JPH02284040A - 半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法 - Google Patents
半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法Info
- Publication number
- JPH02284040A JPH02284040A JP10353689A JP10353689A JPH02284040A JP H02284040 A JPH02284040 A JP H02284040A JP 10353689 A JP10353689 A JP 10353689A JP 10353689 A JP10353689 A JP 10353689A JP H02284040 A JPH02284040 A JP H02284040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- jig
- sample
- center line
- mechanical strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 67
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 18
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、SL、GaAsを始めとする半導体ウェハー
における、機械的強度の測定装置および測定方法に関す
るものである。
における、機械的強度の測定装置および測定方法に関す
るものである。
[従来の技術ゴ
従来、Si等の半導体材料の機械的強度の評価には、曲
げ試験、硬さ試験など数種類の手段が用いられている。
げ試験、硬さ試験など数種類の手段が用いられている。
その中でも、曲げ試験により破壊強度、破壊靭性値など
の物性値を求める際、JISなどの規格に適したサイズ
の試験片を作成し、規格に従った方法で試験を行なって
いる。
の物性値を求める際、JISなどの規格に適したサイズ
の試験片を作成し、規格に従った方法で試験を行なって
いる。
しかしながら、従来の方法では半導体材料の本質的な機
械的強度はわかるものの、その値が円形等のウェハーと
いう状態で持っている強度を必ずしも表わしていないと
いう点において不十分であった。また、ウェハー自体を
試験評価するには、ウェハーの設置角度が重要になるた
め、適した試験治具がないという点でも不十分であった
。
械的強度はわかるものの、その値が円形等のウェハーと
いう状態で持っている強度を必ずしも表わしていないと
いう点において不十分であった。また、ウェハー自体を
試験評価するには、ウェハーの設置角度が重要になるた
め、適した試験治具がないという点でも不十分であった
。
[発明の解決しようとする課題]
従来の半導体材料の機械的強度の測定方法では、JIS
等の規格に適したサイズの試験片を作成し、予備クラッ
クの導入を行なうなど、定められた方法に従って試験を
行なうものが主流である。それは、対象とする半導体材
料の本質的な強度や物性値を知る上で有効であるものの
、ウェハー状態での強度は表わし得ないという問題点が
あった。又、ウェハー自体を試験評価する試みも希であ
り、その場合ウェハーの設置角度を正確に出せる様な試
験治具はなかった。
等の規格に適したサイズの試験片を作成し、予備クラッ
クの導入を行なうなど、定められた方法に従って試験を
行なうものが主流である。それは、対象とする半導体材
料の本質的な強度や物性値を知る上で有効であるものの
、ウェハー状態での強度は表わし得ないという問題点が
あった。又、ウェハー自体を試験評価する試みも希であ
り、その場合ウェハーの設置角度を正確に出せる様な試
験治具はなかった。
本発明は、従来なかった新規な半導体ウェハーの機械的
強度の測定袋!および測定方法を提供しようとするもの
である。
強度の測定袋!および測定方法を提供しようとするもの
である。
[課題を解決する為の手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべ(なされたものであ
り、半導体ウェハーの周辺部に少なくとも2点で当接し
、該半導体ウェハーの周方向および該半導体ウェハー面
で定められる平面上を平行移動する第1の治具と、該半
導体ウェハーの切欠き部に当接し、該半導体ウェハーの
周方向Sよび該半導体ウェハー面で定められる平面上を
平行移動する第2の治具と、該第1の治具と該第2の治
具によって位置調整された半導体ウェハーを載置固定す
る試料台と、該試料台に設けられ半導体ウェハーをその
中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部材と
、該試料台上に固定された半導体ウェハーをその中心線
において上面より押圧する押圧部材とからなる半導体ウ
ェハーの機械的強度の測定装置、および半導体ウェハー
を、その周辺部に少なくとも2点で当接する第1の治具
と、その切欠き部に当接する第2の治具により位置調整
し、その状態で試料台に設けられ該半導体ウェハーの中
心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部材に載
