2に従ってオフ状態に制御される。この際には、チョ
ークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流I6が、図
1,2に示すように、チョークコイル7、ダイオード1
0および補助巻線2cからなる経路Nを流れる。また、
補助巻線2cに電流I6が流れることによって一次巻線
2aに誘起電圧が誘起し、この誘起電圧に基づく電流I
7が、図1,2に示すように、一次巻線2a、コンデン
サ5およびFET4内のコンデンサ4bからなる経路P
を流れる。この際には、FET4のオフ期間にコンデン
サ4bに蓄積されたエネルギーが放電されて、FET4
のドレイン・ソース間電圧は、急速に低下して、ダイオ
ード4aの順方向電圧にクランプされる。次いで、図2
に示すように、時間T4(T0)において、FET4,
6は、電流I6が補助巻線2cに供給中の状態のとき、
つまり電流I7が流れている状態において、スイッチン
グ信号S1に従い共にオン状態に制御される。この場
合、コンデンサ4bに蓄積されていたエネルギーがほぼ
放電されているため、FET4は、その両端電圧が十分
に低い電圧に維持された状態で、いわゆるゼロボルトス
イッチ方式でオン状態に移行する。このため、FET4
によるスイッチングロスを十分に低減することができ
る。以後、上記した時間T0〜T4のサイクルが繰り返
される。
【0022】このように、この電源装置1によれば、F
ET4,6のオフ期間において、補助巻線2cを介して
経路Mに電流I4を流してコンデンサ9にエネルギーを
蓄積することによってトランス2の磁気リセットが行わ
れるため、電源装置51とは異なり、入力直流VIN側に
トランス52の蓄積エネルギーを戻す構成と比較して、
効率よく出力電圧Voを生成することができる。また、
FET4,6とFET8とが同時にオン状態に制御され
ることがないため、二次巻線2bの短絡という状態を確
実に回避することができる。このため、FET4,6,
8におけるスイッチングロスを大幅に低減することがで
きる。また、FET4のコンデンサ4bに蓄積されたエ
ネルギーが少ない状態で、ゼロボルトスイッチ方式でF
ET4をオン状態に制御することができるため、FET
4およびコンデンサ4bからなる閉ループ内に瞬間的に
大電流が流れるのを回避することができる結果、FET
4のスイッチングロスを十分に低減することができると
共に大きなノイズの発生も防止することができる。ま
た、電流I3および電流I5のように互いに向きが異な
る電流をチョークコイル7に流すことにより、チョーク
コイル7を、そのB−Hカーブ(ヒステリシス曲線)の
第一象限のみならず、第二および第三象限で使用するこ
とができる。したがって、チョークコイル7の磁気飽和
を確実に防止することができる。このため、チョークコ
イル7を構成するコア材を小型化することができる結
果、チョークコイル7を小型化することができ、ひいて
は電源装置1全体を小型化することができる。
ET4,6のオフ期間において、補助巻線2cを介して
経路Mに電流I4を流してコンデンサ9にエネルギーを
蓄積することによってトランス2の磁気リセットが行わ
れるため、電源装置51とは異なり、入力直流VIN側に
トランス52の蓄積エネルギーを戻す構成と比較して、
効率よく出力電圧Voを生成することができる。また、
FET4,6とFET8とが同時にオン状態に制御され
ることがないため、二次巻線2bの短絡という状態を確
実に回避することができる。このため、FET4,6,
8におけるスイッチングロスを大幅に低減することがで
きる。また、FET4のコンデンサ4bに蓄積されたエ
ネルギーが少ない状態で、ゼロボルトスイッチ方式でF
ET4をオン状態に制御することができるため、FET
4およびコンデンサ4bからなる閉ループ内に瞬間的に
大電流が流れるのを回避することができる結果、FET
4のスイッチングロスを十分に低減することができると
共に大きなノイズの発生も防止することができる。ま
た、電流I3および電流I5のように互いに向きが異な
る電流をチョークコイル7に流すことにより、チョーク
コイル7を、そのB−Hカーブ(ヒステリシス曲線)の
第一象限のみならず、第二および第三象限で使用するこ
とができる。したがって、チョークコイル7の磁気飽和
を確実に防止することができる。このため、チョークコ
イル7を構成するコア材を小型化することができる結
果、チョークコイル7を小型化することができ、ひいて
は電源装置1全体を小型化することができる。
【0023】次に、本発明の第2の実施の形態に係る電
源装置21について、図3を参照して説明する。なお、
電源装置1と同一の構成については同一の符号を付して
重複する説明を省略する。
源装置21について、図3を参照して説明する。なお、
電源装置1と同一の構成については同一の符号を付して
重複する説明を省略する。
【0024】電源装置21は、図3に示すように、フォ
ワード型のDC/DCコンバータであって、電源装置1
におけるチョークコイル7に代えて、本発明における第
