KR100503965B1 - 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 하부 구조가 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계;전체 상부에 단원자 증착법으로 제1 도전층을 형성하는 단계;상기 제1 도전층 상부에 단원자 증착법으로 제2 도전층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기의 단계들을 통해 단원자 증착법으로만 형성된 제1 및 제2 도전층의 적층 구조로 이루어진 확산 방지막이 형성되는 단계; 및상기 제2 도전층의 표면을 보론 처리하는 단계를 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 도전층은 Ti막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 Ti막을 형성하기 위한 단원자 증착법은,상기 증착 장비 내부로 전구체를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착시키는 제 1 단계;상기 반도체 기판에 흡착되지 않은 전구체를 상기 증착 장비 외부로 배출시켜 정화하는 제 2 단계;상기 증착 장비 내부로 반응 가스를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착된 상기 전구체와의 반응시키는 제 3 단계; 및반응하지 않은 반응 가스 및 반응 부산물을 상기 증착 장비 외부로 배출시키는 정화하는 제 4 단계로 이루어져 상기 제 1 내지 제 4 단계를 1 싸이클하고, 상기 1 싸이클의 반복을 통해 목표 두께의 상기 Ti막이 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 반응 가스는 H2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 도전층은 TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 TiN막을 형성하기 위한 단원자 증착법은,상기 증착 장비 내부로 전구체를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착시키는 제 1 단계;상기 반도체 기판에 흡착되지 않은 전구체를 상기 증착 장비 외부로 배출시켜 정화하는 제 2 단계;상기 증착 장비 내부로 반응 가스를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착된 상기 전구체와의 반응시키는 제 3 단계; 및반응하지 않은 반응 가스 및 반응 부산물을 상기 증착 장비 외부로 배출시키는 정화하는 제 4 단계로 이루어져 상기 제 1 내지 제 4 단계를 1 싸이클하고, 상기 1 싸이클의 반복을 통해 목표 두께의 상기 TiN막이 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 반응 가스는 NH3 가스, H2+N2 가스 또는 이들의 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 전구체는 TiCl4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 1 항, 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 단원자 증착법은 상기 기판을 10 내지 500rpm으로 회전시키면서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
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- 제 1 항에 있어서,상기 보론 처리된 제2 도전층 상부에 제3 도전층을 단원자 증착법으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제3 도전층을 형성하기 위한 단원자 증착법은,상기 증착 장비 내부로 TiCl4를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착시키는 제 1 단계;상기 반도체 기판에 흡착되지 않은 TiCl4를 상기 증착 장비 외부로 배출시켜 정화하는 제 2 단계;상기 증착 장비 내부로 H2 가스를 공급하여 상기 반도체 기판에 흡착된 상기 TiCl4와의 반응시키는 제 3 단계; 및반응하지 않은 상기 H2 가스 및 반응 부산물을 상기 증착 장비 외부로 배출시키는 정화하는 제 4 단계로 이루어져 상기 제 1 내지 제 4 단계를 1 싸이클하고, 상기 1 싸이클의 반복을 통해 목표 두께의 상기 Ti막으로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
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