JP2003129116A - ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、ニッケルペースト、積層セラミック電子部品 - Google Patents
ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、ニッケルペースト、積層セラミック電子部品Info
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- JP2003129116A JP2003129116A JP2001328262A JP2001328262A JP2003129116A JP 2003129116 A JP2003129116 A JP 2003129116A JP 2001328262 A JP2001328262 A JP 2001328262A JP 2001328262 A JP2001328262 A JP 2001328262A JP 2003129116 A JP2003129116 A JP 2003129116A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部電極を有する積層セラミック電子部品の
クラック等の構造欠陥を防止できるニッケル粉末、その
製造方法、そのペースト、それを用いた積層セラミック
電子部品を提供する。 【解決手段】 ニッケルを主成分とする金属であるニッ
ケル基金属と金属酸化物または金属複合酸化物とを液相
反応により粉末として共析出させる工程を有するニッケ
ル粉末の製造方法。
クラック等の構造欠陥を防止できるニッケル粉末、その
製造方法、そのペースト、それを用いた積層セラミック
電子部品を提供する。 【解決手段】 ニッケルを主成分とする金属であるニッ
ケル基金属と金属酸化物または金属複合酸化物とを液相
反応により粉末として共析出させる工程を有するニッケ
ル粉末の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に積層セラミッ
クコンデンサ内部電極用等の導電性ペーストに用いるニ
ッケル粉末の製造方法およびその方法によって得られた
ニッケル粉末に関するものであり、さらにはこのニッケ
ル粉末を用いた導電性ペーストとしてのニッケルペース
ト、並びにニッケルペーストを用いて作製した積層セラ
ミック電子部品に関するものである。
クコンデンサ内部電極用等の導電性ペーストに用いるニ
ッケル粉末の製造方法およびその方法によって得られた
ニッケル粉末に関するものであり、さらにはこのニッケ
ル粉末を用いた導電性ペーストとしてのニッケルペース
ト、並びにニッケルペーストを用いて作製した積層セラ
ミック電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサをはじめとす
る積層セラミック電子部品は、導電性ペーストを用いて
セラミックグリーンシート上に印刷によりペースト層を
形成した後、上記セラミックグリーンシートを複数互い
に積層し、圧着、焼成することにより作製される。
る積層セラミック電子部品は、導電性ペーストを用いて
セラミックグリーンシート上に印刷によりペースト層を
形成した後、上記セラミックグリーンシートを複数互い
に積層し、圧着、焼成することにより作製される。
【０００３】ここに用いられる導電性ペーストは、導電
成分として、ニッケル（Ｎｉ）や銅、銀（Ａｇ）／パラ
ジウム（Ｐｄ）等の粉末を用い、これに有機ビヒクル、
溶剤等を添加して作製される。
成分として、ニッケル（Ｎｉ）や銅、銀（Ａｇ）／パラ
ジウム（Ｐｄ）等の粉末を用い、これに有機ビヒクル、
溶剤等を添加して作製される。
【０００４】このような積層セラミック電子部品におい
て、小型化／高容量化を進めるためには、内部導体の厚
みを極力薄くし、単位体積あたりの積層可能枚数を増大
させることが必須となっている。この目的を達成するた
めには、導電性ペーストに用いる金属粉末の粒子の物理
的サイズを極力小さくすることが求められる。
て、小型化／高容量化を進めるためには、内部導体の厚
みを極力薄くし、単位体積あたりの積層可能枚数を増大
させることが必須となっている。この目的を達成するた
めには、導電性ペーストに用いる金属粉末の粒子の物理
的サイズを極力小さくすることが求められる。
【０００５】このような金属粉末は、例えば特開平１２
−８７１２１号公報のように、液相中で還元剤と金属塩
溶液を混合して還元析出させる方法により製造される。
しかし、金属粉末の粒径が小さくなるとその金属粉末の
比表面積が二乗で大きくなることにより、金属粉末の表
面エネルギーが増大し、その金属微粉末の焼結開始温度
は低下する。
−８７１２１号公報のように、液相中で還元剤と金属塩
溶液を混合して還元析出させる方法により製造される。
しかし、金属粉末の粒径が小さくなるとその金属粉末の
比表面積が二乗で大きくなることにより、金属粉末の表
面エネルギーが増大し、その金属微粉末の焼結開始温度
は低下する。
【０００６】このような粒径の小さな金属粉末を用いた
導電性ペーストを内部電極用として用いた場合には、積
層セラミック電子部品の焼成段階でセラミックグリーン
シート上に形成された電極層となるペースト層の焼結収
縮開始温度が低温側にシフトし、セラミックが収縮する
以前に金属粉末の焼結が急峻に進行してしまい、デラミ
ネーション、クラック等の構造的欠陥の発生の一因にな
る。
導電性ペーストを内部電極用として用いた場合には、積
層セラミック電子部品の焼成段階でセラミックグリーン
シート上に形成された電極層となるペースト層の焼結収
縮開始温度が低温側にシフトし、セラミックが収縮する
以前に金属粉末の焼結が急峻に進行してしまい、デラミ
ネーション、クラック等の構造的欠陥の発生の一因にな
る。
【０００７】従来、特開平６−９６９９７号公報、特開
平１１−１８５５２７号公報のように、Ｐｄ被覆された
Ｎｉ粉末を用いることによりＮｉ粉末の焼成収縮を制御
することが試みられているが、この方法では、ＮｉとＰ
ｄが合金化するため、微粉のＮｉ粉末、例えば、その粒
径が１００ｎｍ以下となるようなときには、十分な収縮
抑制効果を発揮できず、過焼結による電極カバレージの
低下や、デラミネーションの問題を発生させる。
平１１−１８５５２７号公報のように、Ｐｄ被覆された
Ｎｉ粉末を用いることによりＮｉ粉末の焼成収縮を制御
することが試みられているが、この方法では、ＮｉとＰ
ｄが合金化するため、微粉のＮｉ粉末、例えば、その粒
径が１００ｎｍ以下となるようなときには、十分な収縮
抑制効果を発揮できず、過焼結による電極カバレージの
低下や、デラミネーションの問題を発生させる。
【０００８】また、特開平５−５５０７７号公報や、特
開平１０−１０６３５１号公報、特開平１１−２８３４
４１号公報では、酸化Ｎｉを含むペーストや、一部が酸
化されたＮｉ粉末の使用が示唆されているが、このよう
な金属粉末を用いた場合には、焼成中に酸化Ｎｉ中のＮ
ｉ成分がセラミック層に拡散し、セラミックの電気特性
や信頼性を劣化させるという問題や、焼成条件雰囲気が
酸化Ｎｉを還元する、いわゆる還元雰囲気下では、添加
された酸化Ｎｉや、Ｎｉ粉末中の酸化Ｎｉが還元し、実
質的な効果を示さないという問題がある。
開平１０−１０６３５１号公報、特開平１１−２８３４
４１号公報では、酸化Ｎｉを含むペーストや、一部が酸
化されたＮｉ粉末の使用が示唆されているが、このよう
な金属粉末を用いた場合には、焼成中に酸化Ｎｉ中のＮ
ｉ成分がセラミック層に拡散し、セラミックの電気特性
や信頼性を劣化させるという問題や、焼成条件雰囲気が
酸化Ｎｉを還元する、いわゆる還元雰囲気下では、添加
された酸化Ｎｉや、Ｎｉ粉末中の酸化Ｎｉが還元し、実
質的な効果を示さないという問題がある。
【０００９】そして、一般にセラミックと内部電極の熱
収縮温度のミスマッチを緩和するために、セラミック材
料を導電性ペーストに添加する共材添加ということが行
われるが、添加したセラミック材料にネッキングを抑制
する効果は無く、トータルの電極収縮量と収縮挙動の緩
和には不十分である。加えて特に添加するセラミック材
料の粒径が小さく１００ｎｍ以下の場合には、凝集して
粗大粒子（二次粒子）を生じ易く、機械的分散では均一
混合は困難であり、従ってこれを用いた導電性ペースト
では、得られたペースト膜の厚みが不均一になるなどの
問題がある。
収縮温度のミスマッチを緩和するために、セラミック材
料を導電性ペーストに添加する共材添加ということが行
われるが、添加したセラミック材料にネッキングを抑制
する効果は無く、トータルの電極収縮量と収縮挙動の緩
