JP3468586B2 - 熱電モジュール - Google Patents

熱電モジュール

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JP3468586B2 JP16841494A JP16841494A JP3468586B2 JP 3468586 B2 JP3468586 B2 JP 3468586B2 JP 16841494 A JP16841494 A JP 16841494A JP 16841494 A JP16841494 A JP 16841494A JP 3468586 B2 JP3468586 B2 JP 3468586B2
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広幸 政木
佳介 津端
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は温度差による発電、ある
いは電流を流すことにより冷却、発熱を行うことのでき
る熱電素子を用いた電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】熱電素子は金属電極を介したP型熱電半
導体とN型熱電半導体がPN接合素子対を形成する構成
となっている。この熱電素子の接合体間に温度差を与え
るとゼーベック効果により起電力が発生し、熱電素子の
接合体間に電流を流すとペルチェ効果により接合間に温
度差が発生することが知られている。現在、これらの現
象を利用した発電装置や冷却装置が実用化されている。
【0003】一般に、熱電素子は複数個の素子が直列に
接続された熱電モジュールとして用いられる。熱電モジ
ュールの性能は構成している材料や熱設計に加え熱電素
子の数が重要な要素となっている。発電装置では発生す
る起電圧は素子数に比例するため、高い電圧を取り出す
ため熱電モジュールでは直列に並べる素子数を非常に多
くしている。また冷却装置では直列に並べた素子数が少
ないと同じ温度差を得るために必要な電流は大きくな
り、やはり熱電モジュール内の直列に並べる素子数を非
常多くする必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらモジュー
ル内に熱電素子を直列に接続しているため、熱電半導体
材料あるいは金属電極や基盤等の配線中に断線部分が一
カ所でもあると熱電モジュールとして使いものにならな
くなってしまっていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、複数の熱電素子を特定単位数ごとにまとめ
た熱電素子ブロックを直列に複数接続した熱電素子体
と、熱電素子ブロックごとに設けられ必要時に各ブロッ
クを短絡可能なバイパスラインと、各バイパスラインの
導通、非導通を行うバイパススイッチと、熱電素子体の
導通、非導通を検出する導通検出回路と、導通検出回路
の出力によりバイパススイッチのオン、オフを制御する
バイパススイッチコントロール回路を有する構成とし
た。
【0006】
【作用】上記のように構成された熱電モジュールにおい
ては、たとえ一カ所が断線したとしてもその断線部を含
む熱電素子ブロックを短絡するバイパスラインをオンす
ることにより断線部を含む熱電素子ブロックを見かけ上
バイパスすることができる。従って、他の熱電素子ブロ
ックは正常に機能できるため全体としての性能は断線部
を含む熱電素子ブロックの分は低下するが熱電モジュー
ルとしての機能は維持することができるようになる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図1は本発明の実施例の一例を示す機能ブロック図
である。熱電モジュール1は、熱電素子体2とバイパス
スイッチ5とバイパススイッチコントロール回路6と導
通検出回路7と熱電素子体2内に構成される複数の熱電
素子ブロック3とバイパススイッチ5の間を接続するバ
イパスライン4から構成されている。熱電素子体2の内
部は熱電素子を特定単位数ごとにまとめた複数の熱電素
子ブロック3が直列に接続されている。熱電素子体2及
び各熱電素子ブロック3内の熱電素子の数は熱電モジュ
ールを搭載する機器の特性や要求特性等により自由に設
定することができる。
【0008】本実施例では各熱電素子ブロック3内の熱
電素子数を1000個とし、熱電素子体2に含まれる熱
電素子ブロック3の数を5つとする。従って熱電素子体
2全体の熱電素子数は5000個となる。1000個ず
つの熱電素子をまとめた熱電素子ブロック3は直列に接
続される(3a〜3e)。
【0009】それぞれの熱電素子ブロックの両端の端子
名を3aはAC、3bはCE、3cはEG、3dはG
I、3eはIKとする。バイパススイッチ5は、熱電素
子ブロック3と同数のスイッチが直列に配置される(5
a〜5e)。図1ではトランジスタスイッチで表現して
いるがその種類はリレーであっても、アナログスイッチ
であってもかまわない。
【0010】それぞれのバイパススイッチの両端の端子
