JP2003137600A - 結晶化ガラス - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ７００℃以上で焼成されても熱変形が起こら
ず、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有
し、しかも大型化が可能であり、無機ＥＬディスプレイ
用基板材料として好適な結晶化ガラスを提供する。 【解決手段】 質量％で、ＳｉＯ2 ４５〜７５％、Ａ
ｌ2Ｏ3 ８〜３０％、ＭｇＯ １〜２０％、ＺｎＯ ０
〜２０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜４％、
ＢａＯ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ ０
〜４％、Ｋ2Ｏ０〜１０％、Ｂ2Ｏ3 ０〜７％、Ｐ2Ｏ5
０〜８％の組成を有し、主結晶としてα-石英および
／またはβ-石英固溶体の結晶が析出してなり、屈伏点
が７５０℃以上、熱膨張係数が５０〜１２０×１０-7／
℃である。
ず、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を有
し、しかも大型化が可能であり、無機ＥＬディスプレイ
用基板材料として好適な結晶化ガラスを提供する。 【解決手段】 質量％で、ＳｉＯ2 ４５〜７５％、Ａ
ｌ2Ｏ3 ８〜３０％、ＭｇＯ １〜２０％、ＺｎＯ ０
〜２０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜４％、
ＢａＯ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ ０
〜４％、Ｋ2Ｏ０〜１０％、Ｂ2Ｏ3 ０〜７％、Ｐ2Ｏ5
０〜８％の組成を有し、主結晶としてα-石英および
／またはβ-石英固溶体の結晶が析出してなり、屈伏点
が７５０℃以上、熱膨張係数が５０〜１２０×１０-7／
℃である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ用基板、
特に無機ＥＬディスプレイ用基板材料として好適な結晶
化ガラスに関するものである。
特に無機ＥＬディスプレイ用基板材料として好適な結晶
化ガラスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】無機ＥＬディスプレイは、薄型軽量で表
示が鮮明であり、画像の微細化が容易であるため高品位
画像が実現でき、フルカラー化が可能であるなど、多く
の利点を有するため、今後、表示装置として益々広く利
用される傾向にある。
示が鮮明であり、画像の微細化が容易であるため高品位
画像が実現でき、フルカラー化が可能であるなど、多く
の利点を有するため、今後、表示装置として益々広く利
用される傾向にある。
【０００３】無機ＥＬディスプレイは、例えば図１に示
すように、背面基板１０上に金属電極１１、第１の誘電
体層１２、無機ＥＬ発光体層１３、第２の誘電体層１
４、ＩＴＯ電極１５、ＲＧＢカラーフィルター１６、カ
ラーフィルター基板１７が順番に積層された構造を有し
ている。
すように、背面基板１０上に金属電極１１、第１の誘電
体層１２、無機ＥＬ発光体層１３、第２の誘電体層１
４、ＩＴＯ電極１５、ＲＧＢカラーフィルター１６、カ
ラーフィルター基板１７が順番に積層された構造を有し
ている。
【０００４】この無機ＥＬディスプレイでは、金属電極
１１とＩＴＯ電極１５に電圧を印加して無機ＥＬ発光体
層１３を励起することにより白色光を発生させ、これを
ＲＧＢカラーフィルター１６で色変換するようになって
いる。
１１とＩＴＯ電極１５に電圧を印加して無機ＥＬ発光体
層１３を励起することにより白色光を発生させ、これを
ＲＧＢカラーフィルター１６で色変換するようになって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の無機ＥＬディス
プレイの第１、第２の誘電体層１２、１４と発光層１３
は、ペースト法等で材料を塗布した後、乾燥、焼成する
ことによって形成される。この焼成は、７００℃以上の
高温で行われているため、背面基板１０には、耐熱性に
優れ、且つ、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張
係数を有するアルミナ基板が使用されている。
プレイの第１、第２の誘電体層１２、１４と発光層１３
は、ペースト法等で材料を塗布した後、乾燥、焼成する
ことによって形成される。この焼成は、７００℃以上の
高温で行われているため、背面基板１０には、耐熱性に
優れ、且つ、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張
係数を有するアルミナ基板が使用されている。