和には不十分である。加えて特に添加するセラミック材
料の粒径が小さく１００ｎｍ以下の場合には、凝集して
粗大粒子（二次粒子）を生じ易く、機械的分散では均一
混合は困難であり、従ってこれを用いた導電性ペースト
では、得られたペースト膜の厚みが不均一になるなどの
問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、金属
粉末の焼結を制御し焼結開始温度を高温度側にシフトさ
せるとともに、焼結開始温度からの急峻な焼結収縮を抑
制した金属粉末であるＮｉ粉末の製造方法を提供するこ
とである。
粉末の焼結を制御し焼結開始温度を高温度側にシフトさ
せるとともに、焼結開始温度からの急峻な焼結収縮を抑
制した金属粉末であるＮｉ粉末の製造方法を提供するこ
とである。
【００１１】特に積層セラミックコンデンサ等、焼結温
度がＮｉ粉末よりも高いセラミック層と同時焼成を行う
導電性ペースト用のＮｉ粉末として用いた際、Ｎｉ粉末
の焼結開始温度が低いことと、焼結収縮が急峻であるこ
とに起因した、デラミネーション、クラック等の不良を
阻止できる効果を有するＮｉ粉末を提供することであ
る。
度がＮｉ粉末よりも高いセラミック層と同時焼成を行う
導電性ペースト用のＮｉ粉末として用いた際、Ｎｉ粉末
の焼結開始温度が低いことと、焼結収縮が急峻であるこ
とに起因した、デラミネーション、クラック等の不良を
阻止できる効果を有するＮｉ粉末を提供することであ
る。
【００１２】そして、上記効果をセラミックの電気特性
を劣化させること無く達成できるＮｉ粉末を提供するこ
とである。
を劣化させること無く達成できるＮｉ粉末を提供するこ
とである。
【００１３】この発明のさらに上位の目的は、積層セラ
ミック電子部品の薄層化を図るべき内部導体を形成する
ために有利に用いることのできる導電性ペースト、なら
びにその導電性ペーストを用いて製造した積層セラミッ
ク電子部品を提供しようとすることである。
ミック電子部品の薄層化を図るべき内部導体を形成する
ために有利に用いることのできる導電性ペースト、なら
びにその導電性ペーストを用いて製造した積層セラミッ
ク電子部品を提供しようとすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＮｉ粉末
（Ｎｉ−酸化物共析粉末）の製造方法は、上述した技術
的課題を解決するため、Ｎｉを主成分とする金属である
Ｎｉ基金属と金属酸化物または金属複合酸化物（以下、
金属化合物という）とを液相反応により粉末として共析
出させることを特徴としている。
（Ｎｉ−酸化物共析粉末）の製造方法は、上述した技術
的課題を解決するため、Ｎｉを主成分とする金属である
Ｎｉ基金属と金属酸化物または金属複合酸化物（以下、
金属化合物という）とを液相反応により粉末として共析
出させることを特徴としている。
【００１５】上記製造方法は、少なくとも還元剤溶液と
Ｎｉ塩溶液および金属アルコキシド化合物を含む溶液と
を混合し、Ｎｉイオンの還元反応と金属アルコキシド化
合物の加水分解反応とを進行させて、共析出させること
が好ましい。
Ｎｉ塩溶液および金属アルコキシド化合物を含む溶液と
を混合し、Ｎｉイオンの還元反応と金属アルコキシド化
合物の加水分解反応とを進行させて、共析出させること
が好ましい。
【００１６】従来、上記課題を解決するためには、セラ
ミックの粉末をＮｉ粉末に混合する共材添加が行われて
きた。これは、Ｎｉ粉末の焼結の際に添加物が３重点に
析出し、ピン止め効果により焼結収縮を抑える効果が得
られるものであり、これにより焼成収縮開始温度を上昇
させ、また、収縮開始後の急峻な収縮を抑制できるＮｉ
粉末が得られる。このＮｉ粉末を導電性ペースト化し、
例えば積層セラミックコンデンサの内部電極用に用いる
ことによって、クラックやデラミネーションのない積層
セラミック電子部品を供給しようというものであった。
ミックの粉末をＮｉ粉末に混合する共材添加が行われて
きた。これは、Ｎｉ粉末の焼結の際に添加物が３重点に
析出し、ピン止め効果により焼結収縮を抑える効果が得
られるものであり、これにより焼成収縮開始温度を上昇
させ、また、収縮開始後の急峻な収縮を抑制できるＮｉ
粉末が得られる。このＮｉ粉末を導電性ペースト化し、
例えば積層セラミックコンデンサの内部電極用に用いる
ことによって、クラックやデラミネーションのない積層
セラミック電子部品を供給しようというものであった。
【００１７】しかし、上記従来では、微粒子化が進み、
粒径１００ｎｍ以下のＮｉ粉末の場合は、上記Ｎｉ粉末
の凝集による粒径の大きな二次粒子が生じて、共材のＮ
ｉ粉末への均一な混合が困難となり、共材の混合均一性
が不十分な導電性ペーストを用いて、内部電極層を形成
しようとすれば、粗大粒子により積層構造の欠陥を生じ
易かった。
粒径１００ｎｍ以下のＮｉ粉末の場合は、上記Ｎｉ粉末
の凝集による粒径の大きな二次粒子が生じて、共材のＮ
ｉ粉末への均一な混合が困難となり、共材の混合均一性
が不十分な導電性ペーストを用いて、内部電極層を形成
しようとすれば、粗大粒子により積層構造の欠陥を生じ
易かった。
【００１８】これに対して、本発明の製造方法で得られ
たＮｉ粉末では、Ｎｉを主成分とする金属であるＮｉ基
金属と金属酸化物または金属複合酸化物とを液相反応に
より粉末として共析出させるので、Ｎｉ粉末の作製時点
で均一に混合されており、Ｎｉ粉末の凝集を回避でき
て、共材の不均一混合の問題を解消できる。
たＮｉ粉末では、Ｎｉを主成分とする金属であるＮｉ基
金属と金属酸化物または金属複合酸化物とを液相反応に
より粉末として共析出させるので、Ｎｉ粉末の作製時点
で均一に混合されており、Ｎｉ粉末の凝集を回避でき
て、共材の不均一混合の問題を解消できる。
【００１９】前記Ｎｉを主成分とする金属であるＮｉ基
金属としては、Ｎｉ単独でもよいが、Ｎｉと、導電性を
有し、還元により共析される他の金属、例えば銅［Ｎｉ
１００ｍｏｌ（モル）に対し０．１ｍｏｌ以下］とを有
していてもよい。
金属としては、Ｎｉ単独でもよいが、Ｎｉと、導電性を
有し、還元により共析される他の金属、例えば銅［Ｎｉ
１００ｍｏｌ（モル）に対し０．１ｍｏｌ以下］とを有
していてもよい。
【００２０】また、金属化合物による、Ｎｉ粉末の表面
コートでは積層体を作製した場合に誘電体の特性を損な
うものがあるが、酸化物が安定である場合や、誘電体材
料との組み合わせによっては、回避できる組み合わせが
ある。具体的には、本発明の製造方法によって、例えば
セラミック材料である金属複合酸化物としてＡＢＯ
3（ペロブスカイト）型やＡＢ2 Ｏ4 型（スピネル）型
の金属化合物を同時析出させた場合は、導電性ペースト
作製の段階でセラミックの共材を添加する従来の場合に
比べて、セラミックの均一分散が得られており、分散処
理を必要とせず有利である。
コートでは積層体を作製した場合に誘電体の特性を損な
うものがあるが、酸化物が安定である場合や、誘電体材
料との組み合わせによっては、回避できる組み合わせが
ある。具体的には、本発明の製造方法によって、例えば
セラミック材料である金属複合酸化物としてＡＢＯ
3（ペロブスカイト）型やＡＢ2 Ｏ4 型（スピネル）型
の金属化合物を同時析出させた場合は、導電性ペースト
作製の段階でセラミックの共材を添加する従来の場合に
比べて、セラミックの均一分散が得られており、分散処
理を必要とせず有利である。
【００２１】より具体的には、上記金属化合物は、金属
の、酸化物、アルミン酸塩、タングステン酸塩、チタン
酸塩などである。これらの金属化合物は、通常１５００
℃以上の融点（例えば、Ａｌ2 Ｏ3 は融点２０５４℃、
ＭｇＯは融点２８２６℃、Ｍｇ2 ＳｉＯ4 は融点１８９
８℃、ＢａＡｌ2 Ｏ4 は融点１８２７℃、ＣａＷＯ4は
融点１５４０℃、ＢａＴｉＯ3 は融点１６１０℃、Ｃａ
ＴｉＯ3 は融点１９８０℃など）を有するため、高温安
定性が高く効果的である。
の、酸化物、アルミン酸塩、タングステン酸塩、チタン
酸塩などである。これらの金属化合物は、通常１５００
℃以上の融点（例えば、Ａｌ2 Ｏ3 は融点２０５４℃、
ＭｇＯは融点２８２６℃、Ｍｇ2 ＳｉＯ4 は融点１８９
８℃、ＢａＡｌ2 Ｏ4 は融点１８２７℃、ＣａＷＯ4は
融点１５４０℃、ＢａＴｉＯ3 は融点１６１０℃、Ｃａ
ＴｉＯ3 は融点１９８０℃など）を有するため、高温安
定性が高く効果的である。
【００２２】Ｎｉ基金属の還元析出には、通常、水を溶
媒として用いるが、有機溶剤を溶媒として一部使用し、
添加した金属アルコキシド化合物の加水分解の速度を調
整することにより、より一層微細な結晶を析出させ、均
