JP2003035961A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法

Info

Publication number
JP2003035961A
JP2003035961A JP2001223803A JP2001223803A JP2003035961A JP 2003035961 A JP2003035961 A JP 2003035961A JP 2001223803 A JP2001223803 A JP 2001223803A JP 2001223803 A JP2001223803 A JP 2001223803A JP 2003035961 A JP2003035961 A JP 2003035961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist film
supercritical fluid
resist
forming method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001223803A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4113341B2 (ja
Inventor
Masataka Endo
政孝 遠藤
Kiyoyuki Morita
清之 森田
Masaru Sasako
勝 笹子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001223803A priority Critical patent/JP4113341B2/ja
Publication of JP2003035961A publication Critical patent/JP2003035961A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4113341B2 publication Critical patent/JP4113341B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストパターンにパターン倒れが発生しな
いようにする。 【解決手段】 フッ素原子及び親水性基を含むベースポ
リマーと、架橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型レ
ジスト材料よりなるレジスト膜１１を形成した後、該レ
ジスト膜１１にフォトマスク１２を介してＦ2 レーザ光
１３を照射してパターン露光を行なう。パターン露光さ
れたレジスト膜１１に対して超臨界流体１６中で現像を
行なって、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなるレ
ジストパターン１８を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の製
造プロセスに用いられるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造プロセスに
おいては、半導体素子の微細化に伴ってリソグラフィに
よるレジストパターンの微細化が必須となっている。こ
れに伴って、露光光の短波長化が進められており、最近
では、Ｆ2 レーザ光（波長：１５７ｎｍ帯）を用いるパ
ターン形成が有望視されている。この波長帯の露光光を
用いると、０．１μｍ以下の微細なパターン幅を有する
パターン形成も可能になってくる。
【０００３】ところが、現在のところ、Ｆ2 レーザ光に
適したパターン形成材料（レジスト材料）が提案されて
いないので、Ｆ2 レーザ光を用いるパターン形成方法に
おいては、ＡｒＦエキシマレーザ光に適したパターン形
成材料（アクリル系ポリマーよりなるベース樹脂を有す
る材料）を用いている。
【０００４】以下、従来のパターン形成方法として、ベ
ース樹脂としてアクリル系ポリマーを有する化学増幅型
レジスト材料からなるレジスト膜にＦ2 レーザ光を用い
てパターン露光を行なう方法について、図４（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。
【０００５】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
【０００６】 ポリ(２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート(50mol％)−メバロニック ラクトンメタクリレート(50mol％))（ベース樹脂）………………………１．０ｇ トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）……………０．０３ｇ プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４．０ｇ
【０００７】次に、図４（ａ）に示すように、基板１の
上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．２
５μｍの厚さを持つレジスト膜２を形成した後、図４
（ｂ）に示すように、レジスト膜２に対して所望のパタ
ーンを有するフォトマスク３を介して、開口数：ＮＡが
０．６０であるＦ2 レーザ露光装置から出射されたＦ2
レーザ光４を照射してパターン露光を行なう。
【０００８】次に、図４（ｃ）に示すように、基板１を
ホットプレート（図示は省略している）により１０５℃
の温度下で９０秒間加熱することにより、レジスト膜２
