JP2003142513A - バンプの形成方法、フリップチップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
バンプの形成方法、フリップチップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一部が低融点金属からなるバンプを簡単に形
成することにある。 【解決手段】 バンプの形成方法は、パッド１２上に金
属層２０，２４を形成し、金属層２４上に、置換メッキ
によって、ろう材層２８を形成することを含む。金属層
２０を例えばニッケルで形成し、金属層２４を例えば銅
で形成し、ろう材層２８を例えばスズで形成する。
成することにある。 【解決手段】 バンプの形成方法は、パッド１２上に金
属層２０，２４を形成し、金属層２４上に、置換メッキ
によって、ろう材層２８を形成することを含む。金属層
２０を例えばニッケルで形成し、金属層２４を例えば銅
で形成し、ろう材層２８を例えばスズで形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプの形成方
法、フリップチップ及び半導体装置並びにこれらの製造
方法、回路基板並びに電子機器に関する。
法、フリップチップ及び半導体装置並びにこれらの製造
方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体チップ又は半導体ウエハのパッド
に、化学還元メッキ（無電解メッキ）を用いてバンプを
形成する方法が知られている。しかしながら、従来の方
法では、化学還元メッキによってバンプを形成すること
ができる金属が限定されていたので、低融点金属によっ
てバンプの一部を形成することができなかった。
に、化学還元メッキ（無電解メッキ）を用いてバンプを
形成する方法が知られている。しかしながら、従来の方
法では、化学還元メッキによってバンプを形成すること
ができる金属が限定されていたので、低融点金属によっ
てバンプの一部を形成することができなかった。
【０００３】本発明は、従来の問題点を解決するための
ものであり、その目的は、一部が低融点金属からなるバ
ンプを簡単に形成することにある。
ものであり、その目的は、一部が低融点金属からなるバ
ンプを簡単に形成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係るバン
プの形成方法は、パッド上に少なくとも一層の金属層を
形成し、前記少なくとも一層の金属層の最表層上に、置
換メッキによって、ろう材層を形成することを含む。
プの形成方法は、パッド上に少なくとも一層の金属層を
形成し、前記少なくとも一層の金属層の最表層上に、置
換メッキによって、ろう材層を形成することを含む。
【０００５】本発明によれば、置換メッキによって、バ
ンプの一部を低融点金属（ろう材）で形成することがで
きる。
ンプの一部を低融点金属（ろう材）で形成することがで
きる。
【０００６】（２）このバンプの形成方法において、前
記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、前記置換メ
ッキを行う前に、前記ろう材層よりも厚く形成してもよ
い。
記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、前記置換メ
ッキを行う前に、前記ろう材層よりも厚く形成してもよ
い。
【０００７】こうすることで、少なくとも一層の金属層
の最表層が無くなる前に、ろう材層の形成を終わらせる
ことができる。
の最表層が無くなる前に、ろう材層の形成を終わらせる
ことができる。
【０００８】（３）このバンプの形成方法において、前
記ろう材層を、スズを含む材料で形成してもよい。
記ろう材層を、スズを含む材料で形成してもよい。
【０００９】（４）このバンプの形成方法において、前
記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、銅で形成し
てもよい。
記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、銅で形成し
てもよい。
【００１０】（５）このバンプの形成方法において、ニ
ッケル層を形成し、前記銅からなる最表層を、前記ニッ
ケル層上に形成してもよい。
ッケル層を形成し、前記銅からなる最表層を、前記ニッ
ケル層上に形成してもよい。
【００１１】（６）このバンプの形成方法において、前
記少なくとも一層の金属層を、化学還元メッキで形成し
てもよい。
記少なくとも一層の金属層を、化学還元メッキで形成し
てもよい。
【００１２】（７）このバンプの形成方法において、前
記化学還元メッキのために触媒を付与することをさらに
含んでもよい。
記化学還元メッキのために触媒を付与することをさらに
含んでもよい。
【００１３】（８）このバンプの形成方法において、前
記少なくとも一層の金属層を、複数の金属層で形成し、
前記複数の金属層のうち、下側層上の酸化膜を除去した
後に上側層を形成してもよい。
記少なくとも一層の金属層を、複数の金属層で形成し、
前記複数の金属層のうち、下側層上の酸化膜を除去した
後に上側層を形成してもよい。
【００１４】（９）このバンプの形成方法において、前
記少なくとも一層の金属層の前記最表層上の酸化膜を除
去した後に、前記置換メッキを行ってもよい。
記少なくとも一層の金属層の前記最表層上の酸化膜を除
去した後に、前記置換メッキを行ってもよい。
【００１５】（１０）このバンプの形成方法において、
前記置換メッキのために触媒を付与することをさらに含
んでもよい。
前記置換メッキのために触媒を付与することをさらに含
んでもよい。
【００１６】（１１）このバンプの形成方法において、
前記パッドとオーバーラップする開口を有するレジスト
層を形成することをさらに含み、前記開口の内側で、前
記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成しても
よい。
前記パッドとオーバーラップする開口を有するレジスト
層を形成することをさらに含み、前記開口の内側で、前
記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成しても
よい。
【００１７】これによれば、開口の大きさに応じたバン
プを形成することができる。
プを形成することができる。
【００１８】（１２）このバンプの形成方法において、
前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成する
工程は、溶液への浸漬処理と、前記溶液への浸漬処理終
了後に連続して行われる洗浄工程と、を含んでもよい。
前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成する
工程は、溶液への浸漬処理と、前記溶液への浸漬処理終
了後に連続して行われる洗浄工程と、を含んでもよい。
【００１９】これによれば、少なくとも一層の金属層と