【０００６】ところで無機ＥＬディスプレイは、家庭用
テレビ等に利用することが試みられており、大型ディス
プレイ用として、４０〜６０インチ程度の大きさの背面
基板が要求されている。また１０インチ以下のような小
型ディスプレイを作製する場合でも、１枚毎に背面基板
を作製するよりも、一旦大型基板を作製してから、それ
を複数枚に分割切断する方が、遙かに生産効率が高い。
テレビ等に利用することが試みられており、大型ディス
プレイ用として、４０〜６０インチ程度の大きさの背面
基板が要求されている。また１０インチ以下のような小
型ディスプレイを作製する場合でも、１枚毎に背面基板
を作製するよりも、一旦大型基板を作製してから、それ
を複数枚に分割切断する方が、遙かに生産効率が高い。
【０００７】しかしながらアルミナ等のセラミック基板
の場合、製造プロセス上、大型で平らな基板を作製する
ことは非常に困難であり、コストが極めて高くなるとい
う問題がある。
の場合、製造プロセス上、大型で平らな基板を作製する
ことは非常に困難であり、コストが極めて高くなるとい
う問題がある。
【０００８】また大型の基板としては、建築用窓板ガラ
スとして利用されるソーダライムガラスやＰＤＰ基板用
ガラスが存在するが、これらを背面基板として用い、７
００℃以上の高温で焼成すると、熱変形を起こすため、
カラーフィルター基板としての使用に限定されている。
スとして利用されるソーダライムガラスやＰＤＰ基板用
ガラスが存在するが、これらを背面基板として用い、７
００℃以上の高温で焼成すると、熱変形を起こすため、
カラーフィルター基板としての使用に限定されている。
【０００９】本発明の目的は、上記事情に鑑みなされた
ものであり、７００℃以上で焼成されても熱変形が起こ
らず、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を
有し、しかも大型化が可能であり、特に無機ＥＬディス
プレイ用基板材料として好適な結晶化ガラスを提供する
ことである。
ものであり、７００℃以上で焼成されても熱変形が起こ
らず、誘電体材料の熱膨張係数に近似した熱膨張係数を
有し、しかも大型化が可能であり、特に無機ＥＬディス
プレイ用基板材料として好適な結晶化ガラスを提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、７００℃以
上の焼成工程で背面基板の熱変形を起こさないために
は、背面基板の屈伏点が７５０℃以上であれば良いこと
を見出し、本発明を提案するに至った。
を達成すべく種々の実験を繰り返した結果、７００℃以
上の焼成工程で背面基板の熱変形を起こさないために
は、背面基板の屈伏点が７５０℃以上であれば良いこと
を見出し、本発明を提案するに至った。
【００１１】すなわち本発明の結晶化ガラスは、質量％
で、ＳｉＯ2 ４５〜７５％、Ａｌ2Ｏ3 ８〜３０％、
ＭｇＯ １〜２０％、ＺｎＯ ０〜２０％、ＴｉＯ2
０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜４％、ＢａＯ ０〜２０
％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ０〜４％、Ｋ2Ｏ ０
〜１０％、Ｂ2Ｏ3 ０〜７％、Ｐ2Ｏ5 ０〜８％の組成
を有することを特徴とする。
で、ＳｉＯ2 ４５〜７５％、Ａｌ2Ｏ3 ８〜３０％、
ＭｇＯ １〜２０％、ＺｎＯ ０〜２０％、ＴｉＯ2
０〜１０％、ＺｒＯ2 ０〜４％、ＢａＯ ０〜２０
％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ０〜４％、Ｋ2Ｏ ０
〜１０％、Ｂ2Ｏ3 ０〜７％、Ｐ2Ｏ5 ０〜８％の組成
を有することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明において、上記のように組
成範囲を限定した理由を述べる。
成範囲を限定した理由を述べる。
【００１３】ＳｉＯ2はα-石英およびβ-石英固溶体の
結晶相の必須成分である。含有量は４５〜７５％であ
る。ＳｉＯ2が４５％より少ないと結晶性が低下し、屈
伏点が低くなって変形しやすくなる。ＳｉＯ2が７５％
より多いとガラス溶融が困難になる。好ましい範囲は４
８〜７３％である。
結晶相の必須成分である。含有量は４５〜７５％であ
る。ＳｉＯ2が４５％より少ないと結晶性が低下し、屈
伏点が低くなって変形しやすくなる。ＳｉＯ2が７５％
より多いとガラス溶融が困難になる。好ましい範囲は４
８〜７３％である。
【００１４】Ａｌ2Ｏ3もまた、β-石英固溶体結晶相の
必須成分である。含有量は８〜３０％である。Ａｌ2Ｏ3
が８％より少ないと結晶性が低下し、屈伏点が低くなっ
て変形しやすくなる。Ａｌ2Ｏ3が３０％より多いとガラ
スの粘度が大きくなりすぎてガラス溶融が困難になる。
