JP2003100685A5 - - Google Patents

Description

【０００７】
すなわち、超臨界流体は、液体に近い密度を持ち溶解性が高いため、有機成分の洗浄に有効であり、気体のように拡散性が優れるため、短時間に均一な洗浄が可能であり、気体のように粘度が低いため、微細な部分の洗浄に適しているのである。また、超臨界流体では、溶液系の薬液のように低誘電率の絶縁物に浸透しても残留しないため、その特性を変化させることが無い。従って、半導体デバイスの微細構造の洗浄に非常に適していると言え、多いに注目されている。

【００１３】
ウェット処理の際には、容器１上方に設けられた液体取り入れ部３から液体が供給されて容器１内を満たし、処理が終了すると容器１下方に設けられた液体排出口４から排出される。その後、液化ガス取り入れ部５から液化二酸化炭素等が入れられて、さらに加熱・加圧される。すると、二酸化炭素は超臨界流体へと変化して、基板２の洗浄ないし乾燥を行うことができる。最後に、気体排出部６を開口して、容器１内部の圧力を徐々に周囲の大気圧へ降下させ、ロック１０から基板２と取り出す。

【００４４】
また、液供給ライン１０４内に残った液は、液排出弁１０７を経て、チャンバ外へ排出（ドレン）される。具体的には、後述するウェット処理の終了後にＳＣＦチャンバ１００から液供給弁１０５の区間で液供給ライン１０４内に残留した液は、ＳＣＦの導入による圧力で押し出し排出される。

【００５３】
蓋１０３が閉められると、ステップＳ２において、ＳＣＦ供給弁１０９が開けられ、ＳＣＦチャンバ１００内へＳＣＦ供給ライン１０８から常圧の二酸化炭素ガスの供給が開始される。また、ＳＣＦ排出弁１１２も同時に開けられるので、供給されたガスは、ＳＣＦ排出口１１１からＳＣＦ排出ライン１１３を通って排出される。このようにして、ＳＣＦチャンバ１００内の雰囲気が二酸化炭素ガスでパージされていく。なお、常圧の二酸化炭素ガスの供給は、後述するステップＳ７の処理まで継続される。

【００７７】
次に、本ＳＣＦチャンバ３００は、図１のＳＣＦチャンバ１００と異なり、液噴出管１０６および液排出弁１０７が省略され、新たに整流板１２４を備える。整流板１２４は、上記ダンプ用の開口部上方に被さるように設けられ、下方から供給される液の流れを上方へ向かって整流する。

【００９９】
（１）上記実施形態において、ウェハ１０２は複数枚で説明しているが、一枚であってもよく、さらには基板以外の被洗浄物であってもよい。