レジスト層との隙間からパッド上に溶液が入り込んで
も、洗浄工程でこれを除去することができる。
レジスト層との隙間からパッド上に溶液が入り込んで
も、洗浄工程でこれを除去することができる。
【００２０】（１３）このバンプの形成方法において、
前記洗浄工程を、超音波振動を加えて行ってもよい。
前記洗浄工程を、超音波振動を加えて行ってもよい。
【００２１】これによれば、洗浄を効果的に行うことが
できる。
できる。
【００２２】（１４）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層を剥離することをさらに含んでもよい。
前記レジスト層を剥離することをさらに含んでもよい。
【００２３】（１５）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記少なくとも一層の金属層
と前記ろう材層を形成した後に行ってもよい。
前記レジスト層の剥離を、前記少なくとも一層の金属層
と前記ろう材層を形成した後に行ってもよい。
【００２４】（１６）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、前記最表層の下の層を形成し
た後であって、前記最表層の形成前に行ってもよい。
前記レジスト層の剥離を、前記最表層の下の層を形成し
た後であって、前記最表層の形成前に行ってもよい。
【００２５】（１７）このバンプの形成方法において、
前記最表層の下の層をニッケルで形成し、前記最表層を
銅で形成してもよい。
前記最表層の下の層をニッケルで形成し、前記最表層を
銅で形成してもよい。
【００２６】（１８）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離に、有機溶剤を使用してもよい。
前記レジスト層の剥離に、有機溶剤を使用してもよい。
【００２７】（１９）このバンプの形成方法において、
前記レジスト層の剥離を、超音波振動を加えて行っても
よい。
前記レジスト層の剥離を、超音波振動を加えて行っても
よい。
【００２８】（２０）このバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって半導体ウエハに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成してもよい。
複数の前記パッドであって半導体ウエハに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成してもよい。
【００２９】（２１）このバンプの形成方法において、
複数の前記パッドであって半導体チップに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成してもよい。
複数の前記パッドであって半導体チップに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成してもよい。
【００３０】（２２）本発明に係るフリップチップの製
造方法は、上記方法によって、バンプを形成することを
含む。
造方法は、上記方法によって、バンプを形成することを
含む。
【００３１】（２３）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、上記方法によって製造されたフリップチップを基
板に実装することを含む。
法は、上記方法によって製造されたフリップチップを基
板に実装することを含む。
【００３２】（２４）本発明に係るフリップチップは、
上記方法によって製造されてなる。
上記方法によって製造されてなる。
【００３３】（２５）本発明に係るフリップチップは、
下から順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上
に積層されてなるバンプを有し、前記ニッケル層と前記
銅層の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウム
が形成されてなる。
下から順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上
に積層されてなるバンプを有し、前記ニッケル層と前記
銅層の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウム
が形成されてなる。
【００３４】（２６）本発明に係る半導体装置は、上記
方法によって製造されてなる。
方法によって製造されてなる。
【００３５】（２７）本発明に係る半導体装置は、下か
ら順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上に積
層されてなるバンプを有し、前記ニッケル層と前記銅層
の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウムが形
成されてなるフリップチップと、前記フリップチップが
実装された基板と、を有する。
ら順に、ニッケル層、銅層及びろう材層がパッド上に積
層されてなるバンプを有し、前記ニッケル層と前記銅層
の間と、前記銅層と前記ろう材層の間にパラジウムが形
成されてなるフリップチップと、前記フリップチップが
実装された基板と、を有する。
【００３６】（２８）本発明に係る回路基板には、上記
フリップチップが実装されている。
フリップチップが実装されている。
【００３７】（２９）本発明に係る回路基板には、上記
半導体装置が実装されている。
半導体装置が実装されている。
【００３８】（３０）本発明に係る電子機器は、上記フ
リップチップを有する。
リップチップを有する。
【００３９】（３１）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００４０】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１（Ａ）
〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るバンプの形成方法を示す図である。バンプは、パッ
ド１２上に形成する。複数のパッド１２が、基板１０に
形成されている。基板１０は、半導体ウエハ３２（図３
参照）、半導体チップ３４（図４参照）のいずれであっ
てもよい。本実施の形態では、基板１０に複数のパッド
１２が形成されており、全てのパッド１２に同時にバン
プを形成することができる。パッド１２は、アルミニウ
ム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などで形成される。
〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るバンプの形成方法を示す図である。バンプは、パッ
ド１２上に形成する。複数のパッド１２が、基板１０に
形成されている。基板１０は、半導体ウエハ３２（図３
参照）、半導体チップ３４（図４参照）のいずれであっ
