JP3238663B2 - 材料蒸着方法 - Google Patents

材料蒸着方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い蒸着率で基板
に錯化（化合物）原料の高品質の薄膜を蒸着する方法に
関する。詳しくは、安定した液体化合物原料を活用し
て、高い蒸着率で様々な錯化合物の高品質で化学量論的
に正確な薄膜を蒸着する非反応の化学蒸着（ＣＶＤ）法
による材料蒸着方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物、誘電体、超伝導体、高い誘
電係数を持つ材料、宝石などの錯化合物の薄膜を蒸着す
る方法は公知である。公知の方法には、真空蒸着（例え
ばＥビーム、レーザー融除等）、真空スパッタリング
（例えばＥビーム、Ｄ．Ｃ、Ｒ．Ｆ、イオンビーム
等）、粉末冶金、反応化学蒸着や液体塗布法（例えば、
スピンオン法、ディップ法、スプレイ法）などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来例においては、それに関連する重大な問題がある。
【０００４】本発明の目的は、問題点を含む錯化合物の
薄膜を蒸着する公知の蒸着法に関連する問題点や不都合
を克服し、誘電体、超伝導体、金属酸化物など様々な錯
化材料から成る薄膜（数オングストロームからミクロン
の厚さ）を容易かつ経済的に生成するために使用できる
生産価値のある材料蒸着方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る材料蒸着方法は、液体前駆体を用意する
工程と、囲まれた蒸着室の中に基板を配置する工程と、
前記液体前駆体のミストを造り出す工程と、前記ミスト
が基板の上に前記液体前駆体の液体層を形成するように
前記ミストを前記蒸着室に導入する工程と、前記基板の
上に形成した前記液体層を処理して固体材料の薄膜を形
成する工程と、前記固体材料の薄膜の少なくとも一部が
電子装置の電子部品の一部を構成するように前記電子部
品の製造を完了する工程とから成ることを特徴とする。
【０００６】本発明の好適な実施例は、蒸着室の温度、
真空を維持しながら行う。
【０００７】また、本発明の好適な実施例は蒸着に基板
を回転する。
【０００８】更に、本発明の好適な実施例は基板と平行
にプレートを設け、これらの間に直流電圧を印加する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の主要な側面によれば、望
ましい化合物の安定化原料、或いは安定化溶液を先ず製
造し、溶液のミスト、蒸気を発生させて蒸着室の中に流
し込み、蒸着室の中に装着した基板の上に薄膜として蒸
着させる。このような安定化溶液は、公知の溶液塗布法
で使用する全ての溶液を少なくとも含み、具体的にはア
ルコールを溶媒基剤として含むゾル−ゲル、溶媒基剤と
してｎ−デカン酸を使用する金属有機体分解調剤（ＭＯ
Ｄ) を含み、溶媒基剤として水を有するもの、溶媒基剤
としてカルボン酸を有するもの等がある。
【００１０】ここで使用する「安定化原料」という用語
は、ゾル−ゲル法や通常の溶媒を生ずるその他の湿式化
学混合法を使用し、更にはその通常の溶媒を化合物全体
の唯一の原料として有する溶液を使用して個々の要素の
前駆体を混合することによって得られる原料を示す。化
合物をドープしたり改質したりするために、その他の原
料も使用することができる。安定化原料では、要素は共
通な溶媒や金属有機体の前駆体と共に溶液の中の化合物
の中に既に存在する。
【００１１】安定化溶液を使用することは、多くの理由
から極めて望ましい。第１に原料それ自体は錯化合物に
対して、比較的容易に生ずる。この点に関して、上記で
議論したように、薄膜製造の公知の液体塗布法などに関
連して使用した様々なゾル−ゲル製造法、ＭＯＤ製造法
を議論する公開された幅広い文献を利用することができ
