JP2003111297A - 蓄電素子の電圧検出回路 - Google Patents
蓄電素子の電圧検出回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電圧判定結果を外部に取出すための信号伝達
用部品の必要数を少なくして、製造コストを安くできる
直列接続された蓄電素子の電圧検出回路を提供する。 【解決手段】 直列接続された複数の蓄電素子B１，Ｂ２
の各々の端子間電圧を検出する蓄電素子の電圧検出回路
において、前記複数の蓄電素子の端子間にそれぞれ電圧
判定手段ＶＰＬ-１,ＶＰＬ2,ＶＰＨ-１,ＶＰＨ-2を設
け、初段の電圧判定手段の判定結果を次段の電圧判定手
段に絶縁せずに伝送し、最終段の電圧判定手段の判定結
果を得る蓄電素子の電圧検出回路。
用部品の必要数を少なくして、製造コストを安くできる
直列接続された蓄電素子の電圧検出回路を提供する。 【解決手段】 直列接続された複数の蓄電素子B１，Ｂ２
の各々の端子間電圧を検出する蓄電素子の電圧検出回路
において、前記複数の蓄電素子の端子間にそれぞれ電圧
判定手段ＶＰＬ-１,ＶＰＬ2,ＶＰＨ-１,ＶＰＨ-2を設
け、初段の電圧判定手段の判定結果を次段の電圧判定手
段に絶縁せずに伝送し、最終段の電圧判定手段の判定結
果を得る蓄電素子の電圧検出回路。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蓄電素子の電圧検
出回路に関し、特に、複数の直列接続された各蓄電素子
の端子間電圧の異常を検出する蓄電素子の電圧検出回路
に関する。
出回路に関し、特に、複数の直列接続された各蓄電素子
の端子間電圧の異常を検出する蓄電素子の電圧検出回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の蓄電素子を直列接続して高電圧を
得る構成は、例えば、電気自動車やフォークリフト等の
バッテリーなどに用いられる。このような複数の蓄電素
子を直列接続したバッテリーにおいては、蓄電素子の故
障や消耗などにより電圧異常が発生し、バッテリーの性
能が損なわれることがある。このため、蓄電素子の電圧
検出回路を設ける必要がある。この蓄電素子の電圧検出
回路は、各蓄電素子の電圧を監視し、電圧が規定の値か
らずれた場合に、電圧異常を知らせる検出信号を出力す
るものである。
得る構成は、例えば、電気自動車やフォークリフト等の
バッテリーなどに用いられる。このような複数の蓄電素
子を直列接続したバッテリーにおいては、蓄電素子の故
障や消耗などにより電圧異常が発生し、バッテリーの性
能が損なわれることがある。このため、蓄電素子の電圧
検出回路を設ける必要がある。この蓄電素子の電圧検出
回路は、各蓄電素子の電圧を監視し、電圧が規定の値か
らずれた場合に、電圧異常を知らせる検出信号を出力す
るものである。
【０００３】このような、蓄電素子の電圧検出回路の従
来例を挙げ、図２を用いて以下説明する。図２は従来の
電圧検出回路を示す回路図である。図２において、Ｂ１
〜Ｂ４は蓄電素子、Ｑ１〜Ｑ４は半導体スイッチ素子、
ｑ１〜ｑ４は制御信号生成用トランジスタ、Ｖｐ１〜Ｖ
ｐ４は電圧判定手段、ＰＨ０〜ＰＨ４はフォトカプラで
ある。
来例を挙げ、図２を用いて以下説明する。図２は従来の
電圧検出回路を示す回路図である。図２において、Ｂ１
〜Ｂ４は蓄電素子、Ｑ１〜Ｑ４は半導体スイッチ素子、
ｑ１〜ｑ４は制御信号生成用トランジスタ、Ｖｐ１〜Ｖ
ｐ４は電圧判定手段、ＰＨ０〜ＰＨ４はフォトカプラで
ある。
【０００４】図２において、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４は、直
列接続され、電圧判定手段Ｖｐ１〜Ｖｐ４は、それぞれ
の蓄電素子の端子間に接続されている。また、半導体ス
イッチ素子Ｑ１〜Ｑ４は、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４と電圧判
定手段の間に接続されている。
列接続され、電圧判定手段Ｖｐ１〜Ｖｐ４は、それぞれ
の蓄電素子の端子間に接続されている。また、半導体ス
イッチ素子Ｑ１〜Ｑ４は、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４と電圧判
定手段の間に接続されている。
【０００５】半導体スイッチ素子（例えば、トランジス
タ又はＦＥＴ）Ｑ１の制御端子であるベースは、外部制
御信号ｃによって、ＯＮ・ＯＦＦされるフォトカプラＰ
Ｈ０の出力が与えられるように接続されている。また、
別の半導体スイッチ素子Ｑ２の制御端子であるベース
は、制御信号生成用トランジスタｑ１のコレクタに抵抗
を介して接続されている。制御信号生成用トランジスタ
ｑ１のベースは、半導体スイッチ素子Ｑ１の出力側の電
圧判定手段Ｖｐ１の両端に抵抗により分圧接続されてい
る。
タ又はＦＥＴ）Ｑ１の制御端子であるベースは、外部制
御信号ｃによって、ＯＮ・ＯＦＦされるフォトカプラＰ
Ｈ０の出力が与えられるように接続されている。また、
別の半導体スイッチ素子Ｑ２の制御端子であるベース
は、制御信号生成用トランジスタｑ１のコレクタに抵抗
を介して接続されている。制御信号生成用トランジスタ
ｑ１のベースは、半導体スイッチ素子Ｑ１の出力側の電
圧判定手段Ｖｐ１の両端に抵抗により分圧接続されてい
る。
【０００６】また、別の半導体スイッチ素子Ｑ３の制御
端子であるベースは、制御信号生成用トランジスタｑ2
のコレクタに抵抗を介して接続されている。制御信号生
成用トランジスタｑ２のベースは、半導体スイッチ素子
Ｑ２の出力側の電圧判定手段Ｖｐ２の両端に抵抗により
分圧接続されている。
端子であるベースは、制御信号生成用トランジスタｑ2
のコレクタに抵抗を介して接続されている。制御信号生
成用トランジスタｑ２のベースは、半導体スイッチ素子
Ｑ２の出力側の電圧判定手段Ｖｐ２の両端に抵抗により
分圧接続されている。
【０００７】また、更に別の半導体スイッチ素子Ｑ４の
制御端子であるベースは、制御信号生成用トランジスタ
ｑ3のコレクタに抵抗を介して接続されている。制御信
号生成用トランジスタｑ3のベースは、半導体スイッチ
素子Ｑ３の出力側の電圧判定手段Ｖｐ3の両端に抵抗に
より分圧接続されている。
制御端子であるベースは、制御信号生成用トランジスタ
ｑ3のコレクタに抵抗を介して接続されている。制御信
号生成用トランジスタｑ3のベースは、半導体スイッチ
素子Ｑ３の出力側の電圧判定手段Ｖｐ3の両端に抵抗に
より分圧接続されている。
【０００８】また、制御信号生成用トランジスタｑ４の
コレクタは、図示しない次段の半導体スイッチ素子に接
