JP2003133347A - 電子部品の製造方法および電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミックをもって構成される集合セラミッ
ク基板の一方主面上に複数の表面実装部品が実装されか
つ表面実装部品を封止するように封止樹脂によって集合
セラミック基板の一方主面が覆われた状態にある、集合
電子部品を分割して、複数の電子部品を得るにあたっ
て、良好な分割を実施できるようにする。 【解決手段】 焼成前の集合セラミック基板１１に対し
て第１の分割用溝１３を形成し、封止樹脂４の外側に向
く主面１７上であって、第１の分割用溝１３の位置に対
向する位置に、第２の分割用溝１９を形成し、集合電子
部品１８を第１および第２の分割用溝１３，１９に沿っ
て分割し、それによって、複数の電子部品１を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品の製造
方法およびこの製造方法によって得られた電子部品に関
するもので、特に、セラミック基板、その上に実装され
た表面実装部品および表面実装部品を封止する封止樹脂
を備える、電子部品を製造する方法、ならびにこの製造
方法によって得られた電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この発明にとって興味ある電子部品の製
造方法が特開平８−１０７１６１号公報に記載されてい
る。

【０００３】この公報では、セラミック基板、その上に
実装された表面実装部品および表面実装部品を封止する
封止樹脂を備える、電子部品を製造する方法が記載さ
れ、このような電子備品を製造するため、次のような工
程が実施される。

【０００４】まず、セラミックをもって構成される、複
数個のセラミック基板を与える集合セラミック基板が用
意され、この集合セラミック基板の一方主面上に複数個
の表面実装部品が実装され、次いで、表面実装部品を封
止するように封止樹脂によって集合セラミック基板の一
方主面を覆った状態にある集合電子部品が作製される。

【０００５】次に、集合電子部品は、ダイシングによっ
て分割され、それによって、複数個の電子部品が取り出
される。この分割のためのダイシングにおいては、ダイ
サー刃を集合電子部品の厚み方向に貫通させる、いわゆ
るフルカットを適用している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような電子部品の製造方法には、以下のような解決さ
れるべきいくつかの問題がある。

【０００７】第１に、集合電子部品は、焼結後のセラミ
ックをもって構成される集合セラミック基板を備えてお
り、この集合セラミック基板が、たとえばプラスチック
からなる基板などに比べて非常に硬いため、ダイシング
が比較的困難である。特に、集合セラミック基板の材質
として、ガラスセラミックが用いられる場合には、アル
ミナ等のセラミックが用いられる場合に比べて、よりダ
イシングが困難になる。

【０００８】第２に、セラミックをもって構成される集
合セラミック基板が、上述のように、非常に硬いため、
これをダイシングするにあたっては、刃厚の比較的厚い
ダイサー刃を使用する必要がある。しかし、このように
厚いダイサー刃を使用して集合電子部品を切断すると、
当然、切削される部分の量が増加する。すなわち、集合
電子部品全体の面積に対して、ダイシングにより切削さ
れる面積の割合が増加し、その結果、１つの集合電子部
品から取り出すことができる電子部品の数が減少してし
まう。１つの集合電子部品から取り出される電子部品の
数は、製造コストに直接影響する要素であるため、これ
が減少することは、コスト的に不利である。

【０００９】第３に、ダイシングに時間がかかり、高い
生産性を望むことができない。前述したように、集合電
子部品に備える集合セラミック基板は、焼結したセラミ
ックをもって構成されるため、非常に硬く、この集合電
子部品をダイシングにより分割するにあたっては、たと
え刃厚の厚いダイサー刃を使用した場合でも、ダイサー
刃の移動速度を遅くする必要がある。このことは、単位
時間当たりの生産量を低下させる原因となり、生産性を
高めるにあたっての大きな障害となる。

【００１０】第４に、集合電子部品をダイシングによっ
て切断するとき、前述したように、焼結したセラミック
をもって構成される集合セラミック基板が非常に硬く、
また脆いため、チッピングが生じやすい。このチッピン
グによって、得られた電子部品に欠けが生じると、製品
としての外観不良を招くだけでなく、たとえば電極等が
欠けることもあり、後者の場合には、電子部品の特性の
悪化や実装不良を招くおそれがある。また、チッピング
に至らないまでも、マイクロクラックなどが生じること
があり、この場合には、得られた電子部品の信頼性の低
下を招く可能性がある。