名を5aはBD、5bはDF、5cはFH、5dはH
J、5eはJLとする。熱電素子ブロック3とバイパス
スイッチ5は、それぞれバイパスラインAB、CD、E
F、GH、IJ、KLで接続されている。各バイパスス
イッチのコントロール信号(a、b、c、d、e)は、
バイパススイッチコントロール回路6から出力される。
バイパススイッチコントロール回路6は、導通検出回路
7に対して導通検出信号fを出力すると共に検出結果信
号gを導通検出回路7から入力し、その結果に応じて各
バイパススイッチ5a〜5eの導通または非導通を行う
ためのコントロール信号(a、b、c、d、e)を制御
する。
【0011】導通検出回路7は、バイパススイッチコン
トロール回路6から出力される導通検出信号fにもとづ
き熱電素子体2の導通チェックを行い、導通か非導通か
の検出結果信号gをバイパススイッチコントロール回路
6に対して出力する。バイパススイッチコントロール回
路6と導通検出回路7は熱電モジュール1内に独立に構
成されても良いが、本実施例では熱電モジュール1を搭
載した機器のコントロール回路内に設定されているもの
とする。
【0012】バイパススイッチコントロール回路6は機
器のコントロール回路内のマイクロコンピュータ等によ
りソフトで制御されマイクロコンピュータの入出力端子
を利用してコントロール信号(a、b、c、d、e)や
導通検出信号f、検出結果信号gの入出力を行う。
【0013】バイパススイッチコントロール回路6をソ
フトで実施した場合のプログラムの概略フローチャート
を図2に示す。動作は後述する。導通検出回路7の回路
を図3に示す。導通検出回路7はバイパススイッチコン
トロール回路6から出力される検出結果信号gに応じて
熱電素子体2からの配線経路を変更するスイッチ9と熱
電素子体2の出力電圧を分圧する分圧抵抗11と基準電
圧抵抗10と熱電素子体2の出力電圧を分圧した分圧電
圧と基準電圧抵抗10で作られる基準電圧を比較し、比
較結果を検出結果信号gとしてバイパススイッチコント
ロール回路6に出力するコンパレータ12で構成されて
いる。
【0014】次に動作を説明する。熱電モジュール1を
搭載した機器のコントロール回路から熱電モジュール確
認命令が出力されると動作が開始される。熱電モジュー
ル確認命令は機器の仕様や諸特性から必要に応じて定期
的または任意的に出力されるが出力条件等に付いてはそ
れぞれの機器に応じて設定されていれば良い。本実施例
では熱電モジュール確認命令の出力条件に付いては触れ
ないこととする。
【0015】熱電モジュール確認命令を受けたバイパス
スイッチコントロール回路6は、図2に示すフローチャ
ートに従って動作を行う。まずバイパススイッチ5がす
べて非導通の状態で導通検出回路7に対して導通検出信
号fを出力し導通チェックを行う(ステップ201)。
検出結果信号gを入力した導通検出回路7は、スイッチ
9により熱電素子体2からの配線経路を導通検出回路側
に変更する。これにより通常、負荷側に接続されていた
経路が絶縁され熱電素子体2の入力側(図1におけるA
点)には電源電圧VDDが供給される。
【0016】熱電素子体2の出力側(図1におけるK
点)は分圧抵抗11とコンパレータ12の比較端子に接
続される。コンパレータ12の比較端子に入力される電
圧は電源電圧VDDを熱電素子体2の抵抗分と分圧抵抗
11の抵抗分で分圧した電圧が入力される。熱電素子体
2の抵抗分は構成する熱電素子の数により変化するが分
圧抵抗11の値を熱電素子体2の抵抗分の数百倍程度に
設定することでコンパレータ12の比較端子に入力され
るは電圧VDDまたはVSSのどちらかに振ることがで
きる。
【0017】つまり、熱電素子体2が通電状態の場合コ
ンパレータ12の比較端子に入力される電圧値はほぼV
DDレベルとなり、熱電素子体2が非通電状態の場合コ
ンパレータ12の比較端子に入力される電圧値は分圧抵
抗11によりVSSにプルダウンされ、VSSレベルと
なる。コンパレータ12の基準電圧入力端子には電源電
圧を基準抵抗10で分圧した基準電圧が入力される。本
実施例ではほぼ1/2VDDに設定する。従って、検出
結果信号gとなるコンパレータ12の出力は熱電素子体
2が通電状態の場合HIGHレベルとなり、熱電素子体
2が非通電状態の場合LOWレベルとなる。
【0018】バイパススイッチコントロール回路6は、
前述の動作で導通検出回路7から出力される検出結果信
号gをもとにコントロールを行う。ここで、バイパスス
イッチコントロール回路6の動作に戻る。バイパススイ
ッチ5がすべて非導通の状態で導通検出回路7が出力す
る検出結果信号gがHIGHレベル、つまり導通状態で
あった場合、全ての熱電素子ブロックが正常であり断線
していないと判断し動作を終了する(ステップ20
9)。バイパススイッチ5がすべて非導通の状態で導通
検出回路7が出力する検出結果信号gがLOWレベルで
あった場合、熱電素子体2の中で断線部分が発生してい
ると判断して断線部分の確認及びバイパススイッチのコ
ントロール動作を行う。
