JP2003115690A - 電磁波シールド膜 - Google Patents
電磁波シールド膜Info
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- JP2003115690A JP2003115690A JP2001309963A JP2001309963A JP2003115690A JP 2003115690 A JP2003115690 A JP 2003115690A JP 2001309963 A JP2001309963 A JP 2001309963A JP 2001309963 A JP2001309963 A JP 2001309963A JP 2003115690 A JP2003115690 A JP 2003115690A
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空メッキ法を用いて、電磁波シールド特
性、密着性、耐食性、経済性および生産性に優れた電磁
波シールド膜を提供する。 【解決手段】 ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系
ポリマーアロイのうちのいずれかで成形された成形品
に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜を施して得られる。膜厚が
０．５μｍ以上、４μｍ未満であることが好ましい。Ｃ
ｕの含有量が、Ｓｎに対して３質量％以上、２０質量％
未満であることが望ましい。Ａｇの含有量が、Ｓｎおよ
びＣｕの合計に対して２質量％以上、２０質量％未満で
あることが望ましい。
性、密着性、耐食性、経済性および生産性に優れた電磁
波シールド膜を提供する。 【解決手段】 ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系
ポリマーアロイのうちのいずれかで成形された成形品
に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜を施して得られる。膜厚が
０．５μｍ以上、４μｍ未満であることが好ましい。Ｃ
ｕの含有量が、Ｓｎに対して３質量％以上、２０質量％
未満であることが望ましい。Ａｇの含有量が、Ｓｎおよ
びＣｕの合計に対して２質量％以上、２０質量％未満で
あることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド膜
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気機器、電子機器や、携帯電話などの
電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避
けるために、成形品の中に導電性金属を混入したり、筐
体内の内側に、電磁波シールド膜が導電性塗装や、湿式
メッキ法、真空メッキ法などで成膜される。
電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避
けるために、成形品の中に導電性金属を混入したり、筐
体内の内側に、電磁波シールド膜が導電性塗装や、湿式
メッキ法、真空メッキ法などで成膜される。
【０００３】従来、湿式メッキ法による成膜では、無電
解メッキ法が用いられ、クロム酸エッチング、パラジウ
ム触媒付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強
固である。
解メッキ法が用いられ、クロム酸エッチング、パラジウ
ム触媒付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強
固である。
【０００４】しかし、廃液の処理の問題や、処理時間が
長いという問題、成形品の両面にメッキされるという問
題があった。
長いという問題、成形品の両面にメッキされるという問
題があった。
【０００５】真空メッキ法による成膜では、アルミニウ
ムを２〜３μｍ形成する方法や、銅を第１層として、保
護膜としてニッケルなどを成膜するのが一般的である。
しかし、ニッケルは、融点が高く、蒸発時間が長く必要
で、生産性が悪いという問題がある。
ムを２〜３μｍ形成する方法や、銅を第１層として、保
護膜としてニッケルなどを成膜するのが一般的である。
しかし、ニッケルは、融点が高く、蒸発時間が長く必要
で、生産性が悪いという問題がある。
【０００６】そこで、ニッケルに替わる電磁波シールド
膜として、特開平６−１５７７９７号公報、特開平７−
３５４９７号公報に記載されている。
膜として、特開平６−１５７７９７号公報、特開平７−
３５４９７号公報に記載されている。
【０００７】特開平６−１５７７９７号公報には、高周
波プラズマにより銅を成膜した後に、０．０５〜２．０
μｍの錫膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
波プラズマにより銅を成膜した後に、０．０５〜２．０
μｍの錫膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
【０００８】しかし、この技術では、錫膜が柱状化また
は針状化しやすいため、耐食性が劣る。さらに、真空蒸
着法により成膜すると、銅と錫との密着が悪くなる問題
がある。
は針状化しやすいため、耐食性が劣る。さらに、真空蒸
着法により成膜すると、銅と錫との密着が悪くなる問題
がある。
【０００９】特開平７−３５４９７号公報には、高周波
プラズマにより銅を成膜した後に、０．１μｍ以上の錫
・銀合金膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
プラズマにより銅を成膜した後に、０．１μｍ以上の錫
・銀合金膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
【００１０】しかし、この技術では、ニッケルを使用す
る際の問題は解決されているが、錫膜に銀を含むので、
コストが上昇する問題と、ＪＩＳで規定された配合の材
料を用いるので、成膜条件に応じた合金比率にできない