好ましい範囲は１０〜３０％である。
必須成分である。含有量は８〜３０％である。Ａｌ2Ｏ3
が８％より少ないと結晶性が低下し、屈伏点が低くなっ
て変形しやすくなる。Ａｌ2Ｏ3が３０％より多いとガラ
スの粘度が大きくなりすぎてガラス溶融が困難になる。
好ましい範囲は１０〜３０％である。
【００１５】ＭｇＯもまた、β-石英固溶体の必須成分
である。含有量は１〜２０％である。ＭｇＯが１％より
少ないと、結晶性が低下し、屈伏点が低くなって変形し
やすくなる。ＭｇＯが２０％より多いとガラスが失透し
やすくなる。好ましい範囲は２〜２０％である。
である。含有量は１〜２０％である。ＭｇＯが１％より
少ないと、結晶性が低下し、屈伏点が低くなって変形し
やすくなる。ＭｇＯが２０％より多いとガラスが失透し
やすくなる。好ましい範囲は２〜２０％である。
【００１６】ＺｎＯは溶解を促進させる成分であり、そ
の含有量は０〜２０％である。ＺｎＯが２０％より多い
とガラスが分相して均質なガラスが得られない。好まし
い範囲は０〜１８％、さらには１〜１５％である。
の含有量は０〜２０％である。ＺｎＯが２０％より多い
とガラスが分相して均質なガラスが得られない。好まし
い範囲は０〜１８％、さらには１〜１５％である。
【００１７】ＴｉＯ2は、核形成剤であり、その含有量
は０〜１０％である。ＴｉＯ2が１０％より多いとガラ
スが失透し易くなる。好ましい範囲は０〜８％、さらに
は１〜６％である。
は０〜１０％である。ＴｉＯ2が１０％より多いとガラ
スが失透し易くなる。好ましい範囲は０〜８％、さらに
は１〜６％である。
【００１８】ＺｒＯ2は核形成剤であり、その含有量は
０〜４％である。ＺｒＯ2が４％より多いとガラスの失
透性が強くなる。好ましい範囲は０〜３．５％、さらに
は０．１〜３％である。
０〜４％である。ＺｒＯ2が４％より多いとガラスの失
透性が強くなる。好ましい範囲は０〜３．５％、さらに
は０．１〜３％である。
【００１９】ＢａＯは溶解を促進し、かつ失透温度を低
下させる作用がある。含有量は０〜２０％である。Ｂａ
Ｏが２０％より多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低く
なって変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜１８％、
さらには０．５〜１６％である。
下させる作用がある。含有量は０〜２０％である。Ｂａ
Ｏが２０％より多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低く
なって変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜１８％、
さらには０．５〜１６％である。
【００２０】Ｌｉ2Ｏは溶解を促進し、かつ結晶成分と
なる。含有量は０〜３％である。３％より多いとＬｉ2
Ｏは焼成時に誘電体層等に拡散するため、デバイス特性
の劣化を招きやすい。好ましい範囲は０〜２．５％であ
る。
なる。含有量は０〜３％である。３％より多いとＬｉ2
Ｏは焼成時に誘電体層等に拡散するため、デバイス特性
の劣化を招きやすい。好ましい範囲は０〜２．５％であ
る。
【００２１】Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏは溶解を促進し、かつ成型
性を向上させる。含有量はそれぞれ０〜４％、０〜１０
％である。Ｎａ2Ｏ、Ｋ2ＯはＬｉ2Ｏと同様に、デバイ
ス特性の劣化を招きやすい。そのため、Ｎａ2ＯとＫ2Ｏ
合量を１０％以下に抑えることが望ましい。なお、好ま
しい範囲は、Ｎａ2Ｏが０〜３．５％、Ｋ2Ｏが０〜６．
５％であるが、デバイス特性の劣化をより完全に防ぐた
めには無アルカリであることが望ましい。
性を向上させる。含有量はそれぞれ０〜４％、０〜１０
％である。Ｎａ2Ｏ、Ｋ2ＯはＬｉ2Ｏと同様に、デバイ
ス特性の劣化を招きやすい。そのため、Ｎａ2ＯとＫ2Ｏ
合量を１０％以下に抑えることが望ましい。なお、好ま
しい範囲は、Ｎａ2Ｏが０〜３．５％、Ｋ2Ｏが０〜６．
５％であるが、デバイス特性の劣化をより完全に防ぐた
めには無アルカリであることが望ましい。
【００２２】Ｂ2Ｏ3は溶解を促進し、かつ成型性を向上
させる。含有量は０〜７％である。Ｂ2Ｏ3が７％より多
いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することによって
変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜５％である。
させる。含有量は０〜７％である。Ｂ2Ｏ3が７％より多
いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することによって
変形しやすくなる。好ましい範囲は０〜５％である。
