JP2003107531A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶の配向状態を非表示状態における配向状
態から表示状態における配向状態へ確実に転移すること
ができる液晶表示装置の提供。 【解決手段】 対向する一対の基板と、これらの一対の
基板間に配置され、表示状態における配向状態と非表示
状態における配向状態とが異なり、画像を表示させる前
に非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態へ初期
化することが必要である液晶層と、前記一対の基板の何
れか一方に設けられた蓄積容量電極９と、この蓄積容量
電極９と絶縁体を介して重なるように形成されていると
共に前記蓄積容量電極９と前記液晶層との間に配置さ
れ、しかも前記蓄積容量電極９と重なる領域内に開口部
６ａを有している画素電極６と、前記蓄積容量電極９と
前記画素電極６との間に電位差を生じさせることにより
前記初期化を行う駆動手段とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特にＯＣＢモード（Optically self-Compensated B
irefringence mode）の液晶表示素子を備えた液晶表示
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マルチメディア技術の進展に伴っ
て大量の画像情報が流通している。このような画像情報
を表示する手段として、液晶表示装置が急速に普及して
いる。これは、液晶技術の発展により、高コントラスト
及び広視野角の液晶表示装置が開発・実用化されている
ためである。現在では、液晶表示装置の表示性能がＣＲ
Ｔディスプレイと比肩するレベルにまでなってきてい
る。

【０００３】しかしながら、現行の液晶表示装置では、
液晶の応答速度が十分ではないために、動画表示に適し
ていないという問題がある。すなわち、現行のＮＴＳＣ
（National Television System Committee）システムに
おいては１フレーム期間（１６．７ｍｓｅｃ）以内で液
晶が応答する必要があるにもかかわらず、現行の液晶表
示装置では、多階調表示を行った場合に階調間での応答
に１００ｍｓｅｃ以上要するため、動画表示において画
像が流れるという現象が発生することになる。特に駆動
電圧が低い領域における階調間での応答は著しく遅くな
るため、良好な動画表示を実現することができなかっ
た。

【０００４】そこで、従来から、液晶表示装置における
高速応答化の試みが数多くなされている。高速応答の種
々の液晶表示方式については、Wuらによりまとめられて
いる（C.S. Wu and S.T. Wu, SPIE, 1665, 250 (199
2)）が、動画像の表示に必要な応答特性が期待出来る方
式は限られているのが現状である。

【０００５】現在、動画表示に適した高速応答性を有す
る表示装置として、ＯＣＢモード液晶表示素子、強誘電
性液晶表示素子、又は反強誘電性液晶表示素子を備えた
液晶表示装置が有望視されている。

【０００６】このなかで、層構造を有する強誘電性液晶
表示素子及び反強誘電性液晶表示素子は、耐衝撃性が弱
い、使用温度範囲が狭い、特性の温度依存性が大きい
等、実用的な意味での課題が多い。そのため、現実的に
は、ネマティック液晶を用いるＯＣＢモード液晶表示素
子が動画像表示に適した液晶表示素子として注目されて
いる。

【０００７】このＯＣＢモード液晶表示素子は、１９８
３年J.P.Bosによりその高速性が示された。そして、そ
の後、位相差板を備えることにより広視野角と高速応答
性とを両立することができるディスプレイであることが
示されたため、研究開発が活発化した。

【０００８】図３６は、従来のＯＣＢモード液晶表示素
子の構成を模式的に示す断面図である。図３６に示すと
おり、このＯＣＢモード液晶表示素子は、透明な対向電
極８２がその下面に形成されている第１の第１のガラス
基板８１と、透明な画素電極８７がその上面に形成され
ている第２のガラス基板８８とを備えている。対向電極
８２の下面には第１の配向膜８３が、画素電極８７の上
面には第２の配向膜８６がそれぞれ形成されており、こ
れらの配向膜８３、８６間の空隙に液晶分子が充填され
て液晶層８４が形成されている。これらの配向膜８３、
８６には、液晶分子を平行且つ同一方向に配向させるべ
く配向処理がそれぞれなされている。なお、液晶層８４
の層厚は、スペーサ８５により保持されている。

【０００９】また、第１のガラス基板８１の上面には第
１の偏光板９１が、第２のガラス基板８８の下面には第
２の偏光板９２がそれぞれ設けられており、これらの偏
光板９１、９２はクロスニコル（すなわち、それらの光
軸が直交するよう）に配されている。さらに、この第１
の偏光板９１と第１のガラス基板８１との間には第１の
位相差板８９が、第２の偏光板９２と第２のガラス基板
８８との間には第２の位相差板９０がそれぞれ設けられ
ている。これらの位相差板８９、９０としては、主軸が
ハイブリッド配列された負の位相差板が用いられる。

【００１０】このように構成されたＯＣＢモード液晶表
示素子は、電圧印加により液晶の配向状態をスプレイ配
向８４ａからベンド配向８４ｂに転移させ、このベンド
配向状態により画像表示を行うことを特徴としている。
このようなＯＣＢモード液晶表示素子は、ＴＮ（Twiste
d Nematic）モード液晶表示素子等と比較して、液晶の
応答速度が著しく向上するため、動画表示に適した液晶
表示装置を実現することができる。また、位相差板８
９、９０を設けることによって、広視野角を実現するこ
とも可能である。

【００１１】上述したように、ＯＣＢモード液晶表示素
子は、液晶がベンド配向状態である場合に画像表示を行
う。そのため、初期のスプレイ配向からベンド配向への
転移（以下、スプレイ−ベンド転移という）を実行する
初期化処理が必要不可欠である。

【００１２】図３７は、従来の液晶表示装置においてス
プレイ−ベンド転移を行うための初期化処理を説明する
図であって、（ａ）はスプレイ−ベンド転移が行われた
割合の変化を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はその初期化処
理中に液晶表示素子に対して印加する電圧の波形を示す
図である。

【００１３】図３７（ａ）において、縦軸は液晶表示素
子が備える液晶層において初期のスプレイ配向からベン
ド配向へ転移した割合を示している。また、図３７
（ｂ）、（ｃ）において、縦軸は、ソース線と対向電極
との電位差、ゲート線とソース線との電位差をそれぞれ
示している。

【００１４】図３７（ｂ）に示すように、初期化処理に
おいては、ソース線と対向電極との電位差が１０Ｖ以上
となるように、ソース線及び対向電極のそれぞれに対し
て所定の電圧を間欠的に印加する。また、図３７（ｃ）
が示すように、この初期化処理の全体に亘って、ゲート
線とソース線との電位差が１０Ｖ以上となるように、ゲ
ート線及びソース線のそれぞれに対して所定の電圧を印
加する。その結果、図３７（ａ）に示すように、ベンド
配向へ転移した割合が段階的に増大し、初期化処理が終
了したときにスプレイ−ベンド転移が完了する。

【００１５】ところで、このスプレイ−ベンド転移の様
子を観察すると、ある特定の箇所からベンド配向の核が
発生し、この核が成長していくことによって転移が行わ
れることが分かる。以下では、この核のことを転移核と
呼ぶことにする。

【００１６】かかる転移核を発生させるために、特開平
１０−２０２８４号公報に、アレイ基板側の所定の位置
に導電性材料からなる凸部又は凹部が形成されている液
晶表示パネルが開示されている。このような構成とする
ことにより、凸部又は凹部上の液晶層に加わる電界強度
が周囲よりも大きくなるため、転移核の発生が促され、
その結果スプレイ−ベンド転移がスムーズに行われる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の液晶表示装置の場合、電界強度の大きさ
が十分ではないために、スプレイ−ベンド転移が確実に
行われない場合があった。この場合、スプレイ配向状態
の領域が局所的に残存することとなり、そこが輝点とな
って点欠陥のように観察されるという問題があった。

【００１８】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的はスプレイ−ベンド転移を確実に
行うことができる液晶表示装置を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明に係る液晶表示装置は、対向する一対の基板と、一対
の基板間に配置され、表示状態における配向状態と非表
示状態における配向状態とが異なり、画像を表示させる
前に非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態へ初
期化することが必要である液晶層と、一対の基板の何れ
か一方に設けられた第１電極と、第１電極と絶縁体を介
して重なるように形成されていると共に第１電極と液晶
層との間に配置され、しかも第１電極と重なる領域内に
欠落部を有している第２電極と、第１電極が設けられた
基板とは異なる他方の基板に設けられた対向電極と、第
１電極と第２電極との間および対向電極と第２電極との
間に電位差を生じさせると共に第１電極と対向電極とに
同じ電位が印加されることにより初期化を行う駆動手段
と、を備えている。

【００２０】一対の基板の一方は、マトリクス状に配置
された複数の画素電極と、互いに交差するように配列さ
れた複数のゲート線及び複数のソース線と、画素電極の
それぞれに対応して設けられ、ゲート線を介して供給さ
れる駆動信号に応じて画素電極とソース線との間の導通
／非導通を切り換える複数のスイッチング素子とを有す
るアレイ基板であり、一対の基板の他方は、アレイ基板
に対向する対向電極を有する対向基板であることが好ま
しい。

【００２１】画素電極に重なり合う蓄積容量電極を有
し、第１電極は蓄積容量電極であり、第２電極は画素電
極であることが好ましい。

【００２２】第１電極はゲート線であり、第２電極は画
素電極であることが好ましい。

【００２３】画素電極に重なり合う蓄積容量電極を有
し、第１電極は蓄積容量電極であり、第２電極はソース
線であることが好ましい。

【００２４】第１電極はゲート線であり、第２電極はソ
ース線であることが好ましい。

【００２５】第１電極は画素電極であり、第２電極はゲ
ート線であることが好ましい。

【００２６】画素電極に重なり合う蓄積容量電極を有
し、第１電極は画素電極であり、第２電極は蓄積容量電
極であることが好ましい。

【００２７】第１電極はソース線であり、第２電極はゲ
ート線であることが好ましい。

【００２８】画素電極に重なり合う蓄積容量電極を有
し、第１電極はソース線であり、第２電極は蓄積容量電
極であることが好ましい。

【００２９】電位差は１５Ｖ以上３２Ｖ以下であること
が好ましい。

【００３０】一対の基板のうち第２電極及び第１電極が
形成されている基板とは異なる基板に絶縁体を介して重
なるように形成されている第３電極及び第４電極を更に
備え、第３電極は、第４電極と液晶層との間に配置さ
れ、しかも第４電極と重なる領域内に欠落部を有してお
り、駆動手段は、第３電極と第４電極との間に電位差を
生じさせることにより初期化を行うことが好ましい。