てもよい。本実施の形態では、基板１０に複数のパッド
１２が形成されており、全てのパッド１２に同時にバン
プを形成することができる。パッド１２は、アルミニウ
ム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などで形成される。
【００４１】基板１０には、絶縁膜（パッシベーション
膜）１４が形成されている。絶縁膜１４は、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができ
る。絶縁膜１４は、各パッド１２の少なくとも一部が露
出するように形成されている。例えば、絶縁膜１４に開
口１６が形成されており、開口１６がパッド１２の表面
とオーバーラップする。その場合、絶縁膜１４は、パッ
ド１２の端部を覆ってもよい。絶縁膜１４の開口１６の
平面形状は、円形、四辺形（正方形又は長方形）のいず
れであってもよい。パッド１２の全体を絶縁膜１４で覆
ってから開口１６を形成する場合、パッド１２上の絶縁
膜１４の残さを、弱フッ酸溶液で溶解するなどの方法で
除去し、必要に応じてパッド１２を水等で洗浄する。そ
して、パッド１２をアルカリ性溶液に浸すなどの方法
で、パッド１２上の酸化膜を除去し、必要に応じてパッ
ド１２を水等で洗浄する。
膜）１４が形成されている。絶縁膜１４は、ＳｉＯ2、
ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができ
る。絶縁膜１４は、各パッド１２の少なくとも一部が露
出するように形成されている。例えば、絶縁膜１４に開
口１６が形成されており、開口１６がパッド１２の表面
とオーバーラップする。その場合、絶縁膜１４は、パッ
ド１２の端部を覆ってもよい。絶縁膜１４の開口１６の
平面形状は、円形、四辺形（正方形又は長方形）のいず
れであってもよい。パッド１２の全体を絶縁膜１４で覆
ってから開口１６を形成する場合、パッド１２上の絶縁
膜１４の残さを、弱フッ酸溶液で溶解するなどの方法で
除去し、必要に応じてパッド１２を水等で洗浄する。そ
して、パッド１２をアルカリ性溶液に浸すなどの方法
で、パッド１２上の酸化膜を除去し、必要に応じてパッ
ド１２を水等で洗浄する。
【００４２】バンプの形成工程では、パッド１２上に少
なくとも一層の金属層を形成する。パッド１２がアルミ
ニウム（Ａｌ）で形成されている場合、図１（Ａ）に示
すように、パッド１２上にジンケート処理（置換メッキ
の一種）を施して表面のアルミニウム（Ａｌ）を亜鉛
（Ｚｎ）に置換する。こうして、パッド１２の表面に金
属層（亜鉛層）１８を形成する。ダブルジンケート処理
を行って、緻密な金属層１８を形成してもよい。必要に
応じてパッド１２（金属層１８）を水等で洗浄する。
なくとも一層の金属層を形成する。パッド１２がアルミ
ニウム（Ａｌ）で形成されている場合、図１（Ａ）に示
すように、パッド１２上にジンケート処理（置換メッキ
の一種）を施して表面のアルミニウム（Ａｌ）を亜鉛
（Ｚｎ）に置換する。こうして、パッド１２の表面に金
属層（亜鉛層）１８を形成する。ダブルジンケート処理
を行って、緻密な金属層１８を形成してもよい。必要に
応じてパッド１２（金属層１８）を水等で洗浄する。
【００４３】図１（Ｂ）に示すように、パッド１２（金
属層１８）上に金属層２０を形成する。金属層２０の形
成には、化学還元メッキを適用することができる。例え
ば、溶液（ニッケルメッキ液）にパッド１２を浸漬し
て、金属層（ニッケル層）２０を形成する。ニッケルメ
ッキは、メッキ速度が速いので処理時間を短縮すること
ができる。化学還元メッキの工程は、メッキ液の撹拌
（例えばエアー撹拌）など公知の技術を含む。そして、
必要に応じて金属層２０を水等で洗浄する。この洗浄で
は、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。そし
て、金属層２０上の酸化膜を、硫酸溶液に浸漬するなど
の方法で除去し、必要に応じて金属層２０を水等で洗浄
する。この洗浄でも、超音波振動を加えて洗浄力を高め
てもよい。酸化膜を除去するときに、金属層２０の表面
を荒らすことができれば、その上に形成する金属層２４
との密着性が高まる。金属層２０は、パッド１２の表面
形状（例えば絶縁膜１４からの露出面形状）に応じた形
状を有し、角柱状又は円柱状をなしている。金属層２０
の高さは、例えば１０〜２５μｍ程度である。金属層２
０は、パッド１２（金属層１８）上から絶縁膜１４上に
至るように形成してもよい。
属層１８）上に金属層２０を形成する。金属層２０の形
成には、化学還元メッキを適用することができる。例え
ば、溶液（ニッケルメッキ液）にパッド１２を浸漬し
て、金属層（ニッケル層）２０を形成する。ニッケルメ
ッキは、メッキ速度が速いので処理時間を短縮すること
ができる。化学還元メッキの工程は、メッキ液の撹拌
（例えばエアー撹拌）など公知の技術を含む。そして、
必要に応じて金属層２０を水等で洗浄する。この洗浄で
は、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。そし
て、金属層２０上の酸化膜を、硫酸溶液に浸漬するなど
の方法で除去し、必要に応じて金属層２０を水等で洗浄
する。この洗浄でも、超音波振動を加えて洗浄力を高め
てもよい。酸化膜を除去するときに、金属層２０の表面
を荒らすことができれば、その上に形成する金属層２４
との密着性が高まる。金属層２０は、パッド１２の表面
形状（例えば絶縁膜１４からの露出面形状）に応じた形
状を有し、角柱状又は円柱状をなしている。金属層２０
の高さは、例えば１０〜２５μｍ程度である。金属層２
０は、パッド１２（金属層１８）上から絶縁膜１４上に
至るように形成してもよい。
【００４４】図１（Ｃ）に示すように、金属層（例えば
ニッケル層）２０に触媒２２を付与する。触媒２２は、
例えばパラジウムである。パラジウムの付与には、セン
シタイジング−アクチベーション法やキャタリスト−ア
クセレータ法を適用することができる。そして、必要に
応じて金属層２０を水等で洗浄する。ここでは、触媒２
２が除去されないように、超音波振動を加えない方が好
ましい。
ニッケル層）２０に触媒２２を付与する。触媒２２は、
例えばパラジウムである。パラジウムの付与には、セン
シタイジング−アクチベーション法やキャタリスト−ア
クセレータ法を適用することができる。そして、必要に
応じて金属層２０を水等で洗浄する。ここでは、触媒２
２が除去されないように、超音波振動を加えない方が好
ましい。
【００４５】図２（Ａ）に示すように、金属層２０（触
媒２２）上に金属層（例えば銅層）２４を形成する。金
属層２４は、金属層２０の表面全体に形成する。詳しく
は、金属層２０の上面及び側面に金属層２４を形成す
る。金属層２４は、その上に形成するろう材層２８より
も厚く形成する。金属層２４の形成には、化学還元メッ
キを適用することができる。詳しくは、溶液（銅メッキ
液）に金属層２０（触媒２２）を浸漬して、触媒２２を
