JP2003107764A - 青色ダイオードレーザー感受性フォトレセプター - Google Patents

青色ダイオードレーザー感受性フォトレセプター

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JP2003107764A JP2002252631A JP2002252631A JP2003107764A JP 2003107764 A JP2003107764 A JP 2003107764A JP 2002252631 A JP2002252631 A JP 2002252631A JP 2002252631 A JP2002252631 A JP 2002252631A JP 2003107764 A JP2003107764 A JP 2003107764A
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アイオアニディス アンドロニック
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ケイ マーティ ダサラオ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い分解能、速い印刷速度及び低コストを特
徴とする静電写真物品を提供することにある。 【解決手段】 支持体、支持体上にオーバーコートされ
た電荷発生層（その層は青色の光に感受性である）、及
び電荷発生層上にオーバーコートされた電荷輸送層（そ
の電荷輸送層は青色の光に対し透過性である）を含むこ
とを特徴とする静電写真物品。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に層状の光応答
性装置、並びに画像形成装置及びその方法に関する。更
に詳しくは、本発明は一般に輸送層及び光生成層を含む
改良された層状の光応答性装置に関する。本発明の層状
の光応答性装置は、静電潜像が画像形成部材上に形成さ
れる系を含む、種々の静電写真画像形成系中の画像形成
部材として有益である。更に、本発明の光応答性装置
は、例えば、既知の青色ダイオードレーザーにより発生
されるような青色の光で選択的に照射されて、例えば、
帯電領域現像(CAD)方法又は放電領域現像(DAD)方法によ
り、例えば、潜像形成を行い得る。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】上記文献は本明細書中
の言及によりそのまま含まれる。従来技術の装置、画像
形成装置、及び方法には、種々の重大な問題が存在す
る。例えば、オーバーレイ電荷輸送層中に或る種の正孔
輸送分子(HTM)、例えば、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3
-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(T
PD)を含む多くの通常のフォトレセプター装置は特殊化
光源、例えば、アルミニウム-ガリウム-インジウム-窒
化物(AlGaInN)ダイオードレーザーから発生された青色
の光（その光源は、例えば、約400ナノメートルの波長
放出物を生じる）で成功裏に照射し得ない。これは或る
種の正孔輸送分子が約420ナノメートル未満の波長の光
を有効に吸収し、こうして入射光が下にある電荷発生層
に達することを防止するからである。電子写真画像形成
システムへの青色ダイオードレーザー照射源の適用は幾
つかの有意かつ経済的な利点、例えば、一層高い画像分
解能、改良された印刷品質、及び一層低いエネルギー消
費を潜在的に与え得る。これらの利点及びその他の利点
は本発明の物品、装置、及び方法で可能にされる。
【０００３】
【化１】
【０００４】N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェ
ニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の実施態様は、支
持体、支持体上にオーバーコートされた電荷発生層（そ
の層は青色の光に感受性である）、及び電荷発生層上に
オーバーコートされた電荷輸送層（その電荷輸送層は青
色の光に対し透過性である）を含むことを特徴とする静
電写真物品；1,1-ビス（ジ-4-トリルアミノフェニル）
シクロヘキサン(TAPC)及びトリトリルアミン(TTA)のい
ずれか又は両方の電荷輸送分子を含む青色光透過性輸送
層及び、例えば、三方晶セレンを含む青色光感受性発生
層を含む電子写真物品；上記画像形成部材を約390ナノ
メートル〜約410ナノメートルの波長でダイオードレー
ザーで照射し、画像形成部材上の得られる潜像を現像剤