に対して露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。このようにす
ると、レジスト膜２の露光部２ａは、酸発生剤から酸が
発生するのでアルカリ性現像液に対して可溶性に変化す
る一方、レジスト膜２の未露光部２ｂは、酸発生剤から
酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性の
ままである。
【０００９】次に、レジスト膜２に対して、２．３８ｗ
ｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドより
なるアルカリ性現像液により現像を行なうと、図４
（ｄ）に示すように、レジスト膜２の未露光部２ｂから
なり、０．０８μｍのパターン幅を有するレジストパタ
ーン５が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図４（ｄ）
に示すように、現像後のリンス工程において、レジスト
パターン５はリンス液が乾燥する際の表面張力によって
倒れてしまうという問題がある。パターン倒れが起きた
レジストパターン５を用いて配線を形成すると、配線の
形状が劣化するなどの問題が発生する。
【００１１】前記に鑑み、本発明は、レジストパターン
にパターン倒れが発生しないようにすることを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１のパターン形成方法は、フッ素原
子及び親水性基を含むベースポリマーと、架橋剤と、酸
発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジ
スト膜を形成する工程と、レジスト膜にフォトマスクを
介して露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光されたレジスト膜に対して超臨界流体中で
現像を行なって、レジスト膜の未露光部からなるレジス
トパターンを形成する工程とを備えている。
【００１３】本発明に係る第２のパターン形成方法は、
親水性基を含むベースポリマーと、フッ素原子を含む架
橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よ
りなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜にフォ
トマスクを介して露光光を照射してパターン露光を行な
う工程と、パターン露光されたレジスト膜に対して超臨
界流体中で現像を行なって、レジスト膜の未露光部から
なるレジストパターンを形成する工程とを備えている。
【００１４】本発明に係る第１又は第２のパターン形成
方法によると、化学増幅型レジスト材料のベース樹脂に
親水性基が含まれているため、レジスト膜の露光部にお
いては親水性基が架橋剤と結合して疎水性に変化するの
で、露光部は超臨界流体中に溶け出す一方、レジスト膜
の未露光部においては親水性基が架橋剤と結合しないの
で、未露光部は超臨界流体との相溶性が悪く超臨界流体
中に溶け出さない。従って、レジスト膜の未露光部から
なるポジ型のレジストパターンを得ることができる。
【００１５】この場合、パターン露光されたレジスト膜
に対して超臨界流体中で現像を行なうため、レジストパ
ターンに表面張力が働かないので、レジストパターンに
パターン倒れが発生しない。
【００１６】また、化学増幅型レジスト材料にフッ素原
子が含まれており、フッ素原子は疎水性であるから、レ
ジスト膜の露光部のフッ素原子は超臨界流体中に良く溶
け出すので、レジスト膜の露光部と未露光部とのコント
ラストが向上する。
【００１７】さらに、化学増幅型レジスト材料にフッ素
原子が含まれているため、露光光としてＦ2 レーザ光を
用いる場合には、レジスト膜のＦ2 レーザ光に対する透
過性が高くなるので、レジスト膜の露光部と未露光部と
のコントラストが向上する。
【００１８】従って、第１又は第２のパターン形成方法
によると、良好な断面形状を持つレジストパターンを得
ることができる。
【００１９】第２のパターン形成方法において、ベース
ポリマーはフッ素原子を含むことが好ましい。
【００２０】このようにすると、レジスト膜の露光部と
未露光部とのコントラストが一層向上する。
【００２１】第１又は第２のパターン形成方法におい
て、架橋剤はメラミン化合物であることが好ましい。
【００２２】このようにすると、レジスト膜の露光部に
おいて、メラミン化合物よりなる架橋剤は親水性基と結
合して親水性基を確実に疎水性に変化させる。
【００２３】第１又は第２のパターン形成方法におい
て、超臨界流体は、臨界温度以上で且つ臨界圧力以上の
状態にある流体であることが好ましい。
【００２４】このようにすると、レジストパターンのパ
ターン倒れをより確実に防止することができる。
【００２５】第１又は第２のパターン形成方法におい
て、超臨界流体は、二酸化炭素の超臨界流体であること
が好ましい。
【００２６】このようにすると、超臨界流体を簡易且つ
確実に得ることができる。
【００２７】第１又は第２のパターン形成方法におい
て、超臨界流体はフローしていることが好ましい。
【００２８】このようにすると、超臨界流体中に溶け出
した疎水性の親水性基及びフッ素原子は、フローしてい
る超臨界流体と共に外部に排出されるため、超臨界流体
中に効率良く溶け出す。
【００２９】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図
