JP2003140360A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法

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JP2003140360A JP2001334168A JP2001334168A JP2003140360A JP 2003140360 A JP2003140360 A JP 2003140360A JP 2001334168 A JP2001334168 A JP 2001334168A JP 2001334168 A JP2001334168 A JP 2001334168A JP 2003140360 A JP2003140360 A JP 2003140360A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストパターンに形成されている孔又は溝
よりなる開口部の形状を劣化させることなく、該開口部
のサイズを縮小できるようにする。 【解決手段】 酸の作用により脱離する保護基を含むベ
ースポリマーと、アクリル化合物と、光が照射されると
酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材
料よりなるレジスト膜１１を形成する。レジスト膜１１
に対して露光光１２をマスク１３を介して照射してパタ
ーン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜１１
を現像して、孔又は溝よりなる開口部１５を有するレジ
ストパターン１６を形成する。レジストパターン１６に
対して加熱しながら光を照射することにより、開口部１
５のサイズを縮小する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、開口部を有するレ
ジストパターンパターンをフローさせて、開口部のサイ
ズを縮小する工程を備えたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造プロセスにお
いては、半導体集積回路の高集積化及び半導体素子の微
細化の進展に伴って、リソグラフィ技術により形成され
るレジストパターンも一層の微細化が図られている。
【０００３】特に、被処理膜に孔又は溝を形成するため
の開口部を有するレジストパターンの形成工程において
は、孔又は溝のサイズの微細に伴って、従来のリソグラ
フィ技術ではコントラストが低下するので、微細な孔又
は溝を形成するための開口部を形成することが難しくな
ってきている。
【０００４】そこで、孔又は溝よりなる開口部を有する
レジストパターンを熱によりフローさせて開口部のサイ
ズを縮小し、これによって、レジストパターンに、リソ
グラフィ技術の限界を超える微細なサイズを有する開口
部を形成する技術が提案されている。
【０００５】以下、従来のパターンの形成方法につい
て、図３（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。
【０００６】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
【０００７】 ポリ((2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート)−(γ-ブチロラクトンメタク リレート)（但し、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート：γ-ブチロラクト ンメタクリレート＝50mol％：50mol％）（ベースポリマー）…………………１ｇ トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸（酸発生剤）… …………………………………………………………………………………０．０３ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【０００８】次に、図３（ａ）に示すように、基板１の
上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して０．５μ
ｍの厚さを有するレジスト膜２を形成した後、図３
（ｂ）に示すように、レジスト膜２に対してＡｒＦエキ
シマレーザスキャナー（ＮＡ：０．６０）から出射され
たＡｒＦエキシマレーザ３を所望のマスクパターンを有
するフォトマスク４を介して照射してパターン露光を行
なう。
【０００９】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
膜２に対して１０５℃の温度下で９０秒間の露光後加熱
（ＰＥＢ）５を行なう。このようにすると、レジスト膜
２の露光部２ａにおいては酸発生剤から酸が発生するた
めアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レ
ジスト膜２の未露光部２ｂにおいては酸発生剤から酸が
発生しないのでアルカリ性現像液に対して不溶性のまま
である。
【００１０】次に、レジスト膜２に対して２．３８ｗｔ
％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液
（アルカリ性現像液）により６０秒間の現像を行なっ
て、図３（ｄ）に示すように、サイズ：Ｗ1 が０．２０
μｍである開口部６を有するレジストパターン７を形成
する。
【００１１】次に、レジストパターン７に対して１５０
℃の温度下での加熱８を行なって、図３（ｅ）に示すよ
うに、レジストパターン７をフローさせる。このように
すると、開口部６のサイズは、Ｗ1 （＝０．２０μｍ）
からＷ2 （＝０．１５μｍ）に縮小する。
【００１２】このようにして、リソグラフィ技術の限界
を超える微細な開口部を有するレジストパターンを形成
することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３（ｅ）
に示すように、フローによりサイズが縮小した開口部６
の断面形状が大きく劣化するという問題が発生する。
【００１４】また、フローによりサイズが縮小した開口
部６のサイズのウェハ面内におけるばらつきは２０％以
上になって、サイズのばらつきが大きくなってしまうと
いう問題がある。
【００１５】このように、断面形状が劣化したりサイズ
がばらついたりしている開口部を有するレジストパター
ンを用いて被処理膜に対するエッチングを行なうと、得
られるコンタクトホール又は配線溝の形状が劣化したり
サイズがばらついたりするので、半導体装置の歩留まり
が低下するという問題がある。
【００１６】前記に鑑み、本発明は、レジストパターン
に形成されている開口部の形状を劣化させることなく、
該開口部のサイズを縮小できるようにすることを目的と
する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１のパターン形成方法は、酸の作用
により脱離する保護基を含むベースポリマーと、アクリ
ル化合物と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤と
を有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を
形成する工程と、レジスト膜に対して露光光を選択的に
照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光さ
れたレジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を
有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパ
ターンに対して加熱しながら光を照射することにより、
開口部のサイズを縮小する工程とを備えている。
【００１８】第１のパターン形成方法によると、化学増
幅型レジスト材料に、保護基を含むベースポリマーとア
クリル化合物とが含まれているため、該化学増幅型レジ
スト材料よりなるレジストパターンに対して加熱しなが
ら光を照射すると、アクリル化合物が、ベースポリマー
同士の間に介在してベースポリマー同士を架橋させるた
め、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従
