JP2008233596A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造プロセスを変更することなく、大型基板の製造工程における反りの発生を防止できるようにする。
【解決手段】分割可能な複数の素子基板１０となる多層薄膜１０１が形成される大型基板１００に、他の大型基板１１０を貼り合わせた後、素子基板１０毎に分割して液晶装置１を製造するに際し、大型基板１００の両面を予め湾曲加工して反り量δ１の湾曲面を形成しておく。次いで、この大型基板１００の、多層薄膜１０１に発生する内部応力を相殺する方向に反っている面１０２ａに多層薄膜１０１を成膜する。大型基板１００は多層薄膜１０１の内部応力により反りが矯正されるため、ほぼ平坦な形状となる。
【選択図】図４

Description

本発明は、複数のチップ状基板を形成する大型基板の製造工程における反りの発生を抑制する電気光学装置の製造方法に関する。

従来から、各種の電気光学装置のうち、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置は、投射型表示装置のライトバルブや各種電子機器の表示装置等に広く採用されている。ここで、液晶装置は、対向基板と素子基板との間に液晶層を挟持して構成される。対向基板は、基板上に対向電極が配置されて構成される。一方、素子基板は、基板上に、互いに交差する複数の走査線と複数のデータ線が配設されていると共に、これらの走査線とデータ線との交差部毎に、スイッチング素子及び画素電極が配置されて構成される。

通常、素子基板は複数枚取りできる大型基板の状態で製造される。図７（ａ）に示すように、大判の基板（以下、「大型基板」と称する）１００は、所定大きさ（例えばφ３００[mm]）の平坦な基板であり、この大型基板１００上に、トランジスタや絶縁膜等から成る多層薄膜１０１を対応する素子基板毎に形成し、又、導電層と導電層との間に介装する層間絶縁膜を大型基板１００のほぼ全体に亘って形成する。

この多層薄膜１０１は、洗浄、成膜、パターンニングの繰り返しで積層形成されるが、その製造プロセスにおいて行う熱処理等の影響で、多層薄膜１０１に内部応力が発生し、この内部応力が大型基板１００の強度を上回ると、図７（ｂ）に示すように、基板全体に、反り量δの反りが発生する。

基板全体に発生する反りにより、全ての製品が直ちに製品不良を起因するものではない。しかし、大型基板１００の反り量δが大きいと、この大型基板１００を、ステージ上に載置して、真空吸着、或いは静電吸着させることが困難となる。

又、例えば、図８に示すように、複数の素子基板となる構成要素１０１ａを有する大型基板１００と、複数の対向基板となる構成要素１１１ａが全面に形成された他方の大型基板１１０とを貼り合わせる、いわゆる大板組立方式を用いて液晶装置を製造する場合においても、大型基板１００の反り量δが大きいと、以下のような問題が生じる。

すなわち、大板組立方式を用いて両基板１００，１１０を貼り合わせるに際しては、先ず、両基板１００，１１０に形成されているアライメントマーク１００ａ，１１０ａどうしを位置合わせする。このとき、図９（ａ）に示すように、素子基板１０となる構成要素１０１ａを有する大型基板１００に大きな反りが発生していると、同図（ｂ）に示すように、両基板１００，１１０に所定の圧力を印加して貼り合わせる際に、大型基板１００の反りが矯正される。大型基板１００の反りは外力を受けて、その中心付近から周辺へ延伸されて矯正される。従って、同図（ｃ）に示すように、両基板１００，１１０が貼り合わされた状態では、その中心から外周方向へ移行するに従い、次第に位置ズレが生じるため、両基板１００，１１０の中心付近に形成されている素子基板１０となる構成要素１０１ａと対向基板２０の構成要素１１１ａとは高精度に位置合わせされるが、外縁方向に形成されている素子基板１０となる構成要素１０１ａと対向基板２０の構成要素１１１ａとの間の誤差が次第に大きくなる。

この対策として、例えば特許文献１（特開平５−２６７２９３号公報）には、表面に圧縮応力を有する多層薄膜が形成されている基板の裏面に、多層薄膜の有する圧縮応力を相殺する圧縮応力を有する膜を形成することで、基板の反りを抑制するようにした技術が開示されている。

又、特許文献２（特開平１０−３２３８０号公報）には、基板にシール材を塗布するに際し、炉内のホットプレートに対し、基板の吸着と吸着解除とを繰り返すことで、基板に発生する反りを減少させることで、基板をホットプレートに全面で吸着できるようにした技術が開示されている。
特開平５−２６７２９３号公報 特開平１０−３２３８０号公報 特開２００１−８３８８５号公報

