JP2000146558A - 走査型電子顕微鏡での表面勾配の測定によるサンプル形状決定 - Google Patents
走査型電子顕微鏡での表面勾配の測定によるサンプル形状決定Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型電子顕微鏡でサンプル表面の勾配を正
確に測定する技術を提供する。 【解決手段】 勾配を測定するために表面からの電子放
出を使用することによって走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
でサンプルの形状を決定する。サンプルの表面を幾つか
の既知の角度に対しＳＥＭの電子ビーム内に配置させ、
且つ電子放出の夫々の測定値を得る。表面角度と電子放
出との間の関係が該測定値からそのサンプルに対して派
生される。次いで、電子ビームを該表面に沿って走査さ
せて電子放出を測定し、その派生された関係を使用して
各走査点においての勾配を決定する。
確に測定する技術を提供する。 【解決手段】 勾配を測定するために表面からの電子放
出を使用することによって走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
でサンプルの形状を決定する。サンプルの表面を幾つか
の既知の角度に対しＳＥＭの電子ビーム内に配置させ、
且つ電子放出の夫々の測定値を得る。表面角度と電子放
出との間の関係が該測定値からそのサンプルに対して派
生される。次いで、電子ビームを該表面に沿って走査さ
せて電子放出を測定し、その派生された関係を使用して
各走査点においての勾配を決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）でサンプル（試料）の形状を決定する技術に
関するものであって、更に詳細には、サンプルの勾配を
測定するためにサンプルの表面からの電子放出を利用す
る技術に関するものである。
（ＳＥＭ）でサンプル（試料）の形状を決定する技術に
関するものであって、更に詳細には、サンプルの勾配を
測定するためにサンプルの表面からの電子放出を利用す
る技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＥＭが表面に向かって電子ビームを放
出する場合に、このような入射ビームは後方散乱電子及
び二次電子を発生する。後方散乱された電子及び二次電
子の数はビームが入射される表面の傾斜角度即ち勾配と
共に変化する。入射ビームに対して直交する表面からよ
りも傾斜表面からより多くの二次電子が放出されるもの
と予測される。何故ならば、傾斜が増加すると、より大
きな割合のビームのサンプルとの相互作用が電子が放出
されるべき表面に対して充分に近くなるからである。
出する場合に、このような入射ビームは後方散乱電子及
び二次電子を発生する。後方散乱された電子及び二次電
子の数はビームが入射される表面の傾斜角度即ち勾配と
共に変化する。入射ビームに対して直交する表面からよ
りも傾斜表面からより多くの二次電子が放出されるもの
と予測される。何故ならば、傾斜が増加すると、より大
きな割合のビームのサンプルとの相互作用が電子が放出
されるべき表面に対して充分に近くなるからである。
【０００３】Ｊ． Ｇｏｌｄｓｔｅｉｎ ｅｔ ａｌ．
「走査型電子顕微鏡法及びＸ線微小解析（Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ Ｅｌｏｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ａｎ
ｄＸ−Ｒａｙ Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ）」、プレ
ナム出版１９９２の第四章においては、二次電子放出は
ほぼセカント関数として変化するものと言われている。
θが入射ビームとサンプル表面に直交する線との間の角
度である場合には、θは傾斜角度を定義し、且つｓｅｃ
θ＝１／ｃｏｓθであるので、この関係に従えば、二次
電子放出はｃｏｓθの逆数として変化する。
「走査型電子顕微鏡法及びＸ線微小解析（Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ Ｅｌｏｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ａｎ
ｄＸ−Ｒａｙ Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ）」、プレ
ナム出版１９９２の第四章においては、二次電子放出は
ほぼセカント関数として変化するものと言われている。
θが入射ビームとサンプル表面に直交する線との間の角
度である場合には、θは傾斜角度を定義し、且つｓｅｃ