る。このような中の文献の１つである誘電体メモリ用の
装置の価値あるゾル−ゲル法に基づくＰＺＴの工程の最
適化と特性化が本発明の発明者の２人の人物とその他の
人によって書かれ、「Ferroelectrics（誘電体）」１０
９巻に現われている。
【００１２】更には、本発明において使用した安定化溶
液は、上記で議論したように従来の反応型の化学蒸着法
で使用した対応する反応物よりも実質的に毒性が弱く、
取り扱いが容易であり、安定化溶液は対応する反応物よ
りも実質的により低いコストで取り扱い、加工すること
ができる。
【００１３】更には、安定化化合物の原料を使用すれ
ば、それによって製造した高品質の薄膜を保障すること
ができる。何故なら、安定化溶液は正確に一定して製造
することができ、中に収められている望ましい化合物
は、均一的で化学量論的に正確であり、本発明の蒸着法
は、所定の分子製造を持つ化合物を不安定化する可能性
がある化学反応は１つも含まれない。事実、安定化原料
の薄膜は、外気温度で真空状態の下にミスト或いは蒸気
から基板に直接的に蒸着し次に乾燥する。
【００１４】図１において、本発明の好適な実施例によ
る薄膜蒸着装置を示す。装置は符号１で示す。装置１は
一般的に、真空蒸着室２、基板保持体４、バリア・プレ
ート６、ノズル装置８、排気装置１０から成る。真空蒸
着室２には、本体１２、蓋体１４があり、蓋体１４は本
体１２上に被せて固定することができ、真空蒸着室２の
中に包んだ空間を画定し、真空蒸着室２は一般的に適切
な真空源１６に連結する。蓋体１４は蝶番１８を使用し
て、本体１２にピボットで連結することが好適である。
【００１５】基板保持体４はモータ（図示せず）に連結
する回転可能な軸２０で支持することが好適であり、望
みの場合は蒸着中に保持体４を回転する。絶縁コネクタ
２２は基板保持体４やその上の基板５を蒸着装置１のそ
の他から電気的に絶縁し、望みの場合には直流又は交流
の給電線２３を使用し、基板保持体４とバリア・プレー
ト６との間に直流又は交流（高周波）電圧を印加するこ
とができる。このような直流電圧は薄膜を基板５の上に
蒸着する間に、例えば薄膜に電界を作用させるために使
用できる。この直流電圧を印加するために、電源（図示
せず）をバリア・プレート６と基板保持体４に適切に接
続する。
【００１６】バリア・プレート６はステンレス鋼など電
気導電性を有する原料から成ることが好適である。そし
て、基板５に平行して基板５を完全に覆うだけの十分な
大きさがあり、ノズル装置８で注入した気化原料或いは
ミストは、基板５上でバリア・プレート６と基板保持体
４との間を流れるようになる。図示するように、プレー
ト６は軸２４で蓋体１４に連結することが好適であり、
蓋体１４が開いている時には、いつでもプレート６を動
かし基板５から離す。軸２４は長さの調整可能なことが
好適であり、保持体４とプレート６との間の間隔は、原
料物質、流量などにより調整することができる。例え
ば、その間隔は２〜５０ｍｍの範囲で画定するように調
整することができる。
【００１７】ノズル装置８と排気装置１０は、図２によ
り詳細に示す。上記のように、ノズル装置８は、図３に
関して下記のように、多岐管システム４０から気化原料
を受け入れる入力管２６、着脱可能なねじ３０を備えた
複数の小孔２９を有する弓状のノズル管２８を含む。ね
じ３０は真空蒸着室２の内側に面する管２８の表面に沿
って、均一な間隔を置いて装着されている。ねじ３０は
安定化原料、流量などに従い、選択的に外して、基板５
上で気化原料の流れを調整することができる。符号３２
は管２８の端部のキャップである。排気装置１０の構造
は、パイプ３４が真空／排気源（図示せず）に通じてい
ることを除き、ノズル装置８の構造と同じである。
【００１８】上記のように、ノズル装置８の弓状の管２
８と排気装置１０と対応する弓状の管３３は、基板５の
相互に向かい合って配設した周辺部を取り囲むことが好