で現像し、そして得られる現像された画像をレシーバ部
材に転写することを特徴とする画像形成法；及び
【０００６】上記画像形成部材、約390ナノメートル〜
約410ナノメートルの波長を生じて画像形成部材を照射
し、潜像を画像形成部材上に形成するのに適したダイオ
ードレーザー光源、画像形成部材上の潜像を現像剤で現
像するのに適した現像剤ハウジング、得られる現像され
た画像を受容するのに適したレシーバ部材、及び得られ
る現像され、転写された画像をレシーバ部材に定着する
のに適した任意の定着部材を含むことを特徴とする印刷
機を含む。本発明のこれらの実施態様及びその他の実施
態様が明細書に説明される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の画像形成部材、画像形成
物品、及び画像形成法は、露出源としての400ナノメー
トルの青色レーザーダイオードの使用を可能にする青色
感受性画像形成装置をつくるのに使用し得る。高分解能
レーザープリンターは最小の可能な直径のレーザービー
ムを使用する点別露出を必要とする。レーザービームの
最小サイズはレーザー送出システム中の光学部材からの
回折により課される制限により支配される。光学部材の
所定の組みに関するフォトレセプター表面における最小
ビームサイズはレーザー照射の波長に直接比例する。40
0ナノメートルのレーザーダイオードに関するビームサ
イズは同じハードウェア及び780ナノメートルのレーザ
ーダイオードで観察されたビームサイズの約半分であろ
う。本発明の利点は本発明の物品及び方法が下記の一層
高い分解能、一層速い印刷速度及び一層低いコストを与
えることである。
【０００８】図５及び６は1,1-ビス（ジ-4-トリルアミ
ノフェニル）トリトリルアミン(TTA)及び1,1-ビス（ジ-
4-トリルアミノフェニル）シクロヘキサン(TAPC)の夫々
の化学構造式を示す。本発明は二つの電気作用層、電荷
発生層及び電荷輸送層を含む電子写真画像形成層に特に
望ましい。支持体は不透明又は実質的に透明であっても
よく、また必要とされる機械的性質を有する多くの好適
な材料を含んでもよい。支持体は更に導電性表面を備え
ていてもよい。それ故、支持体は非導電性材料又は導電
性材料、例えば、無機組成物又は有機組成物の層を含ん
でもよい。非導電性材料として、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等を含むこの目
的に知られている種々の樹脂が使用し得る。電気絶縁性
支持体又は導電性支持体は可撓性、半硬質、又は硬質で
あってもよく、またあらゆる数の異なる形態、例えば、
シート、スクロール、エンドレス可撓性ベルト、シリン
ダー等を有してもよい。支持体はデュポン社から入手し
得るマイラーTM、メリネックスTM、及びカラデックス
（登録商標）として知られている市販の２軸延伸ポリエ
ステルを含むエンドレス可撓性ベルトの形態であっても
よい。
【０００９】支持体層の厚さは機械的性能及び経済的考
慮を含む、多くの因子に依存する。この層の厚さは約65
マイクロメートルから約150マイクロメートルまで、好
ましくは小直径ローラー、例えば、直径19ミリメートル
のローラーのまわりにサイクルされた場合の最適の可撓
性及び最小の誘導表面曲げストレスのために約75マイク
ロメートルから約125マイクロメートルまでの範囲であ
ってもよい。可撓性ベルトのための支持体は、例えば、
200マイクロメートルを越える実質的な厚さ、又は最小
の厚さ、例えば、50マイクロメートル未満のものであっ
てもよいが、但し、最終の光導電性装置に悪影響がない
ことを条件とする。支持体層の表面は被覆の前に洗浄さ
れて付着される被覆組成物の一層大きな接着を促進する
ことが好ましい。洗浄は、例えば、支持体層の表面をプ
ラズマ放電、イオン衝撃等の方法に暴露することにより
行なわれてもよい。
【００１０】導電性接地面は、例えば、あらゆる好適な
被覆技術、例えば、真空蒸着技術により被覆物品又は支
持体上に形成されてもよい導電性金属層であってもよ
い。典型的な金属として、アルミニウム、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、ステンレス鋼、クロム、タングステン、
モリブデン等、及びこれらの混合物が挙げられる。導電
性層は電子光導電性部材に所望される光透過性及び可撓
性に応じて実質的に広範囲にわたって厚さが変化しても
よい。それ故、可撓性光応答性画像形成装置について、
その導電性層の厚さは約20Åから約750Åまで、更に好
ましくは導電性、可撓性及び光透過の最適の組み合わせ
のために約50Åから約200Åまでであってもよい。金属
