JP2003098131A - 試料ホルダー - Google Patents

試料ホルダー

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JP2003098131A
JP2003098131A JP2001293541A JP2001293541A JP2003098131A JP 2003098131 A JP2003098131 A JP 2003098131A JP 2001293541 A JP2001293541 A JP 2001293541A JP 2001293541 A JP2001293541 A JP 2001293541A JP 2003098131 A JP2003098131 A JP 2003098131A
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Japan
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JP2001293541A
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English (en)
Inventor
Hideaki Shinohara
秀明 篠原
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Foundation For Promotion Of Material Science & Technology Of Japan
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FOUNDATION FOR PROMOTION OF MA
Foundation For Promotion Of Material Science & Technology Of Japan
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的とするところは、試料の高さ調整
が簡単で、且つ試料の高さを正確に定めることができ、
さらに試料台上にセットする試料の向きを予め正確に決
めて設置できる試料ホルダーを提供することにある。 【解決手段】本発明は、試料20を保持するための試料
台6を高さ調節自在に設けたホルダー基台1に設けられ
た高さ合わせ用台11に位置決めして取り付けた試料高
さ調整台12の試料高さ調整面により試料20の測定検
査面を予め位置決めし、この位置決めされた試料20に
向けて、上記試料台6を進めて、上記位置決めされた試
料20を上記試料台6で保持する。そして、試料高さ調
整台12を取り外す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体材
料を物性分析器により分析する際に分析対象の試料を保
持する試料ホルダーに関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、イオンマイクロプローブ方式に
より、半導体材料の物性を分析する物性検査装置が知ら
れているが、この物性検査は、真空室内において、試料
表面に一次イオン源から酸素やセシウムなどの一次イオ
ンを照射し、スパッタされた固体表面を構成する主成分
や不純物の二次イオンを質量分析計に電場によって引き
込み、その二次イオンを分析し、試料の物質を同定す
る。
【0003】半導体ウェーハの物性検査を行なう場合、
半導体ウェーハから一部を切り出した試料を図12に示
すような試料ホルダーに保持し、この試料ホルダーご
と、物性検査装置の真空室内に設置する。この際、検査
精度を高めるため、試料の検査表面にイオンビームの焦
点が定まり、さらに、その位置から確実に質量分析計に
向かう二次イオン吸引電場の生成がなされるように、試
料を正確にセッテングする必要がある。
【0004】従って、試料ホルダーに試料を取り付ける
段階から試料の検査表面の高さを正確に整えておく必要
があり、また、試料の検査表面の向きや傾きについても
同様である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
試料ホルダー50は図12に示すように、基台51に試
料台52のねじ部53をねじ込んであり、試料台52の
高さは試料台52を回転させることにより調整するよう
になっている。そして、試料台52上に試料54を銀ペ
ースト等で固定した後、試料台52を回転させて、目視
によって試料54の高さを見て調節していた。
【0006】このため、試料の高さ調整作業には高度に
熟練した技能が必要であって、簡便に試料の高さ調整を
行なうことは困難であった。また、正確な高さ調整を行
なうことには限度があった。さらに、高さ調整の際、試
料台52上に銀ペースト等で試料54を固定した後、そ
の試料台52自体を回転させるため、固定した試料54
の向きが変わる。従って、試料54の最終的な向きを予
め想定するものの、正確に定まり難く、予想が外れ易
い。このように試料54の最終的な向きを予め予想して
試料54を試料台52に固定するため、最適な向きに試