【００３１】欠落部は、第２電極に設けられた開口部で
あることが好ましい。

【００３２】開口部の形状が、互いに交差する方向に延
びている複数の直線部分を含んでいることが好ましい。

【００３３】開口部の形状は、Ｖ字状であることが好ま
しい。

【００３４】開口部の形状は、Ｗ字状であることが好ま
しい。

【００３５】開口部の形状は、Ｘ字状であることが好ま
しい。

【００３６】開口部の形状は、多角形であることが好ま
しい。

【００３７】欠落部は、液晶層に２方向の電界を加える
ことが可能な形状となるように構成されていることが好
ましい。

【００３８】第２電極は、その幅が４μｍ以下である部
分を含む開口部を有していることが好ましい。

【００３９】非表示状態の配向状態はスプレイ配向であ
り、表示状態の配向状態はベンド配向であることが好ま
しい。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００４１】（実施の形態１）本発明の実施の形態１
は、アレイ基板の内面に形成された画素電極に開口部を
設けることによって、スプレイ−ベンド転移を確実に行
うことができる液晶表示装置の例である。

【００４２】図１は本発明の実施の形態１に係る液晶表
示装置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面
図である。なお、図では、便宜上、Ｘ方向を液晶表示素
子の上方向とした。

【００４３】図１に示すとおり、本実施の形態に係る液
晶表示装置が備える液晶表示素子１００は、後述する液
晶セル１０１を有している。そして、この液晶セル１０
１の上面には、主軸がハイブリッド配列した負の屈折率
異方性を有する光学媒体よりなる位相差フィルム（以
下、単に負の位相差フィルムという）１０４ａ、負の一
軸性位相差フィルム１０５ａ、正の一軸性位相差フィル
ム１０６、偏光板１０７ａが順に積層されている。ま
た、液晶セル１０１の下面には、負の位相差フィルム１
０４ｂ、負の一軸性位相差フィルム１０５ｂ、偏光板１
０７ｂが順に積層されている。なお、２軸性位相差フィ
ルムは、負の一軸性位相差フィルムおよび正の一軸性位
相差フィルムを合わせた役割と同じ役割を有するので、
液晶セルの両面にそれぞれ負の位相差フィルム１０４、
２軸性位相差フィルム（図示せず）、および偏光板を順
に積層してもよい。

【００４４】図２は上述した液晶セル１０１の構成を模
式的に示す平面図である。また、図３は図２のIII−III
矢視断面図であり、図４はその断面図における液晶層部
分の拡大図である。なお、図２では、便宜上、画素電極
よりも上方に設けられている構成要素を省略している。

【００４５】図２及び図３に示すように、液晶セル１０
１は、２枚の基板、すなわち後述するようにカラーフィ
ルタを備えるカラーフィルタ基板１０２及びアレイ基板
１０３を備えている。カラーフィルタ基板１０２及びア
レイ基板１０３は、スペーサ（図示せず）を介して対向
して配置されており、これらのカラーフィルタ基板１０
２とアレイ基板１０３との間に形成された間隙に液晶層
４が配置されている。また、この液晶層４には、図４を
参照して後述するように液晶分子２０が注入されてい
る。なお、液晶分子２０は、後述するギブス・エネルギ
ーを大きくするために、屈折率異方性Δｎが０．２以上
のシアノ系液晶材料とする。

【００４６】カラーフィルタ基板１０２は、ガラス基板
１の下面に、カラーフィルタ層２１、透明電極（対向電
極）２及び配向膜３が順に積層形成されて構成されてい
る。このカラーフィルタ層２１は、赤色カラーフィルタ
２１Ｒ、緑色カラーフィルタ２１Ｇ、および青色カラー
フィルタ２１Ｂから構成されている。また、これらの各
色のカラーフィルタの境界には、遮光膜であるブラック
マトリクス２２がそれぞれ形成されている。

【００４７】一方、アレイ基板１０３は、ガラス基板１
０を有しており、このガラス基板１０の上面には、配線
層１７が形成されている。この配線層１７は、互いに交
差するように配列されたゲート線１２及びソース線１１
と、蓄積容量電極９と、これらの電極間の導通を防止す
るための絶縁体とからなっている。より詳細を説明する
と、蓄積容量電極９は、各ゲート線１２間の所定の位置
に配されるように、ゲート線１２と平行にそれぞれ形成
されている。これらのゲート線１２及び蓄積容量電極９
は同一の層に形成されており、その層が最も下に位置し
ている。そして、これらのゲート線１２及び蓄積容量電
極９を覆うようにして絶縁層８が形成されている。この
絶縁層８の上面にはソース線１１が形成されており、こ
のソース線１１を覆うようにして絶縁層７が形成されて
いる。

【００４８】配線層１７の上面には、ゲート線１２とソ
ース線１１とで区画された画素の領域内に位置するよう
に画素電極６が形成されている。上述したように、蓄積
容量電極９は各ゲート線１２間に配されているため、画
素電極６は、絶縁層７,８を介して蓄積容量電極９と重
なる領域を有している。そして、その領域内には矩形状
の開口部６ａが形成されている。

【００４９】また、画素電極６及び配線層１７を覆うよ
うにして配向膜５が形成されている。この配向膜５及び
カラーフィルタ基板１０２側に設けられた配向膜３に
は、液晶層４内の液晶分子を平行且つ同一方向に配向さ
せるべく公知のラビング処理等の配向処理がそれぞれ施
されている。この場合、配向処理の方向はソース線１１
に平行な方向とする。

【００５０】なお、符号１３は半導体スイッチング素子
であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）を、符号１４は
そのＴＦＴ１３と画素電極６とを接続するドレイン電極
をそれぞれ示している。

【００５１】このように構成された液晶表示素子１００
の初期状態において、液晶分子２０は、図４（ａ）に示
すようなスプレイ配向をなしている。本実施の形態に係
る液晶表示装置は、後述するように液晶表示素子１００
に所定の電圧を印加することによって、液晶分子２０の
配向状態を、上述したスプレイ配向から図４（ｂ）に示
すようなベンド配向に転移させる。そして、このベンド
配向の状態で画像表示を行う。すなわち、この液晶表示
素子１００は、ＯＣＢモードの表示素子である。なお、
以下では、スプレイ−ベンド転移の際に液晶表示素子１
００に印加する電圧を転移電圧と呼ぶことにする。

【００５２】図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶
表示装置の構成を示すブロック図である。図２及び図３
をも併せて参照すると、液晶表示素子１００は、周知の
ＴＦＴ（Thin Film Transistor）タイプの表示素子であ
り、上述したとおり、ゲート線１２及びソース線１１が
マトリクス状に配設されている。そして、この液晶表示
素子１００のゲート線１２及びソース線１１をそれぞれ
ゲートドライバ５０２及びソースドライバ５０３によっ
て駆動し、ゲートドライバ５０２及びソースドライバ５
０３を制御回路５０１によって制御するように構成され
ている。

【００５３】また、液晶表示素子１００の下方にはバッ
クライト５００が備えられている。このバックライト５
００は、白色光を発光する冷陰極管等で構成されてい
る。

【００５４】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置では、制御回路５０１が、外部から入力
される映像信号５０４に応じて、ゲートドライバ５０
２、ソースドライバ５０３に対して制御信号をそれぞれ
出力する。その結果、ゲートドライバ５０２がゲート線
１２に走査信号電圧を印加して各画素のＴＦＴ１３を順
次オンさせ、一方、ソースドライバ５０３がそのタイミ
ングに合わせてソース線１１を通じて映像信号５０４に
応じた映像信号電圧を各画素の画素電極６に順次印加す
る。これにより、液晶分子が変調され、バックライト５
００から出射される光の透過率が変化する。その結果、
観察者の目に、映像信号５０４に対応する画像が映る。

【００５５】次に、以上のようにして構成された本実施
の形態に係る液晶表示装置におけるスプレイ−ベンド転
移の詳細について説明する。

【００５６】図６は、印加電圧とギブス・エネルギーと
の関係を示す図である。ここで、ギブス・エネルギーと
は、電気エネルギーと弾性エネルギーとの総和をいう。

【００５７】図６において、符号３１は液晶分子がベン
ド配向状態である場合の印加電圧−ギブス・エネルギー
特性を示しており、また３２,３３は液晶分子がツイス
ト配向状態、スプレイ配向状態である場合の印加電圧−
ギブス・エネルギー特性をそれぞれ示している。

【００５８】図６に示すように、印加電圧が臨界電圧Ｖ
ｃｒよりも低い場合においては、ベンド配向と比べてス
プレイ配向の方がギブス・エネルギーが低くなってい
る。ここで、ギブス・エネルギーが低いということは負
エネルギーが高いことを意味しているため、より安定し
た状態であることを示していることになる。よって、こ
の場合では、スプレイ配向の方がベンド配向と比べてよ
り安定した状態となっている。

【００５９】一方、印加電圧が臨界電圧Ｖｃｒよりも高
い場合においては、この関係が逆転し、スプレイ配向と
比べてベンド配向の方がギブス・エネルギーが低くなっ
ている。即ち、ベンド配向の方がスプレイ配向と比べて
より安定した状態となっている。

【００６０】したがって、比較的高い電圧を印加した場
合、液晶分子はより安定した状態であるベンド配向へ転
移し易くなる。そのため、局所的に電界強度が大きくな
る箇所がある場合、その箇所の周辺の液晶分子がベンド
配向へ転移し、この転移が他の液晶分子に波及していく
ことになる。即ち、そのような局所的に電界強度が大き
くなる箇所の周辺に配置されている液晶分子を転移核と
してスプレイ−ベンド転移が起きることになる。

【００６１】本実施の形態に係る液晶表示装置では、画
素電極６に形成された開口部６ａの周辺に配置されてい
る液晶分子が転移核となる。以下、この点について説明
する。

【００６２】本実施の形態に係る液晶表示装置におい
て、画素電極６の開口部６ａ近傍の電界分布を調べるた
めに電界シミュレーションを実施した。具体的には、画
素電極６に＋７Ｖの電圧を、蓄積容量電極９に−２５Ｖ
の電圧をそれぞれ印加して電界強度の変化を観察した。
なお、ここでは、前記開口部６ａの形状を、幅４μｍ、
長さ８μｍの長方形とした。

【００６３】図７及び図８は、上述した電界シミュレー
ションの結果を示す図であって、図７は本実施の形態に
係る液晶表示装置が備える任意の画素の断面の等電位線
図であり、図８はその画素の平面のギブス・エネルギー
の分布図である。なお、図８においては、濃色になれば
なるほど負エネルギーが高い（ギブス・エネルギーが低
い）ことを示している。