【0019】検出結果信号gがLOWレベルであった場
合、バイパススイッチ5aを導通させるためコントロー
ル信号aをon状態にする(ステップ202)。これに
よりバイパススイッチ5aが導通し、熱電素子体2内の
導通経路は図1においてABDCEGIKとなる。次に
導通検出回路7に対して再び導通検出信号fを出力し導
通チェックを行う(ステップ203)。
【0020】バイパススイッチ5aのみが導通している
状態で導通検出回路7が出力する検出結果信号gがHI
GHレベル、つまり導通状態であった場合、熱電素子ブ
ロック3aが断線しているとと判断し動作を終了する
(ステップ209)。バイパススイッチ5aは導通状態
を保持しているため、以後熱電素子体2の導通経路は図
1においてABDCEGIKとなり、熱電素子体2内の
導通経路はバイパススイッチ5aを通して不良熱電素子
ブロック3aをバイパスしたことになる。これにより、
熱電モジュールとしての性能は不良熱電素子ブロック3
aの分だけ低下するが、熱電モジュール全体としての機
能は維持できることになる。
【0021】次にバイパススイッチ5aのみが導通して
いる状態で導通検出回路7が出力する検出結果信号gが
LOWレベル、つまり非導通状態であった場合、熱電素
子ブロック3a以外にも断線部分が発生していると判断
し、バイパススイッチ5aを非導通にするためコントロ
ール信号aをOFF状態にし(ステップ204)、バイ
パススイッチ5bを導通にするためコントロール信号b
をon状態にする。これによりバイパススイッチ5bが
導通し、熱電素子体2内の導通経路は図1においてAC
DFEGIKとなる。ここで前述と同様に、通電チェッ
クを行い(ステップ206)、熱電素子ブロック3bが
不良熱電素子ブロックであった場合はバイパススイッチ
5bを通してバイパスされる。
【0022】バイパススイッチ5bのみが導通している
状態で導通検出回路7が出力する検出結果信号gがLO
Wレベル、つまり非導通状態であった場合、熱電素子ブ
ロック3b以外にも断線部分が発生していると判断し、
以降の熱電素子ブロックの導通確認を同様にして行う。
以上の動作を続けて、もし熱電素子ブロック3eの確認
を行うため、バイパススイッチ5eのみが導通している
状態(ステップ207)で導通検出回路7が出力する検
出結果信号gがLOWレベル(ステップ208)であっ
た場合は、断線等の不良熱電素子ブロックが複数存在し
ていると判断できる。
【0023】不良熱電素子ブロックが複数存在する場合
は、今までとは逆に1つの熱電素子ブロックのみ導通さ
せながら確認を行うことになる。まずバイパスコントロ
ール回路6によりバイパススイッチ5b、5c、5d、
5eを導通させるためコントロール信号b、c、d、e
をon状態にする(ステップ210)。これによりバイ
パススイッチ5aのみが非導通状態となり、熱電素子体
2内の導通経路は図1においてACDFHJLKとな
る。ここで前述と同様の導通チェックを行い、導通検出
回路7が出力する検出結果信号gがLOWレベル、つま
り非導通状態であった場合は熱電素子ブロック3aは断
線等の不良熱電素子ブロックであると判断できる。ここ
でソフト上3a不良フラグをたてておき(ステップ21
2)、次の熱電素子ブロック3bの導通チェックを行
う。
【0024】一方、導通検出回路7が出力する検出結果
信号gがHIGHレベル、つまり導通状態であった場合
は熱電素子ブロック3aは正常な熱電素子ブロックであ
ると判断し3a不良フラグを立てること無く熱電素子ブ
ロック3bの導通チェックに移る。熱電素子ブロック3
bの導通チェックも同様に行われる。バイパスコントロ
ール回路6によりバイパススイッチ5a、5c、5d、
5eを導通させるためコントロール信号a、c、d、e
をon状態にする(ステップ213)。これによりバイ
パススイッチ5bのみが非導通状態となり、熱電素子体
2内の導通経路は図1においてABDCEFHJLKと
なる。ここで前述と同様の導通チェックを行い、導通検
出回路7が出力する検出結果信号gがLOWレベル、つ
まり非導通状態であった場合は熱電素子ブロック3bは
断線等の不良熱電素子ブロックであると判断できる。こ
こでソフト上3b不良フラグをたてておき(ステップ2
15)、次の熱電素子ブロック3cの導通チェックを行
う。
【0025】一方、導通検出回路7が出力する検出結果
信号gがHIGHレベル、つまり導通状態であった場合
は熱電素子ブロック3bは正常な熱電素子ブロックであ
ると判断し3b不良フラグを立てること無く熱電素子ブ
ロック3cの導通チェックに移る。
【0026】同様にして、熱電素子ブロック3eの導通
チェックまで終了すると不良熱電素子ブロックのフラグ
のみが立っていることになり対応するバイパススイッチ
5を導通させるためのコントロール信号をonにする
(ステップ216)ことで不良の熱電素子ブロックをバ
イパスすることができる。
【0027】例えば、熱電素子ブロック3bと熱電素子
ブロック3eが不良熱電素子ブロックであった場合、3