核として銅を析出して、金属層（銅層）２４を形成す
る。触媒２２が付与されているので、金属層２０，２４
の密着性が高い。必要に応じて金属層２４を水等で洗浄
する。この洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力を高め
てもよい。そして、金属層２４上の酸化膜を除去し、必
要に応じて金属層２４を水等で洗浄する。この洗浄で
も、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。酸化膜
を除去するときに、金属層２４の表面を荒らすことがで
きれば、その上に形成されるろう材層２８との密着性が
高まる。
媒２２）上に金属層（例えば銅層）２４を形成する。金
属層２４は、金属層２０の表面全体に形成する。詳しく
は、金属層２０の上面及び側面に金属層２４を形成す
る。金属層２４は、その上に形成するろう材層２８より
も厚く形成する。金属層２４の形成には、化学還元メッ
キを適用することができる。詳しくは、溶液（銅メッキ
液）に金属層２０（触媒２２）を浸漬して、触媒２２を
核として銅を析出して、金属層（銅層）２４を形成す
る。触媒２２が付与されているので、金属層２０，２４
の密着性が高い。必要に応じて金属層２４を水等で洗浄
する。この洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力を高め
てもよい。そして、金属層２４上の酸化膜を除去し、必
要に応じて金属層２４を水等で洗浄する。この洗浄で
も、超音波振動を加えて洗浄力を高めてもよい。酸化膜
を除去するときに、金属層２４の表面を荒らすことがで
きれば、その上に形成されるろう材層２８との密着性が
高まる。
【００４６】以上の工程により、パッド１２上に少なく
とも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成す
る。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の
金属層の最表層は、金属層２４である。金属層２４は、
銅で形成されている。銅からなる金属層２４は、ニッケ
ルからなる金属層２０上に形成されている。
とも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成す
る。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の
金属層の最表層は、金属層２４である。金属層２４は、
銅で形成されている。銅からなる金属層２４は、ニッケ
ルからなる金属層２０上に形成されている。
【００４７】図２（Ｂ）に示すように、金属層（例えば
銅層）２４に触媒２６を付与する。触媒２６は、例えば
パラジウムである。パラジウムの付与には、センシタイ
ジング−アクチベーション法やキャタリスト−アクセレ
ータ法を適用することができる。必要に応じて金属層２
４を水等で洗浄する。ここでは、触媒２６が除去されな
いように、超音波振動を加えない方が好ましい。
銅層）２４に触媒２６を付与する。触媒２６は、例えば
パラジウムである。パラジウムの付与には、センシタイ
ジング−アクチベーション法やキャタリスト−アクセレ
ータ法を適用することができる。必要に応じて金属層２
４を水等で洗浄する。ここでは、触媒２６が除去されな
いように、超音波振動を加えない方が好ましい。
【００４８】図２（Ｃ）に示すように、パッド１２上に
形成された少なくとも一層（本実施の形態では複数層）
の金属層の最表層である金属層（銅層）２４に、ろう材
層２８を形成する。ろう材層２８は、低融点金属で形成
する。低融点金属として、ろう材（例えばスズ又はスズ
を含む材料（スズ−鉛合金等））を使用する。ろう材層
２８の形成には、置換メッキを適用する。すなわち、金
属層（銅層）２４を溶液に浸漬し、金属層（銅層）２４
の表面を、ろう材に置換してろう材層２８を形成する。
置換メッキを適用するので、あるいはそれに加えて触媒
２６を付与するので、金属層２４とろう材層２８の密着
性が高い。また、置換メッキを適用するので、金属層２
４の厚みが減少する。本実施の形態では、置換メッキを
行う前に金属層２４を、ろう材層２８よりも厚く形成し
ておく。例えば、ろう材層２８を１〜２μｍ程度で形成
する場合には、それを超える厚みで金属層２４を形成し
ておく。こうすることで、ろう材層２８の形成（置換メ
ッキ）が完了する前に、その下地（金属層２４）が無く
なってしまうことを避けることができる。
形成された少なくとも一層（本実施の形態では複数層）
の金属層の最表層である金属層（銅層）２４に、ろう材
層２８を形成する。ろう材層２８は、低融点金属で形成
する。低融点金属として、ろう材（例えばスズ又はスズ
を含む材料（スズ−鉛合金等））を使用する。ろう材層
２８の形成には、置換メッキを適用する。すなわち、金
属層（銅層）２４を溶液に浸漬し、金属層（銅層）２４
の表面を、ろう材に置換してろう材層２８を形成する。
置換メッキを適用するので、あるいはそれに加えて触媒
２６を付与するので、金属層２４とろう材層２８の密着
性が高い。また、置換メッキを適用するので、金属層２
４の厚みが減少する。本実施の形態では、置換メッキを
行う前に金属層２４を、ろう材層２８よりも厚く形成し
ておく。例えば、ろう材層２８を１〜２μｍ程度で形成
する場合には、それを超える厚みで金属層２４を形成し
ておく。こうすることで、ろう材層２８の形成（置換メ
ッキ）が完了する前に、その下地（金属層２４）が無く
なってしまうことを避けることができる。
【００４９】必要に応じて、ろう材層２８を水等で洗浄
し、乾燥させる。洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力
を高めてもよい。こうして、バンプを形成することがで
きる。バンプの高さは、例えば１５〜２５μｍ程度であ
る。本実施の形態によれば、置換メッキを適用すること
で、バンプの一部（表面層）を、低融点金属（ろう材）
で形成することができる。バンプは、少なくとも一層の
金属層（本実施の形態では金属層（亜鉛層）１８，金属
層（ニッケル層）２０，金属層（銅層）２４）と、ろう
材層２８とを有する。金属層（ニッケル層）２０と金属
層（銅層）２４の間には、触媒（パラジウム）２２が残
っていてもよい。また、金属層（銅層）２４とろう材層
２８との間に、触媒（パラジウム）２６が残っていても
よい。
し、乾燥させる。洗浄では、超音波振動を加えて洗浄力
を高めてもよい。こうして、バンプを形成することがで
きる。バンプの高さは、例えば１５〜２５μｍ程度であ
る。本実施の形態によれば、置換メッキを適用すること
で、バンプの一部（表面層）を、低融点金属（ろう材）
で形成することができる。バンプは、少なくとも一層の
金属層（本実施の形態では金属層（亜鉛層）１８，金属
層（ニッケル層）２０，金属層（銅層）２４）と、ろう
材層２８とを有する。金属層（ニッケル層）２０と金属
層（銅層）２４の間には、触媒（パラジウム）２２が残