続されるように端子が取出されている。また、制御信号
生成用トランジスタｑ４のベースは、半導体スイッチ素
子Ｑ４の出力側の電圧判定手段Ｖｐ４の両端に抵抗によ
り分圧接続されている。
コレクタは、図示しない次段の半導体スイッチ素子に接
続されるように端子が取出されている。また、制御信号
生成用トランジスタｑ４のベースは、半導体スイッチ素
子Ｑ４の出力側の電圧判定手段Ｖｐ４の両端に抵抗によ
り分圧接続されている。
【０００９】電圧判定手段からの判定出力（例えば、所
定電圧以上又は、所定電圧以下）は、それぞれフォトカ
プラＰＨ１〜ＰＨ４を介して電気的に絶縁して取出され
て出力される。図２では、フォトカプラＰＨ１〜ＰＨ４
の出力が並列接続されているので、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４
のいずれか１個の蓄電素子の端子間電圧が、例えば、所
定電圧以下か以上になった場合に、ａとして出力され
る。
定電圧以上又は、所定電圧以下）は、それぞれフォトカ
プラＰＨ１〜ＰＨ４を介して電気的に絶縁して取出され
て出力される。図２では、フォトカプラＰＨ１〜ＰＨ４
の出力が並列接続されているので、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４
のいずれか１個の蓄電素子の端子間電圧が、例えば、所
定電圧以下か以上になった場合に、ａとして出力され
る。
【００１０】次に図２の回路における、電圧検出回路の
動作を説明する。外部制御信号ｃによって、フォトカプ
ラＰＨ０出力が半導体スイッチ素子Ｑ１のベース与えら
れると、この半導体スイッチ素子Ｑ１にはエミッタから
ベースに電流が流れてＯＮになる。
動作を説明する。外部制御信号ｃによって、フォトカプ
ラＰＨ０出力が半導体スイッチ素子Ｑ１のベース与えら
れると、この半導体スイッチ素子Ｑ１にはエミッタから
ベースに電流が流れてＯＮになる。
【００１１】この半導体スイッチ素子Ｑ１がＯＮの時
は、この半導体スイッチ素子Ｑ１のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ１のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ１を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ１がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ２のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ２がＯＮになる。
は、この半導体スイッチ素子Ｑ１のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ１のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ１を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ１がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ２のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ２がＯＮになる。
【００１２】また、半導体スイッチ素子Ｑ２がＯＮの時
は、この半導体スイッチ素子Ｑ２のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ2のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ2を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ2がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ３のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ３がＯＮになる。
は、この半導体スイッチ素子Ｑ２のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ2のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ2を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ2がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ３のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ３がＯＮになる。
【００１３】また、半導体スイッチ素子Ｑ３がＯＮの時
は、この半導体スイッチ素子Ｑ３のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ3のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ3を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ3がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ４のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ４がＯＮになる。
は、この半導体スイッチ素子Ｑ３のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ3のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ3を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ3がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ４のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ４がＯＮになる。
【００１４】これに対して、外部制御信号ｃが存在しな
い場合には、半導体スイッチ素子Ｑ１は、エミッタから
ベースに電流が流れないため、ＯＦＦになっている。半
導体スイッチ素子Ｑ１がＯＦＦであると、各制御信号生
成用トランジスタｑ１〜ｑ４がＯＮになれないために、
全ての半導体スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４はＯＦＦになって
いる。
