JP3043998B2 - 蛍光ｘ線分析方法および装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析方法および装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平滑な表面を有す
る基板とその表面に付着した点状の被測定物とからなる
試料を、検出器に対し、短時間に最適の位置に設定して
分析を行う蛍光Ｘ線分析方法および装置に関するもので
ある。
る基板とその表面に付着した点状の被測定物とからなる
試料を、検出器に対し、短時間に最適の位置に設定して
分析を行う蛍光Ｘ線分析方法および装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】例えば、シリコンウエハの表面の汚染状
態を調べる場合に、表面の汚染物質をフッ化水素等の溶
液に溶解させ、その液を数十〜数百μｌ程度の微小量、
清浄なシリコンウエハの表面上に滴下し、乾燥させ、そ
の残分たる点滴痕についていわゆる全反射蛍光Ｘ線分析
を行う。ここで、点滴痕は直径１ｍｍ以下と微小であ
り、正確な分析を行うためには、点滴痕から発生する蛍
光Ｘ線が、より多く、強い強度で検出器に入射するこ
と、すなわち、点滴痕が、検出器の直下でその中心軸上
に位置することが望ましい。
態を調べる場合に、表面の汚染物質をフッ化水素等の溶
液に溶解させ、その液を数十〜数百μｌ程度の微小量、
清浄なシリコンウエハの表面上に滴下し、乾燥させ、そ
の残分たる点滴痕についていわゆる全反射蛍光Ｘ線分析
を行う。ここで、点滴痕は直径１ｍｍ以下と微小であ
り、正確な分析を行うためには、点滴痕から発生する蛍
光Ｘ線が、より多く、強い強度で検出器に入射するこ
と、すなわち、点滴痕が、検出器の直下でその中心軸上
に位置することが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、点滴痕は、
溶液を滴下した位置からずれているおそれがあり、しか
も目視できず、シリコウエハ表面上のどこに位置するの
かは不明である。かといって、シリコンウエハ表面につ
いて、点滴痕からの蛍光Ｘ線強度を測定してそれが最大
となる位置を捜索するには、多数の点について測定しな
ければならず、長時間を要する。
溶液を滴下した位置からずれているおそれがあり、しか
も目視できず、シリコウエハ表面上のどこに位置するの
かは不明である。かといって、シリコンウエハ表面につ
いて、点滴痕からの蛍光Ｘ線強度を測定してそれが最大
となる位置を捜索するには、多数の点について測定しな
ければならず、長時間を要する。
【０００４】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
もので、平滑な表面を有する基板とその表面に付着した
点状の被測定物とからなる試料を、検出器に対し、短時
間に最適の位置に設定して分析を行う蛍光Ｘ線分析方法
および装置を提供することを目的とする。
もので、平滑な表面を有する基板とその表面に付着した
点状の被測定物とからなる試料を、検出器に対し、短時
間に最適の位置に設定して分析を行う蛍光Ｘ線分析方法
および装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１の方法は、平滑な表面を有する基板と、そ
の表面に付着した点状の被測定物とからなる試料に、１
次Ｘ線を照射し、試料から発生した蛍光Ｘ線を、試料の
上方に位置する検出器で検出する蛍光Ｘ線分析方法であ
って、まず、検出器の中心軸上に基板表面の基準点が位
置する場合において、被測定物から発生し検出器に入射
する蛍光Ｘ線の強度を、基準点を基準とする基板表面上
の被測定物の位置の関数として、基板と検出器との位置
関係および検出器内部の機械的形状を考慮して計算によ
り求めた分布関数と、当該方法を適用する装置を用いて
実験により求めた分布関数とのいずれか一方で特徴づけ
る。次に、基板表面において、被測定物が位置すると推
測される推測点とその近傍の点とのうちの複数の測定点
について、各測定点を検出器の中心軸上に位置させ、１
次Ｘ線を照射し、被測定物に含まれた基準元素から発生
した蛍光Ｘ線の強度を検出器で測定する。
に、請求項１の方法は、平滑な表面を有する基板と、そ
の表面に付着した点状の被測定物とからなる試料に、１
次Ｘ線を照射し、試料から発生した蛍光Ｘ線を、試料の
上方に位置する検出器で検出する蛍光Ｘ線分析方法であ
って、まず、検出器の中心軸上に基板表面の基準点が位
置する場合において、被測定物から発生し検出器に入射
する蛍光Ｘ線の強度を、基準点を基準とする基板表面上
の被測定物の位置の関数として、基板と検出器との位置
関係および検出器内部の機械的形状を考慮して計算によ
り求めた分布関数と、当該方法を適用する装置を用いて
実験により求めた分布関数とのいずれか一方で特徴づけ
る。次に、基板表面において、被測定物が位置すると推
測される推測点とその近傍の点とのうちの複数の測定点
について、各測定点を検出器の中心軸上に位置させ、１
次Ｘ線を照射し、被測定物に含まれた基準元素から発生
した蛍光Ｘ線の強度を検出器で測定する。
【０００６】そして、基板表面において、前記測定点を
含む範囲で分布する多数の候補点それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点に前記被測定物が位置す
ると仮定した場合にその候補点を検出器の中心軸上に位
置させたときに測定されるべき強度を前記分布関数を用
いて推定した値の散布度を求め、その散布度が最小とな
る候補点を最適候補点とする。またさらに、その最適候
補点を設定点とし、最後に、その設定点を検出器の中心
軸上に位置させ、１次Ｘ線を照射し、試料から発生した
蛍光Ｘ線を、検出器で検出する。
含む範囲で分布する多数の候補点それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点に前記被測定物が位置す
ると仮定した場合にその候補点を検出器の中心軸上に位
置させたときに測定されるべき強度を前記分布関数を用
いて推定した値の散布度を求め、その散布度が最小とな
る候補点を最適候補点とする。またさらに、その最適候
補点を設定点とし、最後に、その設定点を検出器の中心
軸上に位置させ、１次Ｘ線を照射し、試料から発生した
蛍光Ｘ線を、検出器で検出する。
【０００７】請求項１の方法によれば、被測定物から発
生し検出器に入射する蛍光Ｘ線の強度が、基準点を基準
とする基板表面上の被測定物の位置の関数として、計算
または実験により求めた分布関数で特徴づけられること
に基づいて、複数、例えば５カ所の測定点のみについて
被測定物から発生する蛍光Ｘ線の強度を測定し、その測
定強度から、最適候補点を多数の候補点の中から計算に
より求め、その最適候補点を設定点として検出器の中心
軸上に位置させて分析を行うので、試料を検出器に対
し、短時間に最適の位置に設定して分析を行うことがで
きる。
生し検出器に入射する蛍光Ｘ線の強度が、基準点を基準
とする基板表面上の被測定物の位置の関数として、計算
