JPH04328843A - 突起電極の検査方法 - Google Patents
突起電極の検査方法Info
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- JPH04328843A JPH04328843A JP3098800A JP9880091A JPH04328843A JP H04328843 A JPH04328843 A JP H04328843A JP 3098800 A JP3098800 A JP 3098800A JP 9880091 A JP9880091 A JP 9880091A JP H04328843 A JPH04328843 A JP H04328843A
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- protruding electrode
- electrode
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等に用いるこ
とができる突起電極の検査方法のうち、特に突起電極の
高さを計測する方法に関するものである。
とができる突起電極の検査方法のうち、特に突起電極の
高さを計測する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、突起電極付きの半導体チップを実
装する工法の開発が活発になっているが、それにともな
い突起電極の高さ計測手段も開発されている。このよう
な突起電極の高さ計測方法としては焦点深度顕微鏡を利
用した装置が実用化されている。たとえば東レ株式会社
製バンプ検査装置ＭＶ−５５０Ａがある。
装する工法の開発が活発になっているが、それにともな
い突起電極の高さ計測手段も開発されている。このよう
な突起電極の高さ計測方法としては焦点深度顕微鏡を利
用した装置が実用化されている。たとえば東レ株式会社
製バンプ検査装置ＭＶ−５５０Ａがある。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の突起電極
の検査方法について説明する。図３は従来の突起電極の
検査方法の原理を示す側面図である。
の検査方法について説明する。図３は従来の突起電極の
検査方法の原理を示す側面図である。
【０００４】まず、図３ａ（ａ）に示すように、焦点深
度顕微鏡１で基準面２に焦点を合わせて、そのときの高
さを測定する。次に、図３（ｂ）に示すように、焦点深
度顕微鏡１を移動させ、突起電極３に焦点を合わせて、
その高さを測定し、突起電極３の測定値から基準面２の
測定値を引算して突起電極３の高さを求めていた。
度顕微鏡１で基準面２に焦点を合わせて、そのときの高
さを測定する。次に、図３（ｂ）に示すように、焦点深
度顕微鏡１を移動させ、突起電極３に焦点を合わせて、
その高さを測定し、突起電極３の測定値から基準面２の
測定値を引算して突起電極３の高さを求めていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな検査方法においては、焦点深度顕微鏡１の焦点を各
測定面に合わせなければならないので、オートフォーカ
スにして自動測定を行おうとすると測定面積が最低でも
２０μｍ□必要となり、２０μｍ□以下の微小な突起電
極３の高さは測定困難であった。
うな検査方法においては、焦点深度顕微鏡１の焦点を各
測定面に合わせなければならないので、オートフォーカ
スにして自動測定を行おうとすると測定面積が最低でも
２０μｍ□必要となり、２０μｍ□以下の微小な突起電
極３の高さは測定困難であった。
【０００６】本発明は上記課題に鑑み、２０μｍ□以下
の微小な突起電極の高さを自動計測することを可能とす
る突起電極の検査方法を提供することを目的とするもの
である。
の微小な突起電極の高さを自動計測することを可能とす
る突起電極の検査方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の突起電極の検査方法は、突起電極の斜め上方
より平行光を照射し、できた前記突起電極の影の長さを
検査する手段よりなるものである。
に本発明の突起電極の検査方法は、突起電極の斜め上方
より平行光を照射し、できた前記突起電極の影の長さを
検査する手段よりなるものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した検査方法により、微小な突起
電極であっても平行光の照射角度を小さくすることによ
り、突起電極によりできる影の長さを長くすることがで
きるので、突起電極の面積にかかわらず、容易に微小な
突起電極の高さを自動測定することができる。
電極であっても平行光の照射角度を小さくすることによ
り、突起電極によりできる影の長さを長くすることがで
きるので、突起電極の面積にかかわらず、容易に微小な
突起電極の高さを自動測定することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】図１（ａ）は、本発明の第１の実施例にお
ける突起電極の検査方法の原理を示す側面図を、図１（
ｂ）は、本発明の第１の実施例における突起電極の検査
方法の原理を示す上面図を示すものである。図３に示す
従来の突起電極の検査方法と対応するところには同じ番