【００２３】Ｐ2Ｏ5は溶解を促進し、かつ析出結晶の核
形成を促進させる働きがある。含有量は０〜８％であ
る。Ｐ2Ｏ5が８％より多いと、ガラスが分相して均質な
ガラスが得られない。好ましい範囲は０〜７％である。
形成を促進させる働きがある。含有量は０〜８％であ
る。Ｐ2Ｏ5が８％より多いと、ガラスが分相して均質な
ガラスが得られない。好ましい範囲は０〜７％である。
【００２４】さらに上記成分に加え、溶解を促進し、か
つ失透温度を低下させるためにＣａＯを４％以下、好ま
しくは３．５％以下添加してもよい。なおＣａＯが４％
より多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することに
より、変形しやすくなる。
つ失透温度を低下させるためにＣａＯを４％以下、好ま
しくは３．５％以下添加してもよい。なおＣａＯが４％
より多いと、結晶性が低下し、屈伏点が低下することに
より、変形しやすくなる。
【００２５】また基板特性を損なわない範囲でＳｒＯ、
ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3等の他成分を各々２％以下添加して
もよい。
ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3等の他成分を各々２％以下添加して
もよい。
【００２６】上記組成範囲の結晶性ガラスを、溶融後に
７００℃〜１２００℃で熱処理し、主結晶としてα-石
英および／またはβ-石英固溶体を析出させると、屈伏
点が７５０℃以上で、熱膨張係数が５０〜１２０×１０
-7／℃である結晶化ガラスが得られる。なお、結晶性ガ
ラスの成形に、周知のロール成形、フロート成形等の成
形法を採用することによって大型の基板状にすることが
可能である。
７００℃〜１２００℃で熱処理し、主結晶としてα-石
英および／またはβ-石英固溶体を析出させると、屈伏
点が７５０℃以上で、熱膨張係数が５０〜１２０×１０
-7／℃である結晶化ガラスが得られる。なお、結晶性ガ
ラスの成形に、周知のロール成形、フロート成形等の成
形法を採用することによって大型の基板状にすることが
可能である。
【００２７】ところで、上記の析出結晶であるα-石英
は、熱膨張係数がおよそ１２０×１０-7／℃で、屈伏点
が１０００℃以上であるため、基板の熱膨張係数を上
げ、また耐熱性を向上させている。β-石英固溶体結晶
も、結晶化ガラス基板の結晶化度が高めることによって
耐熱性を向上させている。
は、熱膨張係数がおよそ１２０×１０-7／℃で、屈伏点
が１０００℃以上であるため、基板の熱膨張係数を上
げ、また耐熱性を向上させている。β-石英固溶体結晶
も、結晶化ガラス基板の結晶化度が高めることによって
耐熱性を向上させている。
【００２８】上記の組成において、Ａｌ2Ｏ3およびＺｎ
Ｏがそれぞれ４質量％以上含有すると、さらにガーナイ
ト結晶が析出する。ガーナイト結晶は、熱膨張係数がお
よそ８０×１０-7／℃であり、かつ屈伏点が１０００℃
より高いため、基板の熱膨張係数および耐熱性特性に対
して好影響を与える。
Ｏがそれぞれ４質量％以上含有すると、さらにガーナイ
ト結晶が析出する。ガーナイト結晶は、熱膨張係数がお
よそ８０×１０-7／℃であり、かつ屈伏点が１０００℃
より高いため、基板の熱膨張係数および耐熱性特性に対
して好影響を与える。
【００２９】本発明では、結晶化ガラスの結晶化度が高
くなるほど、屈伏点が高くなるため好ましく、具体的に
は結晶化度を３０質量％以上にすることが望ましい。
くなるほど、屈伏点が高くなるため好ましく、具体的に
は結晶化度を３０質量％以上にすることが望ましい。
【００３０】上記特徴を有する本発明の結晶化ガラス
は、屈伏点が７５０℃以上（好ましくは７８０℃以
上）、熱膨張係数が５０〜１２０×１０-7／℃（好まし
くは６０〜１００×１０-7／℃）であるため、この結晶
化ガラスからなるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、
７００℃以上の高温で焼成されても熱変形を起こすこと
がなく、また誘電体との間で熱応力が発生することもな
い。特にカラーフィルター基板としてソーダライムガラ
スを使用する場合には、ソーダライムガラスの熱膨張係
数（約８５×１０-7／℃）に近似した熱膨張係数（具体
的には６０〜１００×１０-7／℃）を有する結晶化ガラ
スを使用すると、ディスプレイパネルの反りも小さくな
るため好ましい。
は、屈伏点が７５０℃以上（好ましくは７８０℃以
上）、熱膨張係数が５０〜１２０×１０-7／℃（好まし
くは６０〜１００×１０-7／℃）であるため、この結晶
化ガラスからなるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、
７００℃以上の高温で焼成されても熱変形を起こすこと