または実験により求めた分布関数で特徴づけられること
に基づいて、複数、例えば５カ所の測定点のみについて
被測定物から発生する蛍光Ｘ線の強度を測定し、その測
定強度から、最適候補点を多数の候補点の中から計算に
より求め、その最適候補点を設定点として検出器の中心
軸上に位置させて分析を行うので、試料を検出器に対
し、短時間に最適の位置に設定して分析を行うことがで
きる。
【０００８】請求項２の方法では、請求項１の方法にお
いて、前記測定点が、基板表面において、前記推測点と
そこから所定の等距離にある複数の点とからなる。請求
項２の方法によっても、請求項１の方法と同様の作用効
果がある。
いて、前記測定点が、基板表面において、前記推測点と
そこから所定の等距離にある複数の点とからなる。請求
項２の方法によっても、請求項１の方法と同様の作用効
果がある。
【０００９】請求項３の方法では、請求項２の方法にお
いて、前記最適候補点と前記推測点との距離が、所定値
よりも小さい場合には、その最適候補点を設定点とす
る。一方、前記最適候補点と前記推測点との距離が、前
記所定値以上である場合には、その最適候補点を新たな
推測点として、求められた新たな最適候補点とその新た
な推測点との距離が、前記所定値よりも小さくなるま
で、所定回数内で、新たな最適候補点をさらに新たな推
測点とする以降の手順を繰り返す。
いて、前記最適候補点と前記推測点との距離が、所定値
よりも小さい場合には、その最適候補点を設定点とす
る。一方、前記最適候補点と前記推測点との距離が、前
記所定値以上である場合には、その最適候補点を新たな
推測点として、求められた新たな最適候補点とその新た
な推測点との距離が、前記所定値よりも小さくなるま
で、所定回数内で、新たな最適候補点をさらに新たな推
測点とする以降の手順を繰り返す。
【００１０】請求項３の方法によれば、最初の推測点
が、実際の被測定物の位置から大きくずれている場合を
考慮して、最適候補点と推測点との距離が、前記所定値
以上である場合には、最適候補点を新たな推測点とし
て、測定点についての測定（予備測定）や計算をやり直
して新たな最適候補点を求めるので、試料を検出器に対
し、いっそう正確に最適の位置に設定して分析を行うこ
とができる。
が、実際の被測定物の位置から大きくずれている場合を
考慮して、最適候補点と推測点との距離が、前記所定値
以上である場合には、最適候補点を新たな推測点とし
て、測定点についての測定（予備測定）や計算をやり直
して新たな最適候補点を求めるので、試料を検出器に対
し、いっそう正確に最適の位置に設定して分析を行うこ
とができる。
【００１１】請求項４の装置は、平滑な表面を有する基
板とその表面に付着した点状の被測定物とからなる試料
に、１次Ｘ線を照射するＸ線源と、試料の上方に位置
し、試料から発生した蛍光Ｘ線を検出する検出器と、基
板表面の任意の位置を検出器の中心軸上に位置させる移
動手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であって、まず、検
出器の中心軸上に基板表面の基準点が位置する場合にお
いて、被測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線の
強度を、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の位
置の関数として特徴づける、基板と検出器との位置関係
および検出器内部の機械的形状を考慮して計算により求
めた分布関数と、当該装置を用いて実験により求めた分
布関数とのいずれか一方を、記憶する記憶手段を備えて
いる。次に、基板表面において、被測定物が位置すると
推測される推測点とその近傍の点とのうちの複数の測定
点について、各測定点を移動手段により検出器の中心軸
上に位置させ、Ｘ線源から１次Ｘ線を照射させ、被測定
物に含まれた基準元素から発生した蛍光Ｘ線の強度を検
出器に測定させる予備測定手段を備えている。
板とその表面に付着した点状の被測定物とからなる試料
に、１次Ｘ線を照射するＸ線源と、試料の上方に位置
し、試料から発生した蛍光Ｘ線を検出する検出器と、基
板表面の任意の位置を検出器の中心軸上に位置させる移
動手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であって、まず、検
出器の中心軸上に基板表面の基準点が位置する場合にお
いて、被測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線の
強度を、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の位
置の関数として特徴づける、基板と検出器との位置関係
および検出器内部の機械的形状を考慮して計算により求
めた分布関数と、当該装置を用いて実験により求めた分
布関数とのいずれか一方を、記憶する記憶手段を備えて
いる。次に、基板表面において、被測定物が位置すると
推測される推測点とその近傍の点とのうちの複数の測定
点について、各測定点を移動手段により検出器の中心軸
上に位置させ、Ｘ線源から１次Ｘ線を照射させ、被測定
物に含まれた基準元素から発生した蛍光Ｘ線の強度を検
出器に測定させる予備測定手段を備えている。
【００１２】そして、基板表面において、前記測定点を
含む範囲で分布する多数の候補点それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点に前記被測定物が位置す
ると仮定した場合にその候補点を検出器の中心軸上に位
置させたときに測定されるべき強度を前記分布関数を用
いて推定した値の散布度を求め、その散布度が最小とな
る候補点を最適候補点とする演算手段を備えている。ま
たさらに、その最適候補点を設定点とする判定手段と、
その設定点を移動手段により検出器の中心軸上に位置さ
せる設定手段とを備えている。請求項４の装置によれ
ば、請求項１の方法と同様の作用効果がある。
含む範囲で分布する多数の候補点それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点に前記被測定物が位置す
ると仮定した場合にその候補点を検出器の中心軸上に位
置させたときに測定されるべき強度を前記分布関数を用
いて推定した値の散布度を求め、その散布度が最小とな
る候補点を最適候補点とする演算手段を備えている。ま
たさらに、その最適候補点を設定点とする判定手段と、
その設定点を移動手段により検出器の中心軸上に位置さ
せる設定手段とを備えている。請求項４の装置によれ
ば、請求項１の方法と同様の作用効果がある。
【００１３】請求項５の装置は、請求項４の装置におい
て、前記測定点が、基板表面において、前記推測点とそ
こから所定の等距離にある複数の点とからなる蛍光Ｘ線
分析装置である。請求項５の装置によっても、請求項１
の方法と同様の作用効果がある。
て、前記測定点が、基板表面において、前記推測点とそ
こから所定の等距離にある複数の点とからなる蛍光Ｘ線
分析装置である。請求項５の装置によっても、請求項１
の方法と同様の作用効果がある。