しかし、特許文献１に開示されている技術では、例えば大型基板から切り出された素子基板の裏面に、圧縮応力を相殺する膜が残されたままの状態では、素子基板の光透過率が低下してしまう問題がある。これに対処するには、大型基板どうしを貼り合わせた後、或いは各表示装置毎に切り出した後に、裏面の膜を除去する必要があるが、膜を除去するための工程が必要となり、製造工程が複雑化するばかりでなく、製品コストが高くなる問題がある。

又、特許文献２に開示されている技術は、大型基板の反りを低減させるために、大型基板をホットプレートで高温加熱しているが、この工程を既存の製造プロセスに組み込むには、工程の変更が必要となり、工程ロスが発生し、生産性が低下する問題がある。更に、例えば大型基板の多層薄膜にトランジスタが形成されている場合、このトランジスタを形成する拡散層等が高温加熱によりダメージを受けてしまう問題がある。

この対策として、例えば特許文献３（特開２００１−８３８８５号公報）には、対向基板側を素子基板側の反りに合わせて変形させることで、両基板間のギャップを一定にするようにした技術が提案されている。

しかし、特許文献３に開示されている技術では、対向基板を高精度に反らせる必要があるが、対向基板に熱を加えて変形させてもある程度の戻りがあるため、加熱温度、加熱時間、及び加圧力の管理が難しく、生産性が低下してしまう問題がある。

本発明は、上記事情に鑑み、既存の製造プロセスを変更することなく、工程ロス、生産性の低下を抑制し、更に、光透過率を低下させることもなく、加熱及び加圧の必要もなく、製品管理が容易で、大型基板が、その一方の表面に形成された多層薄膜の内部応力の影響を受けても大きく反ることのない電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため本発明による第１の電気光学装置の製造方法は、多層薄膜が形成された大型基板と他の基板とを貼り合わせ、該大型基板のチップ状基板毎に分断して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法において、前記大型基板の両面を同一方向に湾曲加工して反りを形成する基板加工工程と、湾曲加工された前記大型基板の、前記多層薄膜に発生する内部応力を相殺する方向に反りが形成されている面に該多層薄膜を成膜する成膜工程とを備えることを特徴とする。

このような構成では、大型基板が、その一方の面に成膜される多層薄膜に発生する内部応力を相殺する方向に湾曲加工して反りを形成するようにしたので、大型基板に多層薄膜が成膜されると、多層薄膜の内部応力により大型基板の反りが矯正されてほぼ平坦な形状とすることができる。その結果、その後の、製造プロセスを変更することなく、大型基板の反りが矯正されるため、工程ロス、及び生産性の低下を抑制することができる。更に、大型基板は湾曲加工しただけであるため、新たな膜を成膜する必要が無く、その分、光透過率の低下を防止することができる。更に、大型基板の反りを矯正するために加熱及び加圧する必要もなく、製品管理が容易となる。

第２の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記他の基板が他の大型基板であり、前記大型基板に前記多層薄膜を成膜した後、該大型基板に前記他の大型基板を貼り合わせる基板貼り合わせ工程を備えることを特徴とする。

このような構成では、大型基板の反りが矯正されているため、この大型基板に他の大型基板を貼り合わせても大きな位置ズレが生じることが無く、高い精度で位置合わせすることができる。

第３の電気光学装置の製造方法は、第１又は第２の電気光学装置の製造方法において、前記基板加工工程では、前記大型基板に対する湾曲加工をポリッシングにより行うことを特徴とする。

大型基板の湾曲加工を、大型基板を鏡面仕上げするポリッシングにより行うことで、製造工程の簡略化を実現することができる。

以下、図１〜図６の図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。図１は液晶装置の平面図であり、素子基板の上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図、図３は図１及び図２の液晶装置を詳細に示す断面図である。

先ず、これらの図を参照して電気光学装置の代表である液晶装置１の構造について説明する。図１、図２に示すように、液晶装置１は、透明なチップ状基板としての素子基板（半導体基板）１０と透明な対向基板２０を有し、更に、この両基板１０，２０間に電気光学物質としての液晶５０を挟持して構成されている。両基板１０，２０は、石英基板やガラス基板からなり、又、素子基板１０上には画素を構成する画素電極等が、マトリクス状に配置される。

素子基板１０上の画素領域には、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置されている（図３参照）。ＴＦＴ(Thin Film Transistor)３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１（図３参照）との間の電圧が液晶５０に印加される。液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することで、光を変調し、階調表示を可能にする。