い場合には、半導体スイッチ素子Ｑ１は、エミッタから
ベースに電流が流れないため、ＯＦＦになっている。半
導体スイッチ素子Ｑ１がＯＦＦであると、各制御信号生
成用トランジスタｑ１〜ｑ４がＯＮになれないために、
全ての半導体スイッチ素子Ｑ１〜Ｑ４はＯＦＦになって
いる。
【００１５】上記の如く、単一の外部制御信号ｃによっ
て、全ての半導体スイッチ素Ｑ１〜Ｑ４をＯＮ・ＯＦＦ
することができ、該半導体スイッチ素子を介して接続さ
れた電圧判定手段Ｖｐ１〜Ｖｐ４により蓄電素子Ｂ１〜
Ｂ４の電圧の検出（判定）を以下のように行うことがで
きる。
て、全ての半導体スイッチ素Ｑ１〜Ｑ４をＯＮ・ＯＦＦ
することができ、該半導体スイッチ素子を介して接続さ
れた電圧判定手段Ｖｐ１〜Ｖｐ４により蓄電素子Ｂ１〜
Ｂ４の電圧の検出（判定）を以下のように行うことがで
きる。
【００１６】図２において、電圧判定手段ＶＰ１〜ＶＰ
４が入力電圧が所定電圧以下の時に検出出力をフォトカ
プラＰＨ１〜ＰＨ４に出力する構成の場合には、外部制
御信号ｃが存在する時に、出力ａが得られれば、蓄電素
子Ｂ１〜Ｂ４の内のいずれかの蓄電素子の端子間電圧が
所定電圧以下か、或いは、本回路の構成部品が異常であ
ると判断できる。
４が入力電圧が所定電圧以下の時に検出出力をフォトカ
プラＰＨ１〜ＰＨ４に出力する構成の場合には、外部制
御信号ｃが存在する時に、出力ａが得られれば、蓄電素
子Ｂ１〜Ｂ４の内のいずれかの蓄電素子の端子間電圧が
所定電圧以下か、或いは、本回路の構成部品が異常であ
ると判断できる。
【００１７】また、電圧判定手段ＶＰ１〜ＶＰ４が入力
電圧が所定電圧以上の時に検出出力をフォトカプラＰＨ
１〜ＰＨ４に出力する構成の場合には、外部制御信号ｃ
が存在する時に、出力ａが得られれば、蓄電素子Ｂ１〜
Ｂ４の内のいずれかの蓄電素子の端子間電圧が所定電圧
以上であるか、或いは、本回路の構成部品が異常である
と判断できる。
電圧が所定電圧以上の時に検出出力をフォトカプラＰＨ
１〜ＰＨ４に出力する構成の場合には、外部制御信号ｃ
が存在する時に、出力ａが得られれば、蓄電素子Ｂ１〜
Ｂ４の内のいずれかの蓄電素子の端子間電圧が所定電圧
以上であるか、或いは、本回路の構成部品が異常である
と判断できる。
【００１８】また、外部制御信号ｃが存在しない時に、
出力ａが得られれば、本回路の構成部品が異常であると
判断できる。図２の回路では、このような検出を組合わ
せることにより、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４の端子間電圧の異
常及び本回路の構成部品の異常が判定できる。
出力ａが得られれば、本回路の構成部品が異常であると
判断できる。図２の回路では、このような検出を組合わ
せることにより、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４の端子間電圧の異
常及び本回路の構成部品の異常が判定できる。
【００１９】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述
の図２の回路では、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４の端子間電圧の
異常及び本回路の構成部品の異常の判定が可能である
が、各電圧判定手段の検出出力を外部に取出す際に電気
的絶縁を行うフォトカプラＰＨ１〜ＰＨ４が多数必要で
あって、コストが高くなるという問題があった。
の図２の回路では、蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４の端子間電圧の
異常及び本回路の構成部品の異常の判定が可能である
が、各電圧判定手段の検出出力を外部に取出す際に電気
的絶縁を行うフォトカプラＰＨ１〜ＰＨ４が多数必要で
あって、コストが高くなるという問題があった。
【００２０】本発明は、前述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的は電圧判定結果を外部に取出す
ための信号伝達用部品の必要数を少なくして、装置の製
造に伴うコストを安くできる直列接続された蓄電素子の
電圧検出回路を提供することにある。
たものであり、その目的は電圧判定結果を外部に取出す
ための信号伝達用部品の必要数を少なくして、装置の製
造に伴うコストを安くできる直列接続された蓄電素子の
電圧検出回路を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回路は、請求
項１に記載したように、直列接続された複数の蓄電素子
の各々の端子間電圧を検出する蓄電素子の電圧検出回路
において、前記複数の蓄電素子の端子間にそれぞれ電圧
判定手段を設け、任意の前記電圧判定手段を初段とし
て、該初段の電圧判定手段の判定結果を他の電圧判定手
段に順次絶縁せずに伝送し、初段から最終段までの電圧
判定手段の総合した判定結果を得ることを特徴とし、さ
らに、請求項２に記載したように、最終段の電圧判定手
段の判定結果をフォトカプラを介して外部に出力するこ
とを特徴とする。このように、各電圧判定手段毎に判定
結果を出力する必要が無いので、各段毎にフォトカプラ
を設ける必要がない。よって、電圧判定結果を外部に取
出すためのフォトカプラの必要数を少なくでき、装置の
製造に伴うコストを安くできる。
ために、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回路は、請求
項１に記載したように、直列接続された複数の蓄電素子
の各々の端子間電圧を検出する蓄電素子の電圧検出回路
において、前記複数の蓄電素子の端子間にそれぞれ電圧
判定手段を設け、任意の前記電圧判定手段を初段とし
て、該初段の電圧判定手段の判定結果を他の電圧判定手
段に順次絶縁せずに伝送し、初段から最終段までの電圧
判定手段の総合した判定結果を得ることを特徴とし、さ
らに、請求項２に記載したように、最終段の電圧判定手
段の判定結果をフォトカプラを介して外部に出力するこ
とを特徴とする。このように、各電圧判定手段毎に判定
結果を出力する必要が無いので、各段毎にフォトカプラ
を設ける必要がない。よって、電圧判定結果を外部に取
出すためのフォトカプラの必要数を少なくでき、装置の
製造に伴うコストを安くできる。
【００２２】また、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回
路は、請求項３に記載したように、前記初段の電圧判定
手段を前記直列接続された複数の蓄電素子の低圧側と
し、前記最終段の電圧判定手段を前記直列接続された複
