JP3888104B2 - 液晶装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶セルを構成する素子基板と対向基板との貼り合わせ処理に好適な液晶装置、その製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００４】
パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の素子基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。
【０００５】
ところで、液晶セルの貼り合わせ工程においては、シール材は、描画、或いはスクリーン印刷によって形成するようになっている。スクリーン印刷の場合には、配向膜表面にスクリーンが接触することで、配向に悪影響を与えると共に汚染の問題もあるので、現在はディスペンスによる描画方式が主流である。
【０００６】
貼り合わせ工程では、描画方式によりシール材を形成した後、対向基板を貼り合わせ、所定ギャップ長を与えるように圧着を行い、アライメントを施した後、固着するようになっている。シール材としては紫外線等の光で硬化可能な光硬化型接着材料、あるいは、光硬化且つ熱硬化可能な熱併用型接着材料を用いる。
【０００７】
貼り合せの方式としては、多数の素子基板を形成したマザーガラス基板と多数の対向基板を形成したマザーガラス基板同士を貼り合せる方法がある。このような大板組立方式は、高い生産性を得られる反面、複数の表示ユニットを一括でアライメントすることから、貼り合せ精度が低いという欠点がある。また、高度なセル厚制御も困難であった。
【０００８】
また、各マザーガラス基板に夫々形成された複数の素子基板又は対向基板を分断して、単体の素子基板と対向基板同士を貼り合わせる方式が採用されることがある。このような単板組立方式は、高度なセル厚制御が可能で貼り合せ精度に優れているが、生産性が悪いという欠点がある。
【０００９】
そこで、素子基板については、マザーガラス基板投入時のサイズのままで処理を進めるアレイ製造を採用し、単体に分断した対向基板をマザーガラス基板上の複数の素子基板に貼り合わせるチップマウント方式が採用されることがある。チップマウント方式は、高い生産性、高度なセル厚制御及び高い貼り合わせ精度を得ることができるという利点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チップマウント方式の貼り合わせ工程においては、マザーガラス基板上の各素子基板全てにスクリーン印刷又は描画によってシールを形成する。シールが形成されたマザーガラス基板上の各素子基板に対して、夫々対向基板をマウントして圧着しシールを硬化させる。ところが、マザーガラス基板上の最初の素子基板にシールを形成してから最後の素子基板にシールを形成するまでに比較的長時間が経過する。このため、１枚のマザーガラス基板上の素子基板相互間でシール形成から硬化までの時間にばらつきが生じる。
【００１１】
即ち、アライメントが行われて貼り合わされた加工チップと、貼り合わせが行われていない未加工チップとで作業終了までの時間差が大きく、シール部材の経時変化の差が大きくなって、１枚のマザー基板内で形成される液晶セルの品質のばらつきが大きくなってしまう。
【００１２】
近年、マザーガラス基板は大型化し、マザーガラス基板上に構成するプロジェクタ用の液晶パネルは小型化されてきており、１枚のマザーガラス基板からの取れ個数は増加している。即ち、マザーガラス基板上にマウントする対向基板の数が増加することから、マザーガラス基板上の素子基板相互間でシール形成から硬化までの時間のばらつきによる影響は大きい。
【００１３】
また、シール形成から仮硬化までの滞留時間が長くなると、シールが流れて表示エリアにシールが浸透し、表示不良になることもある。また、シールの流れにより低粘度成分が表示領域に浸透し、配向膜と反応して表示不良を発生させることもある。１枚の基板からの液晶セルの採れ個数が増加するほど、表示不良の発生率が大きくなってしまう。
【００１４】
なお、これらの点を考慮して、スクリーン印刷が採用されることもあるが、この場合には、配向膜面にスクリーンが接触してしまい、配向ダメージが生じるという問題がある。
【００１５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、チップマウント方式による貼り合わせ時に対向基板側にシールを形成して、シール形成、貼り合わせ、圧着、アライメント、シール仮硬化を連続処理することで、表示品質を向上させることができる液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、複数の素子基板が配置されたマザー基板に対向基板を複数搭載し、液晶の封入および分断をして素子基板と対向基板との間に液晶が封入された液晶装置を得るための製造方法であって、（ａ）単品の対向基板に、紫外線および加熱により硬化する熱併用光硬化型のシール材を形成する工程と、（ｂ）マザー基板における所定の素子基板に、シール材が形成された対向基板を搭載する工程と、（ｃ）シール材に紫外線を照射する工程と、を含み、（ａ）〜（ｃ）工程をマザー基板の複数の素子基板について順次行うとともに、各工程においてマザー基板が加熱されていることを特徴とする。