2トランスに相当するトランス22を備えている。この
場合、トランス22は、電源装置1におけるチョークコ
イル7と同様の機能を有する一次巻線(第1巻線)22
aと、二次巻線(第2巻線)22bとを備えて構成され
ている。この場合、一次巻線22aは、その一端および
他端が出力端子11aおよびFET6,8の各ドレイン
端子にそれぞれ接続され、二次巻線22bは、一次巻線
22aの一端に互いに同極性となる一端が接続され、他
端がダイオード10のアノード端子に接続されている。
ワード型のDC/DCコンバータであって、電源装置1
におけるチョークコイル7に代えて、本発明における第
2トランスに相当するトランス22を備えている。この
場合、トランス22は、電源装置1におけるチョークコ
イル7と同様の機能を有する一次巻線(第1巻線)22
aと、二次巻線(第2巻線)22bとを備えて構成され
ている。この場合、一次巻線22aは、その一端および
他端が出力端子11aおよびFET6,8の各ドレイン
端子にそれぞれ接続され、二次巻線22bは、一次巻線
22aの一端に互いに同極性となる一端が接続され、他
端がダイオード10のアノード端子に接続されている。
【0025】次に、図2,3を参照して、電源装置21
の全体的な動作について説明する。なお、電源装置1と
同一の動作については説明を省略し、主として電源装置
1とは異なる動作について説明する。
の全体的な動作について説明する。なお、電源装置1と
同一の動作については説明を省略し、主として電源装置
1とは異なる動作について説明する。
【0026】この電源装置21では、電源装置1と同様
にしてFET4,6,8がそれぞれスイッチング動作を
継続する。この状態において、時間T0〜T1では、F
ET4,6がオン状態に制御されることにより、トラン
ス2の二次回路側では、二次巻線2bの誘起電圧に基づ
いて、FET6(およびダイオード6a)、トランス2
2の一次巻線22a、コンデンサ9および二次巻線2b
からなる経路Kを電流I2が流れ、コンデンサ9にエネ
ルギーが蓄積される。この場合、トランス22の二次巻
線22bには、一次巻線22aに電流I2が流れること
によってダイオード10の順方向と同じ向きに電流を流
そうとする誘起電圧が発生する。ところが、補助巻線2
cには、この誘起電圧よりもさらに高い電圧の誘起電圧
が発生している。したがって、ダイオード10が逆バイ
アスされる結果、二次巻線22bの誘起電圧に基づく電
流の放出が阻止され、これにより、トランス22にエネ
ルギーが蓄積される。
にしてFET4,6,8がそれぞれスイッチング動作を
継続する。この状態において、時間T0〜T1では、F
ET4,6がオン状態に制御されることにより、トラン
ス2の二次回路側では、二次巻線2bの誘起電圧に基づ
いて、FET6(およびダイオード6a)、トランス2
2の一次巻線22a、コンデンサ9および二次巻線2b
からなる経路Kを電流I2が流れ、コンデンサ9にエネ
ルギーが蓄積される。この場合、トランス22の二次巻
線22bには、一次巻線22aに電流I2が流れること
によってダイオード10の順方向と同じ向きに電流を流
そうとする誘起電圧が発生する。ところが、補助巻線2
cには、この誘起電圧よりもさらに高い電圧の誘起電圧
が発生している。したがって、ダイオード10が逆バイ
アスされる結果、二次巻線22bの誘起電圧に基づく電
流の放出が阻止され、これにより、トランス22にエネ
ルギーが蓄積される。
【0027】次いで、時間T1において、スイッチング
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後、時間Tdだけ遅れてスイッチング信号S2に従
いFET8がオン状態に制御される。この際には、トラ
ンス22の蓄積エネルギーに基づく電流I3が、一次巻
線22a、コンデンサ9およびFET8内のコンデンサ
8bからなる経路Lを流れる。また、FET6がオフ状
態に制御されることにより、トランス2の蓄積エネルギ
ーに基づく電流I8が、補助巻線2c、第2トランス2
2の二次巻線22bおよびダイオード10からなる経路
Qを流れ、これにより、トランス2が磁気リセットされ
る。この場合、第2トランス22の一次巻線22aに、
その一端(コンデンサ9側端子)が他端(FET8のド
レイン端子側端子)よりも高い電圧が誘起する。このた
め、電流I3は、時間T0〜T1の間に第2トランス2
2に蓄積されたエネルギーに基づく電流と、電流I8が
流れたことに起因する一次巻線22aの誘起電圧に基づ
く電流との加算電流となる。したがって、トランス2か
ら磁気リセットとして放出される電流I8は、コンデン
サ9に対するエネルギーの蓄積に寄与する。以上のよう
にして、FET4,6のオン期間およびオフ期間の双方
の期間において、コンデンサ9にエネルギーが蓄積され
ることによって出力電圧Voが生成される。
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後、時間Tdだけ遅れてスイッチング信号S2に従
いFET8がオン状態に制御される。この際には、トラ
