JP2003115689A - 電磁波シールド膜 - Google Patents
電磁波シールド膜Info
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- JP2003115689A JP2003115689A JP2001309962A JP2001309962A JP2003115689A JP 2003115689 A JP2003115689 A JP 2003115689A JP 2001309962 A JP2001309962 A JP 2001309962A JP 2001309962 A JP2001309962 A JP 2001309962A JP 2003115689 A JP2003115689 A JP 2003115689A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空メッキ法を用いて、電磁波シールド特
性、密着性、耐食性、経済性および生産性に優れた電磁
波シールド膜を提供する。 【解決手段】 ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーア
ロイ、およびＡＢＳ樹脂およびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマー
アロイの混合基材のいずれかで成形された成形品に施
し、Ｃｕの第１層、および、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第
２層からなる。第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜におい
て、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以
上、３０質量％未満であることが望ましい。第２層のＳ
ｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有
量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。第１層の膜厚が０．３μｍ以上、３μｍ未満であ
ることが望ましい。第２層の膜厚が０．１μｍ以上、２
μｍ未満であることが望ましい。
性、密着性、耐食性、経済性および生産性に優れた電磁
波シールド膜を提供する。 【解決手段】 ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーア
ロイ、およびＡＢＳ樹脂およびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマー
アロイの混合基材のいずれかで成形された成形品に施
し、Ｃｕの第１層、および、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第
２層からなる。第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜におい
て、Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以
上、３０質量％未満であることが望ましい。第２層のＳ
ｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、Ｓｎに対するＣｕの含有
量が、３質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。第１層の膜厚が０．３μｍ以上、３μｍ未満であ
ることが望ましい。第２層の膜厚が０．１μｍ以上、２
μｍ未満であることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック成形
品用電磁波シールド膜に関する。
品用電磁波シールド膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気機器、電子機器や、携帯電話などの
電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避
けるために、成形品の中に導電性金属を混入したり、筐
体内の内側に、電磁波シールド膜が導電性塗装や、湿式
メッキ法、真空メッキ法などで成膜される。
電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避
けるために、成形品の中に導電性金属を混入したり、筐
体内の内側に、電磁波シールド膜が導電性塗装や、湿式
メッキ法、真空メッキ法などで成膜される。
【０００３】従来、湿式メッキ法による成膜では、無電
解メッキ法が用いられ、クロム酸エッチング、パラジウ
ム触媒付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強
固である。
解メッキ法が用いられ、クロム酸エッチング、パラジウ
ム触媒付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強
固である。
【０００４】しかし、廃液の処理の問題や、処理時間が
長いという問題、成形品の両面にメッキされるという問
題があった。
長いという問題、成形品の両面にメッキされるという問
題があった。
【０００５】真空メッキ法による成膜では、アルミニウ
ムを２〜３μｍ形成する方法や、銅を第１層として、保
護膜としてニッケルなどを成膜するのが一般的である。
しかし、ニッケルは、融点が高く、蒸発時間が長く必要
で、生産性が悪いという問題がある。
ムを２〜３μｍ形成する方法や、銅を第１層として、保
護膜としてニッケルなどを成膜するのが一般的である。
しかし、ニッケルは、融点が高く、蒸発時間が長く必要
で、生産性が悪いという問題がある。
【０００６】そこで、ニッケルに替わる電磁波シールド
膜として、特開平６−１５７７９７号公報、特開平７−
３５４９７号公報に記載されている。
膜として、特開平６−１５７７９７号公報、特開平７−
３５４９７号公報に記載されている。
【０００７】特開平６−１５７７９７号公報には、高周
波プラズマにより銅を成膜した後に、０．０５〜２．０
μｍの錫膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
波プラズマにより銅を成膜した後に、０．０５〜２．０
μｍの錫膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
【０００８】しかし、この技術では、錫膜が柱状化また
は針状化しやすいため、耐食性が劣る。さらに、真空蒸
着法により成膜すると、銅と錫との密着が悪くなる問題
がある。
は針状化しやすいため、耐食性が劣る。さらに、真空蒸