料54を正確に定まることが困難であった。例えば、半
導体チップなどの試料のように試料表面の中心の一点だ
けでなく、細長い狭い特定の領域のみを検査したい場合
もあり、このような領域の向きを正確に定めて設置する
には多くの手間と時間がかかっていた。
【0007】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、試料の高さ調整が簡
単で、且つ試料の高さを正確に定めることができ、さら
に試料台上にセットする試料の向きについても予め正確
に決めて設置できる試料ホルダーを提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
試料を保持するための試料台を高さ調節自在に設けたホ
ルダー基台と、このホルダー基台に設けられ、上記試料
台の突き出し側へ突き出した高さ合わせ用台と、この高
さ合わせ用台に位置決めして着脱自在に取り付けられ、
上記試料台に向き合う試料高さ調整面を有する試料高さ
調整台とを具備し、上記試料高さ調整台の試料高さ調整
面により、試料の測定検査面を予め位置決めし、この位
置決めされた試料に向けて、上記試料台を進め、上記試
料を位置決め状態のまま保持するようにしたことを特徴
とする試料ホルダーである。
【0009】また、請求項2に係る発明は、試料を保持
するための試料台は、ホルダー基台にねじ込まれ、それ
自身を回転することにより突き出し方向の高さが調節さ
れるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の試料
ホルダーである。
【0010】高さ合わせ用台に位置決めして取り付けた
試料高さ調整台の試料高さ調整面により、試料の測定検
査面を予め位置決めし、この位置決めされた試料に向け
て、上記試料台を進め、上記位置決めされた試料を上記
試料台で保持する。そして、試料高さ調整台を取り外
す。
【0011】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1乃至図9
を参照して本発明の第1の実施形態に係る試料ホルダー
を説明する。
【0012】本実施形態の試料ホルダーは図1及び図2
に示すように円板状の部材によって形成されたホルダー
基台1を備える。ホルダー基台1の周辺部には複数のね
じ孔2が間隔をあけて配置されており、各ねじ孔2はホ
ルダー基台1の厚さ方向に貫通して形成されている。各
ねじ孔2にはそれぞれ後述する試料台6の雄ねじ部7が
ねじ込まれている。
【0013】また、ホルダー基台1の周側端面の一部は
平坦に切り落とされた平坦部3が形成され、この平坦部
3には物性検査装置の室内で試料台6を取り扱う際に操
作棒を嵌め込むための操作用穴4が形成されている。ま
た、操作用穴4の近くのホルダー基台1上面には検査時
において一次イオンビームを調整するために一次イオン
ビームのイオン電流量をモニターするために用いる孔5
が形成されている。
【0014】ホルダー基台1の上面周辺部には各ねじ孔
2にそれぞれ対応位置して試料台6が配置されている。
試料台6は雄ねじ部7を備え、この雄ねじ部7を上記ね
じ孔2にねじ込むようになっている。試料台6はその雄
ねじ部7の一端に形成されており、また、雄ねじ部7の
他端にはドライバーなどの調整用工具を係止するための
溝8が形成されている。そして、試料台6はそれ自身を
回転させることによりホルダー基台1に対し昇降する進
退自在なものである。
【0015】ホルダー基台1の上面中央には高さ合わせ
用台11がホルダー基台1と一体に形成されている。こ
の高さ合わせ用台11の上面9は平坦であり、この高さ
合わせ用台11の上面9は後述する試料高さ調整台12
を密に接合させて試料高さ調整台12を位置決めする試
料の高さの基準面となっている。高さ合わせ用台11に
は後述する固定ねじ13をねじ込むねじ孔14が形成さ
れている。そして、高さ合わせ用台11には試料高さ調
整台12が固定ねじ13によって着脱自在に取り付けら
れる。
【0016】試料高さ調整台12は円板によって形成さ
れ、その下面15は、全面にわたり一つの平面であり、
高さ合わせ用台11の上面9に接合させたとき、その上
面9に一致する試料高さ調整面になっている。また、試
料高さ調整台12の中央上面部には凹部16が形成さ
れ、この凹部16には上記固定ねじ13を貫通させるた
めの孔17が形成されている。
【0017】上記固定ねじ13は頭付きのボルトであ
り、頭部18の高さは凹部16の深さ未満であり、試料
高さ調整台12に取り付けたとき、頭部18は凹部16
から外に出ず、凹部16内に完全に収納されるようにな
っている。
【0018】尚、上記各部材は検査方式に適応する材料
を用いるが、本実施形態のイオンマイクロプローブ検査
法にあっては非磁性金属材料、例えば、ステンレス(S
US)やチタンを用いる。
【0019】次に、本実施形態に係る試料ホルダーを用
いてイオンマイクロプローブ検査法により半導体材料の
物性を検査する手順について図5乃至図9を参照して説
明する。
【0020】まず、図5に示すように、ホルダー基台1