一なＮｉ粉末（Ｎｉ基複合粉末）を作製することができ
る。有機溶媒としてはＮｉ塩を溶解し易いアルコール類
が使用し易く、特にメタノール、エタノール、プロパノ
ールなど低級アルコール（炭素数１〜５）がこの目的に
は好適であり有効な材料である。
媒として用いるが、有機溶剤を溶媒として一部使用し、
添加した金属アルコキシド化合物の加水分解の速度を調
整することにより、より一層微細な結晶を析出させ、均
一なＮｉ粉末（Ｎｉ基複合粉末）を作製することができ
る。有機溶媒としてはＮｉ塩を溶解し易いアルコール類
が使用し易く、特にメタノール、エタノール、プロパノ
ールなど低級アルコール（炭素数１〜５）がこの目的に
は好適であり有効な材料である。
【００２３】このＮｉ粉末は好ましくは０．２μｍ以下
の粒径に制御され、同時に析出する金属化合物も同様に
０．２μｍ以下の粒径に制御される。Ｎｉ粉末のサイズ
は０．２μｍ以下の場合に、本発明の効果が特に顕著で
あるが、０．５μｍ〜１μｍのＮｉ粉末に用いても相当
の効果は得られる。
の粒径に制御され、同時に析出する金属化合物も同様に
０．２μｍ以下の粒径に制御される。Ｎｉ粉末のサイズ
は０．２μｍ以下の場合に、本発明の効果が特に顕著で
あるが、０．５μｍ〜１μｍのＮｉ粉末に用いても相当
の効果は得られる。
【００２４】Ｎｉ粉末に対して添加される金属アルコキ
シド成分の量は、Ｎｉ粉末のサイズ、材質、用途による
が、通常、還元可能なＮｉ塩のＮｉ１００ｍｏｌ（モ
ル）に対し、０．０５ｍｏｌから３０ｍｏｌまでが好ま
しい。また、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して、０．２ｍｏｌ
から５ｍｏｌの範囲がより好ましい。下限０．０５ｍｏ
ｌ未満では、Ｎｉ粉末の外部への金属化合物の析出が少
なく十分な焼結抑制効果が得られない。また３０ｍｏｌ
を超えると、セラミックの電気特性や焼結性への影響お
よび信頼性の点で不具合が発生する。
シド成分の量は、Ｎｉ粉末のサイズ、材質、用途による
が、通常、還元可能なＮｉ塩のＮｉ１００ｍｏｌ（モ
ル）に対し、０．０５ｍｏｌから３０ｍｏｌまでが好ま
しい。また、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して、０．２ｍｏｌ
から５ｍｏｌの範囲がより好ましい。下限０．０５ｍｏ
ｌ未満では、Ｎｉ粉末の外部への金属化合物の析出が少
なく十分な焼結抑制効果が得られない。また３０ｍｏｌ
を超えると、セラミックの電気特性や焼結性への影響お
よび信頼性の点で不具合が発生する。
【００２５】また、この発明はこのようなＮｉ粉末を含
有するＮｉペースト（導電性ペースト）にも向けられ
る。このＮｉペーストは、好ましくは、積層セラミック
電子部品の内部導体を形成するために用いられる。ま
た、この発明はこのような金属粉末を含有するＮｉペー
ストを用いた積層セラミック電子部品に向けられる。こ
の様にして作製したＮｉ粉末をＮｉペーストにし、積層
セラミック電子部品に用いることにより、本発明は実用
に供される。
有するＮｉペースト（導電性ペースト）にも向けられ
る。このＮｉペーストは、好ましくは、積層セラミック
電子部品の内部導体を形成するために用いられる。ま
た、この発明はこのような金属粉末を含有するＮｉペー
ストを用いた積層セラミック電子部品に向けられる。こ
の様にして作製したＮｉ粉末をＮｉペーストにし、積層
セラミック電子部品に用いることにより、本発明は実用
に供される。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明のＮｉ粉末の製造方法で
は、一度の反応でＮｉの還元反応と金属アルコキシド化
合物の加水分解を同時に行い、還元されたＮｉ粒子と加
水分解した金属化合物がＮｉ粉末中に均一に複合混在し
た状態で得られる。
は、一度の反応でＮｉの還元反応と金属アルコキシド化
合物の加水分解を同時に行い、還元されたＮｉ粒子と加
水分解した金属化合物がＮｉ粉末中に均一に複合混在し
た状態で得られる。
【００２７】従来のように、表面のみをコートした金属
粉末と異なり、本発明は、金属化合物がＮｉ粒子内外に
混在することで、Ｎｉ粉末同士の接触だけでなくＮｉ粒
子中での金属の移動を妨げることで、Ｎｉ粉末の急峻な
焼結を阻害して、焼結抑制されたＮｉ粉末の製造方法お
よびその方法によって得られたＮｉ粉末を要旨とするも
のである。以下、実施例にしたがって本発明の実施の形
態を示す。
粉末と異なり、本発明は、金属化合物がＮｉ粒子内外に
混在することで、Ｎｉ粉末同士の接触だけでなくＮｉ粒
子中での金属の移動を妨げることで、Ｎｉ粉末の急峻な
焼結を阻害して、焼結抑制されたＮｉ粉末の製造方法お
よびその方法によって得られたＮｉ粉末を要旨とするも
のである。以下、実施例にしたがって本発明の実施の形
態を示す。
【００２８】実施例及び比較例によって本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
【００２９】（実施例１）塩化ニッケル六水和物４５ｇ
と、塩化銅（Ｉ）０．００２５４ｇとをエタノール１５
０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し０．００２ｍ
ｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、２．００
ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０ｍｏｌのＴｉとなる
ようにチタンテトライソプロポキシドをそれぞれ混合し
た金属塩溶液、1-a 、1-b 、1-c 、1-d 、1-e 、1-f を
作製した。また、同様の比率でそれぞれ調整した溶液1-
g 、1-h 、1-i 、1-j 、1-k 、1-l をもう一組作製し
た。
と、塩化銅（Ｉ）０．００２５４ｇとをエタノール１５
０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し０．００２ｍ
ｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、２．００
ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０ｍｏｌのＴｉとなる
ようにチタンテトライソプロポキシドをそれぞれ混合し
た金属塩溶液、1-a 、1-b 、1-c 、1-d 、1-e 、1-f を
作製した。また、同様の比率でそれぞれ調整した溶液1-
g 、1-h 、1-i 、1-j 、1-k 、1-l をもう一組作製し
た。
【００３０】水酸化ナトリウム２２．５ｇと、抱水ヒド
ラジン（還元剤）９０ｇとをエタノール３０ｇとイオン
交換水３０ｇとに混合溶解した溶液に対し、水酸化バリ
ウムを０．００２ｍｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０
６ｍｏｌ、２．００ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０
ｍｏｌそれぞれ添加した還元剤溶液2-a 、2-b 、2-c、2
-d 、2-e 、2-f を作製した。
ラジン（還元剤）９０ｇとをエタノール３０ｇとイオン
交換水３０ｇとに混合溶解した溶液に対し、水酸化バリ
ウムを０．００２ｍｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０
６ｍｏｌ、２．００ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０
ｍｏｌそれぞれ添加した還元剤溶液2-a 、2-b 、2-c、2
-d 、2-e 、2-f を作製した。
【００３１】また、同様の調合比で水酸化バリウムを添
加しない還元剤溶液2-g 、2-h 、2-i 、2-j 、2-k 、2-
l を作製し、これらと対になる溶液3-g 、3-h 、3-i 、
3-j、3-k 、3-l を作製した。溶液3-g 、3-h 、3-i 、3
-j 、3-k 、3-l は、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して、０．
００２ｍｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、
２．００ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０ｍｏｌのＢ
ａとなるようにバリウムイソプロポキシドをそれぞれエ
タノール１０ｇに溶解したものである。
