JPH01232736A - 寸法測定用モニタ - Google Patents
寸法測定用モニタInfo
- Publication number
- JPH01232736A JPH01232736A JP5986888A JP5986888A JPH01232736A JP H01232736 A JPH01232736 A JP H01232736A JP 5986888 A JP5986888 A JP 5986888A JP 5986888 A JP5986888 A JP 5986888A JP H01232736 A JPH01232736 A JP H01232736A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focussing
- region
- dimension
- pattern
- dimension measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において半導体に作
り込まれる機能部分が占めるパターンの寸法を測定する
ために作製される寸法測定用モニタに関する。
り込まれる機能部分が占めるパターンの寸法を測定する
ために作製される寸法測定用モニタに関する。
従来から半導体装置の製造工程におけるパターン寸法の
測定には自動線幅測定装置が多く使用されているが、そ
の中のレーザスポット光を使用してパターン寸法を測定
するといった類の装置では、対象とする半導体と同一の
層構成を有しその表面に寸法測定用パターンが形成され
た寸法測定用モニタの前記寸法測定用パターンで寸法測
定を行う前に、このパターンの周辺部で自動焦点を行い
、その後、レーザスポット光をパターン上でスキャンニ
ングさせパターン寸法を測定する。ところで、この自動
焦点を行うモニタ上の焦点面は、寸法測定パターンが凸
状に残る。いわゆる残しの場合にはこのパターンの形成
物質の底面、たとえばこのパターンを形成するレジスト
がコーティングされているＳｉ熱酸化膜表面であり、ま
たパターンが凹状に形成される抜きパターンの場合には
パターン形成物質表面にそれぞれ焦点が合うことになる
た゛め、焦点面を形成する物質の面状態によっては寸法
測定が不可能になり、あるいは誤った寸法測定結果に導
くなどの問題があった。
測定には自動線幅測定装置が多く使用されているが、そ
の中のレーザスポット光を使用してパターン寸法を測定
するといった類の装置では、対象とする半導体と同一の
層構成を有しその表面に寸法測定用パターンが形成され
た寸法測定用モニタの前記寸法測定用パターンで寸法測
定を行う前に、このパターンの周辺部で自動焦点を行い
、その後、レーザスポット光をパターン上でスキャンニ
ングさせパターン寸法を測定する。ところで、この自動
焦点を行うモニタ上の焦点面は、寸法測定パターンが凸
状に残る。いわゆる残しの場合にはこのパターンの形成
物質の底面、たとえばこのパターンを形成するレジスト
がコーティングされているＳｉ熱酸化膜表面であり、ま
たパターンが凹状に形成される抜きパターンの場合には
パターン形成物質表面にそれぞれ焦点が合うことになる
た゛め、焦点面を形成する物質の面状態によっては寸法
測定が不可能になり、あるいは誤った寸法測定結果に導
くなどの問題があった。
〔発明°が解決しようとする課題）
本発明は、前記従来の問題点が焦点面の面状態に起因し
て生じているごとから、面状態の影響を小さ（なしうる
寸法測定用モニタの形成をその解決すべき課題とする。
て生じているごとから、面状態の影響を小さ（なしうる
寸法測定用モニタの形成をその解決すべき課題とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、この発明によれば、半導体
基板上または該基板上に形成された薄膜上に寸法測定用
パターンが形成され該パターンの近傍にレーザスポット
光を利用する寸法測定装置の焦点面が形成される領域を
有する寸法測定モニタを、前記焦点面が形成される領域
が複数設定されるとともにそれぞれの領域の焦点面が前
記寸法測定用パターンの表面から異なる深さに形成され
たものとするものとする。
基板上または該基板上に形成された薄膜上に寸法測定用
パターンが形成され該パターンの近傍にレーザスポット
光を利用する寸法測定装置の焦点面が形成される領域を
有する寸法測定モニタを、前記焦点面が形成される領域
が複数設定されるとともにそれぞれの領域の焦点面が前
記寸法測定用パターンの表面から異なる深さに形成され
たものとするものとする。
〔作用］
寸法測定用モニタをこのように形成することにより、そ
れぞれの領域に形成された焦点面すなわち半導体を構成
する異なる層の表面、すなわち面状態の異なる焦点面を
用いた測定が可能となり、これらの焦点面によるそれぞ
れの測定結果を、別途に例えば走査型電子顕微鏡を用い
て測定した寸法測定用パターンの寸法と比較することに
より、より正確な安定した測定値を与える焦点面を容易
に選択することができ、以後、この選択された焦点面を
用いることにより、寸法測定用パターンの微細寸法を安
定して効率よく測定することができる。
れぞれの領域に形成された焦点面すなわち半導体を構成
する異なる層の表面、すなわち面状態の異なる焦点面を
用いた測定が可能となり、これらの焦点面によるそれぞ
れの測定結果を、別途に例えば走査型電子顕微鏡を用い
て測定した寸法測定用パターンの寸法と比較することに
より、より正確な安定した測定値を与える焦点面を容易
に選択することができ、以後、この選択された焦点面を
用いることにより、寸法測定用パターンの微細寸法を安
定して効率よく測定することができる。
第１図ないし第４図に本発明に基づいて形成された寸法
測定用モニタの一実施例を示す、ここで第１図はこのモ
ニタの平面図であり、第２図、第３図、第４図はそれぞ
れ第１図のＡＡ’ 、 ＢＢ’ 。
測定用モニタの一実施例を示す、ここで第１図はこのモ
ニタの平面図であり、第２図、第３図、第４図はそれぞ
れ第１図のＡＡ’ 、 ＢＢ’ 。
ＣＣｏ に沿った構造断面図である。
シリコン基板６の上にその熱酸化膜５を形成し、第１の
フォトリソグラフイエ程、エッチング工程により第１の
自動焦点用領域４の熱酸化膜を除去して基板６の表面に
焦点面を形成する０次に寸法測定用パターン２と自動焦
点用領域３になる部分のレジストを第２のフォトリソグ
ラフィ工程により除去して領域３の熱酸化膜表面に焦点
面を形成するとともに寸法測定用パターン２を形成する
。
フォトリソグラフイエ程、エッチング工程により第１の