ンス22の蓄積エネルギーに基づく電流I3が、一次巻
線22a、コンデンサ9およびFET8内のコンデンサ
8bからなる経路Lを流れる。また、FET6がオフ状
態に制御されることにより、トランス2の蓄積エネルギ
ーに基づく電流I8が、補助巻線2c、第2トランス2
2の二次巻線22bおよびダイオード10からなる経路
Qを流れ、これにより、トランス2が磁気リセットされ
る。この場合、第2トランス22の一次巻線22aに、
その一端(コンデンサ9側端子)が他端(FET8のド
レイン端子側端子)よりも高い電圧が誘起する。このた
め、電流I3は、時間T0〜T1の間に第2トランス2
2に蓄積されたエネルギーに基づく電流と、電流I8が
流れたことに起因する一次巻線22aの誘起電圧に基づ
く電流との加算電流となる。したがって、トランス2か
ら磁気リセットとして放出される電流I8は、コンデン
サ9に対するエネルギーの蓄積に寄与する。以上のよう
にして、FET4,6のオン期間およびオフ期間の双方
の期間において、コンデンサ9にエネルギーが蓄積され
ることによって出力電圧Voが生成される。
【0028】次いで、トランス2,22における各蓄積
エネルギーのコンデンサ9への放出が完了した時間T2
以降も、FET8はスイッチング信号S2に従ってオン
状態を維持する。この場合にも、電源装置1と同様にし
て、コンデンサ9の充電電圧、すなわち出力電圧Voに
基づく電流I5が、一次巻線22a、FET8およびコ
ンデンサ9からなる経路Lを流れる。この際に、トラン
ス22の二次巻線22bには、他端(ダイオード10側
の端子)に対して一端(コンデンサ9側の端子)が高く
なる電位が誘起する。ところが、その誘起電圧に基づく
電流の経路Q内での導通がダイオード10によって阻止
されるため、トランス22にエネルギーが蓄積される。
次いで、電流I5が流れている状態の時間T3におい
て、FET8がスイッチング信号S2に従ってオフ状態
に制御される。この際には、トランス22の二次巻線2
2bには、その蓄積エネルギーに基づいて、一端に対し
て他端が高くなる電位が誘起し、この誘起電圧に基づく
電流I9が、経路Q内を電流I8と同じ向きに流れる。
また、補助巻線2cに電流I9が流れることによってト
ランス2の一次巻線2aに誘起電圧が誘起し、この誘起
電圧に基づいて、電源装置1と同様にして、経路P内を
電流I7が流れる。この後、電源装置1と同様にして、
時間T4(T0)において、FET4,6がスイッチン
グ信号S1に従ってそれぞれオン状態に制御される。こ
の結果、ゼロボルトスイッチが行われる。このように、
この電源装置21によれば、電源装置1と同じ効果を奏
することができる。
エネルギーのコンデンサ9への放出が完了した時間T2
以降も、FET8はスイッチング信号S2に従ってオン
状態を維持する。この場合にも、電源装置1と同様にし
て、コンデンサ9の充電電圧、すなわち出力電圧Voに
基づく電流I5が、一次巻線22a、FET8およびコ
ンデンサ9からなる経路Lを流れる。この際に、トラン
ス22の二次巻線22bには、他端(ダイオード10側
の端子)に対して一端(コンデンサ9側の端子)が高く
なる電位が誘起する。ところが、その誘起電圧に基づく
電流の経路Q内での導通がダイオード10によって阻止
されるため、トランス22にエネルギーが蓄積される。
次いで、電流I5が流れている状態の時間T3におい
て、FET8がスイッチング信号S2に従ってオフ状態
に制御される。この際には、トランス22の二次巻線2
2bには、その蓄積エネルギーに基づいて、一端に対し
て他端が高くなる電位が誘起し、この誘起電圧に基づく
電流I9が、経路Q内を電流I8と同じ向きに流れる。
また、補助巻線2cに電流I9が流れることによってト
ランス2の一次巻線2aに誘起電圧が誘起し、この誘起
電圧に基づいて、電源装置1と同様にして、経路P内を
電流I7が流れる。この後、電源装置1と同様にして、
時間T4(T0)において、FET4,6がスイッチン
グ信号S1に従ってそれぞれオン状態に制御される。こ
の結果、ゼロボルトスイッチが行われる。このように、
この電源装置21によれば、電源装置1と同じ効果を奏
することができる。
【0029】次に、図4を参照して、本発明の第3の実
施の形態に係る電源装置31について説明する。なお、
電源装置1,21と同一の構成については同一の符号を
付して重複する説明を省略する。
施の形態に係る電源装置31について説明する。なお、
電源装置1,21と同一の構成については同一の符号を
付して重複する説明を省略する。
【0030】図4に示すように、電源装置31は、フォ
ワード型のDC/DCコンバータであって、電源装置1
の構成に加えてトランス(第2トランス)22を備えて
いる。この場合、このトランス22は、チョークコイル
7の一端および他端の間に一次巻線(第1巻線)22a
が並列接続されると共にチョークコイル7の一端および
ダイオード10におけるアノードの間に一次巻線22a
と同極性で二次巻線22b(第2巻線)が接続されてい
る。
ワード型のDC/DCコンバータであって、電源装置1