【００６４】図７に示すように、開口部６ａの周辺で等
電位線が密となっている。これにより、この開口部６ａ
の周辺で電界強度が局所的に大きくなっている、即ち電
界集中が発生していることが分かる。これは、上述した
ように、画素電極６が蓄積容量電極９と重なる領域内に
開口部６ａを設けており、これらの画素電極６と蓄積容
量電極９とに異なる電圧を印加しているためである。ま
た、図８からは、開口部６ａの周辺で負エネルギーが高
くなっていることが分かる。これにより、この開口部６
ａの周辺でスプレイ−ベンド転移が起こり易くなってい
ることが確認できた。即ち、この開口部６ａの周辺に配
置されている液晶分子が転移核となることが分かった。

【００６５】上述したように、本実施の形態に係る液晶
表示装置では、各画素電極６が開口部６ａをそれぞれ有
している。そのため、各画素毎に転移核が存在すること
になる。よって、スプレイ配向のままの画素が残存する
ことがなく、スプレイ−ベンド転移を確実に行うことが
可能となる。

【００６６】次に、本実施の形態に係る液晶表示装置に
おける転移電圧の波形及びその転移電圧を印加する方式
について説明する。

【００６７】図９は本実施の形態に係る液晶表示装置に
おける転移電圧の波形を示す図である。本実施の形態に
係る液晶表示装置では、図９に示すように、奇数列目の
ソース線１１Ａ、１１Ｃ…を介して各画素電極６Ａａ、
６Ｃｃ…に入力される交流矩形波電圧の極性と、偶数列
目のソース線１１Ｂ、１１Ｄ…を介して各画素電極６Ｂ
ｂ、６Ｄｄ…に入力される交流矩形波電圧の極性とが逆
になるようにする。

【００６８】この場合、まず、第１行目のゲート線１２
ａに駆動信号として＋１５Ｖの電圧を印加することによ
り第１行目の画素電極６Ａａ、６Ａｂ、６Ａｃ…のＴＦ
Ｔ１３Ａａ、１３Ａｂ、１３Ａｃ…をオンにする。これ
らのＴＦＴ１３Ａａ、１３Ａｂ、１３Ａｃ…がオンにな
ったときには、図９に示すように、ソース線１１Ａ、１
１Ｃ…に＋７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソー
ス線１１Ａ、１１Ｃ…から、ＴＦＴ１３Ａａ、１３Ａｃ
…を介して＋７Ｖの電圧が画素電極６Ａａ、６Ａｃ…に
それぞれ印加される。一方、同じくＴＦＴ１３Ａａ、１
３Ａｂ、１３Ａｃ…がオンになったときには、ソース線
１１Ｂ、１１Ｄ…に−７Ｖの電圧が印加されている。従
って、ソース線１１Ｂ、１１Ｄ…から、ＴＦＴ１３Ａ
ｂ、１３Ａｄ…を介して−７Ｖの電圧が画素電極６Ａ
ｂ、６Ａｄ…にそれぞれ印加される。

【００６９】次に、第１行目のゲート線１２ａに再び−
１５Ｖの電圧を印加することによって第１行目の画素電
極６Ａａ、６Ａｂ、６Ａｃ…のＴＦＴ１３Ａａ、Ａｂ、
Ａｃ…をオフにする。これと同時に第２行目のゲート線
１２ｂに＋１５Ｖの電圧を印加することにより第２行目
の画素電極６Ｂａ、６Ｂｂ、６Ｂｃ…のＴＦＴ１３Ｂ
ａ、１３Ｂｂ、１３Ｂｃ…をオンにする。ＴＦＴ１３Ｂ
ａ、１３Ｂｂ、１３Ｂｃ…がオンになったときには、図
９に示すように、ソース線１１Ａ、１１Ｃ…に−７Ｖの
電圧が印加されている。従って、ソース線１１Ａ、１１
Ｃ…から、ＴＦＴ１３Ｂａ、１３Ｂｃ…を介して−７Ｖ
の電圧が画素電極６Ｂａ、６Ｂｃ…にそれぞれ印加され
る。一方、同じくＴＦＴ１３Ｂａ、１３Ｂｂ、１３Ｂｃ
…がオンになったときには、ソース線１１Ｂ、１１Ｄ…
に＋７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線１
１Ｂ、１１Ｄ…から、ＴＦＴ１３Ｂｂ、１３Ｂｄ…を介
して＋７Ｖの電圧が画素電極６Ｂｂ、６Ｂｄ…にそれぞ
れ印加される。

【００７０】すべてのゲート線１２について順次＋１５
Ｖの電圧を印加することによって、上述したようにソー
ス線１１から各画素電極６に交流矩形波電圧を印加する
と、奇数行目・奇数列目の画素電極６Ａａ、６Ｃａ、６
Ａｃ、６Ｃｃ…および偶数行目・偶数列目の画素電極６
Ｂｂ、６Ｄｂ、６Ｂｄ、６Ｄｄ…には、プラスの電圧が
印加される。一方、偶数行目・奇数列目の画素電極６Ｂ
ａ、６Ｄａ、６Ｂｃ、６Ｄｃ…および奇数行目・偶数列
目の画素電極６Ａｂ、６Ｃｂ、６Ａｄ、６Ｃｄ…には、
マイナスの電圧が印加される。

【００７１】そうすると、奇数行目の画素電極６Ａａ、
６Ｃａ…と、偶数行目の画素電極６Ｂａ、６Ｄａ…との
間だけでなく、奇数列目の画素電極６Ａａ、６Ｂａ、６
Ｃａ、６Ｄａ…と偶数列目の画素電極６Ａｂ、６Ｂｂ、
６Ｃｂ、６Ｄｂ…との間にもそれぞれ電界が発生する。
この様子を図１１に示す。

【００７２】上述したようにドット毎に電圧極性が反転
するドット反転方式を採用した場合、図１１に示すよう
に、各画素毎に横方向（基板に平行な方向）の電界（以
下、横電界）が発生することになり、しかもその横電界
の方向が矢符１１０（ソース線１１の長さ方向）及び矢
符１２０（ゲート線１２の長さ方向）の２方向となる。
そのため、左回り及び右回りの２種類のツイスト配向領
域が形成される。そして、これらのツイスト配向領域が
接する箇所では弾性ひずみエネルギーが大きくなり、そ
の結果負エネルギーが大きくなる。これにより、よりス
ムーズにスプレイ−ベンド転移が行われることになる。

【００７３】また、上述したようにして画素電極６に対
して電圧が印加されてる一方で、図９に示すように、対
向電極２及び蓄積容量電極９のそれぞれに対して、−２
５Ｖの電圧を１秒間印加する。

【００７４】このような転移電圧を印加することによっ
て、液晶表示素子１００の厚み方向における電位差が大
きくなる。上述したように、画素電極６は蓄積容量電極
９と絶縁体を介して重なっている領域内に開口部６ａを
有しているので、このように液晶表示素子の厚み方向に
おける電位差が大きくなると、開口部６ａの周辺で強い
電界集中が発生する。その結果、各画素電極６が有する
開口部６ａの周辺に配置されている液晶分子を転移核と
してスプレイ−ベンド転移を確実に行うことができる。

【００７５】なお、対向電極２と蓄積容量電極９とは構
造的に短絡させるようにしてあってもよい。また、ゲー
ト線１２に対しては、必ずしもライン毎に順次印加しな
ければならないわけではなく、初期化処理の間、ゲート
オン電位を印加し続けるようにしてもよい。

【００７６】また、上述したように、対向電極２、画素
電極６には−２５Ｖ、±７Ｖの電圧がそれぞれ印加され
るため、これらの対向電極２と画素電極６との間には最
大で３２Ｖの電位差が生じることになるが、本発明はこ
の値に限定されるわけではなく、転移核を発生させるた
めに十分な値であればよいことは言うまでもない。具体
的には、１０Ｖ以上３５Ｖ以下程度であり、好ましくは
１５Ｖ以上３２Ｖ以下程度である。

【００７７】また、図１０に示すような波形の転移電圧
を用いるようにしてもよい。即ち、図９に示した場合と
異なり、ソース線１１を０Ｖの電位に保つことによって
画素電極６には電圧を印加せず、対向電極２及び蓄積容
量電極９に対して−２５Ｖの電圧を１秒間印加するよう
にしてもよい。この場合でも、図９に示した波形の転移
電圧を用いる場合と同様にスプレイ−ベンド転移を確実
に行うことができる。

【００７８】ところで、上述したような転移電圧を印加
する前に、液晶層４、即ち画素電極６と対向電極２との
間に電圧が印加されている場合、液晶分子の配列が非対
称となっているスプレイ配向状態が形成されるために、
スプレイ−ベンド転移がスムーズに行われないことがあ
る。そのため、転移電圧を印加する直前には、画素電極
６と対向電極２との間に電圧を印加しないようにするこ
とが望ましい。これにより、液晶層４に電圧が印加され
ず、液晶の分子配列を対称なスプレイ配向状態に保つこ
とができるため、よりスムーズにベンド配向状態へ転移
させることができるようになる。

【００７９】なお、上述したようなドット反転方式では
なく、図１２に示すように、ライン毎に電圧極性が反転
するようなライン反転方式で転移電圧を印加するように
してもよい。この場合、発生する横電界は１方向（矢符
１１０）のみであるが、その横電界による作用によって
スプレイ−ベンド転移が促されることになる。

【００８０】ところで、上述したように、本実施の形態
に係る液晶表示装置においては、画素電極６の開口部６
ａの形状を矩形としているが、これに限定されるわけで
はなく、以下に示すような形状であってもよい。

【００８１】図１３から図１６までは、画素電極６の開
口部６ａの形状のその他の例を示すための平面図であ
る。図１３に示す画素電極６の開口部６ａは、２本の直
線部分で構成されており、それらの直線部分はソース線
１１は互いに交差する方向に延びるように配されてい
る。そして、これらの直線部分の一端がそれぞれ交わる
ことにより、倒立Ｖ字状となっている。このような形状
とすることによって、２方向の横電界を発生させること
が可能となるため、左回り及び右回りの２種類のツイス
ト配向領域が形成される。その結果、これらのツイスト
配向領域が接する箇所では弾性ひずみエネルギーが大き
くなり、負エネルギーが大きくなる。このように、局所
的に負エネルギーを大きくすることによって、この開口
部６ａの周辺に配置されている液晶分子が転移核となる
ため、スムーズにスプレイ−ベンド転移が行われること
になる。

【００８２】なお、このように倒立Ｖ字状ではなく、Ｖ
字状等、この倒立Ｖ字を９０度単位で回転させたような
形状であってもよい。その場合でも同様に２種類のツイ
スト配向領域を形成することができる。