層を形成するのに使用される技術にもかかわらず、金属
酸化物の薄層が空気への暴露後に殆どの金属の外表面に
形成し得る。こうして、金属層の上にある別の層が“連
続”層として特徴付けられる場合、これらの上にある連
続層は、実際には、酸化性金属層の外表面に形成した薄
い金属酸化物層と接触し得ることが意図されている。一
般に、後消去露出のために、少なくとも約15％の導電性
層光透明度が望ましい。導電性層は金属に限定される必
要はない。導電性層のその他の例は金属の組み合わせ、
例えば、約4,000Å〜約9,000Åの波長を有する光のため
の透過層としての導電性インジウムスズ酸化物又は不透
明導電性層としてのプラスチックバインダー中に分散さ
れた導電性カーボンブラックであってもよい。
【００１１】導電性接地面層の付着後に、ブロッキング
層がそれに適用されてもよい。正に帯電されたフォトレ
セプターのための電子ブロッキング層はフォトレセプタ
ーの画像形成表面からの正孔が導電性層に向かって移動
することを可能にする。負に帯電されたフォトレセプタ
ーについて、導電性層から反対の光導電性層への正孔注
入を防止するためのバリヤーを形成することができるあ
らゆる好適な正孔ブロッキング層が利用されてもよい。
正孔ブロッキング層はポリマー、例えば、ポリビニルブ
チラール、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリシロキサ
ン、ポリアミド、ポリウレタン等を含んでもよく、又は
窒素含有シロキサンもしくは窒素含有チタン化合物、例
えば、米国特許第4,338,387号、同第4,286,033号及び同
第4,291,110号に開示されたようなトリメトキシシリル
プロピレンジアミン、加水分解されたトリメトキシシリ
ルプロピルエチレンジアミン、N-β-(アミノエチル)γ-
アミノ-プロピルトリメトキシシラン、イソプロピル4-
アミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスル
ホニル）チタネート、イソプロピルジ(4-アミノベンゾ
イル)イソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ
(N-エチルアミノ-エチルアミノ)チタネート、イソプロ
ピルトリアントラニルチタネート、イソプロピルトリ
(N,N-ジメチル-エチルアミノ)チタネート、チタン-4-ア
ミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタン4-
アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセテー
ト、〔H2N(CH2)4〕CH3Si(OCH3)2、γ-アミノブチル）メ
チルジエトキシシラン、及び〔H2N(CH2)3〕CH3Si(OCH3)
2、（γ-アミノプロピル）-メチルジエトキシシランで
あってもよい。
【００１２】その他の好適な正孔ブロッキング層ポリマ
ー組成物がまた米国特許第5,244,762号に記載されてい
る。これらとして、ビニルヒドロキシルエステルポリマ
ー及びビニルヒドロキシアミドポリマーが挙げられ、そ
のヒドロキシル基はベンゾエートエステル及びアセテー
トエステルに部分的に変性されており、次いで変性ポリ
マーがその他の未変性ビニルヒドロキシエステルポリマ
ー及びアミド未変性ポリマーとブレンドされる。このよ
うなブレンドの例は親ポリマーポリ(2-ヒドロキシエチ
ルメタクリレート)とブレンドされた30モル％のポリ(2-
ヒドロキシエチルメタクリレート)のベンゾエートエス
テルである。更に別の好適な正孔ブロッキング層ポリマ
ー組成物が米国特許第4,988,597号に記載されている。
これらはアルキルアクリルアミドグリコレートアルキル
エーテル反復単位を含むポリマーを含む。このようなア
ルキルアクリルアミドグリコレートアルキルエーテル含
有ポリマーの例はコポリマーポリ（メチルアクリルアミ
ドグリコレートメチルエーテル-コ-2-ヒドロキシエチル
メタクリレート）である。これらの米国特許の開示が参
考として本明細書にそのまま含まれる。
【００１３】ブロッキング層は連続であり、また約10マ
イクロメートル未満の厚さを有してもよい。何となら
ば、一層大きい厚さは望ましくない程高い残留電圧をも
たらし得るからである。約0.005マイクロメートル〜約
1.5マイクロメートルの正孔ブロッキング層が好まし
い。何とならば、露出工程後の電荷中和が促進され、最
適の電気性能が得られるからである。ブロッキング層は
あらゆる好適な通常の技術、例えば、噴霧、浸漬被覆、
ドローバー被覆、グラビア被覆、シルクスクリーニン
