JP2003137512A - 金属酸化物の製造方法，半導体装置及び金属酸化物製造装置 - Google Patents

金属酸化物の製造方法，半導体装置及び金属酸化物製造装置

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忠 有井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カルボン酸の金属塩を原料として，水蒸気雰
囲気中で加熱することにより，従来の塗布法よりも格段
に低い温度で金属酸化物を製造する。 【解決手段】 カルボン酸の金属塩を水蒸気雰囲気中で
３００℃以下の所定温度（原料物質によって異なる）に
加熱することにより，金属の酸化物を製造する。酢酸亜
鉛を原料にした場合，乾燥ヘリウムガス中で加熱すると
原料が昇華・分解して酸化亜鉛は全く生成されないが，
窒素ガス＋水蒸気の雰囲気中で，昇温速度５℃／分で加
熱すると，１１０℃付近から減量が始まり，水蒸気分圧
が１７．９ｋＰａのときは２３０℃付近で減量が完了し
て，酸化亜鉛が生成される。また，減量が始まったら温
度をほぼ一定にすれば，１１５℃付近で，結晶性の良好
な酸化亜鉛が生成される。金属としては，亜鉛，カドミ
ウム，インジウム及び銅のいずれかを選択できる。カル
ボン酸としては，蟻酸，酢酸，プロピオン酸及び２−エ
チルヘキサン酸のいずれかを選択できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属酸化物の製造方
法に関し，特に，カルボン酸の金属塩を原料として従来
よりも低温で金属酸化物を製造する方法に関する。ま
た，そのような金属酸化物を有する半導体装置に関し，
さらには，そのような金属酸化物を製造する装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子材料用の金属酸化物薄膜を，できる
限り低温で効率良く形成したい，という要求は強く，こ
れまでに各種の方法が研究されている。金属酸化物薄膜
を製造する代表的な方法としては，大きく分けて，ゾル
・ゲル法やＭＯＤ（Metallo-Organic Decomposition）
法などの塗布法と，ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）法やスパッタリング法などの気相成長法がある。こ
のうち，量産技術としては，ゾル・ゲル法，ＭＯＤ法，
ＣＶＤ法の研究・開発・実用化がすすめられている。
【０００３】ＣＶＤ法では，有機金属，金属錯体，金属
アルコキシドなどを原料（前駆体）にしているが，成膜
のためには，原料が備える条件として，（１）低温で大
きな蒸気圧をもつ，（２）毒性が低い，（３）長時間安
定した蒸気圧を維持できる，などの条件が必要である。
これらの条件を満たす原料はそれほど多くなく，特に，
低温で大きな蒸気圧を示す原料が非常に少ない。原料の
蒸気圧について説明すると，ＣＶＤ法では，原料を昇華
または蒸発させて，気相になった前駆体分子のみを使用
するので，蒸気圧の低い物質は，このような気相状態を
得ることができず，原料としては使えない。また，ＣＶ
Ｄ法で結晶性の良い膜を作るためには５００℃以上の温
度が必要になる場合が多い。さらに，ＣＶＤ法などの気
相成長法では，高価な真空装置やガス排気設備が必要と
なる。
【０００４】ゾル・ゲル法とＭＯＤ法は，原料溶液を基
板に塗布した後に，次のようなプロセスを経て金属酸化
物を得ている。すなわち，加熱による脱有機溶媒，脱有
機成分，仮焼成，結晶化のための熱処理，という工程を
順番に実施している。これらの工程のうち，脱有機成分
の工程（すなわち，熱分解工程）は，多くの場合，３０
０℃以上の高温を必要とする。また，脱有機成分の工程
だけでは生成物の結晶性が良くないために，さらに，５
００℃以上の高温での熱処理を必要とする場合が多い。
【０００５】本発明は，カルボン酸の金属塩を原料とし
て従来よりも低温で結晶性の良好な金属酸化物を得よう
とするものであるが，本発明に一番近い従来技術として
は，特開平１０−４１４８５号公報に記載されたものが
ある。この公知技術は，金属の過酸化ポリ酸の溶液を基
体に塗布して，これを水蒸気雰囲気中で３５０〜４００
℃に加熱することにより，金属酸化物薄膜を形成してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】金属の過酸化ポリ酸を
原料にした上述の公知技術は，次のような問題点があ
る。（１）原料が特殊である。金属の過酸化ポリ酸は，
それほどポピュラーなものではない。これを作るには，
上述の出願公開公報によれば，例えば，チタン粉末を過
酸化水素水に溶解させ，過剰な過酸化水素を白金触媒で
分解し，ろ過して，チタンの過酸化ポリ酸溶液を得てい
る。そして，この溶液１容に対して，エチルセロソルブ
５容を加えて塗布液としている。（２）上述の出願公開
公報の表１によれば，２４種類の金属酸化物を製造して
いるが，その製造温度は，すべて，３５０℃または４０
０℃である。この製造温度は，従来の塗布法と比較すれ
ば低温であるが，もっと低温で製造したいという要求は
強い。
【０００７】本発明は上述の問題点を解決するためにな
されたものであり，その目的は，従来の塗布法よりも格
段に低い温度で金属酸化物を製造する方法を提供するこ