【００８３】また、図１４に示す画素電極６の開口部６
ａは、上述した倒立Ｖ字が２つ連なって構成されてい
る。そのため、図１４に示すように、倒立Ｗ字状となっ
ている。この場合でも倒立Ｖ字状の場合と同様に２種類
のツイスト配向領域を形成することができる。

【００８４】なお、このように倒立Ｗ字状ではなく、こ
の倒立Ｗ字を９０度単位で回転させたような形状であっ
てもよいことは言うまでもない。また、倒立Ｖ字が３つ
以上連なるような形状であってもよい。

【００８５】また、図１５に示す画素電極６の開口部６
ａは、図１３に示す場合と同様に２本の直線部分で構成
されているが、それらの中心部が交差するように配され
ているため、Ｘ字状となっている。この場合でも倒立Ｖ
字状の場合と同様に２種類のツイスト配向領域を形成す
ることができる。

【００８６】さらに、図１６に示す画素電極６の開口部
６ａは、菱形状となっている。なお、この菱形以外に
も、例えば三角形、平行四辺形等の他の多角形としても
よい。この場合でも倒立Ｖ字状の場合と同様に２種類の
ツイスト配向領域を形成することができる。

【００８７】上述したように画素電極６の開口部６ａは
種々の形状とすることが可能であり、その幅の大きさも
一意には定まらない。しかしながら、より強い電界集中
を発生させるために、その幅は比較的小さいことが望ま
しい。具体的には、幅が４μｍ以下の部分を有している
ことが望ましい。

【００８８】（実施の形態２）本発明の実施の形態２
は、平坦化層１８を設けた液晶表示装置の例である。

【００８９】図２に示したように、実施の形態１に係る
液晶表示装置においては、各画素電極６間にソース線１
１が配されており、そのソース線１１の厚みに対応して
第１絶縁層７の一部が各画素電極６間で凸部を形成して
いる。そのため、各画素電極６間の距離はその凸部の幅
以上としなければならず、その結果開口率が低くなると
いう問題がある。そこで、本実施の形態では、以下に説
明するような平坦化層１８を設けている。

【００９０】図１７は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図で
ある。図１７に示すように、第１絶縁層７の表面を覆う
ようにしてアクリル系レジスト等の樹脂材料からなる平
坦化層１８が形成され、この平坦化層１８上に画素電極
６が形成されている。

【００９１】なお、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【００９２】このように平坦化層１８を設けることによ
り、各画素電極６間の距離を短くすることが可能とな
る。これにより、高開口率化を図ることができるため、
低消費電力で、しかも十分に明るい表示を実現すること
できる。

【００９３】また、かかる平坦化層１８は、画素電極６
と蓄積容量電極９との間の絶縁体としても機能すること
になる。即ち、この平坦化層１８は、凹凸のある層を平
坦化させるという通常の用途のみならず、画素電極６と
蓄積容量電極９との間の絶縁体としての用途を兼ねてい
る。

【００９４】（実施の形態３）本発明の実施の形態３
は、カラーフィルタ層をアレイ基板側に形成した液晶表
示装置の例である。

【００９５】図１８は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図で
ある。図１８に示すように、各色のカラーフィルタ２１
Ｒ,２１Ｇ,２１Ｂと、それらのカラーフィルタ間に形成
されたブラックマトリックス２２とで構成されるカラー
フィルタ層２１が、アレイ基板１０３側に設けられてい
る絶縁層７上に形成されている。

【００９６】なお、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【００９７】このような構成とすることにより、カラー
フィルタ層２１が、画素電極６と蓄積容量電極９との間
の絶縁体として機能することになる。即ち、このカラー
フィルタ層２１は、カラー表示を行うためのフィルタと
しての通常の用途のみならず、画素電極６と蓄積容量電
極９との間の絶縁体としての用途を兼ねている。

【００９８】（実施の形態４）本発明の実施の形態４
は、アレイ基板の内面に形成された画素電極及びソース
線に開口部をそれぞれ設けることによって、スプレイ−
ベンド転移を確実に行うことができる液晶表示装置の例
である。

【００９９】図１９は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す平面図で
ある。図１９に示すように、画素電極６の両端部の一部
が、ゲート線１２と重なるようにそのゲート線１２に向
かってそれぞれ突出している。そして、その突出した部
分のゲート線１２と重なる領域内に矩形状の開口部６ａ
をそれぞれ設けている。また、これらの開口部６ａ以外
にも、画素電極６は、実施の形態１の場合と同様に、蓄
積容量電極９と重なる領域内に矩形状の開口部６ａを設
けている。なお、画素電極６とゲート線１２及び蓄積容
量電極９とは、実施の形態１の場合と同様にして絶縁層
を介して重なっている。

【０１００】また、ソース線１１は、絶縁層を介してゲ
ート線１２と重なっており、その重なっている領域内に
矩形状の開口部１１ａを設けている。

【０１０１】なお、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【０１０２】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、液晶表示素子の厚み方向
における電位差が大きくなる。上述したように、画素電
極６はゲート線１２及び蓄積容量電極９と絶縁体を介し
て重なる領域内に開口部６ａをそれぞれ有しているの
で、このように液晶表示素子の厚み方向における電位差
が大きくなると、各開口部６ａの周辺で強い電界集中が
発生する。その結果、それらの開口部６ａの周辺に配置
されている液晶分子が転移核となってスプレイ−ベンド
転移がスムーズに行われることになる。

【０１０３】また、同様にしてソース線１１とゲート線
１２とに対して転移電圧が印加された場合、液晶表示素
子の厚み方向における電位差が大きくなる。上述したよ
うに、ソース線１１はゲート線１２と絶縁体を介して重
なる領域内に開口部１１ａを有しているので、このよう
に液晶表示素子の厚み方向における電位差が大きくなる
と、各開口部１１ａの周辺で電界集中が発生する。その
結果、それらの開口部１１ａの周辺に配置されている液
晶分子が転移核となってスプレイ−ベンド転移がスムー
ズに行われることになる。

【０１０４】なお、上述した開口部６ａ及び開口部１１
ａの幅は実施の形態１の場合と同様に４μｍ以下とす
る。これにより、より強力な集中電界を発生させること
ができる。また、開口部６ａ及び開口部１１ａは矩形状
でなくてもよく、図１２から図１５までに示したような
形状であってもよいことは言うまでもない。

【０１０５】このように、本実施の形態では画素電極６
が複数の開口部６ａを有し、またソース線１１も開口部
１１ａを有している。そして、これらの開口部６ａ及び
開口部１１ａの周辺に配置されている液晶分子が転移核
となるため、実施の形態１の場合と比べて、転移核の数
が増えている。そのため、実施の形態１の場合よりもよ
り確実にスプレイ−ベンド転移を行うことが可能とな
る。

【０１０６】（実施の形態５）本発明の実施の形態５
は、アレイ基板の内面に形成された画素電極に切り欠き
部を設けることによって、スプレイ−ベンド転移を確実
に行うことができる液晶表示装置の例である。

【０１０７】図２０は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す平面図で
ある。図２０に示すように、実施の形態４の場合と同様
にして、画素電極６の両端部の一部が、ゲート線１２と
重なるようにそのゲート線１２に向かってそれぞれ突出
している。そして、その突出した部分のゲート線１２と
重なる領域内に複数の切り欠き部６ｂを設けている。そ
のため、その突出した部分は櫛状に形成されている。こ
れらの切り欠き部６ｂの幅は４μｍ以下とする。

【０１０８】なお、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【０１０９】このような構成とすることにより、実施の
形態１で説明したような転移電圧が印加された場合、液
晶表示素子の厚み方向における電位差が大きくなる。上
述したように、画素電極６はゲート線１２と絶縁体を介
して重なる領域内に切り欠き部６ｂを有しているので、
このように液晶表示素子の厚み方向における電位差が大
きくなると、各切り欠き部６ｂの周辺で電界集中が発生
する。そのため、これらの切り欠き部６ｂの周辺に配置
されている液晶分子が転移核となって、スプレイ−ベン
ド転移がスムーズに行われることになる。

【０１１０】なお、本実施の形態では、画素電極６は、
蓄積容量電極９と重なる領域内に開口部を設けていない
が、そのような開口部が設けてあってもよいことは言う
までもない。また、実施の形態４の場合と同様にして、
ソース線１１がゲート線１２と重なる領域内に開口部を
設けるようにしてもよい。

【０１１１】また、本実施の形態では、画素電極６の端
部に複数の切り欠き部６ｂが形成されているが、この切
り欠き部の数が１つであってもよい。

【０１１２】（実施の形態６）本発明の実施の形態６
は、アレイ基板の内面に形成された蓄積容量電極及びゲ
ート線に切り欠き部をそれぞれ設けることによって、ス
プレイ−ベンド転移を確実に行うことができる液晶表示
装置の例である。

【０１１３】図２１は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の構成を模式的に示す平面図で
ある。また、図２２は、図２０のＸＸII−ＸＸII矢視断
面図である。なお、図２２では、便宜上、蓄積容量電極
よりも上方に設けられている構成要素を省略している。

【０１１４】図２１及び図２２に示すように、液晶セル
１０１は、スペーサ（図示せず）を介して対向して配置
されているカラーフィルタ基板１０２及びアレイ基板１
０３を備えている。なお、このカラーフィルタ基板１０
２の構成については実施の形態１の場合と同様であるの
で同一符号を付して説明を省略する。

【０１１５】アレイ基板１０３は、ガラス基板１０を有
している。ガラス基板１０の上面には、画素電極６が形
成されており、その画素電極６を覆うようにして絶縁層
１９が形成されている。

【０１１６】また、かかる絶縁層１９の上面には、配線
層２５が形成されている。この配線層２５は、互いに交
差するように配列されたゲート線１２及びソース線１１
と、蓄積容量電極９と、これらの電極間の導通を防止す
るための絶縁体とからなっている。より詳細を説明する
と、ソース線１１が前記絶縁層１９上に形成されてお
り、このソース線１１を覆うように絶縁層７が形成され
ている。また、この絶縁層７上にゲート線１２及び蓄積
容量電極９が形成されており、これらのゲート線１２及
び蓄積容量電極９を覆うようにして配向膜５が形成され
ている。

【０１１７】実施の形態１の場合と同様に、蓄積容量電
極９は各ゲート線１２間に配されている。また、画素電
極６は、ゲート線１２とソース線１１とで区画された画
素の領域内に配されている。そのため、蓄積容量電極９
は、絶縁層７,１９を介して画素電極６と重なる領域を
有している。そして、その領域内には複数の切り欠き部
９ｂが形成されている。