着法により成膜すると、銅と錫との密着が悪くなる問題
がある。
【０００９】特開平７−３５４９７号公報には、高周波
プラズマにより銅を成膜した後に、０．１μｍ以上の錫
・銀合金膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
プラズマにより銅を成膜した後に、０．１μｍ以上の錫
・銀合金膜を配設する電磁波シールド膜が記載されてい
る。
【００１０】しかし、この技術では、ニッケルを使用す
る際の問題は解決されているが、錫膜に銀を含むので、
コストが上昇する問題と、ＪＩＳで規定された配合の材
料を用いるので、成膜条件に応じた合金比率にできない
問題から、コストダウンができない。
る際の問題は解決されているが、錫膜に銀を含むので、
コストが上昇する問題と、ＪＩＳで規定された配合の材
料を用いるので、成膜条件に応じた合金比率にできない
問題から、コストダウンができない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、真空メッキ
法を用いて、電磁波シールド特性、密着性、耐食性、経
済性および生産性に優れた電磁波シールド膜を提供する
ことを目的とする。
法を用いて、電磁波シールド特性、密着性、耐食性、経
済性および生産性に優れた電磁波シールド膜を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の電磁波シールド
膜は、ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイ、お
よびＡＢＳ樹脂およびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイの
混合基材のいずれかで成形された成形品に施し、Ｃｕの
第１層、および、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第２層からな
る。
膜は、ＡＢＳ樹脂、ＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイ、お
よびＡＢＳ樹脂およびＡＢＳ／ＰＣ系ポリマーアロイの
混合基材のいずれかで成形された成形品に施し、Ｃｕの
第１層、および、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第２層からな
る。
【００１３】第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、
Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３
０質量％未満であることが望ましい。
Ｓｎ−Ｃｕに対するＡｇの含有量が、３質量％以上、３
０質量％未満であることが望ましい。
【００１４】第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜において、
Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量
％未満であることが望ましい。
Ｓｎに対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量
％未満であることが望ましい。
【００１５】第１層の膜厚が０．３μｍ以上、３μｍ未
満であることが望ましい。
満であることが望ましい。
【００１６】第２層の膜厚が０．１μｍ以上、２μｍ未
満であることが望ましい。
満であることが望ましい。
【００１７】本発明の電磁波シールド膜は、光沢金属の
外観で、密着性、耐食性、およびシールド特性に優れ
る。
外観で、密着性、耐食性、およびシールド特性に優れ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の電磁波シールド膜は、Ａ
ＢＳ樹脂（以下、ＡＢＳという）、ＰＣおよびＡＢＳ／
ＰＣ系ポリマーアロイ（以下、ＡＢＳ／ＰＣという）の
うちのいずれかで成形した成形品に施される。ここに、
ＰＣはポリカーボネートを意味する。
ＢＳ樹脂（以下、ＡＢＳという）、ＰＣおよびＡＢＳ／
ＰＣ系ポリマーアロイ（以下、ＡＢＳ／ＰＣという）の
うちのいずれかで成形した成形品に施される。ここに、
ＰＣはポリカーボネートを意味する。
【００１９】成形品と電磁波シールド膜との密着力に応
じて、アンダーコートを塗布してもよい。前処理を施し
た成形品を真空チャンバーに入れ、真空メッキ法によ
り、第１層には比抵抗が小さく、安価な銅を０．３μｍ
以上、３．０μｍ未満で形成する。銅の膜厚が０．３μ
ｍ未満では、十分なシールド特性が出ないし、膜本来の
構造が粗になり、耐食性が著しく低下する。また、膜厚
が３．０μｍ以上では、シールド特性は金属の銅と同等
になるが、膜応力が強くなり、成膜後に自然剥離した
り、テープ剥離試験で剥離する可能性が高くなる。ま
た、必要以上に厚くすることは、成膜に時間がかかり、
生産性が低下する。その上に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金の
第２層を、０．１μｍ以上、２．０μｍ未満の厚さで形
成する。
じて、アンダーコートを塗布してもよい。前処理を施し
た成形品を真空チャンバーに入れ、真空メッキ法によ
り、第１層には比抵抗が小さく、安価な銅を０．３μｍ
以上、３．０μｍ未満で形成する。銅の膜厚が０．３μ
ｍ未満では、十分なシールド特性が出ないし、膜本来の
構造が粗になり、耐食性が著しく低下する。また、膜厚
が３．０μｍ以上では、シールド特性は金属の銅と同等
になるが、膜応力が強くなり、成膜後に自然剥離した
り、テープ剥離試験で剥離する可能性が高くなる。ま
た、必要以上に厚くすることは、成膜に時間がかかり、
生産性が低下する。その上に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ合金の
第２層を、０．１μｍ以上、２．０μｍ未満の厚さで形
成する。
【００２０】第２層において、Ｃｕの含有量は、Ｓｎに
対して３質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。Ｃｕを含有させることで錫のウイスカー発生が抑
えられ、Ｓｎ単体より大気中で安定になる。さらに、Ｃ
ｕの含有が増えるに従い、抵抗値が下がる。Ｃｕ含有量
が３質量％以下では、前記の効果が現れない。Ｃｕ含有
量が２０質量％を超えると、Ｓｎ−Ｃｕ合金の共晶点組
成であるＳｎ９９．３質量％からおおきく離れるために
融点が高くなって、電子銃蒸発源のハース内で溶解し蒸
発させるのに、出力と時間がかかるようになる。
対して３質量％以上、２０質量％未満であることが望ま
しい。Ｃｕを含有させることで錫のウイスカー発生が抑