θ＝１／ｃｏｓθであるので、この関係に従えば、二次
電子放出はｃｏｓθの逆数として変化する。
【０００４】サンプルの三次元形状を決定するためにＳ
ＥＭを使用することは有用なことである。然しながら、
そうするためには、サンプルの傾斜表面の傾斜角度をＳ
ＥＭが正確に測定することが必要である。上述した関係
に従って決定される二次電子放出から傾斜を測定する場
合には、それはθ＝９０°において無限大の放出を発生
させるという事実によって結果が影響される。勾配を決
定するためにこのような欠陥のある関係が使用される場
合には、不正確な傾斜角度が派生されることとなる。
ＥＭを使用することは有用なことである。然しながら、
そうするためには、サンプルの傾斜表面の傾斜角度をＳ
ＥＭが正確に測定することが必要である。上述した関係
に従って決定される二次電子放出から傾斜を測定する場
合には、それはθ＝９０°において無限大の放出を発生
させるという事実によって結果が影響される。勾配を決
定するためにこのような欠陥のある関係が使用される場
合には、不正確な傾斜角度が派生されることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、ＳＥＭで表面の勾配を正確に測定すること
が可能な装置及び方法を提供することを目的とする。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、ＳＥＭで表面の勾配を正確に測定すること
が可能な装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの側面によ
れば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）からの電子ビームで
表面の勾配を決定する。キャリブレイション（較正）手
順を実施するが、それは（ａ）電子ビームに対して夫々
基地の角度θにおいて位置されている表面の部分からの
電子放出ＳＥを測定することによって複数個のＳＥ測定
値を得ること、及び（ｂ）該複数個の測定値に基づいて
ＳＥとθとの間の関係を派生することを包含している。
次いで、電子ビームを測定したＳＥを発生するために表
面の点上に入射すべく指向させ、且つ該得られた関係及
び該測定したＳＥから角度θを派生することによりその
点における勾配を決定する。
れば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）からの電子ビームで
表面の勾配を決定する。キャリブレイション（較正）手
順を実施するが、それは（ａ）電子ビームに対して夫々
基地の角度θにおいて位置されている表面の部分からの
電子放出ＳＥを測定することによって複数個のＳＥ測定
値を得ること、及び（ｂ）該複数個の測定値に基づいて
ＳＥとθとの間の関係を派生することを包含している。
次いで、電子ビームを測定したＳＥを発生するために表
面の点上に入射すべく指向させ、且つ該得られた関係及
び該測定したＳＥから角度θを派生することによりその
点における勾配を決定する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は基板２の上に形成されてい
るサンプル１を示している。サンプル１の形状は平坦な
表面３と等しく且つ反対方向に傾斜した角度の傾斜壁５
及び７を有するものとして説明の便宜上任意的に選択し
たものである。入射電子ビーム９がＳＥＭ（不図示）に
よって射出され、且つＳＥＭ内の電子検出器に入射する
サンプル１によって射出された二次電子の数が以下に説
明するようにカウントされる。該検知器又は複数個の検
知器の位置決めは当業者に公知のファクタに依存して設
計者及び／又はＳＥＭの使用者による選択事項である。
るサンプル１を示している。サンプル１の形状は平坦な
表面３と等しく且つ反対方向に傾斜した角度の傾斜壁５
及び７を有するものとして説明の便宜上任意的に選択し
たものである。入射電子ビーム９がＳＥＭ（不図示）に
よって射出され、且つＳＥＭ内の電子検出器に入射する
サンプル１によって射出された二次電子の数が以下に説
明するようにカウントされる。該検知器又は複数個の検
知器の位置決めは当業者に公知のファクタに依存して設
計者及び／又はＳＥＭの使用者による選択事項である。
【０００８】図２は図１と整合されており、それはサン
プル１の表面に沿っての離隔された個別的な点において
入射するようにビーム９が走査された場合の二次電子放
出ＳＥの大きさを示している。勿論、実際のＳＥの値は
サンプル物質、ＳＥＭ構成及び動作、サンプル充電状態
及びサンプル幾何学的形状等のファクタに依存する。然
しながら、図２はビームに対して垂直な平坦な表面３及
び傾斜した壁５，７に対してＳＥにおいて発生する可能