【０１１８】上述した画素電極６の両端部の一部は、ゲ
ート線１２と重なるようにそのゲート線１２に向かって
それぞれ突出している。そして、ゲート線１２は、上述
した画素電極６の突出部分と重なる領域内に複数の切り
欠き部１２ｂを設けている。

【０１１９】上述した切り欠き部９ｂ,１２ｂのそれぞ
れの幅は、実施の形態１の場合と同様に４μｍ以下とす
る。

【０１２０】なお、その他の構成については、実施の形
態１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省
略する。

【０１２１】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、液晶表示素子の厚み方向
における電位差が大きくなる。上述したように、蓄積容
量電極９は画素電極６と絶縁体を介して重なっている領
域内に切り欠き部９ｂを有し、またゲート線１２は同じ
く重なっている領域内に切り欠き部１２ｂを有している
ので、このように液晶表示素子の厚み方向における電位
差が大きくなると、切り欠き部９ｂ、１２ｂの周辺で強
い電界集中が発生する。その結果、スプレイ−ベンド転
移が確実に行われ、点欠陥のない良好な画層表示を実現
することができる。

【０１２２】なお、本実施の形態ではゲート線１２及び
蓄積容量電極９が、画素電極６と重なる領域内にのみ切
り欠き部を設けているが、ソース線１１と重なる領域内
に同様の切り欠き部を設けるようにしてもよい。また、
それらの切り欠き部の代わりに開口部を設けるようにし
てもよい。

【０１２３】（実施の形態７）実施の形態１から実施の
形態６までは、アレイ基板の内面に形成された電極に開
口部又は切り欠き部を設ける構成であった。これに対
し、本発明の実施の形態５は、対向基板（カラーフィル
タ基板）の内面に形成された補助電極に開口部を設ける
ことによって、スプレイ−ベンド転移を確実に行うこと
ができる液晶表示装置の例である。

【０１２４】図２３は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成を模式的に示す断
面図である。図２３に示すように、液晶セル１０１は、
スペーサ（図示せず）を介して対向して配置されている
カラーフィルタ基板１０２及びアレイ基板１０３を備え
ている。なお、このアレイ基板１０３の構成については
実施の形態１の場合と同様であるので同一符号を付して
説明を省略する。

【０１２５】カラーフィルタ基板１０２の内面に形成さ
れた対向電極２の下面には、絶縁層５２を介して補助電
極５１が形成されている。この補助電極５１は、アレイ
基板１０３の内面に形成された画素電極６と略同一の形
状をしており、その画素電極６と同様にして、ゲート線
及びソース線１１とで区画された各画素の領域内に位置
するように配されている。また、これらの補助電極５１
及び絶縁層５２を覆うようにして配向膜３が形成されて
いる。

【０１２６】上述したとおり、補助電極５１は画素電極
６と略同一の形状をしており、その中央付近に幅が４μ
ｍ以下の矩形状の開口部５１ａが形成されている。補助
電極５１の全面は対向電極２と重なっているため、この
開口部５１ａは当然のことながら対向電極２と重なる領
域内に形成されている。かかる開口部５１ａの形状は矩
形に限定されるわけではなく、図１２から図１５までに
示したような形状等であってもよいことは実施の形態１
で説明したとおりである。

【０１２７】なお、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【０１２８】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、液晶表示素子の厚み方向
における電位差が大きくなる。上述したように、補助電
極５１は対向電極２と絶縁体を介して重なる領域内に開
口部５１ａを有しているので、このように液晶表示素子
の厚み方向における電位差が大きくなり、しかも補助電
極５１に対して対向電極２とは異なる電圧が印加される
と、各開口部５１ａの周辺で強い電界集中が発生する。
その結果、それらの開口部５１ａの周辺に配置されてい
る液晶分子が転移核となってスプレイ−ベンド転移がス
ムーズに行われることになる。

【０１２９】上述したように、本実施の形態に係る液晶
表示装置では、各補助電極５１が画素毎に設けられてい
るため、各画素毎に転移核が存在することになる。よっ
て、スプレイ配向のままの画素が残存することがなく、
良好な画像表示を実現することができる。

【０１３０】また、このように対向基板（カラーフィル
タ基板）側に転移核を発生させることによって、アレイ
基板側にのみ転移核を発生させる場合と比べて、より多
くの転移核が存在することになる。よって、スプレイ−
ベンド転移の確実性がより一層増大する。

【０１３１】（実施の形態８）本発明の実施の形態８
は、アレイ基板と対向基板との対向部分に突起を設ける
ことによって、スプレイ−ベンド転移を確実に行うこと
ができる液晶表示装置の例である。

【０１３２】図２４は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の半導体スイッチング素子（Ｔ
ＦＴ）部分の主要な構成を模式的に示す断面図である。
図２４に示すように、液晶セル１０１は、スペーサ６１
を介して対向して配置されているカラーフィルタ基板１
０２及び半導体スイッチング素子であるＴＦＴ１３を有
するアレイ基板１０３を備えている。

【０１３３】アレイ基板１０３は、ガラス基板１０を有
している。このガラス基板１０の上面には、ゲート線１
２が形成され、このゲート線１２を覆うように絶縁層６
５が形成されている。また、絶縁層６５の上面にはＴＦ
Ｔ１３及び画素電極６が形成されている。

【０１３４】かかるＴＦＴ１３は、ゲート線１２の位置
に対応して配設されており、アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）からなる活性半導体層６４上に、この活性半導
体層６４とソース電極１１１及びドレイン電極１４とを
電気に接続するためのＮ⁺ａ−Ｓｉ層６３を形成するこ
とにより構成されている。ここで、ソース電極１１１と
は、ソース線と接続され、そのソース線から信号電圧が
供給される電極である。なお、このＴＦＴ１３は保護膜
６２により保護されている。

【０１３５】一方、カラーフィルタ基板１０２は、ガラ
ス基板１、カラーフィルタ層２１、透明電極（対向電
極）２及び配向膜３が順に積層形成されて構成されてい
る。なお、カラーフィルタ層２１は、赤、緑、青色の各
色のカラーフィルタ及びそれらのカラーフィルタの境界
に設けられるブラックマトリクスで構成される。

【０１３６】上述した対向電極２の下面のＴＦＴ１３に
対向する位置には、アレイ基板１０３側に向かって突出
した凸部６６が形成されている。なお、この凸部６６
は、例えばエポキシ系の感光性樹脂などを用いて適宜の
大きさに形成される。かかる凸部６６とＴＦＴ１３とが
形成された位置におけるセルギャップ４ｂの厚みは、こ
れらが形成されていない位置におけるセルギャップ４ａ
の厚みと比べて小さくなる。

【０１３７】以上のように構成された本発明に係る液晶
表示装置において、実施の形態１で説明したような転移
電圧が印加された場合、セルギャップ４ｂの周辺で集中
電界が発生する。そのため、このセルギャップ４ｂの周
辺に配置されている液晶分子が転移核となり、スプレイ
−ベンド転移が確実に行われる。よって、点欠陥のない
高品質の液晶表示装置を実現することができる。

【０１３８】なお、本実施の形態では、カラーフィルタ
基板１０２が備える凸部６６とアレイ基板１０３が備え
るＴＦＴ１３とを用いて、より狭いセルギャップ空間を
形成しているが、このような構成に限定されるわけでは
ない。即ち、例えばアレイ基板１０３にＴＦＴ１３とは
別の凸部を設け、カラーフィルタ基板１０２の前記凸部
と対向する位置に同じく凸部を設けることによって、よ
り狭いセルギャップ空間を形成するような構成であって
もよい。

【０１３９】（実施の形態９）本発明の実施の形態９
は、アレイ基板の内面に形成された隣接する画素電極の
対向する端部のそれぞれに切り欠き部を設けることによ
って、スプレイ−ベンド転移を確実に行うことができる
液晶表示装置の例である。

【０１４０】図２５は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に
示す平面図である。なお、以下では、便宜上、画素電極
６のうちの一つの画素電極６Ａ及びその画素電極６Ａと
ソース線１１の長さ方向において隣接する画素電極６Ｂ
とを用いて説明する。

【０１４１】図２５に示すように、画素電極６Ａは、一
端がゲート線１２と重なるように配されており、その一
端にはソース線１１の長さ方向に突出した複数の突起６
ｃが形成されている。また、この突起６ｃが設けられて
いる端部と対向する画素電極６Ｂの端部は、ゲート線１
２と重なるようにゲート線１２に向かって突出してい
る。そして、その突出した部分のゲート線１２と重なる
領域内に、上述した複数の突起６ｃと対応する窪み６ｄ
が形成されている。

【０１４２】なお、画素電極６とゲート線１２とは、実
施の形態１の場合と同様にして絶縁層を介して重なって
いる。

【０１４３】また、その他の構成については実施の形態
１の場合と同様であるので同一符号を付して説明を省略
する。

【０１４４】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、液晶表示素子の厚み方向
における電位差が大きくなる。上述したように、突起６
ｃ及びその突起６ｃと対応する窪み６ｄはゲート線１２
と重なるように設けられているので、これらの突起６ｃ
及びその突起６ｃと対応する窪み６ｄ間の周辺で集中電
界が発生する。そのため、この突起６ｃ及び窪み６ｄ間
の周辺に配置されている液晶分子が転移核となり、スプ
レイ−ベンド転移が確実に行われる。よって、点欠陥の
ない高品質の液晶表示装置を実現することができる。

【０１４５】また、本実施の形態９においては、隣接す
る２つの画素電極６Ａ、６Ｂにそれぞれ印加される電圧
の極性を逆にすれば（すなわち、画素電極６Ａにプラス
の極性の電圧が印加される場合には、画素電極６Ｂには
マイナスの極性の電圧が印加されるようにすれば）、矢
符１１０および矢符１２０で示すように、隣接する２つ
の画素電極６Ａ、６Ｂの間で矢符１１０および１２０に
より示されるように、平面視において２方向の横電界が
発生する。図１１に関する説明と同様に、このようにす
れば隣接する２つの画素電極６Ａ、６Ｂの間で液晶分子
の弾性ひずみエネルギーが大きくなり、その結果負エネ
ルギーが大きくなる。これにより、よりスムーズにスプ
レイ−ベンド転移が行われることになる。

【０１４６】なお、上述したように突起６ｃ及び窪み６
ｄ間の周辺で電界集中が発生するが、その電界集中をよ
り強くするためには、これら突起６ｃと窪み６ｄとの間
の距離６ｅは短ければ短いほどよい。しかしながら、そ
の距離６ｅが短すぎると、各画素電極６間で短絡が発生
するおそれがあるため、実際には一定の制約が存在す
る。具体的には、突起６ｃと窪み６ｄとの間の距離６ｅ
を４μｍ以上８μｍ以下程度にすることが望ましい。