っていてもよい。また、金属層（銅層）２４とろう材層
２８との間に、触媒（パラジウム）２６が残っていても
よい。
【００５０】図３には、上述した工程により形成された
複数のバンプ３０を有する半導体ウエハ３２が示されて
いる。図４には、上述した工程により形成されたか、あ
るいは図３に示す半導体ウエハ３２をダイシングして得
られた複数のバンプ３０を有する半導体チップ３４が示
されている。半導体チップ３４はフリップチップであ
る。上述したバンプの形成方法を、半導体装置の製造方
法の一部とすることができる。
複数のバンプ３０を有する半導体ウエハ３２が示されて
いる。図４には、上述した工程により形成されたか、あ
るいは図３に示す半導体ウエハ３２をダイシングして得
られた複数のバンプ３０を有する半導体チップ３４が示
されている。半導体チップ３４はフリップチップであ
る。上述したバンプの形成方法を、半導体装置の製造方
法の一部とすることができる。
【００５１】（第２の実施の形態）図５（Ａ）〜図７
（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバ
ンプの形成方法を説明する図である。なお、以下の説明
で、第１の実施の形態で使用した符号と同じ符号を使用
した構成要素には、第１の実施の形態で説明した内容が
該当する。本実施の形態では、図５（Ａ）に示すよう
に、レジスト層４０を形成する。レジスト層４０は、基
板（例えば半導体ウエハ又は半導体チップ）１０におけ
るパッド１２が形成された側に形成する。図５（Ａ）に
示す例では、絶縁膜１４上にレジスト層４０を形成す
る。絶縁膜１４は、パッド１２を覆っている。
（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバ
ンプの形成方法を説明する図である。なお、以下の説明
で、第１の実施の形態で使用した符号と同じ符号を使用
した構成要素には、第１の実施の形態で説明した内容が
該当する。本実施の形態では、図５（Ａ）に示すよう
に、レジスト層４０を形成する。レジスト層４０は、基
板（例えば半導体ウエハ又は半導体チップ）１０におけ
るパッド１２が形成された側に形成する。図５（Ａ）に
示す例では、絶縁膜１４上にレジスト層４０を形成す
る。絶縁膜１４は、パッド１２を覆っている。
【００５２】レジスト層４０には、貫通穴４２を形成す
る。貫通穴４２は、パッド１２とオーバーラップするよ
うに形成する。フォトリソグラフィ技術を適用して貫通
穴４２を形成してもよい。貫通穴４２は、パッド１２の
外周を超えない形状で形成する。貫通穴４２は、パッド
１２に対して垂直に立ち上がる壁面にて形成する。こう
することで、垂直に立ち上がるバンプを形成することが
できる。なお、貫通穴４２の平面形状は、円形又は四辺
形（例えば正方形又は長方形）のいずれであってもよ
い。
る。貫通穴４２は、パッド１２とオーバーラップするよ
うに形成する。フォトリソグラフィ技術を適用して貫通
穴４２を形成してもよい。貫通穴４２は、パッド１２の
外周を超えない形状で形成する。貫通穴４２は、パッド
１２に対して垂直に立ち上がる壁面にて形成する。こう
することで、垂直に立ち上がるバンプを形成することが
できる。なお、貫通穴４２の平面形状は、円形又は四辺
形（例えば正方形又は長方形）のいずれであってもよ
い。
【００５３】図５（Ｂ）に示すように、レジスト層４０
をマスクとして、絶縁膜１４における貫通穴４２内の部
分を除去して開口１６を形成し、パッド１２の少なくと
も一部を露出させる。絶縁膜１４の一部は、エッチング
によって除去することができる。異方性のエッチングを
適用して、絶縁膜１４の表面から垂直にエッチングを進
行させてもよい。貫通穴４２の壁面と、絶縁膜１４の開
口１６の壁面とが面一になっていてもよい。変形例とし
て、レジスト層４０を形成する前に絶縁膜１４に開口１
６が形成されている場合には、この工程は不要である。
をマスクとして、絶縁膜１４における貫通穴４２内の部
分を除去して開口１６を形成し、パッド１２の少なくと
も一部を露出させる。絶縁膜１４の一部は、エッチング
によって除去することができる。異方性のエッチングを
適用して、絶縁膜１４の表面から垂直にエッチングを進
行させてもよい。貫通穴４２の壁面と、絶縁膜１４の開
口１６の壁面とが面一になっていてもよい。変形例とし
て、レジスト層４０を形成する前に絶縁膜１４に開口１
６が形成されている場合には、この工程は不要である。
【００５４】図５（Ｃ）に示すように、パッド１２の表
面に金属層（亜鉛層）１８を形成する（第１の実施の形
態参照）。そして、図６（Ａ）に示すように、パッド１
２（金属層１８）上に金属層（例えばニッケル層）４４
を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明し
た金属層２０の形成方法を適用することができる（図１
（Ｂ）参照）。ただし、金属層４４は、レジスト層４０
の貫通穴４２内に形成される。したがって、金属層４４
の横方向への拡がりを抑えることができる。すなわち、
金属層４４を、幅に対して高さの比率が大きい形状を有
するように形成することができる。
面に金属層（亜鉛層）１８を形成する（第１の実施の形
態参照）。そして、図６（Ａ）に示すように、パッド１
２（金属層１８）上に金属層（例えばニッケル層）４４
を形成する。その方法には、第１の実施の形態で説明し
た金属層２０の形成方法を適用することができる（図１
（Ｂ）参照）。ただし、金属層４４は、レジスト層４０
の貫通穴４２内に形成される。したがって、金属層４４
の横方向への拡がりを抑えることができる。すなわち、
金属層４４を、幅に対して高さの比率が大きい形状を有
するように形成することができる。
【００５５】図６（Ｂ）に示すように、金属層（例えば
ニッケル層）４４に触媒４６を付与する。その方法に
は、第１の実施の形態で説明した触媒２２の付与方法を
適用することができる（図１（Ｃ）参照）。ただし、触
媒４６は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金
属層４４の上面）に形成される。
ニッケル層）４４に触媒４６を付与する。その方法に
は、第１の実施の形態で説明した触媒２２の付与方法を
適用することができる（図１（Ｃ）参照）。ただし、触
媒４６は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金
属層４４の上面）に形成される。
【００５６】図６（Ｃ）に示すように、金属層４４（触
媒４６）上に金属層（例えば銅層）４８を形成する。そ
の方法には、第１の実施の形態で説明した金属層２４の
形成方法を適用することができる（図２（Ａ）参照）。
ただし、金属層４８は、レジスト層４０の貫通穴４２内
に形成される。したがって、金属層４８の横方向への拡
がりを抑えることができる。すなわち、金属層４８を、
幅に対して高さの比率が大きい形状を有するように形成
することができる。
媒４６）上に金属層（例えば銅層）４８を形成する。そ