適である。そして、弓状の管２８、３３は基板５の中央
部或いは中間部の両端で相互に間隔を置く。このような
構造を貫通し、２つの弓状の管２８、３３における小孔
２９の位置を調節することにより、基板５上の気化原料
或いはミストの流れは、様々な原料、様々な流量で十分
に制御することができる。何故なら、それによって基板
５上に薄膜を均一に蒸着できるからである。
【００１９】図１と図２において、基板保持体４、バリ
ア・プレート６、ノズル装置８、排気装置１０は一体に
共働して、基板５の露出表面を取り囲む比較的小さな蒸
着空所を画定する。その空所には、気化した原料が蒸着
の過程を通じて実質的に包含されている。
【００２０】基板保持体、バリア・プレート、排気装置
の好適な実施例を示し記述するが、このような構造物の
改良型を本発明の範囲内で使用することができる。例え
ば、弓状のノズルや排気管はＶ字型或いはＵ字型のその
他の構造の管と交換することができ、複数の別々のノズ
ルや別々の排気パイプと交換することができる。
【００２１】図３において、多岐管装置４０を示す。多
岐管装置４０は気化源をノズル装置８に供給するために
使用し、一般的に混合室４２、個々のバルブ４８を介し
て対応するミスト発生源４６に連結する複数の入口４
４、混合室４２からノズル装置８への流れを規制するバ
ルブ５０、排気バルブ５２から成る。使用中、１つ或い
はそれ以上の発生源４６を使用して、１つ或いはそれ以
上の異なった気化原料或いはミストを発生させ、その気
化源或いはミストはバルブ４８や入口４４を介して混合
室４２に流し込む。バルブ５０は選択して閉鎖でき、真
空蒸着室２をポンプで押し下げ安定した液体原料の蒸着
した薄膜を乾燥したり、必要な場合にはシステムを洗浄
し清掃する。同様に、排気バルブ５２の出口を真空源
（図示せず）に連結し、１つ或いはそれ以上の発生源４
６を排気したり清掃することが必要な場合には、バルブ
５０を閉鎖したり、１つ或いはそれ以上のバルブ４８を
開放したり、混合室４２をポンプで押し下げ、発生源４
６や混合室４２を洗浄、清掃することができる。
【００２２】外気温或いは室温よりも僅かに高い温度
で、ミストが多岐管装置４０からノズル装置８に流れる
ことが好適である。
【００２３】図４において、好適な発生源４６を示す。
発生源４６は閉鎖容器５４、この容器５４の底に流体で
液密にシールされた超音波振動子５６、容器５４を封印
して真空閉鎖した状態にある間、ゾル−ゲル或いはＭＯ
Ｄ調剤などの安定化液体原料６４を容器５４に導入する
バルブ５８、キャリア・ガスを容器５４に貫通させる入
口６０と出口６２を含む。使用中に安定化液体原料６４
を容器５４に導入し、バルブ５８を貫通させレベル検知
装置（図示せず）により測定して適切なレベルにし、振
動子５６を起動し安定化液体原料６４のミスト６６を発
生する。そして、適切なキャリア・ガスを入口６０、出
口６２を介してミスト６６に通す。入口６０、出口６２
でキャリア・ガスはミストで湿ったり、飽和したりす
る。上述したように、湿ったキャリア・ガスは出口６２
から多岐管装置４０に通す。キャリア・ガスは通常アル
ゴン、ヘリウムなどの不活性ガスであるが、適切な状況
では反応ガスを含む場合がある。バルブ５８は必要に応
じて選択して起動し、容器５４中の適切なレベルに安定
化液体原料６４に維持する。
【００２４】図４に示す好適な発生源４６は、特に利点
を有している。何故なら、冷却などの問題を生ずること
なく、真空蒸着室２の中に効果的に流し込み注入する。
【００２５】図５ａは発生源４６’を示し、この発生源
４６’は図４に示す発生源４６の改良型であり、それに
よって、超音波振動子５６が安定化液体原料６４に接触
しない。その代り、安定化液体原料６４は第１の閉鎖し
た容器５４’の中に含まれ、振動子５６は開放した第２
の容器６８の底壁に封印嵌合し、水或いはその他の液体
などの作用媒体７０は振動子５６の上の第２の容器６８
に配置する。第１の容器５４’は作用媒体７０の上表面