加しない還元剤溶液2-g 、2-h 、2-i 、2-j 、2-k 、2-
l を作製し、これらと対になる溶液3-g 、3-h 、3-i 、
3-j、3-k 、3-l を作製した。溶液3-g 、3-h 、3-i 、3
-j 、3-k 、3-l は、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して、０．
００２ｍｏｌ、０．０１０ｍｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、
２．００ｍｏｌ、６．１８ｍｏｌ、１０．０ｍｏｌのＢ
ａとなるようにバリウムイソプロポキシドをそれぞれエ
タノール１０ｇに溶解したものである。
【００３２】還元溶液及び金属塩溶液の両方の液温を４
２℃に調整し、還元溶液2-a 〜2-fを回転数３５０ｒｐ
ｍの攪拌羽で攪拌しつつ、その中にアルファベットによ
り対応する金属塩溶液1-a 〜1-f を１００ｍｌ／分で投
入し、液相にて、それぞれ共析させた。また、同様にし
て、還元剤溶液2-g 〜2-l に対し、アルファベットによ
り対応する原料塩溶液1-g 〜1-l と溶液3-g 〜3-l とを
それぞれ投入し、液相にて、それぞれ共析させた。
２℃に調整し、還元溶液2-a 〜2-fを回転数３５０ｒｐ
ｍの攪拌羽で攪拌しつつ、その中にアルファベットによ
り対応する金属塩溶液1-a 〜1-f を１００ｍｌ／分で投
入し、液相にて、それぞれ共析させた。また、同様にし
て、還元剤溶液2-g 〜2-l に対し、アルファベットによ
り対応する原料塩溶液1-g 〜1-l と溶液3-g 〜3-l とを
それぞれ投入し、液相にて、それぞれ共析させた。
【００３３】投入完了後、６０℃まで加熱し十分に反応
が進行するまで約９０分回転数３５０ｒｐｍで攪拌を継
続した。共析による金属粉末（Ｎｉ粉末）生成後、分離
・回収し純水で洗浄した後、アセトンで洗浄しオーブン
中で乾燥した。このようにして得られた金属粉末を走査
型電子顕微鏡で観察したところ粒径８０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの金属粉末が得られた。粉末Ｘ線回折法による分析か
ら、金属ＮｉとＡＢＯ 3 型化合物であるチタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3 ）の生成が確認された。結晶子径は１
０ｎｍ〜２０ｎｍ程度であった。
が進行するまで約９０分回転数３５０ｒｐｍで攪拌を継
続した。共析による金属粉末（Ｎｉ粉末）生成後、分離
・回収し純水で洗浄した後、アセトンで洗浄しオーブン
中で乾燥した。このようにして得られた金属粉末を走査
型電子顕微鏡で観察したところ粒径８０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの金属粉末が得られた。粉末Ｘ線回折法による分析か
ら、金属ＮｉとＡＢＯ 3 型化合物であるチタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3 ）の生成が確認された。結晶子径は１
０ｎｍ〜２０ｎｍ程度であった。
【００３４】そして、これらのＮｉ粉末をペースト化し
て用いてなる内部電極層を有する積層セラミックコンデ
ンサ（積層セラミック電子部品）の素体となる積層体を
作製し、上記内部電極層やセラミック層の状況に基づ
き、用いたＮｉ粉末の評価を行った。
て用いてなる内部電極層を有する積層セラミックコンデ
ンサ（積層セラミック電子部品）の素体となる積層体を
作製し、上記内部電極層やセラミック層の状況に基づ
き、用いたＮｉ粉末の評価を行った。
【００３５】まず、これらＮｉ粉末５０ｗｔ％に対し
て、エチルセルロース系バインダ１０ｗｔ％をテルピネ
オール９０ｗｔ％に溶解して作製した有機ビヒクル４０
ｗｔ％とテルピネオール１０ｗｔ％とを加えて、３本ロ
ールミルにより入念に分散混合処理を行なうことによっ
て、良好に分散した金属粉末を含有する導電性ペースト
（ニッケルペースト）を調製した。
て、エチルセルロース系バインダ１０ｗｔ％をテルピネ
オール９０ｗｔ％に溶解して作製した有機ビヒクル４０
ｗｔ％とテルピネオール１０ｗｔ％とを加えて、３本ロ
ールミルにより入念に分散混合処理を行なうことによっ
て、良好に分散した金属粉末を含有する導電性ペースト
（ニッケルペースト）を調製した。
【００３６】この導電性ペーストを、ＢａＴｉＯ3 を主
成分とする２．１μｍの厚みのセラミックグリーンシー
ト上にスクリーン印刷し、内部電極層となる導電性ペー
スト膜を形成した。このとき、導電性ペースト膜の乾燥
後の厚みは、１．０μｍとした。
成分とする２．１μｍの厚みのセラミックグリーンシー
ト上にスクリーン印刷し、内部電極層となる導電性ペー
スト膜を形成した。このとき、導電性ペースト膜の乾燥
後の厚みは、１．０μｍとした。
【００３７】次に、内部電極層となる導電性ペースト膜
を形成したセラミックグリーンシートを、複数、互いに
積層し、プレスして一体化した。続いて、プレス体を所
定の寸法にカットして生チップを得た。
を形成したセラミックグリーンシートを、複数、互いに
積層し、プレスして一体化した。続いて、プレス体を所
定の寸法にカットして生チップを得た。
【００３８】この生チップを、Ｎ2 雰囲気中にて加熱
し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧は４×１０-12
ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気
中において、１３００℃を最高焼成温度とするプロファ
イルで焼成し、積層セラミックコンデンサの素体となる
各試料ａ〜ｌをそれぞれ得た。有効誘電体セラミック層
の総数は２００であり、１層当たりの対向電極の面積は
１５．１×１０-6ｍ2 であった。
し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧は４×１０-12
ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気
中において、１３００℃を最高焼成温度とするプロファ
イルで焼成し、積層セラミックコンデンサの素体となる
各試料ａ〜ｌをそれぞれ得た。有効誘電体セラミック層
の総数は２００であり、１層当たりの対向電極の面積は
１５．１×１０-6ｍ2 であった。
【００３９】作製したａ）〜ｌ）の各試料を、それぞれ
１００個ずつ樹脂に埋めて断面研磨面を行い、走査型電
子顕微鏡で上記断面を観察し、内部電極層やセラミック
層のクラックの発生状況を調べた。表１にクラックの発
生状況を示す。
１００個ずつ樹脂に埋めて断面研磨面を行い、走査型電
子顕微鏡で上記断面を観察し、内部電極層やセラミック
層のクラックの発生状況を調べた。表１にクラックの発
生状況を示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】（実施例２）共析物として、Ａｌ2 Ｏ3 を
用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエ
タノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
て１．２ｍｏｌのＡｌ2 Ｏ3 が得られようにアルミニウ
ムトリイソプロポキシドを溶解した。この溶液を、水酸
化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイ
オン交換水６０ｇを混合した溶液と実施例１と同様の要
領で混合し、反応させ、粒子径１５０ｎｍ、結晶子径３
８ｎｍのＮｉ−Ａｌ2 Ｏ3 共析粉末を得た。
用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエ
タノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
て１．２ｍｏｌのＡｌ2 Ｏ3 が得られようにアルミニウ
ムトリイソプロポキシドを溶解した。この溶液を、水酸
化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイ
オン交換水６０ｇを混合した溶液と実施例１と同様の要
領で混合し、反応させ、粒子径１５０ｎｍ、結晶子径３
８ｎｍのＮｉ−Ａｌ2 Ｏ3 共析粉末を得た。
【００４２】次に、実施例１と同様の方法で導電性ペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表２にクラックなどの発生状況を示
す。
