JP2003142425A5 - - Google Patents
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【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、タングステン膜を形成する際に、従来のプロセス温度と比較して低温の400℃以下のプロセス温度で成膜できるタングステン膜形成工程を用いることにより、TiN膜等のバリヤ層は比較的薄くでき、しかも、この比較的薄いバリヤ層は、Ti膜を形成した処理容器内でTi膜形成工程後にプラズマ窒化処理を連続的に施すことにより容易に形成できる、という知見を得ることにより本発明に至ったものである。
請求項1に規定する発明は、真空引き可能な処理容器内にて被処理体の表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ400℃以下でタングステン膜を形成するタングステン膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、タングステン膜を形成する際に、従来のプロセス温度と比較して低温の400℃以下のプロセス温度で成膜できるタングステン膜形成工程を用いることにより、TiN膜等のバリヤ層は比較的薄くでき、しかも、この比較的薄いバリヤ層は、Ti膜を形成した処理容器内でTi膜形成工程後にプラズマ窒化処理を連続的に施すことにより容易に形成できる、という知見を得ることにより本発明に至ったものである。
請求項1に規定する発明は、真空引き可能な処理容器内にて被処理体の表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ400℃以下でタングステン膜を形成するタングステン膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法である。
例えば請求項3に規定するように、前記400℃以下でのタングステン膜形成工程と前記第2のタングステン膜形成工程とは同一処理室で連続して行われる。
例えば請求項4に規定するように、前記チタン膜形成工程と前記窒化工程とは同一処理室で連続して行われる。
例えば請求項5に規定するように、前記400℃以下でのタングステン膜形成工程のプロセス温度は前記窒化工程により形成される窒化膜の厚さに連動して設定される。
また、例えば請求項6に規定するように、前記チタン膜形成工程では、原料ガスとしてTiCl4 ガスが用いられ、還元ガスとしてH2 ガスが用いられる。
また、例えば請求項7に規定するように、前記窒化工程では、還元ガスとしてNH3 ガス或いはN2 ガスが用いられ、プラズマ存在下にて処理が行われる。
また、例えば請求項8に規定するように、前記400℃以下でのタングステン膜形成工程では還元ガスとしてSiH4 ガスが用いられ、前記第2のタングステン膜形成工程では還元ガスとしてH2 ガスが用いられる。
例えば請求項4に規定するように、前記チタン膜形成工程と前記窒化工程とは同一処理室で連続して行われる。
例えば請求項5に規定するように、前記400℃以下でのタングステン膜形成工程のプロセス温度は前記窒化工程により形成される窒化膜の厚さに連動して設定される。
また、例えば請求項6に規定するように、前記チタン膜形成工程では、原料ガスとしてTiCl4 ガスが用いられ、還元ガスとしてH2 ガスが用いられる。
また、例えば請求項7に規定するように、前記窒化工程では、還元ガスとしてNH3 ガス或いはN2 ガスが用いられ、プラズマ存在下にて処理が行われる。
また、例えば請求項8に規定するように、前記400℃以下でのタングステン膜形成工程では還元ガスとしてSiH4 ガスが用いられ、前記第2のタングステン膜形成工程では還元ガスとしてH2 ガスが用いられる。
また、例えば請求項9に規定するように、前記窒化処理により形成される窒化膜の厚さの下限値は50Å程度である。
また、例えば請求項10に規定するように、前記比較的低温のタングステン膜形成工程のプロセス温度は250〜350℃程度の範囲内であり、前記第2のタングステン膜形成工程のプロセス温度は400〜450℃程度の範囲内である。
また、例えば請求項11に規定するように、前記チタン形成工程と窒化工程ではプラズマが用いられ、前記タングステン膜形成工程では熱CVDが用いられる。
また例えば請求項12に規定するように、前記タングステン含有ガスはWF 6 である。
また例えば請求項13に規定するように、前記タングステン含有ガスはW(CO) 6 である。
また、例えば請求項10に規定するように、前記比較的低温のタングステン膜形成工程のプロセス温度は250〜350℃程度の範囲内であり、前記第2のタングステン膜形成工程のプロセス温度は400〜450℃程度の範囲内である。
また、例えば請求項11に規定するように、前記チタン形成工程と窒化工程ではプラズマが用いられ、前記タングステン膜形成工程では熱CVDが用いられる。
また例えば請求項12に規定するように、前記タングステン含有ガスはWF 6 である。
また例えば請求項13に規定するように、前記タングステン含有ガスはW(CO) 6 である。
上記窒化工程におけるプロセス温度は、直前のチタン膜形成工程の場合と同じ、例えば600〜650℃程度、プロセス圧力は500〜1000Pa程度である。また、各ガス流量については、NH3 ガスが500〜3000sccm程度、Arガスが500〜3000sccm程度である。この時のチタンナイトライド膜34の厚さは、バリヤ層として機能する厚さ、例えば50Å程度である。このチタンナイトライド膜34の厚さの下限値は、後述する熱CVD処理によるタングステン膜の成膜時にバリヤ層として機能し得る最小の厚さであり、従来では例えば200Å程度である。上記厚さ50Åは、従来方法で必要とされた、例えば200Åよりも遥かに薄いので、上述のようにチタン膜32の表面の窒化処理により容易に、且つ短時間で形成することができる。