数の蓄電素子の高圧側とすることを特徴とする。これに
よって、電圧判定結果を低圧側の電圧判定手段から高圧
側の電圧判定手段へ伝送するので、検出結果伝送用トラ
ンジスタのベース電位が各ＩＣモジュールの接地電位よ
りも高電位（プラス電位）となるため、装置のＩＣ化に
適している。
路は、請求項３に記載したように、前記初段の電圧判定
手段を前記直列接続された複数の蓄電素子の低圧側と
し、前記最終段の電圧判定手段を前記直列接続された複
数の蓄電素子の高圧側とすることを特徴とする。これに
よって、電圧判定結果を低圧側の電圧判定手段から高圧
側の電圧判定手段へ伝送するので、検出結果伝送用トラ
ンジスタのベース電位が各ＩＣモジュールの接地電位よ
りも高電位（プラス電位）となるため、装置のＩＣ化に
適している。
【００２３】さらに、本発明に係る蓄電素子の電圧検出
回路は、請求項４に記載したように、前記電圧判定手段
は、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下又は規定電圧
以上のいずれか一方の電圧を検出することを特徴とす
る。これにより、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下
の場合は不足電圧の検出ができ、蓄電素子の端子間電圧
が規定電圧以上場合は過電圧の検出ができる。
回路は、請求項４に記載したように、前記電圧判定手段
は、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下又は規定電圧
以上のいずれか一方の電圧を検出することを特徴とす
る。これにより、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下
の場合は不足電圧の検出ができ、蓄電素子の端子間電圧
が規定電圧以上場合は過電圧の検出ができる。
【００２４】また、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回
路は、請求項５に記載したように、前記電圧判定手段
は、複数の蓄電素子のいずれかの端子間電圧が規定電圧
範囲内から外れた場合に外部に出力されることを特徴と
する。これにより、直列接続された複数の蓄電素子が規
定電圧範囲内にあるか否かの監視を容易に行うことがで
きる。
路は、請求項５に記載したように、前記電圧判定手段
は、複数の蓄電素子のいずれかの端子間電圧が規定電圧
範囲内から外れた場合に外部に出力されることを特徴と
する。これにより、直列接続された複数の蓄電素子が規
定電圧範囲内にあるか否かの監視を容易に行うことがで
きる。
【００２５】また、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回
路は、請求項６に記載したように、前記初段の電圧判定
手段が、強制的に動作チェック用信号を入力することに
よって、前記電圧検出回路の自己診断を行うことを特徴
とし、さらに、請求項７に記載したように、外部からの
動作チェック用信号はフォトカプラを介して入力される
ことを特徴とする。これにより、外部からの信号によっ
て監視結果を得ることができる。
路は、請求項６に記載したように、前記初段の電圧判定
手段が、強制的に動作チェック用信号を入力することに
よって、前記電圧検出回路の自己診断を行うことを特徴
とし、さらに、請求項７に記載したように、外部からの
動作チェック用信号はフォトカプラを介して入力される
ことを特徴とする。これにより、外部からの信号によっ
て監視結果を得ることができる。
【００２６】また、本発明に係る蓄電素子の電圧検出回
路は、請求項８に記載したように、前記複数の蓄電素子
と前記複数の電圧判定手段の間には、外部からの信号に
よって順次ＯＮ・ＯＦＦを行う半導体スイッチ素子が接
続されていることを特徴とし、さらに、請求項９に記載
したように、外部からの信号はフォトカプラを介して入
力されることを特徴とする。これによって、必要に応じ
て電圧検出回路を切り離すことができる。
路は、請求項８に記載したように、前記複数の蓄電素子
と前記複数の電圧判定手段の間には、外部からの信号に
よって順次ＯＮ・ＯＦＦを行う半導体スイッチ素子が接
続されていることを特徴とし、さらに、請求項９に記載
したように、外部からの信号はフォトカプラを介して入
力されることを特徴とする。これによって、必要に応じ
て電圧検出回路を切り離すことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施の形態
の電圧検出回路の回路図である。図１において、Ｂ１，
Ｂ２は蓄電素子（従来の図２の蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４に相
当する）、Ｑ１，Ｑ２は半導体スイッチ素子（図２のＱ
１〜Ｑ４相当する）、ｑ１,ｑ2は制御信号生成用トラン
ジスタ（図２のｑ１〜ｑ４に相当する）、ＶＰＬ-１，
ＶＰＨ１は第一段（初段）の電圧判定手段（図２のＶｐ
１に相当する）、ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2は第二段（最終
段）の電圧判定手段（図２のＶｐ４に相当する）、ＰＨ
０，ＰＨＨ，ＰＨＬはフォトカプラ（図２のＰＨ０〜Ｐ
Ｈ４に相当する）である。なお、図中○で示した部分
は、各段の回路をＩＣモジュールで構成した場合のＩＣ
モジュールの端子である。
図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施の形態
の電圧検出回路の回路図である。図１において、Ｂ１，
Ｂ２は蓄電素子（従来の図２の蓄電素子Ｂ１〜Ｂ４に相
当する）、Ｑ１，Ｑ２は半導体スイッチ素子（図２のＱ
１〜Ｑ４相当する）、ｑ１,ｑ2は制御信号生成用トラン
ジスタ（図２のｑ１〜ｑ４に相当する）、ＶＰＬ-１，
ＶＰＨ１は第一段（初段）の電圧判定手段（図２のＶｐ
１に相当する）、ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2は第二段（最終
段）の電圧判定手段（図２のＶｐ４に相当する）、ＰＨ
０，ＰＨＨ，ＰＨＬはフォトカプラ（図２のＰＨ０〜Ｐ
Ｈ４に相当する）である。なお、図中○で示した部分
は、各段の回路をＩＣモジュールで構成した場合のＩＣ
モジュールの端子である。
【００２８】図１では蓄電素子が２個の例を挙げたが、
例えば図２の如く、蓄電素子が４個直列接続されている
場合など、複数の任意の数の蓄電素子が直列接続されて
いればよい。
例えば図２の如く、蓄電素子が４個直列接続されている
場合など、複数の任意の数の蓄電素子が直列接続されて
いればよい。