号が付けてある。
ける突起電極の検査方法の原理を示す側面図を、図１（
ｂ）は、本発明の第１の実施例における突起電極の検査
方法の原理を示す上面図を示すものである。図３に示す
従来の突起電極の検査方法と対応するところには同じ番
号が付けてある。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、平行光４
を突起電極３に照射する。次に図１（ｂ）に示すように
、できた影５の長さを自動測微計等により測定する。 例えば突起電極３の高さが１０μｍの場合、基準面２に
対して３０度の角度から平行光を入射したとき、突起電
極３によりできる影５の長さは１７．３μｍとなり、容
易に自動計測できる数値となる。本発明の測定方法では
平行光４の照射角度を小さくすればするほど、影５の長
さは長くなり、突起電極３の高さを精度よく測定するこ
とができる。
を突起電極３に照射する。次に図１（ｂ）に示すように
、できた影５の長さを自動測微計等により測定する。 例えば突起電極３の高さが１０μｍの場合、基準面２に
対して３０度の角度から平行光を入射したとき、突起電
極３によりできる影５の長さは１７．３μｍとなり、容
易に自動計測できる数値となる。本発明の測定方法では
平行光４の照射角度を小さくすればするほど、影５の長
さは長くなり、突起電極３の高さを精度よく測定するこ
とができる。
【００１２】また、平行光４としてレーザー等の単色光
を用いれば、突起電極３によりできる影５のエッジが鋭
くぼやけないため、さらに精度良く測定することができ
る。また、自動計測にも有利である。
を用いれば、突起電極３によりできる影５のエッジが鋭
くぼやけないため、さらに精度良く測定することができ
る。また、自動計測にも有利である。
【００１３】さらに、精度を向上させるには、照射角度
の異なる平行光４で測定を行い、測定値の補正を行えば
良い。本検査方法は例えばステージに対して基準面２が
傾いている場合などに有効である。
の異なる平行光４で測定を行い、測定値の補正を行えば
良い。本検査方法は例えばステージに対して基準面２が
傾いている場合などに有効である。
【００１４】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施
例に係る突起電極の検査方法の原理を示す側面図を示す
ものである。図１に示す本発明の突起電極の検査方法と
対応するところには同じ番号が付けてある。
を参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施
例に係る突起電極の検査方法の原理を示す側面図を示す
ものである。図１に示す本発明の突起電極の検査方法と
対応するところには同じ番号が付けてある。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すように、平行光４
を突起電極３に照射する。次に図２（ｂ）に示すように
、できた影５の先端位置を、あらかじめ基準面２上に設
けたマーク６ａ，６ｂと比較して突起電極３の高さを測
定する。本実施例では突起電極３によりできた影５をマ
ーク６ａ，６ｂと比較するという極めて簡単な方法で突
起電極３の高さが設定値内に入っているかどうかが判別
できるので、極めて速く正確に評価を行うことができる
。また、自動化にも適している。
を突起電極３に照射する。次に図２（ｂ）に示すように
、できた影５の先端位置を、あらかじめ基準面２上に設
けたマーク６ａ，６ｂと比較して突起電極３の高さを測
定する。本実施例では突起電極３によりできた影５をマ
ーク６ａ，６ｂと比較するという極めて簡単な方法で突
起電極３の高さが設定値内に入っているかどうかが判別
できるので、極めて速く正確に評価を行うことができる
。また、自動化にも適している。
【００１６】なお、本発明の突起電極３の検査方法は、
半導体チップ上に形成された突起電極に限らず基板上に
形成された突起電極でも同様に適用できる。
半導体チップ上に形成された突起電極に限らず基板上に
形成された突起電極でも同様に適用できる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の突起電極の検査方法は、突起電極の斜め上方より平行
光を照射する工程と、前記平行光によりできた前記突起
電極の影の長さを計測する工程よりなり、微小な突起電
極であっても平行光の照射角度を小さくすることにより
、突起電極によりできる影の長さを長くすることができ
るので、突起電極の面積にかかわらず、容易に微小な突
起電極の高さを精度良く自動測定することができるとい
う効果を得ることができる優れた突起電極の検査方法を
実現できるものである。
の突起電極の検査方法は、突起電極の斜め上方より平行
光を照射する工程と、前記平行光によりできた前記突起
電極の影の長さを計測する工程よりなり、微小な突起電
極であっても平行光の照射角度を小さくすることにより
、突起電極によりできる影の長さを長くすることができ
るので、突起電極の面積にかかわらず、容易に微小な突
起電極の高さを精度良く自動測定することができるとい
う効果を得ることができる優れた突起電極の検査方法を
実現できるものである。
【００１８】また、照射角度の異なる平行光で測定を行
い補正を行うことにより、ステージに対して基準面が傾
