JP2003133169A

JP2003133169A - 積層型電子部品の製法

Info

Publication number: JP2003133169A
Application number: JP2001330245A
Authority: JP
Inventors: Katsuyoshi Yamaguchi; 勝義山口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-10-29
Filing date: 2001-10-29
Publication date: 2003-05-09

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜形成法により作製された導体パターンのセ
ラミックグリーンシートに対する転写強度を向上できる
安価な積層型電子部品の製法を提供する。【解決手段】支持体１の離型層７上に金属膜９を形成す
る工程と、該金属膜９を回転刃、レーザー加工および放
電加工のうちいずれかの切断手段１１により切断して導
体パターン１３を形成する工程と、該導体パターン１３
を支持体１上の前記離型層７から剥離し、セラミックグ
リーンシート１７上に転写する工程と、前記導体パター
ン１３が形成された前記セラミックグリーンシート１７
を積層する工程とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型電子部品の
製法に関し、特に、積層セラミック部品を構成する導体
パターンが転写法により形成される積層型電子部品の製
法に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い
積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサ
は小型化、高容量化が求められている。このため積層セ
ラミックコンデンサを構成するセラミックグリーンシー
トおよび導体パターンは薄層化の要求がますます高まっ
ており、このうち、導体パターンを薄層化する方法とし
て、例えば、特開平１−４２８０９号公報に開示される
ようなものが知られている。

【０００３】この公報に開示された積層型電子部品の製
法では、シリコンコート等の離型膜を施したフィルム上
に、蒸着またはスパッタリング等の薄膜形成法を用いて
金属膜を形成した後、この金属膜上に、例えば、光硬化
型のレジスト膜を形成し、露光、現像、エッチングおよ
びレジスト除去を行って導体パターンを形成する。

【０００４】次に、この導体パターンをセラミックグリ
ーンシート上に転写し、さらに、このように導体パター
ンが転写されたセラミックグリーンシートを複数枚積み
重ねることにより積層型電子部品が形成されることが記
載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１−４２８０９号公報に開示された積層型電子部品
の製法では、フィルム上に形成した金属膜を加工して導
体パターンに形成する場合、上記のように、光硬化型の
レジスト膜を用いて、露光、現像、エッチングおよびレ
ジスト除去等多くの工程を経て導体パターンを形成して
いるため高コストになるという問題があった。

【０００６】また、上記の製法により形成された導体パ
ターンでは、エッチング工程において金属膜の上面側が
過度にエッチングされるため断面からみた場合、セラミ
ックグリーンシートに埋まる側のエッジ部の角度が鈍角
になり、このような導体パターンでは、この支持体上で
断面からみて幅の狭い側の、即ち、導体パターンの表面
側をセラミックグリーンシート面に向けて転写するた
め、導体パターンをセラミックグリーンシート側に加圧
して加熱しても導体パターンが極めて薄いこともあり導
体パターンがセラミックグリーンシートから剥がれやす
いという問題があった。

【０００７】また、上記のように金属膜をエッチングし
て導体パターンに加工したものは、レジスト膜を貼った
側の、即ち、セラミックグリーンシートに埋まる表面側
のエッジ部が丸みを帯びているために、導体パターンの
セラミックグリーンシートへの食い込みが弱く転写後に
剥がれやすいという問題があった。

【０００８】さらに、支持体上に離型膜として形成した
シリコンコート膜が有機物でできていることから導体パ
ターンを転写する際に、加圧加熱によりシリコンコート
膜が熱の影響を受け変質し、離型膜が不均質なものとな
り、支持体と導体パターンとの接着強度が不均一にな
り、転写不良と成り易く、これにより転写後に剥がれや
すいという問題があった。