【００１４】請求項６の装置は、請求項５の装置におい
て、前記判定手段が、前記最適候補点と前記推測点との
距離が、所定値よりも小さい場合には、その最適候補点
を設定点とし、前記最適候補点と前記推測点との距離
が、前記所定値以上である場合には、その最適候補点を
新たな推測点とするものであり、その新たな推測点から
求められた新たな最適候補点とその新たな推測点との距
離が、前記所定値よりも小さくなるまで、所定回数内
で、新たな最適候補点をさらに新たな推測点とする以降
の手順を繰り返すように前記予備測定手段、前記演算手
段、前記判定手段を制御する反復手段を備えている。請
求項６の装置によれば、請求項３の方法と同様の作用効
果がある。
て、前記判定手段が、前記最適候補点と前記推測点との
距離が、所定値よりも小さい場合には、その最適候補点
を設定点とし、前記最適候補点と前記推測点との距離
が、前記所定値以上である場合には、その最適候補点を
新たな推測点とするものであり、その新たな推測点から
求められた新たな最適候補点とその新たな推測点との距
離が、前記所定値よりも小さくなるまで、所定回数内
で、新たな最適候補点をさらに新たな推測点とする以降
の手順を繰り返すように前記予備測定手段、前記演算手
段、前記判定手段を制御する反復手段を備えている。請
求項６の装置によれば、請求項３の方法と同様の作用効
果がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態の方法
を、全反射蛍光Ｘ線分析である場合を例にとり、説明す
る。まず、この方法に用いる装置について説明する。図
１に示すように、この装置は、試料台８に固定された試
料４に、微小な入射角θでＸ線源１から１次Ｘ線５を照
射し、試料４から発生した蛍光Ｘ線７ａを、試料４の直
上に位置するＳＳＤ等の検出器６で検出するいわゆる全
反射蛍光Ｘ線分析装置であり、試料４は、平滑な表面を
有する基板２、例えばシリコンウエハと、その表面に付
着した点状の被測定物３、例えば点滴痕とからなる。ま
た、基板表面２ａの任意の位置を検出器６の中心軸Ｚ上
に位置させるＸＹテーブル等の移動手段９を備えてい
る。
を、全反射蛍光Ｘ線分析である場合を例にとり、説明す
る。まず、この方法に用いる装置について説明する。図
１に示すように、この装置は、試料台８に固定された試
料４に、微小な入射角θでＸ線源１から１次Ｘ線５を照
射し、試料４から発生した蛍光Ｘ線７ａを、試料４の直
上に位置するＳＳＤ等の検出器６で検出するいわゆる全
反射蛍光Ｘ線分析装置であり、試料４は、平滑な表面を
有する基板２、例えばシリコンウエハと、その表面に付
着した点状の被測定物３、例えば点滴痕とからなる。ま
た、基板表面２ａの任意の位置を検出器６の中心軸Ｚ上
に位置させるＸＹテーブル等の移動手段９を備えてい
る。
【００１６】この装置の制御手段１１は、以下の記憶手
段１２、予備測定手段１３、演算手段１４、判定手段１
５、反復手段１６、設定手段１７を備えている。記憶手
段１２は、図２に示すように、検出器６の中心軸Ｚ上に
基板表面２ａの基準点Ｏが位置する場合において、被測
定物Ｓから発生し検出器６に入射する蛍光Ｘ線１０ａの
強度を、基準点Ｏを基準とする基板表面２ａ上の被測定
物３の位置の関数（この場合は、基準点Ｏから被測定物
Ｓまでの距離ｒの関数）として特徴づける、基板２と検
出器６との位置関係および検出器６内部の機械的形状を
考慮して計算により求めた分布関数を、記憶する。前記
予備測定手段１３は、図３に示すように、基板表面２ａ
において、被測定物３が位置すると推測される推測点Ｐ
0 とそこから所定の等距離Ｋにある４点とからなる５点
の測定点Ｐ0 ，Ｐ1 ，…について、各測定点Ｐ0 ，…
を、図１に示すように、移動手段９により検出器６の中
心軸Ｚ上に位置させ、Ｘ線源１から１次Ｘ線５を照射さ
せ、被測定物３に含まれた基準元素から発生した蛍光Ｘ
線７ａの強度を検出器６に測定させる。
段１２、予備測定手段１３、演算手段１４、判定手段１
５、反復手段１６、設定手段１７を備えている。記憶手
段１２は、図２に示すように、検出器６の中心軸Ｚ上に
基板表面２ａの基準点Ｏが位置する場合において、被測
定物Ｓから発生し検出器６に入射する蛍光Ｘ線１０ａの
強度を、基準点Ｏを基準とする基板表面２ａ上の被測定
物３の位置の関数（この場合は、基準点Ｏから被測定物
Ｓまでの距離ｒの関数）として特徴づける、基板２と検
出器６との位置関係および検出器６内部の機械的形状を
考慮して計算により求めた分布関数を、記憶する。前記
予備測定手段１３は、図３に示すように、基板表面２ａ
において、被測定物３が位置すると推測される推測点Ｐ
0 とそこから所定の等距離Ｋにある４点とからなる５点
の測定点Ｐ0 ，Ｐ1 ，…について、各測定点Ｐ0 ，…
を、図１に示すように、移動手段９により検出器６の中
心軸Ｚ上に位置させ、Ｘ線源１から１次Ｘ線５を照射さ
せ、被測定物３に含まれた基準元素から発生した蛍光Ｘ
線７ａの強度を検出器６に測定させる。
【００１７】前記演算手段１４は、図３に示すように、
基板表面２ａにおいて、前記測定点Ｐ0 ，…を含む範囲
で分布する多数の候補点Ｃ1 ，…それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点Ｃi に前記被測定物３が
位置すると仮定した場合にその候補点Ｃi を検出器６の
中心軸Ｚ上に位置させたときに測定されるべき強度を前
記分布関数を用いて推定した値の散布度を求め、その散
布度が最小となる候補点を最適候補点として選択する。
基板表面２ａにおいて、前記測定点Ｐ0 ，…を含む範囲
で分布する多数の候補点Ｃ1 ，…それぞれについて、前
記各測定強度から、その候補点Ｃi に前記被測定物３が
位置すると仮定した場合にその候補点Ｃi を検出器６の
中心軸Ｚ上に位置させたときに測定されるべき強度を前
記分布関数を用いて推定した値の散布度を求め、その散
布度が最小となる候補点を最適候補点として選択する。
【００１８】またさらに、前記判定手段１５は、最適候
補点と推測点Ｐ0 との距離が、所定値（この場合はＫ）
よりも小さい場合には、その最適候補点を設定点とし、
最適候補点と推測点との距離が、前記所定値以上である
場合には、その最適候補点を新たな推測点Ｐ0 とする。
前記反復手段１６は、その新たな推測点Ｐ0 から求めら
れた新たな最適候補点とその新たな推測点Ｐ0 との距離
が、前記所定値よりも小さくなるまで、所定回数内で、
新たな最適候補点をさらに新たな推測点Ｐ0 とする以降
の手順を繰り返すように予備測定手段１３、演算手段１
４、判定手段１５を制御する。前記設定手段１７は、そ
の設定点を移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させる。
補点と推測点Ｐ0 との距離が、所定値（この場合はＫ）
よりも小さい場合には、その最適候補点を設定点とし、
最適候補点と推測点との距離が、前記所定値以上である
場合には、その最適候補点を新たな推測点Ｐ0 とする。
前記反復手段１６は、その新たな推測点Ｐ0 から求めら