いていても精度良く突起電極の高さを測定することがで
きる。
い補正を行うことにより、ステージに対して基準面が傾
いていても精度良く突起電極の高さを測定することがで
きる。
【００１９】さらに、平行光によりできた突起電極の影
を計測するという工程の代わりに、突起電極と同一平面
上に所定の形状に形成されたマークと影とを比較すると
いう検査方法とすることにより、影の長さを計測するこ
となしに突起電極の高さが設定値内に入っているかどう
かを判別することができるので、より速く正確に突起電
極の高さを評価することができる。また、マークと比較
するという工程は自動化に適した工程であるため、従来
、手作業で行っていた突起電極の高さを評価する工程を
自動化し、極めて速く正確に行うことができる。
を計測するという工程の代わりに、突起電極と同一平面
上に所定の形状に形成されたマークと影とを比較すると
いう検査方法とすることにより、影の長さを計測するこ
となしに突起電極の高さが設定値内に入っているかどう
かを判別することができるので、より速く正確に突起電
極の高さを評価することができる。また、マークと比較
するという工程は自動化に適した工程であるため、従来
、手作業で行っていた突起電極の高さを評価する工程を
自動化し、極めて速く正確に行うことができる。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例における突起電極
の検査方法の原理を示す側面図 （ｂ）第１の実施例における突起電極の検査方法の原理
を示す上面図
の検査方法の原理を示す側面図 （ｂ）第１の実施例における突起電極の検査方法の原理
を示す上面図
【図２】（ａ）本発明の第２の実施例における突起電極
の検査方法の原理を示す側面図 （ｂ）同上面図
の検査方法の原理を示す側面図 （ｂ）同上面図
【図３】（ａ），（ｂ）従来の突起電極の検査方法の原
理を示す側面図
理を示す側面図
２ 基準面
３ 突起電極
４ 平行光
５ 突起電極の影
６ａ，６ｂ マーク
Claims (2)
- 【請求項１】突起電極の斜め上方より平行光を照射する
工程と、前記平行光によりできた前記突起電極の影の長
さを計測する工程とを含む突起電極の検査方法。 - 【請求項２】突起電極の斜め上方より平行光を照射する
工程と、前記平行光によりできた前記突起電極の影と、
前記突起電極と同一平面上に所定の形状に形成されたマ
ークとを比較する工程とを含む突起電極の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3098800A JPH04328843A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 突起電極の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3098800A JPH04328843A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 突起電極の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04328843A true JPH04328843A (ja) | 1992-11-17 |
Family
ID=14229426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3098800A Pending JPH04328843A (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 突起電極の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04328843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121062A (en) * | 1993-08-13 | 2000-09-19 | Fujitsu Limited | Process of fabricating semiconductor unit employing bumps to bond two components |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3098800A patent/JPH04328843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121062A (en) * | 1993-08-13 | 2000-09-19 | Fujitsu Limited | Process of fabricating semiconductor unit employing bumps to bond two components |
| EP0638926B1 (en) * | 1993-08-13 | 2004-04-21 | Fujitsu Limited | Process of fabricating semiconductor unit employing bumps to bond two components |
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