【０００９】従って、本発明は、薄膜形成法により作製
された導体パターンのセラミックグリーンシートに対す
る転写強度を向上できる安価な積層型電子部品の製法を
提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の積層型電子部品
の製法は、支持体の離型層上に金属膜を形成する工程
と、該金属膜を回転刃、レーザー加工および放電加工の
うちいずれかの切断手段により切断して導体パターンを
形成する工程と、該導体パターンを支持体上の前記離型
層から剥離し、セラミックグリーンシート上に転写する
工程と、前記導体パターンが形成された前記セラミック
グリーンシートを積層する工程と、を具備することを特
徴とする。

【００１１】この製法において、まず、支持体の離型層
上に形成された金属膜を回転刃、レーザー加工および放
電加工のいずれかの切断手段により導体パターンに切断
することから、従来の光硬化型のレジスト膜を用いてエ
ッチングにより形成された導体パターンに比較して、導
体パターンの離型層側の、セラミックグリーンシートに
埋まる側のエッジ部の角度を大きくでき、また、余分な
接着部分となる離型層側の裾引きを抑えることができる
ことから、接着力を軽減でき離型層に対する導体パター
ンの剥離性を改善できる。

【００１２】また、切断により形成された導体パターン
は、その埋まる側のエッジを含む端面が丸みを帯びにく
いことから、セラミックグリーンシートへのくい込みが
強くなり、導体パターンの転写強度を容易に高めること
ができる。

【００１３】また、本発明の製法は、切断という物理的
な加工により導体パターンの加工を行うことから、エッ
チングのような化学的な方法を用いる場合のように離型
層の腐食に配慮する必要が無いことから、離型層と金属
膜との接着強度を必要以上に高める必要が無く、このた
め離型層と金属膜との間の剥離性を容易に改善できる。

【００１４】さらに、本発明の積層型電子部品の製法で
は、上記の工法により形成された導体パターンのうち不
要部分を残したまま必要な導体パターンのみを支持体上
から吸引剥離して転写に用いることができることから、
金属膜をエッチングによりパターン加工する従来の製法
に比較して、レジスト加工やエッチング等の不要な工程
をなくし製造コストを容易に低減できる。

【００１５】上記積層型電子部品の製法では、セラミッ
クグリーンシート上に転写された導体パターンのエッジ
部のなす角度θが８０〜９５°であることが望ましい。
このように金属膜をパターン加工する際の切断の角度を
直角に近い角度とすることにより、転写時のセラミック
グリーンシートへの一部埋設がさらに容易になるととも
に剥がれ難くできる。

【００１６】上記積層型電子部品の製法では、金属膜が
導体パターン形状に切断される切断幅が３００μｍ以下
であることが望ましい。このように切断幅を小さくする
ことにより、支持体上に形成される導体パターンの取り
数を増やすことができるとともに、本発明の製法により
形成される導体パターンは、切断手段によりパターン加
工されるため切断幅を金属膜の厚み方向に一定にできる
ことから導体パターン間隔を狭くしても隣接する導体パ
ターン同士のブリッジによるショート不良を無くすこと
ができる。

【００１７】上記積層型電子部品の製法では、離型層
が、支持体上に形成された下地金属層と、該下地金属層
上に形成された金属酸化膜により構成されていることが
望ましい。転写に供される金属膜が離型層の表面側に形
成された金属酸化膜の上面に形成されることにより金属
膜の剥離性が高まり転写歩留まりを向上できる。さら
に、この場合、離型層が金属酸化膜であることから、転
写時の加圧加熱において離型層が高温に晒されても有機
物により形成されているシリコンコート層のように変質
することがなく導体パターンとフィルムとの接着強度の
不均一をなくし転写性を安定化できる。

【００１８】上記積層型電子部品の製法では、金属膜が
メッキ膜であることが望ましい。このように積層型電子
部品に用いる導体パターンをメッキ法を用いて形成する
ことにより均質で平滑かつ均一厚みの金属膜が容易に得
られる。また、このように均一な膜厚であることから積
層数を増しても積層体の変形を抑制でき、かつ蒸着やス
パッタ等の物理的成膜法に比較して導体パターンの低コ
スト化を図ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の積層型電子部品の製法
は、例えば、電子部品の一つである積層セラミックコン
デンサに適用される。図１は本発明の製法を説明するた
めの図である。