【０１４７】また、実施の形態２の場合と同様に平坦化
層を設けるようにしてもよく、実施の形態３の場合と同
様にカラーフィルタ層をアレイ基板側に設けるようにし
てもよい。

【０１４８】（実施の形態１０）本発明の実施の形態１
０は、実施の形態９の場合と異なり、画素電極の本体と
端部との間に中間部を設けることによって、スプレイ−
ベンド転移を確実に行うことができる液晶表示装置の例
である。

【０１４９】図２６は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に
示す平面図である。なお、以下では、便宜上、画素電極
６のうちの一つの画素電極６Ａ及びその画素電極６Ａと
ソース線１１の長さ方向において隣接する画素電極６Ｂ
とを用いて説明する。

【０１５０】図２５に示すように、画素電極６Ａは、一
端が蓄積容量電極９と重なるように配されており、その
一端にはソース線１１の長さ方向に突出した複数の突起
６ｃが形成されている。また、この突起６ｃが設けられ
ている端部と対向する画素電極６Ｂの端部は、蓄積容量
電極９と重なるように蓄積容量電極９に向かって突出し
ている。そして、その突出した部分の蓄積容量電極９と
重なる領域内に、上述した複数の突起６ｃと対応する窪
み６ｄが形成されている。

【０１５１】なお、画素電極６と蓄積容量電極９とは、
実施の形態１の場合と同様にして絶縁層を介して重なっ
ている。

【０１５２】また、画素電極６は、その画素電極の本
体、端部、及びこれらの本体と端部との間に設けられた
中間部６０１で構成されている。この中間部６０１の幅
６ｆは、画素電極６の本体及び端部の幅よりも小さく、
具体的には１０μｍとした。

【０１５３】なお、その他の構成については実施の形態
９の場合と同様であるので、同一符号を付して説明を省
略する。

【０１５４】ところで、各画素電極６の端部に形成され
た突起６ｃと窪み６ｄとの間で形成される蓄積容量は、
上述した中間部６０１の幅及び長さによって変化する。
そのため、各画素内に形成される蓄積容量の多少に応じ
て中間部６０１の幅及び長さを調整することによって、
突起６ｃと窪み６ｄとの間で生成される蓄積容量とその
他の構成要素により生成される蓄積容量とのバランスを
取ることが可能となる。

【０１５５】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、実施の形態９の場合と同
様にして突起６ｃ及びその突起６ｃと対応する窪み６ｄ
の間の周辺で集中電界が発生する。そのため、この突起
６ｃ及び窪み６ｄ間の周辺に配置されている液晶分子が
転移核となり、スプレイ−ベンド転移が確実に行われ
る。よって、点欠陥のない高品質の液晶表示装置を実現
することができる。

【０１５６】（実施の形態１１）本発明の実施の形態１
１は、対向基板の内面に形成された対向電極に開口部を
設けることによって、スプレイ−ベンド転移を確実に行
うことができる液晶表示装置の例である。

【０１５７】図２７は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成を模式的に示す平
面図である。また、図２８は、図２７のＸＸＶIII−Ｘ
ＸＶIII矢視断面図である。なお、図２７では、ブラッ
クマトリックス２２と対向電極２との位置関係のみを示
しており、その他の構成については省略している。

【０１５８】図２７及び図２８に示すように、液晶セル
１０１は、スペーサ（図示せず）を介して対向して配置
されているカラーフィルタ基板１０２及びアレイ基板１
０３を備えている。なお、このアレイ基板１０３の構成
については実施の形態１の場合と同様であるので同一符
号を付して説明を省略する。

【０１５９】カラーフィルタ基板１０２はガラス基板１
を有している。このガラス基板１の下面には、カラーフ
ィルタ層２１が形成されている。具体的には、赤色カラ
ーフィルタ２１Ｒ、緑色カラーフィルタ２１Ｇ、および
青色カラーフィルタ２１Ｂが形成されており、各色のカ
ラーフィルタの境界には、導電性のブラックマトリクス
２３がそれぞれ形成されている。

【０１６０】また、このカラーフィルタ層２１の下面に
は、対向電極２及び配向膜３が積層形成されている。こ
こで、この対向電極２は、画素列毎に電圧を印加するこ
とができるように画素列毎に分割されており、各対向電
極２間が導電性のブラックマトリックス２３と重なるよ
うに配設されている。以下では、便宜上、対向電極２の
うちの一つの対向電極２Ａ及びその対向電極２Ａとゲー
ト線（図示せず）の長さ方向において隣接する対向電極
２Ｂとを用いて説明する。

【０１６１】対向電極２Ａは、各画素毎に、その一部が
対向電極２Ｂ側に向かってそれぞれ突出している。そし
て、それらの突出部分が、実施の形態１０における画素
電極６の端部と同様な形状をしている。即ち、前記突出
部分はゲート線の長さ方向に突出した複数の突起２ｃを
有している。また、この突起２ｃが設けられている突出
部分と対向するようにして、電極２Ｂは、各画素毎に、
その一部が対向電極２Ａ側に向かってそれぞれ突出して
いる。そして、それらの突出部分が、前記突起２ｃと対
応する窪み２ｄを有している。また、これらの突出部分
と対向電極２Ａ,２Ｂの本体とは中間部２０１でそれぞ
れ接続されている。

【０１６２】なお、本実施の形態では、カラーフィルタ
層２１が、対向電極２とブラックマトリックス２３との
間の絶縁体として機能している。

【０１６３】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加され、しかもブラックマトリックス２
３に対して対向電極２とは異なる転移電圧が印加された
場合、突起２ｃ及びその突起２ｃと対応する窪み２ｄ間
の周辺で集中電界が発生する。そのため、この突起２ｃ
及び窪み２ｄ間の周辺に配置されている液晶分子が転移
核となり、スプレイ−ベンド転移が確実に行われる。よ
って、点欠陥のない高品質の液晶表示装置を実現するこ
とができる。

【０１６４】また、このように対向基板（カラーフィル
タ基板）側に転移核を発生させることによって、アレイ
基板側にのみ転移核を発生させる場合と比べて、より多
くの転移核が存在することになる。よって、スプレイ−
ベンド転移の確実性がより一層増大する。

【０１６５】（実施の形態１２）本発明の実施の形態１
２は、画素電極の端部の形状が実施の形態１０の場合と
異なる液晶表示装置の例である。

【０１６６】図２９は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に
示す平面図である。図２８に示すとおり、本実施の形態
に係る液晶表示装置においても、実施の形態１０の場合
と同様に、画素電極６が本体、端部、及びこれらの本体
と端部との間の中間部６０１で構成されており、その中
間部６０１の幅は本体及び端部の幅よりも小さくされて
いる。なお、以下では、便宜上、画素電極６のうちの一
つの画素電極６Ａ及びその画素電極６Ａとソース線１１
の長さ方向において隣接する画素電極６Ｂとを用いて説
明する。

【０１６７】画素電極６Ａは、一端が蓄積容量電極９と
重なるように配されており、その一端にはソース線１１
の長さ方向に突出した複数の突起６ｃが形成されてい
る。これらの突起６ｃは、ノコギリ刃状に形成されてお
り、その突起６ｃの長辺６ｇ及び短辺６ｈの延びる方向
がゲート線１２の長さ方向に対して所定の角度傾斜する
ように配されている。

【０１６８】また、この突起６ｃが設けられている端部
と対向する画素電極６Ｂの端部は、蓄積容量電極９と重
なるように蓄積容量電極９に向かって突出している。そ
して、その突出した部分の蓄積容量電極９と重なる領域
内に、上述した複数の突起６ｃと対応する窪み６ｄが形
成されている。

【０１６９】なお、画素電極６と蓄積容量電極９とは、
実施の形態１の場合と同様にして絶縁層を介して重なっ
ている。

【０１７０】また、その他の構成については実施の形態
９の場合と同様であるので、同一符号を付して説明を省
略する。

【０１７１】ところで、画素電極６Ａの端部に形成され
る突起６ｃの長辺６ｇ又は短辺６ｈの延びる方向と、配
向膜に対して施す配向処理の方向とが同一となる場合、
液晶層に最も強い電界が生じることになる。そこで、そ
の長辺６ｇ又は短辺６ｈが延びる方向を、配向膜に対し
て施す配向処理の方向に合わせることが望ましい。これ
により、より強い電界集中を発生させることができ、そ
の結果スプレイ−ベンド転移をより確実に行うことがで
きる。

【０１７２】なお、表示画面の位置によって視野角特性
を異ならせることにより、全体として良好な画像表示を
実現させる場合がある。このような場合、その表示画面
の位置によって配向処理の方向を変化させることにより
視野角特性を異ならせることが多い。したがって、この
ような場合であれば、例えば画素によって前記突起６ｃ
の長辺６ｇ又は短辺６ｈの延びる方向を変化させること
により、配向処理の方向の変化に対応するようにしても
よい。

【０１７３】（実施の形態１３）本発明の実施の形態１
３は、画素電極の端部の形状が実施の形態１０の場合と
異なる液晶表示装置の例である。

【０１７４】図３０は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に
示す平面図である。図３０に示すように、本実施の形態
に係る液晶表示装置においても、実施の形態８の場合と
同様に、画素電極６が本体、端部、及びそれらの本体と
端部との間の中間部６０１で構成されており、その中間
部６０１の幅は本体及び端部の幅よりも小さくされてい
る。なお、以下では、便宜上、画素電極６のうちの一つ
の画素電極６Ａ及びその画素電極６Ａとソース線１１の
長さ方向において隣接する画素電極６Ｂとを用いて説明
する。

【０１７５】画素電極６Ａは、蓄積容量電極９に向かっ
てそれぞれ突出しており、その突出部分が蓄積容量電極
９と重なるようにそれぞれ配されている。そして、その
両端部の一方には、蓄積容量電極９と重なる領域内に、
該蓄積容量電極９の長さ方向に突出する複数の突起６０
ａが形成されている。

【０１７６】また、この突起６０ａが設けられている端
部と対向する画素電極６Ｂの端部は、蓄積容量電極９と
重なるように蓄積容量電極９に向かって突出している。
そして、その突出した部分の蓄積容量電極９と重なる領
域内に、上述した複数の突起６０ａと対応する窪み６０
ｂが形成されている。