b不良フラグと3e不良フラグが立っているので、バイ
パススイッチ5b、5eを導通させるためコントロール
信号b、eをon状態にして動作を終了する(ステップ
209)。これにより、バイパススイッチ5a、5c、
5dが非導通状態となり、熱電素子体2内の導通経路は
図1においてACDFEGIJLKとなる。
【0028】本実施例では熱電素子体2の全素子数50
00個を5つの熱電素子ブロックに分けた例で説明した
が不良熱電素子ブロックのバイパスによる弊害(熱電モ
ジュールの性能の低下等)をなるべく押さえるために熱
電素子ブロック数をもっと増やしてもかまわない。また
本実施例ではバイパススイッチコントロール回路6と導
通検出回路7を熱電モジュール1を搭載した機器のコン
トロール回路内に設定されているものとして説明した
が、熱電モジュール1内に独立に構成されソフトプログ
ラムに依存しない回路でも構成することができる。また
不良熱電ブロックを確認するためのバイパススイッチの
コントロール方法も他にいろいろな手順が考えられる。
【0029】本発明の熱電モジュールを搭載した電子機
器の機能ブロックの実施例の一例を図4に示す。図4に
おいて熱電モジュール1にて発電された電気エネルギー
は蓄電器12に蓄えられながら電子機器のコントロール
回路13及び、モータや表示装置から成る負荷8の電源
として電子時計、駆動装置などの電子機器を駆動する。
この場合、熱電モジュール1は発電モジュールとして用
いられている。
【0030】また、図5に本発明の熱電モジュールを搭
載した冷却または加熱を行う熱変換機器の機能ブロック
の実施例の一例を示す。熱変換機器の場合はシステム全
体の電源14と機器の駆動及び、熱電モジュール1に流
す電流を制御するための電流制御回路15をコントロー
ルするコントロール回路13と熱電モジュール1に流す
電流を制御するための電流制御回路15及び熱変換を行
う熱電モジュール1から構成されている。この場合熱電
モジュール1は熱交換モジュールとして用いられてい
る。
【0031】
【発明の効果】以上、複数の熱電素子を特定単位数ごと
にまとめた熱電素子ブロックを直列に複数接続した熱電
素子体と、熱電素子ブロックごとに設けられ必要時に各
ブロックを短絡可能なバイパスラインと、各バイパスラ
インの導通、非導通を行うバイパススイッチと、熱電素
子体の導通、非導通を検出する導通検出回路と、導通検
出回路の出力によりバイパススイッチのオン、オフを制
御するバイパススイッチコントロール回路を有する構成
としたことで、たとえ一カ所が断線したとしてもその断
線部を含む熱電素子ブロックを短絡するバイパスライン
をオンすることにより断線部を含む熱電素子ブロックを
見かけ上バイパスすることができる。従って他の熱電素
子ブロックは正常に機能できるため全体としての性能は
断線部を含む熱電素子ブロックの分は低下するが熱電モ
ジュールとしての機能は維持することができるようにな
る。これにより本発明の熱電モジュールを搭載した機器
では使用中または携帯中に一部の熱電素子あるいは配線
の断線等で全く使用できなくなるというトラブルを未然
に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の一例を示す機能ブロック図で
ある。
【図2】バイパスコントロール手段をソフトプログラム
により実施した場合の概略フローチャートである。
【図3】導通検出回路の一例を示す回路図である。
【図4】本発明の熱電モジュールを搭載した電子機器の
一例を示す機能ブロック図である。
【図5】本発明の熱電モジュールを搭載した熱交換機器
の一例を示す機能ブロック図である。
【符号の説明】 1 熱電モジュール 2 熱電素子体 3 熱電素子ブロック 4 バイパスライン 5 バイパススイッチ 6 バイパススイッチコントロール回路 7 導通検出回路 8 負荷

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の熱電素子を特定単位数ごとにまと
    めた熱電素子ブロック(3)を直列に複数接続した熱電
    素子体(2)と、熱電素子ブロックごとに設けられ必要
    時に各ブロックを短絡可能なバイパスライン(4)と、
    バイパスラインの導通、非導通を行うバイパススイッチ
    (5)と、熱電素子体の導通、非導通を検出する導通検
    出回路(7)と、導通検出回路の出力によりバイパスス
    イッチのオン、オフを制御するバイパススイッチコント
    ロール回路(6)とを有することを特徴とする熱電モジ
    ュール。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の熱電モジュールをエネル
    ギー源として用いたことを特徴とする電子機器。
  3. 【請求項3】 電源と、電源により動作する請求項1記
    載の熱電モジュール有することを特徴とする熱交換機
    器。
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