れた新たな最適候補点とその新たな推測点Ｐ0 との距離
が、前記所定値よりも小さくなるまで、所定回数内で、
新たな最適候補点をさらに新たな推測点Ｐ0 とする以降
の手順を繰り返すように予備測定手段１３、演算手段１
４、判定手段１５を制御する。前記設定手段１７は、そ
の設定点を移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させる。
【００１９】この装置を用いて、本実施形態の方法で
は、以下のように試料４を位置設定して分析を行う。こ
こで、前提として、入射角θは、例えば０．１度程度と
きわめて微小であるので、１次Ｘ線５は、基板表面２ａ
上で、検出器６の中心軸Ｚ上の位置を中心として少なく
とも直径２０ｍｍ程度の範囲で均一に照射されていると
考えられる。また、入射角θは、試料台８を傾斜させる
ことにより調整されるが、きわめて微小な角度範囲内な
ので、検出器６の中心軸Ｚと基板表面２ａとは直交して
いるといえる。さらに、被測定物３の直径は、例えば１
ｍｍ以下であり、検出器６の開口部６ａ、いわゆる窓や
マスク孔の面積、基板表面２ａの面積等に比べてはるか
に小さく、点とみなせる。なお、試料４から発生した蛍
光Ｘ線７は、検出器６に入射するもの７ａとしないもの
７ｂとに分けられる。
は、以下のように試料４を位置設定して分析を行う。こ
こで、前提として、入射角θは、例えば０．１度程度と
きわめて微小であるので、１次Ｘ線５は、基板表面２ａ
上で、検出器６の中心軸Ｚ上の位置を中心として少なく
とも直径２０ｍｍ程度の範囲で均一に照射されていると
考えられる。また、入射角θは、試料台８を傾斜させる
ことにより調整されるが、きわめて微小な角度範囲内な
ので、検出器６の中心軸Ｚと基板表面２ａとは直交して
いるといえる。さらに、被測定物３の直径は、例えば１
ｍｍ以下であり、検出器６の開口部６ａ、いわゆる窓や
マスク孔の面積、基板表面２ａの面積等に比べてはるか
に小さく、点とみなせる。なお、試料４から発生した蛍
光Ｘ線７は、検出器６に入射するもの７ａとしないもの
７ｂとに分けられる。
【００２０】本実施形態の方法では、まず、図２に示す
ように、検出器６の中心軸Ｚ上に基板表面２ａの基準点
Ｏが位置し、基板表面２ａ上に点状の仮想Ｘ線源Ｓが位
置すると仮定し、基板２と検出器６との位置関係および
検出器６内部の機械的形状（検出器６の開口部６ａの形
状等を含む）に基づいて、仮想Ｘ線源Ｓから発生し検出
器６に入射するＸ線１０ａの強度を、基準点Ｏから仮想
Ｘ線源Ｓまでの距離ｒの分布関数ｆ（ｒ）として、シミ
ュレーション計算により求める。ここで、仮想Ｘ線源Ｓ
からは上方半球面内に等方的にＸ線１０が発生するもの
とし、検出器６に入射するもの１０ａとしないもの１０
ｂとに分けられる。また、基板２は円板状であり、その
表面２ａの中心を基準点Ｏとする。なお、仮想Ｘ線源Ｓ
が基準点Ｏに位置するときの検出器６に入射するＸ線１
０ａの強度を１とする、すなわち、ｆ（０）＝１とす
る。
ように、検出器６の中心軸Ｚ上に基板表面２ａの基準点
Ｏが位置し、基板表面２ａ上に点状の仮想Ｘ線源Ｓが位
置すると仮定し、基板２と検出器６との位置関係および
検出器６内部の機械的形状（検出器６の開口部６ａの形
状等を含む）に基づいて、仮想Ｘ線源Ｓから発生し検出
器６に入射するＸ線１０ａの強度を、基準点Ｏから仮想
Ｘ線源Ｓまでの距離ｒの分布関数ｆ（ｒ）として、シミ
ュレーション計算により求める。ここで、仮想Ｘ線源Ｓ
からは上方半球面内に等方的にＸ線１０が発生するもの
とし、検出器６に入射するもの１０ａとしないもの１０
ｂとに分けられる。また、基板２は円板状であり、その
表面２ａの中心を基準点Ｏとする。なお、仮想Ｘ線源Ｓ
が基準点Ｏに位置するときの検出器６に入射するＸ線１
０ａの強度を１とする、すなわち、ｆ（０）＝１とす
る。
【００２１】また、この分布関数ｆ（ｒ）は、本実施形
態の方法に用いる装置に変更がない限り、最初に１回求
めておけばよく、これを記憶手段１２に記憶しておく。
分布関数ｆ（ｒ）は、必ずしも連続的なものである必要
はなく、例えば、基板表面２ａにおいて、移動手段９に
より検出器６の中心軸Ｚ上に位置させて最終的な分析を
行うことが可能である離散的な点についてのみ求め、表
として記憶手段１２に記憶しておいてもよい。
態の方法に用いる装置に変更がない限り、最初に１回求
めておけばよく、これを記憶手段１２に記憶しておく。
分布関数ｆ（ｒ）は、必ずしも連続的なものである必要
はなく、例えば、基板表面２ａにおいて、移動手段９に
より検出器６の中心軸Ｚ上に位置させて最終的な分析を
行うことが可能である離散的な点についてのみ求め、表
として記憶手段１２に記憶しておいてもよい。
【００２２】次に、予備測定手段１３により、図３の平
面図に示すように、基板表面２ａにおいて、被測定物３
が位置すると推測される推測点Ｐ0 とそこから所定の等
距離Ｋにある４点とからなる測定点Ｐ0 ，Ｐ1 ，Ｐ2 ，
Ｐ3 ，Ｐ4 について、各測定点Ｐ0 ，…を、図１の正面
図に示すように、試料台８が固定された移動手段９によ
り、検出器６の中心軸Ｚ上に位置させ、１次Ｘ線５を照
射し、被測定物３に含まれた基準元素（被測定物３に含
まれることが既知である、または十分に予想される特定
の元素であって、基板２に含まれないもの）から発生し
た蛍光Ｘ線７ａの強度ａ0 ，ａ1 ，ａ2 ，ａ3 ，ａ4 を
検出器６で測定する。
面図に示すように、基板表面２ａにおいて、被測定物３
が位置すると推測される推測点Ｐ0 とそこから所定の等
距離Ｋにある４点とからなる測定点Ｐ0 ，Ｐ1 ，Ｐ2 ，
Ｐ3 ，Ｐ4 について、各測定点Ｐ0 ，…を、図１の正面
図に示すように、試料台８が固定された移動手段９によ
り、検出器６の中心軸Ｚ上に位置させ、１次Ｘ線５を照
射し、被測定物３に含まれた基準元素（被測定物３に含
まれることが既知である、または十分に予想される特定
の元素であって、基板２に含まれないもの）から発生し
た蛍光Ｘ線７ａの強度ａ0 ，ａ1 ，ａ2 ，ａ3 ，ａ4 を
検出器６で測定する。
【００２３】ここで、図３の平面図に示すように、基板
表面２ａにおいて、前記基準点Ｏを原点、１次Ｘ線５の
入射方向をＸ軸、シリコンウエハたる基板２に設けられ
たカット面、いわゆるオリフラ２ｂに直交する方向をＹ
軸とする平面座標を考え、ＸＹテーブル等である移動手
段９による移動の最小単位ｕを１ｍｍとすれば、推測点
Ｐ0 の座標は、（Ｍ0 ×ｕ，Ｎ0 ×ｕ）、すなわち、
（Ｍ0 ，Ｎ0 ）と表されるものとする。ただし、Ｍ0 ，
Ｎ0 は整数である。
表面２ａにおいて、前記基準点Ｏを原点、１次Ｘ線５の
入射方向をＸ軸、シリコンウエハたる基板２に設けられ
たカット面、いわゆるオリフラ２ｂに直交する方向をＹ
軸とする平面座標を考え、ＸＹテーブル等である移動手
段９による移動の最小単位ｕを１ｍｍとすれば、推測点
Ｐ0 の座標は、（Ｍ0 ×ｕ，Ｎ0 ×ｕ）、すなわち、
（Ｍ0 ，Ｎ0 ）と表されるものとする。ただし、Ｍ0 ，
Ｎ0 は整数である。
【００２４】また、他の測定点Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ，Ｐ4
