JP2003114436A

JP2003114436A - 液晶装置の製造装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003114436A
Application number: JP2001309105A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Yamada; 健一山田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-10-04
Filing date: 2001-10-04
Publication date: 2003-04-18

Abstract

(57)【要約】【課題】ラビング工程において発生する静電気を高速且
つ確実に除去して、液晶基板の破壊及び特性シフトを防
止する。【解決手段】ラビングステージ８１上の液晶基板８２
は、ラビングロール８３によって擦られてラビング処理
される。このラビング処理時には、センサ８４によって
液晶基板８２の帯電量が検出される。Ｘ線照射器８７
は、軟Ｘ線を液晶基板８２に照射することによって液晶
基板８２を除電する。この場合には、Ｘ線照射器８７
は、制御回路８５に制御されて、センサ８４の検出結果
に基づくフィードバック制御によってＸ線照射量が制御
される。これにより、液晶基板８２は、リアルタイムで
確実に除電され、静電破壊及び特性シフトの発生を回避
することができる。更に、ラビング後においても、Ｘ線
照射器９０によって、フィードバック制御により除電が
確実に行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ラビング工程にお
いて発生する静電気の除電を効率よく行うようにした液
晶装置の製造装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構
成される。このような液晶装置は、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、Ｔ
ＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他
方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液
晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、
画像表示を可能にする。

【０００３】液晶層の光学特性は、液晶層に映像信号に
基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させるこ
とで制御する。電圧無印加時の液晶分子の配列を規定す
るために、一方の基板（アクティブマトリクス基板）及
び他方の基板（対向基板）の液晶層に接する面上に配向
膜を形成し、配向膜にラビング処理を施す。

【０００４】即ち、配向膜は、例えばポリイミド等の有
機膜を約数十ナノメーターの厚さで両基板の面上に形成
したものであり、配向膜によって液晶分子を基板面に沿
って配向処理することができる。更に、配向膜表面にラ
ビング処理を施すことで、配向膜を配向異方性の膜にし
て液晶分子の配列を規定するのである。

【０００５】具体的なラビング方法としては、先ず、ラ
ビング装置の載置台上にポリイミド膜を有する基板をポ
リイミド膜を上にして配置する。次に、ローラの周りに
ラビング布が取り付けられたラビングロールをポリイミ
ド膜と接するように配置し、ラビングロールを回転させ
ながら所定の方向に移動させて、ポリイミド膜を擦るこ
とにより、ラビング処理された配向膜を形成する。

【０００６】ところで、液晶基板を均一にラビングする
ためには、ラビングロールを例えば１００〜１０００
（回転／分）等の高速度で回転させる必要がある。ま
た、ラビング材としては、耐久性、パイル系の均一性等
を考慮してレーヨン材質等が主流となっている。従っ
て、ラビング処理時には、液晶基板を低い導電性の材料
で高速に擦ることになり、静電気が発生しやすくなると
いう問題が生じる。

【０００７】特に、液晶基板に薄膜トランジスタ又は薄
膜ダイオード等の能動素子が形成されている場合には、
静電気によって絶縁層が静電破壊してしまうことがあ
り、また、素子特性がシフトしてしまうこともある。

【０００８】そこで、従来、ラビング工程では、イオナ
イザ等の除電器による除電又は軟Ｘ線の照射による除電
が行われている。イオナイザは、正又は負のイオンを吹
き付けることで、除電を行うものである。軟Ｘ線は、微
弱Ｘ線であり、軟Ｘ線によって空気中の分子が直接電離
されてイオンが生成され、生成されたイオンによって静
電気が中和されて除電が行われる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の除電器では、必ずしも、液晶基板の帯電量及びそのイ
オン極性に対応したイオンの吹き付け又は軟Ｘ線の照射
を効率的に行うことができるとは限らないことから、除
電能力が低く、静電気による不具合発生を根本的に解決
することができないという問題点があった。

【００１０】なお、近年においては、ラビング環境を高
湿下に設定し、静電気の発生を低減する方法も提案され
ている。しかしながら、高湿下に装置部品が暴露される
ことから、装置信頼性が乏しく、また、環境維持のため
にエネルギーが浪費するという欠点がある。