とにある。この発明の別の目的は，ＭＯＣＶＤ法でよく
使われているポピュラーなカルボン酸の金属塩を原料と
して低温で金属酸化物を製造する方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る金属酸化物
の製造方法は，カルボン酸の金属塩を水蒸気雰囲気中で
加熱することにより金属の酸化物を製造するものであ
る。カルボン酸の金属塩は水和物でも無水物でもよい。
また，カルボン酸の金属塩は，粉末の形態のままで加熱
してもよいし，溶媒に溶かして溶液にして基板上に塗布
した状態で加熱してもよい。この発明の製造方法によれ
ば，従来の塗布法による金属酸化物製造方法と比較し
て，格段に低い温度で結晶性の良好な金属酸化物が得ら
れる。各種の物質についての実験によれば，３００℃以
下の所定温度（原料物質によって異なる）までの加熱に
よって結晶性の良好な金属酸化物が得られている。金属
とカルボン酸の組み合わせによっては，１１５℃程度や
２００℃程度の低温でも良好な金属酸化物が得られてい
る。したがって，原料物質に応じた所定温度（これまで
に実験をしたカルボン酸の金属塩は，すべて，３００℃
以下）に加熱することで，結晶性の良好な金属酸化物が
得られる。
【０００９】金属としては，亜鉛，カドミウム，インジ
ウム及び銅のいずれかを選択することができる。また，
カルボン酸としては，蟻酸，酢酸，プロピオン酸及び２
−エチルヘキサン酸のいずれかを選択することができ
る。金属とカルボン酸の組み合わせは，これ以外にも多
数考えられ，それらの組み合わせについても，３００℃
以下の温度で金属酸化物が得られることが予測される。
水蒸気雰囲気中の水蒸気分圧は６〜１８ｋＰａの範囲内
とすることができる。好ましくは，不活性ガス（例え
ば，窒素ガス，ヘリウムガス，アルゴンガス）と水蒸気
とからなる水蒸気含有ガスを使うことができる。
【００１０】塗布法によって低温で，結晶性の良好な金
属酸化物薄膜が得られると，このような金属酸化物薄膜
は，半導体装置における各種の絶縁膜・誘電体膜（例え
ば，キャパシタの材料）として，きわめて有望である。
特に，量産性の観点，及び，低温生成による半導体への
低ダメージの観点において，この金属酸化物製造方法
は，半導体製造プロセスにおいて有効である。
【００１１】本発明に係る金属酸化物の製造装置は，
（ａ）カルボン酸の金属塩の溶液を基板上に塗布する塗
布装置（例えば，スピンコータ）と，（ｂ）所望の水蒸
気分圧の水蒸気含有ガスを発生させることのできる水蒸
気発生装置と，（ｃ）前記水蒸気発生装置から導入した
水蒸気含有ガスの雰囲気のもとで，前記塗布装置で処理
された基板を所定温度に加熱する加熱装置とを備えてい
る。あるいは，この金属酸化物の製造装置は，（ａ）所
望の水蒸気分圧の水蒸気含有ガスを発生させることので
きる水蒸気発生装置と，（ｂ）前記水蒸気発生装置から
導入した水蒸気含有ガスの雰囲気のもとで，試料容器に
入れたカルボン酸の金属塩を所定温度に加熱する加熱装
置とを備えている。
【００１２】上述の加熱装置には，（イ）カルボン酸の
金属塩及びその変化物質のＸ線回折測定をするための測
定装置，（ロ）カルボン酸の金属塩及びその変化物質の
示差熱分析をするための測定装置，（ハ）カルボン酸の
金属塩及びその変化物質の示差走査熱量測定をするため
の測定装置及び（ニ）カルボン酸の金属塩及びその変化
物質の熱重量測定をするための測定装置のいずれかひと
つ，あるいは，その任意の二つ以上を組み込むことがで
きる。これらの測定装置を組み込むことによって，金属
酸化物が生成される過程をその場で観測することがで
き，金属酸化物が生成されたことをその場で確認でき
る。
【００１３】加熱装置には，加熱装置の内壁面を室温以
上の所望の温度（例えば，６０℃）に維持する恒温装置
を設けるのが好ましい。これによって，加熱装置の内壁
面に水蒸気が結露するのを防ぐことができる。
【００１４】以下の説明では，Ｘ線回折測定をＸＲＤ
と，熱重量測定をＴＧと，示差熱分析をＤＴＡと，示差
走査熱量測定をＤＳＣと略称することがある。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法を実施す
るための装置の一例の構成図である。この装置は，加熱
装置１０と水蒸気発生装置１２からなり，加熱装置１０
には熱天秤（熱重量測定装置）と示差熱分析装置が組み
込まれている。水蒸気発生装置１２は，キャリアガスと
しての不活性ガス（例えば，窒素ガス，アルゴンガス，
ヘリウムガス）に水蒸気を混合することができて，所望
の水蒸気分圧の水蒸気含有ガス１３を発生することがで
きる。水蒸気発生装置１２の具体的な構造としては，例
えば，特開平６−２５４４１５号公報や特開平６−２５
４４１６号公報に記載された構造のものを利用できる。
【００１６】加熱装置１０には，差動式の横形熱天秤が
組み込まれており，二つの天秤ビーム１４，１６の先端
には標準試料１８用の試料容器と測定試料２０用の試料
容器が載っている。また，標準試料１８と測定試料２０
の温度をそれぞれ検出できて，その温度差を求めること
により示差熱分析を行うことができるようになってい
る。差動式の横形熱天秤と示差熱分析装置とを組み合わ
せた測定装置の具体的な構造については，例えば，特開
平８−１８４５４５号公報に記載された構造のものを利