【００１７】
この製造方法によれば、シール材として熱併用光硬化型接着材料を用い、（ａ）単品の対向基板に熱併用光硬化型シール材を形成し、（ｂ）マザー基板の素子基板に搭載した後、（ｃ）紫外線を照射することにより、当該シール材を仮硬化してシール流れなどを防ぎ表示品質を確保するとともに、（ａ）〜（ｃ）工程においてマザー基板を加熱することにより、本硬化を平行して行い生産性を高めた液晶装置の製造方法を提供することができる。
特に、シール材形成から仮硬化までに要する一つの素子基板あたりの時間は従来の製造方法に比べて短時間であることから、対向基板にシール材を形成した後、搭載工程を経て、速やかに光が照射され、シール材の仮硬化がなされるため、シール流れなどを防ぐことができる。
また、マザー基板が加熱されている状態において、シール材形成工程→搭載工程→紫外線照射工程をマザー基板の複数の素子基板について順次行うことにより、搭載された素子基板のシール材は、仮硬化された後、マザー基板の熱により本硬化が促進されることから、本硬化が平行して行われることとなり、本硬化に要する時間を短縮することができる。
さらに、マザー基板の加熱によって、仮硬化後のシール材の硬度が高まるため、シール流れをより確実に防止することができる。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、複数の素子基板が配置されたマザー基板に対向基板を複数搭載し、液晶の封入および分断をして素子基板と対向基板との間に液晶が封入された液晶装置を得るための製造方法であって、（ａ）単品の前記対向基板に、紫外線および加熱により硬化する熱併用光硬化型のシール材を形成する工程と、（ｂ）マザー基板における所定の素子基板に、シール材が形成された対向基板を搭載する工程と、（ｃ）シール材に紫外線を照射する工程と、を含み、（ａ）〜（ｃ）工程を所定の数量ずつの対向基板により並列に行うとともに、各工程においてマザー基板が加熱されていることを特徴とする。
【００１９】
この製造方法によれば、シール材形成工程→搭載工程→紫外線照射工程を所定の数量ずつの対向基板により並列に行うことにより、より生産性を向上させることができる。
【００２０】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、複数の素子基板が配置されたマザー基板に対向基板を複数搭載し、液晶の封入および分断をして素子基板と対向基板との間に液晶が封入された液晶装置を得るための製造方法であって、（ａ）単品の対向基板に、紫外線および加熱により硬化する熱併用光硬化型のシール材を形成する工程と、（ｂ）マザー基板における所定の素子基板に、シール材が形成された対向基板を搭載する工程と、（ｃ）シール材に紫外線を照射する工程と、を含み、前記（ａ）〜（ｃ）工程をマザー基板の複数の素子基板について順次行うとともに、各工程においてマザー基板が加熱されていることを特徴とする。
または、前記（ａ）〜（ｃ）工程を所定の数量ずつの対向基板により並列に行うとともに、各工程においてマザー基板が加熱されていることを特徴とする。
【００２１】
この製造方法によれば、（ａ）工程にて単品の対向基板に熱併用光硬化型シール材を形成し、（ｂ）工程にてマザー基板の素子基板に搭載し、（ｃ）工程にて紫外線を照射することにより、当該シール材を仮硬化し、シール流れなどを防ぐことができる。
よって、表示品質を向上させた液晶装置の製造方法を提供することができる。
特に、シール材形成から仮硬化までに要する一つの素子基板あたりの時間は従来の製造方法に比べて短時間であることから、対向基板にシール材を形成した後、搭載工程を経て、速やかに紫外線が照射され、シール材の仮硬化がなされるため、シール流れなどを防ぐことができる。
さらに、各工程においてマザー基板が加熱されていることにより、搭載された素子基板のシール材は、仮硬化した後、マザー基板の熱により本硬化が促進されることから、本硬化を平行して行うことができるとともに、硬化度を高めることができる。
また、（ａ）〜（ｃ）工程をマザー基板の複数の素子基板について順次行うことにより、表示品質を確保しながらも、効率良く製造を行うことができる。また、（ａ）〜（ｃ）工程を所定の数量ずつの対向基板により並列に行うことにより、生産性を向上させることができる。
【００２２】
前記仮硬化は、光照射によって行われることを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、仮硬化に要する時間が短く、シール溶出の悪影響が生じることを防止することができる。前記シール材は、光硬化型である光硬化型シール材であることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、第１，第２の液晶基板同士を、光硬化によって短時間に仮硬化させ、生産性を高めることができる。
【００２５】