って、レジストパターンに形成されている開口部の形状
の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小すること
ができる。
【００１９】第１のパターン形成方法において、アクリ
ル化合物は、アクリル酸又はアクリル酸エステルである
ことが好ましい。
【００２０】このようにすると、ベースポリマー同士を
確実に架橋させることができる。
【００２１】本発明に係る第２のパターン形成方法は、
酸の作用により脱離する保護基を含むベースポリマー
と、熱によりベースポリマーを架橋させる熱架橋性化合
物と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有す
る化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成す
る工程と、レジスト膜に対して露光光を選択的に照射し
てパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレ
ジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有する
レジストパターンを形成する工程と、レジストパターン
を加熱することにより、開口部のサイズを縮小する工程
とを備えている。
【００２２】第２のパターンの形成方法によると、化学
増幅型レジスト材料に、保護基を含むベースポリマーと
熱架橋性化合物とが含まれているため、該化学増幅型レ
ジスト材料よりなるレジストパターンに対して加熱する
と、熱架橋性化合物が、ベースポリマー同士の間に介在
してベースポリマー同士を架橋させるため、レジストパ
ターンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジスト
パターンに形成されている開口部の形状の劣化を招くこ
となく、開口部のサイズを縮小することができる。
【００２３】第２のホールの形成方法において、熱架橋
性化合物は、メラミン化合物であることが好ましい。
【００２４】このようにすると、ベースポリマー同士を
確実に架橋させることができる。
【００２５】第１又は第２のパターン形成方法における
保護基としては、アセタール基、ｔ−ブチル基又はｔ−
ブチルオキシカルボニル基を用いることができる。
【００２６】本発明に係る第３のパターン形成方法は、
酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含
むヒドロキシスチレン誘導体を有する第１のポリマー
と、ノルボルネン誘導体を有する第２のポリマーと、光
が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増
幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程
と、レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
ーン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト
膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有するレジス
トパターンを形成する工程と、レジストパターンを加熱
することにより、開口部のサイズを縮小する工程とを備
えている。
【００２７】第３のパターン形成方法によると、ノルボ
ルネン誘導体を有するポリマーは、アセタール基を含む
ヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱による
フローのコントラストを向上させるため、つまりレジス
トパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、レ
ジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従って、
レジストパターンに形成されている開口部の形状の劣化
を招くことなく、開口部のサイズを縮小することができ
る。
【００２８】本発明に係る第４のパターン形成方法は、
酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含
むヒドロキシスチレン誘導体を有する第１のポリマー
と、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有する第２
のポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤
とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜
を形成する工程と、レジスト膜に対して露光光を選択的
に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光
されたレジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部
を有するレジストパターンを形成する工程と、レジスト
パターンを加熱することにより、開口部のサイズを縮小
させる工程とを備えている。
【００２９】第４のパターンの形成方法によると、ノル
ボルネン誘導体−無水マレイン酸を有するポリマーは、
アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する
ポリマーの熱によるフローのコントラストを向上させる
ため、つまりレジストパターンの開口部近傍の熱フロー
を抑制するため、レジストパターンの開口部の形状は劣
化しない。従って、レジストパターンに形成されている
開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを
縮小することができる。
【００３０】本発明に係る第５のパターン形成方法は、
酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含
むヒドロキシスチレン誘導体を有する第１のポリマー
と、ノルボルネン誘導体を有する第２のポリマーと、ノ
ルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有する第３のポリ
マーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有
する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成
する工程と、レジスト膜に対して露光光を選択的に照射
してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された
レジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有す
るレジストパターンを形成する工程と、レジストパター
ンを加熱することにより、開口部のサイズを縮小する工
程とを備えている。
【００３１】第５のパターン形成方法によると、ノルボ
ルネン誘導体を有するポリマー及びノルボルネン誘導体
−無水マレイン酸を有するポリマーは、アセタール基を
含むヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱に
よるフローのコントラストを向上させるため、つまりレ
ジストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するた
め、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従
って、レジストパターンに形成されている開口部の形状
の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小すること
ができる。
【００３２】第３〜第５のパターン形成方法におけるア
セタール基としては、エトキシエチル基又はテトラヒド
ロピラニル基を用いることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、第１の
実施形態に係るパターン形成方法について、図１（ａ）
〜（ｅ）を参照しながら説明する。第１の実施形態は、
酸の作用により脱離する保護基を含むベースポリマー