【００１１】第５に、集合電子部品に備える集合セラミ
ック基板の部分と封止樹脂の部分とでは、硬さ等が異な
るため、同じ種類のダイサー刃では、両者をともに良好
に切断することが容易ではない。すなわち、集合セラミ
ック基板と封止樹脂とでは、硬さや脆さなどの切削に対
する性質が異なるため、両者の複合体を良好に切断する
ためには、セラミックと樹脂との双方をともに良好に切
断できる条件を選ばなければならない。しかし、セラミ
ックのような非常に硬いものと樹脂のような比較的軟ら
かいものとでは、切断に適したダイサー刃の性質等が異
なるため、これら両者を同時に、すなわち同一のダイサ
ー刃を用いて良好に切断することは、それほど容易では
ない。

【００１２】上述した第１ないし第５の問題は、ダイシ
ングされるべき集合電子部品の厚みが厚くなるほど、よ
り顕著になる。

【００１３】そこで、この発明の目的は、上述のような
問題を解決し得る、電子部品の製造方法、およびこの製
造方法によって得られた電子部品を提供しようとするこ
とである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明に係る電子部品
の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、次
のような構成を備えることを特徴としている。

【００１５】すなわち、この発明に係る電子部品の製造
方法は、セラミックをもって構成される、複数個のセラ
ミック基板を与える集合セラミック基板を用意する工程
と、集合セラミック基板の一方主面上に複数個の表面実
装部品を実装する工程と、表面実装部品を封止するよう
に封止樹脂によって集合セラミック基板の一方主面を覆
った状態にある集合電子部品を作製する工程と、集合セ
ラミック基板の外側に向く主面上に、断面形状が略四角
形の第１の分割用溝を構成する工程と、封止樹脂の外側
に向く主面上であって、第１の分割用溝の位置に対向す
る位置に、断面形状が略四角形の第２の分割用溝を形成
する工程と、集合電子部品を第１および第２の分割用溝
に沿って分割し、それによって、セラミック基板、その
上に実装された表面実装部品および表面実装部品を封止
する封止樹脂を備える、複数個の電子部品を得る工程と
を備えることを特徴としている。

【００１６】上述した第１の分割用溝を形成する工程お
よび第２の分割用溝を形成する工程は、ダイサー刃を用
いて実施されることが好ましい。

【００１７】上述の場合、第１の分割用溝を形成する工
程において用いるダイサー刃は、第２の分割用溝を形成
する工程において用いるダイサー刃とは異なっているこ
とがより好ましい。

【００１８】また、集合セラミック基板は、積層された
複数のセラミック層からなる積層構造を有していてもよ
い。

【００１９】この発明に係る電子部品の製造方法におい
て、第１の分割用溝を形成する工程は、集合セラミック
基板を得るための焼成工程の前に実施されることが好ま
しい。

【００２０】また、第２の分割用溝を形成する工程は、
焼結した集合セラミック基板の一方主面を覆うように封
止樹脂を形成した後に実施されることが好ましい。

【００２１】第１の分割用溝は、集合セラミック基板の
厚みの３０％〜７０％の深さに形成され、第２の分割用
溝は、封止樹脂の厚みの５０％以上の深さに形成される
ことが好ましい。

【００２２】この発明は、また、上述したような製造方
法によって得られた電子部品にも向けられる。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる製造方法によって製造された電子部品１の外観を示
す斜視図である。

【００２４】電子部品１は、セラミックをもって構成さ
れるセラミック基板２とセラミック基板２の一方主面３
を覆うように形成される封止樹脂４とを備えている。ま
た、セラミック基板２の一方主面上には、図１では図示
されないが、表面実装部品が実装され、この表面実装部
品は、封止樹脂４によって封止されている。