【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、装置を高湿下に置くことなく、帯電量及び
そのイオン極性に対応した軟Ｘ線の照射を可能とするこ
とにより、除電能力を向上させて液晶装置の静電気によ
る不具合発生を防止することができる液晶装置の製造装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶装置の
製造装置は、ラビングステージ上に載置された液晶基板
の帯電状況を検出する検出手段と、前記液晶基板に対す
るラビング処理によって前記液晶基板に発生した静電気
を、前記検出手段の検出結果に基づいてＸ線を照射する
ことで除去する除電手段とを具備したことを特徴とす
る。

【００１３】このような構成によれば、除電手段は、Ｘ
線を照射することによって、ラビング処理時に発生した
液晶基板の静電気を除電することができる。そして、検
出手段が液晶基板の帯電状況を検出することにより、除
電手段による除電の効果を把握することが可能である。

【００１４】前記除電手段は、前記液晶基板及びその近
傍に前記Ｘ線を照射することを特徴とする。

【００１５】このような構成によれば、除電手段が液晶
基板だけでなくその近傍にもＸ線を照射するので、液晶
基板と共に、液晶基板近傍のラビングロール及びラビン
グステージ等の除電も行われる。

【００１６】前記除電手段は、前記検出手段の検出結果
に基づいて、ラビング途中及びラビング後の少なくとも
一方において前記Ｘ線を照射することを特徴とする。

【００１７】このように構成によれば、ラビング途中に
おいてＸ線を照射することでラビング中に発生した静電
気を迅速に除電することができ、ラビング後においてＸ
線を照射することで、ラビング時の除電処理によって残
った静電気についても確実に除去することができる。

【００１８】前記検出手段としては、前記液晶基板に対
するラビング処理時に前記液晶基板の帯電状況をリアル
タイムで検出するものを採用し、また、前記除電手段
は、前記検出手段の検出結果に基づくフィードバック制
御によって単位時間当たりの除電能力が可変であること
を特徴とする。

【００１９】このような構成によれば、検出手段によっ
て、ラビング処理時の液晶基板の帯電状況がリアルタイ
ムで検出される。この検出結果に基づくフィードバック
制御によって、除電手段は単位時間当たりの除電能力を
可変させながら、液晶基板を短時間で除電する。

【００２０】前記検出手段は、前記液晶基板に対するラ
ビング処理後に前記液晶基板の帯電状況をリアルタイム
で検出し、前記除電手段は、前記検出手段の検出結果に
基づくフィードバック制御によって単位時間当たりの除
電能力が可変であることを特徴とする。

【００２１】このような構成によれば、検出手段によっ
て、ラビング処理後の液晶基板の帯電状況がリアルタイ
ムで検出される。この検出結果に基づくフィードバック
制御によって、除電手段は単位時間当たりの除電能力を
可変させながら、液晶基板に残留した静電気を確実に除
電する。

【００２２】本発明に係る液晶装置の製造方法は、ラビ
ングステージ上に載置された液晶基板に対するラビング
処理時の前記液晶基板の帯電状況を検出する工程と、ラ
ビング処理時における液晶基板の帯電状況の検出結果に
基づいて、前記ラビング処理時における前記液晶基板の
静電気を除去するためのＸ線の照射量をフィードバック
制御する工程とを具備したことを特徴とする。

【００２３】このような構成によれば、ラビング処理時
には、液晶基板の帯電状況が検出される。この検出結果
に基づいて、液晶基板の静電気を除去するためのＸ線の
照射量がフィードバック制御される。これにより、除電
に要する時間が短縮されると共に、液晶基板の帯電量が
低減される。

【００２４】また、本発明に係る液晶装置の製造方法
は、ラビングステージ上に載置された液晶基板に対する
ラビング処理後の前記液晶基板の帯電状況を検出する工
程と、ラビング処理後における液晶基板の帯電状況の検
出結果に基づいて、前記ラビング処理時における前記液
晶基板の静電気を除去するためのＸ線の照射量をフィー
ドバック制御する工程とを具備したことを特徴とする。

【００２５】このような構成によれば、ラビング処理後
には、液晶基板の帯電状況が検出される。この検出結果
に基づいて、液晶基板の静電気を除去するためのＸ線の
照射量がフィードバック制御される。これにより、液晶
基板に残留している静電気が確実に除去される。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態に係る液晶装置の製造装置を示す説明図で
ある。図２は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路図である。図３は
ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要
素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子
基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工
程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断
して示す断面図である。また、図５は液晶装置を詳細に
示す断面図である。図６は基板上の静電気の検知方法を
説明するための模式的正面図である。図７はパネル組立
工程を示すフローチャートである。