性のある例示的な変化を示すことを意図している。従っ
て、傾斜壁５に対応する点Ｂ及びＣの間の二次電子放出
がθ＝０°にある平坦な表面３に対応する点Ｃ及びＤの
間のものよりも一層高いことが明らかである。然しなが
ら、壁５，７の傾斜角度を決定するためには、ＳＥがど
のようにして傾斜角度に関して変化するかを定量的に知
ることが必要である。
プル１の表面に沿っての離隔された個別的な点において
入射するようにビーム９が走査された場合の二次電子放
出ＳＥの大きさを示している。勿論、実際のＳＥの値は
サンプル物質、ＳＥＭ構成及び動作、サンプル充電状態
及びサンプル幾何学的形状等のファクタに依存する。然
しながら、図２はビームに対して垂直な平坦な表面３及
び傾斜した壁５，７に対してＳＥにおいて発生する可能
性のある例示的な変化を示すことを意図している。従っ
て、傾斜壁５に対応する点Ｂ及びＣの間の二次電子放出
がθ＝０°にある平坦な表面３に対応する点Ｃ及びＤの
間のものよりも一層高いことが明らかである。然しなが
ら、壁５，７の傾斜角度を決定するためには、ＳＥがど
のようにして傾斜角度に関して変化するかを定量的に知
ることが必要である。
【０００９】図４に示したように、ＳＥと傾斜角度との
間の定量的関係を決定するために、本発明は同一の形状
をしたサンプルのバッチの又はサンプルの三次元形状を
決定する目的のために予備テスト手順即ちキャリブレイ
ションを実施する。サンプルをＳＥＭ内に配置させ、ビ
ーム９をビームに対して既知の角度θにおいてその表面
の一部に照準し、且つＳＥ値を記録する。θ及びＳＥの
値は図４のグラフ上の１つのデータ点を構成する。サン
プルを既知の角度へ傾斜させ且つ各角度においてＳＥを
測定することによって複数個のこのようなデータ点が得
られ、次いでそれらのデータ点に対して公知の態様でベ
ストフィットカーブ即ち最適適合曲線技術を適用する。
図４に示してある曲線はこのようにして得られたもので
ある。
間の定量的関係を決定するために、本発明は同一の形状
をしたサンプルのバッチの又はサンプルの三次元形状を
決定する目的のために予備テスト手順即ちキャリブレイ
ションを実施する。サンプルをＳＥＭ内に配置させ、ビ
ーム９をビームに対して既知の角度θにおいてその表面
の一部に照準し、且つＳＥ値を記録する。θ及びＳＥの
値は図４のグラフ上の１つのデータ点を構成する。サン
プルを既知の角度へ傾斜させ且つ各角度においてＳＥを
測定することによって複数個のこのようなデータ点が得
られ、次いでそれらのデータ点に対して公知の態様でベ
ストフィットカーブ即ち最適適合曲線技術を適用する。
図４に示してある曲線はこのようにして得られたもので
ある。
【００１０】このキャリブレイション手順が完了した後
に、ビーム９をサンプルの表面内の興味のある部分に沿
って走査させる。ビームが表面に入射する各個別的な表
面位置に対して、図４に示した関係又はその数学的表現
を使用してＳＥ測定値を角度θへ変換する。勿論、この
ことは公知なものであるからこの点に関する詳細な説明
については割愛する。
に、ビーム９をサンプルの表面内の興味のある部分に沿
って走査させる。ビームが表面に入射する各個別的な表
面位置に対して、図４に示した関係又はその数学的表現
を使用してＳＥ測定値を角度θへ変換する。勿論、この
ことは公知なものであるからこの点に関する詳細な説明
については割愛する。
【００１１】測定した勾配はサンプルの三次元勾配を発
生することが可能である。何故ならば、それはビーム９
に対して垂直な方向において表面形状がどのように変化
するかを表わすものだからである。従って、走査した点
の各々において得られた勾配の値を積分することによっ
て、図１に示した形状を公知の態様で派生することが可
能である。
生することが可能である。何故ならば、それはビーム９
に対して垂直な方向において表面形状がどのように変化
するかを表わすものだからである。従って、走査した点
の各々において得られた勾配の値を積分することによっ
て、図１に示した形状を公知の態様で派生することが可
能である。
【００１２】本発明の好適実施例によれば、ＳＥと勾配
との間の以下の関係が決定される。
との間の以下の関係が決定される。
【数２】 尚、ＳＥ：サンプル１の表面上の選択した点に於いて測
定した二次電子放出、 ＳＥ0：θ＝０°における既知の二次電子放出、 ＳＥ90：θ＝９０°における既知の二次電子放出、 Ｇａｍｍａ：曲線当て嵌め項、 である。
定した二次電子放出、 ＳＥ0：θ＝０°における既知の二次電子放出、 ＳＥ90：θ＝９０°における既知の二次電子放出、 Ｇａｍｍａ：曲線当て嵌め項、 である。
【００１３】勾配を見つけ出すために、項を入れ替える
ことによって以下の関係が得られる。
ことによって以下の関係が得られる。
【００１４】