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表２にクラックなどの発生状況を示
す。
【００４３】
【表２】
【００４４】（実施例３）共析物として、Ｆｅ2 Ｏ3 を
用いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノー
ル１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３．５
ｍｏｌのＦｅ2 Ｏ 3 が得られるように鉄トリイソプロポ
キシドを添加した。この溶液を、水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径１５０ｎｍ、結晶子径３８ｎｍのＮｉ−Ｆｅ2 Ｏ3
共析粉末を得た。その後、実施例１と同様の方法でペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成、クラック発生
率を求めた。表３にクラックなどの発生状況を示す。
用いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノー
ル１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３．５
ｍｏｌのＦｅ2 Ｏ 3 が得られるように鉄トリイソプロポ
キシドを添加した。この溶液を、水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径１５０ｎｍ、結晶子径３８ｎｍのＮｉ−Ｆｅ2 Ｏ3
共析粉末を得た。その後、実施例１と同様の方法でペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成、クラック発生
率を求めた。表３にクラックなどの発生状況を示す。
【００４５】
【表３】
【００４６】（実施例４）共析物として、Ｃｏ2 Ｏ3 を
用いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノー
ル１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し４．０
ｍｏｌのＣｏ2 Ｏ 3 が得られるようにＣｏジイソプロポ
キシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ，イオン交換水６０ｇを混
合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径１
５０ｎｍ、結晶子径３８ｎｍのＮｉ−Ｃｏ2 Ｏ3 共析粉
末を得た。表４にクラックなどの発生状況を示す。
用いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノー
ル１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し４．０
ｍｏｌのＣｏ2 Ｏ 3 が得られるようにＣｏジイソプロポ
キシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ，イオン交換水６０ｇを混
合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径１
５０ｎｍ、結晶子径３８ｎｍのＮｉ−Ｃｏ2 Ｏ3 共析粉
末を得た。表４にクラックなどの発生状況を示す。
【００４７】
【表４】
【００４８】（実施例５）共析物として、ＴｉＯ2 を用
いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノール
１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し２ｍｏｌ
のＴｉＯ2 が得られるようにテトラチタンイソプロポキ
シドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５
ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混
合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径２
００ｎｍ、結晶子径４８ｎｍのＮｉ−ＴｉＯ2 共析粉末
を得た。その後、実施例１と同様の方法で導電性ペース
ト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック発
生率を求めた。表５にクラックなどの発生状況を示す。
いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノール
１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し２ｍｏｌ
のＴｉＯ2 が得られるようにテトラチタンイソプロポキ
シドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５
ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混
合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径２
００ｎｍ、結晶子径４８ｎｍのＮｉ−ＴｉＯ2 共析粉末
を得た。その後、実施例１と同様の方法で導電性ペース
ト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック発
生率を求めた。表５にクラックなどの発生状況を示す。
【００４９】
【表５】
【００５０】（実施例６）共析物として、ＺｒＯ2 を用
いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノール
１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し１．５ｍ
ｏｌのＺｒＯ2 が得られるようにｎ−テトラブトキシジ
ルコニウムを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径５０ｎｍ、結晶子径１７ｎｍのＮｉ−ＺｒＯ2 共析
粉末を得た。
いた例を以下に示す。塩化ニッケル４５ｇをエタノール
１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し１．５ｍ
ｏｌのＺｒＯ2 が得られるようにｎ−テトラブトキシジ
ルコニウムを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径５０ｎｍ、結晶子径１７ｎｍのＮｉ−ＺｒＯ2 共析
粉末を得た。
【００５１】この粉末を、実施例１と同様の方法で導電
性ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、ク
ラック発生率を求めた。表６にクラックなどの発生状況
を示す。
性ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、ク
ラック発生率を求めた。表６にクラックなどの発生状況
を示す。
【００５２】
【表６】
【００５３】（実施例７）共析物として、ＳｉＯ2 を用
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３
ｍｏｌのＳｉＯ2が得られるように珪酸エテルを溶解し
た。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒド
ラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混合した溶液と
を混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径１００ｎｍ、
結晶子径２５ｎｍのＮｉ−ＳｉＯ2共析粉末を得た。こ
の粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペースト、積
層セラミックコンデンサを作成して、クラック発生率を
求めた。表７にクラックなどの発生状況を示す。
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３
ｍｏｌのＳｉＯ2が得られるように珪酸エテルを溶解し
た。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒド
ラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混合した溶液と