【００２７】先ず、図２乃至図５を参照して、液晶パネ
ルの構造について説明する。

【００２８】液晶パネルは、図３及び図４に示すよう
に、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間
に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には
画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置され
る。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価
回路を示している。

【００２９】図２に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差す
るように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画
された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置され
る。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に
対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素
電極９ａが接続される。

【００３０】ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によっ
てオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された
画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９
ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電
圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列
に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によっ
て、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間
よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積
容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラ
スト比の高い画像表示が可能となる。

【００３１】図５は、一つの画素に着目した液晶パネル
の模式的断面図である。

【００３２】ガラスや石英等の素子基板１０には、素子
基板完成時の段差形状を調整するために溝１１が形成さ
れている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁
膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成され
ている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境
界面が平坦化される。

【００３３】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース
領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶
縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられ
てなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に
対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等
の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に
形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレ
イン領域１ｅに入射することが防止される。

【００３４】ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積
層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形
成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介
して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、
容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄
積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光
機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導
電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止す
ることができる。

【００３５】容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配
置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層
される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１
９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを
介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線
６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが
積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁
膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６
ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅ
に電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド
系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、図１の
装置によって所定方向にラビング処理されている。

【００３６】走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供
給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、
ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、デ
ータ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与え
られる。

【００３７】一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基
板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領
域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第
１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３に
よって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅ
に入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対
向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成さ
れている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂
からなる配向膜２２が積層され、図１の装置によって所
定方向にラビング処理されている。

【００３８】そして、素子基板１０と対向基板２０との
間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３
０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画
像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電
極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分
子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を
可能にする。

【００３９】図３及び図４に示すように、対向基板２０
には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設け
られている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は
異なる遮光性材料によって形成されている。

【００４０】遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入する
シール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成
されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に
略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２
０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の
１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子
基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を
注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入
口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止
材７９で封止するようになっている。

【００４１】素子基板１０のシール材４１の外側の領域
には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基
板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられてい
る。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複
数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０の
コーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１
０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導
通材６５が設けられている。

【００４２】次に、図７を参照してパネル組立工程につ
いて説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板
２０とは、別々に製造される。ステップＳ1 ，Ｓ6 で夫
々用意されたＴＦＴ基板及び対向基板２０に対して、次
のステップＳ2 ，Ｓ7 では、配向膜１６，２２となるポ
リイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ3 ，Ｓ
8 において、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基
板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施
す。次に、ステップＳ4 ，Ｓ9 において、洗浄工程を行
う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃
を除去するためのものである。

【００４３】洗浄工程が終了すると、ステップＳ5 にお
いて、シール材４１、及び導通材６５（図２参照）を形
成する。シール材４１を形成した後、次に、ステップＳ
10で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ス
テップＳ11でアライメントを施しながら圧着し、シール
材４１を硬化させる。最後に、ステップＳ12において、
シール材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入
し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。

【００４４】図１において、ラビング装置は、ラビング
ステージ８１及びラビングロール８３を有している。ラ
ビングステージ８１上には液晶基板８２が載置されるよ
うになっている。基板８２は、例えば、貼り合わせ前の
ポリイミド塗布後の素子基板１０（図５参照）である。
ラビングステージ８１とラビングロール８３とは相対的
に移動自在であり、図１では、例えば、ラビングステー
ジ８１がラビングロール８３に対して矢印にて示す水平
方向に相対的に移動することを示している。

【００４５】ラビングステージ８１の移動によって、液
晶基板８２はその表面に平行で、ラビングロール８３の
回転軸に略垂直な方向に移動自在である。液晶基板８２
の搬送路の上方に、ラビングロール８３が設けられてい
る。

【００４６】ラビングロール８３は、円柱形状に構成さ
れ、円中心を軸にして周方向に回動自在である。ラビン
グロール８３の周面には、例えばレーヨンで形成された
ラビング布８８が取り付けられている。ラビングステー
ジ８１及びラビングロール８３の少なくとも一方は垂直
方向にも移動自在であり、ラビングロール８３とラビン
グステージ８１とは、ラビング布８８による基板８２へ
のラビング圧が所定値になるように、垂直方向の位置決
めが行われている。