は、推測点Ｐ0 から、それぞれ、Ｘ方向にＫ、Ｘ方向に
−Ｋ、Ｙ方向にＫ、Ｙ方向に−Ｋだけ移動した位置にあ
る（図３において、推測点Ｐ0 と、他の測定点Ｐ1 ，Ｐ
2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 とを一点鎖線で結ぶ）。この所定の等距
離Ｋも移動手段９による移動の最小単位ｕの整数倍であ
り、例えばＫ＝５ｕ、すなわちＫは５ｍｍとする。この
ように測定点Ｐ0 ，…を定めることにより、各測定点Ｐ
0 ，…を、移動手段９により、検出器６の中心軸Ｚ上に
位置させて測定を行うことが可能となる。なお、本発明
においては、測定点は５点に限らず、また、推測点以外
の測定点が推測点から等距離にある必要もなく、さら
に、推測点を測定点に含める必要もない。
は、推測点Ｐ0 から、それぞれ、Ｘ方向にＫ、Ｘ方向に
−Ｋ、Ｙ方向にＫ、Ｙ方向に−Ｋだけ移動した位置にあ
る（図３において、推測点Ｐ0 と、他の測定点Ｐ1 ，Ｐ
2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 とを一点鎖線で結ぶ）。この所定の等距
離Ｋも移動手段９による移動の最小単位ｕの整数倍であ
り、例えばＫ＝５ｕ、すなわちＫは５ｍｍとする。この
ように測定点Ｐ0 ，…を定めることにより、各測定点Ｐ
0 ，…を、移動手段９により、検出器６の中心軸Ｚ上に
位置させて測定を行うことが可能となる。なお、本発明
においては、測定点は５点に限らず、また、推測点以外
の測定点が推測点から等距離にある必要もなく、さら
に、推測点を測定点に含める必要もない。
【００２５】さて、前記計算により求めた分布関数ｆ
（ｒ）は、仮想Ｘ線源Ｓを被測定物３とし、基準点Ｏを
測定点とした場合に、実際に検出器６で測定される被測
定物３からの蛍光Ｘ線７ａの強度と、よく合致すること
を、発明者は実験により確認している。とすると、仮
に、被測定物３が位置すると推測した前記推測点Ｐ0
に、実際に被測定物３が位置するものとすると、前記測
定点Ｐ0 ，…における測定強度ａ0 ，…は、測定点Ｐ0
（推測点でもある）についてはＡｆ（０）、他の測定点
Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 についてはいずれもＡｆ（Ｋ）
で表されるはずである。ただし、Ａは、シミュレーショ
ン計算と、実際の測定とにおける、Ｘ線の絶対強度の相
違を調整する係数であり、ｆ（０）＝１と定義したか
ら、被測定物３を検出器６の中心軸Ｚ上に位置させたと
きに測定される強度ともいえる。
（ｒ）は、仮想Ｘ線源Ｓを被測定物３とし、基準点Ｏを
測定点とした場合に、実際に検出器６で測定される被測
定物３からの蛍光Ｘ線７ａの強度と、よく合致すること
を、発明者は実験により確認している。とすると、仮
に、被測定物３が位置すると推測した前記推測点Ｐ0
に、実際に被測定物３が位置するものとすると、前記測
定点Ｐ0 ，…における測定強度ａ0 ，…は、測定点Ｐ0
（推測点でもある）についてはＡｆ（０）、他の測定点
Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 についてはいずれもＡｆ（Ｋ）
で表されるはずである。ただし、Ａは、シミュレーショ
ン計算と、実際の測定とにおける、Ｘ線の絶対強度の相
違を調整する係数であり、ｆ（０）＝１と定義したか
ら、被測定物３を検出器６の中心軸Ｚ上に位置させたと
きに測定される強度ともいえる。
【００２６】逆にいうと、実際の被測定物３の位置が、
推測点Ｐ0 から遠のいているほど、測定点Ｐ0 ，…で測
定された強度ａ0 ，…をＡｆ（ｒ0 ），…として表した
場合に、同一の値となるべきＡの値のばらつく程度が、
大きくなる。ここで、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 ，ｒ
4 は、各測定点Ｐ0 ，…と実際の被測定物３の位置との
距離である。この考えに基づき、本実施形態の方法で
は、以下のようにして、分析に最適な設定点Ｔを求め
る。
推測点Ｐ0 から遠のいているほど、測定点Ｐ0 ，…で測
定された強度ａ0 ，…をＡｆ（ｒ0 ），…として表した
場合に、同一の値となるべきＡの値のばらつく程度が、
大きくなる。ここで、ｒ0 ，ｒ1 ，ｒ2 ，ｒ3 ，ｒ
4 は、各測定点Ｐ0 ，…と実際の被測定物３の位置との
距離である。この考えに基づき、本実施形態の方法で
は、以下のようにして、分析に最適な設定点Ｔを求め
る。
【００２７】まず、演算手段１４により、基板表面２ａ
において、移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させて最終的な分析を行うことが可能であり、かつ、
前記測定点Ｐ0 ，…を含む範囲で分布する多数の候補点
Ｃ1 ，…を想定する。例えば、図３に示すように、推測
点Ｐ0 を中心に、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ±２Ｋすな
わち±１０ｍｍの範囲（図３において、２点鎖線で示
す）内で、整数の座標値をもつすべての点を候補点Ｃ1
，…とする。
において、移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させて最終的な分析を行うことが可能であり、かつ、
前記測定点Ｐ0 ，…を含む範囲で分布する多数の候補点
Ｃ1 ，…を想定する。例えば、図３に示すように、推測
点Ｐ0 を中心に、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ±２Ｋすな
わち±１０ｍｍの範囲（図３において、２点鎖線で示
す）内で、整数の座標値をもつすべての点を候補点Ｃ1
，…とする。
【００２８】次に、候補点Ｃ1 ，…それぞれについて、
前記各測定強度ａ0 ，…を、その候補点Ｃi を前記仮想
Ｘ線源Ｓとし各測定点Ｐ0 ，…を前記基準点Ｏとした場
合の前記分布関数の値ｆ（ｒ0i），…で除した値Ａ0i，
…の標準偏差σi を求める。式で表すと以下の式（１）
〜（３）のようになる。 Ａji＝ａj ／ｆ（ｒji）， ｊ＝０，１，２，３，４ …（１） Ａai＝ΣＡji／５， ｊ＝０，１，２，３，４ …（２） σi ＝｛Σ（Ａji−Ａai）2 ／５｝1/2 ，ｊ＝０，１，２，３，４ …（３） ここで、ｒjiは、各測定点Ｐ0 ，…と候補点Ｃi との距
離であり、Ａaiは、候補点Ｃi におけるＡ0i，…の平均
値である。また、前記値Ａ0i，…は、その候補点Ｃi に
前記被測定物３が位置すると仮定した場合にその候補点
Ｃi を検出器６の中心軸Ｚ上に位置させたときに測定さ
れるべき強度を前記分布関数ｆ（ｒ）を用いて推定した
値ともいえる。
前記各測定強度ａ0 ，…を、その候補点Ｃi を前記仮想
Ｘ線源Ｓとし各測定点Ｐ0 ，…を前記基準点Ｏとした場
合の前記分布関数の値ｆ（ｒ0i），…で除した値Ａ0i，
…の標準偏差σi を求める。式で表すと以下の式（１）