【００２０】本発明の積層型電子部品の製法では、ま
ず、図１（ａ）に示すように、支持体１の一方表面に下
地金属層３が形成される。

【００２１】ここで用いられる支持体１として、例え
ば、上記の下地金属層３との密着性が良好であるもので
あれば、特に限定されるものではなく、従来公知の有機
フィルムが用いられる。

【００２２】このような有機フィルムとしては、例え
ば、適宜、長尺状の有機フィルムをカレンダー処理を用
いて表面処理を行い、所望の表面粗さＲａ_fに調整して
支持体が形成される。ここで用いる有機フィルムとして
は、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィ
ルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポ
リエーテルサルフォンフィルム、ポリアミドフィルム、
ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレンスルフィ
ドフィルムなどが挙げられる。これらの有機フィルム
は、その厚みｔが約１０μｍ〜２００μｍ、とりわけ、
約１５μｍ〜１５０μｍであることが好ましい。

【００２３】また、その表面粗さＲａ_fは４０ｎｍ以下
とされ、特に、この支持体１の表面に形成される下地金
属層３との密着性を高めるという理由から、５〜３０ｎ
ｍであることが望ましい。

【００２４】下地金属層３は、その上に形成される金属
膜に対する導電層としての役割を果たすもので、上記の
支持体１と良好な密着性を有するものである。この下地
金属層３を形成する金属材料としては、チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）およびこれら
の合金等が好適に用いられる。

【００２５】例えば、Ｎｉの金属膜を電解メッキ法で形
成する場合は、下地金属層３は導電性ができるだけ高く
かつ電解メッキの際に腐食されないことが好ましく、こ
の点からも下地金属層３となる金属種はＴｉ、Ｎｉ、Ｃ
ｒが望ましい。特に、下地となる下地金属層３として
は、導電性が比較的高く、Ｎｉのメッキ液に対して耐腐
食性のあるＴｉの下地金属層３を設けたものがより好ま
しい。

【００２６】また、上記のように、電解メッキ法で金属
膜を形成する場合は、下地金属層３の厚みは、この下地
金属層３の電気抵抗を小さくするという理由から５０〜
４００ｎｍであることが好ましい。そうすることによ
り、短時間で、導電性が高く、かつ、Ｎｉの電解メッキ
に対して耐腐食性のある下地金属層３を得ることができ
る。

【００２７】また、この下地金属層３の表面粗さＲａ_m
は４０ｎｍ以下とされ、特に、この表面に形成される金
属酸化膜の厚みばらつきを低減するという理由から、５
〜３０ｎｍであることが望ましい。尚、下地金属層３の
厚みは蒸着時間により、また、表面粗さＲａ_mは蒸着温
度によって制御される。

【００２８】また、下地金属層３は、上記金属材料から
形成される下地金属層３の１層から成るものでもよい
し、同種あるいは異種の下地金属層を複数積層したもの
であってもよい。なお、複数積層する場合、その下地金
属層間が剥離しないように、下地金属層間の界面が酸化
されていないことが必要である。

【００２９】また、上記の下地金属層３は、一般的に
は、スパッタ蒸着、抵抗加熱蒸着、電子ビーム加熱蒸着
などの公知の真空蒸着法により形成されるが、この場
合、金属層と支持体１との密着力を向上させる目的で、
支持体１表面をアルゴン、酸素、窒素ガス等の雰囲気中
でプラズマ処理することも可能である。

【００３０】次に、図１（ｂ）に示すように、支持体１
上の下地金属層３の表面を酸化処理して、この下地金属
層３の表面に金属酸化膜５を形成し離型層７が形成され
る。この金属酸化膜５は、上記のように蒸着により形成
された下地金属層３の表面を酸素を含む雰囲気中でプラ
ズマ処理したり、単に、下地金属層３表面を大気中に曝
露することにより形成される。あるいは、上記のよう
に、下地金属層３を蒸着で形成する際に、その雰囲気に
酸素ガスを導入しておいてもよい。