問題から、コストダウンができない。
る際の問題は解決されているが、錫膜に銀を含むので、
コストが上昇する問題と、ＪＩＳで規定された配合の材
料を用いるので、成膜条件に応じた合金比率にできない
問題から、コストダウンができない。
【００１１】これらの技術では、第１層に銅を成膜し、
さらに保護膜として第２層を成膜する。同じ真空容器の
中で、２回成膜することによる製造性の悪化とコスト高
になることは否めなかった。
さらに保護膜として第２層を成膜する。同じ真空容器の
中で、２回成膜することによる製造性の悪化とコスト高
になることは否めなかった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、真空メッキ
法を用いて、電磁波シールド特性、密着性、耐食性、経
済性および生産性に優れた電磁波シールド膜を提供する
ことを目的とする。
法を用いて、電磁波シールド特性、密着性、耐食性、経
済性および生産性に優れた電磁波シールド膜を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の電磁波シールド
膜は、ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマー
アロイのうちのいずれかで成形された成形品に、Ｓｎ−
Ｃｕ−Ａｇ被膜を施して得られる。
膜は、ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマー
アロイのうちのいずれかで成形された成形品に、Ｓｎ−
Ｃｕ−Ａｇ被膜を施して得られる。
【００１４】膜厚が０．５μｍ以上、４μｍ未満である
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【００１５】Ｃｕの含有量が、Ｓｎに対して３質量％以
上、２０質量％未満であることが望ましい。
上、２０質量％未満であることが望ましい。
【００１６】Ａｇの含有量が、ＳｎおよびＣｕの合計に
対して２質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。
対して２質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。
【００１７】本発明の電磁波シールド膜は、光沢金属の
外観で、密着性が高く、抵抗値が低く、耐食性に優れ
る。
外観で、密着性が高く、抵抗値が低く、耐食性に優れ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の電磁波シールド膜は、Ａ
ＢＳ樹脂（以下、ＡＢＳという）、ＰＣおよびＡＢＳ／
ＰＣ系ポリマーアロイ（以下、ＡＢＳ／ＰＣという）の
うちのいずれかで成形した成形品に施される。ここに、
ＰＣはポリカーボネートを意味する。
ＢＳ樹脂（以下、ＡＢＳという）、ＰＣおよびＡＢＳ／
ＰＣ系ポリマーアロイ（以下、ＡＢＳ／ＰＣという）の
うちのいずれかで成形した成形品に施される。ここに、
ＰＣはポリカーボネートを意味する。
【００１９】成形品と電磁波シールド膜との密着力に応
じて、アンダーコートを塗布してもよい。前処理を施し
た成形品を真空チャンバーに入れ、真空メッキ法によ
り、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金層被膜を０．５μｍ以上、４
μｍ未満の厚さで形成する。
じて、アンダーコートを塗布してもよい。前処理を施し
た成形品を真空チャンバーに入れ、真空メッキ法によ
り、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金層被膜を０．５μｍ以上、４
μｍ未満の厚さで形成する。
【００２０】Ｃｕの含有量は、Ｓｎに対して３質量％以
上、２０質量％未満であることが望ましい。Ｃｕを含有
させることで、錫のウイスカー発生が抑えられ、Ｓｎ単
体より大気中で安定になる。さらに、Ｃｕの含有量が増
えるに従い、抵抗値が下がる。Ｃｕ含有量が３質量％以
下では前記の効果が現れない。Ｃｕ含有量が２０質量％
を超えると、Ｓｎ−Ｃｕ合金の共晶点組成であるＳｎ９
９．３質量％からおおきく離れるために融点が高くなっ
て、電子銃蒸発源のハース内で溶解し蒸発させるのに出
力と時間がかかるようになる。
上、２０質量％未満であることが望ましい。Ｃｕを含有
させることで、錫のウイスカー発生が抑えられ、Ｓｎ単
体より大気中で安定になる。さらに、Ｃｕの含有量が増
えるに従い、抵抗値が下がる。Ｃｕ含有量が３質量％以
下では前記の効果が現れない。Ｃｕ含有量が２０質量％
を超えると、Ｓｎ−Ｃｕ合金の共晶点組成であるＳｎ９
９．３質量％からおおきく離れるために融点が高くなっ
て、電子銃蒸発源のハース内で溶解し蒸発させるのに出
力と時間がかかるようになる。
【００２１】さらに、Ｓｎ−Ｃｕ合金に第３元素とし
て、Ａｇを微量添加するのが好ましい。Ｓｎ−Ｃｕ合金
のみでは、外観がＳｎ特有の青白い色になる。これを、
湿式メッキのように光沢のある金属外観とし、さらに、
耐食性を向上させるために、ＡｇをＳｎおよびＣｕの合
計に対して２質量％以上、２０質量％未満添加させるこ
とが望ましい。これを蒸発源として０．５μｍ以上、４
μｍ未満の膜厚で成膜する。
て、Ａｇを微量添加するのが好ましい。Ｓｎ−Ｃｕ合金
のみでは、外観がＳｎ特有の青白い色になる。これを、
湿式メッキのように光沢のある金属外観とし、さらに、
耐食性を向上させるために、ＡｇをＳｎおよびＣｕの合
計に対して２質量％以上、２０質量％未満添加させるこ
とが望ましい。これを蒸発源として０．５μｍ以上、４
μｍ未満の膜厚で成膜する。
【００２２】Ａｇ添加量がＳｎ−Ｃｕの２質量％未満で
は、Ａｇの含有量が少なすぎ、外観はＳｎ−Ｃｕ色が一
部に表れ、その部分の耐食性は従来のニッケルと同等に
なる。また、Ａｇ含有量が２０質量％を超えると、Ｓｎ
−Ｃｕを蒸発させる電子ビーム出力では、融点が高いＡ
ｇが蒸発しきらずに残ってしまう。また、必要以上の添
加は、価格を押し上げる原因になる。
は、Ａｇの含有量が少なすぎ、外観はＳｎ−Ｃｕ色が一
部に表れ、その部分の耐食性は従来のニッケルと同等に