用できる。
【００１７】加熱装置１０内の標準試料１８と測定試料
２０は，加熱源２１（例えば，赤外線ヒータや抵抗加熱
ヒータ）によって加熱され，所望の温度になるように温
度制御される。加熱装置１０の壁面には，恒温送水装置
２３からの恒温水を導入するジャケット２２が設けられ
ていて，このジャケット２２に一定温度の恒温水を流す
ことにより，加熱装置１０の内壁面を所望の一定温度
（例えば，６０℃）に維持することができる。この恒温
装置を用いることによって加熱装置１０の内壁面に水蒸
気が結露するのを防いでいる。
【００１８】次に，加熱装置１０内の水蒸気雰囲気の制
御方法を説明する。水蒸気発生装置１２と加熱装置１０
の接続管２６の内部には湿度センサー２４が設けられて
いて，この湿度センサー２４の信号は水蒸気発生装置１
２にフィードバックされている。水蒸気発生装置１２で
は，キャリアガスと水蒸気の混合ガス１３の流量と，こ
の混合ガスに含まれる水蒸気の相対湿度と，混合ガスの
温度とを制御できるようになっている。例えば，混合ガ
スの流量を毎分１００〜２００ｃｃの範囲内の所望の流
量に設定し，６０℃における相対湿度を２０〜９０％の
範囲内で制御できる。なお，水蒸気雰囲気中の絶対的な
水分の量を考えるときは，相対湿度よりも水蒸気分圧で
考えた方が適切なので，その場合は，相対湿度を水蒸気
分圧に換算する。例えば，６０℃での相対湿度が９０％
のときは，そのときの水蒸気分圧は１７．９ｋＰａであ
る。
【００１９】加熱装置１０の内部の圧力は大気圧であ
り，ここに接続管２６から水蒸気含有ガスを導入する。
このガスは隔壁２８の手前の出口３０から外部に放出さ
れる。隔壁２８の中央部には二つの天秤ビーム１４，１
６を通過させる貫通孔が形成されている。一方，熱天秤
の測定系の側（図１の右側）の端部からは加熱装置１０
内にカーテンガス３２（窒素ガスなどの不活性ガス）を
導入するようになっている。このカーテンガス３２は，
隔壁２８の貫通孔を通過して，出口３０から外部に出て
いく。このような隔壁２８とカーテンガス３２により，
水蒸気含有ガスが熱天秤の測定系に入り込むことがなく
なり，水蒸気が測定系に悪影響を及ぼすのを防いでい
る。
【００２０】次に，金属酸化物を製造するための別の装
置を説明する。図２は本発明の製造方法を実施するため
の装置の別の例の構成図である。この装置は，加熱装置
３４と水蒸気発生装置１２からなり，加熱装置３４には
Ｘ線回折装置と示差走査熱量測定装置が組み込まれてい
る。水蒸気発生装置１２と湿度センサー２４は，図１に
示すものと同じである。加熱装置３４は，カバー３６の
内部に加熱炉３８があり，加熱炉３８の内部に標準試料
１８と測定試料２０が配置されている。標準試料１８と
測定試料２０の温度はそれぞれ熱電対３９で測定され
て，その検出信号はＤＳＣ回路４０に送られる。この示
差走査熱量測定装置では，測定試料２０内に発生した熱
変化を，それを補償する熱量として求めることができ
る。一方，Ｘ線回折装置は，測定試料２０のＸ線回折パ
ターンを測定するものであり，Ｘ線源４２と，Ｘ線検出
器４４と，それらを所定の角度関係で回転させる回転機
構などからなる。Ｘ線源４２から出たＸ線４６は，カバ
ー３６に設けたＸ線窓４８を通過して測定試料２０の表
面に入射する。測定試料２０の表面で回折したＸ線５０
は，別のＸ線窓５２を通過してＸ線検出器４４で検出さ
れる。Ｘ線回折装置と示差走査熱量測定装置を組み合わ
せた測定装置の具体的な構造については，例えば，特開
平１０−１９８１５号公報や特開平１１−１３２９７７
号公報に記載されたものを利用できる。
【００２１】次に，カルボン酸の金属塩を原料にして金
属酸化物を製造するときの具体的な条件とその結果につ
いて説明する。以下の実験例は，すべて，カルボン酸の
金属塩の粉末をそのまま加熱しているが，別の方法とし
て，カルボン酸の金属塩を溶媒に溶かして基板上に塗布
し，これを加熱することで，基板上に金属酸化物薄膜を
得ることももちろん可能である。
【００２２】「比較例」まず，水蒸気を含まない不活性
ガスだけの雰囲気中で加熱した場合の実験例を説明す
る。図３は酢酸亜鉛の２水和物（Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯ2）2
・２Ｈ2Ｏ）を乾燥ヘリウムガス雰囲気中で加熱した実
験についてのＴＧ・ＤＴＡ測定結果のグラフである。図
１の装置において，測定試料として酢酸亜鉛・２水和物
を用いて，乾燥ヘリウムガス雰囲気中で，次のような条
件で加熱した。直径５ｍｍ，深さ２．５ｍｍのアルミニ
ウム製の試料容器に，酢酸亜鉛・２水和物の粉末を５．
７ｍｇ入れて，昇温速度５℃／分で加熱した。その結
果，図３のグラフを得た。図３において，ＴＧと記入し
た曲線が熱重量測定の測定結果であり，これは，測定試
料の重量減少率を示している。ＤＴＡと記入した曲線は
示差熱分析の測定結果である。このグラフから次のこと
が分かる。ＴＧ曲線では，１９０℃付近から昇華・分解
による重量減少が見られ，３００℃で原料のほぼ全量が
分解して，気相となって消失している。また，ＤＴＡ曲
線では，７０〜８０℃付近で脱水によると見られる吸熱
反応があり，２６０℃付近には昇華・分解によると見ら
れるシャープな吸熱反応が見られる。以上のことから，
原料の酢酸亜鉛は昇華・分解によって消失し，亜鉛の酸