前記シール材は、光硬化型で且つ熱硬化型である熱併用型光硬化型シール材であることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、第１，第２の液晶基板同士を、光硬化によって短時間に仮硬化させ、熱硬化によって強い強度で本硬化させることができる。 またシールの硬化率も高く信頼性の高い液晶表示装置を提供できる。
【００２７】
前記マザー基板は、前記シール形成工程及び固着工程の少なくとも一方の工程時に加熱されることを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、第２の液晶基板にシール材が形成されるので、マザー基板を加熱した場合でも、第２の液晶基板を第１の液晶基板上にマウントするまではシール材が硬化することはない。マザー基板を加熱することによって、マウント後のシール材を光だけでなく熱によって硬化させるので、熱による本硬化の時間を短縮することができる。
【００２９】
前記シール形成工程及び前記固着工程は、並列処理されることを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、シール形成及び固着を短時間に実施することができる。
【００３１】
本発明に係る液晶装置は、上記液晶装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、シール材の溶出の悪影響が生じていないので、表示不良が発生しておらず、表示品質が優れている。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。また、図５は液晶装置を詳細に示す断面図である。図６はパネル組立工程を示すフローチャートである。
【００３４】
本実施の形態は、マザーガラス基板のままで組立工程中の最初に行われる洗浄工程から最後に行われる検査工程までを流動させ、液晶注入・封止後の検査工程終了後に、各液晶セルを分断するアレイ製造によるチップマウント方式を採用した例について説明する。即ち、チップマウント方式においては、貼り合わせ工程もマザーガラス基板のままで行われる。本実施の形態においては、対向基板にシールを形成し、このシール形成から貼り合わせ、圧着、アライメント及びシール仮硬化までを連続処理することより、シール材の滞留による問題を回避するようにしたものである。
【００３５】
先ず、図２乃至図５を参照して、液晶パネルの構造について説明する。
【００３６】
液晶パネルは、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００３７】
図２に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３８】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３９】
図５は、一つの画素に着目した液晶パネルの模式的断面図である。
【００４０】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板の段差を制御する溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００４１】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００４２】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００４３】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４４】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４５】
一方、対向基板２０には、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４６】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００４７】
図３及び図４に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００４８】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００４９】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００５０】
次に、図６を参照して液晶セルの組立て工程について説明する。
【００５１】
ＴＦＴ基板と対向基板とは、別々に製造される。上述したように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板投入工程から分断工程が行われるまでの間は、マザーガラス基板上に形成された各ＴＦＴ基板が分断されることなく一体的に処理されるいわゆるアレイ製造によるチップマウント方式が採用される。マザーガラス基板上には図３に示す素子基板（ＴＦＴ基板）１０と同様の素子基板が、組立て工程の前工程であるＴＦＴ基板工程において複数形成されている。