【００３１】本発明において、この下地金属層３の表面
に形成されている金属酸化膜５の厚みが１５〜２００ｎ
ｍであることが望ましい。これは、金属酸化膜５の厚み
が１５ｎｍよりも薄い場合には、金属酸化膜５の電気抵
抗が低くなり、電解メッキの速度が速く、充分な厚みの
金属膜が形成できるものの、この金属膜の剥離が困難と
なる。一方、金属酸化膜５の厚みが２００ｎｍよりも厚
い場合には、この部分の電気抵抗が高くなり、電解メッ
キ法による金属膜の形成が困難となり、所望の厚みのメ
ッキ膜が得難くなる。このような理由から、導電性を高
めメッキ速度を高めかつ離型性を改善するという理由か
ら、５０〜１００ｎｍであることが望ましい。

【００３２】また、この金属酸化膜５の表面粗さＲａ_o
は４０ｎｍ以下であることがのぞましく、特に、金属膜
の離型性を高めるという理由から５〜３０ｎｍであるこ
とが望ましい。

【００３３】次に、図１（ｃ）に示すように、支持体１
の離型層７上に電解メッキ法により金属膜９が形成され
る。この場合、下地金属層３自体を電解メッキ時の接続
導体とすることにより、電解メッキ法により金属膜９を
容易に形成できる。メッキ浴としては、メッキ膜の緻密
性および均質性が高いという理由から、スルファミン酸
メッキ浴が好適である。

【００３４】電解メッキ法により形成される金属膜９と
しては、積層セラミックコンデンサの高積層化に対して
コストメリットを有するＮｉやＣｕ等の卑金属が好適に
用いられる。

【００３５】次に、図１（ｄ）に示すように、支持体１
の離型層７上に形成された金属膜９を切断手段１１によ
り切断して導体パターン１３を形成する。この切断手段
１１としては、回転刃、レーザー加工、あるいは放電加
工が好適に用いられる。このうち、導体パターン１３の
セラミックグリーンシート１７に埋まる側のエッジ部１
５の角度を直角に近い角度に形成できるという理由か
ら、特に、回転刃が切断手段１１として好適である。

【００３６】このとき、切断は、支持体１上の下地金属
層３およびその表面に形成された金属酸化膜５とともに
最表面の金属膜９に対して行われるが、転写工程におい
て金属膜９の吸引による金属膜９の剥離性をよくすると
いう理由から、下地金属層３と金属酸化膜５は切断せず
に転写に供される最表面の金属膜９のみ切断することが
望ましい。そして、金属膜９の剥離強度は金属酸化膜５
の厚みや表面粗さにもよるが、切断時の剥離を防止しか
つ吸引法による剥離性を向上するという理由から０．０
２〜０．０４ＭＰａであることが望ましい。

【００３７】そして、上記のように金属膜９を切断して
形成された導体パターン１３のエッジ部１５のなす角度
θは、図１（ｄ）に示すように、８０〜９５°であるこ
とが望ましく、このように離型層７側に対して導体パタ
ーン１３の裾引きが抑制されることから支持体１上の剥
離強度を低くできる。

【００３８】また、金属膜９を導体パターン１３形状に
切断する際の切断幅ｗは回転刃を用いる場合には回転刃
の幅により、レーザー加工および放電加工の場合には出
力とショット数により設定することができる。そしてこ
の切断幅ｗは３００μｍ以下であることが望ましく、特
に、支持体上に形成される導体パターン１３の取り数を
増やすとともに、導体パターン１３間隔を狭くしても隣
接する導体パターン１３同士のブリッジによるショート
不良を無くすという理由から、この切断幅は１００〜２
００μｍであることが望ましい。