自動焦点用領域４の熱酸化膜を除去して基板６の表面に
焦点面を形成する０次に寸法測定用パターン２と自動焦
点用領域３になる部分のレジストを第２のフォトリソグ
ラフィ工程により除去して領域３の熱酸化膜表面に焦点
面を形成するとともに寸法測定用パターン２を形成する
。
以上により、自動焦点時の焦点面として、領域４のシリ
コン基板表面、領域３の熱酸化物表面および一点鎖線内
のレジスト表面の３つの焦点面が得られる。従って、こ
れらの焦点面に焦点を合わせたパターン寸法の測定を自
動線幅測定装置で行い、その測定値を、別途に例えば走
査型電子顕微鏡による測定値と比較すれば、最も正確な
安定した測定値を与える焦点面を容易に選択することが
でき、従って、以後、この選択された焦点面を用いるこ
とにより、より正確なパターン寸法の測定を効率よく行
うことができる。
コン基板表面、領域３の熱酸化物表面および一点鎖線内
のレジスト表面の３つの焦点面が得られる。従って、こ
れらの焦点面に焦点を合わせたパターン寸法の測定を自
動線幅測定装置で行い、その測定値を、別途に例えば走
査型電子顕微鏡による測定値と比較すれば、最も正確な
安定した測定値を与える焦点面を容易に選択することが
でき、従って、以後、この選択された焦点面を用いるこ
とにより、より正確なパターン寸法の測定を効率よく行
うことができる。
以上に述べたように、本発明によれば、半導体基板上ま
たは該基板上に形成された薄膜上に寸法測定用パターン
が形成され該パターンの近傍にレーザスポット光を利用
する寸法測定装置の焦点面が形成される領域を有する寸
法測定モニタを、前記焦点面が形成される領域が複数設
定されるとともにそれぞれの領域の焦点面が前記寸法測
定用パターンの表面から異なる深さに形成されたものと
したので、これら異なる領域の焦点面を用いて測定した
結果を、例えば別途に走査型電子顕微鏡を用いて測定し
た結果と比較することにより、最も正確な安定した測定
値を与える焦点面すなわち層表面を容易に選択すること
ができ、従って以後のパターン寸法測定時にこの選択さ
れた層表面を焦点面として用いることにより、面状態が
不安定な層の表面に形成されたレジストなどの微細パタ
ーンの寸法を安定して精度よくかつ効率的に測定するこ
とができる。
たは該基板上に形成された薄膜上に寸法測定用パターン
が形成され該パターンの近傍にレーザスポット光を利用
する寸法測定装置の焦点面が形成される領域を有する寸
法測定モニタを、前記焦点面が形成される領域が複数設
定されるとともにそれぞれの領域の焦点面が前記寸法測
定用パターンの表面から異なる深さに形成されたものと
したので、これら異なる領域の焦点面を用いて測定した
結果を、例えば別途に走査型電子顕微鏡を用いて測定し
た結果と比較することにより、最も正確な安定した測定
値を与える焦点面すなわち層表面を容易に選択すること
ができ、従って以後のパターン寸法測定時にこの選択さ
れた層表面を焦点面として用いることにより、面状態が
不安定な層の表面に形成されたレジストなどの微細パタ
ーンの寸法を安定して精度よくかつ効率的に測定するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例による寸法測定モニタの平面
図、第２図、第３図および第４図はそれぞれ第１図のＡ
Ａ’ 、 ＢＢ’ 、 ＣＣ’ 位置におけるモニ
タの構造断面図である。
図、第２図、第３図および第４図はそれぞれ第１図のＡ
Ａ’ 、 ＢＢ’ 、 ＣＣ’ 位置におけるモニ
タの構造断面図である。
Claims (1)
- （１）半導体基板上または該基板上に形成された薄膜上
に寸法測定用パターンが形成され該パターンの近傍にレ
ーザスポット光を利用する寸法測定装置の焦点面が形成
される領域を有する寸法測定モニタにおいて、前記焦点
面が形成される領域が複数設定されるとともにそれぞれ
の領域の焦点面が前記寸法測定用パターンの表面から異
なる深さに形成されていることを特徴とする寸法測定用
モニタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5986888A JPH01232736A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 寸法測定用モニタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5986888A JPH01232736A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 寸法測定用モニタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232736A true JPH01232736A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13125578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5986888A Pending JPH01232736A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 寸法測定用モニタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01232736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142121A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5986888A patent/JPH01232736A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009142121A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009283759A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20110114951A1 (en) * | 2008-05-23 | 2011-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
| US8426857B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
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