〜（３）のようになる。 Ａji＝ａj ／ｆ（ｒji）， ｊ＝０，１，２，３，４ …（１） Ａai＝ΣＡji／５， ｊ＝０，１，２，３，４ …（２） σi ＝｛Σ（Ａji−Ａai）2 ／５｝1/2 ，ｊ＝０，１，２，３，４ …（３） ここで、ｒjiは、各測定点Ｐ0 ，…と候補点Ｃi との距
離であり、Ａaiは、候補点Ｃi におけるＡ0i，…の平均
値である。また、前記値Ａ0i，…は、その候補点Ｃi に
前記被測定物３が位置すると仮定した場合にその候補点
Ｃi を検出器６の中心軸Ｚ上に位置させたときに測定さ
れるべき強度を前記分布関数ｆ（ｒ）を用いて推定した
値ともいえる。
【００２９】そして、この標準偏差σi が最小となる候
補点Ｃi を最適候補点Ｃb とする。なお、本実施形態の
方法では、変量たるＡの値における散らばりの度合いを
表すもの、すなわち散布度として、式（３）に表す標準
偏差σi を採用したが、相対的な大小比較を目的とし、
絶対値は重要でないので、本発明では、標準偏差以外
に、標準偏差の２乗である分散や、平均からの偏差の絶
対値の平均である平均偏差等を採用してもよい。本実施
形態の方法では、４４１点の候補点Ｃi について上述の
計算を行い、最適候補点Ｃb を求めるが、計算機によれ
ば、きわめて短時間のうちに求められる。この最適候補
点Ｃb は、移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させて最終的な分析を行うことが可能である点のう
ち、実際の被測定物３の位置に最も近い点のはずであ
る。
補点Ｃi を最適候補点Ｃb とする。なお、本実施形態の
方法では、変量たるＡの値における散らばりの度合いを
表すもの、すなわち散布度として、式（３）に表す標準
偏差σi を採用したが、相対的な大小比較を目的とし、
絶対値は重要でないので、本発明では、標準偏差以外
に、標準偏差の２乗である分散や、平均からの偏差の絶
対値の平均である平均偏差等を採用してもよい。本実施
形態の方法では、４４１点の候補点Ｃi について上述の
計算を行い、最適候補点Ｃb を求めるが、計算機によれ
ば、きわめて短時間のうちに求められる。この最適候補
点Ｃb は、移動手段９により検出器６の中心軸Ｚ上に位
置させて最終的な分析を行うことが可能である点のう
ち、実際の被測定物３の位置に最も近い点のはずであ
る。
【００３０】しかし、本実施形態の方法では、最初の推
測点Ｐ0 が、実際の被測定物３の位置から大きくずれて
いる場合を考慮して、さらに、判定手段１５により、以
下のような検討を行う。すなわち、前記最適候補点Ｃb
と前記推測点Ｐ0 との距離が、所定値、例えば、前記所
定の等距離Ｋ（＝５ｍｍ）よりも小さい場合には、その
最適候補点Ｃb を設定点Ｔとする。
測点Ｐ0 が、実際の被測定物３の位置から大きくずれて
いる場合を考慮して、さらに、判定手段１５により、以
下のような検討を行う。すなわち、前記最適候補点Ｃb
と前記推測点Ｐ0 との距離が、所定値、例えば、前記所
定の等距離Ｋ（＝５ｍｍ）よりも小さい場合には、その
最適候補点Ｃb を設定点Ｔとする。
【００３１】一方、前記最適候補点Ｃb と前記推測点Ｐ
0 との距離が、前記所定値Ｋ以上である場合には、その
最適候補点Ｃb を新たな推測点Ｐ0 とする。そして、反
復手段１６により、その新たな推測点Ｐ0 から求められ
た新たな最適候補点Ｃb とその新たな推測点Ｐ0 との距
離が、前記所定値Ｋよりも小さくなるまで、所定回数例
えば５回内で、新たな最適候補点Ｃb をさらに新たな推
測点Ｐ0 とする以降の手順、すなわち測定点Ｐ0 ，…を
定める手順から、求めた新たな最適候補点Ｃbと新たな
推測点Ｐ0 との距離が前記所定値Ｋ未満か否かを判断す
る手順までを繰り返す。５回までの繰り返しで、新たな
最適候補点Ｃb と新たな推測点Ｐ0 との距離が前記所定
値Ｋよりも小さくなれば、その新たな最適候補点Ｃb を
設定点Ｔとすればよいが、小さくならない場合は、別途
指定された処理に移行する、例えば、試料４そのもの
に、被測定物３が付着していない等の異常があるとし
て、分析を行わないこととする。
0 との距離が、前記所定値Ｋ以上である場合には、その
最適候補点Ｃb を新たな推測点Ｐ0 とする。そして、反
復手段１６により、その新たな推測点Ｐ0 から求められ
た新たな最適候補点Ｃb とその新たな推測点Ｐ0 との距
離が、前記所定値Ｋよりも小さくなるまで、所定回数例
えば５回内で、新たな最適候補点Ｃb をさらに新たな推
測点Ｐ0 とする以降の手順、すなわち測定点Ｐ0 ，…を
定める手順から、求めた新たな最適候補点Ｃbと新たな
推測点Ｐ0 との距離が前記所定値Ｋ未満か否かを判断す
る手順までを繰り返す。５回までの繰り返しで、新たな
最適候補点Ｃb と新たな推測点Ｐ0 との距離が前記所定
値Ｋよりも小さくなれば、その新たな最適候補点Ｃb を
設定点Ｔとすればよいが、小さくならない場合は、別途
指定された処理に移行する、例えば、試料４そのもの
に、被測定物３が付着していない等の異常があるとし
て、分析を行わないこととする。
【００３２】最後に、このようにして求められた設定点
Ｔを，設定手段１７により、移動手段９で検出器６の中
心軸Ｚ上に位置させ、１次Ｘ線５を照射し、試料４から
発生した蛍光Ｘ線７ａを、検出器６で検出する。
Ｔを，設定手段１７により、移動手段９で検出器６の中
心軸Ｚ上に位置させ、１次Ｘ線５を照射し、試料４から
発生した蛍光Ｘ線７ａを、検出器６で検出する。
【００３３】本実施形態の方法によれば、被測定物３か
ら発生して検出器６に入射する蛍光Ｘ線７ａの強度が、
基板表面２ａにおける検出器６の中心軸Ｚ上の位置から
被測定物３までの距離ｒの関数ｆ（ｒ）として表される
ことに基づき、その関数ｆ（ｒ）を計算により求め、複
数（５点）の測定点Ｐ0 ，…のみについて被測定物３か
ら発生する蛍光Ｘ線７ａの強度ａ0 ，…を測定し、その
測定強度ａ0 ，…から、最適候補点Ｃb を多数の候補点
Ｃ1 ，…の中から計算により求め、その最適候補点Ｃb
を設定点Ｔとして検出器６の中心軸Ｚ上に位置させて分
析を行うので、試料４を検出器６に対し、短時間に最適
の位置に設定して分析を行うことができる。また、最初
の推測点Ｐ0 が、実際の被測定物３の位置から大きくず
れている場合を考慮して、最適候補点Ｃb と推測点Ｐ0
との距離が、所定値の５ｍｍ以上である場合には、最適
候補点Ｃb を新たな推測点Ｐ0 として、測定点Ｐ0 ，…
についての予備測定や計算をやり直して新たな最適候補
点Ｃb を求めるので、試料４を検出器６に対し、いっそ
う正確に最適の位置に設定して分析を行うことができ
る。
ら発生して検出器６に入射する蛍光Ｘ線７ａの強度が、
基板表面２ａにおける検出器６の中心軸Ｚ上の位置から
被測定物３までの距離ｒの関数ｆ（ｒ）として表される
ことに基づき、その関数ｆ（ｒ）を計算により求め、複
数（５点）の測定点Ｐ0 ，…のみについて被測定物３か
ら発生する蛍光Ｘ線７ａの強度ａ0 ，…を測定し、その
測定強度ａ0 ，…から、最適候補点Ｃb を多数の候補点
Ｃ1 ，…の中から計算により求め、その最適候補点Ｃb
を設定点Ｔとして検出器６の中心軸Ｚ上に位置させて分