の上に間隔をおいて配置し、超音波振動子５６が造る作
用媒体７０のミストプルーム７２は、第１の容器５４’
の中の安定化液体原料６４のミスト６６を造り出し、ミ
スト６６は図４について上述したと同様に、多岐管装置
４０に流し込む。図５に示す発生源４６’は、図４に示
す発生源４６の全ての利点を有する。更には、超音波振
動子５６は好適な薄膜を形成するために使用する安定化
液体原料６４と混合しないという追加的な利点を有す
る。
【００２６】図５（ｂ）において、図４のミスト発生装
置の別の改良型を示す。図５（ｂ）のミスト発生装置の
改良型は振動子５６が容器６８の底壁に封印され、安定
化液体原料６４の上の発生源４６”の中に吊下している
ことを除き、図４に示すミスト発生装置に非常に類似す
る。
【００２７】図４、図５（ａ）、図５（ｂ）に示す発生
源４６、４６’４６”は本発明の実施に好適であるが、
その他の発生源も本発明に利用できることが理解される
であろう。例えば、安定化液体原料は閉鎖容器の内部に
備えることができ、適切なキャリア・ガスを安定化原料
にを通して泡化し、混合室４２の中に流し込ませた。さ
もなければスプレー・ノズルを使用して、閉鎖した容器
の中に安定化液体原料のミストを発生し、適切なキャリ
ア・ガスはミストに流し込み、図４に示す入口６０、出
口６２に類似する入口、出口を使用する混合室４２に流
し込ませることができた。
【００２８】なお、本明細書における「蒸着」とは、上
述の実施例でも明らかなように、液体前駆体のミストを
基板上に付着させることを云う。
【００２９】ＹＭｎＯ3 のゾル−ゲルの合成の一例を次
に示す。１グラムのイットリウム・イソプロポクシドＹ
[ＯＣＨ（ＣＨ3 )2]3を、８ミリグラムの２−メトクシ
エタノールと混合した。イットリウム・イソプロポクシ
ドは溶液に溶け込まず、約２５滴（１ミリリットルを僅
かに越える）の塩酸を加えることによって、溶液の中に
強制的に溶け込ませた。
【００３０】０．２５グラムの酢酸マンガンＭｎ（ＯＯ
ＣＣＨ3 )2・Ｈ2Ｏを、５ミリリットルの２−メトクシ
エタノールと混合した。酢酸マンガンは２−メトクシエ
タノールの中では溶けないが、約１０滴の塩酸を加える
ことによって、溶液の中に強制的に溶け込ませた。
【００３１】イットリウムとマンガンの溶液を室温で混
合して、黄色がかった溶液になった。結果的に生ずるＹ
ＭｎＯ3は、シリコンのウエーファの上で回転したとき
に膜を形成しなかった。水Ｈ2Ｏを加え、加水分解して
も、膜形成の特性を改善しなかった。しかし、約２５滴
のチタン・イソプロポクシド（ゲル形成体）をイットリ
ウム／マンガン溶液に加えれば、約３時間の間透明のま
まであり、シリコンのウエーファの上で回転したときに
良好な膜を形成する溶液となった。
【００３２】図６において、図１〜図５の装置を使用し
て蒸着するチタン酸ジルコン酸鉛（以後ＰＺＴと称す
る）の安定化液体溶液の製造を描く例示的なフローチャ
ート図を示す。工程Ｐ1からＰ3において、チタン・イソ
プロポクシド、ジルコンＮ−プロポクシドと酢酸鉛の安
定化液体から成る前駆体は、個々の前駆体の共通の溶媒
として、２−メトクシエタノールを使用してそれぞれ形
成する。工程Ｐ4では、チタン・イソプロポクシドとジ
ルコンＮ−プロポクシドの安定化溶液を混合し、工程Ｐ
5では、このような混合物は蒸着する薄膜で望ましい
（幾らかでも）ドーパントや添加物と共に、酢酸鉛の前
駆体の安定化溶液と更に混合する。工程Ｐ6では、Ｐ5の
最終混合物を透過し、Ｐ7で示す貯蔵液を形成する。次
に示す表１は、工程Ｐ1からＰ7のより詳細な分析を示
す。
