JPH0749312A - 赤外吸収測定装置に於るウエーハの位置決め方法及びその装置 - Google Patents

赤外吸収測定装置に於るウエーハの位置決め方法及びその装置

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JPH0749312A
JPH0749312A JP9865791A JP9865791A JPH0749312A JP H0749312 A JPH0749312 A JP H0749312A JP 9865791 A JP9865791 A JP 9865791A JP 9865791 A JP9865791 A JP 9865791A JP H0749312 A JPH0749312 A JP H0749312A
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JP
Japan
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wafer
axis
holder
infrared absorption
stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP9865791A
Other languages
English (en)
Inventor
Mariko Takeshita
真理子 竹下
Sumio Miyazaki
澄夫 宮崎
Nobuyuki Kitagawa
信行 北川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KYUSHU ELECTRON METAL
KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd
Nippon Steel Corp
Original Assignee
KYUSHU ELECTRON METAL
KYUSHU ELECTRON METAL CO Ltd
Sumitomo Sitix Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 同一規格のウエーハを再度セットした際に、
ミクロンオーダーで同一位置に位置決めさせる。 【構成】 試料ウエーハを三点で固定するX軸用当接面
部と、Y軸用当接面部と、これら双方に向け押圧する押
圧手段とを備え、X軸とY軸に基づいて赤外吸収測定を
行うとともに、同一の試料ウエーハの再度セット後のX
軸とY軸を決定し、先のX軸とY軸に一致させる修正演
算を行ない、これに基づいて再度赤外吸収測定を行わし
める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外吸収測定する際に
ステージ上にセットされるウエーハの位置決め方法及び
その装置に関する。
【0002】
【従来の技術】赤外吸収測定装置は、シリコンウエーハ
上の異物の赤外吸収測定及びシリコン結晶中の不純物濃
度を測定するものであり、図6に示すように、FT−I
R本体1、赤外顕微鏡部2、検出器3を備え、試料たる
ウエーハは、ステージ4上に載置されて測定が行われ
る。
【0003】ステージ4は、通常は図7に示すように、
ウエーハ5を載置するリング状ホルダー6を備えてい
る。なお、8は透孔である。
【0004】そして、この種の赤外吸収測定装置に於て
は、ステージの移動は所謂マニュアル移動によりなさ
れ、測定始点までマニュアルにて行った後、一定範囲を
一定ピッチで自動移動するものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ウエーハ等の試料は、
熱処理等の処理前と処理後に赤外吸収測定が行われて、
これらの測定結果を比較評価したり、また、同一形状の
ウエーハを各別に濃度比較を行ったりするものである
が、従来の赤外吸収測定装置に於ては、ウエーハの大体
の位置決めを行うことができても、μオーダーでの同一
位置の測定は困難であった。
【0006】すなわち、従来は、目視でウエーハをマニ
ュアル移動しているため、測定始点を厳密且つ規則的に
定めることができず、いわんや目ではっきり確認できる
ものがウエーハ上に存しない場合は、マニュアル移動す
らも行い得ないものであった。
【0007】そこで、本発明は、ウエーハの測定に際
し、位置決めを確実に行うことができ、ひいては位置決
めの自動化に適用可能なウエーハの位置決め方法及びそ
の装置を提案するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ステージ上に試料ウエーハを載置し、当
該ウエーハのオリエンテーションフラットに沿った仮想
線と、この仮想線に直交し前記ウエーハの周面と接する
仮想線とをX、Y軸となし、このX、Y軸を読み取って
