JP2003123534A - 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品 - Google Patents
導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品Info
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- JP2003123534A JP2003123534A JP2001314426A JP2001314426A JP2003123534A JP 2003123534 A JP2003123534 A JP 2003123534A JP 2001314426 A JP2001314426 A JP 2001314426A JP 2001314426 A JP2001314426 A JP 2001314426A JP 2003123534 A JP2003123534 A JP 2003123534A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックグリーンシートと同時に焼成して
も、ビアホール部にクラックなどの構造欠陥が発生する
ことを抑制できる多層セラミック電子部品用導電性ペー
ストを提供する。 【解決手段】 導電性粉末と、導電性粉末を分散して保
持する有機ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平
均粒径が３μｍ〜２０μｍであり、最大粒径が１００μ
ｍ以下である、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％
を超えるＮｉ−卑金属合金粉末である。
も、ビアホール部にクラックなどの構造欠陥が発生する
ことを抑制できる多層セラミック電子部品用導電性ペー
ストを提供する。 【解決手段】 導電性粉末と、導電性粉末を分散して保
持する有機ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平
均粒径が３μｍ〜２０μｍであり、最大粒径が１００μ
ｍ以下である、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％
を超えるＮｉ−卑金属合金粉末である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層セラミック電
子部品用の導電性ペーストに関し、さらに詳しくは、セ
ラミックグリーンシートに形成されたビアホール部へ充
填して層間導電体部を形成し、セラミックグリーンシー
トと同時に焼成しても、クラックなどの構造欠陥が抑制
される多層セラミック電子部品を提供できる導電性ペー
ストに関するものである。
子部品用の導電性ペーストに関し、さらに詳しくは、セ
ラミックグリーンシートに形成されたビアホール部へ充
填して層間導電体部を形成し、セラミックグリーンシー
トと同時に焼成しても、クラックなどの構造欠陥が抑制
される多層セラミック電子部品を提供できる導電性ペー
ストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層セラミック電子部品は以下に
示すように製造されている。まず、セラミックグリーン
シートにパンチングまたはレーザー加工等により、セラ
ミックグリーンシートの厚さ方向にビアホール部を形成
し、このビアホール部に導電性ペーストを充填する。こ
のセラミックグリーンシート上に前工程で形成したビア
ホール部に充填した導電性ペーストと電気的に接続する
ように内部配線パターンを形成する。同様に内部配線パ
ターンを形成しつつ、グリーンシートを複数枚積層した
後に一括して導電性ペーストを焼成して、層間導電体部
を形成することにより、多層セラミック電子部品を製造
する。
示すように製造されている。まず、セラミックグリーン
シートにパンチングまたはレーザー加工等により、セラ
ミックグリーンシートの厚さ方向にビアホール部を形成
し、このビアホール部に導電性ペーストを充填する。こ
のセラミックグリーンシート上に前工程で形成したビア
ホール部に充填した導電性ペーストと電気的に接続する
ように内部配線パターンを形成する。同様に内部配線パ
ターンを形成しつつ、グリーンシートを複数枚積層した
後に一括して導電性ペーストを焼成して、層間導電体部
を形成することにより、多層セラミック電子部品を製造
する。
【０００３】上記導電性ペーストには、従来Ａｇ系ペー