【００２５】また、電子部品１におけるセラミック基板
２の部分には、段差５が形成され、また、封止樹脂４の
部分には、段差６が形成されている。これら段差５およ
び６は、後述する説明から明らかになるように、分割用
溝の一部をもって形成されたものである。

【００２６】このような電子部品１を製造するため、図
２ないし図８に順次示す工程が実施される。

【００２７】まず、図２に示すように、セラミックグリ
ーンシート７が用意される。セラミックグリーンシート
７は、破線で示すような分割線８に沿って分割されるこ
とが予定されている。

【００２８】次に、図３に示すように、セラミックグリ
ーンシート７の分割線８によって区画された各領域にお
いて、ビアホール導体９を設けるため、貫通孔が設けら
れ、各貫通孔に導電性ペーストが充填されるとともに、
パターニングされた導体膜１０を形成するため、導電性
ペーストがスクリーン印刷等によって付与される。

【００２９】上述のビアホール導体９や導体膜１０は、
分割線８にかなり接近した位置にまで形成することがで
きる。

【００３０】なお、図２および図３では、１枚のセラミ
ックグリーンシート７のみを図示したが、複数枚のセラ
ミックグリーンシート７が用意され、これらセラミック
グリーンシート７の特定のものの各々に、同様の方法に
よって、必要なビアホール導体９および必要な導体膜１
０が設けられる。

【００３１】次に、図４に示すように、複数枚のセラミ
ックグリーンシート７が積層され、次いで圧着される。
この段階で、複数個のセラミック基板２（図１参照）を
与える集合セラミック基板１１の生の状態のものが得ら
れる。

【００３２】次に、図５に示すように、集合セラミック
基板１１の図による下方に向く主面１２上に、断面形状
が略四角形の第１の分割用溝１３が形成される。第１の
分割用溝１３の位置は、分割線８の位置に対応してい
る。これら第１の分割用溝１３は、ダイサー刃（図示せ
ず。）を用いて形成される。ダイサー刃の刃厚は、２０
０μｍ以下であることが好ましく、一例として２００μ
ｍの刃厚を有するダイサー刃が用いられる。

【００３３】また、第１の分割用溝１３の深さは、集合
セラミック基板１１の厚みの３０％〜７０％に選ばれる
ことが好ましい。一例として、集合セラミック基板１１
の厚みが０．９５ｍｍであるとき、第１の分割用溝１３
の深さは０．４ｍｍとされる。

【００３４】上述のように、第１の分割用溝１３の深さ
を、集合セラミック基板１１の厚みの３０％以上とする
のが好ましいとしたのは、３０％未満であると、後述す
る分割工程において、順調な分割を行なうことが困難に
なり、破断面に凹凸等が生じやすくなるためである。

【００３５】他方、第１の分割用溝１３の深さを、集合
セラミック基板１１の厚みの７０％以下とするのが好ま
しいとしたのは、７０％を超えると、以後の工程におい
て、集合セラミック基板１１が不用意に割れてしまうこ
とがあるためである。

【００３６】次に、集合セラミック基板１１が焼成され
る。これによって、集合セラミック基板１１が焼結する
とともに、前述したビアホール導体９および導体膜１０
を形成するために付与された導電性ペーストが焼結す
る。

【００３７】次に、集合セラミック基板１１の外表面上
に露出している導体膜１０に対して、半田濡れ性の向上
および酸化防止等のためにめっき処理が施される。

【００３８】次に、図６に示すように、集合セラミック
基板１１の図による上方に向く主面１４上に、いくつか
の表面実装部品１５が実装される。このとき、表面実装
部品１５は、分割線８にかなり接近した状態で実装する
ことができる。たとえば、表面実装部品１５の実装にあ
たっては、分割線８に対して、わずか０．２〜０．２５
ｍｍのギャップさえ形成しておけばよい。

【００３９】次に、図７に示すように、表面実装部品１
５を封止するため、封止樹脂４が集合セラミック基板１
１の一方主面１４を覆うように形成され、それによっ
て、図１に示した電子部品１の複数個のものを集合させ
た状態にある、すなわち、表面実装部品１５を封止する
ように封止樹脂４によって集合セラミック基板１１の一
方主面１４を覆った状態にある集合電子部品１８が得ら
れる。