の構成に加えてトランス(第2トランス)22を備えて
いる。この場合、このトランス22は、チョークコイル
7の一端および他端の間に一次巻線(第1巻線)22a
が並列接続されると共にチョークコイル7の一端および
ダイオード10におけるアノードの間に一次巻線22a
と同極性で二次巻線22b(第2巻線)が接続されてい
る。
【0031】次に、図2,4を参照して、電源装置31
の全体的な動作を説明する。なお、電源装置1と同一の
動作については説明を省略し、主として電源装置1とは
異なる動作について説明する。
の全体的な動作を説明する。なお、電源装置1と同一の
動作については説明を省略し、主として電源装置1とは
異なる動作について説明する。
【0032】この電源装置31では、電源装置1と同様
にしてFET4,6,8がそれぞれスイッチング動作を
継続する。この状態において、図2に示す時間T0〜T
1では、FET4がオン状態に制御されることにより、
トランス2の二次回路側では、二次巻線2bの誘起電圧
に基づいて、FET6(およびダイオード6a)、チョ
ークコイル7(およびトランス22の一次巻線22
a)、コンデンサ9および二次巻線2bからなる経路K
を電流I2が流れ、コンデンサ9にエネルギーが蓄積さ
れる。この際にも、電源装置21と同様にして、ダイオ
ード10が逆バイアスされるため、トランス22にエネ
ルギーが蓄積される。
にしてFET4,6,8がそれぞれスイッチング動作を
継続する。この状態において、図2に示す時間T0〜T
1では、FET4がオン状態に制御されることにより、
トランス2の二次回路側では、二次巻線2bの誘起電圧
に基づいて、FET6(およびダイオード6a)、チョ
ークコイル7(およびトランス22の一次巻線22
a)、コンデンサ9および二次巻線2bからなる経路K
を電流I2が流れ、コンデンサ9にエネルギーが蓄積さ
れる。この際にも、電源装置21と同様にして、ダイオ
ード10が逆バイアスされるため、トランス22にエネ
ルギーが蓄積される。
【0033】次いで、時間T1において、スイッチング
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後、時間Tdだけ遅れてスイッチング信号S2に従
いFET8がオン状態に制御される。この際には、チョ
ークコイル7およびトランス22の蓄積エネルギーに基
づく電流I3が経路Lを流れ、コンデンサ9にエネルギ
ーが蓄積される。また、FET6がオフ状態に制御され
ることにより、トランス2の蓄積エネルギーに基づく電
流I8が、経路Qを流れ、これにより、トランス2が磁
気リセットされる。この際にも、電源装置21と同様に
して、第2トランス22の一次巻線22aに電圧が誘起
するため、電流I3は、時間T0〜T1の間にトランス
22に蓄積されたエネルギーに基づく電流と、電流I8
が流れたことに起因する一次巻線22aの誘起電圧に基
づく電流との加算電流となる。以上のようにして、FE
T4,6のオン期間およびオフ期間の双方の期間におい
て、コンデンサ9にエネルギーが蓄積されることによっ
て出力電圧Voが生成される。
信号S1に従ってFET4,6がオフ状態に制御され、
その後、時間Tdだけ遅れてスイッチング信号S2に従
いFET8がオン状態に制御される。この際には、チョ
ークコイル7およびトランス22の蓄積エネルギーに基
づく電流I3が経路Lを流れ、コンデンサ9にエネルギ
ーが蓄積される。また、FET6がオフ状態に制御され
ることにより、トランス2の蓄積エネルギーに基づく電
流I8が、経路Qを流れ、これにより、トランス2が磁
気リセットされる。この際にも、電源装置21と同様に
して、第2トランス22の一次巻線22aに電圧が誘起
するため、電流I3は、時間T0〜T1の間にトランス
22に蓄積されたエネルギーに基づく電流と、電流I8
が流れたことに起因する一次巻線22aの誘起電圧に基
づく電流との加算電流となる。以上のようにして、FE
T4,6のオン期間およびオフ期間の双方の期間におい
て、コンデンサ9にエネルギーが蓄積されることによっ
て出力電圧Voが生成される。
【0034】次いで、電源装置1,21と同様にして、
時間T2以降も、FET8がスイッチング信号S2に従
ってオン状態を維持する。この場合にも、電源装置21
と同様にして、出力電圧Voに基づく電流I5が経路L
を流れ、この際に、トランス22にもエネルギーが蓄積
される。次いで、時間T3において、FET8がスイッ
チング信号S2に従ってオフ状態に制御される。この際
には、チョークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流
I10が、チョークコイル7の他端、一次巻線22a、
およびチョークコイル7の一端からなる経路Rを流れ
る。同時に、この電流I10が一次巻線22aを流れる
ことにより、二次巻線22bには、一端(コンデンサ9
側の端子)に対して他端(ダイオード10側の端子)が
高くなる電位が誘起する。したがって、この誘起電圧に
基づく電流、および期間T2〜T3の間に一次巻線22