を混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径１００ｎｍ、
結晶子径２５ｎｍのＮｉ−ＳｉＯ2共析粉末を得た。こ
の粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペースト、積
層セラミックコンデンサを作成して、クラック発生率を
求めた。表７にクラックなどの発生状況を示す。
【００５４】
【表７】
【００５５】（実施例８）共析物として、Ｙ2 Ｏ3 を用
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
２．５ｍｏｌのＹ2Ｏ3 が得られるようにイットリウム
イソプロポキシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリ
ウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換
水６０ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置
し、粒子径８０ｎｍ、結晶子径２０ｎｍのＮｉ−Ｙ2 Ｏ
3 共析粉末を得た。表８にクラックなどの発生状況を示
す。
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
２．５ｍｏｌのＹ2Ｏ3 が得られるようにイットリウム
イソプロポキシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリ
ウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換
水６０ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置
し、粒子径８０ｎｍ、結晶子径２０ｎｍのＮｉ−Ｙ2 Ｏ
3 共析粉末を得た。表８にクラックなどの発生状況を示
す。
【００５６】
【表８】
【００５７】（実施例９）共析物として、ＢａＯを用い
た例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタノ
ール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し１．
５ｍｏｌのＢａＯが得られようにバリウムジイソプロポ
キシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを
混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径
８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＢａＯ共析粉末を
得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表９にクラックなどの発生状況を示
す。
た例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタノ
ール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し１．
５ｍｏｌのＢａＯが得られようにバリウムジイソプロポ
キシドを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを
混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径
８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＢａＯ共析粉末を
得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表９にクラックなどの発生状況を示
す。
【００５８】
【表９】
【００５９】（実施例１０）共析物として、ＢａＡｌ2
Ｏ4 を用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５
ｇをエタノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌ
に対し、３ｍｏｌのＢａとなるようにバリウムジイソプ
ロポキシドを溶解し、６ｍｏｌのＡｌとなるようにアル
ミニウムトリイソプロポキシドを溶解した。この溶液を
水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及
びイオン交換水６０ｇを混合した溶液と混合し、６０℃
で１時間放置し、粒子径８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍ
の．Ｎｉ−ＢａＡｌ2 Ｏ4 共析粉末を得た。この粉末
を、実施例１と同様な方法で導電性ペースト、積層セラ
ミックコンデンサを作成して、クラック発生率を求め
た。表１０にクラックなどの発生状況を示す。
Ｏ4 を用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５
ｇをエタノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌ
に対し、３ｍｏｌのＢａとなるようにバリウムジイソプ
ロポキシドを溶解し、６ｍｏｌのＡｌとなるようにアル
ミニウムトリイソプロポキシドを溶解した。この溶液を
水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及
びイオン交換水６０ｇを混合した溶液と混合し、６０℃
で１時間放置し、粒子径８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍ
の．Ｎｉ−ＢａＡｌ2 Ｏ4 共析粉末を得た。この粉末
を、実施例１と同様な方法で導電性ペースト、積層セラ
ミックコンデンサを作成して、クラック発生率を求め
た。表１０にクラックなどの発生状況を示す。
【００６０】
【表１０】
【００６１】（実施例１１）共析物として、ＮｂＯ2 を
用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエ
タノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
３．５ｍｏｌのＮｂＯ2 が得られるようにぺンタエトキ
シニオブを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＮｂＯ2 共析
粉末を得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電
性ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、ク
ラック発生率を求めた。表１１にクラックなどの発生状
況を示す。
用いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエ
タノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し
３．５ｍｏｌのＮｂＯ2 が得られるようにぺンタエトキ
シニオブを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２
２．５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０
ｇを混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒
子径８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＮｂＯ2 共析
粉末を得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電
性ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、ク
ラック発生率を求めた。表１１にクラックなどの発生状
況を示す。
【００６２】
【表１１】
【００６３】（実施例１２）共析物として、ＷＯ2 を用
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３
ｍｏｌのＷＯ2 が得られるようにペンタエトキシタング
ステンを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを
混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径