グ、エアーナイフ被覆、逆ロール被覆、真空蒸着、化学
処理等により適用されてもよい。薄層を得る際の便宜の
ために、ブロッキング層は希薄な溶液の形態で適用され
ることが好ましく、溶剤が被覆物の付着後に通常の技
術、例えば、真空、加熱等により除去される。一般に、
約0.05:100〜約5:100のブロッキング層材料と溶剤の重
量比が噴霧被覆に満足である。
【００１４】ブロッキング層と隣接電荷発生層又は光生
成層の間の中間層が接着を促進するのに所望されるかも
しれない。例えば、接着剤層が使用されてもよい。この
ような層が利用される場合、それらは約0.001マイクロ
メートル〜約0.2マイクロメートルの乾燥厚さを有する
ことが好ましい。典型的な接着剤層として、フィルム形
成ポリマー、例えば、ポリエステル、デュポン社から入
手し得るデュポン49,000樹脂、グッドイヤー・ラバー＆
タイヤ社から入手し得るVITEL-PE100TM、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルピロリドン、ポリウレタン、ポリ
メチルメタクリレート、及び同様の材料が挙げられる。
光導電性層は当業界で公知のあらゆる好適な光導電性材
料を含んでもよい。こうして、光導電性層は、例えば、
バインダー中に分散された均一な光導電性材料又は光導
電性粒子の単層、又は電荷輸送層でオーバーコートされ
た電荷発生層の如き多層を含んでもよい。光導電性層は
均一、不均一の、無機又は有機の組成物を含んでもよ
い。不均一組成物を含む電子写真画像形成層の一例が米
国特許第3,121,006号に記載されており、その開示が参
考として本明細書にそのまま含まれ、この場合、光導電
性無機化合物の微細な粒子が電気絶縁性有機樹脂バイン
ダー中に分散されている。その他の公知の電子写真画像
形成層は無定形セレン、ハロゲンドーピングされた無定
形セレン、セレン-ヒ素、セレン-テルル、セレン-ヒ素-
アンチモンを含む無定形セレン合金、及びハロゲンドー
ピングされたセレン合金、硫化カドミウム等を含む。一
般に、これらの無機光導電性材料は比較的に均一な層と
して付着される。
【００１５】あらゆる好適な電荷発生材料又は光生成材
料が本発明の多層光導電性装置実施態様中の二つの電気
作用層の一つとして使用されてもよい。典型的な電荷発
生材料として、米国特許第3,357,989号に記載された無
金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、例えば、銅
フタロシアニン、バナジルフタロシアニン、三方晶セレ
ンの如きセレン含有材料、ビスアゾ化合物、キナクリド
ン、米国特許第3,442,781号に開示された置換2,4-ジア
ミノ-トリアジン、及び商品名インドファスト・ダブル
・スカーレット、インドファスト・バイオレット・レー
キＢ、インドファスト・ブリリアント・スカーレット及
びインドファスト・オレンジとしてアライド・ケミカル
社から入手し得る多核芳香族キノンが挙げられる。電荷
発生層のその他の例が米国特許第4,265,990号、同第4,2
33,384号、同第4,471,041号、同第4,489,143号、同第4,
507,480号、同第4,306,008号、同第4,299,897号、同第
4,232,102号、同第4,233,383号、同第4,415,639号及び
同第4,439,507号に開示されており、これらの開示が参
考として本明細書にそのまま含まれる。
【００１６】あらゆる好適な不活性樹脂バインダー材料
が電荷発生層中に使用されてもよい。典型的な有機樹脂
バインダーとして、ポリカーボネート、アクリレートポ
リマー、メタクリレートポリマー、ビニルポリマー、セ
ルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポ
リアミド、ポリウレタン、エポキシ、ポリビニルアセタ
ール等が挙げられる。多くの有機樹脂バインダーが、例
えば、米国特許第3,121,006号及び同第4,439,507号に開
示されており、これらの開示が参考として本明細書に完
全に含まれる。有機樹脂ポリマーはブロックコポリマ
ー、ランダムコポリマー又は交互コポリマーであっても
よい。光生成組成物又は色素が種々の量で樹脂バインダ
ー組成物中に存在し得る。電気的に不活性又は絶縁性の
樹脂を使用する場合、光導電性粒子集団間に高レベルの
粒子間接触があることが好ましい。この条件は、例え
ば、バインダー層の少なくとも約15体積％の量で存在す
る光導電性材料で達成でき、バインダー層中の光導電体
の最大量に制限はない。マトリックス又はバインダーが
活性材料、例えば、ポリ-N-ビニルカルバゾールを含む
場合、光導電性材料は、例えば、バインダー層の約１体