析を行うので、試料４を検出器６に対し、短時間に最適
の位置に設定して分析を行うことができる。また、最初
の推測点Ｐ0 が、実際の被測定物３の位置から大きくず
れている場合を考慮して、最適候補点Ｃb と推測点Ｐ0
との距離が、所定値の５ｍｍ以上である場合には、最適
候補点Ｃb を新たな推測点Ｐ0 として、測定点Ｐ0 ，…
についての予備測定や計算をやり直して新たな最適候補
点Ｃb を求めるので、試料４を検出器６に対し、いっそ
う正確に最適の位置に設定して分析を行うことができ
る。
【００３４】なお、本発明においては、分布関数は、基
板表面上の被測定物の位置の関数、例えば図３の座標に
従えば、ｇ（Ｘ，Ｙ）のような形で表されるものでもよ
く、またそれを表として表したものでもよい。このよう
にすれば、全反射蛍光Ｘ線分析以外の蛍光Ｘ線分析にも
本発明を適用できる。また、分布関数は、シミュレーシ
ョン計算に限らず、基板表面上の被測定物の位置が既知
である標準試料を用いて、標準試料を検出器に対して移
動させながら、１次Ｘ線を照射し、標準試料から発生し
た蛍光Ｘ線の強度を、検出器で実際に測定して求めても
よい。実際の測定によれば、シミュレーション計算より
も時間はかかるが、分布関数は、本発明の方法に用いる
装置に変更がない限り、最初に１回求めておけばよいか
ら、複数の試料について分析することを考えれば、試料
ごとに、被測定物からの蛍光Ｘ線強度を測定してそれが
最大となる位置を捜索するのに比較すれば、はるかに分
析時間は短縮される。
板表面上の被測定物の位置の関数、例えば図３の座標に
従えば、ｇ（Ｘ，Ｙ）のような形で表されるものでもよ
く、またそれを表として表したものでもよい。このよう
にすれば、全反射蛍光Ｘ線分析以外の蛍光Ｘ線分析にも
本発明を適用できる。また、分布関数は、シミュレーシ
ョン計算に限らず、基板表面上の被測定物の位置が既知
である標準試料を用いて、標準試料を検出器に対して移
動させながら、１次Ｘ線を照射し、標準試料から発生し
た蛍光Ｘ線の強度を、検出器で実際に測定して求めても
よい。実際の測定によれば、シミュレーション計算より
も時間はかかるが、分布関数は、本発明の方法に用いる
装置に変更がない限り、最初に１回求めておけばよいか
ら、複数の試料について分析することを考えれば、試料
ごとに、被測定物からの蛍光Ｘ線強度を測定してそれが
最大となる位置を捜索するのに比較すれば、はるかに分
析時間は短縮される。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、被測定物から発生して検出器に入射する蛍光Ｘ線の
強度が、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の位
置の関数として、計算または実験により求めた分布関数
で特徴づけられることに基づいて、複数の測定点のみに
ついて被測定物から発生する蛍光Ｘ線の強度を測定し、
その測定強度から、最適候補点を多数の候補点の中から
計算により求め、その最適候補点を設定点として検出器
の中心軸上に位置させて分析を行うので、試料を検出器
に対し、短時間に最適の位置に設定して分析を行うこと
ができる。したがって、点滴痕等の被測定物から発生す
る蛍光Ｘ線を、最大限の強度で検出器に入射させること
ができるので、より微量の被測定物の分析が可能とな
り、また位置再現性も向上するので、分析精度も向上す
る。
ば、被測定物から発生して検出器に入射する蛍光Ｘ線の
強度が、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の位
置の関数として、計算または実験により求めた分布関数
で特徴づけられることに基づいて、複数の測定点のみに
ついて被測定物から発生する蛍光Ｘ線の強度を測定し、
その測定強度から、最適候補点を多数の候補点の中から
計算により求め、その最適候補点を設定点として検出器
の中心軸上に位置させて分析を行うので、試料を検出器
に対し、短時間に最適の位置に設定して分析を行うこと
ができる。したがって、点滴痕等の被測定物から発生す
る蛍光Ｘ線を、最大限の強度で検出器に入射させること
ができるので、より微量の被測定物の分析が可能とな
り、また位置再現性も向上するので、分析精度も向上す
る。
【図１】本発明の一実施形態である蛍光Ｘ線分析方法に
用いる装置を示す正面部分断面図である。
用いる装置を示す正面部分断面図である。
【図２】同実施形態における、基板表面上の仮想Ｘ線源
と、検出器との位置関係を示す正面部分断面図である。
と、検出器との位置関係を示す正面部分断面図である。
【図３】同実施形態における、基板表面上の推測点、測
定点、候補点の位置関係を示す平面図である。
定点、候補点の位置関係を示す平面図である。
１…Ｘ線源、２…基板、２ａ…基板表面、３…被測定
物、４…試料、５…１次Ｘ線、６…検出器、６ａ…検出
器の開口部、７…試料から発生した蛍光Ｘ線、７ａ…被
測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線、９…移動
手段、１０ａ…仮想Ｘ線源から発生し検出器に入射する
Ｘ線、１２…記憶手段、１３…予備測定手段、１４…演
算手段、１５…判定手段、１６…反復手段、１７…設定
手段、Ｃ…候補点、Ｃb …最適候補点、Ｏ…基準点、Ｐ
…測定点、Ｐ0 …推測点、ｒ…基準点から仮想Ｘ線源ま
での距離、Ｓ…仮想Ｘ線源、Ｔ…設定点、Ｚ…検出器の
中心軸。
物、４…試料、５…１次Ｘ線、６…検出器、６ａ…検出
器の開口部、７…試料から発生した蛍光Ｘ線、７ａ…被
測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線、９…移動
手段、１０ａ…仮想Ｘ線源から発生し検出器に入射する
Ｘ線、１２…記憶手段、１３…予備測定手段、１４…演
算手段、１５…判定手段、１６…反復手段、１７…設定
手段、Ｃ…候補点、Ｃb …最適候補点、Ｏ…基準点、Ｐ
…測定点、Ｐ0 …推測点、ｒ…基準点から仮想Ｘ線源ま
での距離、Ｓ…仮想Ｘ線源、Ｔ…設定点、Ｚ…検出器の
中心軸。
１…Ｘ線源、２…基板、２ａ…基板表面、３…被測定
物、４…試料、５…１次Ｘ線、６…検出器、６ａ…検出
器の開口部、７…試料から発生した蛍光Ｘ線、７ａ…被
測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線、９…移動
手段、１０ａ…仮想Ｘ線源から発生し検出器に入射する
Ｘ線、１２…記憶手段、１３…予備測定手段、１４…演
算手段、１５…判定手段、１６…反復手段、１７…設定
手段、Ｃ…候補点、Ｃb …最適候補点、Ｏ…基準点、Ｐ
…測定点、Ｐ0 …推測点、ｒ…基準点から仮想Ｘ線源ま
での距離、Ｓ…仮想Ｘ線源、Ｔ…設定点、Ｚ…検出器の
中心軸。
物、４…試料、５…１次Ｘ線、６…検出器、６ａ…検出
器の開口部、７…試料から発生した蛍光Ｘ線、７ａ…被
測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線、９…移動
手段、１０ａ…仮想Ｘ線源から発生し検出器に入射する
Ｘ線、１２…記憶手段、１３…予備測定手段、１４…演