【数３】 本発明の好適実施例によれば、傾斜壁の角度を見つけ出
すためにＳＥ測定を行う前に、ＳＥ0及びＳＥ90の値が
決定され且つ図４における曲線を派生するためのデータ
点として使用される。これらの既知のデータ点に対する
ベストフィット即ち最適な当て嵌めを有する曲線ＳＥを
得るために式（１）においてｇａｍｍａの値が選択され
る。このような曲線の当て嵌め技術は公知である。
すためにＳＥ測定を行う前に、ＳＥ0及びＳＥ90の値が
決定され且つ図４における曲線を派生するためのデータ
点として使用される。これらの既知のデータ点に対する
ベストフィット即ち最適な当て嵌めを有する曲線ＳＥを
得るために式（１）においてｇａｍｍａの値が選択され
る。このような曲線の当て嵌め技術は公知である。
【００１５】好適実施例を使用することの１つの利点
は、それはキャリブレイションを簡単化すると共に満足
の行く結果を与えるということである。より詳細に説明
すると、２つのデータ点ＳＥ0及びＳＥ90以外に最小数
のデータ点を与えることが必要であるに過ぎず、そうで
ない場合には、曲線の当て嵌めのためにより多くの数の
データ点が必要とされる。然しながら、ｇａｍｍａが既
知である場合には、２つのデータ点が必要とされるに過
ぎない。同じＳＥＭを使用し且つ同じサンプル物質を使
用して集めた前のデータからｇａｍｍａを決定すること
が可能である。
は、それはキャリブレイションを簡単化すると共に満足
の行く結果を与えるということである。より詳細に説明
すると、２つのデータ点ＳＥ0及びＳＥ90以外に最小数
のデータ点を与えることが必要であるに過ぎず、そうで
ない場合には、曲線の当て嵌めのためにより多くの数の
データ点が必要とされる。然しながら、ｇａｍｍａが既
知である場合には、２つのデータ点が必要とされるに過
ぎない。同じＳＥＭを使用し且つ同じサンプル物質を使
用して集めた前のデータからｇａｍｍａを決定すること
が可能である。
【００１６】ＳＥ0，ＳＥ90，ｇａｍｍａが既知である
と、サンプルの表面へ入射させるためにビーム９を走査
させることによってＳＥの測定が行われる。このような
ビームの入射が、例えば、サンプルの傾斜した壁上の点
におけるものである場合には、測定されたＳＥが式
（２）内へ代入されてその点における勾配を決定する。
と、サンプルの表面へ入射させるためにビーム９を走査
させることによってＳＥの測定が行われる。このような
ビームの入射が、例えば、サンプルの傾斜した壁上の点
におけるものである場合には、測定されたＳＥが式
（２）内へ代入されてその点における勾配を決定する。
【００１７】本発明の好適実施例をより詳細に説明する
ために図３及び４を参照して説明すると、サンプル１を
ＳＥＭ内に配置させ且つビーム９をその平坦な表面３上
の点に照準させる。ステップ２０において、平坦な表面
３はθ＝０°におけるものである。ビーム９を活性化さ
せ且つＳＥの測定値を記録し、それはＳＥ0として使用
される。ステップ２２において、サンプル１を傾斜さ
せ、従って平坦な表面３はＳＥ90を派生するための０°
以外の既知の角度となる。
ために図３及び４を参照して説明すると、サンプル１を
ＳＥＭ内に配置させ且つビーム９をその平坦な表面３上
の点に照準させる。ステップ２０において、平坦な表面
３はθ＝０°におけるものである。ビーム９を活性化さ
せ且つＳＥの測定値を記録し、それはＳＥ0として使用
される。ステップ２２において、サンプル１を傾斜さ
せ、従って平坦な表面３はＳＥ90を派生するための０°
以外の既知の角度となる。
【００１８】傾斜角度を正確に９０°に設定することは
不可能である。何故ならば、ビームは表面に入射するこ
となくその端部に入射することとなるので、この角度に
おいての表面のＳＥを測定することが不可能だからであ
る。従って、９０°に非常に近い角度においてＳＥを測
定することが望ましい。典型的に、８５°と９０°との
間のθに対してＳＥが著しく変化することはなく、殆ど
の場合に、このような測定値は意味のある結果を与える
のに充分な精度を有するものである。従って、この測定
値をＳＥ90の実質的に等価なものとして使用することが
可能である。
不可能である。何故ならば、ビームは表面に入射するこ
となくその端部に入射することとなるので、この角度に
おいての表面のＳＥを測定することが不可能だからであ
る。従って、９０°に非常に近い角度においてＳＥを測
定することが望ましい。典型的に、８５°と９０°との
間のθに対してＳＥが著しく変化することはなく、殆ど
の場合に、このような測定値は意味のある結果を与える
のに充分な精度を有するものである。従って、この測定
値をＳＥ90の実質的に等価なものとして使用することが
可能である。
【００１９】一方、図４に示した曲線のような最適適合
曲線の当て嵌めを行うためにステップ２４において９０