化物は全く生成されていないことが分かる。
【００２３】「実施例１」図４は酢酸亜鉛・２水和物の
水蒸気雰囲気中での加熱実験のＴＧ・ＤＴＡ測定結果の
グラフである。図１の装置において，次のような条件で
加熱実験をした。直径５ｍｍ，深さ２．５ｍｍのアルミ
ニウム製の試料容器に，酢酸亜鉛・２水和物の粉末を
８．６〜９．７ｍｇ入れて，昇温速度５℃／分で加熱し
た。その結果，図４のグラフを得た。水蒸気分圧として
３種類の数値で実験しており，窒素ガスをキャリアガス
として，６０℃での相対湿度が９０％（水蒸気分圧が１
７．９ｋＰａ）の場合と，６０％（水蒸気分圧が１２．
０ｋＰａ）の場合と，３０％（水蒸気分圧が６．０ｋＰ
ａ）の場合について加熱実験をした。各相対湿度の実験
における試料の分量は，それぞれ，９．７ｍｇ，９．５
ｍｇ，８．６ｍｇである。このグラフから次のことが分
かる。いずれの水蒸気分圧においても，１１０℃付近か
ら減量が始まり，水蒸気分圧が１７．９ｋＰａのときは
２３０℃付近で減量が完了する。１２．０ｋＰａのとき
は２４０℃付近で減量が完了する。６．０ｋＰａのとき
は２６０℃付近で減量が完了する。最終的な減量率は，
いずれも，５５．３％である。この数値は，酸化亜鉛
（ＺｎＯ）が生成されるときの理論減量率５５．６％に
ほぼ等しい。したがって，原料が昇華・分解することな
く，酸化亜鉛が生成されたことが分かる。なお，生成さ
れたものが酸化亜鉛であることは，後述のＸ線回折測定
によって確実に確認できた。
【００２４】ところで，図４のグラフにおいて，６．０
ｋＰａのときのＤＴＡ曲線には，２５０℃付近に，昇華
・分解に起因すると思われる小さな吸熱反応５２が見ら
れる。したがって，金属酸化物を生成するために必要な
水蒸気分圧としては，６ｋＰａ程度が下限値付近である
と考えられる。
【００２５】図５は，図３のＴＧ曲線（乾燥ヘリウムガ
ス雰囲気中での加熱）と，図４の水蒸気分圧１７．９ｋ
ＰａのときのＴＧ曲線（水蒸気雰囲気中での加熱）とを
同じ座標軸上で比較したグラフである。これを見ると，
水蒸気雰囲気中と，乾燥ガス雰囲気中とで，減量率の曲
線が大きく異なることが容易に分かる。乾燥ガス雰囲気
中では，原料のほぼ全量が昇華してしまっているのに対
して，水蒸気雰囲気中では，その全量が酸化亜鉛に変化
している。
【００２６】「実施例２」図６は酢酸亜鉛・２水和物の
水蒸気雰囲気中での加熱実験のＸＲＤ・ＤＳＣ測定結果
のグラフである。図２の装置において，次のような条件
で加熱実験をした。７ｍｍ角，深さ０．２ｍｍのアルミ
ニウム製の試料容器に，酢酸亜鉛・２水和物の粉末を約
１０ｍｇ入れて，窒素ガス中の水蒸気分圧が６．４ｋＰ
ａとなるような水蒸気雰囲気中で，昇温速度４℃／分で
加熱した。その結果，図６のグラフを得た。右側のグラ
フがＤＳＣの測定結果であり，左側のグラフがＸＲＤの
測定結果である。ＤＳＣのグラフにおいて丸印が付いて
いる温度のときのＸ線回折パターンを左側のグラフに示
している。Ｘ線回折パターンは，ＣｕＫα線を用いて，
回折角度２θのスキャン速度を２０度／分として測定し
た。実際の測定では，温度範囲が６〜７℃ごとに１回の
回折パターン測定を実施しており，昇温中には多数の回
折パターンを得ている。図６ではその回折パターンのほ
んの一部の温度領域のところだけを示している。なお，
図６のようにＤＳＣ曲線とＸ線回折パターンとを比較し
て表示する手法については，特開平１１−２９５２４４
号公報に詳しく記載されている。
【００２７】図６のグラフから，次のことが分かる。Ｄ
ＳＣのグラフによれば，１１０℃を超えたあたりから吸
熱反応が進行し，２２０℃付近で反応が完了している。
そして，ＤＳＣに対応したＸ線回折パターンを参照する
と，吸熱反応が始まる前は酢酸亜鉛の回折ピークが見ら
れる。吸熱反応が進行中は，酢酸亜鉛の回折ピークの強
度が弱まっていき，それと共に，酸化亜鉛（ＺｎＯ）の
回折ピークが増えていく。そして，２２０℃を超えて吸
熱反応が完了すると，酸化亜鉛の回折ピークだけが現れ
る。したがって，２２０℃では原料が完全に酸化亜鉛に
なっていることが分かる。しかも，酸化亜鉛の回折ピー
クはシャープで強度も大きく，酸化亜鉛の結晶性が良好
であることを示している。
【００２８】「実施例３」図７は減量速度が一定となる
ように昇温速度を変化させてＴＧを測定したグラフであ
る。すなわち，図１の装置において，次のような条件で
加熱実験をした。直径５ｍｍ，深さ２．５ｍｍのアルミ
ニウム製の試料容器に酢酸亜鉛・２水和物の粉末を１０
ｍｇ入れて，窒素ガス中の水蒸気分圧が１７．９ｋＰａ
となるような水蒸気雰囲気中で，測定試料の減量速度が
一定となるように昇温速度を変化させて加熱した。ただ
し，最大昇温速度は５℃／分に設定した。水蒸気分圧が
１２．０ｋＰａの場合でも同様の測定をしたが，図７と
ほぼ同じグラフになった。なお，熱重量測定において減
量速度が一定となるように加熱する手法は，例えば，特
開平１１−２３４４２号公報に詳しく記載されている。
【００２９】図７のグラフから，次のことが分かる。減
量速度を一定にすると，１１５℃付近で減量が完了し
て，減量率が５４．６％となった。この数値は，酸化亜
鉛が生成されるときの理論減量率５５．６％にほぼ等し
く，酸化亜鉛が生成されたことが分かる。図３のグラフ
（等速昇温）と比較すると，きわめて低い温度で酸化亜