と、アクリル化合物と、光が照射されると酸を発生する
酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料を用いる。
【００３４】具体的には、以下の成分を有する化学増幅
型レジスト材料を準備する。
【００３５】 ポリ（(2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート)−(γ-ブチロラクトンメタ クリレート)）（但し、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート：γ-ブチロラ クトンメタクリレート＝50mol%：50mol%）（ベースポリマー）………………１ｇ アクリル酸（アクリル化合物）……………………………………………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸（酸発生剤）… …………………………………………………………………………………０．０３ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００３６】次に、図１（ａ）に示すように、基板１０
の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して０．５
μｍの厚さを有するレジスト膜１１を形成した後、図１
（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対してＡｒＦエ
キシマレーザスキャナー（ＮＡ：０．６０）から出射さ
れたＡｒＦエキシマレーザ１２を所望のマスクパターン
を有するフォトマスク１３を介して照射してパターン露
光を行なう。
【００３７】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
膜１１に対して１０５℃の温度下で９０秒間の露光後加
熱（ＰＥＢ）１４を行なう。このようにすると、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生するためアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する
一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては酸発
生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して
不溶性のままである。
【００３８】次に、レジスト膜１１に対して２．３８ｗ
ｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像
液（アルカリ性現像液）により６０秒間の現像を行なっ
て、図１（ｄ）に示すように、サイズ：Ｗ1 が０．２０
μｍである開口部１５を有するレジストパターン１６を
形成する。
【００３９】次に、レジストパターン１６に対して、１
５０℃の温度の加熱１７を行ないながらＡｒＦエキシマ
レーザ１８を照射して、図１（ｅ）に示すように、レジ
ストパターン１６をフローさせる。
【００４０】このようにすると、開口部１５のサイズは
Ｗ1 （＝０．２０μｍ）からＷ2 （＝０．１５μｍ）に
縮小するが、開口部１５の断面形状は殆ど劣化しない。
また、開口部１５のサイズのウェハ面内におけるばらつ
きは１０％以下であって良好であった。
【００４１】第１の実施形態によると、前述の組成を有
する化学増幅型レジスト材料よりなるレジストパターン
１６に対して加熱しながらＡｒＦエキシマレーザを照射
するため、レジストパターン１６を構成するベースポリ
マーは、アクリル化合物が、ベースポリマー同士の間に
介在してベースポリマー同士を架橋させるため、レジス
トパターン１６の開口部１５の形状は劣化しない。従っ
て、レジストパターン１６に形成されている開口部１５
の形状の劣化を招くことなく、開口部１５のサイズを縮
小することができる。
【００４２】（第２の実施形態）以下、第２の実施形態
に係るパターン形成方法について、図２（ａ）〜（ｅ）
を参照しながら説明する。第２の実施形態は、酸の作用
により脱離する保護基を含むベースポリマーと、熱によ
り前記ベースポリマーを架橋させる熱架橋性化合物と、
光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学
増幅型レジスト材料を用いる。
【００４３】具体的には、以下の化学増幅型レジスト材
料を準備する。
【００４４】 ポリ（(2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート)−(γ-ブチロラクトンメタ クリレート)）（但し、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート：γ-ブチロラ クトンメタクリレート＝50mol%：50mol%）（ベースポリマー）………………１ｇ メラミン化合物（例えば、2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-ト リアジン）（熱架橋性化合物）………………………………………………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸（酸発生剤）… ………………………………………………………………………………０．０２５ｇ トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸（酸発生剤）… …………………………………………………………………………………０．０１ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００４５】次に、図２（ａ）に示すように、基板２０
の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して０．５
μｍの厚さを有するレジスト膜２１を形成した後、図２
（ｂ）に示すように、レジスト膜２１に対してＡｒＦエ
キシマレーザスキャナー（ＮＡ：０．６０）から出射さ
れたＡｒＦエキシマレーザ２２を所望のマスクパターン
を有するフォトマスク２３を介して照射してパターン露
光を行なう。
【００４６】次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト
膜２１に対して１０５℃の温度下で９０秒間の露光後加
熱（ＰＥＢ）２４を行なう。このようにすると、レジス
ト膜２１の露光部２１ａにおいては酸発生剤から酸が発
生するためアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する
一方、レジスト膜２１の未露光部２１ｂにおいては酸発
生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して
不溶性のままである。
【００４７】次に、レジスト膜２１に対して２．３８ｗ
ｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像
液（アルカリ性現像液）により６０秒間の現像を行なっ
て、図２（ｄ）に示すように、サイズ：Ｗ1 が０．２０
μｍである開口部２５を有するレジストパターン２６を
形成する。
【００４８】次に、レジストパターン２６に対して、１
５０℃の温度の加熱２７を行なって、図２（ｅ）に示す
ように、レジストパターン２６をフローさせる。
【００４９】このようにすると、開口部２５のサイズは
Ｗ1 （＝０．２０μｍ）からＷ2 （＝０．１５μｍ）に
縮小するが、開口部２５の断面形状は殆ど劣化しない。
また、開口部１５のサイズのウェハ面内におけるばらつ
きは１０％以下であって良好であった。
【００５０】第２の実施形態によると、前述の組成を有
する化学増幅型レジスト材料よりなるレジストパターン
２６に対して加熱するため、熱架橋性化合物が、ベース
ポリマー同士の間に介在してベースポリマー同士を架橋
させるため、レジストパターン２６の開口部の形状は劣
化しない。従って、レジストパターン２６に形成されて
いる開口部２５の形状の劣化を招くことなく、開口部２
５のサイズを縮小することができる。
【００５１】（第２の実施形態の第１変形例）以下、第
２の実施形態の第１変形例について説明するが、該第１