積％以下を構成することのみを必要とし、バインダー層
中の光導電体の最大量に制限はない。一般に電気的に活
性なマトリックス又はバインダー、例えば、ポリ-N-ビ
ニルカルバゾール又はフェノキシ-ポリ（ヒドロキシエ
ーテル）を含む電荷発生層について、約５体積％から約
60体積％までの光生成色素が約40体積％から約95体積％
までのバインダー中に分散され、好ましくは約７体積％
から約30体積％までの光生成色素が約70体積％から約93
体積％までのバインダー中に分散される。選ばれた特定
の比率はまた発生層の厚さに或る程度依存する。
【００１７】光生成バインダー層の厚さは特に重要では
ない。約0.05マイクロメートルから約40.0マイクロメー
トルまでの層厚さが満足であるかもしれない。光導電性
組成物及び／又は色素、及び樹脂バインダー材料を含む
光生成バインダー層は好ましくは約0.1マイクロメート
ルから約5.0マイクロメートルまでの厚さの範囲であ
り、最良の光吸収及び改良された暗減衰安定性並びに機
械的性質のために約0.3マイクロメートルから約３マイ
クロメートルまでの最適厚さを有する。その他の典型的
な光導電性層は無定形セレン又はセレンの合金、例え
ば、セレン-ヒ素、セレン-テルル-ヒ素、セレン-テルル
等を含む。
【００１８】活性電荷輸送層は電荷発生層からの光生成
された正孔及び電子の噴射を支持し、有機層中のこれら
の正孔又は電子の輸送を可能にして表面電荷を選択的に
放電することができるあらゆる好適な透明な有機ポリマ
ー又は非ポリマー材料を含んでもよい。活性電荷輸送層
は正孔又は電子を輸送するのに利用できるだけでなく、
光導電性層を磨耗又は化学的攻撃から保護し、それ故、
フォトレセプター画像形成部材の運転寿命を延長する。
電荷輸送層はゼログラフィーに有益な光の波長、例え
ば、4,000Å〜8,000Åに露出された場合に、あったとし
ても、ごくわずかな放電を示すべきである。それ故、電
荷輸送層は光導電体が使用される領域の放射線に対し実
質的に透過性である。こうして、活性電荷輸送層は発生
層からの光生成された正孔又は電子の噴射を支持する実
質的に非光導電性の材料である。活性輸送層は露出が活
性層により行なわれる場合に通常透明であり、入射放射
線の殆どが有効な光生成のために下にある電荷発生層に
より利用されることを確実にする。発生層と連係する電
荷輸送層は輸送層に置かれた静電荷が照明の不在下で導
電性ではなく、即ち、その上の静電潜像の形成及び保持
を防止するのに充分な速度で放電しない程度に絶縁体で
ある材料である。
【００１９】本発明の光導電体実施態様中の電気作用層
中に使用される特に好ましい輸送層は約25重量％から約
75重量％までの少なくとも一種の電荷輸送芳香族アミン
化合物、及び約75重量％から約25重量％までのポリマー
フィルム形成樹脂（芳香族アミンがその中に可溶性であ
る）を含む。電荷発生層の光生成された正孔の噴射を維
持し、正孔を電荷輸送層を通って輸送することができる
一つ以上の電荷輸送層のための電荷輸送芳香族アミンの
例として、1,1-ビス（ジ-4-トリルアミノフェニル）シ
クロヘキサン(TAPC)、及びトリトリルアミン(TTA)が挙
げられる。正孔輸送分子(HTM)と固溶体を形成するあら
ゆるポリマーがフォトレセプター装置中の正孔輸送層を
形成するのに使用するのに適したポリマー材料である。
そのポリマー及びHTMの両方を溶解するあらゆる溶剤が
本発明のフォトレセプター装置を加工するのに使用する
のに適している。塩化メチレン又はその他の好適な溶剤
に可溶性のあらゆる好適な不活性樹脂バインダーが使用
し得る。塩化メチレンに可溶性の典型的な不活性樹脂バ
インダーとして、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリエステル、ポリアリーレート、ポリス
チレン、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリスルホ
ン等が挙げられる。分子量は約20,000から約1,500,000
まで変化し得る。
【００２０】好ましい電気不活性樹脂材料はポリカーボ
ネート樹脂であり、約20,000から約100,000まで、更に
好ましくは約50,000から約100,000までの分子量を有す
る。電気不活性樹脂材料として最も好ましい材料はゼネ
ラル・エレクトリック社からレキサン145TMとして入手
し得る、約35,000から約40,000までの分子量を有するポ
リ(4,4'-ジプロピリデン-ジフェニレンカーボネート)；
ゼネラル・エレクトリック社からレキサン141TMとして
入手し得る、約40,000から約45,000までの分子量を有す
るポリ(4,4'-イソプロピリデン-ジフェニレンカーボネ