置固定し、該半導体ウェハーをその中心線において上面
より抑圧部材で押圧し3点曲げ強度を測定することを特
徴とする半導体ウェハーの機械的強度の測定方法、およ
び半導体ウェハーを、試料台に設けられ該半導体ウェハ
ーの中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部
材に載置し、該半導体ウェハーの周辺部に少な(とも2
点で当接する第1の治具と、該半導体ウェハーの切欠き
部に当接する第2の治具により位置調整し、その状態で
固定した半導体ウェハーをその中心線において上面より
押圧部材で押圧し3点曲げ強度を測定することを特徴と
する半導体ウェハーの機械的強度の測定方法を提供する
ものである。
り、半導体ウェハーの周辺部に少なくとも2点で当接し
、該半導体ウェハーの周方向および該半導体ウェハー面
で定められる平面上を平行移動する第1の治具と、該半
導体ウェハーの切欠き部に当接し、該半導体ウェハーの
周方向Sよび該半導体ウェハー面で定められる平面上を
平行移動する第2の治具と、該第1の治具と該第2の治
具によって位置調整された半導体ウェハーを載置固定す
る試料台と、該試料台に設けられ半導体ウェハーをその
中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部材と
、該試料台上に固定された半導体ウェハーをその中心線
において上面より押圧する押圧部材とからなる半導体ウ
ェハーの機械的強度の測定装置、および半導体ウェハー
を、その周辺部に少なくとも2点で当接する第1の治具
と、その切欠き部に当接する第2の治具により位置調整
し、その状態で試料台に設けられ該半導体ウェハーの中
心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部材に載
置固定し、該半導体ウェハーをその中心線において上面
より抑圧部材で押圧し3点曲げ強度を測定することを特
徴とする半導体ウェハーの機械的強度の測定方法、およ
び半導体ウェハーを、試料台に設けられ該半導体ウェハ
ーの中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部
材に載置し、該半導体ウェハーの周辺部に少な(とも2
点で当接する第1の治具と、該半導体ウェハーの切欠き
部に当接する第2の治具により位置調整し、その状態で
固定した半導体ウェハーをその中心線において上面より
押圧部材で押圧し3点曲げ強度を測定することを特徴と
する半導体ウェハーの機械的強度の測定方法を提供する
ものである。
本発明は、半導体ウェハーの機械的強度測定を直接性な
うというものであり、その測定方法に応じて、ウェハー
を角度的に精度よく設置することが可能な測定装置を用
いる。以下、本発明を3点曲げ法により実施した例に従
って説明する。
うというものであり、その測定方法に応じて、ウェハー
を角度的に精度よく設置することが可能な測定装置を用
いる。以下、本発明を3点曲げ法により実施した例に従
って説明する。
測定装置の一部には、一般に市販されている引張・圧縮
試験機を用いる。第1図、第2図は本発明の基本的構成
を示した図である。1は試験用のサンプル、即ち半導体
ウェハー、2は3点曲げ試験治具の試料台、3はサンプ
ル支持部材であるサポートエツジ、4はサンプルを押圧
し曲げるための押圧部材であるノーズエツジである。1
のサンプルは2〜4″φウエハーを対象にしており、ス
パン長はサンプルのサイズにより変化させる。2の試料
台に3のサポートエツジ設置用の溝を数カ所切っておく
ことにより、1つの試料台でもサンプルサイズ変化への
対応が可能である。1の試験用のサンプルウェハーに記
されている破線は、通常ウェハーに付けられているオリ
エンテーションフラットネス(以下、OFと略す)と呼
ばれる切欠き部であり、例えばGaAs (100)ウ
ェハーの場合、(0111面となっている。
試験機を用いる。第1図、第2図は本発明の基本的構成
を示した図である。1は試験用のサンプル、即ち半導体
ウェハー、2は3点曲げ試験治具の試料台、3はサンプ
ル支持部材であるサポートエツジ、4はサンプルを押圧
し曲げるための押圧部材であるノーズエツジである。1
のサンプルは2〜4″φウエハーを対象にしており、ス
パン長はサンプルのサイズにより変化させる。2の試料
台に3のサポートエツジ設置用の溝を数カ所切っておく
ことにより、1つの試料台でもサンプルサイズ変化への
対応が可能である。1の試験用のサンプルウェハーに記
されている破線は、通常ウェハーに付けられているオリ
エンテーションフラットネス(以下、OFと略す)と呼
ばれる切欠き部であり、例えばGaAs (100)ウ
ェハーの場合、(0111面となっている。
本発明の測定装置は、サポートエツジに対するOFの角
度をO°〜90°まで精度よく変化させることが可能な
設計になっている。その基本構成図を第3図に示す。■
は試験用のサンプル、5はOFR面イド用の第2の治具
、6はサンプルのセンタリング用の第1の治具である。
度をO°〜90°まで精度よく変化させることが可能な
設計になっている。その基本構成図を第3図に示す。■
は試験用のサンプル、5はOFR面イド用の第2の治具
、6はサンプルのセンタリング用の第1の治具である。
5のOF画面ガイド治具は、試料台にビンを抜き差しす
ることなどによる手段でスライド方式を取っており、特