当該ウエーハ固有の第1の座標軸を決定し、この座標軸
に基づいて試料ウエーハの赤外吸収測定を行う赤外吸収
測定装置に於るウエーハの位置決め方法を第1の発明と
し、ステージ上に試料ウエーハを載置し、赤外顕微鏡部
により試料ウエーハの赤外吸収測定を行う赤外吸収測定
装置に於て、試料ウエーハのオリエンテーションフラッ
トが当接するY軸用の当接面部と、前記当接面部に対し
直角の位相をなしウエーハの周面部が当接するX軸用の
当接面部とを有するホルダーと、前記ホルダーを着脱可
能に固定し該ホルダーをX、Y軸方向に移動可能とした
ステージと、前記ホルダー又はステージに設けられ、ホ
ルダーの前記X、Y双方の当接面部に対しウエーハを押
圧付勢する押圧手段と、前記赤外顕微鏡部に設けられた
X、Y軸スケールと、前記X、Y軸スケールの位置を電
気的に読み取る位置読み取り装置と、を備えた赤外吸収
測定に於るウエーハの位置決め装置を第2の発明とする
ものである。
【0009】
【作用】ウエーハをセットするには、ステージ上に所定
の規格のホルダーをセットし、このホルダーにウエーハ
をセットする。ウエーハは、ホルダーのX軸側の当接面
部と、Y軸側の当接面部と、押圧手段とにより固定され
る。そして、ウエーハのオリエンテーションフラットに
沿った仮想線をY軸とし、このY軸に直交する仮想線を
X軸として、当該ウエーハ固有の座標軸が決定され、ウ
エーハの赤外吸収測定が行われる。従って、一度ウエー
ハを取り外しても、確実に再度、目的の座標点にて測定
でき、ミクロンオーダーの微小領域での再測定が可能と
なる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る試料ウエーハ
の位置決め装置を示すもので、ステージ4には、ホルダ
ー6と、このホルダー6の位置微調整をなす調整具7が
備えてある。
【0011】そして、本実施例の位置決め装置には、ホ
ルダー6にウエーハ5が載置されたとき、当該ウエーハ
5のオリエンテーションフラット5aが当接する当接面
部11と、この当接面部11に対し直角の位相を有しウ
エーハ5の周面部5bが当接する当接面部12を設けて
いる。これらの当接面部11、12は、この実施例では
矩形状の突出部10、10により構成されている。そし
て、当接面部11はY軸を、もう一方の当接面部12は
X軸を、それぞれ担うこととなる。
【0012】13は押圧具で、ステージ4上に設けられ
ている。押圧具13は、ばね材14の先端に押圧子15
を設けて構成され、この押圧子15によってウエーハ5
を当接面部11、12に対し押圧付勢している。また、
押圧具13は、一対の長溝16、16を具備しており、
この長溝16、16を、ステージ4上のピン4aとロー
レット付きつまみ4bに係合させ、つまみ4bをまわし
て固定することにより、押圧具13の固着がなされる。
また、ホルダー6には、ウエーハ5が透孔8より落下す
るのを阻止するための突片6aが複数箇所形成されてい
る。更に、上記位置決め装置には、ステージ4自体のX
軸およびY軸ををホルダー6のX軸およびY軸にそれぞ
れマニュアル操作により平行に調節する調節装置が設け
られている。
【0013】上記位置決め装置は、図2に示すように、
従来の赤外吸収測定装置に組込まれており、上記ステー
ジ4にはステージ4をX軸やY軸方向に自動的に移動さ
せるXYステージコントローラ10が連結されている。
このコントローラ10にはコンピュータ11が接続さ
れ、コンピュータ11にはCRT12およびプリンタ1
3が接続されている。
【0014】次に、このような位置決め装置により試料
ウエーハを位置決めし、赤外吸収測定する方法について
説明する。
【0015】まず、図5に於て、ステージ自体の座標系
X,Yを決定し、そのX,Y座標系の中に各ウエーハサ
イズの原点(e,f;4”Φウエーハの原点)、(c,
d;5”Φウエーハの原点)、(a,b;6”Φウエー
ハの原点)を決定することによって、それぞれの座標系
(x,y;4”Φウエーハの座標系)、(x’,y’;
5”Φウエーハの座標系)、(x”,y”;6”Φウエ
ーハの座標系)を決定することができる。すなわち、
X,Y座標系の内で、(e,f)、(c,d)、(a,
b)をそれぞれの原点としてやることによって、各々の
座標系を決定する。このとき、Xとx,x’,x”及び
Yとy,y’,y”はそれぞれ平行とする。この操作に
より、ウエーハの座標系をステージ座標上で設定するこ
とができる。
【0016】次に、簡単な測定方法を図3に示すフロー
チャートを参照して説明する。まず、ステップ1に於て
測定ウエーハインチサイズのホルダーをセットし、ステ
ップ2でウエーハをセットし、ステップ3に於て各イン
チサイズの座標系を選択する。その後、ステップ4に於
て、調整装置をマニュアル操作によりウエーハと座標系