ート)；ファルベンファブリケン・バイエル社からマク
ロロンTMとして入手し得る、約50,000から約100,000ま
での分子量を有するポリカーボネート樹脂；モバイ・ケ
ミカル社からメルロンTMとして入手し得る約20,000から
約50,000までの分子量を有するポリカーボネート樹脂及
びポリ(4,4'-ジフェニル-1,1-シクロヘキサンカーボネ
ート)である。塩化メチレン溶剤が全ての成分の適切な
溶解のため及びその低い沸点のために電荷輸送層被覆混
合物の特に望ましい成分である。しかしながら、選ばれ
る溶剤の型は利用される特定の樹脂バインダーに依存す
る。
【００２１】あらゆる好適かつ通常の技術が電荷輸送層
及び電荷発生層を適用するのに利用し得る。典型的な適
用技術として、噴霧、浸漬被覆、ロール被覆、ワイヤ巻
き付けロッド被覆等が挙げられる。付着された被覆物の
乾燥はあらゆる好適な通常の技術、例えば、オーブン乾
燥、赤外線乾燥、空気乾燥等により行なわれてもよい。
一般に、輸送層の厚さは約５マイクロメートルから約10
0マイクロメートルまでの間であるが、この範囲外の厚
さがまた使用し得る。一般に、電荷輸送層対電荷発生層
の厚さの比は約2:1から200:1までに維持されることが好
ましく、或る場合には400:1程度に大きい。本発明が以
下の非限定実施例に更に説明され、この実施例は例示で
あるにすぎないことが意図されており、本発明がその中
に記載された材料、条件、プロセスパラメーター等に限
定されることが意図されていないことが理解される。部
及び％は特に示されない限り重量基準である。
【００２２】N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェ
ニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)を含む電
荷輸送層をヒドロキシガリウムフタロシアニン(HOGaPc)
を含む電荷発生層装置の上に形成した。光誘導放電曲線
(PIDC)を670ナノメートル及び400ナノメートルで測定
し、図３に示す。図５に示された1,1-ビス（ジ-4-トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン(TAPC)を含む電荷輸
送層をBZPを含む電荷発生層及びヒドロキシガリウムフ
タロシアニン(HOGaPc)を含む電荷発生層の両方の上に形
成した。BZP装置及びHOGaPc装置に関する光誘導放電曲
線(PIDC)を670ナノメートル及び400ナノメートルで測定
し、図２に示す。ヒドロキシガリウムフタロシアニン装
置を670ナノメートルの光及び400ナノメートルの光の両
方により放電し、この装置が400ナノメートルの照明を
発生層に伝達することを実証する。BZP装置は670ナノメ
ートルで放電するが400ナノメートルでは放電しない。
何とならば、BZP色素は400ナノメートルの光に感受性で
はないからである。これは青色感受性発生層の必要性を
実証する。
【００２３】N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェ
ニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミンTPD:TAPC(1:1)
を含む電荷輸送層をヒドロキシガリウムフタロシアニン
(HOGaPc)を含む電荷発生層の上に形成した。BZP装置及
びHOGaPc装置に関する光誘導放電曲線(PIDC)を670ナノ
メートル及び400ナノメートルで測定し、図３に示す。4
00ナノメートルにおける光透明度潜在的HTMの光透明度
又は光透過を評価するために、４種の溶液を調製し、夫
々の溶液が塩化メチレン中15重量％の固形分として50重
量％のHTMの混合物又は２種以上のHTM及び50重量％のマ
クロロン（登録商標）5705ポリカーボネートの一緒の混
合物を含む。分析に選ばれた４種のHTM又はHTM組み合わ
せはトリトリルアミンTTA；1,1-ビス（ジ-4-トリルアミ
ノフェニル）シクロヘキサン(TAPC)；TAPC:TPD=1:1；及
びN,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-(1,
1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミンTPDであった。溶液を被
覆してマイラー（登録商標）の上に25マイクロメートル
の乾燥厚さのフィルム層を得、次いで125℃で１分間乾
燥させた。フィルムをマイラー（登録商標）支持体から
除去し、透過率を得られる自立フィルムについて測定