aに電流I5が流れることによってトランス22に蓄積
されたエネルギーに基づく電流を加算した電流I9が経
路Qを流れる。この後、電源装置1,21と同様にし
て、時間T4(T0)において、FET4,6がスイッ
チング信号S1に従ってそれぞれオン状態に制御され
る。この結果、ゼロボルトスイッチが行われる。このよ
うに、この電源装置31によれば、電源装置1と同じ効
果を奏することができる。
時間T2以降も、FET8がスイッチング信号S2に従
ってオン状態を維持する。この場合にも、電源装置21
と同様にして、出力電圧Voに基づく電流I5が経路L
を流れ、この際に、トランス22にもエネルギーが蓄積
される。次いで、時間T3において、FET8がスイッ
チング信号S2に従ってオフ状態に制御される。この際
には、チョークコイル7の蓄積エネルギーに基づく電流
I10が、チョークコイル7の他端、一次巻線22a、
およびチョークコイル7の一端からなる経路Rを流れ
る。同時に、この電流I10が一次巻線22aを流れる
ことにより、二次巻線22bには、一端(コンデンサ9
側の端子)に対して他端(ダイオード10側の端子)が
高くなる電位が誘起する。したがって、この誘起電圧に
基づく電流、および期間T2〜T3の間に一次巻線22
aに電流I5が流れることによってトランス22に蓄積
されたエネルギーに基づく電流を加算した電流I9が経
路Qを流れる。この後、電源装置1,21と同様にし
て、時間T4(T0)において、FET4,6がスイッ
チング信号S1に従ってそれぞれオン状態に制御され
る。この結果、ゼロボルトスイッチが行われる。このよ
うに、この電源装置31によれば、電源装置1と同じ効
果を奏することができる。
【0035】なお、本発明は、上記した実施の形態に限
定されず、その構成を適宜変更することができる。例え
ば、本発明の実施の形態に係る電源装置1,21,31
では、本発明における整流用半導体素子として、FET
6を採用した例について説明したが、FET6に代え
て、ダイオード6aと同じ向きに接続したダイオードで
構成することもできる。また、FET6(およびFET
6に代えるダイオード)については、FET8のソース
とトランス2の二次巻線2bにおける巻き終わり側端子
との間に接続することもできるなど、各構成要素の接続
位置を適宜変更することができる。さらに、FET4,
6,8に代えて、トランジスタとダイオードとの組み合
わせ回路、またはトランジスタで構成してもよいのは勿
論である。また、本発明における第2蓄電素子は、コン
デンサ9に限らず、二次電池で構成することもできる。
また、本発明の実施の形態では、スイッチング制御回路
12が、FET8に対して一旦オン状態に移行してから
オフ状態に移行するまでの間、継続してオン状態を維持
するように制御しているが、これに限らない。例えば、
FET8をオン状態に移行させてから一旦オフ状態に制
御し、その後に再度オン状態に制御し、そのオン状態を
所定時間継続させてからオフ状態に制御してもよい。
定されず、その構成を適宜変更することができる。例え
ば、本発明の実施の形態に係る電源装置1,21,31
では、本発明における整流用半導体素子として、FET
6を採用した例について説明したが、FET6に代え
て、ダイオード6aと同じ向きに接続したダイオードで
構成することもできる。また、FET6(およびFET
6に代えるダイオード)については、FET8のソース
とトランス2の二次巻線2bにおける巻き終わり側端子
との間に接続することもできるなど、各構成要素の接続
位置を適宜変更することができる。さらに、FET4,
6,8に代えて、トランジスタとダイオードとの組み合
わせ回路、またはトランジスタで構成してもよいのは勿
論である。また、本発明における第2蓄電素子は、コン
デンサ9に限らず、二次電池で構成することもできる。
また、本発明の実施の形態では、スイッチング制御回路
12が、FET8に対して一旦オン状態に移行してから
オフ状態に移行するまでの間、継続してオン状態を維持
するように制御しているが、これに限らない。例えば、
FET8をオン状態に移行させてから一旦オフ状態に制
御し、その後に再度オン状態に制御し、そのオン状態を
所定時間継続させてからオフ状態に制御してもよい。
【0036】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るスイッチン
グ電源装置によれば、第1スイッチング素子のオフ期間
において、第1トランスの補助巻線を介して電流を流し
て第2蓄電素子にエネルギーを蓄積することによって第
1トランスの磁気リセットを行うため、従来の電源装置
51とは異なり、第1トランスの一次回路側に第1トラ
ンスの蓄積エネルギーを戻す構成と比較して、効率よく
出力電圧を生成することができる。また、第1スイッチ
ング素子と第2スイッチング素子との同時オン状態を回
避することができるため、第1トランスにおける二次巻
線の短絡状態を確実に回避することができる結果、第1
および第2スイッチング素子のスイッチングロスを大幅