【００２９】図１に示すように、蓄電素子Ｂ１，Ｂ２
は、直列接続され、電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ
１，ＶＰＬ-2，VＰＨ-2は、それぞれの蓄電素子の端子
間に接続されている。また、半導体スイッチ素子Ｑ１，
Ｑ２は、蓄電素子Ｂ１，Ｂ２と電圧判定手段の間に接続
されている。
は、直列接続され、電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ
１，ＶＰＬ-2，VＰＨ-2は、それぞれの蓄電素子の端子
間に接続されている。また、半導体スイッチ素子Ｑ１，
Ｑ２は、蓄電素子Ｂ１，Ｂ２と電圧判定手段の間に接続
されている。
【００３０】半導体スイッチ素子（例えば、トランジス
タ又はＦＥＴ）Ｑ１の制御端子であるベースは、外部制
御信号ｃによって、ＯＮ・ＯＦＦされるフォトカプラＰ
Ｈ０の出力が与えられるように接続されている。また、
別の半導体スイッチ素子Ｑ２の制御端子であるベース
は、制御信号生成用トランジスタｑ１のコレクタに抵抗
を介して接続されている。そして、制御信号生成用トラ
ンジスタｑ１のベースは、半導体スイッチ素子Ｑ１の出
力側の電圧判定手段ＶＰＬ-１,ＶＰＨ-１の両端に抵抗
により分圧接続されている。
タ又はＦＥＴ）Ｑ１の制御端子であるベースは、外部制
御信号ｃによって、ＯＮ・ＯＦＦされるフォトカプラＰ
Ｈ０の出力が与えられるように接続されている。また、
別の半導体スイッチ素子Ｑ２の制御端子であるベース
は、制御信号生成用トランジスタｑ１のコレクタに抵抗
を介して接続されている。そして、制御信号生成用トラ
ンジスタｑ１のベースは、半導体スイッチ素子Ｑ１の出
力側の電圧判定手段ＶＰＬ-１,ＶＰＨ-１の両端に抵抗
により分圧接続されている。
【００３１】また、制御信号生成用トランジスタｑ2の
コレクタは、図示しない次段の半導体スイッチ素子に接
続されるように端子が取出されている。また、制御信号
生成用トランジスタｑ2のベースは、半導体スイッチ素
子Ｑ２の出力側の電圧判定手段Ｖｐl-2,ＶＰＨ-2の両端
に抵抗により分圧接続されている。
コレクタは、図示しない次段の半導体スイッチ素子に接
続されるように端子が取出されている。また、制御信号
生成用トランジスタｑ2のベースは、半導体スイッチ素
子Ｑ２の出力側の電圧判定手段Ｖｐl-2,ＶＰＨ-2の両端
に抵抗により分圧接続されている。
【００３２】次に図１の回路における、電圧検出回路の
動作を説明する。外部制御信号ｃによって、フォトカプ
ラＰＨ０出力が半導体スイッチ素子Ｑ１のベース与えら
れると、この半導体スイッチ素子Ｑ１にはエミッタから
ベースに電流が流れてＯＮになる。
動作を説明する。外部制御信号ｃによって、フォトカプ
ラＰＨ０出力が半導体スイッチ素子Ｑ１のベース与えら
れると、この半導体スイッチ素子Ｑ１にはエミッタから
ベースに電流が流れてＯＮになる。
【００３３】この半導体スイッチ素子Ｑ１がＯＮの時
は、この半導体スイッチ素子Ｑ１のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ１のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ１を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ１がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ２のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ２がＯＮになる。
は、この半導体スイッチ素子Ｑ１のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ１のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ１を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ１がＯＮになると、半導体スイッチ素子Ｑ２のエミッ
タ・ベースから電流が流れるため、半導体スイッチ素子
Ｑ２がＯＮになる。
【００３４】また、半導体スイッチ素子Ｑ２がＯＮの時
は、この半導体スイッチ素子Ｑ２のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ2のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ2を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ２がＯＮになると、図示しない次段の半導体スイッチ
素子のエミッタ・ベースへ電流が端子から流れる。
は、この半導体スイッチ素子Ｑ２のコレクタから制御信
号生成用トランジスタｑ2のベース・エミッタを介して
電流が流れて、この制御信号生成用トランジスタｑ2を
ＯＮにする。そして、この制御信号生成用トランジスタ
ｑ２がＯＮになると、図示しない次段の半導体スイッチ
素子のエミッタ・ベースへ電流が端子から流れる。
【００３５】これに対して、外部制御信号ｃが存在しな
い場合には、半導体スイッチ素子Ｑ１は、エミッタから
ベースに電流が流れないため、ＯＦＦになっている。半
導体スイッチ素子Ｑ１がＯＦＦであると、各制御信号生
成用トランジスタｑ１がＯＮになれないために、半導体
スイッチ素子Ｑ２はＯＦＦになっている。
い場合には、半導体スイッチ素子Ｑ１は、エミッタから
ベースに電流が流れないため、ＯＦＦになっている。半
導体スイッチ素子Ｑ１がＯＦＦであると、各制御信号生
成用トランジスタｑ１がＯＮになれないために、半導体
スイッチ素子Ｑ２はＯＦＦになっている。
【００３６】上記の如く、単一の外部制御信号ｃによっ
て、全ての半導体スイッチ素Ｑ１，Ｑ２をＯＮ・ＯＦＦ
することができ、該半導体スイッチ素子を介して接続さ
れた電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１，ＶＰＬ-2，VＰ
Ｈ-2により蓄電素子Ｂ１，Ｂ２の電圧の検出（蓄電素子
の端子間電圧が所定範囲内であるという判定）を以下の
ように行うことができる。
て、全ての半導体スイッチ素Ｑ１，Ｑ２をＯＮ・ＯＦＦ
することができ、該半導体スイッチ素子を介して接続さ
れた電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１，ＶＰＬ-2，VＰ
Ｈ-2により蓄電素子Ｂ１，Ｂ２の電圧の検出（蓄電素子
の端子間電圧が所定範囲内であるという判定）を以下の