定の角度θに対応付けられる。ここで、角度θはセンタ
リング用治具6の中心線と、円形のサンプル1の直径に
対応する1直線とを一致せしめることにより規定された
サンプル1の中心線の延長線と、02面の延長線とのな
す角である。これにウェハーの02面をあてがうことに
より、精度良い角度条件で試料サンプルが位置調整され
設置できる。このOF画面ガイド治具5は、試料台にあ
らかじめ溝等を形成しておき、該溝にはめこんで移動す
る等の手段で移動、固定、取り外しを行なうものでもか
まわない、センタリング用治具6もスライド方式を取っ
ているが、サンプルlの周辺のR面をこれに当てかうこ
とにより、ノーズエツジ4がサンプル1の中心線上にく
る仕組みになっている。サンプル1は、OF画面ガイド
治具5とセンタリング用治具6で位置調整してから試料
台2上に載置し固定しても、逆に試料台2土で位置調整
しても良いが、試料台上でサンプル1を動かし位置調整
すると傷等の欠点の発生する可能性があり、位置調整し
てから載置固定した方が好ましい、その場合、サンプル
lをまず回転テーブル等上で位置調整した後に、そのま
まの状態で試料台2上へ平行移動し載置固定することが
でき、適宜同様の手段を用いることができる。
ることなどによる手段でスライド方式を取っており、特
定の角度θに対応付けられる。ここで、角度θはセンタ
リング用治具6の中心線と、円形のサンプル1の直径に
対応する1直線とを一致せしめることにより規定された
サンプル1の中心線の延長線と、02面の延長線とのな
す角である。これにウェハーの02面をあてがうことに
より、精度良い角度条件で試料サンプルが位置調整され
設置できる。このOF画面ガイド治具5は、試料台にあ
らかじめ溝等を形成しておき、該溝にはめこんで移動す
る等の手段で移動、固定、取り外しを行なうものでもか
まわない、センタリング用治具6もスライド方式を取っ
ているが、サンプルlの周辺のR面をこれに当てかうこ
とにより、ノーズエツジ4がサンプル1の中心線上にく
る仕組みになっている。サンプル1は、OF画面ガイド
治具5とセンタリング用治具6で位置調整してから試料
台2上に載置し固定しても、逆に試料台2土で位置調整
しても良いが、試料台上でサンプル1を動かし位置調整
すると傷等の欠点の発生する可能性があり、位置調整し
てから載置固定した方が好ましい、その場合、サンプル
lをまず回転テーブル等上で位置調整した後に、そのま
まの状態で試料台2上へ平行移動し載置固定することが
でき、適宜同様の手段を用いることができる。
ここで、センタリング用治具6は円形のサンプルlの曲
率と同じ曲率の凹部な有し、該凹部をサンプル1の周辺
部の1部に当接するものであるが、サンプル1の周辺部
の少なくとも2点で当接するものであれば、矩形やおむ
すび形のウェハーにも適用でき、サンプル1の中心線も
規定できる。また、センタリング用治具6は、サンプル
lの周方向及びサンプルlの面で定められる平面上、特
に中心線上を平行移動するものであれば好ましい。
率と同じ曲率の凹部な有し、該凹部をサンプル1の周辺
部の1部に当接するものであるが、サンプル1の周辺部
の少なくとも2点で当接するものであれば、矩形やおむ
すび形のウェハーにも適用でき、サンプル1の中心線も
規定できる。また、センタリング用治具6は、サンプル
lの周方向及びサンプルlの面で定められる平面上、特
に中心線上を平行移動するものであれば好ましい。
OFガイド用治具5は、サンプル1の切欠き部の02面
とサンプル1の中心線のなす角θを規定するものである
が、サンプルlの周方向及びサンプル1の面で定められ
る平面上、特に02面と垂直な方向を平行移動するもの
であれば好ましい。半導体ウェハー材料としては、Ga
As。
とサンプル1の中心線のなす角θを規定するものである
が、サンプルlの周方向及びサンプル1の面で定められ
る平面上、特に02面と垂直な方向を平行移動するもの
であれば好ましい。半導体ウェハー材料としては、Ga
As。
InP等のIII −V族化合物の半導体、Zn5e等
のII−Vl族化合物半導体、Si、Ge等の半導体の
ものも適用できる。
のII−Vl族化合物半導体、Si、Ge等の半導体の
ものも適用できる。
サンプル1の中心線は、円形の場合はその直径により規
定されるが、矩形、おむすび形の場合はその対角線の交
点または重心等を通る直線によって規定される。
定されるが、矩形、おむすび形の場合はその対角線の交
点または重心等を通る直線によって規定される。
[実施例]
加工工程途中(例えば、スライス後、ラップ後、ポリッ
シュ後)の3種類のGaAsウェハーを、OF面がノー
ズエツジ4に対し、90° (θ=90°)になるよう
に設置し、3点曲げ試験を行なった。その結果、厚みな
ど同一サイズのウェハーでありながら、各工程間におい
て破壊強度(応力)が著しく異なるというデータを得た
。その結果について第1表に示す。
シュ後)の3種類のGaAsウェハーを、OF面がノー
ズエツジ4に対し、90° (θ=90°)になるよう
に設置し、3点曲げ試験を行なった。その結果、厚みな
ど同一サイズのウェハーでありながら、各工程間におい
て破壊強度(応力)が著しく異なるというデータを得た
。その結果について第1表に示す。
又、同一サイズ(2−φ)、同一条件(ポリッシュ後)
をもつ3つのGaAsウェハーを、OF面がノーズエツ
ジに対し、90@、45″、 01 となるように設置