８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＷＯ2 共析粉末を
得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表１２にクラックなどの発生状況を示
す。
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し３
ｍｏｌのＷＯ2 が得られるようにペンタエトキシタング
ステンを溶解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．
５ｇ、抱水ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを
混合した溶液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径
８０ｎｍ、結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＷＯ2 共析粉末を
得た。この粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペー
スト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラック
発生率を求めた。表１２にクラックなどの発生状況を示
す。
【００６４】
【表１２】
【００６５】（実施例１３）共析物として、ＭｎＯを用
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し２
ｍｏｌのＭｎＯが得られるようにヱトキシマンガンを溶
解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水
ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混合した溶
液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径８０ｎｍ、
結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＭｎＯ共析粉末を得た。この
粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペースト、積層
セラミックコンデンサを作成して、クラック発生率を求
めた。表１３にクラックなどの発生状況を示す。
いた例を以下に示す。まず、塩化ニッケル４５ｇをエタ
ノール１５０ｍｌに溶解し、Ｎｉ１００ｍｏｌに対し２
ｍｏｌのＭｎＯが得られるようにヱトキシマンガンを溶
解した。この溶液を水酸化ナトリウム２２．５ｇ、抱水
ヒドラジン９０ｇ及びイオン交換水６０ｇを混合した溶
液と混合し、６０℃で１時間放置し、粒子径８０ｎｍ、
結晶子径１９ｎｍのＮｉ−ＭｎＯ共析粉末を得た。この
粉末を、実施例１と同様の方法で導電性ペースト、積層
セラミックコンデンサを作成して、クラック発生率を求
めた。表１３にクラックなどの発生状況を示す。
【００６６】
【表１３】
【００６７】（実施例１４）実施例１と同様の方法で、
Ｎｉ１００ｍｏｌに対しＡｌ2 Ｏ3 換算で０．０１０ｍ
ｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、２．００ｍｏｌ、６，１８ｍ
ｏｌ、１０．０ｍｏｌのＮｉ−Ａｌ2 Ｏ3 共析粉末14-a
〜14-eを得た。これに、実施例１と同様の方法で導電性
ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラ
ック発生率を求めた。表１４にクラックなどの発生状況
を示す。
Ｎｉ１００ｍｏｌに対しＡｌ2 Ｏ3 換算で０．０１０ｍ
ｏｌ、０．２０６ｍｏｌ、２．００ｍｏｌ、６，１８ｍ
ｏｌ、１０．０ｍｏｌのＮｉ−Ａｌ2 Ｏ3 共析粉末14-a
〜14-eを得た。これに、実施例１と同様の方法で導電性
ペースト、積層セラミックコンデンサを作成して、クラ
ック発生率を求めた。表１４にクラックなどの発生状況
を示す。
【００６８】
【表１４】
【００６９】（比較例１）平均粒子径１００ｎｍのＮｉ
粉末を、特に処理せずに、実施例１と同様の方法でペー
スト化し、積層セラミックコンデンサでの評価を行っ
た。結果を表１５に示す。
粉末を、特に処理せずに、実施例１と同様の方法でペー
スト化し、積層セラミックコンデンサでの評価を行っ
た。結果を表１５に示す。
【００７０】（比較例２）平均粒子径１００ｎｍのＮｉ
粉末を２００℃のオーブン内に２時間放置し、Ｎｉ表面
を酸化させた。ＸＰＳ解析より表面からＮｉ金属が検出
されないことを確認した。実施例１と同様の方法でペー
スト化し、積層セラミックコンデンサでの評価を行っ
た。結果を表１５に示す。
粉末を２００℃のオーブン内に２時間放置し、Ｎｉ表面
を酸化させた。ＸＰＳ解析より表面からＮｉ金属が検出
されないことを確認した。実施例１と同様の方法でペー
スト化し、積層セラミックコンデンサでの評価を行っ
た。結果を表１５に示す。
【００７１】（比較例３）平均粒子径１００ｎｍのＮｉ
粉末に、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して３．５ｍｏｌのＡｌ
2 Ｏ3 をコートし、実施例１と同様の方法でペースト化
し，積層セラミックコンデンサでの評価を行った。結果
を表１５に示す。
粉末に、Ｎｉ１００ｍｏｌに対して３．５ｍｏｌのＡｌ
2 Ｏ3 をコートし、実施例１と同様の方法でペースト化
し，積層セラミックコンデンサでの評価を行った。結果
を表１５に示す。
【００７２】以上、実施例１〜１４、比較例１〜３から
明らかなように、本発明の実施例１〜１４は、それを用
いた積層セラミックコンデンサにおいて、クラック発生
を抑制できるものであることが判る。
明らかなように、本発明の実施例１〜１４は、それを用
いた積層セラミックコンデンサにおいて、クラック発生
を抑制できるものであることが判る。
【００７３】次に、上記積層セラミックコンデンサの構
造について説明する。図１に示すように、上記積層セラ
ミックコンデンサ１１は、略直方体型であり、セラミッ
ク積層体１２と、複数の各内部電極１３…と、一対の各
端子電極１４、１４と、一対の各めっき膜１５、１５と
を有している。
造について説明する。図１に示すように、上記積層セラ
ミックコンデンサ１１は、略直方体型であり、セラミッ
ク積層体１２と、複数の各内部電極１３…と、一対の各
端子電極１４、１４と、一対の各めっき膜１５、１５と
を有している。
【００７４】セラミック積層体１２は、例えばＢａＴｉ
Ｏ3 を主成分とする誘電体材料からなるセラミック層１
２ａが複数積層された生のセラミック積層体が焼成され
てなっている。
Ｏ3 を主成分とする誘電体材料からなるセラミック層１
２ａが複数積層された生のセラミック積層体が焼成され
てなっている。
【００７５】各内部電極１３・１３は、セラミック積層
体１２内の各セラミック層１２ａ・１２ａ間にあって、
焼成前の複数のセラミックグリーンシート上に本発明の
ニッケルペーストが印刷され、各セラミックグリーンシ
ートと共に積層されてなる生チップと同時に焼成されて
形成されている。また、各内部電極１３…のそれぞれの
端縁は、セラミック積層体１２の何れかの端面に露出し
ている。
体１２内の各セラミック層１２ａ・１２ａ間にあって、
焼成前の複数のセラミックグリーンシート上に本発明の
ニッケルペーストが印刷され、各セラミックグリーンシ
ートと共に積層されてなる生チップと同時に焼成されて
形成されている。また、各内部電極１３…のそれぞれの
端縁は、セラミック積層体１２の何れかの端面に露出し
ている。
【００７６】各端子電極１４、１４は、セラミック積層
体１２の端面に露出した各内部電極１３…の一端と電気
的かつ機械的に接合されるように、端子電極形成用の導
電性ペーストがセラミック積層体１２の端面に塗布され
焼き付けられている。各めっき膜１５、１５は、例え
ば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっきや、はんだめっき等か
らなり、各端子電極１４、１４上に少なくとも１層それ
ぞれ形成されている。
体１２の端面に露出した各内部電極１３…の一端と電気
的かつ機械的に接合されるように、端子電極形成用の導
電性ペーストがセラミック積層体１２の端面に塗布され
焼き付けられている。各めっき膜１５、１５は、例え
ば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっきや、はんだめっき等か
らなり、各端子電極１４、１４上に少なくとも１層それ