１（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。第１の実施
形態は、フッ素原子及び親水性基を含むベース樹脂を有
する化学増幅型レジスト材料を用いるものである。
【００３０】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
【００３１】 ポリ（テトラフルオロエチレン(50mol％)−ノルボルネン(30mol％)−メタクリ ル酸(20mol％)）（ベース樹脂） ……………………………………………１．０ｇ ヘキサメトキシメチルメラミン（架橋剤）………………………………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）……………０．０３ｇ プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４．０ｇ
【００３２】次に、図１（ａ）に示すように、基板１０
の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．
２５μｍの厚さを持つレジスト膜１１を形成した後、図
１（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対して所望の
パターンを有するフォトマスク１２を介して、開口数：
ＮＡが０．６０であるＦ2 レーザ露光装置から出射され
たＦ2 レーザ光１３を照射してパターン露光を行なう。
【００３３】次に、図１（ｃ）に示すように、基板１０
をホットプレート（図示は省略している）により１０５
℃の温度下で９０秒間加熱することにより、レジスト膜
１１に対して露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００３４】次に、図１（ｄ）に示すように、基板１０
をチャンバー１４の内部に移送した後、該チャンバー１
４の内部に、二酸化炭素（ＣＯ2 ）の超臨界流体を貯留
しているボンベ１５から超臨界流体１６を供給すると共
に、チャンバー１４内の超臨界流体１６を排出ポンプ１
７により外部に排出する。これにより、チャンバー１４
内の超臨界流体１６は、フローし続けると共に４０℃の
温度下で８０気圧に保たれている。
【００３５】このようにすると、化学増幅型レジスト材
料のベース樹脂に親水性基が含まれているため、レジス
ト膜１１の露光部１１ａにおいては親水性基が架橋剤と
結合して疎水性に変化するので、露光部１１ａは超臨界
流体中に溶け出す一方、レジスト膜１１の未露光部１１
ｂにおいては親水性基が架橋剤と結合しないので、未露
光部１１ｂは超臨界流体１６との相溶性が悪く超臨界流
体１６中に溶け出さない。従って、図１（ｅ）に示すよ
うに、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなり、０．
０８μｍのパターン幅を有するポジ型のレジストパター
ン１８を得ることができる。
【００３６】この場合、パターン露光されたレジスト膜
１１に対して超臨界流体１６中で現像を行なうため、レ
ジストパターン１８に表面張力が働かないので、レジス
トパターン１８にパターン倒れが発生しない。
【００３７】また、ベース樹脂にフッ素原子が含まれて
おり、フッ素原子は疎水性であるから、レジスト膜１１
の露光部１１ａのフッ素原子は超臨界流体１６中に良く
溶け出すので、レジスト膜１１の露光部１１ａと未露光
部１１ｂとのコントラストが向上する。
【００３８】また、超臨界流体１６中に溶け出した疎水
性の親水性基及びフッ素原子は、フローしている超臨界
流体１６と共に外部に排出されるため、超臨界流体１６
中に効率良く溶け出す。
【００３９】さらに、ベース樹脂にフッ素原子が含まれ
ているため、レジスト膜１１のＦ2レーザ光１３に対す
る透過性が高くなるので、レジスト膜１１の露光部１１
ａと未露光部１１ｂとのコントラストが向上する。
【００４０】従って、第１の実施形態によると、良好な
断面形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００４１】尚、第１の実施形態においては、４０℃の
温度下で８０気圧に保たれている超臨界流体１６中で現
像を行なったが、これに代えて、２８℃の温度下で８０
気圧の亜臨界状態にある超臨界流体中で４０秒間の現像
を行なってレジストパターンを形成した後、超臨界流体
１６を加熱して、レジストパターンを４０℃の温度下で
８０気圧の超臨界状態にある超臨界流体中で１０秒間保
持し、その後、超臨界流体を常圧にまで減圧してもよ
い。このようにすると、２８℃の温度下で８０気圧の亜
臨界状態にある超臨界流体中では、超臨界流体は高密度
になるため、現像時間を短縮することができる。この場
合、現像後に超臨界流体を４０℃に昇温するため、チャ
ンバー１４の内部において異相界面が形成されないの
で、レジストパターンに表面張力が生じることはない。
【００４２】ところで、超臨界流体とは、狭義には臨界
温度（Ｔｃ）以上で且つ臨界圧力（Ｐｃ）以上の状態に
ある流体のことを指すが、ここでは、臨界温度（Ｔｃ）
以上又は臨界圧力（Ｐｃ）以上の状態にある流体（一般
には亜臨界流体と呼ばれる）も含む広義の超臨界流体を
意味する。尚、二酸化炭素の臨界温度（Ｔｃ）は３１．
０℃であり、臨界圧力（Ｐｃ）は７２．９気圧である。
【００４３】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るパターン形成方法について、図２（ａ）
〜（ｅ）を参照しながら説明する。第２の実施形態は、
親水性基を含むベース樹脂とフッ素原子を含む架橋剤と