変形例は第２の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材
料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅
型レジスト材料についてのみ説明する。
【００５２】第１変形例は、酸の作用により脱離する保
護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導
体を有する第１のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有
する第２のポリマーと、光が照射されると酸を発生する
酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料を用いる。
具体的には以下の化学増幅型レジスト材料を用いる。
【００５３】 ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、エ トキシエチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%）（第１の ポリマー）……………………………………………………………………………１ｇ ポリ（5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボン酸）(第２のポリマー）…０．２ｇ 1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン（酸発生剤）…………………０．０２５ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００５４】第１変形例によると、ノルボルネン誘導体
を有するポリマーは、アセタール基を含むヒドロキシス
チレン誘導体を有するポリマーの熱によるフローのコン
トラストを向上させるため、つまりレジストパターンの
開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパター
ンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジストパタ
ーンに形成されている開口部の形状の劣化を招くことな
く、開口部のサイズを縮小することができる。
【００５５】尚、第２のポリマーの第１のポリマーに対
する混合割合は特に限定されないが、混合割合が１０ｗ
ｔ％以上であると、レジストパターンの開口部の形状劣
化を確実に防止することができる。
【００５６】（第２の実施形態の第２変形例）以下、第
２の実施形態の第２変形例について説明するが、該第２
変形例は第２の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材
料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅
型レジスト材料についてのみ説明する。
【００５７】第２変形例は、酸の作用により脱離する保
護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導
体を有する第１のポリマーと、ノルボルネン誘導体−無
水マレイン酸（ノルボルネン誘導体と無水マレイン酸と
の重合体）を有する第２のポリマーと、光が照射される
と酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト
材料を用いる。具体的には以下の化学増幅型レジスト材
料を用いる。
【００５８】 (1) 第１の具体例 ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、エ トキシエチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%）（第１の ポリマー）……………………………………………………………………………１ｇ ポリ（(5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸）−(無水マレイン酸)）（ 但し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸：無水マレイン酸＝50mol%：50 mol%）（第２のポリマー）……………………………………………………０．２ｇ 1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン（酸発生剤）……………………０．０３ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００５９】 (2) 第２の具体例 ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但 し、テトラヒドロピラニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mo l%）（第１のポリマー）……………………………………………………………１ｇ ポリ（(5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)−(無水マレイン酸)）（但 し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸：無水マレイン酸＝50mol%：50mo l%）（第２のポリマー）………………………………………………………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムトシレート（酸発生剤）………………０．０３ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００６０】第２変形例によると、ノルボルネン誘導体
−無水マレイン酸を有するポリマーは、アセタール基を
含むヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱に
よるフローのコントラストを向上させるため、つまりレ
ジストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するた
め、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従
って、レジストパターンに形成されている開口部の形状
の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小すること
ができる。
【００６１】尚、第２のポリマーの第１のポリマーに対
する混合割合は特に限定されないが、混合割合が１０ｗ
ｔ％以上であると、レジストパターンの開口部の形状劣
化を確実の防止することができる。
【００６２】（第２の実施形態の第３変形例）以下、第
２の実施形態の第３変形例について説明するが、該第３
変形例は第２の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材
料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅
型レジスト材料についてのみ説明する。
【００６３】第３変形例は、酸の作用により脱離する保
護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導
体を有する第１のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有
する第２のポリマーと、ノルボルネン誘導体−無水マレ
イン酸（ノルボルネン誘導体と無水マレイン酸との重合
体）を有する第３のポリマーと、光が照射されると酸を
発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料を
用いる。具体的には以下の化学増幅型レジスト材料を準
備する。