に低減することができる。また、第1スイッチング素子
をゼロボルトスイッチ方式でオン状態に制御することが
できるため、第1スイッチング素子のスイッチングロス
を十分に低減することができると共に大きなノイズの発
生も防止することができる。また、転流電流と、それと
は逆向きの電流とをインダクタ(または第2トランスの
第1巻線)に流すことにより、インダクタ(または第2
トランス)の磁気飽和を確実に防止することができ、こ
れにより、インダクタ(または第2トランス)を構成す
るコア材を小型化することができる結果、スイッチング
電源装置全体を小型化することができる。
グ電源装置によれば、第1スイッチング素子のオフ期間
において、第1トランスの補助巻線を介して電流を流し
て第2蓄電素子にエネルギーを蓄積することによって第
1トランスの磁気リセットを行うため、従来の電源装置
51とは異なり、第1トランスの一次回路側に第1トラ
ンスの蓄積エネルギーを戻す構成と比較して、効率よく
出力電圧を生成することができる。また、第1スイッチ
ング素子と第2スイッチング素子との同時オン状態を回
避することができるため、第1トランスにおける二次巻
線の短絡状態を確実に回避することができる結果、第1
および第2スイッチング素子のスイッチングロスを大幅
に低減することができる。また、第1スイッチング素子
をゼロボルトスイッチ方式でオン状態に制御することが
できるため、第1スイッチング素子のスイッチングロス
を十分に低減することができると共に大きなノイズの発
生も防止することができる。また、転流電流と、それと
は逆向きの電流とをインダクタ(または第2トランスの
第1巻線)に流すことにより、インダクタ(または第2
トランス)の磁気飽和を確実に防止することができ、こ
れにより、インダクタ(または第2トランス)を構成す
るコア材を小型化することができる結果、スイッチング
電源装置全体を小型化することができる。
【0037】また、本発明に係るスイッチング電源装置
によれば、第2スイッチング素子と、転流電流を通過さ
せると共にその逆向き電流の通過を阻止するダイオード
とで転流電流通過回路を構成したことにより、ダイオー
ドによって転流電流を確実に通過させることができると
共に第2スイッチング素子によって第2蓄電素子からイ
ンダクタ(または第1巻線)に電流を確実に放出させる
ことができる。この場合、FETで転流電流通過回路を
構成することで、第2スイッチング素子およびダイオー
ドを構成することができるため、簡易かつ安価に構成す
ることができる。
によれば、第2スイッチング素子と、転流電流を通過さ
せると共にその逆向き電流の通過を阻止するダイオード
とで転流電流通過回路を構成したことにより、ダイオー
ドによって転流電流を確実に通過させることができると
共に第2スイッチング素子によって第2蓄電素子からイ
ンダクタ(または第1巻線)に電流を確実に放出させる
ことができる。この場合、FETで転流電流通過回路を
構成することで、第2スイッチング素子およびダイオー
ドを構成することができるため、簡易かつ安価に構成す
ることができる。
【0038】さらに、本発明に係るスイッチング電源装
置によれば、第1スイッチング素子に第2一方向性素子
を等価的に並列接続したことにより、第1スイッチング
素子をオン状態に制御する際に、第1スイッチング素子
の両端電圧を第2一方向性素子の順方向電圧までクラン
プすることができるため、第1スイッチング素子の両端
電圧を十分に低い電圧に維持した状態でゼロボルトスイ
ッチを行うことができる。
置によれば、第1スイッチング素子に第2一方向性素子
を等価的に並列接続したことにより、第1スイッチング
素子をオン状態に制御する際に、第1スイッチング素子
の両端電圧を第2一方向性素子の順方向電圧までクラン
プすることができるため、第1スイッチング素子の両端
電圧を十分に低い電圧に維持した状態でゼロボルトスイ
ッチを行うことができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る電源装置1の
回路図である。
回路図である。
【図2】電源装置1,21,31の動作を説明するため
のタイミングチャートである。
のタイミングチャートである。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る電源装置21
の回路図である。
の回路図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態に係る電源装置31
の回路図である。
の回路図である。
【図5】従来の電源装置51の回路図である。
1,21,31 電源装置
2,22 トランス
2a,22a 一次巻線
2b,22b 二次巻線
2c 補助巻線
4,6,8 FET
5,9 コンデンサ
7 チョークコイル
4a,6a,8a,10 ダイオード
12 スイッチング制御回路
VIN 入力直流
Claims (5)
- 【請求項1】 一次巻線および二次巻線を有する第1ト
ランスと、前記一次巻線に直列接続されると共に入力直