の上面側に試料高さ調整台12を略同軸的に配置した
後、図6に示すように、高さ合わせ用台11の上面9に
試料高さ調整台12の下面15を重ね合わせる。さら
に、試料高さ調整台12の孔17に固定ねじ13を通
し、この固定ねじ13を試料高さ調整台12のねじ孔1
4にねじ込み、高さ合わせ用台11の上面9に試料高さ
調整台12を固定する。この結果、試料高さ調整台12
の下面15は高さ合わせ用台11の上面9に接合させら
れるため、その両面9,15は一致する。また、このと
き、予め、試料台6は試料高さ調整台12の下面15か
ら十分に離れる位置に退避させておく。
【0021】次に、このようにしてホルダー基台1に試
料高さ調整台12を組み付けた状態で図7に示すよう
に、ホルダー全体を天地反転し、図示しない作業台に載
置する。
【0022】この状態で、半導体ウェーハから一部を切
り出した試料20を、試料パターンの向きを確認後、検
査測定面を下向きにして試料高さ調整台12の下面15
(現在は上向き状態)においての試料台6の下方に対応
位置する領域に直接載せる。これにより、試料20の測
定検査面の位置決めと共に試料20の向きが定まる。
【0023】尚、試料高さ調整台12上に試料20を載
せる際、薬包紙を敷いて試料20の測定面が試料高さ調
整台12の表面に直接触れないようにしても良い。ま
た、試料20を載置する領域を見極め易くするため、そ
の載置すべき領域に目印を付しておいても良い。
【0024】試料高さ調整台12の下面15の上に試料
20を載置した後、図7に示すように、その試料20の
上面(試料の検査表面ではなく試料の裏面)に銀ペース
ト等を塗布する。そして、ホルダー基台1の裏側からね
じ孔2に調整用工具を差し込み、試料台6の雄ねじ部7
の溝8に調整用工具を係止させて雄ねじ部7を回転操作
し、試料台6をゆっくりと下げ、試料20の銀ペースト
等の塗布部分に軽く当てる。このとき、試料台6を銀ペ
ースト等の部分に軽く当る程度で十分なので、試料20
が強く押されることがない。試料20は試料台6に接着
する。この接着手段としてはカーボンテープ等を用いて
も良い。
【0025】これにより試料20の検査表面の高さが試
料高さ調整台12の仮面15によって揃えられ、かつ、
試料の高さの基準面となっている、高さ合わせ用台11
の上面9に各試料20の検査表面の高さが一致する。ま
た、試料高さ調整台12の下面15に試料20が揃えら
れるので、試料20の検査表面に傾きが生じない。
【0026】試料台6に試料20を保持した後、図9に
示すように、ホルダー基台1から試料高さ調整台12を
取り外す。そして、試料20を保持した試料ホルダー全
体を検査装置内に導入し、イオンマイクロプローブ方式
により、試料20を分析する。
【0027】本実施形態の試料ホルダーによれば、試料
20の検査表面の高さが試料高さ基準面に揃えられ、か
つ、各試料20の相互の検査表面の高さも揃えられる。
【0028】また、試料高さ調整台12に試料20を設
置した後、試料台6の高さを調整しながらゆっくりと試
料台6を試料20に当てるようにするので、一旦設置し
た試料20の向きがずれることがなく、初めから試料2
0の最終的な向きを予め決めて最適な向きに試料20を
正確に保持することができる。
【0029】従って、例えば、半導体チップなどの試料
のように試料表面の中心の一点だけでなく、細長い狭い
特定の部分のみを検査したい場合において、特に利便性
が高まる。さらに、平面度の高い試料高さ調整台12の
表面によって試料20の検査表面を正確に位置決めで
き、また、試料20の検査表面の傾きをなくし、検査精
度を上げ、再現性の高いデータを取得できるようにな
る。
【0030】(第2の実施形態)図10は、本発明の第
2の実施形態に係る試料ホルダーを示す。本実施形態で
は、試料高さ調整台12をホルダー基台1に固定する手
段として固定ねじ13の代わりにクランプ30を利用す
るものである。クランプ30は一対の把持片31,32
を有しており、この一対の把持片31,32により、高
さ合わせ用台11の上面9に試料高さ調整台12を重ね
合わせ接合させた状態のホルダー基台1と試料高さ調整
台12を挟み込み、両者を保持する。このため、ホルダ
ー基台1に試料高さ調整台12を簡便に組み付けること
ができる。
【0031】(第3の実施形態)図11は本発明の第3
の実施形態に係る試料ホルダーを示す。本実施形態で
は、試料高さ調整台12をホルダー基台1に固定する手
段として固定ねじ13やクランプ30の代わりにマグネ
ット吸着手段を利用するものである。すなわち、試料高
さ調整台12の少なくとも中央部を磁化し、ホルダー基
台1の高さ合わせ用台11の上面9に接合させた状態で
試料高さ調整台12を吸着させて固定する。尚、検査分
析の種類によっては試料ホルダーが磁化されていてはい
けない場合がある。この場合には検査前に試料ホルダー
の消磁処理を行なう。
【0032】(他の変形例)試料高さ調整台12上に試
料20を載せる際、試料20を載置する領域の中央部分
に凹部を形成したり打ち抜き孔を形成したりして、試料
20の検査測定部分を試料高さ調整台12の表面等に触