を有する化学増幅型レジスト材料を用いるものである。
【００４４】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
【００４５】 ポリ（ノルボルネン(40mol％)−無水マレイン酸(40mol％)−メタクリル酸(20m ol％)）（ベース樹脂） ………………………………………………………１．０ｇ ヘキサ（トリフルオロメトキシメチル）メラミン（架橋剤）…………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）……………０．０３ｇ プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４．０ｇ
【００４６】次に、図２（ａ）に示すように、基板２０
の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．
２５μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成した後、図
２（ｂ）に示すように、レジスト膜２１に対して所望の
パターンを有するフォトマスク２２を介して、開口数：
ＮＡが０．６０であるＦ2 レーザ露光装置から出射され
たＦ2 レーザ光２３を照射してパターン露光を行なう。
【００４７】次に、図２（ｃ）に示すように、基板２０
をホットプレート（図示は省略している）により１０５
℃の温度下で９０秒間加熱することにより、レジスト膜
２１に対して露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００４８】次に、図２（ｄ）に示すように、基板２０
をチャンバー２４の内部に移送した後、該チャンバー２
４の内部に、４０℃の温度下で８０気圧に保たれている
二酸化炭素の超臨界流体２６を供給する。
【００４９】このようにすると、化学増幅型レジスト材
料のベース樹脂に親水性基が含まれているため、レジス
ト膜２１の露光部２１ａにおいては親水性基が架橋剤と
結合して疎水性に変化するので、露光部２１ａは超臨界
流体中に溶け出す一方、レジスト膜２１の未露光部２１
ｂにおいては親水性基が架橋剤と結合しないので、未露
光部２１ｂは超臨界流体２６との相溶性が悪く超臨界流
体２６中に溶け出さない。従って、図２（ｅ）に示すよ
うに、レジスト膜２１の未露光部２１ｂからなり、０．
０８μｍのパターン幅を有するポジ型のレジストパター
ン２８を得ることができる。
【００５０】この場合、パターン露光されたレジスト膜
２１に対して超臨界流体２６中で現像を行なうため、レ
ジストパターン２８に表面張力が働かないので、レジス
トパターン２８にパターン倒れが発生しない。
【００５１】また、架橋剤にフッ素原子が含まれてお
り、フッ素原子は疎水性であるから、レジスト膜２１の
露光部２１ａのフッ素原子は超臨界流体２６中に良く溶
け出すので、レジスト膜２１の露光部２１ａと未露光部
２１ｂとのコントラストが向上する。
【００５２】さらに、架橋剤にフッ素原子が含まれてい
るため、レジスト膜２１のＦ2 レーザ光２３に対する透
過性が高くなるので、レジスト膜２１の露光部２１ａと
未露光部２１ｂとのコントラストが向上する。
【００５３】従って、第２の実施形態によると、良好な
断面形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００５４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るパターン形成方法について、図３（ａ）
〜（ｅ）を参照しながら説明する。第３の実施形態は、
フッ素原子及び親水性基を含むベース樹脂を有する化学
増幅型レジスト材料を用いるものである。
【００５５】まず、以下の組成を有する化学増幅型レジ
スト材料を準備する。
【００５６】 ポリ（ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール(5 0mol％)−無水マレイン酸(50mol％)）（ベース樹脂）……………………１．０ｇ ヘキサメトキシメチルメラミン（架橋剤）………………………………０．２ｇ トリフェニルスルフォニウムトリフレート（酸発生剤）……………０．０３ｇ プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（溶媒）……………４．０ｇ
【００５７】次に、図３（ａ）に示すように、基板３０
の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．
２μｍの厚さを持つレジスト膜３１を形成した後、図３
（ｂ）に示すように、レジスト膜３１に対して所望のパ
ターンを有するフォトマスク３２を介して、開口数：Ｎ
Ａが０．６０であるＦ2 レーザ露光装置から出射された
Ｆ2 レーザ光３３を照射してパターン露光を行なう。
【００５８】次に、図３（ｃ）に示すように、基板３０
をホットプレート（図示は省略している）により１０５
℃の温度下で９０秒間加熱することにより、レジスト膜
３１に対して露光後加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００５９】次に、図３（ｄ）に示すように、基板３０
をチャンバー３４の内部に移送した後、該チャンバー３
４の内部に、４０℃の温度下で８０気圧に保たれている
二酸化炭素の超臨界流体３６を供給する。
【００６０】このようにすると、化学増幅型レジスト材
料のベース樹脂に親水性基が含まれているため、レジス
ト膜３１の露光部３１ａにおいては親水性基が架橋剤と