ように行うことができる。
【００３７】図１の電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ
１，ＶＰＬ-2，VＰＨ-2の内のＶＰＬ-１及びＶＰＬ-2
は、蓄電素子の端子間電圧が規定値以下であることを検
出する電圧判定手段である。 図１において、不足電圧
チェック用信号がフォトカプラＰＨＣＬを介して与えら
れると、第一段（初段）の電圧判定手段（不足電圧）Ｖ
ＰＬ-１の検出結果を最終段のＶＰＬ-2に絶縁せずに伝
え、該最終段のＶＰＬ-2の検出結果はフォトカプラＰＨ
Ｌを介して外部に絶縁して出力される。
１，ＶＰＬ-2，VＰＨ-2の内のＶＰＬ-１及びＶＰＬ-2
は、蓄電素子の端子間電圧が規定値以下であることを検
出する電圧判定手段である。 図１において、不足電圧
チェック用信号がフォトカプラＰＨＣＬを介して与えら
れると、第一段（初段）の電圧判定手段（不足電圧）Ｖ
ＰＬ-１の検出結果を最終段のＶＰＬ-2に絶縁せずに伝
え、該最終段のＶＰＬ-2の検出結果はフォトカプラＰＨ
Ｌを介して外部に絶縁して出力される。
【００３８】図１において、フォトカプラＰＨＣＬを介
して不足電圧チェック信号が外部から入力されると、検
出結果伝送用トランジスタＴｒ１が導通して、電圧判定
手段ＶＰＬ-１の検出結果が検出結果伝送用トランジス
タＴｒ１-１を介して次段の送られ、検出結果伝送用ト
ランジスタＴｒ2を導通させる。この検出結果伝送用ト
ランジスタＴｒ2の導通により次段の電圧判定手段ＶＰ
Ｌ-2の検出結果は検出結果伝送用トランジスタＴｒ2-１
を介して外部出力のためのフォトカプラＰＨＬに与えら
れる。
して不足電圧チェック信号が外部から入力されると、検
出結果伝送用トランジスタＴｒ１が導通して、電圧判定
手段ＶＰＬ-１の検出結果が検出結果伝送用トランジス
タＴｒ１-１を介して次段の送られ、検出結果伝送用ト
ランジスタＴｒ2を導通させる。この検出結果伝送用ト
ランジスタＴｒ2の導通により次段の電圧判定手段ＶＰ
Ｌ-2の検出結果は検出結果伝送用トランジスタＴｒ2-１
を介して外部出力のためのフォトカプラＰＨＬに与えら
れる。
【００３９】図１において、過電圧チェック用信号がフ
ォトカプラＰＨＣＨを介して与えられると、第一段（初
段）の電圧判定手段（過電圧）ＶＰＨ-１の検出結果を
第二段（最終段）のＶＰＨ-2に絶縁せずに伝え、該第二
段（最終段）のＶＰＨ-2の検出結果はフォトカプラＰＨ
Ｈを介して外部に絶縁して出力される。また、過電圧の
検出結果の伝送は不足電圧の場合と同様である。
ォトカプラＰＨＣＨを介して与えられると、第一段（初
段）の電圧判定手段（過電圧）ＶＰＨ-１の検出結果を
第二段（最終段）のＶＰＨ-2に絶縁せずに伝え、該第二
段（最終段）のＶＰＨ-2の検出結果はフォトカプラＰＨ
Ｈを介して外部に絶縁して出力される。また、過電圧の
検出結果の伝送は不足電圧の場合と同様である。
【００４０】また、本発明は、必ずしも検出結果を低圧
側の電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１から、高圧側の
電圧判定手段ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2へ伝送する上記構成と
しなくてもよい。例えば、検出結果を高圧側の電圧判定
手段ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2から、低圧側の電圧判定手段Ｖ
ＰＬ-１，ＶＰＨ１へ伝送する構成や、例えば図２の如
く、蓄電素子が４個直列接続されている場合に、第二段
を初段として，第四段，第三段，第一段の順に、検出結
果を順次伝送させるなどの構成でもよい。つまり、任意
のものを初段として、該初段の電圧判定手段の判定結果
を他の電圧判定手段に順次絶縁せずに伝送し、最終段の
電圧判定手段の判定結果をフォトカプラを介して外部に
出力する構成であればよい。
側の電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１から、高圧側の
電圧判定手段ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2へ伝送する上記構成と
しなくてもよい。例えば、検出結果を高圧側の電圧判定
手段ＶＰＬ-2，ＶＰＨ-2から、低圧側の電圧判定手段Ｖ
ＰＬ-１，ＶＰＨ１へ伝送する構成や、例えば図２の如
く、蓄電素子が４個直列接続されている場合に、第二段
を初段として，第四段，第三段，第一段の順に、検出結
果を順次伝送させるなどの構成でもよい。つまり、任意
のものを初段として、該初段の電圧判定手段の判定結果
を他の電圧判定手段に順次絶縁せずに伝送し、最終段の
電圧判定手段の判定結果をフォトカプラを介して外部に
出力する構成であればよい。
【００４１】これにより、蓄電素子毎に設けられた電圧
判定手段毎に外部に検出結果を出力するためのフォトカ
プラを設ける必要がなくなり、装置の製造に伴うコスト
が安くなる。
判定手段毎に外部に検出結果を出力するためのフォトカ
プラを設ける必要がなくなり、装置の製造に伴うコスト
が安くなる。
【００４２】また、図１においては、検出結果を上記の
如く、低圧側の電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１か
ら、高圧側の電圧判定手段ＶＰＬ-2，VＰＨ-2へ伝送す
る構成となっている。よって、各段の回路をＩＣモジュ
ールで構成した場合（図１中、○で示した部分がＩＣモ
ジュールの端子となる）、各検出結果伝送用トランジス
タＴｒ１，Ｔｒ２のベース電位が各ＩＣモジュールの接
地電位よりも高電位（プラス電位）となる。このため、
図１の如く、初段を低圧側、最終段を高圧側とした構成
は、装置のＩＣ化に適した構成となる。
如く、低圧側の電圧判定手段ＶＰＬ-１，ＶＰＨ１か
ら、高圧側の電圧判定手段ＶＰＬ-2，VＰＨ-2へ伝送す
る構成となっている。よって、各段の回路をＩＣモジュ
ールで構成した場合（図１中、○で示した部分がＩＣモ
ジュールの端子となる）、各検出結果伝送用トランジス
タＴｒ１，Ｔｒ２のベース電位が各ＩＣモジュールの接
地電位よりも高電位（プラス電位）となる。このため、
図１の如く、初段を低圧側、最終段を高圧側とした構成
は、装置のＩＣ化に適した構成となる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１に記載の発明では、直列接続さ
れた複数の蓄電素子の各々の端子間電圧を検出する蓄電
素子の電圧検出回路において、複数の蓄電素子の端子間
にそれぞれ電圧判定手段を設け、任意の電圧判定手段を