算手段、１５…判定手段、１６…反復手段、１７…設定
手段、Ｃ…候補点、Ｃb …最適候補点、Ｏ…基準点、Ｐ
…測定点、Ｐ0 …推測点、ｒ…基準点から仮想Ｘ線源ま
での距離、Ｓ…仮想Ｘ線源、Ｔ…設定点、Ｚ…検出器の
中心軸。
Claims (6)
- 【請求項１】 平滑な表面を有する基板と、その表面に
付着した点状の被測定物とからなる試料に、１次Ｘ線を
照射し、試料から発生した蛍光Ｘ線を、試料の上方に位
置する検出器で検出する蛍光Ｘ線分析方法であって、 検出器の中心軸上に基板表面の基準点が位置する場合に
おいて、被測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線
の強度を、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の
位置の関数として、基板と検出器との位置関係および検
出器内部の機械的形状を考慮して計算により求めた分布
関数と、当該方法を適用する装置を用いて実験により求
めた分布関数とのいずれか一方で特徴づけ、 基板表面において、被測定物が位置すると推測される推
測点とその近傍の点とのうちの複数の測定点について、
各測定点を検出器の中心軸上に位置させ、１次Ｘ線を照
射し、被測定物に含まれた基準元素から発生した蛍光Ｘ
線の強度を検出器で測定し、 基板表面において、前記測定点を含む範囲で分布する多
数の候補点それぞれについて、前記各測定強度から、そ
の候補点に前記被測定物が位置すると仮定した場合にそ
の候補点を検出器の中心軸上に位置させたときに測定さ
れるべき強度を前記分布関数を用いて推定した値の散布
度を求め、その散布度が最小となる候補点を最適候補点
とし、 その最適候補点を設定点とし、 その設定点を検出器の中心軸上に位置させ、１次Ｘ線を
照射し、試料から発生した蛍光Ｘ線を、検出器で検出す
る蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記測定点が、基板
表面において、前記推測点とそこから所定の等距離にあ
る複数の点とからなる蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項３】 請求項２において、前記最適候補点と前
記推測点との距離が、所定値よりも小さい場合には、そ
の最適候補点を設定点とし、 前記最適候補点と前記推測点との距離が、前記所定値以
上である場合には、その最適候補点を新たな推測点とし
て、求められた新たな最適候補点とその新たな推測点と
の距離が、前記所定値よりも小さくなるまで、所定回数
内で、新たな最適候補点をさらに新たな推測点とする以
降の手順を繰り返す蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項４】 平滑な表面を有する基板とその表面に付
着した点状の被測定物とからなる試料に、１次Ｘ線を照
射するＸ線源と、 試料の上方に位置し、試料から発生した蛍光Ｘ線を検出
する検出器と、 基板表面の任意の位置を検出器の中心軸上に位置させる
移動手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置であって、 検出器の中心軸上に基板表面の基準点が位置する場合に
おいて、被測定物から発生し検出器に入射する蛍光Ｘ線
の強度を、基準点を基準とする基板表面上の被測定物の
位置の関数として特徴づける、基板と検出器との位置関
係および検出器内部の機械的形状を考慮して計算により
求めた分布関数と、当該装置を用いて実験により求めた
分布関数とのいずれか一方を、記憶する記憶手段と、 基板表面において、被測定物が位置すると推測される推
測点とその近傍の点とのうちの複数の測定点について、
各測定点を移動手段により検出器の中心軸上に位置さ
せ、Ｘ線源から１次Ｘ線を照射させ、被測定物に含まれ
た基準元素から発生した蛍光Ｘ線の強度を検出器に測定
させる予備測定手段と、 基板表面において、前記測定点を含む範囲で分布する多
数の候補点それぞれについて、前記各測定強度から、そ
の候補点に前記被測定物が位置すると仮定した場合にそ
の候補点を検出器の中心軸上に位置させたときに測定さ
れるべき強度を前記分布関数を用いて推定した値の散布
度を求め、その散布度が最小となる候補点を最適候補点
とする演算手段と、 その最適候補点を設定点とする判定手段と、 その設定点を移動手段により検出器の中心軸上に位置さ
せる設定手段とを備えた蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項５】 請求項４において、前記測定点が、基板
表面において、前記推測点とそこから所定の等距離にあ
る複数の点とからなる蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項６】 請求項５において、 前記判定手段が、前記最適候補点と前記推測点との距離
が、所定値よりも小さい場合には、その最適候補点を設
定点とし、前記最適候補点と前記推測点との距離が、前
記所定値以上である場合には、その最適候補点を新たな
推測点とするものであり、 その新たな推測点から求められた新たな最適候補点とそ
の新たな推測点との距離が、前記所定値よりも小さくな
るまで、所定回数内で、新たな最適候補点をさらに新た
な推測点とする以降の手順を繰り返すように前記予備測
定手段、前記演算手段、前記判定手段を制御する反復手
段を備えた蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9017574A JP3043998B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9017574A JP3043998B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197458A JPH10197458A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3043998B2 true JP3043998B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=11947693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9017574A Expired - Fee Related JP3043998B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043998B2 (ja) |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP9017574A patent/JP3043998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10197458A (ja) | 1998-07-31 |
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