ストが主に使用されてきたが、Ａｇ系ペーストはマイグ
レーションが発生し易いため、製造される多層セラミッ
ク電子部品における信頼性が低下するという問題があっ
た。そこで、現在ではマイグレーションの発生しにくい
Ｎｉ系ペーストが使用される傾向にある。
ストが主に使用されてきたが、Ａｇ系ペーストはマイグ
レーションが発生し易いため、製造される多層セラミッ
ク電子部品における信頼性が低下するという問題があっ
た。そこで、現在ではマイグレーションの発生しにくい
Ｎｉ系ペーストが使用される傾向にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように製造される多層セラミック電子部品は、図２に示
すように、セラミック層１２におけるビアホール部１４
の周辺部１２ａにクラックなどの構造欠陥が発生するた
め、多層セラミック電子部品としての信頼性を損なうと
いう問題がしばしば生じる。この構造欠陥の発生は、焼
成時の収縮率の異なる材料であるセラミックグリーンシ
ートと導電性ペーストとを同時に焼成するため起こる現
象であり、導電性ペーストの収縮がセラミックグリーン
シートの収縮より早く起こる（導電性ペーストとセラミ
ックグリーンシートとの収縮率が異なる）ことに起因し
ている。
ように製造される多層セラミック電子部品は、図２に示
すように、セラミック層１２におけるビアホール部１４
の周辺部１２ａにクラックなどの構造欠陥が発生するた
め、多層セラミック電子部品としての信頼性を損なうと
いう問題がしばしば生じる。この構造欠陥の発生は、焼
成時の収縮率の異なる材料であるセラミックグリーンシ
ートと導電性ペーストとを同時に焼成するため起こる現
象であり、導電性ペーストの収縮がセラミックグリーン
シートの収縮より早く起こる（導電性ペーストとセラミ
ックグリーンシートとの収縮率が異なる）ことに起因し
ている。
【０００５】本発明は、上記従来の技術の問題点に対し
てなされたものであり、多層セラミック電子部品の製造
に用いられ、セラミックグリーンシートと同時に焼成し
ても、上記多層セラミック電子部品に構造欠陥が発生す
ることを抑制できる導電性ペーストを提供することを目
的とする。
てなされたものであり、多層セラミック電子部品の製造
に用いられ、セラミックグリーンシートと同時に焼成し
ても、上記多層セラミック電子部品に構造欠陥が発生す
ることを抑制できる導電性ペーストを提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
は、上記課題を解決するために、導電性粉末と、導電性
粉末を分散して保持する有機ビヒクルとを含有し、上記
導電性粉末は、平均粒径が３μｍ〜２０μｍであり、最
大粒径が１００μｍ以下である、Ｎｉ粉末またはＮｉ成
分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金粉末である
ことを特徴としている。
は、上記課題を解決するために、導電性粉末と、導電性
粉末を分散して保持する有機ビヒクルとを含有し、上記
導電性粉末は、平均粒径が３μｍ〜２０μｍであり、最
大粒径が１００μｍ以下である、Ｎｉ粉末またはＮｉ成
分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金粉末である
ことを特徴としている。
【０００７】多層セラミック電子部品は、例えばセラミ
ックグリーンシートのビアホール部に上記導電性ペース
トを充填して、上記セラミックグリーンシートを積層
し、そして、この積層したグリーンセラミックシートを
焼結して導電性ペーストを焼結することにより製造する
ことができる。
ックグリーンシートのビアホール部に上記導電性ペース
トを充填して、上記セラミックグリーンシートを積層
し、そして、この積層したグリーンセラミックシートを
焼結して導電性ペーストを焼結することにより製造する
ことができる。
【０００８】上記導電性ペーストを用いれば、セラミッ
クグリーンシートと同時に焼成しても、導電性ペースト
の収縮率をセラミックグリーンシートの収縮率に適応さ
せることが可能となる。そのため、ビアホール部にクラ
ックなどの構造欠陥が発生するのを抑制することができ
る。
クグリーンシートと同時に焼成しても、導電性ペースト
の収縮率をセラミックグリーンシートの収縮率に適応さ
せることが可能となる。そのため、ビアホール部にクラ
ックなどの構造欠陥が発生するのを抑制することができ
る。
【０００９】また、上記導電性粉末は、アトマイズ法に