次に、ひとつの画素に着目して液晶装置１の構成を詳しく説明する。図３に示すように、素子基板１０の対向基板２０に対向する側の面（以下、「表面」と称する）には、格子状に溝１１が形成されている。この溝１１上に下側遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３ａ、第２層間絶縁膜１３ｂを介してＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。又、この溝１１によって、素子基板１０の液晶５０との境界面が平坦化される。

ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に下層及び上層絶縁膜２ａ，２ｂを介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。

ＴＦＴ３０上には第３層間絶縁膜１４が積層され、第３層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。

容量線１８上には第４層間絶縁膜１９を介してデータ線６ａが積層されている。データ線６ａは、第４及び第３層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第５層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第５〜第３層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。

走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。

一方、対向基板２０には、素子基板１０のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が対向基板２０全面に亘って形成されている。この対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。

これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。

図１、図２に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。この遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０との間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、この液晶注入口７８が封止材７９で封止される。

素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。又、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。

素子基板１０の表面に形成されている絶縁膜、及び導電膜から成る多層薄膜１０１（図６参照）は、素子基板１０を複数枚取りできる大型基板１００の状態で一括して製造される。本実施形態で採用する大型基板１００は、図４（ｃ）に示すように、多層薄膜１０１に発生する内部応力を相殺する方向へ、反り量δ１だけ湾曲形成されている。

ところで、大型基板１００上に形成される多層薄膜１０１の層構造は、ロット毎に決められており、従って、多層薄膜１０１に発生する内部応力もロット毎にほぼ一定している。内部応力は、多層薄膜１０１の組成により、大型基板１００に対して引っ張り応力として作用する場合と、圧縮応力として作用する場合とがある。引っ張り応力は、大型基板１００の多層薄膜１０１が成膜されている側の面を縮ませるように作用する応力であり、大型基板１００は多層薄膜１０１の方向へ凹湾曲される。一方、圧縮応力は、多層薄膜１０１が成膜されている側の面を延ばすように作用する応力であり、大型基板１００は多層薄膜１０１側に凸湾曲される。

尚、以下においては、便宜的に、多層薄膜１０１の内部応力により大型基板１００に引っ張り応力が作用し、この大型基板１００が多層薄膜１０１の方向へ凹湾曲される場合を例示して説明する。

次に、図４〜図６に基づき、本実施形態の液晶装置１の製造方法について説明する。先ず、大型基板１００の製造過程について、図４の工程図を参照しながら説明する。

図４（ａ）に示すように、大型の基板から所定サイズ（例えばφ３００[mm]）に切り出された大型基板１００の板厚ｔ１は、少なくとも加工後の板厚ｔ２に反り量δ１を加えた分だけ厚く形成されている。

そして、この大型基板１００を、研磨装置に設けられている回転テーブル（図示せず）に載置固定する。図４（ｂ）に示すように、研磨装置は回転する研磨ヘッド１２０を有し、この研磨ヘッド１２０のヘッド部１２０ａに研磨パッド１２０ｂが固設されている。

先ず、回転テーブルを回転させ、この回転テーブルに載置固定されている大型基板１００を、その中心を軸として回転させる。次いで、上方から、回転する研磨ヘッド１２０を下降させ、その下端に固設されている研磨パッド１２０ｂを、大型基板１００の裏面（多層薄膜１０１が成膜されない面）１０２ｂに所定の圧力で押し付ける。その際、この裏面１０２ｂと研磨パッド１２０ｂとの間にスラリー研磨剤を供給する。

そして、スラリ研磨剤を介在させた状態で、研磨ヘッド１２０を、大型基板１００の中心から外周方向へ、或いは外周方向から中心方向へ予め設定されている曲率に従って回転揺動させ、大型基板１００の裏面１０２ｂに深さδ１の凹曲面を湾曲形成する。

その後、図４（ｃ）に示すように、大型基板１００を反転させ、裏面１０２ｂを下面にして、回転テーブルに載置固定し大型基板１００を、その中心を軸として回転させる。そして、回転する研磨ヘッド１２０の下端に固設されている研磨パッド１２０ｂを、大型基板１００の表面（多層薄膜１０１が成膜される面）１０２ａに所定の圧力で押し付ける。

次いで、この表面１０２ａと研磨パッド１２０ｂとの間にスラリー研磨剤を供給しながら、研磨ヘッド１２０を、大型基板１００の中心から外周方向へ、或いは外周方向から中心方向へ予め設定されている曲率に従って回転揺動させ、大型基板１００の表面１０２ａに高さδ１の凸曲面を湾曲形成する。その結果、所定湾曲形状の大型基板１００が形成される。