【００３３】 表１ ゾル−ゲル溶液工程のフローシート １００ 化学量論 １１０ Ｐ（ｂ）：９４．７グラム Ｐ（ｂ）（Ａｃ）2・３Ｈ2Ｏ＝０． ２５モル Ｐ（ｂ） １２０ Ｚｒ：４６．８グラム Ｚｒ ｎ−プロポクシド（３０重量％プ ロパノール）＝０．１０モルＺｒ １３０ Ｔｉ： ４２．６グラムＴｉ−イソプロポクシド＝０．１５モル Ｔｉ １４０ １０：１ モル比（モル２−メトクシエタノール：モル金属） ２００ 鉛前駆体 ２１０ ９４．７３グラムＰ（ｂ）（Ａｃ）2・３Ｈ2Ｏを１９７ミリリッ トルの２−メトクシエタノールに加える。 ２２０ 最終蒸気温度１１４℃で溶液を蒸留する。 ２３０ 最終留出物の量：１０７ミリリットル ３００ ジルコン前駆体 ３１０ プロパノール中の４６．８２グラムのＺｒ ｎ−プロポクシドを ７９ミリリットルの２−メトクシエタノールに加える。 ３２０ 最終蒸気温度１１３℃で溶液を蒸留する。 ３３０ 最終留出物の量： ７９ミリリットル ４００ チタン前駆体 ４１０ ４２．６２グラムのＴｉ−イソプロポクシドを１１８ミリリット ルの２−メトクシエタノールに加える。 ４２０ 最終蒸気温度１１４℃で溶液を蒸留する。 ４３０ 最終留出物の量：７６ミリリットル ５００ 前駆体の混合 ５１０ Ｚｒ前駆体にＴｉ前駆体を加え撹拌する。 ５２０ Ｐ（ｂ）溶液にＴｉＺｒ溶液を加え半時間撹拌する。 ５３０ ＰＺＴ貯蔵液の量：２５０ミリリットル ５４０ ＰＺＴ貯蔵液を適当なサイズのスポイト式フィルタで濾過する。 ５５０ 溶液のモル率：１．０Ｍ（モルＰＺＴ／１の溶液）
【００３４】工程Ｐ8において、Ｐ7の貯蔵液を酢酸、Ｈ
2Ｏなどの適当な材料を使用して加水分解するが、Ｐ7か
らＰ9に延長するドッド線で示すように、その加水分解
の工程は省略する。Ｐ1からＰ7までの工程は、通常のス
ピンオンによる薄膜形成の手順に使用するゾル−ゲルを
形成する際に使用する通常の工程である。
【００３５】工程Ｐ9において、Ｐ7の通常の貯蔵液或い
はＰ8の通常の貯蔵液は、本発明の蒸着法で使用するた
めに改良を加えた。
【００３６】このような工程Ｐ9では、実質的にはゾル
−ゲルの望ましい化合物、或いはその他の安定化液体原
料の濃度の調整し、気化原料の小さな雫（ミスト）が真
空蒸着室２に流れ込むに従って、基板５の上に蒸着し広
がって相互につながり、基板５の上表面全体に広がり、
ゾル−ゲルの均一な膜を形成する。言い換えれば、ゾル
−ゲルの濃度を調整し、かなりの量の個々の雫が乾燥し
ない内にゾル−ゲルの膜が基板５を完全に覆うように蒸
着する。
【００３７】個々の雫が乾燥すると、基板５に小さな不
連続になった粒子ができるという望ましくない結果とな
り、粒子は最終的には極めて多孔性があり、粒子性のあ
る、或いはその何れかである薄膜ができる。ゾル−ゲル
或いはその他の化合物の濃度を決定すれるためには、安
定化液体原料に使用する特定の化合物や溶媒との組合わ
せを考慮し、真空蒸着室２の中で維持している真空のレ
ベルを考慮しなければならない。例えば、上述したＰＺ
Ｔゾル−ゲルに使用した２−メトクシエタノールなどの
比較的沸点の高い溶媒は、メタノールなど比較的沸点の
低い溶媒に比べて乾燥することが遅い。ところが、真空
のレベルが高ければ、どのような安定化液体原料でも乾
燥することが早くなる。
【００３８】上述したような方法で製造したゾル−ゲル
からＰＺＴを蒸着し、真空蒸着室２を５７０〜５７５To
rrの真空で操作する場合に、Ｐ7の貯蔵液或いはＰ8の加
水分解した溶液は工程Ｐ9において、１０〜１５パーセ
ント（容積）のメタノールを加えることにより、改良す
ることが好適である。言い換えれば、通常のゾル−ゲル
は適切な程度に希釈し、基板５に蒸着する気化原料の小
さな雫が十分に流体となり、広がって相互に連結し、上
述したように連続的で均一な薄膜を形成する。
【００３９】メタノールは本発明によるＰＺＴのゾル−
ゲルにとっては、好適な希釈液である。（２−メトクシ
エタノールを含む）その他の希釈液をＰＺＴのゾル−ゲ
ルを希釈するために使用することができ、その他の様々
な希釈液をその他のゾル−ゲルや本発明により使用した
安定化溶液原料と共に使用することができることが分か
るであろう。
【００４０】工程Ｐ10において、工程Ｐ9の改良溶液