このようにして、チタン膜表面の窒化工程が完了したならば、次に、この成膜プラズマ装置16内のウエハWを、他方の熱CVD装置である成膜装置18へ移載し、タングステン膜形成工程へ移行する(S3)。ここで重要な点は、タングステン膜の成膜処理は、上記バリヤ層であるTiN膜34の厚さに鑑みてプロセス温度を設定する、という点である。
このように、400℃以下でタングステン膜を形成するために、ここでは還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回或いは複数回繰り返して供給してタングステン膜36の成膜を行う(S4)。
具体的には、図4に示すように、還元ガスであるSiH4 ガスとタングステン含有ガスであるWF6 ガスとを短時間ずつ交互に間欠的に繰り返して供給する。この際、SiH4 ガスの1回の供給期間T1は例えば0.5〜5.0秒程度、WF6 ガスの1回の供給期間T2は例えば0.5〜5.0秒程度、間欠期間T3は例えば0.5〜3.0秒程度である。SiH4 ガスやWF6 ガスの供給時には、キャリアガスとして例えばAr、N2 等も供給し、間欠期間にはキャリアガスを、或いは別のガスをパージガスとして流しておく。尚、上記各期間T1〜T3は単に一例を示したに過ぎず、これらに限定されない。
このように、400℃以下でタングステン膜を形成するために、ここでは還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回或いは複数回繰り返して供給してタングステン膜36の成膜を行う(S4)。
具体的には、図4に示すように、還元ガスであるSiH4 ガスとタングステン含有ガスであるWF6 ガスとを短時間ずつ交互に間欠的に繰り返して供給する。この際、SiH4 ガスの1回の供給期間T1は例えば0.5〜5.0秒程度、WF6 ガスの1回の供給期間T2は例えば0.5〜5.0秒程度、間欠期間T3は例えば0.5〜3.0秒程度である。SiH4 ガスやWF6 ガスの供給時には、キャリアガスとして例えばAr、N2 等も供給し、間欠期間にはキャリアガスを、或いは別のガスをパージガスとして流しておく。尚、上記各期間T1〜T3は単に一例を示したに過ぎず、これらに限定されない。
このように、SiH4 ガスとWF6 ガスとを交互に間欠的に繰り返して供給することにより、比較的低いプロセス温度でも非常に薄いタングステン膜を、供給を繰り返す毎に僅かずつ形成することができ、埋め込みが完了することになる。具体的には、このプロセス温度は、従来の一般的な熱CVD成膜時のプロセス温度である400〜450℃程度よりも遥かに低い250〜350℃程度であり、この温度でも成膜レートは劣るが十分に特性の良好なタングステン膜36が形成される。
また、プロセス圧力は100〜1000Pa程度である。そして、各ガス流量に関しては、SiH4 ガスは50〜100sccm程度、WF6 ガスは10〜30sccm程度である。尚、上記SiH4 ガスに代えて、H2 ガス、Si2 H6 ガス、SiH2 Cl2 ガス等も用いることができる。
また、プロセス圧力は100〜1000Pa程度である。そして、各ガス流量に関しては、SiH4 ガスは50〜100sccm程度、WF6 ガスは10〜30sccm程度である。尚、上記SiH4 ガスに代えて、H2 ガス、Si2 H6 ガス、SiH2 Cl2 ガス等も用いることができる。
また、図4中においてSiH4 ガスの供給を開始したある時点から、次にSiH4 ガスの供給を開始する時点までの期間を1サイクルとすると、この1サイクルの間に形成されるタングステン膜36の厚さは、せいぜい3〜20Å程度であり、従って、必要とする膜厚になるまで、このサイクルを繰り返すことになる。
このように、250〜350℃程度の低いプロセス温度でタングステン膜36を形成して埋め込み操作を行うことができるので、前述したようにバリヤ層であるTiN膜34が50Å程度に薄くても、バリヤ層として十分に機能してこの下層にダメージを与えることがない。
また、この埋め込み穴4は、最終的にはタングステン膜36により埋め込まれてプラグされることになるが、TiN金属よりも遥かに電気抵抗が小さいW金属がプラグ金属の大部分を占めることになり、従って、微細化によって埋め込み穴径がより小さくなっても、プラグ金属の電気抵抗を低い状態に維持することができる。
このように、250〜350℃程度の低いプロセス温度でタングステン膜36を形成して埋め込み操作を行うことができるので、前述したようにバリヤ層であるTiN膜34が50Å程度に薄くても、バリヤ層として十分に機能してこの下層にダメージを与えることがない。
また、この埋め込み穴4は、最終的にはタングステン膜36により埋め込まれてプラグされることになるが、TiN金属よりも遥かに電気抵抗が小さいW金属がプラグ金属の大部分を占めることになり、従って、微細化によって埋め込み穴径がより小さくなっても、プラグ金属の電気抵抗を低い状態に維持することができる。
上記各実施例においては、タングステン膜を形成する際には、タングステン含有ガスとして常にWF6 ガスを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、他のタングステン含有ガスとしてフッ素(F)を含まない有機金属ガス、例えばW(CO)6 (ヘキサカルボニルタングステン)、(C5 H5 )2 WH2 (ビスシクロペンタジエニルタングステン)、W2[N(CH3 )2 ] 6(ヘキサキスジメチルアミドジタングステン)等を用いることができる。
このようなフッ素を含まないタングステン含有ガスを用いた場合には、フッ素ガスのアタックによる下地層の損傷を考慮しないで済むので、バリヤ層である下地のTiN膜を前記各実施例で説明した場合と同等、或いはこれよりも更に薄くできるのでTiN膜の膜厚の下限値は、例えば25Å程度まで小さくすることができる。
このようなフッ素を含まないタングステン含有ガスを用いた場合には、フッ素ガスのアタックによる下地層の損傷を考慮しないで済むので、バリヤ層である下地のTiN膜を前記各実施例で説明した場合と同等、或いはこれよりも更に薄くできるのでTiN膜の膜厚の下限値は、例えば25Å程度まで小さくすることができる。