【００５２】
ステップＳ1 においては、このように素子がアレイ状に形成されているマザーガラス基板（ＴＦＴ基板）が投入される。一方、ステップＳ6 では、図３の対向基板２０と同様のサイズに分断された対向基板が投入される。
【００５３】
ステップＳ1 で用意されたマザーガラス基板（ＴＦＴ基板）に対して、次のステップＳ2 では、配向膜１６となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ3 において、マザーガラス基板上の各ＴＦＴ基板表面の配向膜（配向膜１６に相当）に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ4 において洗浄を行う。ステップＳ4 の洗浄工程は、ＴＦＴ基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００５４】
一方、対向基板については、ステップＳ6 で用意された対向基板に対して、次のステップＳ7 では、配向膜２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ8 において、対向基板表面の配向膜（配向膜２２に相当）に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ9 において、洗浄を行う。ステップＳ9 の洗浄工程は、対向基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００５５】
洗浄工程が終了すると、次に、ステップＳ10で、マザーガラス基板の各素子位置において、夫々対向基板を貼り合わせて固着する。この貼り合わせ工程は後述する図１に示す手順で行われる。次に、ステップＳ11にてシール材４１を本硬化させる。本硬化はシール材の種類に応じて、熱硬化または光硬化の手段がとられる。本実施例は熱併用型シール材を用いた構成であるため、熱による本硬化となる。次にステップＳ11にて形成された各空セルに、ステップＳ12において、シール材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。液晶封入工程では、圧力の管理を行いながら、液晶封入量を制御し、セルギャップを均一にする。こうして、マザーガラス基板上に複数の液晶パネルがアレイ状に形成されたアレイ基板が得られる。最後に、ステップＳ13において、検査が行われたアレイ基板を液晶セル毎に分断して、図２及び図３に示す液晶パネルを得る。
【００５６】
貼り合わせ工程においては、マザーガラス基板はステージ上に載置され、配向膜１６（図５参照）を上にして例えば真空吸着によって固定されている。本実施の形態においては、図１に示すように、先ずステップＳ21において、対向基板にシール材４１、及び導通材６５（図３参照）を形成する。シール材４１及び導通材６５は、配向膜２２（図５参照）形成面側に形成する。シール材４１は、例えば、ディスペンス塗布によって形成される。なお、シール材をスクリーン印刷法によって形成してもよい。また、シール材４１は、熱併用型光硬化型シール材としている。ＵＶの照射によって光硬化すると共に、加熱によって熱硬化する特性を有する。なお、本実施例においては、熱併用型シール材としたが、光のみで硬化可能な光硬化型シール材としても良い。
【００５７】
次に、ステップＳ22において対向基板を反転させてシール材４１形成面側を下方に向けて、ステージ上のマザーガラス基板側に搬送し、マザーガラス基板上の対象となる素子基板上に移動させる（ステップＳ23）。
【００５８】
次に、ステップＳ24においてアライメントヘッドに対向基板を吸着させる。次のステップＳ25において、アライメントヘッドは、素子基板上にマウントされた対向基板を水平方向に移動させてアライメントしながら、下方に向けて加圧して素子基板に圧着する。なおアライメントヘッドの下方への加圧量は、ギャップ長を所定値に維持するように設定される。アライメント及びセル厚が適正に制御されると、次のステップＳ27において、光照射によってシール材４１を仮硬化させる。
【００５９】
１つの素子基板に対する対向基板の貼り合わせ及びＵＶ仮硬化が終了すると、次の素子基板について、ステップＳ21〜ステップＳ27の処理を繰返す。即ち、本実施の形態においては、各対向基板に対するシールディスペンスは各対向基板のマザーガラス基板へのマウント直前に行われる。こうして、マザーガラス基板上の全ての素子基板について、貼り合わせ及びＵＶ硬化が行われる。
【００６０】
なお、マザーガラス基板上の全ての素子基板について、対向基板の貼り合わせ、アライメント、圧着、ＵＶ仮硬化が終了すると、熱硬化による本硬化が行われる。
【００６１】
このように本実施の形態においては、シール材４１を対向基板側に形成している。シール材４１をマザーガラス基板に形成する場合には、素子基板によってはシール材４１の硬化までに長時間を要することがある。これに対し、各対向基板に対するシール材４１の形成から貼り合わせ、圧着、アライメント及びＵＶ仮硬化を各素子基板（対向基板）毎に連続して行っており、これらの処理に要する時間は、いずれの素子基板についても同様に比較的短時間である。従って、いずれの素子基板についてもシール材４１は形成後比較的短時間でＵＶ仮硬化されることになり、シール材４１が溶け出して配向膜に悪影響を与えることが防止される。これにより、不良の発生を防止し、表示品質、信頼性を向上させることができる。