【００４０】上述の封止樹脂４のための樹脂材料として
は任意のものを用いることができるが、一例として、エ
ポキシ系樹脂を主成分とし、ＳｉＯ₂ フィラーを添加し
たものを用いることができる。

【００４１】次に、図８に示すように、封止樹脂４の外
側に向く主面１７上であって、分割線８に沿う位置すな
わち第１の分割用溝１３の位置に対向する位置に、断面
形状が略四角形の第２の分割用溝１９が形成される。

【００４２】第２の分割用溝８の形成においても、ダイ
サー刃が用いられる。このダイサー刃の刃厚は、２００
μｍ以下であることが好ましく、たとえば１００μｍの
刃厚を有するものが用いられる。この第２の分割用溝１
９を形成するためのダイサー刃と前述した第１の分割用
溝１３を形成するためのダイサー刃とを互いに異ならせ
ることにより、材質の互いに異なる封止樹脂４と集合セ
ラミック基板１１との各々について適したダイサー刃を
選択することができ、そのため、第１および第２の分割
用溝１３および１８の双方について良好な切断面を得る
ことが容易であり、かつ能率的に切削工程を進めること
ができる。

【００４３】第２の分割用溝１９は、封止樹脂４の厚み
の５０％以上の深さに形成されることが好ましい。たと
えば、封止樹脂４の厚みが０．７ｍｍの場合、０．６ｍ
ｍの深さをもって第２の分割用溝１９が形成される。

【００４４】上述のように、第２の分割用溝１９の深さ
を封止樹脂４の厚みの５０％以上とすることが好ましい
としたのは、５０％未満であると、後述する分割工程に
おいて、順調な分割を行なうことが困難となり、破断面
において凹凸等が生じることがあるためである。

【００４５】次に、集合電子部品１８が、第１および第
２の分割用溝１３および１９に沿って分割される。この
分割にあたっては、集合電子部品１８を第１および第２
の分割用溝１３および１９に沿って折り曲げることが行
なわれ、それによって、互いに対向する第１および第２
の分割用溝１３および１９間の厚み部分が破断される。

【００４６】上述の分割の結果、図１に示すような複数
個の電子部品１が取り出される。この電子部品１におい
て、前述したように、段差５および６は、第１および第
２の分割用溝１３および１９の各一部によって与えられ
る。

【００４７】以上、この発明を図示した実施形態に関連
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
種々の変形例が可能である。

【００４８】たとえば、図示の実施形態では、集合電子
部品１８に備える集合セラミック基板１１すなわち電子
部品１に備えるセラミック基板２は、積層された複数枚
のセラミックグリーンシート７を焼成して得られた複数
のセラミック層からなる積層構造を有していたが、いわ
ゆる単層構造を有するものであってもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、集合
電子部品の両主面に、互いに対向するように、断面形状
が略四角形の第１および第２の分割用溝をそれぞれ形成
するので、第１および第２の溝のそれぞれの深さを調整
することが容易であり、したがって、比較的厚みのある
集合電子部品に対しても、精度の良好な分割を行なうこ
とができる。

【００５０】また、第１の分割用溝はセラミックをもっ
て構成される集合セラミック基板において形成され、第
２の分割用溝は封止樹脂において形成されるので、これ
ら分割用溝を形成するため、ダイサー刃を用いる場合、
第１および第２の分割用溝の各々の形成に適したダイサ
ー刃を用いることができ、良好な形態をもって双方の分
割用溝を能率的に形成することができる。

【００５１】第１の分割用溝を形成する工程を、集合セ
ラミック基板を得るための焼成工程の前に実施するよう
にすれば、次のような利点が奏される。

【００５２】まず、集合セラミック基板は、焼成後に比
べて焼成前の方が格段に軟らかく、加工が容易であるた
め、厚い刃を使用しなくても、良好な切断が可能とな
り、したがって、切削される集合セラミック基板の量す
なわち面積を小さくすることができる。