より製造されたことが好ましい。
より製造されたことが好ましい。
【００１０】さらに、本発明の多層セラミック電子部品
は、複数の導体をセラミック層間に備える多層セラミッ
ク電子部品であって、セラミック層に形成されているビ
アホール部に充填された上記導電性ペーストの焼結体に
より、上記各導体が電気的に接続されていることを特徴
としている。この構成によれば、ビアホール部における
クラック等の構造欠陥が抑制された多層セラミック電子
部品を提供することができる。
は、複数の導体をセラミック層間に備える多層セラミッ
ク電子部品であって、セラミック層に形成されているビ
アホール部に充填された上記導電性ペーストの焼結体に
より、上記各導体が電気的に接続されていることを特徴
としている。この構成によれば、ビアホール部における
クラック等の構造欠陥が抑制された多層セラミック電子
部品を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明にかかる多層セラミック電
子部品の一例について、図１に基づいて説明すれば以下
の通りである。
子部品の一例について、図１に基づいて説明すれば以下
の通りである。
【００１２】図１に示すように、本発明の一例の多層セ
ラミック電子部品１は、複数のセラミック層２が互いに
それらの厚さ方向に積層されている構成である。各セラ
ミック層２・２間には、内部配線パターンに従って層状
導体３が設けられている。これら層状導体３・３は、各
セラミック層２に形成されているビアホール部（貫通
孔）２ａに充填された導電性ペーストを焼結した焼結体
である層間導電体部４により、電気的に接続されてい
る。上記ビアホール部２ａは、パンチングまたはレーザ
ー加工等によりセラミック層２に対し、その厚さ方向に
貫通するように形成される。上記多層セラミック電子部
品１では、これら層状導体３、層間導電体部４により内
部配線パターンが形成されている。
ラミック電子部品１は、複数のセラミック層２が互いに
それらの厚さ方向に積層されている構成である。各セラ
ミック層２・２間には、内部配線パターンに従って層状
導体３が設けられている。これら層状導体３・３は、各
セラミック層２に形成されているビアホール部（貫通
孔）２ａに充填された導電性ペーストを焼結した焼結体
である層間導電体部４により、電気的に接続されてい
る。上記ビアホール部２ａは、パンチングまたはレーザ
ー加工等によりセラミック層２に対し、その厚さ方向に
貫通するように形成される。上記多層セラミック電子部
品１では、これら層状導体３、層間導電体部４により内
部配線パターンが形成されている。
【００１３】上記導電性ペーストは、平均粒径が３μｍ
〜２０μｍであって、かつ、最大粒径が１００μｍ以下
である導電性粉末（金属粉末）を含み、この導電性粉末
が有機ビヒクルに分散されている構成である。この導電
性粉末は、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％を超
えるＮｉ−卑金属合金粉末を含んでいる。
〜２０μｍであって、かつ、最大粒径が１００μｍ以下
である導電性粉末（金属粉末）を含み、この導電性粉末
が有機ビヒクルに分散されている構成である。この導電
性粉末は、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％を超
えるＮｉ−卑金属合金粉末を含んでいる。
【００１４】上記のような特定粒径の導電性粉末を用い
ることにより、焼成時における導電性ペーストの収縮率
をセラミックグリーンシートの収縮率に近づけることが
可能となる。そのため、例えばセラミックグリーンシー
トに形成されているビアホール部２ａにおけるクラック
などの構造欠陥の発生を抑制することができる。つま
り、本発明の導電性ペーストは、特にセラミックグリー
ンシートのビアホール部２ａに充填して層間導電体部４
を形成するのに使用することが好ましい。従って、上記
導電性ペーストを使用することにより、構造欠陥のほと
んどない多層セラミック電子部品を作製することができ
る。
ることにより、焼成時における導電性ペーストの収縮率
をセラミックグリーンシートの収縮率に近づけることが
可能となる。そのため、例えばセラミックグリーンシー
トに形成されているビアホール部２ａにおけるクラック
などの構造欠陥の発生を抑制することができる。つま
り、本発明の導電性ペーストは、特にセラミックグリー
ンシートのビアホール部２ａに充填して層間導電体部４
を形成するのに使用することが好ましい。従って、上記