【００４７】ラビング時におけるラビングステージ８１
の上方の所定位置には、Ｘ線照射器８７が配設されてい
る。Ｘ線照射器８７はラビングステージ８１の移動又は
ラビングロール８３の移動に伴って移動させてもよく、
また、所定位置に固定させてもよい。Ｘ線照射器８７
は、制御回路８５に制御されて、所定量の軟Ｘ線を発生
させて、ラビングステージ８１上の液晶基板８２及びそ
の周辺、例えばラビングロール８３及びステージ８１等
に照射することができるようになっている。

【００４８】Ｘ線照射器８７は、光電離（photoionizat
ion）を利用してイオンを生成するもので、例えば０．
２ｎｍの波長を中心とする微弱なＸ線を照射して、帯電
体近傍の空気を電離し高濃度の空気分子イオンを生成す
るものである。Ｘ線照射器８７によって生成されるイオ
ンの範囲は、Ｘ線照射範囲に略等しい。Ｘ線照射器８７
は、例えば、水平角１２０度程度の円錐形状にＸ線を照
射することができ、広範囲の除電が可能である。

【００４９】Ｘ線照射器８７からのＸ線照射量を変化さ
せることによって、除電量を変化させることができる。
また、Ｘ線照射器８７と帯電物質との距離が短いほど除
電性能を向上させることができる。なお、本実施の形態
においては、Ｘ線照射器８７を基板８２から１ｍ以内の
所定位置に設置するようになっている。

【００５０】また、本実施の形態においては、ラビング
時における液晶基板８２の近傍にはセンサ８４も配設さ
れている。センサ８４は、液晶基板８２の静電気量（帯
電量）を検出して、検出結果を静電気検出部８９に出力
する。

【００５１】図６はセンサ８４による液晶基板８２の帯
電量の検出方法の一例を説明するためのものである。液
晶基板８２上には、図６に示すように、所定のパターン
９５が形成されている。センサ８４はパターン９５上の
静電気量を検出する電流センサであり、パターン９５に
接続された信号線９４を介して流れる電流によって、液
晶基板８２の帯電量を検出するようになっている。

【００５２】静電気検出部８９はセンサ８４の出力に基
づいて、液晶基板８２の静電気量を求めてコンピュータ
８６に出力する。コンピュータ８６は、静電気検出部８
９の検出結果に基づいて、液晶基板８２の静電気を除去
するために必要なイオン発生量、即ち、Ｘ線照射量を求
めて、制御回路８５に出力する。

【００５３】制御回路８５は、コンピュータ８６に制御
されて、センサ８４の検出結果に基づいてＸ線照射器８
７からのＸ線照射量を制御するための制御信号を出力す
る。制御回路８５からの制御信号はＸ線照射器８７に供
給されて、Ｘ線照射器８７のＸ線照射量が変化するよう
になっている。コンピュータ８６は、制御回路８５を制
御して、液晶基板８２に帯電している静電気を除去する
軟Ｘ線を照射させると共に、軟Ｘ線の発生量を帯電量に
応じて変化させるフィードバック制御を行うようになっ
ている。

【００５４】また、本実施の形態においてはラビング終
了後のラビングステージ８１上方にもＸ線照射器９０が
配設されている。Ｘ線照射器９０はＸ線照射器８７と同
様の構成であり、ラビングロール８３によるラビング終
了から、図示しないアンローダによって液晶基板８２が
ラビングステージ８１から除材されるまでの間、基板８
２及びその周辺に対してＸ線を照射することができるよ
うになっている。Ｘ線照射器９０によるＸ線照射量は、
制御回路８５によって制御されるようになっている。

【００５５】なお、Ｘ線照射器８７をラビングステージ
８１と共に移動させると共に、照射方向を変更可能であ
る場合には、Ｘ線照射器８７，９０を共用することがで
きる。

【００５６】次に、このように構成された実施の形態の
動作について図８及び図９のフローチャートを参照して
説明する。図８は図６中の「ラビング」工程の具体的な
フローを示しており、図９は図８中の「軟Ｘ線照射のフ
ィードバック制御」工程を具体的に示している。

【００５７】図６のステップＳ2 において配向膜となる
ポリイミドが塗布された基板８２は、図８のステップＳ
21においてラビングステージ８１上に載置して表面に吸
着させる。次に、ステップＳ22において、ラビングステ
ージ８１を上昇させて、ラビングロール８３の周面のラ
ビング布８８が液晶基板８２表面に所定の圧力で押圧す
るように、ラビングステージ８１の垂直位置を調整す
る。なお、ラビングロール８３を下降させることによっ
て、垂直位置の調整を行ってもよい。