れないようにする逃げ部を形成しても良い。この場合、
試料20の周辺部のみが試料高さ調整台12の表面に当
り位置決めされる。この逃げ部は試料20を載置すべき
領域の目印ともなる。
【0033】上記各実施形態のものではホルダー基台1
に試料台6をねじ込む形式であったが、ホルダー基台1
にスライド用孔を設け、このスライド用孔に試料台6の
軸部を差し込んでスライド自在なものとし、試料高さ調
整台12に載置した試料20の位置に試料台6を移動さ
せたところで、ホルダー基台1側に設けた締付けビスや
押さえカム等のロック機構により試料台6の軸部を固定
するようにしても良い。
【0034】また、試料高さ調整台12の下面15を同
一平面とし、その中央部分を高さ合わせ用台11の上面
9に接合させて、試料高さ調整台12の下面15の高さ
を決めたが、試料高さ調整台12の位置決め用下面15
と、高さ合わせ用台11の上面9に接合する面が同一平
面ではなく、例えば、両面9,15が段差をもって配置
されるようにしたものでも良い。
【0035】尚、本発明は前述した各実施形態に限定さ
れるものではなく、他の形態にも適用が可能である。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、試
料のセッテング及び測定時におけるアライメントの作業
の簡略化が図れ、また、試料の高さや向きを正確に定め
得ると共に、試料間のばらつきがなくなることによる測
定の高精度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る試料ホルダーの
ホルダー基台の平面図である。
【図2】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーのホルダー基台の正面図である。
【図3】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料高さ調整台の正面図である。
【図4】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料高さ調整台の一部切欠して示す正面図であ
る。
【図5】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料セッテング手順の一過程の説明図である。
【図6】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料セッテング手順の一過程の説明図である。
【図7】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料セッテング手順の一過程の説明図である。
【図8】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料セッテング手順の一過程の説明図である。
【図9】同じく本発明の第1の実施形態に係る試料ホル
ダーの試料セッテング手順の一過程の説明図である。
【図10】本発明の第2の実施形態に係る試料ホルダー
の正面図である。
【図11】本発明の第3の実施形態に係る試料ホルダー
の正面図である。
【図12】従来の試料ホルダーの説明図。
【符号の説明】
1…ホルダー基台 2…孔 3…平坦部 4…操作用穴 5…係止用穴 6…試料台 8…溝 9…上面 11…合わせ用台 12…調整台 14…孔 15…下面 16…凹部 17…孔 18…頭部 20…試料

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料を保持するための試料台を高さ調節
    自在に設けたホルダー基台と、 このホルダー基台に設けられ、上記試料台の突き出し側
    へ突き出した高さ合わせ用台と、 この高さ合わせ用台に位置決めして着脱自在に取り付け
    られ、上記試料台に向き合う試料高さ調整面を有する試
    料高さ調整台とを具備し、 上記試料高さ調整台の試料高さ調整面により、試料の測
    定検査面を予め位置決めし、この位置決めされた試料に
    向けて、上記試料台を進め、上記試料を位置決め状態の
    まま保持するようにしたことを特徴とする試料ホルダ
    ー。
  2. 【請求項2】 試料台は、ホルダー基台にねじ込まれ、
    それ自身を回転することにより突き出し方向の高さが調
    節されるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の
    試料ホルダー。
JP2001293541A 2001-09-26 2001-09-26 試料ホルダー Pending JP2003098131A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103293173A (zh) * 2013-06-03 2013-09-11 深圳大学 一种x射线衍射仪薄膜测试样品台

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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