の方法には、第１の実施の形態で説明した金属層２４の
形成方法を適用することができる（図２（Ａ）参照）。
ただし、金属層４８は、レジスト層４０の貫通穴４２内
に形成される。したがって、金属層４８の横方向への拡
がりを抑えることができる。すなわち、金属層４８を、
幅に対して高さの比率が大きい形状を有するように形成
することができる。
【００５７】以上の工程により、パッド１２上に少なく
とも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成す
る。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の
金属層の最表層は、金属層４８である。金属層４８は、
銅で形成されている。銅からなる金属層４８は、ニッケ
ルからなる金属層４４上に形成されている。
とも一層（本実施の形態では複数層）の金属層を形成す
る。この少なくとも一層（本実施の形態では複数層）の
金属層の最表層は、金属層４８である。金属層４８は、
銅で形成されている。銅からなる金属層４８は、ニッケ
ルからなる金属層４４上に形成されている。
【００５８】図７（Ａ）に示すように、金属層（例えば
銅層）４８に触媒５０を形成する。その方法には、第１
の実施の形態で説明した触媒２６の付与方法を適用する
ことができる（図２（Ｂ）参照）。ただし、触媒５０
は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金属層４
８の上面）に形成される。
銅層）４８に触媒５０を形成する。その方法には、第１
の実施の形態で説明した触媒２６の付与方法を適用する
ことができる（図２（Ｂ）参照）。ただし、触媒５０
は、レジスト層４０の貫通穴４２内（すなわち金属層４
８の上面）に形成される。
【００５９】図７（Ｂ）に示すように、金属層（例えば
銅層）４８にろう材層５２を形成する。その方法には、
第１の実施の形態で説明したろう材層２８の形成方法を
適用することができる（図２（Ｃ）参照）。ただし、ろ
う材層５２は、レジスト層４０の貫通穴４２内に形成さ
れる。したがって、ろう材層５２の横方向への拡がりを
抑えることができる。すなわち、ろう材層５２を、幅に
対して高さの比率が大きい形状を有するように形成する
ことができる。
銅層）４８にろう材層５２を形成する。その方法には、
第１の実施の形態で説明したろう材層２８の形成方法を
適用することができる（図２（Ｃ）参照）。ただし、ろ
う材層５２は、レジスト層４０の貫通穴４２内に形成さ
れる。したがって、ろう材層５２の横方向への拡がりを
抑えることができる。すなわち、ろう材層５２を、幅に
対して高さの比率が大きい形状を有するように形成する
ことができる。
【００６０】上記工程において、第１の実施の形態で説
明した洗浄工程（超音波振動の印加を含む）を導入して
もよい。レジスト層４０の貫通穴４２の壁面と、金属層
４４，４８、ろう材層５２との間に隙間が形成され、化
学還元メッキ又は置換メッキの溶液が入り込んでも、洗
浄により溶液を除去することができる。こうすること
で、パッド１２、金属層４４，４８、ろう材層５２に対
するダメージを与えないようにすることができる。
明した洗浄工程（超音波振動の印加を含む）を導入して
もよい。レジスト層４０の貫通穴４２の壁面と、金属層
４４，４８、ろう材層５２との間に隙間が形成され、化
学還元メッキ又は置換メッキの溶液が入り込んでも、洗
浄により溶液を除去することができる。こうすること
で、パッド１２、金属層４４，４８、ろう材層５２に対
するダメージを与えないようにすることができる。
【００６１】図７（Ｃ）に示すように、レジスト層４０
を除去する。その除去に、有機溶剤（例えばモノエタノ
ールアミン７０％とジメチルスルホキシド３０％）を使
用すれば、金属層４４，４８、ろう材層５２に対するダ
メージを与えない。レジスト層４０を除去するときに、
超音波振動を印加してもよい。
を除去する。その除去に、有機溶剤（例えばモノエタノ
ールアミン７０％とジメチルスルホキシド３０％）を使
用すれば、金属層４４，４８、ろう材層５２に対するダ
メージを与えない。レジスト層４０を除去するときに、
超音波振動を印加してもよい。
【００６２】以上の工程により、パッド１２上にバンプ
を形成することができる。本実施の形態では、レジスト
層４０の貫通穴４２内にバンプを形成するので、狭ピッ
チのストレートバンプを形成することが可能である。
を形成することができる。本実施の形態では、レジスト
層４０の貫通穴４２内にバンプを形成するので、狭ピッ
チのストレートバンプを形成することが可能である。
【００６３】なお、本実施の形態では、レジスト層４０
の剥離を、ろう材層５２を形成した後に行ったが、金属
層４４（最表層の下の層）を形成した後であって、金属
層４８（最表層）を形成する前に行ってもよい。こうす
ることで、金属層４４（最表層の下の層）の上面のみな
らず側面（レジスト４０で覆われていた面）にも、金属
層４８（最表層）を形成することができる。そして、金
属層４４の側方にもろう材層５２を形成することができ
る。すなわち、金属層４４は、パッド１２と、絶縁膜１
４と、金属層４８及びろう材層５２とによって全ての面
が覆われることになる。
の剥離を、ろう材層５２を形成した後に行ったが、金属
層４４（最表層の下の層）を形成した後であって、金属
層４８（最表層）を形成する前に行ってもよい。こうす
ることで、金属層４４（最表層の下の層）の上面のみな
らず側面（レジスト４０で覆われていた面）にも、金属
層４８（最表層）を形成することができる。そして、金
属層４４の側方にもろう材層５２を形成することができ
る。すなわち、金属層４４は、パッド１２と、絶縁膜１
４と、金属層４８及びろう材層５２とによって全ての面
が覆われることになる。
【００６４】図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、第２の実施の
形態の変形例を説明する図である。この変形例では、絶
縁膜５４が、パッド１２の上方で、薄い部分（厚み
ｔ1）と、厚い部分（厚みｔ2）とを有するように形成さ
れている。詳しくは、パッド１２の中央部上には、絶縁
膜５４の薄い部分が形成され、パッド１２の端部上に
は、絶縁膜５４の厚い部分が形成されている。例えば、
第１の絶縁膜５６を形成し、パッド１２上で第１の絶縁
膜５６に開口を形成し、さらに第２の絶縁膜５８を、第
１の絶縁膜５６及びパッド１２（第１の絶縁膜５６の開
口内）を覆うように形成することで、このような絶縁膜
５４を形成することができる。
形態の変形例を説明する図である。この変形例では、絶
縁膜５４が、パッド１２の上方で、薄い部分（厚み
ｔ1）と、厚い部分（厚みｔ2）とを有するように形成さ
れている。詳しくは、パッド１２の中央部上には、絶縁
膜５４の薄い部分が形成され、パッド１２の端部上に
は、絶縁膜５４の厚い部分が形成されている。例えば、
第１の絶縁膜５６を形成し、パッド１２上で第１の絶縁