【００５８】次に、液晶基板８２がラビングロール８３
の下方に位置するように、ラビングステージ８１（又は
ラビングロール８３）を水平方向に移動させる（ステッ
プＳ23）。そして、ステップＳ24でラビングロール８３
を回転させながら、ラビングステージ８１（又はラビン
グロール８３）を水平方向に移動させて、ラビング処理
を開始する（ステップＳ24）。

【００５９】ラビングロール８３が回転しながら、液晶
基板８２が水平方向に移動することで、ラビングロール
８３の周面のラビング布８８によって液晶基板８２の表
面の配向膜が擦られてラビング処理が行われる。液晶基
板８２は、ラビングロール８３表面のラビング布８８に
よって高速に擦られることにより帯電する。本実施の形
態においては、コンピュータ８６は、液晶基板８２の帯
電を短時間で除電するために、ラビング処理途中におい
て、制御回路８５を制御して、イオン供給のフィードバ
ック制御を行う（ステップＳ25）。

【００６０】即ち、図９のステップＳ31において、セン
サ８４は、液晶基板８２の帯電状況を検出する。センサ
８４の出力は静電気検出部８９に供給されて、液晶基板
８２の帯電量が求められる。静電気検出部８９の検出結
果はコンピュータ８６に供給され、コンピュータ８６
は、静電気検出部８９の検出結果に応じて、Ｘ線照射器
８７のＸ線照射量を算出し、算出結果に基づいて制御回
路８５を制御する。即ち、帯電量が多い場合にはＸ線照
射量を多くし、帯電量が少ない場合にはＸ線照射量を少
なくするように制御する。制御回路８５は、コンピュー
タ８６に制御されて、Ｘ線照射器８７のＸ線照射量を制
御するための制御信号を出力する（ステップＳ32）。Ｘ
線照射器８７は、制御信号に基づいて軟Ｘ線を発生し
て、液晶基板８２及びその近傍に照射する。

【００６１】Ｘ線照射器８７から照射された軟Ｘ線によ
って、液晶基板８２及びその近傍には正・負のイオンが
生成され、液晶基板８２、ラビングロール８３及びステ
ージ８２等の帯電物質の電荷と逆極性のイオンが帯電電
荷と結合して、静電気が除去される。

【００６２】即ち、コンピュータ８６は、制御回路８５
を制御して軟Ｘ線を照射させることによって、液晶基板
８２の帯電極性と反対の極性のイオンを発生させると共
に、液晶基板８２の帯電量の増加に伴って照射する軟Ｘ
線の照射量を増加させる。このフィードバック制御によ
って、液晶基板８２の帯電量は、短時間に０近傍とな
る。こうして、フィードバック制御を行った場合には、
フィードバック制御を行わない場合に比して、除電時間
を著しく短縮することができる。

【００６３】イオン供給のフィードバック制御は、ラビ
ング処理の期間中継続して行われる。これにより、ラビ
ング処理の開始から終了時までの全期間において、液晶
基板８２の帯電量は極めて少なく、また、短時間に除電
される。従って、ラビング処理で生じる静電気によっ
て、液晶基板８２の絶縁層が静電破壊してしまうことを
防止することができ、また、素子特性がシフトしてしま
うこともない。

【００６４】ステップＳ26においてラビング処理が終了
すると、次に、ステップＳ27においてラビングステージ
８１を図示しないアンローダ側に移動させる。本実施の
形態においては、アンローダによる液晶基板８２の除材
前に、再度軟Ｘ線を照射するようになっている（ステッ
プＳ28）。この場合にも、センサ８４の検出結果が静電
気検出部８９に与えられて、ラビング後の液晶基板８２
の帯電量が求められる。

【００６５】コンピュータ８６は、制御回路８５を制御
して、Ｘ線照射器９０のＸ線照射量を決定する。Ｘ線照
射器９０は、制御回路８５に制御されて、ラビング後の
液晶基板８４及びその近傍に対して軟Ｘ線を照射する。
これにより、ラビング後に残っている液晶基板８２及び
ステージ８１上の残存静電気が確実に除去される。次
に、ステップＳ29において、アンローダは、ラビングス
テージ８１から液晶基板８２を除材する。