導電性ペーストを使用することにより、構造欠陥のほと
んどない多層セラミック電子部品を作製することができ
る。
【００１５】本発明の導電性粉末における粒径範囲とし
ては、平均粒径３μｍ〜２０μｍであり、かつ、最大粒
径が１００μｍ以下と規定している。この規定は、平均
粒径が３μｍより小さくなると、導電性粉末を含む導電
性ペーストとセラミックグリーンシートとを同時に焼成
した場合に、導電性ペーストとセラミックグリーンシー
トとの収縮率の差が大きいため、例えばビアホール部２
ａにクラックなどの構造欠陥が発生するからである。ま
た、平均粒径が２０μｍ以下、かつ、最大粒径が１００
μｍ以下と規定したのは、それより大きい導電性粉末
は、ペースト化する際に粉末がつぶれて箔状となり、充
填時にビアホール部２ａの途中に詰まってしまうため、
充填不良を起こすからである。上記充填不良とは、ビア
ホール部２ａに導電性ペーストを十分充填できないこと
をいう。
ては、平均粒径３μｍ〜２０μｍであり、かつ、最大粒
径が１００μｍ以下と規定している。この規定は、平均
粒径が３μｍより小さくなると、導電性粉末を含む導電
性ペーストとセラミックグリーンシートとを同時に焼成
した場合に、導電性ペーストとセラミックグリーンシー
トとの収縮率の差が大きいため、例えばビアホール部２
ａにクラックなどの構造欠陥が発生するからである。ま
た、平均粒径が２０μｍ以下、かつ、最大粒径が１００
μｍ以下と規定したのは、それより大きい導電性粉末
は、ペースト化する際に粉末がつぶれて箔状となり、充
填時にビアホール部２ａの途中に詰まってしまうため、
充填不良を起こすからである。上記充填不良とは、ビア
ホール部２ａに導電性ペーストを十分充填できないこと
をいう。
【００１６】本発明で用いる導電性粉末は、Ｎｉ粉末ま
たはＮｉ成分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金
粉末である。Ｎｉ成分量が５０重量％以下では、焼成後
にビアホール部に発生するクラックなどの構造欠陥の発
生を抑制することができないからである。
たはＮｉ成分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金
粉末である。Ｎｉ成分量が５０重量％以下では、焼成後
にビアホール部に発生するクラックなどの構造欠陥の発
生を抑制することができないからである。
【００１７】また、本発明で用いる導電性粉末は、アト
マイズ法により製造されたものが好ましい。本発明でい
うアトマイズ法とは、例えばＮｉを高温度で融解し、そ
のＮｉ液体をノズルから高速度で噴霧することにより球
状微粉末化する方法である。Ｎｉ液体をノズルから高速
度で噴霧する際の媒体としてガスを用いる場合はガスア
トマイズ法、水を用いる場合は水アトマイズ法と称され
るが、本発明で用いることができるアトマイズ粉末はど
ちらの方法によっても製造することができる。
マイズ法により製造されたものが好ましい。本発明でい
うアトマイズ法とは、例えばＮｉを高温度で融解し、そ
のＮｉ液体をノズルから高速度で噴霧することにより球
状微粉末化する方法である。Ｎｉ液体をノズルから高速
度で噴霧する際の媒体としてガスを用いる場合はガスア
トマイズ法、水を用いる場合は水アトマイズ法と称され
るが、本発明で用いることができるアトマイズ粉末はど
ちらの方法によっても製造することができる。
【００１８】さらに、本発明の導電性ペーストに用いる
Ｎｉ−卑金属合金粉末において、好適に用いられる卑金
属としては、Ｃｕ等が挙げられる。
Ｎｉ−卑金属合金粉末において、好適に用いられる卑金
属としては、Ｃｕ等が挙げられる。
【００１９】また、導電性粉末以外に種々の添加物、例
えば、無機化合物、有機金属化合物などを、導電性ペー
ストに特性を低下させない範囲で加えることも可能であ
る。
えば、無機化合物、有機金属化合物などを、導電性ペー
ストに特性を低下させない範囲で加えることも可能であ
る。
【００２０】
【実施例】以下本発明の実施例および比較例について説
明する。
明する。
【００２１】実施例および比較例において使用したアト
マイズ法により製造した導電性粉末（金属粉末）につい
て、表１にＮｉ粉末を、表２にＮｉ合金粉末を示す。
マイズ法により製造した導電性粉末（金属粉末）につい
て、表１にＮｉ粉末を、表２にＮｉ合金粉末を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】〔導電性ペーストの製造〕導電性ペースト
は、表３に示す試料の組成に従い、導電性粉末と有機ビ