鉛の生成が完了したことになる。これは，次のように解
釈できる。図３のグラフでは，酢酸亜鉛が酸化亜鉛に変
化し始めてからも温度を上昇させているので，酸化亜鉛
が生成している間にも，温度がどんどん高い方に移行し
ている。したがって，水蒸気分圧が低いほど（水蒸気が
少なくなるほど），酸化亜鉛の生成完了温度が高温側に
移行している。これに対して，図７のグラフでは，原料
が酸化亜鉛に変化し始めると（減量が始まると），温度
上昇はきわめて遅くなり（極端な場合は昇温速度がマイ
ナスになる），原料温度をほぼ一定温度に保ったままで
反応が進行する。したがって，原料が酸化亜鉛に変化す
る本来の温度がグラフ上に現れることになる。ゆえに，
酢酸亜鉛が酸化亜鉛に変化する（水蒸気の触媒作用で酢
酸亜鉛が酸化亜鉛に分解すると推測される）ときの温度
は１１５℃付近である。してみると，反応の挙動を解析
するのが目的ではなくて，酸化亜鉛を製造することだけ
が目的ならば，１１５℃を超える温度まで原料温度を上
昇させて，その温度を維持しさえすれば，酢酸亜鉛から
酸化亜鉛を製造することができる。
【００３０】「実施例４」原料を酢酸カドミウムの２水
和物（Ｃｄ（ＣＨ3ＣＯ2）2・２Ｈ2Ｏ）にして，図１の
装置おいて，次のような条件で加熱実験をした。直径５
ｍｍ，深さ２．５ｍｍのアルミニウム製の試料容器に，
酢酸カドミウム・２水和物の粉末を１４．３ｍｇ入れ
て，窒素ガス中の水蒸気分圧が１２．０ｋＰａとなるよ
うな水蒸気雰囲気中で，昇温速度５℃／分で加熱した。
その結果，グラフの図示は省略するが，２００℃付近か
ら減量が始まり，３００℃付近で減量が完了した。減量
率は５１．８％であり，この数値は酸化カドミウム（Ｃ
ｄＯ）が生成されるときの理論減量率５１．８％に等し
い。したがって，酸化カドミウムが生成されたことが確
認された。さらに，図２の装置でも実験を行い，Ｘ線回
折パターンによっても，２００℃付近から酸化カドミウ
ムの回折ピークが現れることを確認した。ゆえに，水蒸
気雰囲気中で酢酸カドミウム・２水和物を２００℃を超
える温度に維持すれば，酸化カドミウムが製造できるこ
とが分かった。
【００３１】「実施例５」原料を酢酸銅の無水物（Ｃｕ
（ＣＨ3ＣＯ2）2）にして，図１の装置において，次の
ような条件で加熱実験をした。直径５ｍｍ，深さ２．５
ｍｍのアルミニウム製の試料容器に，酢酸銅の粉末を
７．９ｍｇ入れて，窒素ガス中の水蒸気分圧が１２．０
ｋＰａとなるような水蒸気雰囲気中で，昇温速度５℃／
分で加熱した。その結果，グラフの図示は省略するが，
１６０℃付近から減量が始まり，２２０℃付近で減量が
完了した。減量率は５６．８％であり，この数値は酸化
銅（ＣｕＯ）が生成されるときの理論減量率５６．２％
にほぼ等しい。したがって，酸化銅が生成されたことが
確認された。さらに，図２の装置でも実験を行い，Ｘ線
回折パターンによっても，１６０℃付近から酸化銅の回
折ピークが現れることを確認した。ゆえに，水蒸気雰囲
気中で酢酸銅・２水和物を１６０℃を超える温度に維持
すれば，酸化銅が製造できることが分かった。
【００３２】「実施例６」原料を蟻酸インジウムにし
て，図２の装置において，次のような条件で加熱実験を
した。７ｍｍ角，深さ０．２５ｍｍのアルミニウム製の
試料容器に，蟻酸インジウムの粉末を８．２ｍｇ入れ
て，１００℃での相対湿度が約１０％となるような窒素
ガス＋水蒸気の雰囲気中で，昇温速度５℃／分で加熱し
た。その結果，グラフの図示は省略するが，２１０℃付
近で大きな吸熱反応が見られ，それよりも高い温度では
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）の回折ピークが出現した。
したがって，２１０℃で（そして，温度を一定にすれば
もっと低い温度で），酸化インジウムが製造できること
が確認できた。
【００３３】「実施例７」原料を酢酸インジウムにし
て，図２の装置において，次のような条件で加熱実験を
した。７ｍｍ角，深さ０．２５ｍｍのアルミニウム製の
試料容器に，酢酸インジウムの粉末を８．１ｍｇ入れ
て，１００℃での相対湿度が約１０％となるような窒素
ガス＋水蒸気の雰囲気中で，昇温速度５℃／分で加熱し
た。その結果，グラフの図示は省略するが，１９０℃付
近で大きな吸熱反応が見られ，それよりも高い温度では
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）の回折ピークが出現した。
したがって，１９０℃で（そして，温度を一定にすれば
もっと低い温度で），酸化インジウムが製造できること
が確認できた。
【００３４】「実施例８」原料をプロピオン酸インジウ
ムにして，図２の装置において，次のような条件で加熱
実験をした。７ｍｍ角，深さ０．２５ｍｍのアルミニウ
ム製の試料容器に，酢酸インジウムの粉末を１０．９ｍ
ｇ入れて，１００℃での相対湿度が約１０％となるよう
な窒素ガス＋水蒸気の雰囲気中で，昇温速度５℃／分で
加熱した。その結果，グラフの図示は省略するが，１９
０℃付近で大きな吸熱反応が見られ，それよりも高い温
度では酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）の回折ピークが出現
した。したがって，１９０℃で（そして，温度を一定に
すればもっと低い温度で），酸化インジウムが製造でき