【００６６】このように本実施の形態においては、セン
サによってラビング処理時における液晶基板の帯電量を
検出し、検出結果に基づいてＸ線照射器９０のＸ線照射
量をフィードバック制御していることから、液晶基板及
びその近傍部材の帯電量を著しく抑制することができる
と共に、帯電を短時間で、略リアルタイムに除電するこ
とができる。また、ラビング後にも、液晶基板の帯電量
を検出し、検出結果に基づいてＸ線照射器９０のＸ線照
射量をフィードバック制御していることから、ラビング
時の除電処理によって残った静電気についても、確実に
除電することができる。これにより、液晶基板が静電気
によって静電破壊することを防止することができ、ま
た、素子特性がシフトしてしまうことを防止することが
できる。特に、薄膜トランジスタ又は薄膜ダイオード等
の能動素子が形成された液晶基板における破壊及び特性
シフトの防止に有効である。

【００６７】なお、本実施の形態においては、ラビング
中及びラビング後において除電を行っているが、いずれ
か一方のみに除電を行うようにしてもよいまた、本実施
の形態においては、液晶基板の帯電量の検出結果に基づ
いて、Ｘ線照射量を制御することによって除電性能を変
化させたが、Ｘ線照射器８７，９０と液晶基板８２との
間の距離を変化させることによって除電性能を変化させ
てもよい。即ち、液晶基板８２の帯電量が多い場合に
は、Ｘ線照射器８７，９０を液晶基板８２に近づけ、小
さい場合にはＸ線照射器８７，９０を液晶基板８２から
遠ざけるようにしてもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、装
置を高湿下に置くことなく、帯電量及びそのイオン極性
に対応した軟Ｘ線の照射を可能とすることにより、除電
能力を向上させて液晶装置の静電気による不具合発生を
防止することができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製
造装置を示す説明図。

【図２】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路図。

【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。

【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線
の位置で切断して示す断面図。

【図５】液晶装置を詳細に示す断面図。

【図６】基板上の静電気の検知方法を説明するための模
式的正面図。

【図７】パネル組立工程を示すフローチャート。

【図８】実施の形態の動作を説明するためのフローチャ
ート。

【図９】実施の形態の動作を説明するためのフローチャ
ート。

【符号の説明】

８１…ラビングステージ８２…液晶基板８３…ラビングロール８４…センサ８５…制御回路８６…コンピュータ８７，９０…Ｘ線照射器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ラビングステージ上に載置された液晶基
板の帯電状況を検出する検出手段と、前記液晶基板に対するラビング処理によって前記液晶基
板に発生した静電気を、前記検出手段の検出結果に基づ
いてＸ線を照射することで除去する除電手段とを具備し
たことを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項２】前記除電手段は、前記液晶基板及びその
近傍に前記Ｘ線を照射することを特徴とする請求項１に
記載の液晶装置の製造装置。
【請求項３】前記除電手段は、前記検出手段の検出結
果に基づいて、ラビング途中及びラビング後の少なくと
も一方において前記Ｘ線を照射することを特徴とする請
求項１に記載の液晶装置の製造装置。
【請求項４】前記検出手段は、前記液晶基板に対する
ラビング処理時に前記液晶基板の帯電状況をリアルタイ
ムで検出し、前記除電手段は、前記検出手段の検出結果に基づくフィ
ードバック制御によって単位時間当たりの除電能力が可
変であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の
製造装置。
【請求項５】前記検出手段は、前記液晶基板に対する
ラビング処理後に前記液晶基板の帯電状況をリアルタイ
ムで検出し、前記除電手段は、前記検出手段の検出結果に基づくフィ
ードバック制御によって単位時間当たりの除電能力が可
変であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の
製造装置。
【請求項６】ラビングステージ上に載置された液晶基
板に対するラビング処理時の前記液晶基板の帯電状況を
検出する工程と、ラビング処理時における液晶基板の帯電状況の検出結果
に基づいて、前記ラビング処理時における前記液晶基板
の静電気を除去するためのＸ線の照射量をフィードバッ
ク制御する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置
の製造方法。
【請求項７】ラビングステージ上に載置された液晶基
板に対するラビング処理後の前記液晶基板の帯電状況を
検出する工程と、ラビング処理後における液晶基板の帯電状況の検出結果
に基づいて、前記ラビング処理時における前記液晶基板
の静電気を除去するためのＸ線の照射量をフィードバッ
ク制御する工程とを具備したことを特徴とする液晶装置
の製造方法。