ヒクルとをライカイ機により予備混練後、３本のロール
ミルで混練することにより得た。有機ビヒクルは、特に
限定されるものでないが、セルロース系樹脂やアクリル
系樹脂をテルピネオール等の高沸点溶剤に溶解したもの
を好適に用いることができる。
は、表３に示す試料の組成に従い、導電性粉末と有機ビ
ヒクルとをライカイ機により予備混練後、３本のロール
ミルで混練することにより得た。有機ビヒクルは、特に
限定されるものでないが、セルロース系樹脂やアクリル
系樹脂をテルピネオール等の高沸点溶剤に溶解したもの
を好適に用いることができる。
【００２５】〔実施例１〜３、比較例１〜３〕セラミッ
ク原料粉末にバインダーとしてのブチラール樹脂および
有機溶剤としてのエチルアルコールを加えて混練してス
ラリー状にした後、シート状に成形した。そして、得ら
れたセラミックグリーンシートの所定箇所に打抜きによ
り穴（ビアホール）を形成した。
ク原料粉末にバインダーとしてのブチラール樹脂および
有機溶剤としてのエチルアルコールを加えて混練してス
ラリー状にした後、シート状に成形した。そして、得ら
れたセラミックグリーンシートの所定箇所に打抜きによ
り穴（ビアホール）を形成した。
【００２６】その後、上記のようにして得た導電性ペー
ストを、セラミックグリーンシートに予め形成したビア
ホール部内に充填した。そして、このセラミックグリー
ンシートを、積層し、焼成した。焼成後、セラミックグ
リーンシートのビアホール部の開口方向に切断し、ビア
ホール部の断面を研磨し、光学顕微鏡やＳＥＭ観察によ
りクラック発生割合を求めた。クラック発生割合は、５
０点を測定した際のクラック発生個数の割合で算出し、
多層セラミック電子部品として実用可能である場合には
○、実用不可能である場合には×として評価した。その
結果を表３に示す。
ストを、セラミックグリーンシートに予め形成したビア
ホール部内に充填した。そして、このセラミックグリー
ンシートを、積層し、焼成した。焼成後、セラミックグ
リーンシートのビアホール部の開口方向に切断し、ビア
ホール部の断面を研磨し、光学顕微鏡やＳＥＭ観察によ
りクラック発生割合を求めた。クラック発生割合は、５
０点を測定した際のクラック発生個数の割合で算出し、
多層セラミック電子部品として実用可能である場合には
○、実用不可能である場合には×として評価した。その
結果を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】実施例１では、アトマイズ法により製造し
た平均粒径３．３μｍのＮｉ粉末を使用しており、クラ
ック発生割合が抑制され、多層セラミック電子部品とし
て良好であることが判った。
た平均粒径３．３μｍのＮｉ粉末を使用しており、クラ
ック発生割合が抑制され、多層セラミック電子部品とし
て良好であることが判った。
【００２９】また、実施例２では、平均粒径１１．２μ
ｍのＮｉ粉末を使用しており、クラック発生割合が抑制
され、多層セラミック電子部品として良好であることが
判った。
ｍのＮｉ粉末を使用しており、クラック発生割合が抑制
され、多層セラミック電子部品として良好であることが
判った。
【００３０】これに対して、平均粒径２．８μｍのＮｉ
粉末を用いている比較例１では、クラック発生割合が４
４％にも達し多層セラミック電子部品として使用するこ
とができないことが判った。
粉末を用いている比較例１では、クラック発生割合が４
４％にも達し多層セラミック電子部品として使用するこ
とができないことが判った。
【００３１】さらに、比較例２では、Ｎｉ粉末が平均粒
径２０．６μｍ、最大粒径１０２．６μｍと大きすぎる
ため、導電性ペーストを製造する際に粉末がつぶれて箔
状になっていた。この導電性ペーストは、セラミックグ
リーンシートのビアホール部への充填時、ビアホールの
途中に上記箔状のＮｉが詰まってしまい、充填不良を起
こした。この充填不良とは、ビアホール部に導電性ペー
ストを十分充填できないことをいう。そのため、焼成を
行うまでもなく多層セラミック電子部品としては使用す
ることができないことが判り、クラック発生割合の測定
も行えなかった。
径２０．６μｍ、最大粒径１０２．６μｍと大きすぎる
ため、導電性ペーストを製造する際に粉末がつぶれて箔
状になっていた。この導電性ペーストは、セラミックグ
リーンシートのビアホール部への充填時、ビアホールの
途中に上記箔状のＮｉが詰まってしまい、充填不良を起
こした。この充填不良とは、ビアホール部に導電性ペー