膜５６に開口を形成し、さらに第２の絶縁膜５８を、第
１の絶縁膜５６及びパッド１２（第１の絶縁膜５６の開
口内）を覆うように形成することで、このような絶縁膜
５４を形成することができる。
【００６５】図８（Ｂ）に示すように、絶縁膜５４に、
上述した貫通穴４２を有するレジスト層４０を形成し、
絶縁膜５４をエッチングする。絶縁膜５４が上述した形
状を有するので、等方性エッチングを行っても、パッド
１２の端部に絶縁膜５４（その厚い部分の一部）を残す
ことができる。また、図８（Ａ）に示すように、絶縁膜
５４の薄い部分の大きさ（直径又は対角線長さ等）が、
レジスト層４０の貫通穴４２の大きさ（直径又は対角線
長さ等）よりも小さければ、図８（Ｂ）に示すように、
貫通穴４２の内側に突出する部分６０を残すことができ
る。この場合、その後にバンプを形成すると、バンプの
一部が、絶縁膜５４の一部分６０の上に載るようにな
る。そして、パッド１２は、絶縁膜５４の一部分６０及
びバンプによって完全に覆われて保護される。
上述した貫通穴４２を有するレジスト層４０を形成し、
絶縁膜５４をエッチングする。絶縁膜５４が上述した形
状を有するので、等方性エッチングを行っても、パッド
１２の端部に絶縁膜５４（その厚い部分の一部）を残す
ことができる。また、図８（Ａ）に示すように、絶縁膜
５４の薄い部分の大きさ（直径又は対角線長さ等）が、
レジスト層４０の貫通穴４２の大きさ（直径又は対角線
長さ等）よりも小さければ、図８（Ｂ）に示すように、
貫通穴４２の内側に突出する部分６０を残すことができ
る。この場合、その後にバンプを形成すると、バンプの
一部が、絶縁膜５４の一部分６０の上に載るようにな
る。そして、パッド１２は、絶縁膜５４の一部分６０及
びバンプによって完全に覆われて保護される。
【００６６】（その他の実施の形態）図９は、本発明を
適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
半導体装置は、図４に示すバンプ３０を有する半導体チ
ップ（フリップチップ）３４と、配線パターン７２が形
成された基板７０と、複数の外部端子７６と、を含む。
なお、半導体チップ３４は、基板７０にフェースダウン
ボンディングされ、半導体チップ３４と基板７０との間
には、アンダーフィル材（樹脂）７４が充填されてい
る。
適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
半導体装置は、図４に示すバンプ３０を有する半導体チ
ップ（フリップチップ）３４と、配線パターン７２が形
成された基板７０と、複数の外部端子７６と、を含む。
なお、半導体チップ３４は、基板７０にフェースダウン
ボンディングされ、半導体チップ３４と基板７０との間
には、アンダーフィル材（樹脂）７４が充填されてい
る。
【００６７】図１０は、本発明の実施の形態に係る半導
体装置の一例を示す図である。この例では、ＣＯＦ（Ch
ip On Film）の形態が適用された半導体装置１００が、
液晶パネル９０に取り付けられている。半導体装置１０
０は、上述した半導体チップ３４及び基板（フィルム又
はフレキシブル基板）８０を有する。液晶パネル９０を
電子機器ということもできる。図１１に示す回路基板１
１０には、本発明の実施の形態に係るフリップチップ又
は半導体装置が実装されている。本発明の実施の形態に
係るフリップチップ又は半導体装置を有する電子機器と
して、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ１２
０が示され、図１３には携帯電話１３０が示されてい
る。
体装置の一例を示す図である。この例では、ＣＯＦ（Ch
ip On Film）の形態が適用された半導体装置１００が、
液晶パネル９０に取り付けられている。半導体装置１０
０は、上述した半導体チップ３４及び基板（フィルム又
はフレキシブル基板）８０を有する。液晶パネル９０を
電子機器ということもできる。図１１に示す回路基板１
１０には、本発明の実施の形態に係るフリップチップ又
は半導体装置が実装されている。本発明の実施の形態に
係るフリップチップ又は半導体装置を有する電子機器と
して、図１２にはノート型パーソナルコンピュータ１２
０が示され、図１３には携帯電話１３０が示されてい
る。
【００６８】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した
第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した
第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
第１の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るバンプが形成された半導体ウエハを示す図である。
係るバンプが形成された半導体ウエハを示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るバンプが形成された半導体チップを示す図である。
係るバンプが形成された半導体チップを示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法を説明する図
である。
【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｂ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法の変形例を説
明する図である。
第２の実施の形態に係るバンプの形成方法の変形例を説
明する図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を示す図である。
導体装置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を示す図である。
る半導体装置を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係
る回路基板を示す図である。
る回路基板を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態に係
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態に係
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
１０ 基板
１２ パッド
１８ 金属層
２０ 金属層
２２ 触媒
２４ 金属層
２６ 触媒
２８ ろう材層
３０ バンプ
３２ 半導体ウエハ
３４ 半導体チップ
４０ レジスト層
４２ 貫通穴
４４ 金属層
４６ 触媒
４８ 金属層
５０ 触媒
５２ ろう材層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 岩垂 武志
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