初段として、該初段の電圧判定手段の判定結果を他の電
圧判定手段に順次絶縁せずに伝送し、初段から最終段ま
での電圧判定手段の総合した判定結果を得ることによ
り、蓄電素子の電圧検出回路を構成する。これにより、
電圧判定結果を外部に取出すための部品点数を少なくし
て、製造に伴うコストを安くできる。
れた複数の蓄電素子の各々の端子間電圧を検出する蓄電
素子の電圧検出回路において、複数の蓄電素子の端子間
にそれぞれ電圧判定手段を設け、任意の電圧判定手段を
初段として、該初段の電圧判定手段の判定結果を他の電
圧判定手段に順次絶縁せずに伝送し、初段から最終段ま
での電圧判定手段の総合した判定結果を得ることによ
り、蓄電素子の電圧検出回路を構成する。これにより、
電圧判定結果を外部に取出すための部品点数を少なくし
て、製造に伴うコストを安くできる。
【００４４】さらに、請求項２に記載の発明では、最終
段の電圧判定手段の判定結果をフォトカプラを介して外
部に出力するので、蓄電素子と外部回路との間を電気的
に絶縁することができる安全性の高い蓄電素子の電圧検
出回路を提供できる。
段の電圧判定手段の判定結果をフォトカプラを介して外
部に出力するので、蓄電素子と外部回路との間を電気的
に絶縁することができる安全性の高い蓄電素子の電圧検
出回路を提供できる。
【００４５】さらに、請求項３に記載の発明では、初段
の電圧判定手段を直列接続された複数の蓄電素子の低圧
側とし、最終段の電圧判定手段を直列接続された複数の
蓄電素子の高圧側とすることにより、検出結果伝送用ト
ランジスタのベース電位が各ＩＣモジュールの接地電位
よりも高電位（プラス電位）となるため、装置のＩＣ化
が容易にできる。
の電圧判定手段を直列接続された複数の蓄電素子の低圧
側とし、最終段の電圧判定手段を直列接続された複数の
蓄電素子の高圧側とすることにより、検出結果伝送用ト
ランジスタのベース電位が各ＩＣモジュールの接地電位
よりも高電位（プラス電位）となるため、装置のＩＣ化
が容易にできる。
【００４６】また、請求項４に記載の発明では、電圧判
定手段は、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下又は規
定電圧以上のいずれか一方の電圧を検出することが可能
であり、不足電圧または過電圧の検出ができる。
定手段は、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧以下又は規
定電圧以上のいずれか一方の電圧を検出することが可能
であり、不足電圧または過電圧の検出ができる。
【００４７】また、請求項５に記載の発明では、電圧判
定手段は、複数の蓄電素子のいずれかの端子間電圧が規
定電圧範囲内から外れた場合に外部に出力するようにし
て、直列接続された複数の蓄電素子が規定電圧範囲内に
あるか否かの監視を容易に行うことができる。
定手段は、複数の蓄電素子のいずれかの端子間電圧が規
定電圧範囲内から外れた場合に外部に出力するようにし
て、直列接続された複数の蓄電素子が規定電圧範囲内に
あるか否かの監視を容易に行うことができる。
【００４８】また、請求項６に記載の発明では、初段の
電圧判定手段は、強制的に動作チェック用信号を入力す
ることによって、電圧検出回路の自己診断が行われる構
成として、外部からの信号によって監視結果を得ること
ができる。
電圧判定手段は、強制的に動作チェック用信号を入力す
ることによって、電圧検出回路の自己診断が行われる構
成として、外部からの信号によって監視結果を得ること
ができる。
【００４９】さらに、請求項７に記載の発明では、外部
からの動作チェック用信号はフォトカプラを介して入力
されるので、蓄電素子と外部回路との間を電気的に絶縁
することができる安全性の高い蓄電素子の電圧検出回路
を提供できる。
からの動作チェック用信号はフォトカプラを介して入力
されるので、蓄電素子と外部回路との間を電気的に絶縁
することができる安全性の高い蓄電素子の電圧検出回路
を提供できる。
【００５０】また、請求項８に記載の発明では、複数の
蓄電素子と複数の電圧判定手段の間には、外部からの信
号によって順次ＯＮ・ＯＦＦを行う半導体スイッチ素子
を接続することによって、必要に応じて電圧検出回路を
切り離すことができる。
蓄電素子と複数の電圧判定手段の間には、外部からの信
号によって順次ＯＮ・ＯＦＦを行う半導体スイッチ素子
を接続することによって、必要に応じて電圧検出回路を
切り離すことができる。
【００５１】さらに、請求項９に記載の発明では、外部
からの信号はフォトカプラを介して入力されるので、蓄
電素子と外部回路との間を電気的に絶縁することができ
る安全性の高い蓄電素子の電圧検出回路を提供できる。
からの信号はフォトカプラを介して入力されるので、蓄
電素子と外部回路との間を電気的に絶縁することができ
る安全性の高い蓄電素子の電圧検出回路を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態に係る蓄電素子の電圧検出
回路の構成を示す回路図である。
回路の構成を示す回路図である。
【図２】従来の蓄電素子の電圧検出回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４ 蓄電素子
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４ 半導体スイッチ素子
ｑ１，ｑ２，ｑ３，ｑ４ 制御信号生成用トランジ
スタ ＶＰＬ-1 （初段の）電圧判定手段
（不足電圧） ＶＰＬ-2 （最終段の）電圧判定手
段（不足電圧） ＶＰＨ-1 （初段の）電圧判定手段
（過電圧） ＶＰＨ-2 （最終段の）電圧判定手
段（過電圧） ＰＨ０，ＰＨＣＨ，ＰＨＣＬ，ＰＨＬ，ＰＨＨ フォト
カプラ ＰＨ１，ＰＨ２，ＰＨ３，ＰＨ４ フォト
カプラ Ｔｒ１,Ｔｒ１-1,Ｔｒ２,Ｔｒ２-1 検出結果伝
送用トランジスタ
スタ ＶＰＬ-1 （初段の）電圧判定手段
（不足電圧） ＶＰＬ-2 （最終段の）電圧判定手
段（不足電圧） ＶＰＨ-1 （初段の）電圧判定手段
（過電圧） ＶＰＨ-2 （最終段の）電圧判定手
段（過電圧） ＰＨ０，ＰＨＣＨ，ＰＨＣＬ，ＰＨＬ，ＰＨＨ フォト
カプラ ＰＨ１，ＰＨ２，ＰＨ３，ＰＨ４ フォト
カプラ Ｔｒ１,Ｔｒ１-1,Ｔｒ２,Ｔｒ２-1 検出結果伝
送用トランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 西澤 博史
長野県長野市稲里町下氷鉋1163番地 長野
日本無線株式会社内
(72)発明者 松井 冨士夫
東京都新宿区西新宿一丁目７番２号 富士