ぞれ形成されている。
【００７７】なお、上記セラミック積層体１２の材料
は、上述に限定されることはなく、例えば、ＰｂＺｒＯ
3 等その他の誘電体材料や、絶縁体、磁性体、半導体材
料からなっても構わない。
は、上述に限定されることはなく、例えば、ＰｂＺｒＯ
3 等その他の誘電体材料や、絶縁体、磁性体、半導体材
料からなっても構わない。
【００７８】また、上記各内部電極１３…の枚数は、上
述に限定されることはなく、何層形成されていても構わ
ない。また、端子電極１４の形成位置ならびに個数は、
上述に限定されるものではない。また、めっき膜１５、
１５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成
されていても構わない。
述に限定されることはなく、何層形成されていても構わ
ない。また、端子電極１４の形成位置ならびに個数は、
上述に限定されるものではない。また、めっき膜１５、
１５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成
されていても構わない。
【００７９】
【表１５】
【００８０】
【発明の効果】本発明に係るＮｉ粉末を用いて作製した
Ｎｉペーストは、粒径が小さく薄層化を図るのに効果が
あり、また焼結収縮が抑制されるので積層セラミック電
子部品等のセラミックス層と同時に焼成を行う際、セラ
ミック層の焼結収縮に近づくので、クラック等の構造的
な不良の発現を防止できる効果を奏する。
Ｎｉペーストは、粒径が小さく薄層化を図るのに効果が
あり、また焼結収縮が抑制されるので積層セラミック電
子部品等のセラミックス層と同時に焼成を行う際、セラ
ミック層の焼結収縮に近づくので、クラック等の構造的
な不良の発現を防止できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層セラミック電子部品としての
積層セラミックコンデンサの断面図である。
積層セラミックコンデンサの断面図である。
１１ 積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電
子部品） １２ セラミック積層体 １３ 内部電極
子部品） １２ セラミック積層体 １３ 内部電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K017 AA06 BA03 BB17 DA01 DA08
EJ01 EJ02
4K020 AA21 AC06 BA05 BA06 BB29
5E001 AB03 AC09 AH01 AH09 AJ01
Claims (8)
- 【請求項１】ニッケルを主成分とする金属であるニッケ
ル基金属と金属酸化物または金属複合酸化物とを液相反
応により粉末として共析出させることを特徴とするニッ
ケル粉末の製造方法。 - 【請求項２】少なくとも還元剤溶液とニッケル塩溶液お
よび金属アルコキシド化合物を含む溶液とを混合し、ニ
ッケルイオンの還元反応と金属アルコキシド化合物の加
水分解反応とを進行させて、共析出させることを特徴と
する請求項１記載のニッケル粉末の製造方法。 - 【請求項３】金属アルコキシド化合物として、アルカリ
土類金属、ランタノイド系希土類元素、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ、Ｙ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉのうち少な
くとも一種を含むことを特徴とする請求項２記載のニッ
ケル粉末の製造方法。 - 【請求項４】金属複合酸化物が、ペロブスカイト型また
はスピネル型であることを特徴とする請求項１ないし３
の何れか１項に記載のニッケル粉末の製造方法。 - 【請求項５】共析出させたニッケル粉末中の金属酸化物
または金属複合酸化物の割合が、ニッケル１００モルに
対し０．０５モル〜３０モルであることを特徴とする請
求項１ないし４の何れか１項に記載のニッケル粉末の製
造方法。 - 【請求項６】請求項１ないし５の何れか１項に記載のニ
ッケル粉末の製造方法にて得られたことを特徴とするニ
ッケル粉末。 - 【請求項７】請求項６記載のニッケル粉末と、有機ビヒ
クルとを含有することを特徴とするニッケルペースト。 - 【請求項８】互いに積層された、複数のセラミックス層
と、 各セラミックス層の間に設けられた、請求項７記載のニ
ッケルペーストの焼結体とを備えていることを特徴とす
る積層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328262A JP3772726B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、ニッケルペースト、積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328262A JP3772726B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、ニッケルペースト、積層セラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003129116A true JP2003129116A (ja) | 2003-05-08 |
| JP3772726B2 JP3772726B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=19144355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001328262A Expired - Fee Related JP3772726B2 (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | ニッケル粉末の製造方法、ニッケル粉末、ニッケルペースト、積層セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3772726B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063653A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 誘電体粒子含有ニッケル粒子及びその誘電体粒子含有ニッケル粒子の製造方法 |
| JP2014136826A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル微粒子及びその製造方法 |
| JP2017005021A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US12073996B2 (en) | 2021-03-01 | 2024-08-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device, powder material, paste material, and manufacturing method of ceramic electronic device |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001328262A patent/JP3772726B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014136826A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 複合ニッケル微粒子及びその製造方法 |
| JP2017005021A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US12073996B2 (en) | 2021-03-01 | 2024-08-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device, powder material, paste material, and manufacturing method of ceramic electronic device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3772726B2 (ja) | 2006-05-10 |
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