流をスイッチングする第1スイッチング素子と、前記一
次巻線および前記第1スイッチング素子の直列回路に並
列接続された第1蓄電素子と、前記第1スイッチング素
子のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路
とを備え、整流用半導体素子、平滑用のインダクタ、お
よび平滑用の第2蓄電素子を少なくとも直列接続した直
列回路が前記二次巻線の両端間に接続されると共に転流
電流を通過させる転流電流通過回路が当該インダクタお
よび当該第2蓄電素子の直列回路に並列接続されている
フォワード型のスイッチング電源装置であって、 前記第1トランスに形成されると共に前記第1スイッチ
ング素子のオン期間に誘起電圧が誘起した際に一方の端
子に対して負電圧となる他方の端子が前記インダクタに
おける前記転流電流の出力側の一端に接続された補助巻
線と、 前記インダクタの他端から前記補助巻線における前記一
方の端子に向かう電流を通過させその逆向き電流の通過
を阻止する第1一方向性素子とを備え、 前記転流電流通過回路は、少なくとも、オン状態に移行
した際に前記転流電流の向きと逆向き電流の通過を許容
する第2スイッチング素子を備えて構成され、 前記スイッチング制御回路は、前記第1スイッチング素
子をオン状態に制御して前記第1トランスの前記二次巻
線に誘起した電圧に基づく電流を前記整流用半導体素子
および前記インダクタを介して前記第2蓄電素子に供給
させ、その後に当該第1スイッチング素子をオフ状態に
制御して前記インダクタからその蓄積エネルギーを前記
転流電流として前記転流電流通過回路を介して前記第2
蓄電素子に放出させると共に前記第1トランスの残存エ
ネルギーを前記補助巻線を介して当該第2蓄電素子に放
出させ、少なくとも当該両エネルギーの放出完了後に所
定時間オン状態が維持されるように前記第2スイッチン
グ素子を制御して前記第2蓄電素子から前記転流電流と
逆向き経路で電流を放出させることによって前記インダ
クタにエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチン
グ素子をオフ状態に制御することによって当該インダク
タの蓄積エネルギーに基づく電流を前記第1一方向性素
子を介して前記補助巻線に供給中に前記第1スイッチン
グ素子をオン状態に制御するスイッチング電源装置。 - 【請求項2】 前記インダクタの前記一端および前記他
端の間に第1巻線が接続されると共に当該インダクタの
当該一端および前記第1一方向性素子の間に前記第1巻
線と同極性で第2巻線が接続された第2トランスを備
え、 前記スイッチング制御回路は、前記所定時間オン状態が
維持されるように前記第2スイッチング素子を制御して
前記第2蓄電素子から前記インダクタおよび前記第1巻
線を介して前記転流電流と逆向き経路で電流を放出させ
ることによって当該インダクタおよび当該第2トランス
にエネルギーを蓄積させた後、当該第2スイッチング素
子をオフ状態に制御することによって当該インダクタお
よび当該第2トランスの蓄積エネルギーに基づく電流を
前記第2巻線および前記第1一方向性素子を介して前記
補助巻線に供給中に前記第1スイッチング素子をオン状
態に制御する請求項1記載のスイッチング電源装置。 - 【請求項3】 一次巻線および二次巻線を有する第1ト
ランスと、前記一次巻線に直列接続されると共に入力直
流をスイッチングする第1スイッチング素子と、前記一
次巻線および前記第1スイッチング素子の直列回路に並
列接続された第1蓄電素子と、前記第1スイッチング素
子のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路
とを備え、整流用半導体素子、平滑用のインダクタ、お
よび平滑用の第2蓄電素子を少なくとも直列接続した直
列回路が前記二次巻線の両端間に接続されると共に転流
電流を通過させる転流電流通過回路が当該インダクタお
よび当該第2蓄電素子の直列回路に並列接続されている
フォワード型のスイッチング電源装置であって、 前記第1トランスに形成されると共に前記第1スイッチ
ング素子のオン期間に誘起電圧が誘起した際に一方の端
子に対して負電圧となる他方の端子が前記インダクタに
おける前記転流電流の出力側の一端に接続された補助巻
線と、 前記インダクタの他端から前記補助巻線における前記一
方の端子に向かう電流を通過させその逆向き電流の通過
を阻止する第1一方向性素子と、 前記インダクタとしての第1巻線、並びに前記インダク
タの前記一端としての前記第1巻線の一端に互いに同極
性となる一端が接続される共に他端が前記第1一方向性
素子に接続された第2巻線を有する第2トランスとを備
え、 前記転流電流通過回路は、少なくとも、オン状態に移行
した際に前記転流電流の向きと逆向き電流の通過を許容
する第2スイッチング素子を備えて構成され、 前記スイッチング制御回路は、前記第1スイッチング素
子をオン状態に制御して前記第1トランスの前記二次巻
線に誘起した電圧に基づく電流を前記整流用半導体素子
および前記インダクタを介して前記第2蓄電素子に供給