ることが確認できた。
【００３５】「実施例９」原料を２−エチルヘキサン酸
インジウムにして，図２の装置において，次のような条
件で加熱実験をした。７ｍｍ角，深さ０．２５ｍｍのア
ルミニウム製の試料容器に，酢酸インジウムの粉末を１
０．２ｍｇ入れて，１００℃での相対湿度が約１０％と
なるような窒素ガス＋水蒸気の雰囲気中で，昇温速度５
℃／分で加熱した。その結果，グラフの図示は省略する
が，２４０℃付近で大きな吸熱反応が見られ，それより
も高い温度では酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）の回折ピー
クが出現した。したがって，２４０℃で（そして，温度
を一定にすればもっと低い温度で），酸化インジウムが
製造できることが確認できた。
【００３６】上述の実施例６〜９で使った原料はすべて
無水物である。実施例６〜９のうちでは，蟻酸インジウ
ムを原料として製造した酸化インジウムが，回折ピーク
がシャープで強度も最も強く，結晶性が最も良好である
ことが分かった。そして，酢酸インジウム，プロピオン
酸インジウム，２−エチルヘキサン酸インジウムと，イ
ンジウムに結合している官能基の分子量が大きくなるに
つれて，生成される酸化インジウムの結晶性が低下して
くることも分かった。
【００３７】以上の実験では，原料粉末をそのまま加熱
しているが，塗布法を用いることももちろん可能であ
る。塗布法で金属酸化物薄膜を得るには，次のようにす
る。原料物質として２−エチルヘキサン酸インジウムを
使う場合を例にとって説明すると，まず，２−エチルヘ
キサン酸インジウムを，２−エチルヘキサン酸に溶かし
て（濃度は１０％以下），原料溶液を作る。酢酸亜鉛や
酢酸カドミウムの場合は酢酸に溶かす。次に，原料溶液
をスピンコート法またはディップコート法で基板上に塗
布する。次に，加熱装置内のヒータプレート上に，原料
溶液が塗布された基板を載せて，この加熱装置の内部
に，不活性ガス（例えば，窒素ガス，アルゴンガス，ヘ
リウムガス）をキャリアガスとして，所定の分圧の水蒸
気を導入する。このような水蒸気雰囲気中で，温度制御
装置を用いて所定の温度プログラムで基板を３００℃以
下の所定温度（２−エチルヘキサン酸インジウムの場合
は２４０℃付近）に加熱する。これにより，基板上に酸
化インジウムの薄膜が形成される。
【００３８】
【発明の効果】本発明の金属酸化物の製造方法は，水蒸
気雰囲気中でカルボン酸の金属塩を３００℃以下の所定
温度に加熱することにより，結晶性の良好な金属酸化物
をきわめて容易に得ることができる。したがって，従来
の塗布法と比較して，かなり低温で金属酸化物を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を実施するための装置の一例
の構成図である。
【図２】本発明の製造方法を実施するための装置の別の
例の構成図である。
【図３】酢酸亜鉛・２水和物の乾燥ヘリウムガス中での
加熱実験のＴＧ・ＤＴＡ測定結果のグラフである。
【図４】酢酸亜鉛・２水和物の水蒸気雰囲気中での加熱
実験のＴＧ・ＤＴＡ測定結果のグラフである。
【図５】図３のＴＧ曲線と図４のＴＧ曲線とを同じ座標
軸上で比較したグラフである。
【図６】酢酸亜鉛・２水和物の水蒸気雰囲気中での加熱
実験のＸＲＤ・ＤＳＣ測定結果のグラフである。
【図７】減量速度が一定となるように昇温速度を変化さ
せてＴＧを測定したグラフである。
【符号の説明】
１０ 加熱装置 １２ 水蒸気発生装置 １３ 水蒸気含有ガス １４，１６ 天秤ビーム １８ 標準試料 ２０ 測定試料 ２１ 加熱源 ２２ ジャケット ２３ 恒温送水装置 ２４ 湿度センサー ２６ 接続管 ２８ 隔壁 ３０ 出口 ３２ カーテンガス ３４ 加熱装置 ３６ カバー ３８ 加熱炉 ３９ 熱電対 ４０ ＤＳＣ回路 ４２ Ｘ線源 ４４ Ｘ線検出器 ４６ 入射Ｘ線 ４８，５２ Ｘ線窓 ５０ 回折Ｘ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｃ Ｆターム(参考） 4G042 DA01 DB10 DB21 DB22 DB24 DB35 DD02 DE08 DE14 4G047 AA02 AB01 AB02 AC03 AD02 5F058 BA11 BC03 BF46 BH02

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 カルボン酸の金属塩を水蒸気雰囲気中で
    加熱することにより金属の酸化物を製造する方法。
  2. 【請求項２】 カルボン酸の金属塩を水蒸気雰囲気中で
    ３００℃以下の所定温度に加熱することにより金属の酸
    化物を製造する方法。
  3. 【請求項３】 前記金属は，亜鉛，カドミウム，インジ
    ウム及び銅のいずれかであることを特徴とする請求項１
    または２に記載の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記カルボン酸は蟻酸，酢酸，プロピオ
    ン酸及び２−エチルヘキサン酸のいずれかであることを
    特徴とする請求項３記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記水蒸気雰囲気は，水蒸気の分圧が６