【００６４】 ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、エ トキシエチルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%）（第１の ポリマー）……………………………………………………………………………１ｇ ポリ（5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸）（第２のポリマー）……… ……………………………………………………………………………………０．１ｇ ポリ（(5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)−(無水マレイン酸)）（但 し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸：無水マレイン酸＝50mol%：50mo l%）（第３のポリマー）………………………………………………………０．１ｇ 1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン（酸発生剤）…………………０．０２５ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４ｇ
【００６５】第３変形例によると、ノルボルネン誘導体
を有するポリマー及びノルボルネン誘導体−無水マレイ
ン酸を有するポリマーは、アセタール基を含むヒドロキ
シスチレン誘導体を有するポリマーの熱によるフローの
コントラストを向上させるため、つまりレジストパター
ンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパ
ターンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジスト
パターンに形成されている開口部の形状の劣化を招くこ
となく、開口部のサイズを縮小することができる。
【００６６】尚、第２のポリマー及び第３のポリマーの
第１のポリマーに対する混合割合は特に限定されない
が、混合割合が１０ｗｔ％以上であると、レジストパタ
ーンの開口部の形状劣化を確実の防止することができ
る。
【００６７】(1) 以下、第１又は第２の実施形態に用い
られる、酸の作用により脱離する保護基を有するポリマ
ーの例を挙げる。
【００６８】(a) 保護基を含むメタクリルポリマーの例 ○ ポリ（(2-メチル-2-アダマンタンメタクリル酸エス
テル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステ
ル)）（但し、2-メチル-2-アダマンタンメタクリル酸エ
ステル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステル＝
50mol%：50mol%） ○ ポリ（(2-エチル-2-アダマンタンメタクリル酸エス
テル)−(γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル)）
（但し、2-エチル-2-アダマンタンメタクリル酸エステ
ル：γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル＝50mol
%：50mol%）
【００６９】(b) 保護基を含むアクリルポリマーの例 ○ ポリ（(2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル)−(メバロニックラクトンアクリル酸エステル)）
（但し、2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル：メバロニックラクトンアクリル酸エステル＝50mol
%：50mol%） ○ ポリ（(2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル)−(γ-ブチロラクトンアクリル酸エステル)）（但
し、2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル：γ-
ブチロラクトンアクリル酸エステル＝50mol%：50mol%）
【００７０】(c) 保護基を含む（メタクリル＋アクリ
ル）ポリマーの例 ○ ポリ（(2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステル)）
（但し、2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル：メバロニックラクトンメタクリル酸エステル＝50mo
l%：50mol%） ○ ポリ（(2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステ
ル)−(γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル)）（但
し、2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル：γ-
ブチロラクトンメタクリル酸エステル＝50mol%：50mol
%）
【００７１】(d) 保護基を含むフェノールポリマーの例 ○ ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、エトキシエチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、メトキシメチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−
(ヒドロキシスチレン)）（但し、テトラヒドロピラニル
オキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol
%） ○ ポリ（(フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒド
ロキシスチレン)）（但し、フェノキシエチルオキシス
チレン：ヒドロキシスチレン＝32mol%：68mol%） ○ ポリ（(t-ブチルオキシスチレン)−(ヒドロキシス
チレン)）（但し、t-ブチルオキシスチレン：ヒドロキ
シスチレン＝30mol%：70mol%） ○ ポリ（(t-ブチルオキシカルボニルオキシスチレン)
−(ヒドロキシスチレン)）（但し、t-ブチルオキシカル
ボニルオキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝30mol%：
70mol%） ○ ポリ（(t-ブチルオキシカルボニルメチルオキシス
チレン)−(ヒドロキシスチレン)）（但し、t-ブチルオ
キシカルボニルメチルオキシスチレン：ヒドロキシスチ
レン＝28mol%：72mol%）
【００７２】(e) 保護基を含むノルボルネンポリマーの
例 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)）（但し、5-
t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート：ノルボル
ネン-5-カルボキシレート＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)）
（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフ
ルオロイソプロピルアルコール：ノルボルネン-5-メチ
レンヘキサフルオロイソプロピルアルコール＝35mol%：
65mol%）
【００７３】(f) 保護基を含むノルボルネン−無水マレ
イン酸誘導体のポリマーの例 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)）（但し、5-t-ブチルノルボル
ネン-5-カルボキシレート：無水マレイン酸＝50mol%：5
0mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレ
イン酸)）(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキ
シレート：ノルボルネン-5-カルボキシレート：無水マ
レイン酸＝40mol%：10mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン
酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキ
サフルオロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝
50mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無