がなく、また誘電体との間で熱応力が発生することもな
い。特にカラーフィルター基板としてソーダライムガラ
スを使用する場合には、ソーダライムガラスの熱膨張係
数（約８５×１０-7／℃）に近似した熱膨張係数（具体
的には６０〜１００×１０-7／℃）を有する結晶化ガラ
スを使用すると、ディスプレイパネルの反りも小さくな
るため好ましい。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
【００３２】表１〜４は、本発明の結晶化ガラスの実施
例（試料Ｎｏ．１〜１２）と比較例（試料Ｎｏ．１３〜
１４）を示すものである。尚、比較例であるＮｏ．１３
の試料は、ＰＤＰ基板として市販されている高歪点ガラ
スであり、Ｎｏ．１４は、建築用窓板ガラスとして市販
されているソーダライムガラスである。
例（試料Ｎｏ．１〜１２）と比較例（試料Ｎｏ．１３〜
１４）を示すものである。尚、比較例であるＮｏ．１３
の試料は、ＰＤＰ基板として市販されている高歪点ガラ
スであり、Ｎｏ．１４は、建築用窓板ガラスとして市販
されているソーダライムガラスである。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】表中のＮｏ．１〜１２の各試料は、次のよ
うにして作製した。
うにして作製した。
【００３８】まず表の組成となるようにガラス原料を調
合し、白金ポットで１５５０℃で１５時間溶融した後、
カーボン板上に流し出し、さらに７００〜１２００℃で
１時間熱処理することによって結晶化ガラス基板を作製
した。このようにして得られた各試料について、析出結
晶、結晶化度、屈伏点および熱膨張係数を測定し、その
結果を表に示した。
合し、白金ポットで１５５０℃で１５時間溶融した後、
カーボン板上に流し出し、さらに７００〜１２００℃で
１時間熱処理することによって結晶化ガラス基板を作製
した。このようにして得られた各試料について、析出結
晶、結晶化度、屈伏点および熱膨張係数を測定し、その
結果を表に示した。
【００３９】表から明らかなように、実施例であるＮ
ｏ．１〜１２の各試料は、析出結晶がα-石英及びβ-石
英固溶体、或いはさらにガーナイトで、結晶化度は５０
％以上であり、屈伏点が９８０〜１１００℃であり、熱
膨張係数が６０〜８５×１０-7／℃であり、無機ＥＬデ
ィスプレイの背面基板として適したものであった。
ｏ．１〜１２の各試料は、析出結晶がα-石英及びβ-石
英固溶体、或いはさらにガーナイトで、結晶化度は５０
％以上であり、屈伏点が９８０〜１１００℃であり、熱
膨張係数が６０〜８５×１０-7／℃であり、無機ＥＬデ
ィスプレイの背面基板として適したものであった。
【００４０】それに対し、比較例であるＮｏ．１３と１
４の試料は、屈伏点が７００℃以下と低いため、７００
℃で焼成すると熱変形が起こる。
４の試料は、屈伏点が７００℃以下と低いため、７００
℃で焼成すると熱変形が起こる。
【００４１】尚、表中の析出結晶および結晶化度は、Ｘ
線回折装置を用いて確認した。熱膨張係数および屈伏点
は、試料を円柱に加工した後、ディラトメーターを用い
て、荷重９０ｍＮ、昇温速度毎分５℃以下の条件で測定
した。実施例の熱膨張係数は３０〜９００℃における平
均熱膨張係数として評価し、一方、比較例の熱膨張係数
は３０〜３８０℃における平均熱膨張係数として評価し
た。屈伏点は、実施例および比較例とも熱膨張曲線の屈
曲点の最大値をもって評価した。
線回折装置を用いて確認した。熱膨張係数および屈伏点
は、試料を円柱に加工した後、ディラトメーターを用い
て、荷重９０ｍＮ、昇温速度毎分５℃以下の条件で測定
した。実施例の熱膨張係数は３０〜９００℃における平
均熱膨張係数として評価し、一方、比較例の熱膨張係数
は３０〜３８０℃における平均熱膨張係数として評価し
た。屈伏点は、実施例および比較例とも熱膨張曲線の屈
曲点の最大値をもって評価した。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明の結晶化ガラスから
なるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、７００℃以上
の高温で焼成されても熱変形を起こさず、誘電体との間
で熱応力が発生することもないので、特に無機ＥＬディ
スプレイの背面基板に好適である。
なるディスプレイ用結晶化ガラス基板は、７００℃以上
の高温で焼成されても熱変形を起こさず、誘電体との間
で熱応力が発生することもないので、特に無機ＥＬディ
スプレイの背面基板に好適である。
【図１】無機ＥＬディスプレイの構造を示す説明図であ
る。
る。
１０ 基板
１１ 金属電極
１２ 第１の誘電体層
１３ 無機ＥＬ発光体層
１４ 第２の誘電体層
１５ ＩＴＯ電極
１６ ＲＧＢカラーフィルター