【００６２】
また、シール材４１は、ＵＶの照射によって光硬化するだけでなく、加熱によって熱硬化する特性を有する。熱硬化は強い接着強度を有する反面、硬化に比較的長時間を要する。マザーガラス基板にシールを形成した場合には、シール形成からＵＶ仮硬化までに長時間を要することがあり、全てのシールのＵＶ仮硬化が終了するまで熱硬化のための加熱を行うことはできない。しかしながら、本実施の形態においては、対向基板に対してシールディスペンスを施しており対向基板のマウントまでは熱の影響を受けないので、対向基板の貼り合わせ、アライメント、圧着及びＵＶ仮硬化の間においても、熱硬化のための加熱処理を行うことができる。即ち、貼り合わせ工程の開始時からマザーガラス基板に対して本硬化のための加熱処理を開始することができ、本硬化に要する時間を短縮することができる。
【００６３】
また、ｎ個（１〜ｋ個）の対向基板毎に繰返し処理を行い、複数のアライメントヘッドを用いた並列処理によって複数の対向基板を同時に貼り合わせるようにしてもよい。
【００６４】
（実施例１）
第１の実施の形態による貼り合わせ工程を実施した場合のシール周辺表示不良発生率を測定した結果を表１に示す。また、表２は貼り合わせ工程の開始時からマザーガラス基板に対する加熱を行った場合のシールの硬化度を測定した結果を示す。シールの硬化条件は、ＵＶによる仮硬化を波長３６５ｎｍにて６００ｍＪ／ｃｍ2とし、シールの硬化度は、熱による本硬化（ステップＳ11）投入前の状態を測定した。
【００６５】
表１は、１枚のマザーガラス基板に６０個の対向基板を貼り合わせる場合において、素子基板側にシールを描画した場合、素子基板側にシールスクリーン印刷した場合及び本実施の形態に従って対向基板にシールを描画した場合の不良発生率測定結果を示している。
【００６６】

上記表１及び表２に示すように、対向基板にシールを描画することによって、不良発生率を０％にすることができることが分かる。また、仮硬化終了時におけるシール材の硬化度は、ステージの温度を高くすると、常温の場合に比べて低ＵＶエネルギーで、促進されることが分かる。したがって、生産性を向上できるとともに、シールの硬化状態が促進されているため、シールからの未効果成分の溶出が防止できる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、チップマウント方式による貼り合わせ時に対向基板側にシールを形成して、シール形成、貼り合わせ、圧着、アライメント、シール仮硬化を連続処理することで、表示品質を向上させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図２】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図５】液晶装置を詳細に示す断面図。
【図６】パネル組立工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
１０…素子基板
２０…対向基板
４１…シール材

Claims (2)

1. 複数の素子基板が配置されたマザー基板に対向基板を複数搭載し、液晶の封入および分断をして前記素子基板と前記対向基板との間に前記液晶が封入された液晶装置を得るための製造方法であって、
   （ａ）単品の前記対向基板に、紫外線および加熱により硬化する熱併用光硬化型のシール材を形成する工程と、
   （ｂ）前記マザー基板における所定の前記素子基板に、前記シール材が形成された前記対向基板を搭載する工程と、
   （ｃ）前記シール材に紫外線を照射する工程と、を含み、
   前記（ａ）〜（ｃ）工程を前記マザー基板の複数の前記素子基板について順次行うとともに、前記各工程において前記マザー基板が加熱されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 複数の素子基板が配置されたマザー基板に対向基板を複数搭載し、液晶の封入および分断をして前記素子基板と前記対向基板との間に前記液晶が封入された液晶装置を得るための製造方法であって、
   （ａ）単品の前記対向基板に、紫外線および加熱により硬化する熱併用光硬化型のシール材を形成する工程と、
   （ｂ）前記マザー基板における所定の前記素子基板に、前記シール材が形成された前記対向基板を搭載する工程と、
   （ｃ）前記シール材に紫外線を照射する工程と、を含み、
   前記（ａ）〜（ｃ）工程を所定の数量ずつの前記対向基板により並列に行うとともに、前記各工程において前記マザー基板が加熱されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。

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