JP2003138303A - 超音波式金属粉末作成装置 - Google Patents
超音波式金属粉末作成装置Info
- Publication number
- JP2003138303A JP2003138303A JP2001369320A JP2001369320A JP2003138303A JP 2003138303 A JP2003138303 A JP 2003138303A JP 2001369320 A JP2001369320 A JP 2001369320A JP 2001369320 A JP2001369320 A JP 2001369320A JP 2003138303 A JP2003138303 A JP 2003138303A
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- JP
- Japan
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- metal
- powder
- ultrasonic
- horn
- melting point
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- Pending
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- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現在金属粉末の作成には非常に費用、時間が
かかる。また超微粒子といわれる5ミクロン以下の作成
には工程が多く必要になっている。溶融金属が直接粉末
化され超微粒子が1工程で出来る超音波金属作成装置を
提供する。 【解決手段】超音波振動体のホーン部の中心部に細孔を
あけ、ホーン側面投入口に溶融された金属を流し入れ、
先端部より霧化状態にして直接粉末にする。この場合金
属の比重により細孔の径を変化させ、また金属の融点に
応じてホーン部材質を変えることにより、低融点金属か
ら高融点金属まで粉末化が出来る。作成試料により真空
状態、不活性ガス状態にし酸化を防止することを特徴と
する。
かかる。また超微粒子といわれる5ミクロン以下の作成
には工程が多く必要になっている。溶融金属が直接粉末
化され超微粒子が1工程で出来る超音波金属作成装置を
提供する。 【解決手段】超音波振動体のホーン部の中心部に細孔を
あけ、ホーン側面投入口に溶融された金属を流し入れ、
先端部より霧化状態にして直接粉末にする。この場合金
属の比重により細孔の径を変化させ、また金属の融点に
応じてホーン部材質を変えることにより、低融点金属か
ら高融点金属まで粉末化が出来る。作成試料により真空
状態、不活性ガス状態にし酸化を防止することを特徴と
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、超音波分散理
論、超音波振動理論を応用した装置である。
論、超音波振動理論を応用した装置である。
【0002】
【従来の技術】ガスアトマイズ方式、粉砕方式があっ
た。
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これは次のような欠点
があった (イ) ガスアトマイズ方式は溶融金属をガス圧によ
り、細孔より噴射させるため大量の試料分取には長時間
必要になり、また同じ細孔でも超音波方式に比べ粒径が
小さくならない。 (ロ) 粉砕方式は長時間かかり粒径を小さくするため
の工程が非常にかかりサイズによっては非常にコストが
高くなる。 本発明は、これらの欠点を除くためになされたものであ
る。
があった (イ) ガスアトマイズ方式は溶融金属をガス圧によ
り、細孔より噴射させるため大量の試料分取には長時間
必要になり、また同じ細孔でも超音波方式に比べ粒径が
小さくならない。 (ロ) 粉砕方式は長時間かかり粒径を小さくするため
の工程が非常にかかりサイズによっては非常にコストが
高くなる。 本発明は、これらの欠点を除くためになされたものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】超音波ホーンの中心部に
細孔をあけホーン部の側面より溶融された金属を流しい
れ先端部より超音波を発振させ霧化状態にし直接粉末に
する超音波金属作成装置
細孔をあけホーン部の側面より溶融された金属を流しい
れ先端部より超音波を発振させ霧化状態にし直接粉末に
する超音波金属作成装置
【0005】
【発明の実施の形態】超音波振動体(1)のホーン部
(2)の中心部に細孔(3)をあけホーン側面投入口
(4)に溶融された金属を流し入れ、ホーン先端部
(5)より霧化状態にして直接粉末にする。この場合金
属の比重により細孔(3)の径を変化させ、また金属の
融点に応じてホーン部(2)材質を変えることにより、
低融点金属から高融点金属まで粉末化が出来る。作成試
料により真空状態、不活性ガス状態にし酸化を防止す
る。
(2)の中心部に細孔(3)をあけホーン側面投入口
(4)に溶融された金属を流し入れ、ホーン先端部
(5)より霧化状態にして直接粉末にする。この場合金
属の比重により細孔(3)の径を変化させ、また金属の
融点に応じてホーン部(2)材質を変えることにより、
低融点金属から高融点金属まで粉末化が出来る。作成試
料により真空状態、不活性ガス状態にし酸化を防止す
る。
【0006】
【実施例】超音波振動体(1)のホーン部(2)の中心
部に細孔(3)をあけホーン側面投入口(4)に溶融さ
れた金属を流し入れ、ホーン先端部(5)より霧化状態
にして直接粉末にする。この場合金属の比重により細孔
(3)の径を変化させ、また金属の融点に応じてホーン
部(2)材質を変えることにより、低融点金属から高融
点金属まで粉末化が出来る。作成試料により真空状態、
不活性ガス状態にし酸化を防止する。ホーン部材質とし
て低融点金属にはチタン合金、高融点金属には窒化珪
素、タンタルが使用可能である。
部に細孔(3)をあけホーン側面投入口(4)に溶融さ
れた金属を流し入れ、ホーン先端部(5)より霧化状態
にして直接粉末にする。この場合金属の比重により細孔
(3)の径を変化させ、また金属の融点に応じてホーン
部(2)材質を変えることにより、低融点金属から高融
点金属まで粉末化が出来る。作成試料により真空状態、
不活性ガス状態にし酸化を防止する。ホーン部材質とし
て低融点金属にはチタン合金、高融点金属には窒化珪
素、タンタルが使用可能である。
【0007】
【発明の効果】超音波方式により細孔、周波数、振幅に
より粒径の管理またホーンの材質により希望する金属の