させ、その後に当該第1スイッチング素子をオフ状態に
制御して前記第1巻線から前記第2トランスの蓄積エネ
ルギーを前記転流電流として前記転流電流通過回路を介
して前記第2蓄電素子に放出させると共に前記第1トラ
ンスの残存エネルギーを前記補助巻線を介して当該第2
蓄電素子に放出させ、少なくとも当該両エネルギーの放
出完了後に所定時間オン状態が維持されるように前記第
2スイッチング素子を制御して前記第2蓄電素子から前
記転流電流と逆向き経路で前記第1巻線に電流を放出さ
せることによって前記第2トランスにエネルギーを蓄積
させた後、当該第2スイッチング素子をオフ状態に制御
することによって当該第2トランスの蓄積エネルギーに
基づく電流を前記第2巻線および前記第1一方向性素子
を介して前記補助巻線に供給中に前記第1スイッチング
素子をオン状態に制御するスイッチング電源装置。 - 【請求項4】 前記転流電流通過回路は、前記第2スイ
ッチング素子と、当該第2スイッチング素子に等価的に
並列接続されて前記転流電流を通過させると共にその逆
向き電流の通過を阻止するダイオードとを備えて構成さ
れている請求項1から3のいずれかに記載のスイッチン
グ電源装置。 - 【請求項5】 前記第1スイッチング素子に等価的に並
列接続されて当該第1スイッチング素子がオン状態のと
きに前記一次巻線を流れる電流と逆向き電流の通過を許
容する第2一方向性素子を備えている請求項1から4の
いずれかに記載のスイッチング電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001331792A JP2003143847A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | スイッチング電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001331792A JP2003143847A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | スイッチング電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003143847A true JP2003143847A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19147298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001331792A Pending JP2003143847A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | スイッチング電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003143847A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221905A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nagano Japan Radio Co | スイッチング電源装置 |
TWI383571B (zh) * | 2007-10-09 | 2013-01-21 | System General Corp | 同步整流方法與裝置 |
CN106253709A (zh) * | 2015-06-05 | 2016-12-21 | 电力集成有限公司 | 相对于输入线电压变化具有存储时间动态调节的bjt驱动器 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001331792A patent/JP2003143847A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007221905A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nagano Japan Radio Co | スイッチング電源装置 |
TWI383571B (zh) * | 2007-10-09 | 2013-01-21 | System General Corp | 同步整流方法與裝置 |
CN106253709A (zh) * | 2015-06-05 | 2016-12-21 | 电力集成有限公司 | 相对于输入线电压变化具有存储时间动态调节的bjt驱动器 |
US10574145B2 (en) | 2015-06-05 | 2020-02-25 | Power Integrations, Inc. | BJT driver with dynamic adjustment of storage time versus input line voltage variations |
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