ストを十分充填できないことをいう。そのため、焼成を
行うまでもなく多層セラミック電子部品としては使用す
ることができないことが判り、クラック発生割合の測定
も行えなかった。
【００３２】以上、実施例１、実施例２、比較例１およ
び比較例２の結果より、Ｎｉ粉末の平均粒径の最小値
は、３μｍ以上が好ましく、３．３μｍ以上がより好ま
しいことが判った。また、Ｎｉ粉末の平均粒径の最大値
は、２０μｍ以下であることが好ましく、１１．２μｍ
以下がより好ましいことが判った。さらに、Ｎｉ粉末の
最大粒径は、１００μｍ以下が好ましく、６４μｍ以下
がより好ましいことが判った。
び比較例２の結果より、Ｎｉ粉末の平均粒径の最小値
は、３μｍ以上が好ましく、３．３μｍ以上がより好ま
しいことが判った。また、Ｎｉ粉末の平均粒径の最大値
は、２０μｍ以下であることが好ましく、１１．２μｍ
以下がより好ましいことが判った。さらに、Ｎｉ粉末の
最大粒径は、１００μｍ以下が好ましく、６４μｍ以下
がより好ましいことが判った。
【００３３】また、実施例３では、アトマイズ法により
製造した平均粒径３．５μｍ、最大粒径２８．２μｍ
の、ＮｉとＣｕとの合金粉末を用いた。この合金の組成
のうちＮｉは、５０重量％を超えていた。この実施例３
では、クラック発生割合が抑制され、多層セラミック電
子部品として良好であることが判った。
製造した平均粒径３．５μｍ、最大粒径２８．２μｍ
の、ＮｉとＣｕとの合金粉末を用いた。この合金の組成
のうちＮｉは、５０重量％を超えていた。この実施例３
では、クラック発生割合が抑制され、多層セラミック電
子部品として良好であることが判った。
【００３４】これに対して、比較例３では、平均粒径
３．８μｍ、最大粒径３０．４μｍのＮｉとＣｕとの合
金粉末を用いた。この合金粉末は、実施例３で用いた合
金粉末と同等の平均粒径および最大粒径であるが、この
合金の組成のうちＮｉは５０重量％以下であった。この
比較例３では、クラック発生割合が２８％に達し、多層
セラミック電子部品として使用することができないこと
が判った。
３．８μｍ、最大粒径３０．４μｍのＮｉとＣｕとの合
金粉末を用いた。この合金粉末は、実施例３で用いた合
金粉末と同等の平均粒径および最大粒径であるが、この
合金の組成のうちＮｉは５０重量％以下であった。この
比較例３では、クラック発生割合が２８％に達し、多層
セラミック電子部品として使用することができないこと
が判った。
【００３５】従って、実施例３および比較例３の結果よ
り、Ｎｉ−卑金属合金では、Ｎｉがその合金組成のうち
５０重量％を超える必要があることが好ましいことが判
った。
り、Ｎｉ−卑金属合金では、Ｎｉがその合金組成のうち
５０重量％を超える必要があることが好ましいことが判
った。
【００３６】
【発明の効果】本発明の導電性ペーストは、以上のよう
に、導電性粉末と、導電性粉末を分散して保持する有機
ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平均粒径が３
μｍ〜２０μｍであり、最大粒径が１００μｍ以下であ
る、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％を超えるＮ
ｉ−卑金属合金粉末である。
に、導電性粉末と、導電性粉末を分散して保持する有機
ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平均粒径が３
μｍ〜２０μｍであり、最大粒径が１００μｍ以下であ
る、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％を超えるＮ
ｉ−卑金属合金粉末である。
【００３７】また、上記導電性粉末は、アトマイズ法に
より製造された導電性粉末であることが好ましい。
より製造された導電性粉末であることが好ましい。
【００３８】上記の構成によれば、セラミックグリーン
シートに形成されたビアホール部に充填し、このセラミ
ックグリーンシートを積層し焼成しても、ビアホール部
にクラックなどの構造欠陥が発生するのを抑制すること
ができる導電性ペーストを提供することができる。
シートに形成されたビアホール部に充填し、このセラミ
ックグリーンシートを積層し焼成しても、ビアホール部
にクラックなどの構造欠陥が発生するのを抑制すること
ができる導電性ペーストを提供することができる。
【図１】本発明にかかる多層セラミック電子部品の断面
図である。
図である。
【図２】従来の多層セラミック電子部品における１層の
断面図である。
断面図である。
１ 多層セラミック電子部品
２ セラミック層（セラミックグリーンシート）
３ 層状導体
４ 層間導電体部
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ
Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ
Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB26 BB31 CC12
DD04 DD19 DD21 DD52 DD58
EE02 EE03 EE11 GG03 GG08
5E317 AA24 BB04 BB12 BB15 CC22
CC25 CD21 CD32 GG05 GG11
5E346 AA12 AA15 AA24 AA35 AA38
AA43 BB01 CC17 CC18 CC31
DD02 DD34 EE24 EE28 FF18
GG06 GG09 HH07
5G301 DA06 DA10 DA42 DD01
Claims (4)
- 【請求項１】導電性粉末と、導電性粉末を分散して保持
する有機ビヒクルとを含有し、 上記導電性粉末は、平均粒径が３μｍ〜２０μｍであ
り、最大粒径が１００μｍ以下である、Ｎｉ粉末または
Ｎｉ成分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金粉末
であることを特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】上記導電性粉末は、アトマイズ法により製
造されたことを特徴とする請求項１記載の導電性ペース
ト。 - 【請求項３】複数枚積層したセラミック層を焼成するこ
とによって、多層セラミック電子部品を製造するに際し
て、セラミック層に形成されている貫通孔に充填され、
層間導電体部を形成するためのものであることを特徴と
する請求項１または２に記載の導電性ペースト。 - 【請求項４】複数の導体をセラミック層間に備える多層
セラミック電子部品であって、 セラミック層に形成されている貫通孔に充填された請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の導電性ペーストの
焼結体により、上記各導体が電気的に接続されているこ
とを特徴とする多層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001314426A JP2003123534A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001314426A JP2003123534A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003123534A true JP2003123534A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19132743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001314426A Pending JP2003123534A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 導電性ペーストおよびそれを用いた多層セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003123534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662430B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-02-16 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same |
-
2001
- 2001-10-11 JP JP2001314426A patent/JP2003123534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7662430B2 (en) | 2004-09-09 | 2010-02-16 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same |
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