を、図４又は図５に示す発生源４６又は４６’を使用し
て気化し、多岐管装置４０を通して蒸着装置１に流し込
む。その改良溶液は多岐管装置４０において基板５に蒸
着しゾル−ゲルの薄膜を形成する。蒸着した薄膜の厚さ
は、従来の手段（図示せず）により継続して監視する。
【００４１】乾燥工程Ｐ11において、ゾル−ゲルの薄膜
やその上のその他の液体原料を有する基板５を真空中に
置き、ゾル−ゲルから溶媒を除去し、基板５の上に望ま
しい化合物の薄膜を残し、工程Ｐ12では化合物の薄膜を
必要に応じて焼きなましする。乾燥工程Ｐ11において、
ゾル−ゲルの膜は加熱装置を使用して蒸着膜を焼いた
り、或いは加熱することによって乾燥することができ
る。更に、誘電体などの多くの錯体薄膜については、膜
が望ましい機能を果たす前に、焼きなましすることによ
って、乾燥薄膜を起動することが必要である。乾燥焼き
なまし工程のＰ11、Ｐ12は適切な加熱装置を使用して真
空蒸着室２の中で行うことができ、或いは真空蒸着室２
の外側の別の装置で行うことができる。
【００４２】工程Ｐ13において、上部電極を更に上に蒸
着するなどして、上に化合物の薄膜を有する基板５を更
に加工する。本発明の第１の実施例は、図１〜図５に関
連して上述のように議論している通りであるが、大きな
利点を有している。何故なら、その装置は真空、ＣＶＤ
や湿った化学法（ゾル−ゲル、ＭＯＤなど）の最良のも
のを効果的に組み合わせて、即座に管理された環境の中
で非常に複雑で多要素の膜を製造するからである。具体
的な利点の中には、蒸着される薄膜の化学量を注意深く
一貫して管理できること、安定化液体原料の発生と処理
が比較的容易であること、（蒸着法を真空の状況の中で
実施するために）蒸着膜を汚染物にさらさずに済ますこ
とができること、基板５の表面を完全に覆う非常に薄く
均一な膜を形成することができることなどがある。
【００４３】例えば、中に加熱装置を含まないなど、図
１に示す蒸着装置１の構造で示すように、本発明による
蒸着法は室温／大気温の下で実施することが好適であ
る。
【００４４】図４、図５について議論したように、本発
明の一面は安定化化合物原料を超音波によって刺激し、
加工室の中に導入する前に原料を原子に分解するという
面がある。特定の安定化原料や応用により、多岐管装置
及び加工室或いはその何れかの中に蒸気を導入するライ
ンを加熱する。
【００４５】本発明の別の側面には、溶媒交換技術を含
む。何度も化合物Ｘは１つの特定の溶媒のみの中で溶解
する。同様に、化合物Ｙは別の溶媒で溶解することがで
きる。化合物Ｘは化合物Ｙの溶媒とは合わない。本発明
において、溶媒交換技術は化合物Ｘ、Ｙを有するゾル−
ゲル或いはその他の安定化液体を製造するために、共通
の溶媒に到達する。
【００４６】本発明は誘電体、超伝導体、誘電係数の高
い材料、宝石などの材料でできた錯化合物の薄膜を蒸着
する上で有利である。
【００４７】現在のところ、本発明の好適な実施例と考
えられているものを記述してきたが、本発明はその精神
や本質的な特性から離れることなく、その他の具体的な
形態で実施することができる。従って、本実施例は全て
の面において説明するためであって、限定するものでは
ない。本発明の範囲は前述した記述ではなく、特許請求
の範囲で示す。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る材料蒸
着方法は、薄膜を容易かつ経済的に生成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を実施するための薄膜蒸
着装置の略図である。
【図２】図１の実施例に使用するノズル装置と排気装置
の拡大平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例と第２の実施例で実施す
るための多岐管システムの拡大略図である。
【図４】本発明による安定化溶液のミストを形成するた