１７ カラーフィルター基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB01 BB06 CC04 DA05
DA06 DA07 DB03 DB04 DC01
DC02 DC03 DD01 DD02 DD03
DE01 DE02 DE03 DE04 DF01
EA01 EA02 EA03 EB01 EB02
EB03 EC01 EC02 EC03 ED02
ED03 ED04 EE01 EF01 EG01
EG02 EG03 EG04 FA01 FA10
FB01 FB02 FB03 FC01 FC02
FC03 FD01 FE01 FF01 FG01
FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01
GA10 GB01 GC01 GD01 GE01
HH01 HH03 HH05 HH07 HH09
HH11 HH13 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM27 NN30 NN31 QQ02
Claims (4)
- 【請求項１】 質量％で、ＳｉＯ2 ４５〜７５％、Ａ
ｌ2Ｏ3 ８〜３０％、ＭｇＯ １〜２０％、ＺｎＯ ０
〜２０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％、ＺｒＯ2０〜４％、Ｂ
ａＯ ０〜２０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、Ｎａ2Ｏ ０〜
４％、Ｋ2Ｏ ０〜１０％、Ｂ2Ｏ3 ０〜７％、Ｐ2Ｏ5
０〜８％の組成を有することを特徴とする結晶化ガラ
ス。 - 【請求項２】 屈伏点が７５０℃以上、熱膨張係数が５
０〜１２０×１０-7／℃であることを特徴とする請求項
１記載の結晶化ガラス。 - 【請求項３】 主結晶としてα-石英および／またはβ-
石英固溶体の結晶が析出してなることを特徴とする請求
項１又は請求項２記載の結晶化ガラス。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の結晶化ガラスからなる
ことを特徴とするディスプレイ用結晶化ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001336361A JP2003137600A (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 結晶化ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001336361A JP2003137600A (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 結晶化ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003137600A true JP2003137600A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19151202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001336361A Pending JP2003137600A (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 結晶化ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003137600A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006008488A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 |
| JP2007519596A (ja) * | 2004-01-28 | 2007-07-19 | サン−ゴバン グラス フランス | 静止ポイントなしのフロートによる板ガラス製造 |
-
2001
- 2001-11-01 JP JP2001336361A patent/JP2003137600A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519596A (ja) * | 2004-01-28 | 2007-07-19 | サン−ゴバン グラス フランス | 静止ポイントなしのフロートによる板ガラス製造 |
| JP2006008488A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 |
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