【００３９】次に、所定のサイズに切断された導体パタ
ーン１３をセラミックグリーンシート上に転写する。

【００４０】図２（ａ）に示すように、上記のように切
断手段１１によりパターン化された導体パターン１３を
裏返して逆向きにしてセラミックグリーンシート１７へ
転写した場合、導体パターン１３の上方側が拡径せずほ
ぼ矩形状であることから、セラミックグリーンシート１
７へ一部埋設しやすい。また、導体パターン１３の埋設
方向のエッジ部１５が角張って形成されていることから
転写強度を高めることができる。

【００４１】一方、エッチングにより形成された導体パ
ターンでは、図２（ｂ）に示したように、導体パターン
１３の上方側が拡径し、埋まる側のエッジ部１５の角度
が鈍角であるために上記のように逆向きに転写してもセ
ラミックグリーンシート１７への一部埋設が困難となる
とともに、埋設方向のエッジ部１５がエッチングにより
丸みを帯びているためセラミックグリーンシート１７へ
の転写強度が低く転写不良の原因となる恐れがある。

【００４２】ここで、セラミックグリーンシート１７に
ついて説明する。セラミックグリーンシート１７を構成
するセラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ₃−
ＭｎＯ−ＭｇＯ−Ｙ₂Ｏ₃等の誘電体粉末と焼結助剤が好
適に使用できるがこれに限定されるわけではない。これ
らの誘電体材料のうち、主原料のＢａＴｉＯ₃粉は、固
相法、液相法（シュウ酸塩を経過する方法等）、水熱合
成法等により合成されるが、そのうち粒度分布が狭く、
結晶性が高いという理由から水熱合成法が好適に用いら
れる。そして、ＢａＴｉＯ₃粉の比表面積は１．７〜
６．６（ｍ²／ｇ）が好ましい。

【００４３】また、このように大きな比表面積を有する
原料粉末を用いてセラミックグリーンシートを形成する
方法として、ドクターブレード法、引き上げ法、リバー
スロールコータ法、グラビアコータ法、スクリーン印刷
法が好適に用いられる。薄層化したセラミックグリーン
シート１７を形成するために、特に、ドクターブレード
法が用いられている。

【００４４】具体的には、これらの誘電体材料の粉末、
バインダおよび溶媒を含有するセラミックスラリをキャ
リアフィルム上に塗布し、高速でキャスティングし、乾
燥することによって形成される。

【００４５】このような工法で形成されたセラミックグ
リーンシート１７の厚みは１２μｍ以下であり、特に、
積層型電子部品の小型、大容量化という理由から１．５
〜５μｍの範に形成されることが望ましい。

【００４６】そして、図３（ａ）に示すように、形成さ
れた導体パターン１３を、その導体パターン１３の配置
に合わせて選択的に開口された吸引部２１を有する積層
ヘッド２３に吸着させる。この場合、積層セラミックコ
ンデンサの内部電極層となる導体パターン１３のみを選
択的に吸着させることができることから、余分な金属膜
９を残すことにより、導体パターン１３間に有効な間隔
をとることができ、このため積層セラミックコンデンサ
の内部電極層の周縁部にマージン部を容易に形成でき
る。

【００４７】次に、導体パターン１３が吸着された積層
ヘッド２３を上記の製法で形成されたセラミックグリー
ンシート１７上に載置し、積層ヘッド２３を排気モード
にするとともに、積層ヘッドごと加圧加熱することによ
り、導体パターン１３がセラミックグリーンシート１７
の上面に転写される。この場合、導体パターン１３が転
写される方向はこの導体パターン１３の離型層７側がセ
ラミックグリーンシート１７側となる。尚、転写された
導体パターン１３の上面とセラミックグリーンシート１
７の上面とは実質的に同一平面に成っていることが望ま
しい。

【００４８】そして、本発明の製法により作製された導
体パターン１３では、エッジ部１５の角度が直角に近い
角度に形成されていることからエッチング法により作製
した導体パターン１３に比較してセラミックグリーンシ
ート１７への食い込みが強く転写強度が高くなる。