めに好適な装置の縦方向の断面図である。
【図５】図４の装置の改良型を示す。
【図６】本発明によるチタン酸ジルコン酸鉛の薄膜を形
成するために使用する安定化溶液の製造を示す略フロー
チャート図である。
【符号の説明】
１ 装置 ２ 真空蒸着室 ４ 共板保持体 ５ 基板 ６ バリア・プレート ８ ノズル装置 １０ 排気装置 ４０ 多岐管装置 ４２ 混合室 ４６ ミスト発生源 ５６ 超音波振動子 ６４ 安定化液体原料 ６６ ミスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マックミラン ラリー デー アメリカ合衆国 コロラド州 80909 コロラド スプリングス ロック ロモ ンド レーン 4255 (72)発明者 ロバーツ トム エル アメリカ合衆国 コロラド州 80917 コロラド スプリングス テンプレトン パーク サークル 15番 4720 (56)参考文献 特開 平１−257134（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−52072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−52071（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/12 H01L 21/288 ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液体前駆体（６４）を用意する工程と、
    囲まれた蒸着室（２）の中に基板（５）を配置する工程
    と、前記液体前駆体（６４）のミスト（６６）を造り出
    す工程と、前記ミスト（６６）が基板（５）の上に前記
    液体前駆体（６４）の液体層を形成するように前記ミス
    ト（６６）を前記蒸着室（２）に導入する工程と、前記
    基板（５）の上に形成した前記液体層を処理して固体材
    料の薄膜を形成する工程と、前記固体材料の薄膜の少な
    くとも一部が電子装置の電子部品の一部を構成するよう
    に前記電子部品の製造を完了する工程とから成ることを
    特徴とする材料蒸着方法。
  2. 【請求項２】 前記ミスト（６６）を前記蒸着室（２）
    に導入して前記液体層を前記基板（５）の上に形成する
    間に、前記基板（５）を周囲温度に維持することを特徴
    とする請求項１に記載の材料蒸着方法。
  3. 【請求項３】 前記ミスト（６６）を前記蒸着室（２）
    に導入する間に、前記蒸着室（２）も周囲温度に維持す
    ることを特徴とする請求項２に記載の材料蒸着方法。
  4. 【請求項４】 前記液体前駆体（６４）はゾル−ゲル又
    は金属有機体分解調剤であることを特徴とする請求項１
    に記載の材料蒸着方法。
  5. 【請求項５】 前記蒸着室（２）を真空に維持している
    間に、前記ミスト（６６）を前記蒸着室（２）に導入す
    る請求項１に記載の材料蒸着方法。
  6. 【請求項６】 前記基板（５）の表面が基板の平面を画
    定し、プレート（６）を前記基板（５）に対して間隔を
    置き、前記基板の平面に平行に、前記蒸着室（２）の壁
    から離して前記蒸着室（２）の内部に配置し、前記ミス
    ト（６６）を前記基板（５）と前記プレート（６）の間
    に流すようにすることを特徴とする請求項１に記載の材
    料蒸着方法。
  7. 【請求項７】 前記ミスト（６６）を前記蒸着室（２）
    に導入して前記液体層を前記基板（５）の上に形成する
    間に、前記基板（５）を前記基板（５）の表面に平行な
    平面内において回転させる追加の工程を含むことを特徴
    とする請求項１に記載の材料蒸着方法。
  8. 【請求項８】 前記プレート（６）と前記基板（５）の
    間に直流電圧を印加する工程を含むことを特徴とする請