Claims (31)
- 【請求項１】 パッド上に少なくとも一層の金属層を形
成し、前記少なくとも一層の金属層の最表層上に、置換
メッキによって、ろう材層を形成することを含むバンプ
の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のバンプの形成方法におい
て、 前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、前記置換
メッキを行う前に、前記ろう材層よりも厚く形成するバ
ンプの形成方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のバンプの形
成方法において、 前記ろう材層を、スズを含む材料で形成するバンプの形
成方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
のバンプの形成方法において、 前記少なくとも一層の金属層の前記最表層を、銅で形成
するバンプの形成方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のバンプの形成方法におい
て、 ニッケル層を形成し、前記銅からなる最表層を、前記ニ
ッケル層上に形成するバンプの形成方法。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のいずれかに記載
のバンプの形成方法において、 前記少なくとも一層の金属層を、化学還元メッキで形成
するバンプの形成方法。 - 【請求項７】 請求項６記載のバンプの形成方法におい
て、 前記化学還元メッキのために触媒を付与することをさら
に含むバンプの形成方法。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
のバンプの形成方法において、 前記少なくとも一層の金属層を、複数の金属層で形成
し、 前記複数の金属層のうち、下側層上の酸化膜を除去した
後に上側層を形成するバンプの形成方法。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
のバンプの形成方法において、 前記少なくとも一層の金属層の前記最表層上の酸化膜を
除去した後に、前記置換メッキを行うバンプの形成方
法。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれかに記
載のバンプの形成方法において、 前記置換メッキのために触媒を付与することをさらに含
むバンプの形成方法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
記載のバンプの形成方法において、 前記パッドとオーバーラップする開口を有するレジスト
層を形成することをさらに含み、 前記開口の内側で、前記少なくとも一層の金属層と前記
ろう材層を形成するバンプの形成方法。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
記載のバンプの形成方法において、 前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を形成する
工程は、溶液への浸漬処理と、前記溶液への浸漬処理終
了後に連続して行われる洗浄工程と、を含むバンプの形
成方法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載のバンプの形成方法に
おいて、 前記洗浄工程を、超音波振動を加えて行うバンプの形成
方法。 - 【請求項１４】 請求項１１、請求項１１を引用する請
求項１２、請求項１１を引用する請求項１３のいずれか
に記載のバンプの形成方法において、 前記レジスト層を剥離することをさらに含むバンプの形
成方法。 - 【請求項１５】 請求項１４記載のバンプの形成方法に
おいて、 前記レジスト層の剥離を、前記少なくとも一層の金属層
と前記ろう材層を形成した後に行うバンプの形成方法。 - 【請求項１６】 請求項１４記載のバンプの形成方法に
おいて、 前記レジスト層の剥離を、前記最表層の下の層を形成し
た後であって、前記最表層の形成前に行うバンプの形成
方法。 - 【請求項１７】 請求項１６記載のバンプの形成方法に
おいて、 前記最表層の下の層をニッケルで形成し、前記最表層を
銅で形成するバンプの形成方法。 - 【請求項１８】 請求項１４から請求項１７のいずれか
に記載のバンプの形成方法において、 前記レジスト層の剥離に、有機溶剤を使用するバンプの
形成方法。 - 【請求項１９】 請求項１４から請求項１８のいずれか
に記載のバンプの形成方法において、 前記レジスト層の剥離を、超音波振動を加えて行うバン
プの形成方法。 - 【請求項２０】 請求項１から請求項１９のいずれかに
記載のバンプの形成方法において、 複数の前記パッドであって半導体ウエハに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成するバンプの形成方法。 - 【請求項２１】 請求項１から請求項１９のいずれかに
記載のバンプの形成方法において、 複数の前記パッドであって半導体チップに形成されたパ
ッドに、前記少なくとも一層の金属層と前記ろう材層を
形成するバンプの形成方法。 - 【請求項２２】 請求項２０又は請求項２１記載の方法
によって、バンプを形成することを含むフリップチップ
の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の方法によって製造さ
れたフリップチップを基板に実装することを含む半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２２記載の方法によって製造さ
れてなるフリップチップ。 - 【請求項２５】 下から順に、ニッケル層、銅層及びろ
う材層がパッド上に積層されてなるバンプを有し、 前記ニッケル層と前記銅層の間と、前記銅層と前記ろう
材層の間にパラジウムが形成されてなるフリップチッ
プ。 - 【請求項２６】 請求項２３記載の方法によって製造さ
れてなる半導体装置。 - 【請求項２７】 下から順に、ニッケル層、銅層及びろ
う材層がパッド上に積層されてなるバンプを有し、前記
ニッケル層と前記銅層の間と、前記銅層と前記ろう材層
の間にパラジウムが形成されてなるフリップチップと、 前記フリップチップが実装された基板と、 を有する半導体装置。 - 【請求項２８】 請求項２４又は請求項２５記載のフリ
ップチップが実装された回路基板。 - 【請求項２９】 請求項２６又は請求項２７記載の半導
体装置が実装された回路基板。 - 【請求項３０】 請求項２４又は請求項２５記載のフリ
ップチップを有する電子機器。 - 【請求項３１】 請求項２６又は請求項２７記載の半導
体装置を有する電子機器。
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