    〜１８ｋＰａの範囲内であることを特徴とする請求項１
    または２に記載の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記水蒸気雰囲気は不活性ガスと水蒸気
    とからなることを特徴とする請求項５に記載の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 カルボン酸の金属塩の溶液を基板上に塗
    布して，これを水蒸気雰囲気中で３００℃以下の所定温
    度に加熱することにより基板上に金属酸化物薄膜を製造
    する方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載された方法によって製造
    された金属酸化物薄膜を備えた半導体装置。
  9. 【請求項９】 次の各装置の組み合わせからなる金属酸
    化物製造装置。 （ａ）カルボン酸の金属塩の溶液を基板上に塗布する塗
    布装置。 （ｂ）所望の水蒸気分圧の水蒸気含有ガスを発生させる
    ことのできる水蒸気発生装置。 （ｃ）前記水蒸気発生装置から導入した水蒸気含有ガス
    の雰囲気のもとで，前記塗布装置で処理された基板を所
    定温度に加熱する加熱装置。
  10. 【請求項１０】 次の各装置の組み合わせからなる金属
    酸化物製造装置。 （ａ）所望の水蒸気分圧の水蒸気含有ガスを発生させる
    ことのできる水蒸気発生装置。 （ｂ）前記水蒸気発生装置から導入した水蒸気含有ガス
    の雰囲気のもとで，試料容器に入れたカルボン酸の金属
    塩を所定温度に加熱する加熱装置。
  11. 【請求項１１】 前記カルボン酸の金属塩及びその変化
    物質のＸ線回折測定をするための測定装置を前記加熱装
    置に組み込んだことを特徴とする請求項９または１０に
    記載の金属酸化物製造装置。
  12. 【請求項１２】 前記カルボン酸の金属塩及びその変化
    物質の示差熱分析をするための測定装置を前記加熱装置
    に組み込んだことを特徴とする請求項９から１１までの
    いずれか１項に記載の金属酸化物製造装置。
  13. 【請求項１３】 前記カルボン酸の金属塩及びその変化
    物質の示差走査熱量測定をするための測定装置を前記加
    熱装置に組み込んだことを特徴とする請求項９から１１
    までのいずれか１項に記載の金属酸化物製造装置。
  14. 【請求項１４】 前記カルボン酸の金属塩及びその変化
    物質の熱重量測定をするための測定装置を前記加熱装置
    に組み込んだことを特徴とする請求項９から１１までの
    いずれか１項に記載の金属酸化物製造装置。
  15. 【請求項１５】 前記カルボン酸の金属塩及びその変化
    物質の熱重量測定をするための測定装置と，前記カルボ
    ン酸の金属塩及びその変化物質の示差熱分析をするため
    の測定装置または示差走査熱量測定をするための測定装
    置とを前記加熱装置に組み込んだことを特徴とする請求
    項９または１０に記載の金属酸化物製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記加熱装置の内壁面を室温以上の所
    望の温度に維持する恒温装置を設けたことを特徴とする
    請求項９から１５までのいずれか１項に記載の金属酸化
    物製造装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256377A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Shokubai Co Ltd 金属酸化物膜の製造方法
CN102070952A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 罗门哈斯电子材料有限公司 第3a族油墨及其制备和使用方法
JP2013065637A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Ricoh Co Ltd 薄膜製造装置及び薄膜製造方法
WO2013137228A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 国立大学法人名古屋工業大学 酸化亜鉛微細粒子及び／又は酸化亜鉛膜の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100554504C (zh) * 2007-03-21 2009-10-28 中国科学院半导体研究所 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法
DK176516B1 (da) * 2007-04-30 2008-06-30 Targit As Computerimplementeret fremgangsmåde samt computersystem og et computerlæsbart medium til at lave videoer, podcasts eller slidepræsentationer fra en Business-Intelligence-application