有機金属ガスとして、例えばW(CO)6 ガスを用いれば、プロセス温度が例えば350〜450℃程度で熱分解が生じ、これによってタングステン膜36を形成することができる。尚、この場合、図2(C)及び図5(C)において、WF6 /SiH4 の交互間欠供給の代わりに、W(CO) 6 /SiH 4 の交互間欠供給を行う。またW(CO)6 ガスを連続的に流すことも可能である。この場合、プロセス条件としては、例えばW(CO)6 ガスの流量は3〜30sccm程度、プロセス圧力は例えば1〜100pa程度である。キャリアガスとしてはAr、He、H2 等を用いることができる。このようなプロセス条件で熱CVDにより成膜処理を施せば、1〜3分程度で、膜厚が例えば25〜150Å程度のタングステン膜36を堆積させることができる。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1、3〜13に係る発明によれば、低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱CVDによるTiN膜の形成工程を省略することが可能となる。従って、スルーホールやコンタクトホール等の埋め込み穴の埋め込み操作の工程数を削減して、この効率化を図ることができる。また、成膜工程数も減少した分、処理装置も少なくでき、設備コストを削減できる。
請求項2に係る発明によれば、タングステン膜形成のための工程を効率的に行うことができる。
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1、3〜13に係る発明によれば、低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱CVDによるTiN膜の形成工程を省略することが可能となる。従って、スルーホールやコンタクトホール等の埋め込み穴の埋め込み操作の工程数を削減して、この効率化を図ることができる。また、成膜工程数も減少した分、処理装置も少なくでき、設備コストを削減できる。
請求項2に係る発明によれば、タングステン膜形成のための工程を効率的に行うことができる。
Claims (13)
- 真空引き可能な処理容器内にて被処理体の表面に所定の膜を形成する方法において、
前記被処理体の表面にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と、
前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜を形成する窒化工程と、
前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に1回、或いは複数回繰り返し供給しつつ400℃以下でタングステン膜を形成するタングステン膜形成工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記タングステン膜形成工程の後に、還元ガスとタングステン含有ガスとを同時に供給して前記タングステン膜形成工程よりも高いプロセス温度で第2のタングステン膜を形成する第2のタングステン膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記400℃以下でのタングステン膜形成工程と前記第2のタングステン膜形成工程とは同一処理室で連続して行われることを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記チタン膜形成工程と前記窒化工程とは同一処理室で連続して行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記400℃以下でのタングステン膜形成工程のプロセス温度は前記窒化工程により形成される窒化膜の厚さに連動して設定されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記チタン膜形成工程では、原料ガスとしてTiCl4 ガスが用いられ、還元ガスとしてH2 ガスが用いられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記窒化工程では、還元ガスとしてNH3 ガス或いはN2 ガスが用いられ、プラズマ存在下にて処理が行われることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記400℃以下でのタングステン膜形成工程では還元ガスとしてSiH4 ガスが用いられ、前記第2のタングステン膜形成工程では還元ガスとしてH2 ガスが用いられることを特徴とする請求項2乃至7のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記窒化処理により形成される窒化膜の厚さの下限値は50Å程度であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記400℃以下でのタングステン膜形成工程のプロセス温度は250〜350℃程度の範囲内であり、前記第2のタングステン膜形成工程のプロセス温度は400〜450℃程度の範囲内であることを特徴とする請求項2乃至9のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記チタン形成工程と窒化工程ではプラズマが用いられ、前記タングステン膜形成工程では熱CVDが用いられることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記タングステン含有ガスはWF 6 であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記タングステン含有ガスはW(CO) 6 であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の成膜方法。
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