°以外の角度におけるデータ点を使用することが可能で
ある。この曲線から、ＳＥ90に対する値を派生すること
が可能である。又、幾つかの更なる既知の傾斜角度にお
いて行われたＳＥの測定から付加的なデータ点が得られ
る場合には、より良い曲線の当て嵌めを行うことが可能
であり、その結果、ＳＥ0，ＳＥ90，ｇａｍｍａに対す
るより良い値が得られる。従って、式（１）に基づく好
適実施例の場合には、そうでない場合に必要とされるほ
ど多数のデータ点に対する測定を行うことが必要なもの
ではないが、２つだけではなくそれ以上のデータ点を有
することが有益的である。
曲線の当て嵌めを行うためにステップ２４において９０
°以外の角度におけるデータ点を使用することが可能で
ある。この曲線から、ＳＥ90に対する値を派生すること
が可能である。又、幾つかの更なる既知の傾斜角度にお
いて行われたＳＥの測定から付加的なデータ点が得られ
る場合には、より良い曲線の当て嵌めを行うことが可能
であり、その結果、ＳＥ0，ＳＥ90，ｇａｍｍａに対す
るより良い値が得られる。従って、式（１）に基づく好
適実施例の場合には、そうでない場合に必要とされるほ
ど多数のデータ点に対する測定を行うことが必要なもの
ではないが、２つだけではなくそれ以上のデータ点を有
することが有益的である。
【００２０】ＳＥ90がθ＝９０°に非常に近い角度にお
いて測定したＳＥから直接的に得られる場合には、ステ
ップ２２をステップ２４の前に実施する。そうでない場
合には、ステップ２２は、付加的なデータ点を派生する
ために既知の角度において１つ又はそれ以上のＳＥ測定
を行い、次いでステップ２４を実施し、それによってＳ
Ｅ90が派生される。
いて測定したＳＥから直接的に得られる場合には、ステ
ップ２２をステップ２４の前に実施する。そうでない場
合には、ステップ２２は、付加的なデータ点を派生する
ために既知の角度において１つ又はそれ以上のＳＥ測定
を行い、次いでステップ２４を実施し、それによってＳ
Ｅ90が派生される。
【００２１】ステップ２６において、複数個のサンプル
からなるバッチに対する傾斜角度の測定を開始する。従
って、ステップ２０，２２，２４はこのバッチから１個
又はそれ以上のサンプルを使用して実施されるキャリブ
レイションステップとして見なすことが可能である。そ
のフェーズが完了した後に、測定すべきサンプルをＳＥ
Ｍ内の位置内にマウントし、且つその表面をビーム９に
よって走査する。ビーム９が傾斜されている壁上の指定
された位置に到達すると、ＳＥ測定値が記録される。
からなるバッチに対する傾斜角度の測定を開始する。従
って、ステップ２０，２２，２４はこのバッチから１個
又はそれ以上のサンプルを使用して実施されるキャリブ
レイションステップとして見なすことが可能である。そ
のフェーズが完了した後に、測定すべきサンプルをＳＥ
Ｍ内の位置内にマウントし、且つその表面をビーム９に
よって走査する。ビーム９が傾斜されている壁上の指定
された位置に到達すると、ＳＥ測定値が記録される。
【００２２】ステップ２８において、ＳＥの測定値が式
（２）内へ入力され、従ってその傾斜角度が派生され
る。走査した点の各々において傾斜角度が既知であるの
で、サンプルの三次元形状を決定することが可能であ
る。
（２）内へ入力され、従ってその傾斜角度が派生され
る。走査した点の各々において傾斜角度が既知であるの
で、サンプルの三次元形状を決定することが可能であ
る。
【００２３】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。例えば、ＳＥの測定値は二次電子成分のみならず後
方散乱成分を包含することが可能である。又、ＳＥの測
定値は後方散乱成分のみとすることが可能である。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。例えば、ＳＥの測定値は二次電子成分のみならず後
方散乱成分を包含することが可能である。又、ＳＥの測
定値は後方散乱成分のみとすることが可能である。
【図１】 ＳＥＭからの電子ビームによって画像形成さ
れる傾斜壁を具備するサンプルを示した概略断面図。
れる傾斜壁を具備するサンプルを示した概略断面図。
【図２】 ビームがその表面に沿って移動する場合に異
なる点において図１のサンプルによって放出される二次
電子を示したグラフ図。
なる点において図１のサンプルによって放出される二次
電子を示したグラフ図。
【図３】 本発明に基づいて実施されるプロセスを示し
たフローチャート。
たフローチャート。
【図４】 傾斜角度の関数としての二次電子放出を示し
たグラフ図。
たグラフ図。
１ サンプル ２ 平坦な表面 ５，７ 傾斜壁 ９ 電子ビーム
Claims (10)