重工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2G016 CA03 CB05 CB12 CC01 CC04
CD04 CD06 CD14
5G003 BA03 CA11 EA02 EA06
5H030 AA09 AS08 BB00 FF41
Claims (9)
- 【請求項１】 直列接続された複数の蓄電素子の各々の
端子間電圧を検出する蓄電素子の電圧検出回路におい
て、 前記複数の蓄電素子の端子間にそれぞれ電圧判定手段を
設け、 任意の前記電圧判定手段を初段として、該初段の電圧判
定手段の判定結果を他の電圧判定手段に順次絶縁せずに
伝送し、 初段から最終段までの電圧判定手段の総合した判定結果
を得ることを特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項２】 請求項１に記載の蓄電素子の電圧検出回
路であって、 最終段の電圧判定手段の判定結果をフォトカプラを介し
て外部に出力することを特徴とする蓄電素子の電圧検出
回路。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の蓄電素子の電圧
検出回路であって、 前記初段の電圧判定手段を前記直列接続された複数の蓄
電素子の低圧側とし、前記最終段の電圧判定手段を前記
直列接続された複数の蓄電素子の高圧側とすることを特
徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の蓄
電素子の電圧検出回路であって、 前記電圧判定手段は、蓄電素子の端子間電圧が規定電圧
以下又は規定電圧以上のいずれか一方の電圧を検出する
ことを特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の蓄
電素子の電圧検出回路であって、 前記電圧判定手段は、複数の蓄電素子のいずれかの端子
間電圧が規定電圧範囲内から外れた場合に外部に出力さ
れることを特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の蓄
電素子の電圧検出回路であって、 前記初段の電圧判定手段が、強制的に動作チェック用信
号を入力することによって、前記電圧検出回路の自己診
断を行うことを特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項７】 請求項６に記載の蓄電素子の電圧検出回
路において、 外部からの動作チェック用信号はフォトカプラを介して
入力されることを特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の蓄
電素子の電圧検出回路であって、 前記複数の蓄電素子と前記複数の電圧判定手段の間に
は、外部からの信号によって順次ＯＮ・ＯＦＦを行う半
導体スイッチ素子が接続されていることを特徴とする蓄
電素子の電圧検出回路。 - 【請求項９】 請求項８に記載の蓄電素子の電圧検出回
路において、 外部からの信号はフォトカプラを介して入力されること
を特徴とする蓄電素子の電圧検出回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303984A JP3656046B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 蓄電素子の電圧検出回路 |
| DE10242908A DE10242908B4 (de) | 2001-09-28 | 2002-09-16 | Spannungsdetektionsschaltung für Batterien |
| US10/246,287 US7034540B2 (en) | 2001-09-28 | 2002-09-18 | Voltage detection circuit for storage devices |
| FR0211909A FR2830329B1 (fr) | 2001-09-28 | 2002-09-26 | Circuit de detection de tension pour dispositifs d'accumulation |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303984A JP3656046B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 蓄電素子の電圧検出回路 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2001303984A Expired - Fee Related JP3656046B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 蓄電素子の電圧検出回路 |
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| JP (1) | JP3656046B2 (ja) |
| DE (1) | DE10242908B4 (ja) |
| FR (1) | FR2830329B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US8237405B2 (en) | 2009-01-06 | 2012-08-07 | 02Micro International Limited | Battery management system with signal transmission function |
| US8261129B2 (en) | 2010-08-31 | 2012-09-04 | O2Micro International Ltd. | Flexible bus architecture for monitoring and control of battery pack |
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| US8525477B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-09-03 | O2Micro, Inc. | Assigning addresses to multiple cascade battery modules in electric or electric hybrid vehicles |
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