大型基板１００の裏面１０２ｂに形成されている凹湾曲面と表面１０２ａに形成されている凸湾曲面とは、同一の中心半径を有し、深さδ１と高さδ１とは同じ値に形成されている。従って、この湾曲形成された大型基板１００が外圧により平坦化されると、板厚ｔ２の平坦な大型基板１００となる。従って、この深さδ１或いは高さδ１が、相対的な反り量となる。したがって、以下においては、この深さ（高さ）δ１を反り量δ１と総称して説明する。

尚、この研磨装置は、大型基板１００を鏡面仕上げするポリッシング装置で代用しても良い。通常の鏡面仕上げに使用するポリッシング装置で大型基板１００を湾曲加工することで、工程の簡略化が実現できる。この場合、研磨装置とポリッシング装置とを併用して、湾曲面を形成するようにしても良い。

次いで、この大型基板１００を洗浄し、前処理工程へ搬送する。そして、前処理工程において、大型基板１００の表面１０２ａに、上述したような構成の素子基板１０となる多層薄膜１０１を成膜する。又、他方の大型基板１１０（図８参照）の対向面に、複数の対向基板２０となる多層薄膜１１１を全面に亘って成膜する。

次に、液晶装置１の製造方法を、図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。先ず、素子基板１０を複数枚取りする大型基板１００の製造工程について説明する。

ステップＳ１において、先ず、大型基板１００の表面１０２ａに、画素電極９ａ等の素子基板１０となる構成要素１０１ａ（図８参照）を、所定間隔毎に複数成膜する。尚、この各構成要素１０１ａに形成されている層間絶縁膜等の絶縁層は大型基板１００全体に亘って形成されているため、本実施形態では、大型基板１００全体に形成された薄膜を示すときは、これを多層薄膜１０１と称して説明する。

図６（ａ）に示すように、大型基板１００の表面１０２ａは、多層薄膜１０１が成膜されたときの反り量δ（図７参照）を相殺する反り量δ１に形成されているため、同図（ｂ）に示すように、大型基板１００の表面１０２ａに多層薄膜１０１が形成されると、この多層薄膜１０１の内部応力により大型基板１００に引っ張り応力が作用し、大型基板１００が平坦となる方向へ変形される。その結果、大型基板１００の反りは、従来の反り量δよりも遙かに小さい反り量δ１とすることができる。

その後、ステップＳ２で、大型基板１００の表面１０２ａ上に配向膜１６を全面に亘って形成し、ステップＳ３で、この配向膜１６に対してラビング処理を施し、ステップＳ４で、大型基板１００を洗浄して、ラビング処理によって生じた塵埃を除去する。ラビング処理を施す際に、大型基板１００はパレットに対して真空吸着等により吸着保持された状態で移相されるが、このときの大型基板１００はほぼ平坦であるため、良好な吸着性を得ることが出来る。尚、多層薄膜１０１が成膜される前の大型基板１００は、湾曲形状に予め形成されているが、多層薄膜１０１を成膜する前処理工程、特に配向膜１６が形成される前の工程までは、大型基板１００を吸着する製造プロセスが無いため、大型基板１００が湾曲されていても問題はない。

次いで、ステップＳ５へ進み、大型基板１００の外周、及び素子基板１０となる各構成要素１０１ａにシール材４１を塗布する。このシール材４１は接着剤であり、後述する他方の大型基板１１０を貼り合わせた際に、このシール材４１を介して両基板１００，１１０の貼り合わせ状態が保持される。

次に、対向基板２０となる他の大型基板１１０の製造工程について説明する。先ず、ステップＳ７で、大型基板１１０の対向面に、既知の成膜工程により対向電極２１等の対向基板２０の構成要素１１１ａ（図８参照）を全面に亘って成膜する。

次いで、ステップＳ８で大型基板１１０の対向面全体に配向膜２２を形成し、ステップＳ９で、配向膜２２にラビング処理を施す。そして、ステップＳ１０で、他の大型基板１１０を洗浄して、ラビング処理によって生じた塵埃を除去する。

次いで、ステップＳ１１以降で後処理工程が行われる。ステップＳ１１では、前処理工程の終了した両大型基板１００，１１０を、図６（ｃ）、図８に示すように、両基板１００，１１０に形成されたアライメントマーク１００ａ，１１０ａを基準に位置合わせした状態で、貼り合わせ、ステップＳ１２において、アライメントマーク１００ａ，１１０ａを位置合わせした状態（例えばアライメント誤差１μ以内）で、加圧ヘッドにより所定圧力で圧着する。