粉末が短時間で作成できる。粒径はナノサイズから数1
0ミクロンまで可能である。
より粒径の管理またホーンの材質により希望する金属の
粉末が短時間で作成できる。粒径はナノサイズから数1
0ミクロンまで可能である。
【図1】本発明の図面である。
1 超音波振動体
2 ホーン部
3 細孔
4 ホーン側面投入口
5 ホーン先端部
Claims (4)
- 【請求項1】 超音波ホーンのホーン部の中心に細孔を
あけホーン部の側面より溶融した金属を流し入れ先端部
より超音波の発振により霧化させ直接に粉末にする超音
波金属粉末作成装置 - 【請求項2】 超音波の周波数変化と振幅及び細孔の大
きさにより粒径を変化させることが出来る超音波金属粉
末作成装置 - 【請求項3】 ホーン部の材質を変え低融点金属から高
融点金属まで直接粉末にすることが出来る超音波金属粉
末作成装置 - 【請求項4】 ホーン先端部を取替え方式にし、粒径を
管理することの出来る超音波金属粉末作成装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001369320A JP2003138303A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 超音波式金属粉末作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001369320A JP2003138303A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 超音波式金属粉末作成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003138303A true JP2003138303A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19178729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001369320A Pending JP2003138303A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 超音波式金属粉末作成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003138303A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011100884A1 (de) * | 2011-05-08 | 2012-11-08 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von verunreinigungen aus metallurgischem silizium |
DE102011112662A1 (de) * | 2011-05-08 | 2012-11-08 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum Behandeln von metallurgischem Silizium |
CN109317687A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-02-12 | 湖南天际智慧材料科技有限公司 | 一种超声波振动雾化室及由其组成的雾化制粉设备 |
CN110465672A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-11-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种低熔点金属粉末及其制备方法和应用 |
CN113993642A (zh) * | 2019-07-16 | 2022-01-28 | 3D实验室股份有限公司 | 排出由超声雾化产生的粉末的方法和实施该方法的设备 |
-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001369320A patent/JP2003138303A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011100884A1 (de) * | 2011-05-08 | 2012-11-08 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von verunreinigungen aus metallurgischem silizium |
DE102011112662A1 (de) * | 2011-05-08 | 2012-11-08 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum Behandeln von metallurgischem Silizium |
DE102011100884B4 (de) * | 2011-05-08 | 2015-03-05 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von verunreinigungen aus metallurgischem silizium |
DE102011112662B4 (de) * | 2011-05-08 | 2015-04-09 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum Behandeln von metallurgischem Silizium |
CN109317687A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-02-12 | 湖南天际智慧材料科技有限公司 | 一种超声波振动雾化室及由其组成的雾化制粉设备 |
CN113993642A (zh) * | 2019-07-16 | 2022-01-28 | 3D实验室股份有限公司 | 排出由超声雾化产生的粉末的方法和实施该方法的设备 |
CN110465672A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-11-19 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种低熔点金属粉末及其制备方法和应用 |
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