    求項６に記載の材料蒸着方法。
  9. 【請求項９】 前記液体層を真空又は熱にさらすこと、
    或いは続けて徐冷することにより、基板（５）の上に形
    成した前記液体層を処理して前記固体材料の薄膜を形成
    することを特徴とする請求項１に記載の材料蒸着方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5456945A (en) * 1988-12-27 1995-10-10 Symetrix Corporation Method and apparatus for material deposition
US5614252A (en) * 1988-12-27 1997-03-25 Symetrix Corporation Method of fabricating barium strontium titanate
JP3596416B2 (ja) 2000-03-29 2004-12-02 セイコーエプソン株式会社 セラミックスの製造方法およびその製造装置
FR2897281B1 (fr) * 2006-02-14 2009-01-23 Saint Louis Inst Procede de fabrication par nanocristallisation de composes energetiques ou inertes
EP2501839B1 (en) 2009-11-16 2016-01-27 FEI Company Gas delivery for beam processing systems
CN111744732B (zh) * 2020-07-09 2021-07-13 电子科技大学 玻璃转接板深孔侧壁附着层真空旋涂装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3473959A (en) * 1964-08-10 1969-10-21 Licentia Gmbh Method for coating semiconductors and apparatus
US3880112A (en) * 1971-10-20 1975-04-29 Commissariat Energie Atomique Device for the preparation of thin films
US4290384A (en) * 1979-10-18 1981-09-22 The Perkin-Elmer Corporation Coating apparatus
EP0040939B1 (en) * 1980-05-27 1985-01-02 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Manufacture of cadmium mercury telluride
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
US4689247A (en) * 1986-05-15 1987-08-25 Ametek, Inc. Process and apparatus for forming thin films
JPS6316068A (ja) * 1986-07-09 1988-01-23 Res Dev Corp Of Japan 薄膜形成用噴霧装置
US5041229A (en) * 1988-12-21 1991-08-20 Board Of Regents, The University Of Texas System Aerosol jet etching
JPH0390579A (ja) * 1989-08-31 1991-04-16 Taiyo Yuden Co Ltd 薄膜形成装置

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