結合して疎水性に変化するので、露光部３１ａは超臨界
流体中に溶け出す一方、レジスト膜３１の未露光部３１
ｂにおいては親水性基が架橋剤と結合しないので、未露
光部３１ｂは超臨界流体３６との相溶性が悪く超臨界流
体３６中に溶け出さない。従って、図３（ｅ）に示すよ
うに、レジスト膜３１の未露光部３１ｂからなり、０．
０８μｍのパターン幅を有するポジ型のレジストパター
ン３８を得ることができる。
【００６１】この場合、パターン露光されたレジスト膜
３１に対して超臨界流体３６中で現像を行なうため、レ
ジストパターン３８に表面張力が働かないので、レジス
トパターン３８にパターン倒れが発生しない。
【００６２】また、ベース樹脂にフッ素原子が含まれて
おり、フッ素原子は疎水性であるから、レジスト膜３１
の露光部３１ａのフッ素原子は超臨界流体３６中に良く
溶け出すので、レジスト膜３１の露光部３１ａと未露光
部３１ｂとのコントラストが向上する。
【００６３】さらに、ベース樹脂にフッ素原子が含まれ
ているため、レジスト膜３１のＦ2レーザ光３３に対す
る透過性が高くなるので、レジスト膜３１の露光部３１
ａと未露光部３１ｂとのコントラストが向上する。
【００６４】従って、第３の実施形態によると、良好な
断面形状を持つレジストパターンを得ることができる。
【００６５】尚、第３の実施形態においては、架橋剤に
はフッ素原子が含まれていなかったが、これに代えて、
フッ素原子を含む架橋剤、例えば（ヘキサ（トリフルオ
ロメトキシメチル）メラミンを用いてもよい。
【００６６】このように、ベース樹脂及び架橋剤の両方
がフッ素原子を含むと、レジスト膜３１のＦ2 レーザ光
３３に対する透過性が一層高くなるので、レジスト膜３
１の露光部３１ａと未露光部３１ｂとのコントラストが
一層向上する。
【００６７】また、第１〜第３の実施形態においては、
超臨界流体として、二酸化炭素を単独で用いたが、これ
に代えて、二酸化炭素に、エントレーナとして、アルコ
ール、炭化水素、エーテル又はカルボン酸などの有機溶
剤を少量添加してもよい。このようにすると、疎水性の
親水性基及びフッ素原子の超臨界流体中への溶け出しの
効率を向上させることができる。
【００６８】また、第１〜第３の実施形態においては、
二酸化炭素の超臨界流体を用いたが、これに代えて、水
（Ｈ2Ｏ ）の超臨界流体（臨界温度：３７４．２℃、臨
界圧力：２１８．３気圧）、又はアンモニア（ＮＨ3 ）
の超臨界流体（臨界温度：１３２．３℃、臨界圧力：１
１１．３気圧）を用いてもよい。もっとも、二酸化炭素
は、臨界温度及び臨界圧力が他の流体に比べて低いの
で、超臨界状態にすることが容易である。
【００６９】また、第１〜第３の実施形態においては、
露光光としてＦ2 レーザ光を用いたが、これに代えて、
紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレー
ザ光、極紫外光（波長：５ｎｍ帯、１３ｎｍ帯など）又
は電子線などを用いてもよい。
【００７０】
【発明の効果】本発明に係る第１又は第２のパターン形
成方法によると、レジスト膜の露光部が超臨界流体中に
溶け出す一方、レジスト膜の未露光部は超臨界流体中に
溶け出さないので、レジスト膜の未露光部からなるポジ
型のレジストパターンを得ることができる。
【００７１】この場合、パターン露光されたレジスト膜
に対して超臨界流体中で現像を行なうため、レジストパ
ターンに表面張力が働かないので、レジストパターンに
パターン倒れが発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は第１の実施形態に係るパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は第２の実施形態に係るパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は第３の実施形態に係るパター
ン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は従来のパターン形成方法の各
工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １１ レジスト膜 １１ａ 露光部 １１ｂ 未露光部 １２ フォトマスク １３ Ｆ2 レーザ光 １４ チャンバー １５ ボンベ １６ 超臨界流体 １７ 排出ポンプ １８ レジストパターン ２０ 基板 ２１ レジスト膜 ２１ａ 露光部 ２１ｂ 未露光部 ２２ フォトマスク ２３ Ｆ2 レーザ光 ２４ チャンバー ２６ 超臨界流体 ２８ レジストパターン ３０ 基板 ３１ レジスト膜 ３１ａ 露光部 ３１ｂ 未露光部 ３２ フォトマスク ３３ Ｆ2 レーザ光 ３４ チャンバー ３６ 超臨界流体 ３８ レジストパターン
フロントページの続き (72)発明者 笹子 勝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AB16 AC04 AC08 AD01 BE00 CB41 CC17 FA14 2H096 AA25 EA03 EA05 GA01 GA60 5F046 LA09 LA12 LA14

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フッ素原子及び親水性基を含むベースポ
    リマーと、架橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型レ
    ジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射し
    てパターン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜に対して超臨界流体
    中で現像を行なって、前記レジスト膜の未露光部からな
    るレジストパターンを形成する工程とを備えていること
    を特徴とするパターン形成方法。
  2. 【請求項２】 親水性基を含むベースポリマーと、フッ
    素原子を含む架橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型
    レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射し
    てパターン露光を行なう工程と、 パターン露光された前記レジスト膜に対して超臨界流体
    中で現像を行なって、前記レジスト膜の未露光部からな
    るレジストパターンを形成する工程とを備えていること
    を特徴とするパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 前記ベースポリマーはフッ素原子を含む
    ことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
  4. 【請求項４】 前記架橋剤はメラミン化合物であること
    を特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方
    法。
  5. 【請求項５】 前記超臨界流体は、臨界温度以上で且つ
    臨界圧力以上の状態にある流体であることを特徴とする
    請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
  6. 【請求項６】 前記超臨界流体は、二酸化炭素の超臨界
    流体であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパ
    ターン形成方法。
  7. 【請求項７】 前記超臨界流体はフローしていることを
    特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
JP2001223803A 2001-07-25 2001-07-25 パターン形成方法 Expired - Fee Related JP4113341B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001223803A JP4113341B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 パターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001223803A JP4113341B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003035961A true JP2003035961A (ja) 2003-02-07
JP4113341B2 JP4113341B2 (ja) 2008-07-09

Family

ID=19057072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001223803A Expired - Fee Related JP4113341B2 (ja) 2001-07-25 2001-07-25 パターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4113341B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006077A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Jsr Corporation 感光性含フッ素樹脂組成物、該組成物から得られる硬化膜、およびパターン形成方法
WO2007081057A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Fujifilm Corporation Curable composition and cured product, laminate film and antireflective film using the same and polarizing plate and image display device using the antireflective film
JP2007211235A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Fujifilm Corp 硬化性組成物、及びそれを用いた硬化物、積層フィルム、反射防止フィルム、並びに該反射防止フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置
JP2014137424A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 化学増幅型のネガ型フォトレジスト用樹脂組成物、硬化物および電子装置
JP2014232232A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物および電子装置