【００４９】そして、図３（ｂ）に示すように、導体パ
ターン１３が形成されたセラミックグリーンシート１７
を順次積層し、積層成形体２７を形成し、これを焼成す
ることによって積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。焼成条件としては、積層成形体２７を大気中で
２５０〜３００℃または酸素分圧０．１〜１Ｐａの低酸
素雰囲気中５００〜８００℃で脱バイした後、非酸化性
雰囲気中、１２００〜１３００℃で２〜３時間焼成して
電子部品本体素体を得ることができる。

【００５０】さらに、所望により、酸素分圧が０．１〜
１０^-4Ｐａ程度の低酸素分圧下、９００〜１１００℃で
５〜１５時間の再酸化処理を施すことにより、前工程の
非酸化性雰囲気焼成において還元された電子部品本体素
体を酸化することにより、高い静電容量と絶縁特性を有
する電子部品本体を得ることができる。

【００５１】このように、本発明の製法により形成され
た導体パターン１３を用いて積層セラミックコンデンサ
を形成した場合には、転写された導体パターン１３の上
面側のエッジ部１５が直角に近い角度を有しており、従
来のエッチング法を用いて形成された導体パターンのよ
うに埋まる側と反対のエッジ１９の角度が小さいことか
ら、焼成してもこのエッジ１９の端部が丸くならず端部
近傍の空洞の形成が抑えられるため、内部電極層の有効
面積の低下が抑えられ積層セラミックコンデンサの静電
容量の低下およびそのばらつきを抑制できる。

【００５２】このように、支持体１の離型層７上に形成
された金属層９を切断手段１１により切断して導体パタ
ーン１３とすることから、光硬化型レジストを用いて導
体パターン１３の加工を行う場合に比較して、安価な製
造コストで簡便に転写用の導体パターン１３を形成でき
る。また、これらの導体パターン１３をセラミックグリ
ーンシート１７上に正方向のそのまま転写させることが
できることから、セラミックグリーンシート１７に導電
ペーストを用いて印刷する場合に比べて、導体パターン
１３を薄層化して形成することができ、ますます微細
化、高密度化が要求される積層セラミック部品の金属層
の形成を簡易かつ低コストで行うことができる。また、
導体パターン１３を転写した後の支持体１もしくは離型
層７を具備する支持体１は、導体パターン１３の転写形
成に繰り返し用いることができ、製造コストの低廉化を
計ることができる。

【００５３】

【実施例】積層型電子部品の一つである積層セラミック
コンデンサを以下のようにして作製した。先ず、ＢａＴ
ｉＯ₃９９．５モル％とＭｎＯ０．５モル％とからなる
組成物１００モル％に対して、Ｙ、Ｍｇの各酸化物を所
定量配合し、ＺｒＯ₂ボールを用いたボールミルにて湿
式粉砕した。次に、ポリビニルブチラール系の有機粘結
剤、フタル酸エステル系の可塑剤、分散剤、およびトル
エン溶媒を所定量混合し、振動ミルを用いて、粉砕、混
練し、スラリーを調製した後、ダイコーターにより、ポ
リエステルよりなるキャリアフィルム上に厚み２．４μ
ｍの誘電体グリーンシートを作製した。

【００５４】次に、別途ＰＥＴフィルム上に金属Ｔｉを
電子ビーム蒸着法を用いて下地金属層を厚さ３００μｍ
に形成した。

【００５５】次に、大気中１５０℃で所定時間の熱処理
を行い、Ｔｉ金属から成る下地金属層の表面に金属酸化
膜を１００ｎｍに設定して形成した。尚、キャリアフィ
ルムからなる支持体、下地金属膜および金属酸化膜のそ
れぞれの表面粗さＲａ_f、Ｒａ_mおよびＲａ_oはいずれも
２０ｎｍとした。

【００５６】次に、スルファミン酸メッキ浴を用いて、
電気メッキ法によりＰＥＴフィルム上に形成した下地金
属層と金属酸化膜からなる離型層の表面に、Ｎｉメッキ
膜を析出させた。厚さは約０．５μｍとした。