なる。また、Ａｇ含有量が２０質量％を超えると、Ｓｎ
−Ｃｕを蒸発させる電子ビーム出力では、融点が高いＡ
ｇが蒸発しきらずに残ってしまう。また、必要以上の添
加は、価格を押し上げる原因になる。
【００２３】膜厚が０．５μｍ未満では、膜抵抗があま
り下がらず、電磁波シールド特性が十分に出ないし、ピ
ンホールが生成したり、付きまわりが悪い部分や成形品
の隅の部分が覆われない可能性がある。膜厚が４μｍを
超えると、膜応力が強くなりすぎ、密着性が低下する。
さらに、必要以上の膜厚とする成膜は時間がかかり、生
産性が低下する。
り下がらず、電磁波シールド特性が十分に出ないし、ピ
ンホールが生成したり、付きまわりが悪い部分や成形品
の隅の部分が覆われない可能性がある。膜厚が４μｍを
超えると、膜応力が強くなりすぎ、密着性が低下する。
さらに、必要以上の膜厚とする成膜は時間がかかり、生
産性が低下する。
【００２４】真空蒸着法で形成しても、イオン化して成
膜するイオンプレーティング法でも、良好な性能を示
す。
膜するイオンプレーティング法でも、良好な性能を示
す。
【００２５】（実施例１）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−１０質量％Ｃ
ｕ１００ｇにＡｇ２ｇを添加し、ハースに充填し、自転
および公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−１０質量％Ｃ
ｕ１００ｇにＡｇ２ｇを添加し、ハースに充填し、自転
および公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
【００２６】表１に性能試験結果を示す。
【００２７】（実施例２）成形品として、ＡＢＳ／ＰＣ
製の携帯電話筐体を用いた。この成形品は、銅との密着
が悪いので、アンダーコートを塗布してから、電子ビー
ム方式のイオンプレーティング装置に設置した。次に、
真空度５×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを
３．２×１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力
１．０ｋＷで励起放電を起こし、５分間放電させて成形
品表面を洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−１０
質量％Ｃｕ１００ｇにＡｇ２０ｇを添加し、成形品を自
転および公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
製の携帯電話筐体を用いた。この成形品は、銅との密着
が悪いので、アンダーコートを塗布してから、電子ビー
ム方式のイオンプレーティング装置に設置した。次に、
真空度５×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを
３．２×１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力
１．０ｋＷで励起放電を起こし、５分間放電させて成形
品表面を洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−１０
質量％Ｃｕ１００ｇにＡｇ２０ｇを添加し、成形品を自
転および公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
【００２８】表１に性能試験結果を示す。
【００２９】実施例１と同等の結果を得た。
【００３０】（比較例１）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−５質量％Ｃｕ
合金１００ｇにＡｇ２５ｇを添加し、成形品を自転およ
び公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−５質量％Ｃｕ
合金１００ｇにＡｇ２５ｇを添加し、成形品を自転およ
び公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
【００３１】表１に性能試験結果を示す。
【００３２】蒸発後のハースを観察すると、蒸発しきら
なかったＡｇが残っていた。
なかったＡｇが残っていた。
【００３３】（比較例２）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−５質量％Ｃｕ
合金１００ｇにＡｇ１．５ｇを添加し、成形品を自転お
よび公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＳｎ−５質量％Ｃｕ
合金１００ｇにＡｇ１．５ｇを添加し、成形品を自転お
よび公転させて、４分間で１．５μｍ成膜した。
【００３４】表１に性能試験結果を示す。
【００３５】成形品の端部が青白くＳｎ−Ｃｕ色が見え
ていた。
ていた。
【００３６】（比較例３）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たり１００ｇのＳｎ−１
０質量％Ｃｕと２０ｇのＡｇを添加し、これを３ハー
ス、合計３６０ｇ充填して、成形品を自転および公転さ
せて、１２分間で４．５μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たり１００ｇのＳｎ−１
０質量％Ｃｕと２０ｇのＡｇを添加し、これを３ハー
ス、合計３６０ｇ充填して、成形品を自転および公転さ
せて、１２分間で４．５μｍ成膜した。
【００３７】完成品を観察すると、成形品の端部で基材
と銅膜との間が剥離した。
と銅膜との間が剥離した。
【００３８】（従来例）成形品として、ＡＢＳ製の携帯
電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式のイ
オンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５×
１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×１
０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋＷ
で励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を洗
浄した。続けて、銅を１．０μｍ成膜し、さらに、ニッ
ケルを０．３μｍ成膜した。
電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式のイ
オンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５×
１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×１
０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋＷ
で励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を洗
浄した。続けて、銅を１．０μｍ成膜し、さらに、ニッ
ケルを０．３μｍ成膜した。
【００３９】表１に性能試験結果を示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１に示したように、従来より耐食性が向
上して、従来と異なり、保護膜としての第２層が無いの
で、成膜時間が大きく短縮された。
上して、従来と異なり、保護膜としての第２層が無いの
で、成膜時間が大きく短縮された。
【００４２】
【発明の効果】本発明により、導電性・シールド特性、
密着性、耐食性に優れた電磁波シールド膜を高い生産性
で提供することができる。
密着性、耐食性に優れた電磁波シールド膜を高い生産性
で提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA21 BD00 CA03 EA01
4K044 AA16 AB02 BA10 BB01 BC14
CA13
5E321 AA01 BB23 BB53 BB60 GG05
Claims (4)
- 【請求項１】 ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系
ポリマーアロイのうちのいずれかで成形された成形品に
施す電磁波シールド膜であり、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜か
らなることを特徴とする電磁波シールド膜。 - 【請求項２】 膜厚が０．５μｍ以上、４μｍ未満であ
ることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド
膜。 - 【請求項３】 Ｃｕの含有量が、Ｓｎに対して３質量％
以上、２０質量％未満であることを特徴とする請求項１
に記載の電磁波シールド膜。 - 【請求項４】 Ａｇの含有量が、ＳｎおよびＣｕの合計
に対して２質量％以上、２０質量％未満であることを特
徴とする請求項１に記載の電磁波シールド膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309963A JP2003115690A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309963A JP2003115690A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115690A true JP2003115690A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19129024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001309963A Pending JP2003115690A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115690A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5534626B1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-07-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP5534627B1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-07-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP5619307B1 (ja) * | 2014-01-06 | 2014-11-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309963A patent/JP2003115690A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5534626B1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-07-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP5534627B1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-07-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP2014216421A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP2014214335A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
| JP5619307B1 (ja) * | 2014-01-06 | 2014-11-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
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