【０１７７】なお、画素電極６と蓄積容量電極９とは、
実施の形態１の場合と同様にして絶縁層を介して重なっ
ている。

【０１７８】また、その他の構成については実施の形態
９の場合と同様であるので、同一符号を付して説明を省
略する。

【０１７９】以上のように構成された本実施の形態に係
る液晶表示装置において、実施の形態１で説明したよう
な転移電圧が印加された場合、実施の形態９の場合と同
様にして突起６０ａ及びその突起６０ａと対応する窪み
６０ｂの間の周辺で集中電界が発生する。そのため、こ
の突起６０ａ及び窪み６０ｂ間の周辺に配置されている
液晶分子が転移核となり、スプレイ−ベンド転移が確実
に行われる。よって、点欠陥のない高品質の液晶表示装
置を実現することができる。

【０１８０】（実施の形態１４）本発明の実施の形態１
４は、フィールドシーケンシャルカラー方式であってス
プレイ−ベンド転移を確実に行うことができる液晶表示
装置の例である。

【０１８１】図３１は、本実施の形態に係る液晶表示装
置の構成を模式的に示す断面図である。図３１に示すと
おり、本実施の形態に係る液晶表示装置は、液晶表示素
子１００と、その液晶表示素子１００の下方に配置され
たバックライト７０とを備えている。ここで、この液晶
表示素子１００は、実施の形態１から実施の形態１３ま
での何れかで説明した表示素子である。

【０１８２】また、バックライト７０は、透明な矩形の
合成樹脂板からなる導光板７２と、該導光板７２の一の
端面７２ａ近傍に該端面７２ａに臨んで配置された光源
７１と、導光板７２の下方に配置された反射板７３と、
導光板７２の上面に設けられた拡散シート７４とを含ん
で構成されている。

【０１８３】上述した光源７１は、赤、緑、青の３原色
の各色を発光するＬＥＤが順次的に反復して配列されて
いるＬＥＤアレイである。

【０１８４】以上のように構成されたバックライト７０
では、光源７１から発せられた光が端面７２ａから導光
板７２に入射する。この入射した光は、導光板７２の内
部で多重散乱してその上面の全面から出射する。この
際、導光板７２の下に漏れて反射板７３に入射した光
は、反射板７３で反射されて導光板７２内に戻される。
そして、導光板７２から出射した光は拡散シート７４で
拡散され、その拡散された光が液晶表示素子１００に入
射する。これにより、液晶表示素子１００の全体に赤、
緑又は青の光が均一に照射される。

【０１８５】このように構成された本実施の形態に係る
液晶表示装置では、バックライト７０の光源であるＬＥ
Ｄを所定の周期で赤、緑、青の順に順次発光させるよう
に、制御回路（図示せず）がバックライト７０に制御信
号を出力する。また、その発光と同期して表示を行うた
めに、同じく制御回路が、外部から入力される画像信号
に応じて、ゲートドライバ（図示せず）及びソースドラ
イバ（図示せず）に制御信号をそれぞれ出力する。その
結果、ゲートドライバがゲート線に走査信号電圧を印加
して各画素のＴＦＴを順次オンさせ、一方、ソースドラ
イバがそのタイミングに合わせてソース線を通じて画像
信号電圧を各画素の画素電極に順次印加する。これによ
り、液晶分子が変調され、バックライト７０から出射さ
れる光の透過率が変化して、この液晶表示装置を観察す
る人の目に画像信号に対応する画像が映ることになる。

【０１８６】上述したとおり、本実施の形態に係る液晶
表示装置は、いわゆるフィールドシーケンシャルカラー
方式の装置である。フィールドシーケンシャルカラー方
式の液晶表示装置の場合、１フレーム期間を複数のサブ
フレーム期間に分けて表示を行うので、液晶表示素子の
応答速度が遅いと良好な画像表示を得ることができな
い。この点、本実施の形態に係る液晶表示装置の場合、
高速応答が可能なＯＣＢ型の液晶表示素子１００を備え
ているので、フィールドシーケンシャルカラー方式で良
好な画像表示を実現することができる。

【０１８７】また、実施の形態１から実施の形態１３ま
でに示された液晶表示素子は、上述したようにスプレイ
−ベンド転移を確実に行うことが可能である。そのた
め、本実施の形態に係る液晶表示装置では、点欠陥もな
く良好な画像表示を得ることができる。

【０１８８】（実施の形態１５）本発明の実施の形態１
５は、ゲート線と重なるようにソース電極を設けること
によって、スプレイ−ベンド転移を確実に行うことがで
きる液晶表示装置の例である。なお、本実施の形態に係
る液晶表示装置の構成については、図３２を参照して後
述する画素の構成以外は実施の形態１の場合と同様であ
るので説明を省略する。

【０１８９】図３２は、本実施の形態に係る液晶表示装
置が備える画素の構成の一例を模式的に示す平面図であ
る。図３２に示すように、ソース線１１と接続され、そ
のソース線１１から信号電圧が供給されるソース電極１
１１が設けられている。このソース電極１１１はゲート
線１２の長さ方向と平行に伸び出しており、絶縁体（図
示せず）を介してゲート線１２と重なり合うようにして
設けられている。このソース電極１１１に供給された信
号電圧は、ドレイン電極を介して画素電極６に供給され
る。なお、ソース線１１の上方には液晶層（図示せず）
が配置されている。したがって、ソース電極１１１は、
ゲート線１２と液晶層との間に挟まれるようにして設け
られている。

【０１９０】上述したソース電極１１１は、ゲート線１
２と重なる領域内に屈曲部を有している。このような構
成された本実施の形態に係る液晶表示装置において、後
述するような転移電圧が印加された場合、ソース電極１
１１が有する屈曲部と画素電極６との間の周辺で集中電
界が発生する。そのため、この屈曲部と画素電極６との
間の周辺に配置されている液晶分子が転移核となり、ス
プレイ−ベンド転移が確実に行われる。

【０１９１】次に、本実施の形態に係る液晶表示装置に
おける転移電圧の波形及びその転移電圧を印加する方式
について説明する。

【０１９２】図３３は本実施の形態に係る液晶表示装置
における転移電圧の波形を示す図である。本実施の形態
に係る液晶表示装置では、図３３に示すように、各ゲー
ト線１２ａ、１２ｂ、１２ｃ…に対してゲートオン電位
である＋１５Ｖを１秒間印加する。また、対向電極２に
対しては、＋２５Ｖの電圧を同じく１秒間印加する。そ
して、その間、電圧値±７Ｖ、周波数３０Ｈｚ（フィー
ルド周波数）、デューティ比５０％の交流矩形波の電圧
をソース線１１に印加する。より具体的には、実施の形
態１の場合と同様に、奇数列目のソース線１１Ａ、１１
Ｃ…を介して各画素電極６Ａａ、６Ｃｃ…に入力される
交流矩形波電圧の極性と、偶数列目のソース線１１Ｂ、
１１Ｄ…を介して各画素電極６Ｂｂ、６Ｄｄ…に入力さ
れる交流矩形波電圧の極性とが逆になるように、ソース
線１１に対して電圧を印加する。

【０１９３】このようにして転移電圧を印加した場合、
比較的大型の液晶表示装置であっても均一にスプレイ−
ベンド転移を行うことができた。これは液晶に印加され
る電圧が交流であるため、不安定な「擾乱」状態が生
じ、その結果均一性が高まったためと考えられる。な
お、ここではフィールド周波数を３０Ｈｚとしている
が、これに限られるわけではない。本発明者等の検討に
よればその周波数は１ｋＨｚ以下であることが望ましか
った。

【０１９４】また、図３４に示すような波形の転移電圧
を用いるようにしてもよい。即ち、図３３に示した場合
と異なり、ソース線１１を０Ｖの電位に保つことによっ
て画素電極６には電圧を印加せず、対向電極２に対して
−２５Ｖの電圧を１秒間印加するようにしてもよい。こ
のようにソース線１１の電位を０Ｖのまま保ち変動させ
ないため、ソースドライバに依存することなく容易に行
うことができる。この場合でも、図３３に示した波形の
転移電圧を用いる場合と同様にスプレイ−ベンド転移を
確実に行うことができる。ただし、やや面内にスプレイ
−ベンド転移の不均一性が見られ、図３３の場合と比べ
て、スプレイ−ベンド転移を発生させるために要する電
圧が２から３Ｖ程度高くなった。

【０１９５】ここで本発明者等は、対向電極２に印加す
る電位の極性とゲートオン電位の極性とが同一である場
合の方が、異なる場合（例えば、対向電極２に−２５
Ｖ、ゲート線１２にゲートオン電位として＋１５Ｖをそ
れぞれ印加する）に比べ、スプレイ−ベンド転移が発生
しやすいことを知見した。これは、極性が異なる場合と
比べ、同一である場合の方がより強い横電界が発生し、
スプレイ−ベンド転移の発生が促進されたためと考えら
れる。

【０１９６】また、図３５に示すような波形の転移電圧
を用いるようにしてもよい。即ち、図９を参照して上述
した場合と同様にして、各ゲート線１２ａ、１２ｂ、１
２ｃ…にゲートオン電位である＋１５Ｖを順次印加し、
対向電極２に対しては−２５Ｖの電圧を１秒間印加す
る。そして、その間、電圧値±７Ｖ、周波数３０Ｈｚ
（フィールド周波数）、デューティ比５０％の交流矩形
波の電圧をソース線１１に印加する。この場合、ゲート
線１２は通常の画像表示の場合と同様に駆動されること
になるため、一般的な液晶表示装置（例えばＴＮ型液晶
表示装置等）が備えるゲートドライバを用いることがで
き、安価な構成とすることができる。

【０１９７】本実施の形態においても、実施の形態１の
場合と同様に、転移電圧を印加する直前には、画素電極
６と対向電極２との間に電圧を印加しないようにするこ
とが望ましい。

【０１９８】なお、上記の説明においては、ＯＣＢモー
ドの液晶表示素子を備えた液晶表示装置を例に挙げて説
明しているが、本発明はこれに限られず、表示状態にお
ける配向状態と非表示状態における配向状態とが異な
り、画像を表示させる前に非表示状態の配向状態から表
示状態の配向状態へ初期化することが必要である液晶表
示素子を備える液晶表示装置に対して用いることができ
る。

【０１９９】以上のように、本発明に係る液晶表示装置
は、点欠陥がなく良好な画像表示を得ることができる。
これらの液晶表示装置は、様々な製品に応用することが
可能である。即ち、例えば液晶テレビ、液晶モニタ、又
は携帯型電話機の液晶ディスプレイ等に応用することが
できる。

【０２００】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る液晶
表示装置によれば、電界集中を発生させることにより転
移核を生成することができるため、スプレイ−ベンド転
移を確実に行うことができ、点欠陥もなく良好な画像表
示を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が備
える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図

【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が備
える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す平
面図

【図３】図２のIII−III矢視断面図

【図４】図３に示す断面図における液晶層部分の拡大図

【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の構
成を示すブロック図

【図６】印加電圧とギブス・エネルギーとの関係を示す
図

【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が備
える画素の断面の等電位線図

【図８】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が備
える画素の平面のギブス・エネルギーの分布図