水マレイン酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メ
チレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボ
ルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール：無水マレイン酸＝35mol%：15mol%：50mol%）
【００７４】(g) 保護基を含むノルボルネン−無水マレ
イン酸誘導体とメタクリル酸誘導体とのポリマーの例 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)−(2-メチル-2-アダマンタンメ
タクリレート)−(γ-ブチロラクトンメタクリレート)）
（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト：無水マレイン酸：2-メチル-2-アダマンタンメタク
リレート：γ-ブチロラクトンメタクリレート＝25mol
%：25mol%：30mol%：20mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)−(γ-ブチロラクトンメタクリ
レート)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキ
シレート：無水マレイン酸：γ-ブチロラクトンメタク
リレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
【００７５】(h) 保護基を含むノルボルネン−無水マレ
イン酸誘導体とアクリル酸誘導体とのポリマーの例 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)−(2-エチル-2-アダマンタンア
クリレート)−(メバロニックラクトンアクリレート)）
（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト：無水マレイン酸：2-エチル-2-アダマンタンアクリ
レート：メバロニックラクトンアクリレート＝25mol%：
25mol%：35mol%：15mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)−(メバロニックラクトンアクリ
レート)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキ
シレート：無水マレイン酸：メバロニックラクトンアク
リレート＝40mol%：40mol%：20mol%）
【００７６】(2) 以下、第１の実施形態に用いられるア
クリル化合物の例を挙げる。 ○ アクリル酸 ○ メチルアクリレート ○ エチルアクリレート ○ フェニルアクリレート ○ ビニールアクリレート
【００７７】(3) 以下、第２の実施形態に用いられる熱
架橋性化合物の例を挙げる。 ○ 2,4,6-トリス(エトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-ト
リアジン（メラミン化合物）
【００７８】(4) 以下、第２の実施形態の第１、第２又
は第３の変形例に用いられる第１のポリマーに含まれ
る、アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体の例
を挙げる。 ○ エトキシエチルオキシスチレン ○ メトキシメチルオキシスチレン ○ テトラヒドロピラニルオキシスチレン ○ フェノキシエチルオキシスチレン
【００７９】(5) 以下、第２の実施形態の第１、第２又
は第３の変形例に用いられる第１のポリマー（アセター
ル保護基を含むヒドロキシスチレン誘導体のポリマー）
の例を挙げる。 ○ ポリ（(エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、エトキシエチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol%） ○ ポリ（(メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロ
キシスチレン)）（但し、メトキシメチルオキシスチレ
ン：ヒドロキシスチレン＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−
(ヒドロキシスチレン)）（但し、テトラヒドロピラニル
オキシスチレン：ヒドロキシスチレン＝35mol%：65mol
%） ○ ポリ（(フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒド
ロキシスチレン)）（但し、32mol%：68mol%）
【００８０】(6) 以下、第２の実施形態の第１又は第３
の変形例に用いられる第２のポリマーに含まれるノルボ
ルネン誘導体の例を挙げる。 ○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート ○ 5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カル
ボキシレート ○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオ
ロイソプロピルアルコール ○ ノルボルネン-5-カルボキシレート ○ ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロ
ピルアルコール ○ ノルボルネン
【００８１】(7) 以下、第２の実施形態の第１又は第３
の変形例に用いられる第２のポリマー（ノルボルネン誘
導体のポリマー）の例を挙げる。 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)）（但し、5-
t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート：ノルボル
ネン-5-カルボキシレート＝40mol%：60mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)）
（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフ
ルオロイソプロピルアルコール：ノルボルネン-5-メチ
レンヘキサフルオロイソプロピルアルコール＝35mol%：
65mol%） ○ ポリ（5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト） ○ ポリ（5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5
-カルボキシレート） ○ ポリ（5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール） ○ ポリ（ノルボルネン-5-カルボキシレート） ○ ポリ（ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイ
ソプロピルアルコール） ○ ポリ（ノルボルネン）
【００８２】(8) 以下、第２の実施形態の第２の変形例
の第２のポリマー又は第３の変形例の第３のポリマーに
含まれるノルボルネン−無水マレイン酸誘導体の例を挙
げる。 ○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート−無
水マレイン酸 ○ 5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カル
ボキシレート−無水マレイン酸 ○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオ
ロイソプロピルアルコール−無水マレイン酸 ○ ノルボルネン-5-カルボキシレート−無水マレイン
酸 ○ ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロ
ピルアルコール−無水マレイン酸 ○ ノルボルネン−無水マレイン酸
【００８３】(9) 以下、第２の実施形態の第２の変形例
の第２のポリマー又は第３の変形例の第３のポリマー
（ノルボルネン−無水マレイン酸誘導体のポリマー）の