し、結果を図１にグラフで示す。トリトリルアミンTTA
及び1,1-ビス（ジ-4-トリルアミノフェニル）シクロヘ
キサン(TAPC)の両方が400ナノメートルで透過する。
【００２４】本発明のその他の改良が本件出願に鑑みて
当業者に生じることがあり、その均等物、実質的な均等
物、同様の均等物等を含む、これらの改良は本発明の範
囲内に含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトレセプター装置の相対的透明度
を示す。
【図２】光誘導放電曲線(PIDC)を示す。
【図３】下記の
【化２】 を含む発生層を有する本発明のフォトレセプター装置に
関する光誘導放電曲線(PIDC)を示す。
【図４】本発明の層状画像形成物品の断面を示す。
【図５】正孔輸送分子1,1-ビス（ジ-4-トリルアミノフ
ェニル）トリトリルアミン(TTA)の化学構造式
【化３】 を示す。
【図６】正孔輸送分子1,1-ビス（ジ-4-トリルアミノフ
ェニル）シクロヘキサン(TAPC)の化学構造式
【化４】 を示す。
【図７】例示の被覆樹脂ポリカーボネート(PCZ)を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 15/00 Ｇ０３Ｇ 15/00 (72)発明者 キャスリーン エム カーマイケル アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14589 ウィリアムソン ピーズ ロード 5689 (72)発明者 エドワード エフ グラボウスキ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ニューヨーク ウェブスター シャーボ ーン ロード 479 (72)発明者 アンドリュー アール メルニーク アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14610 ロチェスター ウィンダメア ロード 140 (72)発明者 リアン ビ リン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター ネロズ ラン 654 (72)発明者 アンドロニック アイオアニディス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター フォーレン リーフ テ ラス 1480 (72)発明者 ダサラオ ケイ マーティ カナダ オンタリオ エル５エル ４ティ ー２ ミシソーガ セント ローレント コート 3667 (72)発明者 ハロルド エフ ハモンド アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター アッピアン ドライヴ 1143 Ｆターム(参考） 2H068 AA19 AA37 BA14 BA38 BA39 BA40 BA43 CA11 FB08 FC05 2H171 FA09 FA12 FA13 FA15 FA19 GA01 GA02 GA04 QA17 QA18 QA19 QA20 QB15 QB21 QB23 QB31 QC36 UA02 UA03 UA05 VA04 VA06

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 支持体、支持体上にオーバーコートされ
    た電荷発生層（その層は青色の光に感受性である）、及
    び電荷発生層上にオーバーコートされた電荷輸送層（そ
    の電荷輸送層は青色の光に対し透過性である）を含むこ
    とを特徴とする静電写真物品。
  2. 【請求項２】 電荷発生剤が無金属フタロシアニン、銅
    フタロシアニン、バナジルフタロシアニン、ヒドロキシ
    ガリウムフタロシアニン、三方晶セレン、ビスアゾ化合
    物、キナクリドン置換2,4-ジアミノ-トリアジン及び多
    核芳香族キノンを含む請求項１記載の物品。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の画像形成部材、 約390ナノメートル〜約410ナノメートルの波長を生じて
    画像形成部材を照射し、潜像を画像形成部材上に形成す
    るのに適したダイオードレーザー光源、 画像形成部材上の潜像を現像剤で現像するのに適した現
    像剤ハウジング、 得られる現像された画像を受容するのに適したレシーバ
    部材、及び得られる現像され、転写された画像をレシー
    バ部材に定着するのに適した任意の定着部材を含むこと
    を特徴とする印刷機。
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