【００５７】次に、このメッキ膜を回転刃およびレーザ
加工機を用いて所定の寸法で格子状に切断した。

【００５８】次に、マスク処理を行った真空吸引型の積
層ヘッドを用いて導体パターンに該当する部分のＮｉメ
ッキ膜を吸引剥離し、これをセラミックグリーンシート
上に転写し導体パターンを形成した。転写条件は、温度
８０℃、圧力１０ＭＰａの条件で行った。

【００５９】次に、転写した試料の小片を樹脂に埋め込
んで研磨した後、実体顕微鏡で観察して角度を測定する
ことにより切断面のエッジ部の角度を測定した。

【００６０】また、支持体上の金属膜の接着強度および
セラミックグリーンシートへの導体パターンの転写強度
は、表面積５×５ｍｍ²の試料を基材に接着させた後オ
ートグラフを用いて測定した。また、転写した導体パタ
ーンのうち２０００個について転写性（歩留まり）評価
した。

【００６１】次に、導体パターンを形成したセラミック
グリーンシートを４００層積層して仮積層成形体を形成
した。このとき１層ごとに導体パターンの位置をずらし
て、切断した際に端面に導体パターンが交互に露出する
ように形成した。

【００６２】この条件で作製した仮積層成形体は、次の
第２回目の積層プレス時に充分な脱気ができるだけの隙
間を残しておいた。

【００６３】次に、この仮積層成形体を温度１００℃、
圧力２０ＭＰａで２回目の積層プレスを行い完全に密着
させて積層成形体を得た。

【００６４】次に、この積層成形体を格子状に切断して
電子部品本体を得た。この積層成形体の側面には、内部
電極層の導体パターンの一端が交互に露出し、厚み方向
に重畳して積層された内部電極層の導体パターンは、位
置ずれもなく形成されていた。

【００６５】次に、この電子部品本体成形体を大気中３
００℃または酸素分圧０．１〜１Ｐａの低酸素雰囲気中
５００℃で脱バイした後、酸素分圧１０^-7Ｐａの非酸化
性雰囲気中１３００℃で２時間焼成し、さらに、酸素分
圧が０．０１Ｐａの低酸素分圧下１０００℃で１０時間
の再酸化処理を施し、電子部品本体を得た。

【００６６】最後に、このようにして得られた電子部品
本体に対し、内部電極層が露出した各端面に外部電極ペ
ーストを塗布し、窒素雰囲気中、９００℃で焼き付けを
行った。その後、Ｎｉメッキ層およびＳｎメッキ層を形
成し、内部電極層と電気的に接続された外部電極を形成
して積層セラミックコンデンサを作製した。

【００６７】ここで用いた外部電極ペーストは、平均粒
径１μｍのＣｕ粗粉末と平均粒径が約０．２μｍのＣｕ
微粉末とを所定量混合し、さらに、これらの金属粉末に
対し、ガラス成分や有機樹脂および溶剤を加えて調製し
た。目標とする静電容量は１０±１μＦとした。

【００６８】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサの外形寸法は、幅１．２５ｍｍ、長さ２．０ｍ
ｍ、厚さ１．２５ｍｍであり、内部電極層間に介在する
誘電体層の厚みは２μｍであった。

【００６９】次に、得られた積層セラミックコンデンサ
各１００個について、静電容量とそのばらつきを測定し
た。測定条件は基準温度２５℃で行い、静電容量は周波
数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓの条件で測定した。

【００７０】比較例として、キャリアフィルム上に形成
したメッキ膜を光硬化型レジストを用いてパターン加工
した試料について本発明と同じく、レジスト加工後のメ
ッキ膜端面の角度、剥離強度、転写後の転写強度、およ
び、この導体パターンを用いて作製した積層セラミック
コンデンサの静電容量とそのばらつきの評価を行った。