し、3点曲げ試験を行なった。
をもつ3つのGaAsウェハーを、OF面がノーズエツ
ジに対し、90@、45″、 01 となるように設置
し、3点曲げ試験を行なった。
その場合、破壊応力はGaAsウェハー設置角度に大き
く依存するというデータを得た。その結果について、第
2表に示す。
く依存するというデータを得た。その結果について、第
2表に示す。
第1表
第2表
[発明の効果〕
本発明の測定装置および測定方法により、ある特定の状
態においての半導体ウェハーが有する機械的強度を知る
ことが可能となった。又、単結晶半導体特有の、機械的
強度の方位依存性をウェハーの状態で知ることも可能に
なった。
態においての半導体ウェハーが有する機械的強度を知る
ことが可能となった。又、単結晶半導体特有の、機械的
強度の方位依存性をウェハーの状態で知ることも可能に
なった。
第1図〜第3図は本発明の実施例を示し、第1図は試料
台上に半導体ウェハーのサンプルを載置し3点曲げ法に
よる測定を行なう場合の測定装置の模式的部分側面図、
第2図はその模式的部分平面図5第3図はサンプルの位
置調整を行なう場合の測定装置の模式的部分平面図であ
る。
台上に半導体ウェハーのサンプルを載置し3点曲げ法に
よる測定を行なう場合の測定装置の模式的部分側面図、
第2図はその模式的部分平面図5第3図はサンプルの位
置調整を行なう場合の測定装置の模式的部分平面図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ウェハーの周辺部に少なくとも2点で当接し
、該半導体ウェハーの周方向および該半導体ウェハー面
で定められる平面上を平行移動する第1の治具と、該半
導体ウェハーの切欠き部に当接し、該半導体ウェハーの
周方向および該半導体ウェハー面で定められる平面上を
平行移動する第2の治具と、該第1の治具と該第2の治
具によって位置調整された半導体ウェハーを載置固定す
る試料台と、該試料台に設けられ半導体ウェハーをその
中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持部材と
、該試料台上に固定された半導体ウェハーをその中心線
において上面より押圧する押圧部材とからなる半導体ウ
ェハーの機械的強度の測定装置。 2、半導体ウェハーを、その周辺部に少なくとも2点で
当接する第1の治具と、その切欠き部に当接する第2の
治具により位置調整し、その状態で試料台に設けられ該
半導体ウェハーの中心線に線対称な2つの平行線上で支
持する支持部材に載置固定し、該半導体ウェハーをその
中心線において上面より押圧部材で押圧し3点曲げ強度
を測定することを特徴とする半導体ウェハーの機械的強
度の測定方 法。 3、半導体ウェハーを、試料台に設けられ該半導体ウェ
ハーの中心線に線対称な2つの平行線上で支持する支持
部材に載置し、該半導体ウェハーの周辺部に少なくとも
2点で当接する第1の治具と、該半導体ウェハーの切欠
き部に当接する第2の治具により位置調整し、その状態
で固定した半導体ウェハーをその中心線において上面よ
り押圧部材で押圧し3点曲げ強度を測定することを特徴
とする半導体ウェハーの機械的強度の測定方法。 4、該第1の治具により該半導体ウェハーの中心線を規
定し、該第2の治具により前記中心線と該半導体ウェハ
ーの切欠き部のなす角を規定する請求項2または3記載
の半導体ウェハーの機械的強度の測定方法。 5、半導体ウェハー材料がGaAs化合物半導体である
請求項1〜4いずれか1項記載の半導体ウェハーの機械
的強度の測定装置および測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10353689A JPH02284040A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10353689A JPH02284040A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02284040A true JPH02284040A (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14356578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10353689A Pending JPH02284040A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02284040A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011027430A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハの機械的強度測定装置および測定方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5216175A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Wafer spotting device |
JPS5410680A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Locating device of semiconductor wafers |