例を挙げる。 ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)（但し、5-t-ブチルノルボルネ
ン-5-カルボキシレート：無水マレイン酸＝50mol%：50m
ol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレ
イン酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキ
シレート：ノルボルネン-5-カルボキシレート：無水マ
レイン酸＝40mol%：10mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン
酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキ
サフルオロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝
50mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-
メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無
水マレイン酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メ
チレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール：ノルボ
ルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコ
ール：無水マレイン酸＝35mol%：15mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレー
ト)−(無水マレイン酸)）（但し、5-t-ブチルノルボル
ネン-5-カルボキシレート：無水マレイン酸＝50mol%：5
0mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-
5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)）（但し、5-t
-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレ
ート：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン
酸)）（但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキ
サフルオロイソプロピルアルコール：無水マレイン酸＝
50mol%：50mol%） ○ ポリ（(ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水
マレイン酸)）（但し、ノルボルネン-5-カルボキシレー
ト：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイ
ソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸)）（但し、
ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピル
アルコール：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%） ○ ポリ（(ノルボルネン)−(無水マレイン酸)）（但
し、ノルボルネン：無水マレイン酸＝50mol%：50mol%）
【００８４】(10) 以下、第１の実施形態、第２の実施
形態又は第２の実施形態の第１、第２若しくは第３の変
形例に用いられる酸発生剤の例を挙げる。 ○ 1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン ○ トリフェニルスルフォニウムトシレート ○ カンファーイミノトシレート ○ ナフチルイミノトシレート ○ カンファーイミノトリフルオロメタンスルフォン酸 ○ ナフチルイミノトリフルオロメタンスルフォン酸 ○ トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンス
ルフォン酸 ○ トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンス
ルフォン酸 ○ ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフ
ォン酸 ○ ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフ
ォン酸 ○ ジ（4-ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフル
オロメタンスルフォン酸 ○ ジ（4-ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフル
オロブタンスルフォン酸
【００８５】
【発明の効果】第１のパターン形成方法によると、レジ
ストパターンが加熱しながら光を照射されると、アクリ
ル化合物がベースポリマー同士の間に介在してベースポ
リマー同士を架橋させるため、レジストパターンに形成
されている開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部
のサイズを縮小することができる。
【００８６】第２のパターンの形成方法によると、レジ
ストパターンが加熱されると、熱架橋性化合物がベース
ポリマー同士の間に介在してベースポリマー同士を架橋
させるため、レジストパターンに形成されている開口部
の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小す
ることができる。
【００８７】第３のパターン形成方法によると、レジス
トパターンが加熱されると、ノルボルネン誘導体がレジ
ストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、
レジストパターンに形成されている開口部の形状の劣化
を招くことなく、開口部のサイズを縮小することができ
る。
【００８８】第４のパターンの形成方法によると、レジ
ストパターンが加熱されると、ノルボルネン誘導体−無
水マレイン酸がレジストパターンの開口部近傍の熱フロ
ーを抑制するため、レジストパターンに形成されている
開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを
縮小することができる。
【００８９】第５のパターン形成方法によると、レジス
トパターンが加熱されると、ノルボルネン誘導体及びノ
ルボルネン誘導体−無水マレイン酸がレジストパターン
の開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパタ
ーンに形成されている開口部の形状の劣化を招くことな
く、開口部のサイズを縮小することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は第１の実施形態に係るパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は第２の実施形態に係るパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は従来のパターン形成方法の各
工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ レジスト膜 １１ａ 露光部 １１ｂ 未露光部 １２ ＡｒＦエキシマレーザ １３ フォトマスク １４ 加熱 １５ 開口部 １６ レジストパターン １７ 加熱 １８ ＡｒＦエキシマレーザ ２０ 基板 ２１ レジスト膜 ２１ａ 露光部 ２１ｂ 未露光部 ２２ ＡｒＦエキシマレーザ ２３ フォトマスク ２４ 加熱 ２５ 開口部 ２６ レジストパターン ２７ 加熱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/038 ６０１ Ｇ０３Ｆ 7/038 ６０１ 7/039 ６０１ 7/039 ６０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７０ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AC04 AC08 AD01 AD03 BC14 BC32 BC42 BE00 BE10 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 FA29 FA30 FA33 2H096 AA25 BA06 BA11 BA20 EA05 FA01 GA08 HA01 HA03 HA05 JA04 4J011 PA45 PA65 PA75 PB40 PC02 PC08 QC07 TA10 UA01 4J026 AA20 AA64 AC36 BA25 BA27 DB06 EA06 FA05 5F046 AA28 LA18