【００７１】

【表１】

【００７２】表１の結果から明らかなように、支持体の
離型層上に形成された金属膜を回転刃およびレーザー加
工により切断して導体パターンを形成した試料Ｎｏ．
１、２では、導体パターンのエッジ部の角度を８９°お
よび８１°と直角に近い角度にでき、離型層側に導体パ
ターンの裾引きが少なく、導体パターンの接着面積が小
さくなり、このため支持体（離型層）からの剥離強度と
そのばらつきが小さかった。また、このような導体パタ
ーンをセラミックグリーンシート上に転写した際には食
い込みが大きくなり、そのため転写強度が大きく、しか
も、ばらつきが小さく転写不良が無かった。

【００７３】そして、このような導体パターンを用いて
作製した積層セラミックコンデンサは導体パターンの形
状精度および転写性向上により静電容量が大きくかつそ
のばらつきが小さくなった。

【００７４】一方、金属膜をエッチングして導体パター
ンを形成した試料Ｎｏ．３では、導体パターンのエッジ
部の角度が４５°となり断面形状が裾引き状に形成され
たことにより、離型層に対して導体パターンの接着面積
が大きくなりこのため剥離強度が大きくなった。そし
て、導体パターンがセラミックグリーンシートに対して
逆台形状に転写されたため転写強度が低くかつそのばら
つきも大きくなり２０００個中１８個もの転写不良が発
生した。そして、このような導体パターンを用いて形成
した積層セラミックコンデンサの静電容量は本発明品に
比較して小さく、ばらつきが大きかった。

【００７５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
支持体の離型層上に金属膜を形成し、この金属膜を回転
刃、レーザー加工および放電加工のうちいずれかの切断
手段により切断して導体パターンを形成するため、従来
の光硬化型のレジストを用いてエッチングによりパター
ン加工したものに比較して金属膜と離型層との接着強度
を低く設定でき、このためセラミックグリーンシートへ
の転写性を向上できる。

【００７６】また、本発明の製法によれば、導体パター
ンのエッジ部が直角に近い角度に形成されることから、
セラミックグリーンシートへのくい込みが強くなり剥が
れにくくなることから導体パターンの転写強度を容易に
高めることができる。

【００７７】さらに、本発明の積層型電子部品の製法で
は、上記の工法により形成された導体パターンのうち不
要部分を残したまま必要な導体パターンのみを支持体上
から吸引剥離して転写に用いることができることから、
金属膜をエッチングによりパターン加工する従来の製法
に比較して、レジスト加工やエッチング等の不要な工程
をなくし製造コストを容易に低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型電子部品に用いる導体パターン
の作製方法の一例を説明するための概略工程図である。

【図２】（ａ）は本発明の製法により形成された導体パ
ターンの転写工程を説明するための概略工程図、（ｂ）
は従来の製法であるエッチングにより形成された導体パ
ターンの転写工程を説明するための概略工程図である。

【図３】（ａ）は積層ヘッドを用いて導体パターンの転
写工程を説明するための概略工程図、（ｂ）は導体パタ
ーンが転写されたセラミックグリーンシートを積層する
工程を説明するための概略工程図である。

【符号の説明】

１支持体３下地金属層５金属酸化膜７離型層９金属膜１１切断手段１３導体パターン１７セラミックグリーンシート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体の離型層上に金属膜を形成する工程
と、該金属膜を回転刃、レーザー加工および放電加工の
うちいずれかの切断手段により切断して導体パターンを
形成する工程と、該導体パターンを支持体上の前記離型
層から剥離し、セラミックグリーンシート上に転写する
工程と、前記導体パターンが形成された前記セラミック
グリーンシートを積層する工程と、を具備することを特
徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項２】セラミックグリーンシート上に転写された
導体パターンのエッジ部のなす角度θが８０〜９５°で
あることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品
の製法。
【請求項３】切断手段による切断幅が３００μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型
電子部品の製法。
【請求項４】離型層が、支持体上に形成された下地金属
層と、該下地金属層上に形成された金属酸化膜により構
成されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちい
ずれか記載の積層型電子部品の製法。
【請求項５】金属膜がメッキ膜であることを特徴とする
請求項１乃至４のうちいずれか記載の積層型電子部品の
製法。