KR20150029565A (ko) * 2013-09-10 2015-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20190000951A (ko) * 2017-06-23 2019-01-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006077A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Jsr Corporation 感光性含フッ素樹脂組成物、該組成物から得られる硬化膜、およびパターン形成方法
WO2007081057A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Fujifilm Corporation Curable composition and cured product, laminate film and antireflective film using the same and polarizing plate and image display device using the antireflective film
JP2007211235A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Fujifilm Corp 硬化性組成物、及びそれを用いた硬化物、積層フィルム、反射防止フィルム、並びに該反射防止フィルムを用いた偏光板及び画像表示装置
JP2014137424A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 化学増幅型のネガ型フォトレジスト用樹脂組成物、硬化物および電子装置
JP2014232232A (ja) * 2013-05-29 2014-12-11 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物および電子装置
KR20150029565A (ko) * 2013-09-10 2015-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102088539B1 (ko) 2013-09-10 2020-03-12 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20190000951A (ko) * 2017-06-23 2019-01-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037906B1 (ko) 2017-06-23 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4113341B2 (ja) 2008-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004335820A (ja) パターン形成方法
WO2008047719A1 (fr) Procede de formation de motif miniaturise et solution de traitement de substrat de reserve mise en œuvre dans ce procede
JP2003122024A (ja) パターン形成方法
JP2000321774A (ja) パターン形成方法
JP2003035961A (ja) パターン形成方法
JP2000089477A (ja) レジストパターンの形成方法
JP2003140361A (ja) パターン形成方法
JP3827556B2 (ja) パターン形成方法
JP3503976B2 (ja) パターン形成方法
JP2003142368A (ja) パターン形成方法
JP3853168B2 (ja) パターン形成方法
JP2008089952A (ja) 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP3444326B2 (ja) 遠紫外線用ポジ型レジスト組成物
JP2003338452A (ja) パターン形成方法
JP2006208765A (ja) レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP3868475B2 (ja) パターン形成方法
JP3986911B2 (ja) パターン形成材料及びパターン形成方法
JP2003140342A (ja) パターン形成方法
US6737213B2 (en) Pattern formation material and method
JP2615530B2 (ja) パターン形成方法
US20040058271A1 (en) Pattern formation material, water-soluble material and pattern formation method
JPH06289615A (ja) レジスト組成物
JP2699971B2 (ja) パターン形成方法
JP2002299223A (ja) パターン形成方法
JP2713299B2 (ja) パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080318

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080411

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees