JP2003119597A - メッキ装置及びメッキ方法 - Google Patents

メッキ装置及びメッキ方法

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JP2003119597A JP2001313845A JP2001313845A JP2003119597A JP 2003119597 A JP2003119597 A JP 2003119597A JP 2001313845 A JP2001313845 A JP 2001313845A JP 2001313845 A JP2001313845 A JP 2001313845A JP 2003119597 A JP2003119597 A JP 2003119597A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】接触タイプの湿式メッキ装置を改善し、メッキ
液の気泡除去や付着メッキ液の除去などの問題を解決す
ることで、メッキ液中の気泡の影響を受けないようにし
て均一なメッキ処理が可能であると共に、被メッキ物の
交換も容易に行えるメッキ処理技術を提供する。 【解決手段】被メッキ物３を載置した際にメッキ液の漏
洩を防止する液シール４を備えた開口部５と、メッキ液
を供給する液供給部及びメッキ液を排出する液排出部
と、載置された被メッキ物に対向するようになっている
アノード１０と、が備えられたメッキ槽を有するメッキ
装置において、メッキ槽は、メッキ槽自体を回動するた
めの回動手段８が設けられたものとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ液中に存在
する気泡を除去しながらメッキを行うメッキ処理技術に
関し、特に、メッキ液中の気泡が表面付着すると、メッ
キ性状に大きな影響を生じる被メッキ物を対象とする場
合に、好適なメッキ装置及びメッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、様々な種類の被メッキ物に湿
式メッキ処理が採用されている。湿式メッキ処理は、メ
ッキ液と被メッキ物とを接触させ、メッキ電流を与える
という基本的な構造であればよいので、多様な被メッキ
物に利用され、その装置形態も様々なものが提案されて
いる。
【０００３】この湿式メッキ装置を大別すると、次の二
つのタイプに分けられる。その一つは、「浸漬タイプ」
と呼ばれるもので、被メッキ物をメッキ液中に浸漬して
メッキ処理を行うものである。また、被メッキ物を液中
に浸漬することなく、メッキ処理を必要とする表面のみ
をメッキ液に接触させ、そのメッキ液と接触した表面の
みにメッキ処理を行う、「接触タイプ」のものがある。
【０００４】これら「浸漬タイプ」、「接触タイプ」の
双方のメッキ装置は、有利な点と不利な点をそれぞれ有
しているため、被メッキ物の形状、種類、メッキ処理を
行う被メッキ物表面、メッキ液種などの色々な条件を考
慮して、最適なタイプのメッキ装置が選択される。
【０００５】例えば、半導体用のウェハーやプリント配
線板などのような板状の被メッキ物の場合、メッキ処理
を行う面が片面であることや、同一形状の被メッキ物を
連続的に取り替えて自動化してメッキ処理を行うことな
どを考慮すると、「接触タイプ」のメッキ装置が採用さ
れることがある。この「接触タイプ」のメッキ装置は、
被メッキ物の交換が容易で、板状被メッキ物のメッキ処
理面が片面である場合に特に好適だからである。
【０００６】この「接触タイプ」のメッキ装置は、被メ
ッキ物のメッキ対象面をメッキ液に接触できる構造であ
ればよい。そのため、メッキ槽の上部開口へメッキ対象
面を下向きにした被メッキ物を載置し、メッキ槽内へメ
ッキ液を供給しメッキ処理を行う、略称すれば「上部載
置型」と呼べるものと、メッキ槽の底部にメッキ対象面
を上向きで被メッキ物を配置し、その被メッキ物の上部
にメッキ液を供給してメッキ処理を行う、略称すれば
「底部配置型」と呼べるものと、がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この「上部載置型」
は、被メッキ物をメッキ槽の上部開口に載置するだけで
よいため、被メッキ物の交換が非常に簡単であり、メッ
キ処理の自動化に適しており、ウェハー等の板状被メッ
キ物を大量にメッキ処理する場合に採用されることが多
い。しかし、この「上部載置型」は被メッキ物の下方側
にメッキ液が存在するため、メッキ液中の気泡、即ち、
メッキ処理中にアノードから発生するエアーやメッキ液
中に巻き込まれた空気の泡等が、メッキ対象面に向かっ
て上昇する現象が不可避的に生じる。そのため、均一な
メッキ処理を行うには気泡の除去対策を必要とする。
【０００８】一方、「底部配置型」は、メッキ液が被メ
ッキ物の上方側に存在するので、メッキ液中の気泡は被
メッキ物に影響せず、特に気泡除去対策を行わなくて
も、均一なメッキ処理が可能である。しかし、この「底
部載置型」のメッキ装置は、被メッキ物のメッキ対象面
を上側に向けているため、メッキ液を除去した後であっ
ても、その表面にはメッキ液が大量に付着した状態とな
り、メッキ処理後のメッキ液除去作業が必要となる。ま
た、被メッキ物の交換についても、「上部載置型」に比
較すると、容易に行えないものである。
【０００９】このように、従来の「接触タイプ」の湿式
メッキ装置では、メッキ液の気泡除去や付着メッキ液の
除去、被メッキ物の交換などの課題があり、均一なメッ
キ処理とメッキ処理の容易化とを両立できるメッキ装置
としては、十分に満足したものといえなかった。
【００１０】そこで、本発明は、いわゆる「接触タイ
プ」として区別される湿式メッキ装置を改善し、メッキ
液の気泡除去や付着メッキ液の除去などの問題を解決す
ることで、メッキ液中の気泡の影響を受けないようにし
て均一なメッキ処理が可能であると共に、被メッキ物の
交換も容易に行えるメッキ処理技術を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被メッキ物を載置した際にメッキ液の漏
洩を防止する液シールを備えた開口部と、メッキ液を供
給する液供給部及びメッキ液を排出する液排出部と、載
置された被メッキ物に対向するようになっているアノー
ドと、が備えられたメッキ槽を有するメッキ装置におい
て、メッキ槽は、メッキ槽自体を回動するための回動手
段が設けられたことを特徴とするものとした。
【００１２】本発明のメッキ装置は、メッキ槽自体を回
動するための回動手段が備えられているため、「上部載
置型」と同じ状態で、被メッキ物をメッキ槽の開口部に
載置し、その後、メッキ槽を回動することで、「底部配
置型」のように被メッキ物とメッキ液の位置関係を変更
し、メッキ液中の気泡が被メッキ物のメッキ対象面に影
響を与えない状態にしてメッキ処理を行うことが可能と
なる。そして、メッキ処理後は、メッキ槽開口部に載置
された被メッキ物を上側に、メッキ槽が下側にある状
態、即ち、メッキ槽を回動して「上部載置型」と同じ状
態に戻し、被メッキ物の交換をすることができる。
【００１３】本発明でのメッキ槽に設ける回動手段は、
被メッキ物とメッキ液の位置関係、即ち、メッキ槽の開
口部に載置した被メッキ物の姿勢を自由に変化できるよ
うな機構を有するものであればよい。例えば、所定軸を
中心にメッキ槽自体を回動できるものであればよく、よ
り具体的には、メッキ槽を構成する側壁であって、メッ
キ槽縦断面における中心に相当する位置に回動軸を設
け、この回動軸にステッピングモーター等の駆動手段を
連結するようにすればよい。このような単純な構造で、
メッキ槽自体を回動することができる。また、メッキ槽
を保持し、保持した状態でメッキ槽を回動できる、いわ
ゆるロボットアーム型の回動手段や、メッキ槽の底面を
固定する台を備え、その台が反転運動可能とされたよう
な回動手段などを採用することもできる。
【００１４】本発明のメッキ装置におけるメッキ槽自体
の回動動作には、特に制限はなく、メッキ処理を行う際
の回動角度や回動回数は適宜選択できる。メッキ槽の回
動は、例えば、開口部に載置した被メッキ物を立設した
状態になるように、９０度回動したり、被メッキ物が反
転した状態、即ち、「底部配置型」と同じ状態となるよ
う１８０度回動することができる。また、回動動作はメ
ッキ処理中繰り返し行ってもよく、メッキ槽を連続的に
回転運動する状態に回動させながら行っても構わない。
要は、メッキ槽自体を回動することで、メッキ液中の気
泡が、メッキ処理される被メッキ物のメッキ対象面に悪
影響を及ぼさないようにすればよい。
【００１５】このような本発明のメッキ装置によれば、
従来行われていた「上部載置型」の気泡除去対策、例え
ば、メッキ液の供給流量を増加してメッキ液を大量に排
出することで気泡を除去する方法や、メッキ槽内にアノ
ードバックや隔膜等を配置して被メッキ物への気泡の影
響を解消するような対応を行わなくて済む。つまり、メ
ッキ液の供給流量も少なくて済み、特別な気泡除去対策
を採らなくても、メッキ液中の気泡の影響を受けないで
メッキ処理が可能となる。さらに、メッキ処理中は、
「底部配置型」のように、気泡の影響を受けない状態で
メッキ処理を行い、処理終了後、「上部載置型」の状態
に戻すことができるので、被メッキ物の交換も容易に行
え、被メッキ物へのメッキ液の付着も低減できるものと
なる。
【００１６】そして、本発明に係るメッキ装置は、メッ
キ槽に気泡抜き孔を設けることが好ましい。気泡抜き孔
をメッキ槽に設け、この気泡抜き孔が上方位置となるよ
うにメッキ槽を回動し、その状態でメッキ処理を行うよ
うにすると、メッキ液中の気泡は気泡抜き孔に向かって
上昇することになり、メッキ液中から効率的に気泡除去
が可能となる。
【００１７】また、本発明に係るメッキ装置は、メッキ
槽内に供給されたメッキ液を強制的に撹拌する撹拌手段
を備えるようにすることが好ましい。このようなメッキ
液の撹拌手段を備えておけば、メッキ液を強制撹拌し
て、メッキ金属イオンを被メッキ物のメッキ対象面へ不
足することなく供給できるので、高電流密度で、高速な
メッキ処理を行う場合に非常に好適なものとなる。
【００１８】本発明における撹拌手段は、メッキ槽に供
給されるメッキ液を強制的に撹拌できるものであれば、
特に構造などの制約はない。例えば、複数のインペラを
有した撹拌手段をメッキ槽内に設けて、被メッキ物の近
傍で回転運動させる構造や、メッキ液を噴射できるよう
なポンプ機構をメッキ槽内に設けて、被メッキ物に向け
てメッキ液を噴射する構造等が採用できる。要は、メッ
キ槽内に供給されたメッキ液が強制的に撹拌されること
で、被メッキ物のメッキ対象面へのメッキ金属イオンの
供給が促進されるようなメッキ液の流動状態を実現でき
ればよいのである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るメッキ装置の
好ましい実施形態について説明する。図１及び図２は、
本実施形態における回動型メッキ装置の断面概略図（図
１）及び上面概略図（図２）を示したものである。本実
施形態における回動型メッキ装置１は、有底円筒状のメ
ッキ槽２を有し、該メッキ槽２は、ウェハー３を載置す
るための、メッキ液の漏洩防止用シール４が配置された
開口部５が設けられている。そして、メッキ液の液供給
管６と液排出管７とを兼用し、メッキ槽２を、図１で示
す矢印方向へ回動可能とする回動軸８、８がメッキ槽２
の周壁に設けられている。また、図示は省略するが、こ
の回動軸８は回動用モータと連結されている。
【００２０】メッキ槽２の開口部４の上方には、載置さ
れたウェハー３の周辺を押圧して開口部へ固定する、上
下移動可能された押圧手段９が備えられている。また、
メッキ槽２内には、開口部４に載置されたウェハー３と
対向するようにアノード電極１０が配置されている。ま
た、ウェハー３は、開口部４に配置されたカソード電極
（図示せず）と接触しており、このカソード電極とアノ
ード電極１０は図示せぬメッキ処理用電源に接続されて
いる。さらに、メッキ槽２には、周壁の一部分に、メッ
キ液中の気泡をメッキ槽２外に排出するための気泡抜き
孔１１が設けられている。
【００２１】そして、メッキ槽２内には、開口部４に載
置されたウェハー３の近傍位置に、複数の撹拌翼１２を
立設した円板１３からなる液撹拌板１４が配置されてい
る。円板１３の周縁側は歯車形状とされている。メッキ
槽２には複数のプーリー１５が配置されており、このプ
ーリー１５と円板１３の周縁とを咬合させることで、液
撹拌板１４がウェハー３のメッキ対象面に対して平行と
なるようにメッキ槽２内で支持されている。図２に示す
ように、この液撹拌板１４は、円板１３上に四枚の撹拌
翼１２を放射状に立設したものであり、プーリー１５の
一つに接続されたベベルギア１６と駆動モータ１７とに
より、矢印方向に回転するようになっている。尚、この
図２の上面概略図は、メッキ槽２内の構造が判るよう
に、図１で示している押圧手段９及びウェハー３と、プ
ーリー１２等の液撹拌板の駆動機構との図示を省略して
いる。
【００２２】次に、図１及び図２で示した回動型メッキ
装置１によりメッキ処理を行う手順の一例を説明する。
まず、メッキ槽２の開口部４に、ウェハー３を載置し
て、押圧手段９によりウェハー３を押圧することによ
り、メッキ槽２の開口部４をウェハー３により液密的に
封鎖する。そして、液供給管６からメッキ液をメッキ槽
２内に供給し、液排出管７の排出量を、図示せぬ排出バ
ルブで調整してメッキ槽２内にメッキ液を充満する。こ
れによって、メッキ槽２内のメッキ液とウェハー３のメ
ッキ対象面とが接触する状態となる。
【００２３】その後、図３に示すように、メッキ槽２に
設けられた気泡抜き孔１１が上方位置になるように、回
動軸８によってメッキ槽を所定角度回動させて、ウェハ
ー３が立設した姿勢とする。そして、図示せぬメッキ処
理用電源を使用してウェハー３に所定のメッキ電流を供
給し、メッキ処理を行う。このメッキ処理中の際、メッ
キ槽２の開口部４はウェハー３によって液密的に封鎖さ
れた状態であるので、この開口部４からメッキ液は漏れ
出さない。
【００２４】メッキ処理の間は、図３に示すように、ア
ノード電極１０から発生するエアーや循環供給されるメ
ッキ液に巻き込まれた空気の泡等の気泡１８は、気泡抜
き孔１１に向かって上昇することになり、ウェハー３の
メッキ処理面には到達しない。また、液撹拌板１４を回
転させることにより、ウェハー３のメッキ対象面近傍の
メッキ液を強制的に撹拌して、メッキ金属イオンの供給
を促進する。
【００２５】所定のメッキ処理が終了した後、メッキ槽
２を回動することで、図１のように、ウェハー３が水平
となる姿勢に戻し、メッキ処理済みのウェハー３を開口
部４から取り外す。
【００２６】尚、本実施形態においては、気泡抜き孔１
１を一箇所に設けた場合を例にして説明しているが、複
数箇所に設けてもよい。また、気泡抜き孔を設けない場
合では、例えば、液排出管７が上方位置となるようにメ
ッキ槽を回動しておけば、メッキ液中の気泡は液排出管
に向かって上昇することになり、排出されるメッキ液と
共にメッキ槽外部に排出できる。さらに、メッキ槽の回
動角度についても、図２では約９０度回動の場合を示し
たが、１８０度の回動をすれば、「底部配置型」のメッ
キ装置になり、被メッキ物のメッキ対象面への気泡によ
る悪影響をほぼ完全に解消することができる。つまり、
回動角度に関しては、効率的な気泡除去が行えるような
角度を自由に選択することができる。
【００２７】本実施形態で示した回動型メッキ装置を用
いて、シード金属膜として銅を０．１μｍ厚被覆したＳ
ｉウェハー（直径８インチ、厚さ０．５ｍｍ）に対し
て、φ１２５μｍ、高さ１００μｍの銅バンプ（約６万
個）を形成するメッキ処理を行った。メッキ液は、硫酸
銅系メッキ液を使用し、銅の電解メッキ処理により銅バ
ンプ形成を行った。その結果、ウェハー表面に形成され
た銅バンプは気泡の影響によるバンプ形状不良やボイド
等の欠陥は全くない状態であった。また、ウェハーのメ
ッキ対象面全面において、均一な形状の銅バンプが形成
されていた。
【００２８】そして、メッキ処理後におけるウェハーの
交換も容易に行え、従来の「底部配置型」のメッキ装置
と比べ、ウェハーのメッキ処理された面に付着したメッ
キ液も少なく、簡単な洗浄処理を行うことで、後工程に
搬送できるものであった。また、１０Ａ／ｄｍ２という
高い電流密度で銅バンプを形成しても、欠陥のない均一
な形状の銅バンプを形成するメッキ処理が行えた。
【００２９】
【発明の効果】本発明のメッキ装置によれば、メッキ液
中の気泡によるメッキ処理への悪影響を与えない状態で
メッキ処理を行うことが可能となるとともに、メッキ処
理後は、メッキ槽開口部に載置された被メッキ物の交換
が容易に可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態における回動型メッキ装置の断面概
略図。
【図２】本実施形態における回動型メッキ装置の上面概
略図。
【図３】本実施形態における回動型メッキ装置のメッキ
槽を回動した状態の断面概略図。
【符号の説明】
１ 回動型メッキ装置 ２ メッキ槽 ３ ウェハー ４ 開口部 ５ シールパッキン ６ 液供給管 ７ 液排出管 ８ 回動軸 ９ 押圧手段 １０ アノード電極 １１ 気泡抜き孔 １２ 撹拌翼 １３ 円板 １４ 液撹拌板 １５ プーリー １６ ベベルギア １７ モータ １８ 気泡

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被メッキ物を載置した際にメッキ液の漏
    洩を防止する液シールを備えた開口部と、メッキ液を供
    給する液供給部及びメッキ液を排出する液排出部と、載
    置された被メッキ物に対向するようになっているアノー
    ドと、が備えられたメッキ槽を有するメッキ装置におい
    て、 メッキ槽は、メッキ槽自体を回動するための回動手段が
    設けられたことを特徴とするメッキ装置。
  2. 【請求項２】 メッキ液中の気泡を排出するための気泡
    抜き孔がメッキ槽に設けられたものである請求項１に記
    載のメッキ装置。
  3. 【請求項３】 メッキ槽は、供給されたメッキ液を強制
    的に撹拌する撹拌手段を備えたものである請求項１又は
    請求項２に記載のメッキ装置。
  4. 【請求項４】 メッキ槽の開口部に被メッキ物を載置し
    て、被メッキ物により開口部を液密的に封鎖し、メッキ
    液を供給してメッキ槽内をメッキ液で充満することでメ
    ッキ液と被メッキ物とを接触させ、メッキ槽内に設けら
    れたアノードと被メッキ物とを用いて被メッキ物表面に
    メッキ処理を行うメッキ方法において、 メッキ槽を回動して、開口部に載置された被メッキ物の
    姿勢を変化させてメッキ処理することを特徴とするメッ
    キ方法。
  5. 【請求項５】 メッキ槽に気泡抜き孔を設け、メッキ槽
    を回動して、メッキ液中の気泡が上昇して気泡抜き孔に
    集中するようにしてメッキ処理するものである請求項４
    に記載のメッキ方法。
  6. 【請求項６】 メッキ槽内に備えられた撹拌手段によ
    り、メッキ槽に供給されたメッキ液を強制的に撹拌しな
    がらメッキ処理するものである請求項４又は請求項５に
    記載のメッキ方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009114476A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2023214449A1 (ja) * 2022-05-02 2023-11-09 三友セミコンエンジニアリング株式会社 減圧めっき処理用のめっき装置及び減圧めっき処理方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4588321B2 (ja) * 2001-10-09 2010-12-01 ポンペイ，フランク，ジョセフ パラメトリックアレイのための超音波トランスデューサ
US20040124090A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Chen-Chung Du Wafer electroplating apparatus and method
US7345350B2 (en) 2003-09-23 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Process and integration scheme for fabricating conductive components, through-vias and semiconductor components including conductive through-wafer vias
US7101792B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-05 Micron Technology, Inc. Methods of plating via interconnects
US7316063B2 (en) * 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via
KR100832705B1 (ko) * 2006-12-23 2008-05-28 동부일렉트로닉스 주식회사 시스템 인 패키지의 비아 도금방법 및 그 시스템
JP2014040633A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Jtekt Corp パターン形成装置及びパターン形成方法
CN111334844A (zh) * 2020-02-07 2020-06-26 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 搅拌装置、电化学沉积槽、芯片生产设备及芯片
JP7474673B2 (ja) * 2020-10-01 2024-04-25 株式会社荏原製作所 めっき装置、気泡除去方法、および気泡除去方法をめっき装置のコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3490238B2 (ja) * 1997-02-17 2004-01-26 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
US5932077A (en) * 1998-02-09 1999-08-03 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Plating cell with horizontal product load mechanism
JP2908790B1 (ja) * 1998-06-12 1999-06-21 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法
US6454918B1 (en) * 1999-03-23 2002-09-24 Electroplating Engineers Of Japan Limited Cup type plating apparatus
JP2002173794A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Electroplating Eng Of Japan Co カップ式めっき装置
JP2002220692A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Ebara Corp めっき装置及び方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009114476A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2023214449A1 (ja) * 2022-05-02 2023-11-09 三友セミコンエンジニアリング株式会社 減圧めっき処理用のめっき装置及び減圧めっき処理方法

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