- 【請求項１】 走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）からの電子
ビームによって画像形成された表面の勾配を決定する方
法において、 電子ビームに対して夫々の既知の角度θに位置されてい
る表面の部分からの電子放射ＳＥを測定することによっ
て複数のＳＥ測定値を得ること、及び前記複数個の測定
値に基づいてＳＥとθとの間の関係を派生することを包
含するキャリブレイション手順を実施し、 測定したＳＥを発生させるために前記表面の点上に入射
させるために電子ビームを指向付けし、 前記得られた関係及び前記測定したＳＥから角度θを派
生することによって前記点における勾配を決定する、上
記各ステップを有することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１において、ＳＥを測定する場合
に、角度θでの電子ビームの経路内に表面を位置させ且
つ前記表面によって放射される二次電子の数を検知する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項１において、前記関係を得る場合
に、以下の式に従って前記複数個の測定値に対して最適
適合曲線を適用する、 【数１】 尚、ＳＥ：サンプル１の表面上の選択した点における測
定した二次電子放出、 ＳＥ0：θ＝０°における既知の二次電子放出、 ＳＥ90：θ＝９０°における既知の二次電子放出、 ｇａｍｍａ：曲線当て嵌め項、 ことを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項３において、更に、幾つかの既知
の角度θにおいて前記ビーム内にサンプル表面を配置さ
せ、前記幾つかの既知の角度に対して夫々ＳＥの幾つか
の測定値を得、前記幾つかの測定値に基づいてθとＳＥ
との間の関係を決定し、且つＳＥ90を派生するためにこ
のような関係を適用することによってＳＥ90を派生させ
るステップを有していることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項３において、更に、実質的に９０
°に近い角度θに対してＳＥを測定することによってＳ
Ｅ90を派生するステップを有していることを特徴とする
方法。 - 【請求項６】 走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）からの電子
ビームによって画像形成される表面の勾配を決定する装
置において、 電子ビームに対して夫々の既知の角度θに位置された表
面の部分からの電子放出ＳＥを測定することによって複
数個のＳＥ測定値を得るための測定手段と、前記複数個
の測定値に基づいてＳＥとθとの間の関係を得る手段と
を包含するキャリブレイション手順を実施する手段、 測定したＳＥを発生するために前記表面の点上に入射さ
せるために前記電子ビームを指向付けする手段、 前記得られた関係及び前記測定したＳＥから角度θを派
生することによって前記点における勾配を決定する手
段、を有していることを特徴とする装置。 - 【請求項７】 請求項６において、前記測定手段が、角
度θでビーム内に表面を位置させ且つＳＥ0を派生する
ために前記表面によって放出される二次電子の数を検知
することを特徴とする装置。 - 【請求項８】 請求項６において、前記関係を派生する
手段が、以下の式に従って前記複数個の測定値に対して
最適適合曲線を適用する、 【数１】 尚、ＳＥ：サンプル１の表面上の選択した点において測
定した二次電子放出、 ＳＥ0：θ＝０°における既知の二次電子放出、 ＳＥ90：θ＝９０°における既知の二次電子放出、 ｇａｍｍａ：曲線当て嵌め項、 ことを特徴とする方法。 - 【請求項９】 請求項８において、更に、幾つかの既知
の角度θにおいてビーム内にサンプル表面を位置させる
ことによってＳＥ90を派生させる手段と、前記幾つかの
既知の角度に対して夫々ＳＥの幾つかの測定値を得るた
めの手段と、前記幾つかの測定値に基づいてθとＳＥと
の間の関係を決定する手段と、ＳＥ90を派生するために
このような関係を適用する手段とを有していることを特
徴とする装置。 - 【請求項１０】 請求項８において、更に、実質的に９
０°近くの角度θに対してＳＥを測定することによって
ＳＥ90を派生する手段を有していることを特徴とする方
法。
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- 1999-11-04 FR FR9913787A patent/FR2785390B1/fr not_active Expired - Fee Related
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