を一致するように調整する。次に、各々の原点(e,
f)、(c,d)、(a,b)を基に、任意の位置A
(x,y)を指定してあげることにより測定したい任意
の位置への自動移動が可能となる。
【0017】従って、ウエーハを再度セットした場合で
も、目標の測定点を一致させることが可能となり、ミク
ロンオーダーの微粒子及び微小領域の赤外吸収分析をス
ムーズに行うことができる。
【0018】図4は、本発明の他の実施例に係るもの
で、この例の場合は、前例よりも小径のウエーハ5を載
置固定するためのホルダー6を示している。前例と同一
の構成要素には共通の符号を付している。なお、図1及
び図4において、ホルダー6をX及びY軸方向に移動可
能に設けておき、そのX、Y軸上の位置をエンコーダ等
の任意な計測具により測定可能に設けておけば、X、Y
軸上の位置を把握し、且つ分析目的位置に於る赤外吸収
の測定を定型的に行うことができる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
X軸用およびY軸用当接面部と押圧手段によりウエーハ
が固定されるので、確実に且つ着脱容易に固定できる。
また、ウエーハの周面の一部が当接するオリエンテーシ
ョンフラットに沿う仮想線X軸およびこれに直交する仮
想線Y軸に基づいて、ウエーハ上の測定点が決定され
る。従って、再度セットした場合でも同一測定点で測定
でき、ミクロンオーダーの微小領域の分析をスムースに
行える上、サイズの異なるウエーハをセットした場合で
も同様な修正により試料ホルダーのみを交換することで
対応することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る位置決め装置の平面図
である。
【図2】赤外吸収測定装置の概略縦断面図である。
【図3】測定フローチャートである。
【図4】本発明の他の実施例に係る平面図である。
【図5】本発明のその他の実施例に係り、異なる規格の
場合の修正処理の説明図である。
【図6】従来例に係り、赤外吸収測定装置の概略断面図
である。
【図7】位置決め装置の平面図である。
【符号の説明】
4 ステージ 5 ウエーハ 6 ホルダー 11、12 当接面部 13 押圧具 14 ばね材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北川 信行 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 九州電子金属株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ステージ上に試料ウエーハを載置し、当
    該ウエーハのオリエンテーションフラットに沿った仮想
    線と、この仮想線に直交し前記ウエーハの周面と接する
    仮想線とをX、Y軸となし、このX、Y軸を読み取って
    当該ウエーハ固有の第1の座標軸を決定し、この座標軸
    に基づいて試料ウエーハの赤外吸収測定を行うことを特
    徴とする赤外吸収測定装置に於るウエーハの位置決め方
    法。
  2. 【請求項2】 ステージ上に試料ウエーハを載置し、赤
    外顕微鏡部により試料ウエーハの赤外吸収測定を行う赤
    外吸収測定装置に於て、 試料ウエーハのオリエンテーションフラットが当接する
    Y軸用の当接面部と、前記当接面部に対し直角の位相を
    なしウエーハの周面部が当接するX軸用の当接面部とを
    有するホルダーと、 前記ホルダーを着脱可能に固定し該ホルダーをX、Y軸
    方向に移動可能としたステージと、 前記ホルダー又はステージに設けられ、ホルダーの前記
    X、Y双方の当接面部に対しウエーハを押圧付勢する押
    圧手段と、 前記赤外顕微鏡部に設けられたX、Y軸スケールと、 前記X、Y軸スケールの位置を電気的に読み取る位置読
    み取り装置と、を備えたことを特徴とする赤外吸収測定
    に於るウエーハの位置決め装置。
JP9865791A 1991-04-30 1991-04-30 赤外吸収測定装置に於るウエーハの位置決め方法及びその装置 Pending JPH0749312A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100403322B1 (ko) * 1996-06-24 2004-05-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법 및 그에 사용되는 노광장치
JP2006041436A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ

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