えられ、Ｓｎ単体より大気中で安定になる。さらに、Ｃ
ｕの含有が増えるに従い、抵抗値が下がる。Ｃｕ含有量
が３質量％以下では、前記の効果が現れない。Ｃｕ含有
量が２０質量％を超えると、Ｓｎ−Ｃｕ合金の共晶点組
成であるＳｎ９９．３質量％からおおきく離れるために
融点が高くなって、電子銃蒸発源のハース内で溶解し蒸
発させるのに、出力と時間がかかるようになる。
【００２１】さらに、Ｓｎ−Ｃｕ合金に第３元素とし
て、Ａｇを微量添加するのが好ましい。Ｓｎ−Ｃｕ合金
のみでは、外観がＳｎ特有の青白い色になる。これを、
湿式メッキのように光沢のある金属外観とし、さらに、
耐食性を向上させるために、ＡｇをＳｎおよびＣｕに対
して３質量％以上、３０質量％未満添加させることが望
ましい。これを蒸発源として０．１μｍ以上、２μｍ未
満の膜厚で成膜する。
て、Ａｇを微量添加するのが好ましい。Ｓｎ−Ｃｕ合金
のみでは、外観がＳｎ特有の青白い色になる。これを、
湿式メッキのように光沢のある金属外観とし、さらに、
耐食性を向上させるために、ＡｇをＳｎおよびＣｕに対
して３質量％以上、３０質量％未満添加させることが望
ましい。これを蒸発源として０．１μｍ以上、２μｍ未
満の膜厚で成膜する。
【００２２】Ａｇ添加量がＳｎ−Ｃｕの３質量％未満で
は、Ａｇの含有量が少なすぎ、外観はＳｎ−Ｃｕ色が一
部に表れ、その部分の耐食性は従来のニッケルと同等に
なる。また、Ａｇの含有量が３０質量％を超えると、Ｓ
ｎ−Ｃｕを蒸発させる電子ビーム出力では、融点が高い
Ａｇが蒸発しきらずに残ってしまう。また、必要以上の
添加は、価格を押し上げる原因になる。
は、Ａｇの含有量が少なすぎ、外観はＳｎ−Ｃｕ色が一
部に表れ、その部分の耐食性は従来のニッケルと同等に
なる。また、Ａｇの含有量が３０質量％を超えると、Ｓ
ｎ−Ｃｕを蒸発させる電子ビーム出力では、融点が高い
Ａｇが蒸発しきらずに残ってしまう。また、必要以上の
添加は、価格を押し上げる原因になる。
【００２３】膜厚が０．１μｍ未満では、膜抵抗があま
り下がらず、電磁波シールド特性が十分に出ないし、ピ
ンホールが生成したり、付きまわりが悪い部分や成形品
の隅の部分が覆われない可能性がある。膜厚が２μｍを
超えると、膜応力が強くなりすぎ、密着性が低下する。
さらに、必要以上の膜厚とする成膜は時間がかかり、生
産性が低下する。
り下がらず、電磁波シールド特性が十分に出ないし、ピ
ンホールが生成したり、付きまわりが悪い部分や成形品
の隅の部分が覆われない可能性がある。膜厚が２μｍを
超えると、膜応力が強くなりすぎ、密着性が低下する。
さらに、必要以上の膜厚とする成膜は時間がかかり、生
産性が低下する。
【００２４】真空蒸着法で形成しても、イオン化して成
膜するイオンプレーティング法でも、良好な性能を示
す。
膜するイオンプレーティング法でも、良好な性能を示
す。
【００２５】（実施例１）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを充填
し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ−１
０質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ７ｇを添加し、成形品を自転
および公転させて、１分間成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを充填
し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ−１
０質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ７ｇを添加し、成形品を自転
および公転させて、１分間成膜した。
【００２６】表１に性能試験結果を示す。
【００２７】（実施例２）成形品として、ＡＢＳ／ＰＣ
製の携帯電話筐体を用いた。この成形品は、銅との密着
が悪いので、アンダーコートを塗布した。電子ビーム方
式のイオンプレーティング装置に設置した。次に、真空
度５×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．
２×１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．
０ｋＷで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表
面を洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを
充填し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ
−５質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ１０ｇを添加し、成形品を
自転および公転させて、２分間で０．３μｍ成膜した。
製の携帯電話筐体を用いた。この成形品は、銅との密着
が悪いので、アンダーコートを塗布した。電子ビーム方
式のイオンプレーティング装置に設置した。次に、真空
度５×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．
２×１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．
０ｋＷで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表
面を洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを
充填し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ
−５質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ１０ｇを添加し、成形品を
自転および公転させて、２分間で０．３μｍ成膜した。
【００２８】表１に性能試験結果を示す。
【００２９】実施例１と同等の結果を得た。
【００３０】（比較例１）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを充填
し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ−５
質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ１５ｇを添加し、成形品を自転
および公転させて、２分間で０．３μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たりＣｕ１００ｇを充填