JPS6236537B2 (ja) * | 1979-04-27 | 1987-08-07 | Yokogawa Hyuuretsuto Patsukaado Kk | |
JPS63287030A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Toshiba Corp | ウェハ保持具 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10353689A patent/JPH02284040A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5216175A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Wafer spotting device |
JPS5410680A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Locating device of semiconductor wafers |
JPS6236537B2 (ja) * | 1979-04-27 | 1987-08-07 | Yokogawa Hyuuretsuto Patsukaado Kk | |
JPS63287030A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | Toshiba Corp | ウェハ保持具 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011027430A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハの機械的強度測定装置および測定方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR19980080076A (ko) | 노치리스 웨이퍼의 제조방법 | |
US5180150A (en) | Apparatus for providing consistent registration of semiconductor wafers | |
KR20080049166A (ko) | 시편 제조 장치 및 방법 | |
JPH08309737A (ja) | 単結晶インゴットの加工方法 | |
JPH02284040A (ja) | 半導体ウェハーの機械的強度の測定装置および測定方法 | |
CN116657249A (zh) | 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法 | |
WO2004072585A2 (en) | Wafer bond strength evaluation apparatus | |
TWI539543B (zh) | Evaluation method of semiconductor wafers and evaluation device for semiconductor wafers | |
US6332275B1 (en) | Margin inspector for IC wafers | |
CN113483722B (zh) | 硅片边缘粗糙度检测治具及检测方法 | |
JPH10337695A (ja) | 半導体単結晶インゴットの接着方法及びスライス方法 | |
CN213381025U (zh) | 硅片夹紧状态校准工具 | |
KR101812417B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 에지의 앵글 폴리싱 장치 및 이를 이용한 실리콘 웨이퍼 에지의 기계적 손상 깊이 측정방법 | |
JP4578315B2 (ja) | ウエーハ位置決め用治具及びウエーハ固定用スタンド並びにウエーハ分析方法 | |
US20040071262A1 (en) | Method of alignment | |
CN211717314U (zh) | 用于制作热压缩试验试样的专用组合工装 | |
TWI855564B (zh) | 一種用於檢測矽片的周緣損傷層的深度的系統及方法 | |
JPH10256333A (ja) | 評価用半導体ウェーハの作成方法 | |
JP4792672B2 (ja) | ノッチ検査方法およびノッチ検査装置 | |
US7175214B2 (en) | Wafer gripping fingers to minimize distortion | |
KR200291959Y1 (ko) | 반도체용 시편의 그라인딩 홀더 | |
JP4291079B2 (ja) | 半導体ウェハの耐衝撃性試験方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JPS62251603A (ja) | レンズ形状の測定方法 | |
KR20110016780A (ko) | 웨이퍼 샘플링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 샘플링 방법 | |
JPH06167463A (ja) | X線単結晶方位測定装置 |