JP5211642B2 (ja) * 2007-10-31 2013-06-12 Ｊｆｅスチール株式会社 溶融亜鉛めっき鋼板の製造設備及び溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法
FR2962123A1 (fr) * 2010-07-02 2012-01-06 Centre Nat Rech Scient Oxyde de zinc dope
CN102139911B (zh) * 2011-03-30 2013-01-16 瑞安市顺丰塑料助剂有限公司 一种制备纳米氧化锌的反应装置和方法
CN102502520A (zh) * 2011-10-28 2012-06-20 泉州师范学院 一种制备水合氧化物的高温蒸汽热解法及其应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4579080A (en) * 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
JPS62275190A (ja) * 1985-10-04 1987-11-30 Osaka Gas Co Ltd フッ化ピッチの製造方法
US5306522A (en) * 1986-03-24 1994-04-26 Ensci, Inc. Process for coating a substrate with zinc oxide and uses for coated substrates
US5603983A (en) * 1986-03-24 1997-02-18 Ensci Inc Process for the production of conductive and magnetic transitin metal oxide coated three dimensional substrates
US4888203A (en) * 1987-11-13 1989-12-19 Massachusetts Institute Of Technology Hydrolysis-induced vapor deposition of oxide films
US5223250A (en) * 1991-02-05 1993-06-29 Sun Smart, Inc. Visibly transparent UV sunblock cosmetic compositions
US5699035A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Symetrix Corporation ZnO thin-film varistors and method of making the same
KR100320762B1 (ko) * 1993-03-18 2002-08-08 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 증발가능한액체또는비증기특성의원료시약을증발시키는장치및방법
JP3666831B2 (ja) 1996-07-04 2005-06-29 株式会社リガク 熱分析及びｘ線測定装置
JPH1041485A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3712837B2 (ja) 1997-07-02 2005-11-02 株式会社リガク 固体の熱分解反応の解析方法
JP3669615B2 (ja) 1997-10-31 2005-07-13 株式会社リガク 試料加熱・冷却装置および熱分析装置
AUPQ800200A0 (en) * 2000-06-06 2000-06-29 Unisearch Limited A method of growing a zno film
US6551657B1 (en) * 2001-05-18 2003-04-22 Ensci Inc. Process for producing thin film metal oxide coated substrates

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256377A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Nippon Shokubai Co Ltd 金属酸化物膜の製造方法
CN102070952A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 罗门哈斯电子材料有限公司 第3a族油墨及其制备和使用方法
JP2013065637A (ja) * 2011-09-15 2013-04-11 Ricoh Co Ltd 薄膜製造装置及び薄膜製造方法
WO2013137228A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 国立大学法人名古屋工業大学 酸化亜鉛微細粒子及び／又は酸化亜鉛膜の製造方法
JPWO2013137228A1 (ja) * 2012-03-13 2015-08-03 国立大学法人 名古屋工業大学 酸化亜鉛微細粒子及び／又は酸化亜鉛膜の製造方法

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