その際、図６（ｄ）に示すように、大型基板１００は加圧ヘッドの圧力により、ほぼ平坦な形状に矯正されるが、大型基板１００は、平坦に近い反り量δ２に収められているため、大型基板１００の中心から比較的離れた位置の素子基板１０となる構成要素１０１ａと、これに対向する他の大型基板１１０に形成された対向基板２０の構成要素１１１ａとの間で大きな位置ズレを生じることなく、高い精度で位置合わせすることができる。

その後、ステップＳ１３において、互いに貼り合わされた大型基板１００，１１０を焼成炉へ搬送し、ステップＳ１４で、焼成炉を用いて、例えば温度１００°の雰囲気下において熱焼成を行い、シール材４１を硬化させる。そして、シール材４１を所定に硬化させた後、ステップＳ１５で、互いに貼り合わされた大型基板１００，１１０を、図８においては、オリフラの形成されている部位から反対の端縁方向へ短冊状に切断する。次いで、ステップＳ１６へ進み、各短冊状の分割基板に形成された素子基板１０と対向基板（図８では４個）との間に配置されたシール材４１の液晶注入口７８（図１参照）から液晶を注入し、ステップＳ１７で、液晶注入口を封止材７９（図１参照）を用いて封止して、ステップＳ８で封止材７９を硬化させる。その後、短冊状に形成された分割基板を、液晶装置１毎に分断して製造を完了する。

このように、本実施形態では、大型基板１００が、多層薄膜１０１の内部応力の影響で発生する反り量δを見越して、予めこの反り量δを相殺する反り量δ１を有する湾曲状に加工されているので、大型基板１００に多層薄膜１０１が成膜されると、大型基板１００はほぼ平坦に近い反り量δ２内に収めることが出来る。その結果、板組立方式を用いて両基板１００，１１０を貼り合わせる場合であっても、互いに対応する素子基板１０と対向基板２０とを高い精度で位置合わせすることができ、製品の品質をより向上させることができる。

又、大型基板１００の反り量δ１は、大型基板１００自体の加工により形成されているので、高い精度で形成することができ、製品管理が容易となるばかりでなく、大型基板１００に多層薄膜１０１を成膜させた際の、最大反り量δ２をほぼ平坦に近い値とすることができる。又、大型基板１００は、多層薄膜１０１を成膜する前に湾曲加工されているため、製造プロセス中に大型基板の反りを矯正する加熱及び加圧等の工程を追加する必要がないので、工程ロス、生産性の低下を抑制することができる。

更に、素子基板１０の背面に、反りを相殺するための薄膜を形成する必要がないので、光透過率の低下を回避することができる。

本発明による電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に限らず、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶装置に適用することができる。

液晶装置の平面図 図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図 液晶装置を詳細に示す部分拡大断面図 大型基板の製造工程を示す説明図 液晶装置の製造方法を示すフローチャート ２枚の大型基板の貼り合わせ工程を示す説明図 従来の大型基板の反り状態を示す説明図 従来の２枚の大型基板の貼り合わせの際の位置合わせを示す斜視図 従来の２枚の大型基板の貼り合わせ工程を示す説明図

符号の説明

１…液晶装置、１０…素子基板、δ，δ１…反り量、１００，１１０…大型基板、１００ａ，１１０ａ…アライメントマーク、１０１，１１１…多層薄膜、１０１ａ，１１１ａ…構成要素、１０２ａ…表面、１０２ｂ…裏面、１２０…研磨ヘッド、１２０ａ…ヘッド部、１２０ｂ…研磨パッド、ｔ１，ｔ２…板厚

Claims (3)

1. 多層薄膜が形成された大型基板と他の基板とを貼り合わせ、該大型基板のチップ状基板毎に分断して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法において、
   前記大型基板の両面を同一方向に湾曲加工して反りを形成する基板加工工程と、
   湾曲加工された前記大型基板の、前記多層薄膜に発生する内部応力を相殺する方向に反りが形成されている面に該多層薄膜を成膜する成膜工程と
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記他の基板が他の大型基板であり、
   前記大型基板に前記多層薄膜を成膜した後、該大型基板に前記他の大型基板を貼り合わせる基板貼り合わせ工程を備えることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記基板加工工程では、前記大型基板に対する湾曲加工をポリッシングにより行うことを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装置の製造方法。

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