し、５分間で１μｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ−５
質量％Ｃｕ３５ｇにＡｇ１５ｇを添加し、成形品を自転
および公転させて、２分間で０．３μｍ成膜した。
【００３１】表１に性能試験結果を示す。
【００３２】蒸発後のハースを観察すると、蒸発しきら
なかったＡｇが残っていた。
なかったＡｇが残っていた。
【００３３】（比較例２）成形品として、ＡＢＳ製の携
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たり１４５ｇのＣｕを２
ハース、合計２９０ｇのＣｕを充填し、１５分間で３μ
ｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ３５ｇにＡｇ７ｇを添
加し、成形品を自転および公転させて、２分間で０．３
μｍ成膜した。
帯電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式の
イオンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５
×１０-3Ｐａまで排気した。次に、Ａｒガスを３．２×
１０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋ
Ｗで励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を
洗浄した。続けて、１ハース当たり１４５ｇのＣｕを２
ハース、合計２９０ｇのＣｕを充填し、１５分間で３μ
ｍ成膜した。１ハース当たりＳｎ３５ｇにＡｇ７ｇを添
加し、成形品を自転および公転させて、２分間で０．３
μｍ成膜した。
【００３４】完成品を観察すると、成形品端部で基材と
銅膜との間が剥離していた。
銅膜との間が剥離していた。
【００３５】（従来例）成形品として、ＡＢＳ製の携帯
電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式のイ
オンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５×
１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×１
０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋＷ
で励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を洗
浄した。続けて、銅を１．０μｍ成膜し、さらに、ニッ
ケルを０．３μｍ成膜した。
電話筐体を用いた。洗浄しないで、電子ビーム方式のイ
オンプレーティング装置に設置した。次に、真空度５×
１０-3Ｐａまで排気し、その後、Ａｒガスを３．２×１
０-2Ｐａ導入した。この状態で、高周波出力１．０ｋＷ
で励起放電を起こし、５分間放電させて成形品表面を洗
浄した。続けて、銅を１．０μｍ成膜し、さらに、ニッ
ケルを０．３μｍ成膜した。
【００３６】表１に性能試験結果を示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１に示したように、従来より耐食性が向
上して、保護膜としての第２層の成膜時間が大きく短縮
された。
上して、保護膜としての第２層の成膜時間が大きく短縮
された。
【００３９】
【発明の効果】本発明により、導電性・シールド特性、
密着性、耐食性に優れた電磁波シールド膜を、高い生産
性で提供することができる。
密着性、耐食性に優れた電磁波シールド膜を、高い生産
性で提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA08 BA21 BB02 BD00
CA03 EA01
5E321 AA01 BB23 BB25 BB53 BB60
GG05
Claims (5)
- 【請求項１】 ＡＢＳ樹脂、ＰＣおよびＡＢＳ／ＰＣ系
ポリマーアロイのうちのいずれかで成形された成形品に
施す電磁波シールド膜であり、Ｃｕの第１層、およびＳ
ｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜の第２層からなることを特徴とする
電磁波シールド膜。 - 【請求項２】 第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜のＡｇの
含有量が、Ｓｎ−Ｃｕに対し、３質量％以上、３０質量
％未満であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波
シールド膜。 - 【請求項３】 第２層のＳｎ−Ｃｕ−Ａｇ被膜のＳｎに
対するＣｕの含有量が、３質量％以上、２０質量％未満
であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シール
ド膜。 - 【請求項４】 第１層の膜厚が０．３μｍ以上、３μｍ
未満であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シ
ールド膜。 - 【請求項５】 第２層の膜厚が０．１μｍ以上、２μｍ
未満であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シ
ールド膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309962A JP2003115689A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309962A JP2003115689A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115689A true JP2003115689A (ja) | 2003-04-18 |
Family
ID=19129023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001309962A Pending JP2003115689A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 電磁波シールド膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115689A (ja) |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001309962A patent/JP2003115689A/ja active Pending
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