【図９】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置にお
ける転移電圧の波形の一例を示す図

【図１０】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置に
おける転移電圧の波形の他の例を示す図

【図１１】ドット反転方式を説明するための図

【図１２】ライン反転方式を説明するための図

【図１３】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の他の例を模式的に示
す平面図

【図１４】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の他の例を模式的に示
す平面図

【図１５】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の他の例を模式的に示
す平面図

【図１６】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の他の例を模式的に示
す平面図

【図１７】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図

【図１８】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の構成を模式的に示す断面図

【図１９】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す
平面図

【図２０】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す
平面図

【図２１】本発明の実施の形態６に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す
平面図

【図２２】図２１のＸＸII−ＸＸII矢視断面図

【図２３】本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す
断面図

【図２４】本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の半導体スイッチング素子（ＴＦ
Ｔ）部分の主要な構成の一例を模式的に示す断面図

【図２５】本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置が
備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示す
平面図

【図２６】本発明の実施の形態１０に係る液晶表示装置
が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示
す平面図

【図２７】本発明の実施の形態１１に係る液晶表示装置
が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示
す平面図

【図２８】図２７のＸＸＶIII−ＸＸＶIII矢視断面図

【図２９】本発明の実施の形態１２に係る液晶表示装置
が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示
す平面図

【図３０】本発明の実施の形態１３に係る液晶表示装置
が備える液晶表示素子の主要な構成の一例を模式的に示
す平面図

【図３１】本発明の実施の形態１４に係る液晶表示装置
の構成を模式的に示す断面図

【図３２】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
が備える画素の構成の一例を模式的に示す平面図

【図３３】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
における転移電圧の波形の一例を示す図

【図３４】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
における転移電圧の波形の他の例を示す図

【図３５】本発明の実施の形態１５に係る液晶表示装置
における転移電圧の波形の他の例を示す図

【図３６】従来のＯＣＢモード液晶表示素子の構成を模
式的に示す断面図

【図３７】従来の液晶表示装置においてスプレイ−ベン
ド転移を行うための初期化処理を説明する図であって、
（ａ）はスプレイ−ベンド転移が行われた割合の変化を
示す図 （ｂ）及び（ｃ）はその初期化処理中に液晶表示素子に
対して印加する電圧の波形を示す図

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 対向電極 ２ｃ 突起 ２ｄ 窪み ３ 配向膜 ４ 液晶層 ４ａ、４ｂ セルギャップ ５ 配向膜 ６ 画素電極 ６ａ 開口部 ６ｂ 切り欠き部 ６ｃ 突起 ６ｄ 窪み ７、８ 絶縁層 ９ 蓄積容量電極 １０ ガラス基板 １１ ソース線 １１ａ 開口部 １２ ゲート線 １３ ＴＦＴ １４ ドレイン電極 １７ 配線層 １８ 平坦化層 １９ 絶縁層 ２０ 液晶分子 ２１ カラーフィルタ層 ２２、２３ ブラックマトリクス ２５ 配線層 ５１ 補助電極 ５１ａ 開口部 ５２ 絶縁層 ６０ａ 突起 ６０ｂ 窪み ６１ スペーサ ６２ 保護膜 ６３ ａ−Ｓｉ層 ６４ 活性半導体層 ６５ 絶縁層 ６６ 凸部 ７０ バックライト ７１ 光源 ７２ 導光板 ７３ 反射板 ７４ 拡散シート １００ 液晶表示素子 １０１ 液晶セル １０２ カラーフィルタ基板 １０３ アレイ基板 １０４ａ、１０４ｂ 位相差フィルム １０５ａ、１０４ｂ 負の一軸性位相差フィルム １０６ 正の一軸性位相差フィルム １０７ａ、１０７ｂ 偏光板 ２０１ 中間部 ５００ バックライト ５０１ 制御回路 ５０２ ゲートドライバ ５０３ ソースドライバ ５０４ 映像信号 ６０１ 中間部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年６月６日（２００２．６．６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明に係る液晶表示装置は、対向する一対の基板と、一対
の基板間に配置され、表示状態における配向状態と非表
示状態における配向状態とが異なり、画像を表示させる
前に非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態へ初
期化することが必要である液晶層と、一対の基板の何れ
か一方に設けられた第１電極と、第１電極と絶縁体を介
して重なるように形成されていると共に第１電極と液晶
層との間に配置され、しかも第１電極と重なる領域内に
開口部を有している第２電極と、第１電極が設けられた
基板とは異なる他方の基板に設けられた対向電極と、第
１電極と第２電極との間および対向電極と第２電極との
間に電位差を生じさせると共に第１電極と対向電極とに
同じ電位が印加されることにより初期化を行う駆動手段
と、を備えている。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】削除

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】一対の基板のうち第２電極及び第１電極が
形成されている基板とは異なる基板に絶縁体を介して重
なるように形成されている第３電極及び第４電極を更に
備え、第３電極は、第４電極と液晶層との間に配置さ
れ、しかも第４電極と重なる領域内に開口部を有してお
り、駆動手段は、第３電極と第４電極との間に電位差を
生じさせることにより初期化を行うことが好ましい。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】削除

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３７

【補正方法】削除

【手続補正７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１９】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 (31)優先権主張番号 特願2001−224154(P2001−224154) (32)優先日 平成13年７月25日(2001．7．25) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 中尾 健次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 大一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木村 雅典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 好紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 HA04 HA08 HA12 HA16 HA18 HA21 HA28 JA04 JA09 KA30 LA06 MA02 MA04 MA06 MA10 MA20 2H092 GA13 GA24 GA33 GA35 JA26 JB05 JB13 JB14 JB23 JB32 JB64 JB69 KA05 NA05 NA07 NA11 PA06 PA08 PA10 PA11 PA12 PA13 QA09 2H093 NA16 NA34 NA43 NA64 NA65 NA80 NB02 NB09 NB12 NB15 NB22 NB30 NC34 NC35 NC65 ND04 ND08 ND09 ND22 ND32 ND39 ND48 ND58 NE06 NF09 NH12 NH14 5C006 AC24 AF67 BA15 BB16 BC03 BC11 GA03 5C094 AA10 AA22 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 FA04 JA03

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する一対の基板と、 前記一対の基板間に配置され、表示状態における配向状
   態と非表示状態における配向状態とが異なり、画像を表
   示させる前に非表示状態の配向状態から表示状態の配向
   状態へ初期化することが必要である液晶層と、 前記一対の基板の何れか一方に設けられた第１電極と、 前記第１電極と絶縁体を介して重なるように形成されて
   いると共に前記第１電極と前記液晶層との間に配置さ
   れ、しかも前記第１電極と重なる領域内に欠落部を有し
   ている第２電極と、 前記第１電極が設けられた基板とは異なる他方の基板に
   設けられた対向電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間および前記対向電極
   と前記第２電極との間に電位差を生じさせると共に前記
   第１電極と前記対向電極とに同じ電位が印加されること
   により前記初期化を行う駆動手段と、 を備えた液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記一対の基板の一方は、マトリクス状
   に配置された複数の画素電極と、互いに交差するように
   配列された複数のゲート線及び複数のソース線と、前記
   画素電極のそれぞれに対応して設けられ、前記ゲート線
   を介して供給される駆動信号に応じて前記画素電極と前
   記ソース線との間の導通／非導通を切り換える複数のス
   イッチング素子とを有するアレイ基板であり、 前記一対の基板の他方は、前記アレイ基板に対向する対
   向電極を有する対向基板である請求項１に記載の液晶表
   示装置。
3. 【請求項３】 前記画素電極に重なり合う蓄積容量電極
   を有し、前記第１電極は前記蓄積容量電極であり、前記
   第２電極は前記画素電極である、請求項２に記載の液晶
   表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１電極はゲート線であり、前記第
   ２電極は前記画素電極である、請求項２に記載の液晶表
   示装置。
5. 【請求項５】 前記画素電極に重なり合う蓄積容量電極
   を有し、前記第１電極は前記蓄積容量電極であり、前記
   第２電極は前記ソース線である、請求項２に記載の液晶
   表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１電極は前記ゲート線であり、前
   記第２電極は前記ソース線である、請求項２に記載の液
   晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記第１電極は前記画素電極であり、前
   記第２電極は前記ゲート線である、請求項２に記載の液
   晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記画素電極に重なり合う蓄積容量電極
   を有し、前記第１電極は画素電極であり、前記第２電極
   は蓄積容量電極である、請求項２に記載の液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 前記第１電極は前記ソース線であり、前
   記第２電極は前記ゲート線である、請求項２に記載の液
   晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記画素電極に重なり合う蓄積容量電
    極を有し、前記第１電極は前記ソース線であり、前記第
    ２電極は前記蓄積容量電極である、請求項２に記載の液
    晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記電位差は１５Ｖ以上３２Ｖ以下で
    ある、請求項１に記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 前記一対の基板のうち前記第２電極及
    び前記第１電極が形成されている基板とは異なる基板に
    絶縁体を介して重なるように形成されている第３電極及
    び第４電極を更に備え、 前記第３電極は、前記第４電極と前記液晶層との間に配
    置され、しかも前記第４電極と重なる領域内に欠落部を
    有しており、 前記駆動手段は、前記第３電極と前記第４電極との間に
    電位差を生じさせることにより前記初期化を行う請求項
    １に記載の液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 前記欠落部は、前記第２電極に設けら
    れた開口部である請求項１に記載の液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 前記開口部の形状が、互いに交差する
    方向に延びている複数の直線部分を含んでいる請求項１
    ３に記載の液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記開口部の形状が、Ｖ字状である請
    求項１３に記載の液晶表示装置。
16. 【請求項１６】 前記開口部の形状が、Ｗ字状である請
    求項１３に記載の液晶表示装置。
17. 【請求項１７】 前記開口部の形状が、Ｘ字状である請
    求項１３に記載の液晶表示装置。
18. 【請求項１８】 前記開口部の形状が、多角形である請
    求項１３に記載の液晶表示装置。
19. 【請求項１９】 前記欠落部は、前記液晶層に２方向の
    電界を加えることが可能な形状となるように構成されて
    いる請求項１に記載の液晶表示装置。
20. 【請求項２０】 前記第２電極は、その幅が４μｍ以下
    である部分を含む開口部を有している請求項１３に記載
    の液晶表示装置。
21. 【請求項２１】 前記非表示状態の配向状態はスプレイ
    配向であり、前記表示状態の配向状態はベンド配向であ
    る請求項１に記載の液晶表示装置。