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 酸の作用により脱離する保護基を含むベ
    ースポリマーと、アクリル化合物と、光が照射されると
    酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材
    料よりなるレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
    ーン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は
    溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する
    工程と、 前記レジストパターンに対して加熱しながら光を照射す
    ることにより、前記開口部のサイズを縮小する工程とを
    備えていることを特徴とするパターン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記アクリル化合物は、アクリル酸又は
    アクリル酸エステルであることを特徴とする請求項１に
    記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 酸の作用により脱離する保護基を含むベ
    ースポリマーと、熱により前記ベースポリマーを架橋さ
    せる熱架橋性化合物と、光が照射されると酸を発生する
    酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレ
    ジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
    ーン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は
    溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する
    工程と、 前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口
    部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴と
    するパターンの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記熱架橋性化合物は、メラミン化合物
    であることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成
    方法。
  5. 【請求項５】 前記保護基は、アセタール基、ｔ−ブチ
    ル基又はｔ−ブチルオキシカルボニル基であることを特
    徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン
    の形成方法。
  6. 【請求項６】 酸の作用により脱離する保護基としてア
    セタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第
    １のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有する第２のポ
    リマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを
    有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形
    成する工程と、 前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
    ーン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は
    溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する
    工程と、 前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口
    部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴と
    するパターン形成方法。
  7. 【請求項７】 酸の作用により脱離する保護基としてア
    セタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第
    １のポリマーと、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸
    を有する第２のポリマーと、光が照射されると酸を発生
    する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりな
    るレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
    ーン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は
    溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する
    工程と、 前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口
    部のサイズを縮小させる工程とを備えていることを特徴
    とするパターンの形成方法。
  8. 【請求項８】 酸の作用により脱離する保護基としてア
    セタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第
    １のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有する第２のポ
    リマーと、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有す
    る第３のポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸
    発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジ
    スト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパタ
    ーン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は
    溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する
    工程と、 前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口
    部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴と
    するパターン形成方法。
  9. 【請求項９】 前記アセタール基は、エトキシエチル基
    又はテトラヒドロピラニル基であることを特徴とする請
    求項６〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
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