【００５３】そのため、１個の集合電子部品から取り出
すことができる電子部品の数を増やしたり、導体膜やビ
アホール導体のような配線導体を設けることができる面
積および表面実装部品を実装できる面積をより大きくし
たりすることができる。

【００５４】また、第１の分割用溝を、集合セラミック
基板を得るための焼成工程の前に形成するようにすれ
ば、第１の分割用溝を形成するために要する時間を短く
することができ、また、チッピングが生じにくく、した
がって、良好な形態をもって分割用溝を形成することが
できる。

【００５５】第１の分割用溝を、集合セラミック基板の
厚みの３０％〜７０％の深さに形成し、第２の分割用溝
を、封止樹脂の厚みの５０％以上の深さに形成するよう
にすれば、分割工程において、破断面に凹凸等が生じに
くくすることができるとともに、不用意に集合電子部品
が割れてしまうことを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による製造方法によって
得られた電子部品１の外観を示す斜視図である。

【図２】図１に示した電子部品１を製造するにあたって
実施される第１の工程を説明するための図である。

【図３】図２に示した第１の工程の次に実施される第２
の工程を説明するための図である。

【図４】図３に示した第２の工程の次に実施される第３
の工程を説明するための図である。

【図５】図４に示した第３の工程の次に実施される第４
の工程を説明するための図である。

【図６】図５に示した第４の工程の次に実施される第５
の工程を説明するための図である。

【図７】図６に示した第５の工程の次に実施される第６
の工程を説明するための図である。

【図８】図７に示した第６の工程の次に実施される第７
の工程を説明するための図である。

【符号の説明】

１ 電子部品 ２ セラミック基板 ４ 封止樹脂 ７ セラミックグリーンシート ８ 分割線 １１ 集合セラミック基板 １２，１４ 集合セラミック基板の主面 １３ 第１の分割用溝 １５ 表面実装部品 １７ 封止樹脂の主面 １８ 集合電子部品 １９ 第２の分割用溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 功 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 3C069 AA02 AA03 BA04 CA03 EA01 EA04 EA05 5F061 AA01 BA03 CA21

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックをもって構成される、複数個
   のセラミック基板を与える集合セラミック基板を用意す
   る工程と、 前記集合セラミック基板の一方主面上に複数個の表面実
   装部品を実装する工程と、 前記表面実装部品を封止するように封止樹脂によって前
   記集合セラミック基板の一方主面を覆った状態にある集
   合電子部品を作製する工程と、 前記集合セラミック基板の外側に向く主面上に、断面形
   状が略四角形の第１の分割用溝を形成する工程と、 前記封止樹脂の外側に向く主面上であって、前記第１の
   分割用溝の位置に対向する位置に、断面形状が略四角形
   の第２の分割用溝を形成する工程と、 前記集合電子部品を前記第１および第２の分割用溝に沿
   って分割し、それによって、前記セラミック基板、その
   上に実装された前記表面実装部品および前記表面実装部
   品を封止する前記封止樹脂を備える、複数個の電子部品
   を得る工程とを備える、電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の分割用溝を形成する工程およ
   び前記第２の分割用溝を形成する工程は、ダイサー刃を
   用いて実施される、請求項１に記載の電子部品の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記第１の分割用溝を形成する工程にお
   いて用いるダイサー刃は、前記第２の分割用溝を形成す
   る工程において用いるダイサー刃とは異なる、請求項２
   に記載の電子部品の製造方法。
4. 【請求項４】 前記集合セラミック基板は、積層された
   複数のセラミック層からなる積層構造を有する、請求項
   １ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第１の分割用溝を形成する工程は、
   前記集合セラミック基板を得るための焼成工程の前に実
   施される、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部
   品の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第２の分割用溝を形成する工程は、
   焼結した前記集合セラミック基板の一方主面を覆うよう
   に前記封止樹脂を形成した後に実施される、請求項１な
   いし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第１の分割用溝は、前記集合セラミ
   ック基板の厚みの３０％〜７０％の深さに形成され、前
   記第２の分割用溝は、前記封止樹脂の厚みの５０％以上
   の深さに形成される、請求項１ないし６のいずれかに記
   載の電子部品の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の製
   造方法によって得られた、電子部品。